KR20030026711A - The Sealing Method of Plasma Display Panel without Exhausting Tube - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A method for sealing a plasma display panel is provided to allow for ease of mass production and reduce the thickness of the plasma display panel, while achieving improved performance of the plasma display panel by reducing outgassing of particles. CONSTITUTION: A method for sealing a plasma display panel comprises a first step of fixing an auxiliary glass substrate(20) to the edge of a gas evacuation hole(14), wherein the auxiliary glass substrate is deposited with a silicon(26) and a first electrode(24); a second step of evacuating gases from an upper glass substrate(2) and a lower glass substrate(4) and injecting a discharge gas; and a third step of permitting the silicon to contact a mount glass substrate(22) connected to a second electrode(28), by performing a hot junction.

Description

배기관이 없는 플라즈마 디스플레이 패널 봉입방법{The Sealing Method of Plasma Display Panel without Exhausting Tube}The Sealing Method of Plasma Display Panel without Exhausting Tube

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널(plasma display panel, PDP)에 관한 것으로, 특히 배기관을 사용하지 않고 정전 열 접합에 의해 봉입을 수행하는 플라즈마 디스플레이 패널 봉입방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma display panel (PDP), and more particularly to a plasma display panel encapsulation method for encapsulating by electrostatic thermal bonding without using an exhaust pipe.

일반적인 플라즈마 디스플레이 패널은 플라즈마 방전에 의해 빛을 발생시키는 장치로 밀폐된 두 개의 투명유리 사이에 충전된 방전기체가 외부전압에 의해 방전을 일으켜 미리 패턴이 형성된 형광체를 여기하여 화상을 형성하는 구조로 되어 있다.A typical plasma display panel is a device that generates light by plasma discharge. The discharge gas charged between two sealed transparent glass discharges by an external voltage to excite a phosphor having a pattern formed in advance to form an image. .

도 1은 종래의 플라즈마 디스플레이 패널을 봉입한 단면도로서, 배기관(12)의 구조를 강조하여 나타낸 PDP의 개략도이다.FIG. 1 is a cross-sectional view of a conventional plasma display panel enclosed in a schematic diagram of a PDP in which the structure of the exhaust pipe 12 is emphasized.

도 1에 나타낸 바와 같이, 상부 유리기판(2)과 하부 유리기판(4)이 제1유리프릿(6)에 의해 봉착된 패널의 내부는 격벽(10)과 형광체(도면에 도시하지 않음) 등으로 구성되어 있다. 일반적으로 PDP를 완성하기 위하여 두 유리 기판을 봉착한 후 혹은 봉착과 동시에 배기관(12)을 하부 유리기판(4)에 부착시킨다. 이 때 배기관(12)은 하부 유리기판(4)의 가장자리에 형성된 배기홀(14)의 외부와 제2유리프릿(8)으로 고정된다. 배기관(12)을 하부 유리기판(4)에 부착하기 위하여 상부 및 하부 유리기판(2, 4) 전체를 제2유리프릿(8)의 용융온도까지 가열되는 공정이 추가되기도 한다. 이 때 배기관은 길이가 수 십 센티미터로 연결되어 방전기체 주입 공정이 완료된 후 배기관이 팁-오프(tip-off)된다.As shown in FIG. 1, the inside of the panel where the upper glass substrate 2 and the lower glass substrate 4 are sealed by the first glass frit 6 includes a partition 10 and a phosphor (not shown). It consists of. In general, the exhaust pipe 12 is attached to the lower glass substrate 4 after sealing the two glass substrates or at the same time to complete the PDP. At this time, the exhaust pipe 12 is fixed to the outside of the exhaust hole 14 formed at the edge of the lower glass substrate 4 and the second glass frit 8. In order to attach the exhaust pipe 12 to the lower glass substrate 4, a process of heating the entire upper and lower glass substrates 2 and 4 to the melting temperature of the second glass frit 8 may be added. At this time, the exhaust pipe is connected to several ten centimeters in length so that the exhaust pipe is tip-off after the discharge gas injection process is completed.

