KR20030030387A - noxious gas purification system using non-thermal plasma reactor and control method therefor - Google Patents
noxious gas purification system using non-thermal plasma reactor and control method therefor Download PDFInfo
- Publication number
- KR20030030387A KR20030030387A KR1020010062501A KR20010062501A KR20030030387A KR 20030030387 A KR20030030387 A KR 20030030387A KR 1020010062501 A KR1020010062501 A KR 1020010062501A KR 20010062501 A KR20010062501 A KR 20010062501A KR 20030030387 A KR20030030387 A KR 20030030387A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- low temperature
- temperature plasma
- plasma reactor
- electrode
- plate
- Prior art date
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/32—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by electrical effects other than those provided for in group B01D61/00
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/2406—Generating plasma using dielectric barrier discharges, i.e. with a dielectric interposed between the electrodes
- H05H1/2437—Multilayer systems
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2259/00—Type of treatment
- B01D2259/80—Employing electric, magnetic, electromagnetic or wave energy, or particle radiation
- B01D2259/818—Employing electrical discharges or the generation of a plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H2245/00—Applications of plasma devices
- H05H2245/10—Treatment of gases
- H05H2245/17—Exhaust gases
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 저온 플라즈마 반응기를 이용한 유해 가스 처리 시스템에 관한 것으로, 구체적으로는 저온 플라즈마 반응기의 오염된 전극을 신속히 재생할 수 있으며 아크 방전(arc discharge)을 방지할 수 있는 저온 플라즈마 반응기를 이용한 유해 가스 처리 시스템 및 그 제어 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a hazardous gas treatment system using a low temperature plasma reactor, and more particularly, to a hazardous gas treatment using a low temperature plasma reactor capable of quickly regenerating contaminated electrodes of a low temperature plasma reactor and preventing arc discharge. It relates to a system and a control method thereof.
폐수처리장, 화학공정, 반도체공정, 연소설비 등 여러 산업 공정이나 오염된 토양으로부터 대기 중으로 유해가스들이 배출되고 있다. VOCs(volatile organic compounds), PFCs(perfluorocarbons), CFCs(chlorofluorocarbons), 다이옥신(dioxin), 악취, 기타 무기물 등의 유해 가스들은 인체에 직접적으로 유해할 뿐만 아니라 대기중의 광스모그를 일으키는 원인 물질로 알려져 이에 대한 규제가 각 국에서 시행되고 있다. 최근, 특정 산업폐기물에 대한 규제가 강화되고 있는데 특히, 지구온난화 물질인 PFCs와 CFCs는 국제협약에 의해 단계적인 배출규제가 강화되고 있으며 2002년부터는 총량규제가 실시될 예정에 있다.Hazardous gases are emitted into the atmosphere from various industrial processes such as wastewater treatment plants, chemical processes, semiconductor processes, and combustion facilities or from contaminated soil. Hazardous gases such as volatile organic compounds (VOCs), perfluorocarbons (PFCs), chlorofluorocarbons (CFCs), dioxin, odors, and other minerals are not only harmful to the human body, but are also known to cause light smog in the atmosphere. Regulations are in force in each country. In recent years, regulations on certain industrial wastes have been tightened. Particularly, global warming substances, PFCs and CFCs, have been gradually phased out by international agreements, and total regulations will be implemented from 2002.
현재, 유해가스에 대한 처리기술로서 소각공법, 촉매공법, 흡착 또는 생물학적 여과공법 등이 실용화되고 있다. 그러나 이들 기존의 기술만으로는 향후 강화되는 규제를 충분히 만족할 수 없는 것으로 알려지고 있다. 일 예로, 소각 및 촉매공법의 경우에는 어떠한 방식으로든 고온의 열원이 필요하나 유해가스가 간헐적으로 배출되는 초청정 반도체 공정에서는 고온의 열원을 지속적으로 유지하기 위한 기술적 경제적 어려움이 있는 것으로 알려지고 있다.At present, an incineration method, a catalyst method, an adsorption or a biological filtration method and the like have been put into practical use as treatment technologies for harmful gases. However, it is known that these existing technologies alone cannot fully satisfy the tightening regulations. For example, incineration and catalytic processes require a high temperature heat source in any way, but it is known that there is a technical and economic difficulty to continuously maintain a high temperature heat source in an ultra clean semiconductor process in which harmful gases are intermittently discharged.
한편, 고온의 열원이 없이도 유해가스를 분해 또는 산화 처리하는 기술로서 저온 플라즈마 공법이 있다. 저온 플라즈마 공법은 고전압 교류전력을 전기적 유전체로 구성된 반응기에 공급함으로서 상압 조건에서 전자와 이온으로 구성된 저온 플라즈마를 발생시키고, 여기서 발생된 일부 에너지가 높은 전자들을 이용하여 유해가스와 화학반응을 일으키도록 하여 유해가스를 처리하는 것이다.On the other hand, there is a low temperature plasma method as a technique for decomposing or oxidizing harmful gases even without a high temperature heat source. The low temperature plasma process supplies a high voltage alternating current power to a reactor composed of an electrical dielectric to generate a low temperature plasma composed of electrons and ions at atmospheric pressure, and to generate a chemical reaction with a noxious gas using some high energy electrons generated therein. To deal with harmful gases.
