KR20030039238A - 이미지 센서 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (11)
- 수광소자 및 필드절연막이 형성된 반도체 기판;상기 기판 상에 형성된 제 1 평탄화막;상기 수광소자 상의 제 1 평탄화막 상부에 형성된 마이크로렌즈; 및상기 마이크로렌즈 상부에 형성된 칼라필터를 포함하고,상기 마이크로렌즈는 감광제로 이루어진 내부 마이크로렌즈와 상기 감광제보다 큰 굴절율을 갖는 절연성 물질막으로 이루어진 외부 마이크로렌즈로 이루어지며, 이웃하는 마이크로렌즈와 서로 접하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제 1 항에 있어서,상기 절연성 물질막은 질화막인 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제 2 항에 있어서,상기 질화막은 저온증착방식에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제 1 항에 있어서,상기 마이크로렌즈와 상기 칼라필터 사이에 형성된 제 2 평탄화막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제 1 항 또는 제 4 항에 있어서,상기 칼라필터를 덮으면서 상기 기판의 최상부층 상에 형성되고 평탄한 표면을 갖는 산화막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 수광소자 및 필드절연막이 형성된 반도체 기판 상에 제 1 평탄화막을 형성하는 단계;상기 수광소자 상의 제 1 평탄화막 상부에 감광제로 이루어진 구면형상의 내부 마이크로렌즈를 형성하는 단계;상기 감광제보다 큰 굴절율을 갖는 절연성 물질막을 이용하여, 상기 내부 마이크로렌즈의 토폴로지가 유지되도록 상기 내부 마이크로렌즈를 덮는 외부 마이크로렌즈를 형성하여, 외부 및 내부의 적층구조로 이루어진 마이크로렌즈를 형성하는 단계; 및상기 마이크로렌즈 상부에 칼라필터를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 물질막은 질화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 질화막은 저온증착방식을 이용하여 증착하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 질화막의 증착은 이웃하는 마이크로렌즈가 서로 접할 때까지 실시하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 칼라필터를 형성하기 전에, 상기 기판 전면 상에 제 2 평탄화막을 형성하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조방법.
- 제 6 항 또는 제 10 항에 있어서,상기 칼라필터를 형성한 후, 상기 칼라필터를 덮도록 상기 기판의 최상부층 상에 산화막을 증착한 후 평탄화하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조방법.
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