그러나 이러한 종래의 기술은 배기관(12)이 상부 및 하부 유리기판(2, 4)과 수직으로 부착되어 있기 때문에 취급이 용이하지 않아 파손의 우려가 상존하며 대량생산에 방해요인이 된다. 팁-오프 공정이 고온에서 진행되기 때문에 내부에 존재하는 입자의 방출(out-gassing)을 야기할 수 있으며 팁의 길이 만큼 PDP의 두께가 증가한다. 또한 배기관의 길이가 길기 때문에 배기 및 방전기체 주입 공정에 있어서 내부 저항이 크기 때문에 정확한 진공 및 방전기체 주입이 어렵다.However, this conventional technique is not easy to handle because the exhaust pipe 12 is attached to the upper and lower glass substrates (2, 4) vertically, there is a risk of damage and it is an obstacle to mass production. Since the tip-off process proceeds at high temperatures, it can cause out-gassing of particles present therein and the thickness of the PDP increases by the length of the tip. In addition, since the length of the exhaust pipe is long, accurate vacuum and discharge gas injection is difficult because the internal resistance is large in the exhaust and discharge gas injection process.

또한 배기관은 하부 유리기판(4)과 연결하기 위하여 상부 및 하부 유리기판(2, 4)을 다시 가열하는 공정이 추가될 때는 생산비용이 증가하고 공정시간이 길어진다.In addition, when the exhaust pipe is further heated to reheat the upper and lower glass substrates 2 and 4 in order to connect with the lower glass substrate 4, the production cost increases and the processing time becomes long.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명의 목적은 배기관을 별도로 구성하지 않고 외부에 설치한 별도의 주입 장치를 이용하여 배기 및 주입이 끝난 후 정전 열 접합 기술을 이용하여 배기홀 봉입을 완료하는 기술을 제공하는데 있다.Created in order to solve the above problems, an object of the present invention is to use a separate injection device installed on the outside instead of configuring the exhaust pipe, the exhaust hole is sealed using the electrostatic heat bonding technology after the exhaust and injection To provide a technique to complete.

도 1은 종래의 플라즈마 디스플레이 패널을 봉입한 개략적인 단면도1 is a schematic cross-sectional view of encapsulating a conventional plasma display panel.

도 2는 본 발명에 따른 유리-유리 정전 열접합 원리를 설명하기 위해 나타낸 개략적인 단면도2 is a schematic cross-sectional view illustrating the glass-glass electrostatic thermal bonding principle according to the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 정전 열 접합을 이용하여 봉입한 플라즈마 디스플레이 패널을 나타낸 개략적인 단면도3 is a schematic cross-sectional view showing a plasma display panel encapsulated using an electrostatic thermal junction according to the present invention.

도 4는 본 발명에 따른 정전 열 접합을 이용하여 제조한 카트형 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방식을 나타낸 개략적인 단면도Figure 4 is a schematic cross-sectional view showing the manufacturing method of the cart-type plasma display panel manufactured using the electrostatic thermal bonding according to the present invention.

〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉<Explanation of symbols for main parts of drawing>

2, 4, 20, 22 : 유리기판 6, 8, 32 : 유리프릿2, 4, 20, 22: glass substrates 6, 8, 32: glass frit

10 : 격벽 12 : 배기관10: bulkhead 12: exhaust pipe

14 : 배기홀 24, 28 : 전극14 exhaust holes 24, 28 electrodes

26 : 실리콘 30 : 전압인가장치26 silicon 30 voltage application device

40, 44 : 전극축 42 : 절연체40, 44: electrode shaft 42: insulator

46 : 진공챔버 48 : 진공원형링46: vacuum chamber 48: vacuum circular ring

50 : 지지장치50: support device

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 상부 유리기판과 배기 홀이 형성된 하부 유리기판을 유리프릿으로 봉착시킨 플라즈마 디스플레이 패널의 봉입방법은 배기홀의 가장자리에 실리콘과 제1전극인 ITO가 증착된 보조 유리기판을 정합하여 고정시키는 단계, 상부 및 하부 유리기판 내부의 기체를 배기하고 방전기체를충전시키는 단계, 및 실리콘과 제2전극이 연결된 실장 유리기판 사이에 정전 열 접합을 수행하여 접촉시키는 단계로 이루어짐을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a method of encapsulating a plasma display panel in which an upper glass substrate and a lower glass substrate on which an exhaust hole is formed is sealed with a glass frit, includes an auxiliary method in which silicon and the first electrode ITO are deposited on the edge of the exhaust hole. Matching and fixing the glass substrate, exhausting the gas in the upper and lower glass substrates, charging the discharge gas, and performing electrostatic thermal bonding between the glass substrates to which silicon and the second electrode are connected. Characterized in that made.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 정전 열 접합의 원리를 설명하기 위한 개략적인 도면이다.2 is a schematic view for explaining the principle of the electrostatic thermal bonding according to an embodiment of the present invention.