저온 플라즈마를 이용한 유해 가스 처리 기술로서 1990년 9월 4일자로 Joseph G. Birmingham et al에게 허여된 미국특허 4,954,320 "반작용층 플라즈마 공기 정화(REACTIVE BED PLASMA AIR PURIFICATION)", 1993년 8월 17일자로 Carlos M. Nunez et al에게 허여된 미국특허 5,236,672 "휘발성 유기 화합물과 독가스의 코로나 파괴(CORONA DESTRUCTION OF VOLATILE ORGANIC COMPOUNDS AND TOXICS)" 그리고, 1997년 3월 11일자로 Toshiaki Yamamoto에게 허여된 미국특허 5,609,736 "보조 촉매 저온 플라즈마를 이용한 유해가스 제어를 위한 방법 및 장치(METHODS AND APPARATUS FOR CONTROLLING TOXIC COMPOUNDS USING CATALYSIS-ASSISTED NON-THERMAL PLASMA)" 등이 있다.US Patent 4,954,320 "REACTIVE BED PLASMA AIR PURIFICATION," issued August 17, 1993, to Joseph G. Birmingham et al. US Pat. No. 5,236,672 issued to Carlos M. Nunez et al, "CORONA DESTRUCTION OF VOLATILE ORGANIC COMPOUNDS AND TOXICS," US Patent 5,609,736 to Toshiaki Yamamoto, dated March 11, 1997. " METHODS AND APPARATUS FOR CONTROLLING TOXIC COMPOUNDS USING CATALYSIS-ASSISTED NON-THERMAL PLASMA. "
상술한 종래 기술들은 저온 플라즈마를 발생시키기 위해 펄스 전력을 사용하거나, 반응 후 발생될 수 있는 가스상의 2차 오염물질을 줄이고 반응효율을 향상시키기 위해 반응기에 촉매 또는 강유전체 비즈(bead)를 충진하는 기술들을 제안하고 있다. 그러나 이상의 종래 기술들은 공정 중에 발생된 에어로졸(aerosol) 형태의 부산물이 반응기 또는 배관에 부착되어 막힘 현상을 초래하거나 반응기의 전기적 특성을 악화시켜 공정의 연속운전을 방해하고 있어 이들 제안된 기술을 실제로 상용화하여 운영중인 사례는 극히 드물다.The above-mentioned prior arts use pulse power to generate low temperature plasma, or fill catalyst or ferroelectric beads in the reactor to reduce gaseous secondary contaminants that may be generated after the reaction and improve reaction efficiency. Are proposing. However, the above-mentioned prior arts prevent the continuous operation of the process by aerosol by-products generated during the process attached to the reactor or the pipe, causing clogging or deteriorating the electrical characteristics of the reactor. Very few cases are in operation.
지금까지 제안된 저온 플라즈마 공정에 사용된 반응기는 대부분 원형의 실린더를 한편의 전극으로 하고 실린더 내에 가는 선 또는 작은 직경의 튜브를 다른 한편의 전극으로 이용하는 구조로 되어 있다. 이와 같은 형상의 반응기는 기존의 상용화된 중대형 오존발생장치와 유사한데 반응기내에서 발생되는 열을 외부로 배출하여 운전 온도를 낮추는데 유리한 점이 있으나 처리하는 가스의 유량에 비해 반응기가 커지는 단점이 있다.Most of the reactors used in the low temperature plasma process proposed so far have a structure in which a circular cylinder is used as an electrode and a thin line or a small diameter tube in the cylinder is used as the other electrode. The reactor having such a shape is similar to the commercially available medium-large ozone generator, which has an advantage in lowering the operating temperature by discharging heat generated in the reactor to the outside, but has a disadvantage in that the reactor becomes larger than the flow rate of the gas to be treated.
한편, 플라즈마 발생 원리를 이용한 소형 오존 발생기의 경우 반응기내의 전극이 다층 평판으로 구성된 경우가 있다. 다층 평판 전극은 널리 알려져 있는 전극 형상으로, 가장 큰 특성은 원통형 실린더 구조를 갖는 반응기 구조에 비해 반응기내에서 발생된 열이 외부로 전달되기 어려워 운전온도가 상승하는데 있다. 그럼으로 다층 평판 전극을 갖는 반응기는 운전온도가 상승될수록 유해가스의 제거율이 상승하거나, 반응기내에 부착된 부산물이 산화되어 제거되는 과정이 촉진될 수 있는 유해가스 제거공정에 유리할 수 있다.On the other hand, in the case of a small ozone generator using the plasma generation principle, the electrode in the reactor may be composed of a multilayer plate. Multi-layered flat electrodes have a well-known electrode shape, the biggest characteristic of which is that the heat generated in the reactor is difficult to transfer to the outside compared to the reactor structure having a cylindrical cylinder structure, thereby increasing the operating temperature. Therefore, the reactor having a multi-layered flat electrode may be advantageous for a harmful gas removal process in which the removal rate of harmful gas increases as the operating temperature increases, or the process of oxidizing and removing the by-products attached in the reactor may be accelerated.
그런데, 비교적 깨끗한 공기 또는 산소로부터 오존을 발생시키는 오존 발생기와는 달리 수분 및 입자상의 물질이 다량으로 포함된 공기 및 배출가스를 처리하는 유해가스 처리공정에서는 아크 방전이 발생될 수 있어 다층 평판 전극을 구비한 반응기를 치명적으로 파손시킬 수 있는 문제점을 갖고 있다. 그럼으로 수분 및 입자상 물질이 포함된 가스 내에서도 안정적으로 저온 플라즈마를 발생할 수 있는 다층 평판 전극을 구비한 저온 플라즈마 반응기가 요구되고 있다.However, unlike ozone generators that generate ozone from relatively clean air or oxygen, arc discharge may occur in the process of treating harmful gases and exhaust gases containing a large amount of moisture and particulate matter. There is a problem in that the reactor can be fatally damaged. Therefore, there is a need for a low temperature plasma reactor having a multi-layered flat electrode capable of stably generating a low temperature plasma even in a gas containing moisture and particulate matter.
따라서, 본 발명의 목적은 상술한 제반 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로서 유해가스 처리과정에서 저온 플라즈마 반응기의 내벽과 전극판에 부착되는 에어로졸을 효과적으로 제거할 수 있는 저온 플라즈마 반응기를 이용한 유해가스 처리 시스템을 제공하는데 있다.Accordingly, an object of the present invention has been proposed to solve the above-mentioned problems, the harmful gas treatment system using a low temperature plasma reactor that can effectively remove the aerosol attached to the inner wall of the low temperature plasma reactor and the electrode plate during the harmful gas treatment process. To provide.
본 발명의 다른 목적은 저온 플라즈마 반응기를 이용한 유해 가스 처리 공정을 연속적으로 수행할 수 있는 저온 플라즈마 반응기를 이용한 유해가스 처리 시스템 및 그 제어 방법을 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a noxious gas treatment system using a low temperature plasma reactor and a control method thereof, which can continuously perform a noxious gas treatment process using a low temperature plasma reactor.