도 2에 나타낸 바와 같이, 보조 유리기판(20)의 하부에 제1전극(24)으로 ITO(Indium Tin Oxide-In2O3:Sn)를 증착하고, ITO에 전극으로 사용할 부분을 제외하고는 실리콘(26)을 증착한다. 이 때 ITO 및 실리콘은 스퍼터장치로 증착한다.As shown in FIG. 2, indium tin oxide-in 2 O 3 : Sn (ITO) is deposited on the lower portion of the auxiliary glass substrate 20 with the first electrode 24, except for a portion to be used as an electrode in the ITO. Silicon 26 is deposited. At this time, ITO and silicon are deposited by a sputtering device.

증착된 실리콘(26)의 면적과 동일한 크기로 실장 유리기판(22)이 제2 전극(28)과 함께 준비되며, 봉입은 실리콘(26)과 실장 유리기판(22)이 정전열 접합을 이룸으로써 완료된다.The mounting glass substrate 22 is prepared together with the second electrode 28 in the same size as that of the deposited silicon 26, and the sealing is performed by the silicon 26 and the mounting glass substrate 22 forming an electrostatic heat bond. Is done.

접합은 제1전극(24)인 ITO를 전극으로 한 실리콘(26)에 전압인가장치(30)로부터 가해진 양의 전압과 실장 유리기판(22)에 제2전극(28)에 의해 가해진 음의 전압으로 이루어진다. 음의 전압이 가해진 실장유리기판(22)의 내부에 존재하는 Na+이온들은 음의 전압이 가해진 제2전극(28) 방향으로 이동하게 되고 접합면 근처에는 음이온(주로 O-)들이 채워져 Na+이온이 공핍된 상태가 된다. 또한 실리콘(26) 쪽에 가해진 양의 전압에 의해 실리콘(26)의 접합면 근처에는 양이온이 모이게 됨으로써 접합면 근처에는 음이온이 공핍되게 되어, 실리콘(26)과 실장 유리기판(22)의 접합면은 공간전하층이 형성되어 강한 전위차가 형성된다. 이 정전력에 의해 접합이 이루어지게 된다. 접합이 이루어지는 시점에는 100℃∼300℃의 온도를 가하여 이온의 이동을 용이하게 하며 통상의 접합시간은 3분을 초과하지 않는다.The junction is a positive voltage applied from the voltage application device 30 to the silicon 26 using ITO as the first electrode 24 and a negative voltage applied by the second electrode 28 to the mounting glass substrate 22. Is done. Na + ions present in the mounting glass substrate 22 to which negative voltage is applied are moved toward the second electrode 28 to which negative voltage is applied, and negative ions (mainly O − ) are filled near the junction to give Na + ions. The ion becomes depleted. The positive voltage applied to the silicon 26 causes the positive ions to collect near the bonding surface of the silicon 26, thereby depleting the anions near the bonding surface. Thus, the bonding surface of the silicon 26 and the mounting glass substrate 22 A space charge layer is formed to form a strong potential difference. Bonding is performed by this electrostatic force. At the time of joining, a temperature of 100 ° C. to 300 ° C. is added to facilitate the movement of ions, and the normal joining time does not exceed 3 minutes.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 봉입공정을 설명하기 위한 개략적인 도면이다.FIG. 3 is a schematic view illustrating a sealing process of a plasma display panel according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 3에 나타낸 바와 같이, 상부 유리기판(2)과 하부 유리기판(4)이 제1유리프릿(6)에 의해 봉착된 패널의 내부는 격벽(10)과 형광체(도면에 도시하지 않음) 등으로 구성되어 있다.As shown in FIG. 3, the interior of the panel in which the upper glass substrate 2 and the lower glass substrate 4 are sealed by the first glass frit 6 includes a partition 10 and a phosphor (not shown). It consists of.

실리콘(26)과 제1전극(24)이 되는 ITO가 증착된 보조 유리기판(20)이 유리프릿(32)에 의하여 하부 유리기판(4)에 고정되게 한 후 상부 및 하부유리기판(2, 4) 사이에 기체를 배기하고 플라즈마 방전기체로 채운 후 제2 전극(28)이 연결된 실장 유리기판(22)을 실리콘(26)과 접촉시킨다. 이 때 전극의 방향은 도 2에서 보인 바와 같이 실리콘(26)이 양으로, 실장 유리기판(22)이 음으로 대전되도록 한다. 통상의 인가전압은 150V 이상이고, 접합온도는 100℃에서 300℃ 사이이며, 접합시간은 3분을 초과하지 않는다. 실장 유리기판(22)은 전극(24, 28)에 전압을 인가할 때 상부 유리기판(2)에 일정한 압력이 필요하다.After the auxiliary glass substrate 20 on which the silicon 26 and the first electrode 24 are deposited is fixed to the lower glass substrate 4 by the glass frit 32, the upper and lower glass substrates 2, 4) After the gas is exhausted and filled with the plasma discharge gas, the mounting glass substrate 22 to which the second electrode 28 is connected is brought into contact with the silicon 26. At this time, as shown in FIG. 2, the direction of the electrode causes the silicon 26 to be positive and the mounting glass substrate 22 to be negatively charged. The normal applied voltage is 150V or more, the junction temperature is between 100 ° C and 300 ° C, and the junction time does not exceed 3 minutes. The mounting glass substrate 22 requires a constant pressure on the upper glass substrate 2 when a voltage is applied to the electrodes 24 and 28.