본 발명의 또 다른 목적은 아크 방전을 방지할 수 있는 저온 플라즈마 반응기를 위한 다층 평판 전극 및 이의 제조 방법을 제공하는데 있다.It is still another object of the present invention to provide a multi-layered flat electrode for a low temperature plasma reactor capable of preventing arc discharge and a method of manufacturing the same.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유해 가스 처리 시스템의 구성을 개략적으로 보여주는 블록도;1 is a block diagram schematically showing the configuration of a noxious gas treatment system according to a preferred embodiment of the present invention;
도 2는 복수개의 저온 플라즈마 반응기를 구비한 유해 가스 처리 시스템의 구성을 개략적으로 보여주는 블록도;2 is a block diagram schematically showing the configuration of a noxious gas treatment system having a plurality of low temperature plasma reactors;
도 3은 본 발명의 저온 플라즈마 반응기를 위한 다층 평판 전극의 사시도;3 is a perspective view of a multilayer plate electrode for the low temperature plasma reactor of the present invention;
도 4는 도 3의 단위 평판 전극의 분해 사시도;4 is an exploded perspective view of the unit plate electrode of FIG. 3;
도 5는 오염된 공기를 처리한 후 에어로졸이 부착된 평판 전극을 보여주는 도면; 그리고5 shows a flat surface electrode with aerosol attached after treating contaminated air; And
도 6은 재생 공정을 거처 재생된 평판 전극을 보여주는 도면이다.6 illustrates a plate electrode regenerated through a regeneration process.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *
10, 20, 22: 저온 플라즈마 반응기18, 28: 밸브 시스템10, 20, 22: low temperature plasma reactor 18, 28: valve system
12, 21, 23: 고주파 발진기30: 다층 평판 전극12, 21, 23: high frequency oscillator 30: multilayer plate electrode
31: 세라믹 평판 전극31a, 31b: 세라믹 평판31 ceramic plate electrodes 31a and 31b: ceramic plate
31c: 전극판31d: 전극 돌출부31c: electrode plate 31d: electrode protrusion
31e: 전극판 삽입 영역31f: 전극판 삽입구31e: electrode plate insertion area 31f: electrode plate insertion hole
32a, 32b: 세라믹 스페이서32a, 32b: ceramic spacer
상술한 바와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 특징에 의하면, 저온 플라즈마 반응기를 이용하여 유해 가스가 포함된 오염된 공기를 정화하는 유해 가스 처리 시스템은 오염된 공기의 처리 단계에서 오염된 공기를 저온 플라즈마 반응기로 유입하여 저온 플라즈마 반응에 의해 정화시킨다. 재생 단계에서 오염된 저온 플라즈마 반응기는 유해 가스를 포함하지 않은 비오염된 공기를 받아들여 저온 플라즈마 반응에 의해 오염된 저온 플라즈마 반응기 자신을 재생시킨다.According to an aspect of the present invention for achieving the object of the present invention as described above, the harmful gas treatment system for purifying the polluted air containing harmful gases using a low temperature plasma reactor is contaminated in the treatment step of contaminated air The prepared air is introduced into a low temperature plasma reactor and purified by a low temperature plasma reaction. The low temperature plasma reactor contaminated in the regeneration step receives non-contaminated air containing no harmful gas and regenerates the low temperature plasma reactor itself contaminated by the low temperature plasma reaction.
이 실시예에 있어서, 연속적으로 정화 처리 공정을 수행해야 하는 경우, 적어도 두 대의 저온 플라즈마 반응기로 유해 가스 처리 시스템을 구성하여 적어도 두 대의 저온 플라즈마 반응기들이 정화 처리 단계와 재생 처리 단계를 서로 교대로 진행하여 전체적으로 정화 처리 공정이 연속되게 한다. 불연속적으로 정화 처리 공정을 수행해도 되는 경우에는 단일 저온 플라즈마 반응기로 유해 가스 처리 시스템을 구성하고, 정화 처리 단계와 재생 처리 단계를 교대로 진행한다.In this embodiment, when it is necessary to perform the purification treatment process continuously, at least two low temperature plasma reactors constitute a noxious gas treatment system so that the at least two low temperature plasma reactors alternately perform a purification treatment and a regeneration treatment step. The entire purification process is continued. When the purification treatment process may be carried out discontinuously, the hazardous gas treatment system is constituted by a single low temperature plasma reactor, and the purification treatment step and the regeneration treatment step are alternately performed.
본 발명의 다른 특징에 의하면, 저온 플라즈마 반응기를 이용하여 유해 가스가 포함된 오염된 공기를 정화하는 유해 가스 처리 시스템은 적어도 한 대 이상의 저온 플라즈마 반응기, 복수개의 밸브들을 갖는 밸브 시스템 및, 적어도 한 대 이상의 고주파 발생기를 구비한다. 밸브 시스템은 오염된 공기를 정화하기 위한 공정을 수행하는 저온 플라즈마 반응기로 오염된 공기를 제공하고, 오염된 저온 플라즈마 반응기 자신을 재생하기 위한 공정을 수행하는 저온 플라즈마 반응기로는 비오염된 공기를 제공한다. 그리고 적어도 한 대 이상의 고주파 발생기는 적어도 한 대 이상의 저온 플라즈마 반응기로 각기 고주파 전력을 제공한다.According to another feature of the invention, a noxious gas treatment system for purifying contaminated air containing noxious gases using a low temperature plasma reactor comprises at least one low temperature plasma reactor, a valve system having a plurality of valves, and at least one unit. The above high frequency generator is provided. The valve system provides contaminated air to a low temperature plasma reactor that performs a process for purifying contaminated air and non-contaminated air to a low temperature plasma reactor that performs a process for regenerating the contaminated low temperature plasma reactor itself. do. And at least one high frequency generator provides high frequency power, respectively, to at least one low temperature plasma reactor.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 저온 플라즈마 반응기에 설치되고, 고주파 발생기로부터 고주파 전력을 제공받아 저온 플라즈마 방전을 발생하는 다층 평판 전극은 내측에 전극판 삽입 영역을 갖는 비도전성 평판과, 전극판 삽입 영역에 삽입되는 도전성 전극판을 갖는 다층으로 배열된 복수개의 평판 전극들과 다층의 평판 전극들 사이에 통공이 형성되도록 각 세라믹 평판 전극들 사이에 위치하는 복수개의 스페이서들로 구성된다.According to still another aspect of the present invention, a multi-layered flat electrode installed in a low temperature plasma reactor and receiving high frequency power from a high frequency generator to generate a low temperature plasma discharge has a non-conductive plate having an electrode plate insertion region therein and an electrode plate insertion. It consists of a plurality of plate electrodes arranged in a multilayer having a conductive electrode plate inserted into the region and a plurality of spacers positioned between each ceramic plate electrode such that a hole is formed between the multilayer plate electrodes.
이 실시예에 있어서, 상기 비도전성 평판과 상기 스페이서는 세라믹으로 구성된다. 복수개의 평판 전극은 대략 사각 평판의 형상을 갖고 그 일 측에 전극판 삽입구가 마련되며, 복수개의 평판 전극은 전극판 삽입구가 이웃하는 평판 전극의 전극판 삽입구와 서로 반대 방향으로 엇갈리게 배열된다.In this embodiment, the non-conductive plate and the spacer are made of ceramic. The plurality of plate electrodes have a shape of a substantially square plate, and an electrode plate insertion hole is provided at one side thereof, and the plurality of plate electrodes are alternately arranged in opposite directions with the electrode plate insertion holes of neighboring plate electrodes.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 저온 플라즈마 반응기에 설치되고, 고주파 발생기로부터 고주파 전력을 제공받아 저온 플라즈마 방전을 발생하는 다층 평판 전극의 제조 방법은: 제1 세라믹 평판의 일 측 표면에 전극판 삽입 영역을 형성하는 단계; 전극판 삽입 영역이 내측으로 오도록 제1 세라믹 평판과 제2 세라믹 평판을 하나의 평판 전극으로 접합하기 위해 제1 고온 열처리를 수행하는 단계; 전극판 삽입 영역에 전극판을 삽입하는 단계; 복수개의 평판 전극을 다층으로 배열하고, 그 사이에 통공이 형성되도록 각기 세라믹 스페이서를 두고 복수개의 평판 전극과 세라믹 스페이서를 접합하기 위해 제2 고온 열처리를 수행하는 단계를 포함한다.According to still another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a multi-layered flat plate electrode, which is installed in a low-temperature plasma reactor and receives high-frequency power from a high-frequency generator, to generate a low-temperature plasma discharge. An electrode plate is inserted into one surface of a first ceramic plate. Forming a region; Performing a first high temperature heat treatment to join the first ceramic plate and the second ceramic plate into one plate electrode such that the electrode plate insertion region is inward; Inserting an electrode plate in the electrode plate insertion region; Arranging a plurality of flat plate electrodes in a multi-layer, and performing a second high temperature heat treatment to bond the plurality of flat plate electrodes and the ceramic spacers with ceramic spacers so as to form holes therebetween.
이 실시예에 있어서, 제1 및 제2 고온 열처리는 대략 1450℃ 내지 1800℃의 고온으로 대략 0.5 내지 4시간 동안 수행된다.In this embodiment, the first and second high temperature heat treatments are performed at a high temperature of about 1450 ° C. to 1800 ° C. for about 0.5 to 4 hours.
본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 명확하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below. This embodiment is provided to explain more clearly the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shape of the elements in the drawings and the like are exaggerated to emphasize a clearer description.
(실시예)(Example)
이하, 본 발명에 따른 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
일반적으로, 오염되지 않은 공기 또는 산소를 반응기에 투입하여 오존을 발생시키는 기술과는 달리 악취물질, VOCs, PFCs, CFCs 등의 오염된 물질을 저온 플라즈마로 처리하는데 있어서 플라즈마 반응의 결과로 다량의 입자상 물질이 발생될 수 있다. 이들 입자상 물질은 반응기 내벽 및 전극에 부착되어 반응기의 막힘 또는 전기적 특성의 변화를 일으켜 장시간의 연속운전을 불가능하게 하고 있다.In general, unlike the technique of generating ozone by injecting uncontaminated air or oxygen into the reactor, a large amount of particulate matter is formed as a result of the plasma reaction in treating contaminated substances such as odorous substances, VOCs, PFCs, and CFCs with low temperature plasma. Material may be generated. These particulate matters adhere to the reactor inner wall and the electrode, causing clogging or change of the electrical characteristics of the reactor, making long time continuous operation impossible.
한편, 본 발명자는 반응기 내벽에 부착된 부산물은 깨끗한 공기를 공급함과 동시에 플라즈마 반응기를 가동시키면 부산물이 서서히 제거되어 오염된 반응기 내벽과 전극이 깨끗하게 재생될 수 있음을 발견하였으며, 여기서 더 나아가 이와 같은 반응기 재생과정을 보다 신속하고 효율적으로 진행될 수 있는 공정기술을 다음에 기술된 바와 같이 구체적으로 발명하게 되었다.On the other hand, the inventors found that by-products attached to the reactor inner wall supply clean air and operate the plasma reactor at the same time, the by-products are gradually removed to clean the contaminated reactor inner wall and the electrode, and furthermore, such a reactor Process technology that allows the regeneration process to proceed more quickly and efficiently has been specifically invented as described below.
본 발명의 유해가스 처리 시스템은 다층 평판 전극을 구비한 저온 플라즈마 반응기를 구비한다. 저온 플라즈마 반응기는 유해가스 처리 공정과 전극 재생 공정으로 교대로 수행하는데, 두 대 이상의 저온 플라즈마 반응기를 구비하여 각기 교대로 유해 가스 처리 공정을 수행하도록 하면 전체적으로는 연속적인 유해가스 처리 공정의 진행이 가능하게 할 수 있다. 특히, 다층 전극 평판으로 저온 플라즈마 반응기를 구성함과 함께 다층 평판 전극의 전극 삽입구를 서로 반대 방향으로 엇갈려 배치함으로 공정 진행 중에 아크 방전이 발생될 수 있는 것을 막아 전극판과 반응기가 손상되는 것을 방지할 수 있다.The noxious gas treatment system of the present invention includes a low temperature plasma reactor having a multi-layered flat electrode. The low temperature plasma reactor is alternately carried out with a noxious gas treatment process and an electrode regeneration process, and if two or more low temperature plasma reactors are provided to alternately perform the noxious gas treatment process, the overall noxious gas treatment process can be continuously performed. It can be done. In particular, by forming a low temperature plasma reactor with a multi-layered electrode plate and staggering the electrode insertion holes of the multi-layered plate electrodes in opposite directions to prevent an arc discharge from occurring during the process, it is possible to prevent damage to the electrode plate and the reactor. Can be.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유해 가스 처리 시스템의 구성을 개략적으로 보여주는 블록도이다. 도면을 참조하여, 본 발명의 유해가스 처리 시스템은 저온 플라즈마 반응기(10), 저온 플라즈마 반응기(10)에 설치된 다층 평판 전극(미도시, 후에 상세히 설명함)으로 고주파 전력을 제공하는 고주파 발생기(12), 그리고 저온 플라즈마 반응기(10)로 유해가스 또는 맑은 공기를 제공하는 제1 및 제2 밸브(14, 16)로 구성된 밸브 시스템(18)으로 구성된다. 고주파 발생기(12)는 대략 2~20KV 범위에 있는 고전압 교류전원을 사용하며, 교류전원의 주파수는 대략 50~10Khz 범위의 것을 사용하게 된다.1 is a block diagram schematically showing the configuration of a noxious gas treatment system according to a preferred embodiment of the present invention. Referring to the drawings, the harmful gas treatment system of the present invention is a low-temperature plasma reactor 10, a high-frequency generator 12 for providing a high frequency power to a multi-layer flat electrode (not shown, described later in detail) installed in the low-temperature plasma reactor 10 And a valve system 18 consisting of first and second valves 14, 16 providing noxious gas or clean air to the low temperature plasma reactor 10. The high frequency generator 12 uses a high voltage AC power in the range of about 2 ~ 20KV, and the frequency of the AC power is used in the range of about 50 ~ 10Khz.