도 4는 본 발명의 카트형 PDP 제조 방식을 나타낸 개략적인 도면이다.Figure 4 is a schematic diagram showing the cart-type PDP manufacturing method of the present invention.

도 4에 나타낸 바와 같이, 보조 유리기판(20)을 하부 유리기판(4)에 유리프릿(32)으로 고정한 후 진공챔버(46)를 이용하여 배기홀(14)을 통해 패널의 내부기체를 배기하고 방전기체를 주입한 후 정전 열 접합을 수행한후 다시 진공챔버(46)를 제거하는 공정을 수행하기 위한 구조이다.As shown in FIG. 4, after fixing the auxiliary glass substrate 20 to the lower glass substrate 4 with the glass frit 32, the internal gas of the panel is exhausted through the exhaust hole 14 using the vacuum chamber 46. After the injection of the discharge gas and the electrostatic thermal bonding is carried out to remove the vacuum chamber 46 again.

보조 유리기판(20)에 유리프릿(32)을 고정시킨 후 패널 내부의 기체를 배기한다. 이어서, 방전기체가 패널 내부에 주입하고 절연체(42)에 의해 전기적으로 절연된 제1전극축(40)과 제2전극축(44)에 실장된 유리기판(22)를 배기홀(14) 방향으로 이동시켜 실리콘(26) 표면에 정합이 되도록 한 후 상부 유리기판(2)의 전면부에 고정한 지지장치(50)를 지지축으로 하여 정전 열 접합의 수단으로 접합이 이루어지도록 한다.After fixing the glass frit 32 to the auxiliary glass substrate 20, the gas inside the panel is exhausted. Subsequently, a discharge gas is injected into the panel, and the glass substrate 22 mounted on the first electrode shaft 40 and the second electrode shaft 44 electrically insulated by the insulator 42 is directed toward the exhaust hole 14. After the movement is made to match the surface of the silicon (26), the support device 50 fixed to the front surface of the upper glass substrate (2) as a support shaft to be bonded by means of electrostatic thermal bonding.

이 때 제1전극축(40)은 제1전극(24)인 ITO와 전기적으로 도통하게 되며 양의 전압이 가해지고, 제2전극축(44)은 실장 유리기판(22)에 음의 전압이 가해진다. 제1전극축(40)과 제2전극축(44)은 독립적으로 운동할 수 있게된 구조를 가지며 전압은 진공챔버(46)의 외부에서 인가된다.At this time, the first electrode shaft 40 is electrically connected to ITO, which is the first electrode 24, and a positive voltage is applied thereto. The second electrode shaft 44 has a negative voltage applied to the mounting glass substrate 22. Is applied. The first electrode shaft 40 and the second electrode shaft 44 have a structure that can move independently and a voltage is applied outside the vacuum chamber 46.

진공챔버(40)의 하부 유리기판(4)의 접촉부는 진공원형링(48)에 의해 외부와 진공으로 분리되도록 하며 제1전극축(40)의 챔버와의 접촉부도 도면에 표시하지 않은 진공원형링으로 고정되어 진공챔버(46)의 내부가 대기 상태인 외부와 진공으로 분리되도록 되어 있고 도면에 표시하지 않은 외부 배관에 의해 기체의 배기 및 충전이 이루어지도록 한다.The contact portion of the lower glass substrate 4 of the vacuum chamber 40 is separated from the outside by vacuum by the vacuum circular ring 48, and the contact portion with the chamber of the first electrode shaft 40 is also not shown in the drawing. The inside of the vacuum chamber 46 is fixed to the ring so that the inside of the vacuum chamber 46 is separated from the outside in a vacuum state and the gas is exhausted and filled by an external pipe not shown in the drawing.

상술한 바와 같이 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 봉입방법은 다음과 같은 효과를 가진다.As described above, the sealing method of the plasma display panel according to the present invention has the following effects.