유해가스 처리시스템은 오염된 공기를 정화시키는 단계에서 제1 밸브(14)를 개방시켜 유해 가스를 포함하는 오염된 공기를 저온 플라즈마 반응기(10)로 유입시킨다. 그리고 저온 플라즈마 반응기(10)는 고주파 발생기(12)로부터 고주파 전력을 제공받아 저온 플라즈마를 발생시켜 오염된 공기를 정화시켜 배출시킨다.The noxious gas treatment system opens the first valve 14 to purify the polluted air, thereby introducing the polluted air containing the noxious gas into the low temperature plasma reactor 10. The low temperature plasma reactor 10 receives high frequency power from the high frequency generator 12 to generate low temperature plasma to purify and discharge the polluted air.
일정 시간 동안 유해 가스 처리 공정이 진행된 후, 유해가스 처리 시스템은 제1 밸브(14)를 차단하여 저온 플라즈마 반응기(10)로의 오염된 공기의 유입을 막고 제2 밸브를 개방시켜 맑은 공기를 유입시키면서 전극 재생공정을 수행한다. 전극 재생 공정에서 제2 밸브(16)를 통해 맑은 공기가 저온 플라즈마 반응기(10)로 유입되면 고주파 발생기(12)로부터 다시 고주파 전력을 제공받아 저온 플라즈마를 발생시켜 오염된 전극(미도시)과 저온 플라즈마 반응기(10) 내부에 부착된 에어로졸을 제거시킨다.After the hazardous gas treatment process is performed for a predetermined time, the noxious gas treatment system shuts off the first valve 14 to prevent contaminated air from entering the low-temperature plasma reactor 10 and opens the second valve to introduce clean air. The electrode regeneration process is performed. When clean air flows into the low temperature plasma reactor 10 through the second valve 16 in the electrode regeneration process, high frequency power is again supplied from the high frequency generator 12 to generate a low temperature plasma to contaminate the electrode (not shown) and the low temperature. The aerosol attached to the inside of the plasma reactor 10 is removed.
이와 같이, 유해가스 처리 시스템은 제1 밸브(14)와 제2 밸브(16)를 서로 교대적으로 개방/차단시키면서 유해가스 처리 공정과 전극 재생 공정을 교대적으로 수행한다. 이 경우는 유해가스 처리 공정이 불연속적으로 수행되어도 무방한 경우에 사용될 수 있는 것이다. 그러나 두 대 이상의 저온 플라즈마 반응기를 이용하는 경우에는 연속적인 유해가스 처리 공정의 진행이 가능하다.In this manner, the noxious gas treatment system alternately performs the noxious gas treatment process and the electrode regeneration process while alternately opening / closing the first valve 14 and the second valve 16. This case can be used when the hazardous gas treatment process may be performed discontinuously. However, when two or more low temperature plasma reactors are used, a continuous process of harmful gas treatment is possible.
도 2는 복수개의 저온 플라즈마 반응기를 구비한 유해 가스 처리 시스템의 구성을 개략적으로 보여주는 블록도이다.2 is a block diagram schematically showing the configuration of a noxious gas treatment system having a plurality of low temperature plasma reactors.
도면에 도시된 바와 같이, 두 대의 저온 플라즈마 반응기(20, 22)와 이들에 각기 연결되어 고주파 전력을 제공하는 두 대의 고주파 발진기(21, 23)가 구비된다. 밸브 시스템(28)은 제1 내지 제4 밸브(24, 25, 26, 27)를 구비하는데 오염된 공기를 제공하기 위한 제1 및 제3 밸브(24, 26)와 맑은 공기를 제공하기 위한 제2 및 제4 밸브(25, 27)로 구성된다.As shown in the figure, there are two low temperature plasma reactors 20 and 22 and two high frequency oscillators 21 and 23 respectively connected to them to provide high frequency power. The valve system 28 has first to fourth valves 24, 25, 26, 27, the first and third valves 24, 26 for providing contaminated air and the first for providing clean air. And second and fourth valves 25 and 27.
두 대의 저온 플라즈마 반응기(20, 22)는 서로 교대적으로 유해가스 처리 공정을 수행한다. 즉, 하나의 반응기가 유해가스 처리공정을 진행하는 동안 다른 하나의 반응기는 전극 재생 공정을 수행하며, 전극 재생 공정을 완료한 반응기는 그동작이 정지되어 대기생태에 있게된다. 유해가스 처리공정을 진행하는 반응기의 내벽과 전극이 부산물의 부착으로 인해 오염되어 전기적 특성이 변하거나 성능이 저하되면 유해가스 처리공정 진행을 정지하고 맑은 공기를 받아들이면서 재생 공정을 진행한다. 그리고 다른 하나의 반응기는 오염된 공기를 받아들이면서 유해가스 처리공정을 진행한다.The two low temperature plasma reactors 20 and 22 alternately perform harmful gas treatment processes. That is, while one reactor proceeds with the noxious gas treatment process, the other reactor performs the electrode regeneration process, and the reactor that has completed the electrode regeneration process is stopped and is in the atmospheric environment. If the inner wall and the electrode of the reactor undergoing the noxious gas treatment process are contaminated by the adhesion of by-products and the electrical characteristics change or the performance is deteriorated, the noxious gas treatment process is stopped and the regeneration process is carried out while accepting fresh air. The other reactor receives the polluted air and proceeds with the noxious gas treatment process.
좀더 구체적으로, 오염된 저온 플라즈마 반응기를 재생하는 구체적인 방법은 다음과 같다.More specifically, the specific method for regenerating a contaminated low temperature plasma reactor is as follows.
오염된 반응기에는 유해가스가 없는 맑은 공기가 공급되며, 맑은 공기의 유량은 지금까지 처리되고 있던 오염된 공기량에 비해 1/2 이하로 감소되어 공급된다. 이와 같이하는 경우, 반응기의 운전온도가 상승되어 반응기 내벽과 전극에 부착된 부산물이 산화되어 제거되는 과정이 촉진될 수 있다. 그리고 반응기로 공급되는 고주파 전력의 주파수를 유해가스 처리공정시보다 2~10배 높게 공급하여 유전가열에 의한 반응기 내부 온도가 상승되도록 한다.The polluted reactor is supplied with clean air free of noxious gas, and the flow rate of the clean air is reduced to 1/2 or less than the amount of polluted air that has been treated so far. In this case, the operation temperature of the reactor may be increased, thereby facilitating a process of oxidizing and removing byproducts attached to the inner wall of the reactor and the electrode. In addition, the frequency of the high frequency power supplied to the reactor is supplied 2 to 10 times higher than during the noxious gas treatment process so that the temperature inside the reactor is increased by dielectric heating.
보다 단기간에 재생공정을 마치기 위해서는, 재생과정에 있는 반응기에 소량의 과산화수소를 공급하면 재생시간이 단축될 수 있으며, 이 기술은 단기간에 반응기를 재생할 목적으로 선택하여 이용될 수 있는 방법이다. 재생시간을 단축시키는 또 다른 방법 가운데 하나는 반응기 내벽에 귀금속 촉매(Pt,Pd,Rh 등)를 코팅하는 방안이 있으며, 이 기술은 앞서 과산화수소를 사용하는 방법과 선택적으로 또는 동시에 사용할 수 있다. 그리고 보다 높은 재생 효과를 얻기 위해서 저온 플라즈마 반응기의 체적을 소형화할 수록 운전온도가 상승되어 유해가스의 제거율도 높아지는 부수적인 효과도 기대할 수 있다.In order to finish the regeneration process in a shorter time, supplying a small amount of hydrogen peroxide to the reactor in the regeneration process can reduce the regeneration time, this technique is a method that can be selected and used for the purpose of regenerating the reactor in a short time. Another way to shorten the regeneration time is to coat noble metal catalysts (Pt, Pd, Rh, etc.) on the inner wall of the reactor, which can be used selectively or simultaneously with the method using hydrogen peroxide. In addition, in order to obtain a higher regeneration effect, the smaller the volume of the low-temperature plasma reactor can be expected to have an additional effect of increasing the operation temperature and increasing the removal rate of harmful gas.
다음은 첨부도면 도 3 및 도 4를 참조하여 본 발명의 저온 플라즈마 반응기를 위한 다층 평판 전극의 바람직한 실시예에 대하여 상세히 설명한다. 도 3에는 본 발명의 저온 플라즈마 반응기를 위한 다층 평판 전극의 사시도가, 도 4에는 도 3의 단위 평판 전극의 분해 사시도가 각각 도시되어 있다.Next, with reference to the accompanying drawings, Figures 3 and 4 will be described in detail a preferred embodiment of a multi-layered flat electrode for the low temperature plasma reactor of the present invention. 3 is a perspective view of a multi-layered flat electrode for the low temperature plasma reactor of the present invention, and FIG. 4 is an exploded perspective view of the unit flat electrode of FIG. 3, respectively.
도면을 참조하여, 다층 평판 전극(30)은 복수개의 세라믹 평판 전극(31)들이 다층을 형성하고 각 세라믹 평판 전극(31) 사이에 통공이 형성되도록 위치하는 복수개의 세라믹 스페이서(32a, 32b)로 구성된다. 세라믹 평판 전극(31)은 내측에 전극판 삽입영역(31e)을 갖는 비도전성의 한 쌍의 세라믹 평판(31a. 31b)과, 전극판 삽입영역(31e)에 삽입되는 도전성의 전극판(31c)으로 구성된다.Referring to the drawings, the multilayer plate electrode 30 includes a plurality of ceramic spacers 32a and 32b in which a plurality of ceramic plate electrodes 31 form a multilayer and holes are formed between the ceramic plate electrodes 31. It is composed. The ceramic plate electrode 31 has a pair of non-conductive ceramic plates 31a and 31b having an electrode plate insertion region 31e therein and a conductive electrode plate 31c inserted into the electrode plate insertion region 31e. It consists of.
복수개의 세라믹 평판 전극(31)은 대략 사각 평판의 형상을 갖고 그 일 측에 전극판 삽입구(31f)가 마련되며, 복수개의 평판 전극(31)은 전극판 삽입구가 이웃하는 평판 전극의 전극판 삽입구와 서로 반대 방향으로 엇갈리게 배열된다. 동일 방향으로 배열된 각 전극판(31c)의 전극 돌출부(31d)는 고주파 발생기(40)의 일 단자에 동일하게 병렬 접속된다. 이와 같이 구성된 다층 평판 전극(30)의 통공으로 오염된 공기가 통과되면서 저온 플라즈마 방전에 의해 정화된다.The plurality of ceramic plate electrodes 31 has a substantially rectangular flat plate shape, and an electrode plate insertion hole 31f is provided at one side thereof, and the plurality of plate electrodes 31 have electrode plate insertion holes of the plate electrodes adjacent to each other. And are staggered in opposite directions. The electrode protrusions 31d of the electrode plates 31c arranged in the same direction are connected in parallel to one terminal of the high frequency generator 40 in the same manner. Air contaminated by the through holes of the multilayer flat electrode 30 configured as described above is passed through and purified by low temperature plasma discharge.
도 4에 도시된 바와 같은, 한 쌍의 세라믹 평판(31a, 31b)을 단순히 겹치거나 일반적인 세라믹 접착제로 접합시킬 경우 극히 적은 틈새 또는 기공 사이로 고전압이 통전되어 아크 방전이 발생될 수 있다. 그럼으로 본 발명에서는 이를 방지하기 위해 한 쌍의 세라믹 평판(31a, 31b)을 완전히 밀봉하기 위한 제조 방법을 제공한다.As shown in FIG. 4, when a pair of ceramic plates 31a and 31b are simply overlapped or bonded to each other with a general ceramic adhesive, high voltage may be supplied between extremely small gaps or pores, thereby causing arc discharge. Therefore, the present invention provides a manufacturing method for completely sealing the pair of ceramic plates 31a and 31b to prevent this.
구체적으로, 한 쌍의 세라믹 평판(31a, 31b)은 비교적 저온에서도 가공성이 좋은 두께 1mm 내외의 알루미나 평판을 사용하여 구성하며, 한 쪽 면이 가공된 세라믹 평판과 면이 가공되지 않은 세라믹 평판을 사용한다.Specifically, the pair of ceramic plates 31a and 31b is formed by using an alumina plate having a thickness of about 1 mm and having good processability at a relatively low temperature, and using a ceramic plate processed on one side and a ceramic plate not processed on one side. do.