첫째, 기존의 배기관을 사용하지 않기 때문에 취급이 간편하여 대량생산이용이해진다.First, since the existing exhaust pipe is not used, the handling is easy and mass production is available.

둘째, 기존의 배기관의 길이만큼 패널의 두께가 얇아진다.Second, the thickness of the panel becomes thinner than the length of the existing exhaust pipe.

셋째, 고온에서 이루어지는 팁-오프(tip-off) 공정이 생략되기 때문에 내부에 존재하는 입자의 방출(out-gassing)이 감소하여 PDP 성능이 향상 된다.Third, since the tip-off process at high temperature is omitted, the out-gassing of particles present therein is reduced, thereby improving PDP performance.

넷째, 내부 저항이 큰 가늘고 긴 배기관을 통해 방전기체가 주입되지 않기 때문에 내부 정확한 배기 및 방전기체 주입이 가능하다.Fourth, since the discharge gas is not injected through the elongated exhaust pipe having a large internal resistance, accurate internal exhaustion and discharge gas injection are possible.

다섯째, 정전 열 접합은 저온에서 이루어지기 때문에 온도를 상승시키는 공정이 생략되어 생산비용이 절감되고 공정시간이 단축된다.Fifth, since the electrostatic thermal bonding is performed at a low temperature, the process of raising the temperature is omitted, thereby reducing the production cost and shortening the processing time.

Claims (7)

상부 유리기판과 배기홀이 형성된 하부 유리기판을 유리프릿으로 봉착시킨 플라즈마 디스플레이 패널의 봉입방법에 있어서,A method of encapsulating a plasma display panel in which an upper glass substrate and a lower glass substrate on which exhaust holes are formed are sealed with a glass frit. 상기 배기흘의 가장자리에 실리콘과 제1전극인 ITO가 증착된 보조 유리기판을 정합하여 고정시키는 단계,Matching and fixing the auxiliary glass substrate on which silicon and ITO, the first electrode, are deposited, on the edge of the exhaust stream; 상기 상부 및 하부 유리기판 내부의 기체를 배기하고 방전기체를 충전시키는 단계, 및Exhausting the gas inside the upper and lower glass substrates and filling a discharge gas; and 상기 실리콘과 제2전극이 연결된 실장 유리기판 사이에 정전 열 접합을 수행하여 접촉시키는 단계로 이루어짐을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널 봉입방법.Plasma display panel encapsulation method comprising the step of contacting by performing an electrostatic thermal bonding between the mounting glass substrate is connected to the silicon and the second electrode. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 실리콘과 상기 실장 유리기판 사이의 인가전압은 150V 정도이고, 접합온도는 100℃∼300℃ 사이이며, 접합시간은 3분을 초과하지 않는것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널 봉입방법.The voltage applied between the silicon and the mounting glass substrate is about 150V, the bonding temperature is between 100 ℃ ~ 300 ℃, the bonding time is characterized in that the plasma display panel encapsulation method does not exceed 3 minutes. 제 1에 있어서,According to claim 1, 상기 상부 및 하부 유리기판 내부의 기체를 배기하고 방전기체를 충전시키는 것은 진공챔버로 수행하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널 봉입방법.And exhausting the gas inside the upper and lower glass substrates and filling the discharge gas with a vacuum chamber. 제 3항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 진공챔버는 하부 유리기판이 외부와 진공으로 분리되도록 진공원형링으로 접촉시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널 봉입방법.The vacuum chamber is a plasma display panel encapsulation method, characterized in that for contacting the lower glass substrate with a vacuum circular ring to separate the vacuum from the outside. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 실장 유리기판은 절연체에 의해 전기적으로 절연된 제1전극축과 제2전극축에 내장된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널 봉입방법.The mounting glass substrate is a plasma display panel encapsulation method, characterized in that embedded in the first electrode shaft and the second electrode shaft electrically insulated by an insulator. 제 5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 제1전극축은 제1전극과 전기적으로 도통하게 되며 양의 전압을 가하고, 상기 제2전극축은 상기 실장 유리기판에 음의 전압을 가해 정전 열접합을 수행하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널 봉입방법.The first electrode shaft is electrically connected to the first electrode and applies a positive voltage, and the second electrode shaft is subjected to electrostatic thermal bonding by applying a negative voltage to the mounting glass substrate. . 제 6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 정전 열 접합을 수행하는 동안 패널을 지탱시킬 수 있도록 상부 유리기판 전면부에 지지장치를 고정시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널 봉입방법.Plasma display panel encapsulation method, characterized in that for fixing the support device to the front surface of the upper glass substrate to support the panel during the electrostatic thermal bonding.
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