먼저, 하나의 세라믹 평판(31b)을 0.1 mm 내외의 깊이로 전극판 삽입 영역(31e)을 형성한다. 이는 두께 0.1mm 내외의 전극판(31c)을 추후에 삽입하기 위한 것이다. 이어 다른 하나의 세라믹 평판(31a)과 하나로 붙여서 고온의 열처리로(미도시)에 넣은 다음 대략 1450℃에서 1800℃의 온도로 0.5시간 내지 4시간 동안 열처리를 수행한다. 열처리 과정을 통해서 한 쌍의 세라믹 평판(31a, 31b)은 접합되었으며, 완성 후에 앞서 파놓은 홈에 전극판(31c)을 삽입한다.First, one electrode plate 31b is formed with an electrode plate insertion region 31e to a depth of about 0.1 mm. This is for later insertion of the electrode plate 31c having a thickness of about 0.1 mm. Subsequently, it is pasted into another ceramic plate 31a and placed in a high temperature heat treatment furnace (not shown), and then heat treatment is performed at a temperature of about 1450 ° C. to 1800 ° C. for 0.5 to 4 hours. The pair of ceramic plates 31a and 31b are bonded through the heat treatment process, and after completion, the electrode plates 31c are inserted into the grooves previously dug.
이와 같이, 다수개의 세라믹 평판 전극(31)이 완성되면, 도 3에 도시된 바와 같이, 복수개의 세라믹 평판 전극(31)들 사이로 유체가 흐를 수 있도록 대략 1-10mm의 다수개의 세라믹 스페이서(32a, 32b)를 배치시킨다. 이때, 전극판 돌출부(31d)가 서로 반대가 되도록 엇갈려 배치한다. 그리고 상술한 열처리 과정을 다시 한번 수행하여 다층 평판 전극(30)을 완성한다. 본 발명자는 이와 같은 제조법으로 전극을 제작해서 18KV까지 시험 테스트 한 결과 아크 방전이 발생되지 않았다.As such, when the plurality of ceramic plate electrodes 31 are completed, as illustrated in FIG. 3, the plurality of ceramic spacers 32a having a diameter of about 1-10 mm to allow fluid to flow between the plurality of ceramic plate electrodes 31. 32b). At this time, the electrode plate protrusions 31d are staggered so as to be opposite to each other. The above-described heat treatment process is performed once again to complete the multilayer flat electrode 30. The present inventors produced the electrode by such a manufacturing method and tested the test to 18 KV, and no arc discharge occurred.
첨부도면 도 5는 오염된 공기를 처리한 후 에어로졸이 부착된 평판 전극을 보여주는 도면이고 도 6은 재생 공정을 거처 재생된 평판 전극을 보여주는 도면이다.5 is a view showing a flat electrode with an aerosol attached after treating contaminated air, and FIG. 6 is a view showing a flat electrode regenerated through a regeneration process.
도 5에 도시된 바와 같이, 저온 플라즈마 반응기를 장시간 운전한 후 내부 평판 전극 표면에 부산물이 부착되어 오염된다. 도 6에 도시된 바와 같이, 재생 공정을 거쳐 전극표면에 부착되었던 부산물이 산화과정을 통해 제거된다. 본 발명자는 본 발명의 유해가스 처리 시스템을 이용하여 1,000ppm의 톨루엔이 포함된 공기를 저온 플라즈마를 발생시켜 10시간 정화한 후에는 원래는 백색이었던 전극 표면이 갈색으로 변할 만큼 부산물이 부착되는 것을 발견하였고, 이후 톨루엔을 포함하지 않는 맑은 공기에 과산화수소를 첨가하여 반응기내에 플라즈마를 발생시키면 약 30분 이 지난 이후에는 오염된 전극표면이 깨끗하게 재생되었음을 알 수 있었다.As shown in FIG. 5, after a long time operation of the low temperature plasma reactor, by-products are attached and contaminated on the inner plate electrode surface. As shown in FIG. 6, by-products attached to the surface of the electrode through the regeneration process are removed through the oxidation process. The present inventors found that by-products of 1,000 ppm toluene-containing air were purified by generating a plasma at low temperature for 10 hours using the noxious gas treatment system of the present invention, so that by-products were attached to the surface of the electrode which was originally white, turning brown. Then, when plasma was generated in the reactor by adding hydrogen peroxide to clear air containing no toluene, it was found that after about 30 minutes, the contaminated electrode surface was cleanly regenerated.
상술한 바와 같은, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 저온 플라즈마 반응기를 이용한 유해 가스 처리 시스템의 구성 및 동작을 상기한 설명 및 도면에 따라 도시하였지만, 이는 예를 들어 설명한 것에 불과하며 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능하다는 것을 이 분야의 통상적인 기술자들은 잘 이해할 수 있을 것이다.As described above, the configuration and operation of the noxious gas treatment system using the low temperature plasma reactor according to the preferred embodiment of the present invention are illustrated according to the above description and the drawings, but these are merely described as examples and the technical features of the present invention. Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the scope of the invention.
이상과 같은 본 발명에 의하면, 저온 플라즈마 반응기의 아크 방전을 방지하여 전극과 반응기 내벽이 손상되는 것을 방지할 수 있으며, 연속적인 유해가스 처리와 신속한 전극 재생이 가능해진다. 그리고 반응기의 체적 대비 유해가스 처리 효율을 높일 수 있다.According to the present invention as described above, it is possible to prevent the arc discharge of the low-temperature plasma reactor to prevent damage to the electrode and the inner wall of the reactor, it is possible to process the continuous harmful gas and rapid electrode regeneration. And it is possible to increase the efficiency of the treatment of harmful gases relative to the volume of the reactor.
Claims (15)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2001-0062501A KR100451125B1 (en) | 2001-10-10 | 2001-10-10 | noxious gas purification system using non-thermal plasma reactor and control method therefor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2001-0062501A KR100451125B1 (en) | 2001-10-10 | 2001-10-10 | noxious gas purification system using non-thermal plasma reactor and control method therefor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20030030387A true KR20030030387A (en) | 2003-04-18 |
KR100451125B1 KR100451125B1 (en) | 2004-10-02 |
Family
ID=29564080
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR10-2001-0062501A KR100451125B1 (en) | 2001-10-10 | 2001-10-10 | noxious gas purification system using non-thermal plasma reactor and control method therefor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100451125B1 (en) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100462505B1 (en) * | 2002-06-17 | 2004-12-17 | 주식회사 블루플래닛 | Plate-to-Plate Type Plasma Reactor Using Thin Ceramic Plates and Fabricating Method thereof |
KR100462188B1 (en) * | 2002-12-13 | 2004-12-17 | 주식회사 블루플래닛 | Mass-producible, Multi-perpose Plate-to-Plate Type Plasma Reactor Using Thin Ceramic Plates and Fabricating Method thereof |
KR100477060B1 (en) * | 2001-12-24 | 2005-03-17 | 환경플라즈마(주) | Air pollutant gas(Odor, VOC, PFC, Dioxin, Toxic gas) treating system with multiple plate nonthermal plasma reactor |
KR100511568B1 (en) * | 2002-11-18 | 2005-09-02 | 한국에너지기술연구원 | Plasma reactor with dielectric electrode united by catalyst in one body |
KR20110056695A (en) * | 2009-11-23 | 2011-05-31 | 웅진코웨이주식회사 | Deordorization filter for food waste disposer comprising plasma discharger |
KR101129417B1 (en) * | 2009-11-13 | 2012-03-26 | 한국기계연구원 | Tar or by-product reforming and removing apparatus and method regenerating catalyst using the same |
KR101837132B1 (en) * | 2017-11-23 | 2018-03-09 | (주)준시스 | Plasma sterilizer for household use |
KR20190119710A (en) * | 2018-04-13 | 2019-10-23 | 윤종필 | Pollutant processing apparatus from semiconductor manufacturing process |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101178999B1 (en) * | 2008-08-11 | 2012-08-31 | 강원대학교산학협력단 | Odor removal system and method using Pulsed Corona Discharge |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA2031926A1 (en) * | 1989-12-27 | 1991-06-28 | William J. Murphy | Regenerating a plasma using oxygen |
CA2039422A1 (en) * | 1990-04-16 | 1991-10-17 | William J. Murphy | Regenerating a plasma initiator using molecular hydrogen |
JP3030921B2 (en) * | 1991-05-01 | 2000-04-10 | 日新電機株式会社 | Extraction electrode device for ion source |
WO1998026726A1 (en) * | 1996-12-19 | 1998-06-25 | Institut Straumann Ag | Device for holding an implant, an osteosynthetic part of the structural member related thereto or an instrument |
JP2000140562A (en) * | 1998-11-16 | 2000-05-23 | Denso Corp | Gas treatment apparatus |
JP2000252098A (en) * | 1999-03-02 | 2000-09-14 | Kitamura Masahiro | Non-equilibrium plasma generator |
-
2001
- 2001-10-10 KR KR10-2001-0062501A patent/KR100451125B1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100477060B1 (en) * | 2001-12-24 | 2005-03-17 | 환경플라즈마(주) | Air pollutant gas(Odor, VOC, PFC, Dioxin, Toxic gas) treating system with multiple plate nonthermal plasma reactor |
KR100462505B1 (en) * | 2002-06-17 | 2004-12-17 | 주식회사 블루플래닛 | Plate-to-Plate Type Plasma Reactor Using Thin Ceramic Plates and Fabricating Method thereof |
KR100511568B1 (en) * | 2002-11-18 | 2005-09-02 | 한국에너지기술연구원 | Plasma reactor with dielectric electrode united by catalyst in one body |
KR100462188B1 (en) * | 2002-12-13 | 2004-12-17 | 주식회사 블루플래닛 | Mass-producible, Multi-perpose Plate-to-Plate Type Plasma Reactor Using Thin Ceramic Plates and Fabricating Method thereof |
KR101129417B1 (en) * | 2009-11-13 | 2012-03-26 | 한국기계연구원 | Tar or by-product reforming and removing apparatus and method regenerating catalyst using the same |
KR20110056695A (en) * | 2009-11-23 | 2011-05-31 | 웅진코웨이주식회사 | Deordorization filter for food waste disposer comprising plasma discharger |
KR101837132B1 (en) * | 2017-11-23 | 2018-03-09 | (주)준시스 | Plasma sterilizer for household use |
KR20190119710A (en) * | 2018-04-13 | 2019-10-23 | 윤종필 | Pollutant processing apparatus from semiconductor manufacturing process |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100451125B1 (en) | 2004-10-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100434940B1 (en) | Catalyst Reactor Activated for Treating Hazardous Gas with Nonthermal Plasma and Dielectric Heating and Method Treating thereof | |
KR930008083B1 (en) | Reactive bed plasma air purification | |
JP4016134B2 (en) | Gas processing equipment | |
US6576573B2 (en) | Atmospheric pressure plasma enhanced abatement of semiconductor process effluent species | |
KR100451125B1 (en) | noxious gas purification system using non-thermal plasma reactor and control method therefor | |
JP4411432B2 (en) | Method and apparatus for purifying exhaust gas using low temperature plasma | |
KR100477060B1 (en) | Air pollutant gas(Odor, VOC, PFC, Dioxin, Toxic gas) treating system with multiple plate nonthermal plasma reactor | |
JP5540337B2 (en) | Exhaust gas treatment method and treatment apparatus | |
JP2006187766A (en) | Gas treatment apparatus and gas treatment cartridge | |
WO2005099778A1 (en) | Method for decomposing harmful substance and apparatus for decomposing harmful substance | |
US6395144B1 (en) | Method for treating toxic compounds-containing gas by non-thermal plasma | |
US20040093853A1 (en) | System and method for using nonthermal plasma reactors | |
KR100737941B1 (en) | Two plasma processing type pfcs series gas decomposition system | |
US20060119278A1 (en) | Gas decomposition apparatus and gas treatment cartridge | |
WO2004085693A2 (en) | Nonthermal plasma processor utilizing additive-gas injection and/or gas extraction | |
CN113019083A (en) | VOCs low-temperature plasma synergistic adsorption and catalysis integrated device and VOCs treatment method thereof | |
KR100503921B1 (en) | Pollution gas disposer using low temp plasma and optic fiber catalyst filter | |
JP2001058803A (en) | Apparatus for generating ionized gas using high-voltage discharge | |
KR20030000035A (en) | Harmful gas purifying apparatus and thereof method by using bio filter and micro wave | |
JPH11114351A (en) | Method of desorption and regeneration by non-thermal plasma and device therefor | |
JP2002336343A (en) | Plasma catalyst reactor and air cleaner | |
KR200264686Y1 (en) | Apparatus for abating a abolishing gas occuring semiconductor manufacturing process | |
JPH10266831A (en) | Exhaust gas control system | |
KR101890585B1 (en) | Double-sided low-temperature plasma reactor including far-infrared radiation ceramic coated electrode plate | |
JP2004089814A (en) | Gas treatment method and gas treatment apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20090914 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |