KR20030024338A

KR20030024338A - Vacuum plating apparatus and its plating method with linear plating and indirect heating

Info

Publication number: KR20030024338A
Application number: KR1020010057446A
Authority: KR
Inventors: 박상준; 박은석; 신인철
Original assignee: 주식회사 아펙스
Priority date: 2001-09-18
Filing date: 2001-09-18
Publication date: 2003-03-26
Also published as: KR100430104B1

Abstract

PURPOSE: Vacuum deposition apparatus and method using linear deposition and indirect heating are provided which are capable of depositing thin film of uniformed thickness on substrate having a large area and quite easily used in depositing organic or inorganic matter. CONSTITUTION: In a vacuum deposition apparatus(100) for depositing on a substrate(1) vapor of the deposition material evaporated from a deposition material positioned inside a vacuum chamber(10), the vacuum deposition apparatus comprises a linear deposition source(20) for ejecting vapor of the deposition material generated by heating the deposition material contained in the vacuum chamber onto the substrate through a linear nozzle; and a substrate transfer part(70) to which the substrate(1) that is entered through an entrance gate(71) formed on the vacuum chamber(10) and discharged through an exit gate(72) is fixed, wherein the substrate transfer part is moved perpendicularly to length of the linear nozzle of the linear deposition source, the linear deposition source(20) comprises first vapor guiding pipe, second vapor guiding pipe, a raw material storage tank, a heater and a linear nozzle, vapor of the deposition material positioned inside the second vapor guiding pipe is ejected to the outside through the linear nozzle, the substrate transfer part(70) comprises a substrate fixing part, a substrate cooling part and a driving part, the substrate fixing part comprises a substrate support part, a fixed element and a bolt, and the substrate cooling part comprises a cooling conduction plate(97), a conduction plate cooling part and an elastic body.

Description

Vacuum deposition apparatus and its plating method using linear deposition and indirect heating

본 발명은 박막 증착에 사용되는 진공 증착장치에 관한 것이며, 특히, 대면적을 갖는 기판에 균일한 두께를 갖는 양질의 박막을 증착할 수 있도록 간접 가열방식과 선형 증착방식을 이용하며, 이로 인해 증기압 조절 및 온도 제어능력이 우수한 진공 증착장치 및 그 증착방법에 관한 것이다.The present invention relates to a vacuum deposition apparatus used for thin film deposition, in particular, indirect heating method and linear deposition method to be used to deposit a good quality film having a uniform thickness on a substrate having a large area, resulting in vapor pressure The present invention relates to a vacuum evaporation apparatus having excellent regulation and temperature control ability and a deposition method thereof.

도 1은 종래 기술에 따른 저항성 증착장치를 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a resistive deposition apparatus according to the prior art.

도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 진공 증착장치는 저항성 열 또는 전자빔을 가열원(6)으로 사용하여 기판(1)에 박막(2)을 증착하고 있다. 저항성 가열에 의해 열을 발생시키는 경우에는 가열원(6)의 상면에 보트(Boat)(4)를 위치시키고 가열원(6)에 전류를 흘려 가열한다. 가열원(6)에 전류를 흘리면 열이 발생하게 되고 열에 의해 보트(4)에 수용된 증착원료(5)는 증발한다.As shown in FIG. 1, a conventional vacuum deposition apparatus deposits a thin film 2 on a substrate 1 using resistive heat or an electron beam as a heating source 6. When heat is generated by resistive heating, a boat 4 is placed on the upper surface of the heating source 6, and a current is supplied to the heating source 6 to heat it. When current flows through the heating source 6, heat is generated, and the deposition raw material 5 contained in the boat 4 is evaporated by the heat.

이와 같이 보트(4)에서 증발한 증착원료(5)의 증기는 기판(1) 쪽으로 확산되면서 기판(1)에 점 증착하게 된다.As described above, the vapor of the evaporation raw material 5 evaporated from the boat 4 diffuses toward the substrate 1 and is then deposited on the substrate 1.

그러나 이런 종래 기술에 따른 저항성 증착장치는 대면적 기판에 박막을 균일한 두께로 증착하기에는 어려움이 있다. 그 이유는 종래의 진공 증착장치는 직접 가열방식이기 때문에 증착원료의 입자가 튀어 기판에 직접 부착되는 경우가 종종 발생한다.However, such a resistive deposition apparatus according to the prior art has difficulty in depositing a thin film on a large area substrate with a uniform thickness. The reason for this is that the conventional vacuum deposition apparatus is a direct heating method, so that the particles of the deposition raw material are often directly attached to the substrate.

그 한 예로서, 평판 디스플레이(Display)를 제작하기 위해 유기물을 기판에 증착하는 박막 증착시스템에 있어서, 유기물을 기판에 증착하기 위해 종래의 직접 가열방식의 진공 증착장치를 많이 사용하였다. 이때, 직접 가열방식을 이용한 진공 증착장치는 그 증착원료가 입자형태로 기판에 점 증착하기 때문에, 대면적 기판에서 균일한 양질의 박막을 증착하기에 어려움이 따른다.As an example, in a thin film deposition system for depositing an organic material on a substrate to fabricate a flat panel display, a conventional direct heating vacuum deposition apparatus has been frequently used to deposit an organic material on a substrate. In this case, the vacuum deposition apparatus using the direct heating method is difficult to deposit a uniform, high quality thin film on a large area substrate because the deposition material is deposited on the substrate in the form of particles.

물론, 종래 기술에 따른 진공 증착장치를 이용하여 무기물을 기판에 증착하는 경우에도, 기판이 대면적이면 양질의 박막을 얻기 어렵다는 단점이 있다.Of course, even when the inorganic material is deposited on the substrate using the vacuum deposition apparatus according to the prior art, there is a disadvantage that it is difficult to obtain a high quality thin film if the substrate is a large area.

본 발명은 앞서 설명한 바와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 제공된 것으로서, 대면적을 가지는 기판에 간접 가열방식과 선형 증착방식을 이용하여 균일한 양질의 박막을 증착할 수 있는 진공증착장치 및 그 증착방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.The present invention is provided to solve the problems of the prior art as described above, a vacuum deposition apparatus and a deposition that can deposit a uniform high quality thin film on the substrate having a large area using an indirect heating method and a linear deposition method The purpose is to provide a method.

도 1은 종래 기술에 따른 저항성 증착장치를 나타낸 단면도이고,1 is a cross-sectional view showing a resistive deposition apparatus according to the prior art,

도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 선형 증착과 간접 가열을 이용한 진공증착장치의 평단면도이고,2 is a cross-sectional plan view of a vacuum deposition apparatus using linear deposition and indirect heating according to an embodiment of the present invention,

도 3은 도 2에 도시된 선형 증착원의 측단면도이고,3 is a side cross-sectional view of the linear deposition source shown in FIG. 2,

도 4는 도 3에 도시된 A-A'선의 단면도이고,4 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 3;

도 5는 도 3에 도시된 B-B'선의 단면도이고,5 is a cross-sectional view taken along line BB ′ shown in FIG. 3;

도 6은 도 2에 도시된 기판이송부의 상세도이고,6 is a detailed view of the substrate transfer part shown in FIG. 2;

도 7은 도 3에 도시된 원료저장조의 덮개를 나타낸 단면도이며,7 is a cross-sectional view showing a lid of the raw material storage tank shown in FIG.

도 8은 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 선형 증착과 간접 가열을 이용한 진공증착장치의 측단면도이다.8 is a side cross-sectional view of a vacuum deposition apparatus using linear deposition and indirect heating according to another embodiment of the present invention.

♠ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ♠♠ Explanation of symbols on the main parts of the drawing ♠

1 : 기판 10 : 진공챔버1 substrate 10 vacuum chamber

11 : 제1 냉각수관 14 : 세정판11: first cooling water pipe 14: cleaning plate

20 : 선형 증착원 21 : 1차 증기유도관20: linear deposition source 21: primary steam induction pipe

22 : 2차 증기유도관 23 : 단열재22: secondary steam induction pipe 23: insulation

24 : 제2 냉각수관 25, 45 : 봉형히터24: second cooling water pipe 25, 45: rod heater

30 : 온도센서 44 : 원료저장조30: temperature sensor 44: raw material storage tank

56 : 개폐판 60, 61 : 플라스마발생기56: switching plate 60, 61: plasma generator

70 : 기판이송부 80 : 기판고정부70: substrate transfer unit 80: substrate fixing

90 : 기판냉각부 100, 200 : 진공증착장치90: substrate cooling unit 100, 200: vacuum deposition apparatus

앞서 설명한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따르면, 진공챔버의내부에 위치한 증착물질로부터 증발된 증착물질의 증기를 기판에 증착하는 진공 증착장치에 있어서, 내부에 수용하고 있는 증착물질에 열을 가하여 발생한 증착물질의 증기를 선형노즐을 통해 기판으로 분사하는 선형 증착원과, 상기 진공챔버에 형성된 입구게이트를 통해 진입하고 출구게이트를 통해 배출되는 기판이 고정된 기판이송부를 포함하며, 상기 기판이송부는 상기 선형 증착원의 선형노즐의 길이에 대해 수직하는 방향으로 이동하는 진공 증착장치가 제공된다.According to the present invention for achieving the object as described above, in the vacuum deposition apparatus for depositing the vapor of the deposition material vaporized from the deposition material located inside the vacuum chamber on the substrate, heat is applied to the deposition material contained therein And a linear transfer source for injecting vapor of the deposition material generated by the addition into the substrate through the linear nozzle, and a substrate transfer part having a substrate entering through the inlet gate formed in the vacuum chamber and discharged through the outlet gate fixed thereto. The transfer unit is provided with a vacuum deposition apparatus that moves in a direction perpendicular to the length of the linear nozzle of the linear deposition source.

또한, 본 발명의 상기 선형 증착원은 다수의 관통공이 전면에 형성되며 상기 선형 증착원의 길이를 따라 중심에 위치하는 1차 증기유도관과, 상기 1차 증기유도관을 수용하는 2차 증기유도관과, 상기 1차 증기유도관의 하단부에 위치하며 상기 증착물질을 수용하고 있는 원료저장조와, 상기 원료저장조의 둘레에 위치하여 열을 발생하는 히터 및, 상기 2차 증기유도관의 둘레에 상기 2차 증기유도관의 길이방향으로 설치되는 선형 노즐을 포함하며, 상기 2차 증기유도관의 내부에 위치하는 증착물질의 증기는 상기 선형 노즐을 통해 외부로 분사되는 것이 양호하다.In addition, the linear deposition source of the present invention has a plurality of through-holes formed on the front surface and is located in the center along the length of the linear deposition source, the primary steam induction pipe and the secondary steam induction receiving the primary steam induction pipe A tube, a raw material storage tank located at a lower end of the primary steam induction pipe and accommodating the deposition material, a heater positioned around the raw material storage tank to generate heat, and a circumference of the secondary steam induction pipe. It includes a linear nozzle is installed in the longitudinal direction of the secondary steam induction pipe, the vapor of the deposition material located inside the secondary steam induction pipe is preferably sprayed to the outside through the linear nozzle.

좀 더 양호하게는 상기 선형 증착원은 상기 진공챔버의 하면을 관통하되, 상기 연료저장조는 상기 진공챔버의 하면 외부에 위치하며, 단열재가 상기 2차 증기유도관의 외면을 감싸고, 상기 단열재의 외면을 냉각수관이 감싸며, 상기 냉각수관은 상기 선형 증착원의 길이방향으로 연장되어 상기 진공챔버의 하면으로 연장된다.More preferably, the linear deposition source penetrates the lower surface of the vacuum chamber, and the fuel storage tank is located outside the lower surface of the vacuum chamber, and an insulating material surrounds an outer surface of the secondary steam induction pipe, and an outer surface of the insulating material. The cooling water pipe is wrapped, the cooling water pipe extends in the longitudinal direction of the linear deposition source extends to the lower surface of the vacuum chamber.

또한, 본 발명의 상기 1차 증기유도관의 외면과 상기 2차 증기유도관의 내면 사이에는 다수개의 봉형히터가 상기 2차 증기유도관의 내주면을 따라 배치되어 있는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that a plurality of rod-shaped heaters are disposed along the inner circumferential surface of the secondary steam induction pipe between the outer surface of the primary steam induction pipe and the inner surface of the secondary steam induction pipe of the present invention.

좀 더 바람직하게는 상기 선형 증착원의 선형노즐의 개구부에는 개폐판이 위치하며 상기 개폐판은 회전구동부에 의해 회전하면서 상기 선형노즐의 개구부를 개폐한다.More preferably, the opening and closing plate is located in the opening of the linear nozzle of the linear deposition source, and the opening and closing plate opens and closes the opening of the linear nozzle while rotating by the rotation driving unit.

또한, 본 발명의 상기 원료저장조에는 연료공급관이 상기 선형 증착원의 외부로 연장되어 상기 연료공급관을 통해 증착물질이 상기 원료저장조로 공급되는 것이 바람직하다.In addition, in the raw material storage tank of the present invention, it is preferable that a fuel supply pipe extends outside of the linear deposition source so that the deposition material is supplied to the raw material storage tank through the fuel supply pipe.

또한, 양호하게는 상기 1차 증기유도관의 상단에는 플라스마발생기가 설치되어 상기 1차 증기유도관의 내부에 융착된 증착물질을 세정한다.In addition, preferably a plasma generator is installed on the upper end of the primary steam induction pipe to clean the deposition material fused to the inside of the primary steam induction pipe.

또한, 본 발명의 상기 진공챔버를 플라스마발생기가 관통하여 고정되며, 상기 플라스마발생기에서 발생하는 플라스마에 의해 상기 진공챔버의 내면에 고착된 증착물질의 증기를 세정한다.In addition, the vacuum chamber of the present invention is fixed through a plasma generator, the plasma generated in the plasma generator to clean the vapor of the deposition material fixed on the inner surface of the vacuum chamber.

양호하게는 상기 기판이송부는 상기 기판의 가장자리를 고정하는 기판고정부와, 상기 기판고정부에 고정된 기판이 상기 선형 증착원의 선형 노즐을 향하도록 상기 기판고정부를 지지하며 상기 기판을 냉각하는 기판냉각부 및, 상기 기판냉각부를 상기 진공챔버의 외부에서 내부로 혹은 내부에서 외부로 상기 입구게이트 및 상기 출구게이트를 통해 이송하는 구동부를 포함하며, 상기 기판고정부는 상기 기판의 직경과 동일한 내경을 갖고 그 내경 하단에 걸림턱이 내경을 따라 형성된 기판지지부와, 상기 기판지지부의 상면에 안착되는 마스크의 상면에 안착되는 고정편과, 상기 기판지지부와 상기 마스크 및 상기 고정편을 관통하여 체결되는 볼트를포함한다.Preferably, the substrate transfer portion supports the substrate fixing portion to fix the substrate fixing portion to the edge of the substrate, and the substrate fixed to the substrate fixing portion faces the linear nozzle of the linear deposition source and cools the substrate. A substrate cooling unit and a driving unit transferring the substrate cooling unit from the outside to the inside of the vacuum chamber or from the inside to the outside through the inlet gate and the outlet gate, wherein the substrate fixing portion has an inner diameter equal to the diameter of the substrate. The lower end of the inner diameter has a locking jaw formed along the inner diameter, and a fixing piece seated on the upper surface of the mask seated on the upper surface of the substrate support portion, the substrate support and the mask and the fixing piece are fastened through Includes bolts.

또한, 보다 양호하게는 상기 기판냉각부는 상기 기판고정부의 배면에 밀착되며, 상기 기판고정부에 고정된 기판의 배면에 밀착되는 냉각전도판과, 상기 냉각전도판에 고정되어 상기 냉각전도판의 열을 흡수하도록 내부에 냉각수로가 형성된 전도판냉각부 및, 전도판냉각부와 기판고정부의 사이에는 위치하여 상기 기판과 상기 냉각전도판의 밀착력을 조절하는 탄성체를 포함한다.Further, more preferably, the substrate cooling part is in close contact with the rear surface of the substrate fixing part, the cooling conductive plate is in close contact with the back surface of the substrate fixed to the substrate fixing part, and is fixed to the cooling conductive plate of the cooling conductive plate. And a conductive plate cooling unit having a cooling water path formed therein to absorb heat, and an elastic body positioned between the conductive plate cooling unit and the substrate fixing part to adjust the adhesion between the substrate and the cooling conductive plate.

좀 더 바람직하게는 상기 진공챔버의 내면에는 세정판이 분리 가능하게 부착된다.More preferably, the cleaning plate is detachably attached to the inner surface of the vacuum chamber.

또한, 본 발명에 따르면, 증착물질로부터 증발된 증착물질의 증기를 기판에 증착하는 진공 증착방법에 있어서, 증착물질에 열을 가해 증착물질의 증기를 발생하고 발생된 증기를 노즐부로 유도하는 단계와, 노즐부로 유도된 증기에 열을 가하여 활동에너지를 높이는 단계와, 상기 노즐부를 통해 증기를 선형으로 분사하는 단계 및, 선형으로 분사된 증기가 확산되면서 기판의 전면적에 증착하는 단계를 포함한다.In addition, according to the present invention, in the vacuum deposition method for depositing the vapor of the deposition material evaporated from the deposition material on the substrate, generating a vapor of the deposition material by heating the deposition material and leading the generated steam to the nozzle unit; In addition, the step of increasing the active energy by applying heat to the steam guided to the nozzle unit, the step of spraying the steam linearly through the nozzle unit, and the step of depositing the linearly injected steam is deposited on the entire surface of the substrate.

아래에서, 본 발명에 따른 선형 증착과 간접 가열을 이용한 진공증착장치 및 그 증착방법의 양호한 실시예들을 첨부한 도면을 참조로 하여 상세히 설명하겠다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, preferred embodiments of the vacuum deposition apparatus and the deposition method using the linear deposition and indirect heating according to the present invention will be described in detail.

도면에서, 도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 선형 증착과 간접 가열을 이용한 진공증착장치의 평단면도이고, 도 3은 도 2에 도시된 선형 증착원의 측단면도이고, 도 4는 도 3에 도시된 A-A'선의 단면도이고, 도 5는 도 3에 도시된 B-B'선의 단면도이고, 도 6은 도 2에 도시된 기판이송부의 상세도이며, 도 7은 도 3에 도시된 원료저장조의 덮개를 나타낸 단면도이다.2 is a cross-sectional plan view of a vacuum deposition apparatus using linear deposition and indirect heating according to an embodiment of the present invention, FIG. 3 is a side cross-sectional view of the linear deposition source shown in FIG. 2, and FIG. 4 is FIG. 3. 5 is a cross-sectional view of the line B-B 'shown in FIG. 3, FIG. 6 is a detailed view of the substrate transfer unit shown in FIG. 2, and FIG. 7 is shown in FIG. Sectional drawing showing the cover of the raw material storage tank.

도 2에 도시된 바와 같이, 진공증착장치(100)는 진공챔버(10) 내에 위치하여 증착원료(42)의 증기를 선형으로 분사하는 선형 증착원(20)과, 기판(1)을 고정하며 상기 진공챔버(10)의 내부로 기판(1)을 투입하고 기판(1)에 증착이 완료되면 상기 진공챔버(10)로부터 배출하는 기판이송부(70)를 포함한다.As shown in FIG. 2, the vacuum deposition apparatus 100 is positioned in the vacuum chamber 10 to fix the linear deposition source 20 to linearly inject the vapor of the deposition material 42 and the substrate 1. The substrate 1 is introduced into the vacuum chamber 10, and when the deposition is completed on the substrate 1, the substrate transfer part 70 discharges from the vacuum chamber 10.

따라서, 선형 증착원(20)으로부터 분사된 증착원료(42)의 증기는 기판(1)을 향해 선형으로 분사되며, 분사되어 기판(1)으로 이동하는 과정 중에 증기의 확산에 의해 넓게 퍼지면서 기판(1)의 전면적에 증착원료(42)의 증기가 증착된다.Accordingly, the vapor of the deposition raw material 42 injected from the linear deposition source 20 is linearly sprayed toward the substrate 1, and is widely spread by the diffusion of steam during the injection and moving to the substrate 1. Vapor of the vapor deposition raw material 42 is deposited on the entire area of (1).

아래에서는 본 발명의 한 실시예에 따른 선형 증착과 간접 가열을 이용한 진공증착장치를 보다 구체적으로 설명하겠다.Hereinafter, a vacuum deposition apparatus using linear deposition and indirect heating according to an embodiment of the present invention will be described in more detail.

진공챔버(10)는 그 바깥 둘레면에 제1 냉각수관(11)이 설치되어 제1 냉각수관(11)을 따라 순환하는 냉각수에 의해 진공챔버(10)는 냉각된다. 또한, 진공챔버(10)에는 입구게이트(71)가 형성되어 입구게이트(71)를 통해 기판이송부(70)가 진공챔버(10)의 내부로 진입하고, 입구게이트(71)의 반대편 쪽에는 출구게이트(72)가 형성되어 증착된 기판(1)이 진공챔버(10)로부터 배출된다.In the vacuum chamber 10, the first cooling water pipe 11 is installed at an outer circumferential surface thereof, and the vacuum chamber 10 is cooled by the cooling water circulating along the first cooling water pipe 11. In addition, an inlet gate 71 is formed in the vacuum chamber 10 so that the substrate transfer part 70 enters the inside of the vacuum chamber 10 through the inlet gate 71, and on the opposite side of the inlet gate 71. The exit gate 72 is formed and the deposited substrate 1 is discharged from the vacuum chamber 10.

한편, 도 3 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 선형 증착원(20)은 그 중심부에 1차 증기유도관(21)이 선형 증착원(20)의 길이방향으로 위치한다. 이런 1차 증기유도관(21)은 다수 개의 관통공이 1차 증기유도관(21)의 전체에 형성되어 있다. 그리고, 1차 증기유도관(21)으로부터 소정의 거리를 두고 다수 개의 제1 봉형히터(25)가 1차 증기유도관(21)의 원주를 따라 위치하고, 원형으로 배치된 제1봉형히터(25)를 2차 증기유도관(22)이 감싼다. 다시 말하면, 2차 증기유도관(22)의 내면을 따라 제1 봉형히터(25)들이 배치되는데, 이때, 2차 증기유도관(22)의 내면과 제1 봉형히터(25)는 소정의 거리만큼 이격되어 있다. 그리고, 이런 2차 증기유도관(22)의 외면을 단열재(23)가 감싸고, 단열재(23)의 외면을 제2 냉각수관(24)이 감싸고 있다.3 to 5, in the linear deposition source 20, the primary vapor induction pipe 21 is positioned in the longitudinal direction of the linear deposition source 20 at the center thereof. In the primary steam induction pipe 21, a plurality of through holes are formed in the entire primary steam induction pipe 21. In addition, a plurality of first rod heaters 25 are disposed along a circumference of the primary steam induction tube 21 at a predetermined distance from the primary steam induction tube 21, and are arranged in a circular shape. ) Is wrapped around the secondary steam induction pipe (22). In other words, the first rod heaters 25 are disposed along the inner surface of the secondary steam induction pipe 22, wherein the inner surface of the secondary steam induction pipe 22 and the first rod heater 25 are disposed at a predetermined distance. Spaced apart. Then, the heat insulating material 23 surrounds the outer surface of the secondary steam induction pipe 22, and the second cooling water pipe 24 surrounds the outer surface of the heat insulating material 23.

한편, 2차 증기유도관(22)에는 선형 노즐(27)이 설치되는데, 이때 선형 노즐(27)은 제1 봉형히터(25)들의 사이에서 2차 증기유도관(22)의 길이방향으로 형성되고 단열재(23)를 관통하며 제2 냉각수관(24)과 간섭되지 않게 선형 증착원(20)의 외면으로 노출되어 형성된다.Meanwhile, a linear nozzle 27 is installed in the secondary steam induction pipe 22, wherein the linear nozzle 27 is formed in the longitudinal direction of the secondary steam induction pipe 22 between the first rod-shaped heaters 25. And penetrate the heat insulating material 23 and are exposed to the outer surface of the linear deposition source 20 so as not to interfere with the second cooling water pipe 24.

한편, 선형 증착원(20)의 선형 노즐(27)에는 선회하는 개폐판(56)이 선형 노즐(27)의 개구부를 개폐한다. 개폐판(56)은 선형 노즐(27)의 길이방향으로 위치하며, 개폐판(56)에는 그 길이방향으로 회전축이 설치되고, 이런 회전축에는 회전구동부(54)가 설치되어 개폐판(56)을 선회시키면서 선형 노즐(27)의 개구부를 개폐한다.On the other hand, the opening / closing plate 56 which swings in the linear nozzle 27 of the linear deposition source 20 opens and closes the opening part of the linear nozzle 27. Opening and closing plate 56 is located in the longitudinal direction of the linear nozzle 27, the opening and closing plate 56 is provided with a rotating shaft in the longitudinal direction, the rotational axis 54 is installed on this rotating shaft to open the opening and closing plate 56. While opening, the opening of the linear nozzle 27 is opened and closed.

따라서, 2차 증기유도관(22) 내에 위치한 증착원료(42)의 증기는 선형 노즐(27)을 통해 선형 증착원(20)의 길이와 평행한 선형으로 분사되고, 선형으로 분사된 증착원료(42)의 증기는 소정의 방사각도로 확산되어 기판(1)쪽으로 이동하여 기판(1)에 증착된다. 이때, 선형 증착원(20)과 기판(1) 사이의 거리는 증착원료(42)의 기판(1)으로 진행하면서 상기 방사각도 내에 기판의 전체면적이 포함되는 거리를 갖는 것이 양호하다.Therefore, the vapor of the deposition raw material 42 located in the secondary steam induction pipe 22 is sprayed in a linear parallel to the length of the linear deposition source 20 through the linear nozzle 27, the linearly injected deposition raw material ( The vapor of 42 is diffused at a predetermined radiation angle and moves toward the substrate 1 and is deposited on the substrate 1. In this case, the distance between the linear deposition source 20 and the substrate 1 preferably has a distance including the entire area of the substrate within the radiation angle while proceeding to the substrate 1 of the deposition source 42.

한편, 1차 증기유도관(21)의 하단부는 증착원료(42)가 저장된 원료저장조(44)의 내부에 삽입되어 있으며, 원료저장조(44)의 둘레를 따라 다수 개의 제2 봉형히터(45)들이 일정한 간격으로 배치되어 있다. 그리고, 원료저장조(44)의 상면은 덮개(50)로 덮여있으며, 1차 증기유도관(21)은 덮개(50)의 중심을 관통하여 원료저장조(44)의 내부로 삽입되며, 1차 증기유도관(21)의 하단은 증착원료(42)의 상면 상부에 위치한다. 그리고, 도 7에 도시된 바와 같이, 덮개(50)에는 원료공급관(49)이 연장되어 증착원료(42)를 원료저장조(44)로 공급한다.Meanwhile, the lower end of the primary steam induction pipe 21 is inserted into the raw material storage tank 44 in which the deposition raw material 42 is stored, and a plurality of second rod heaters 45 are formed along the circumference of the raw material storage tank 44. Are arranged at regular intervals. And, the upper surface of the raw material storage tank 44 is covered with a cover 50, the primary steam induction pipe 21 is inserted into the interior of the raw material storage tank 44 through the center of the cover 50, the primary steam The lower end of the induction pipe 21 is located above the upper surface of the deposition raw material 42. And, as shown in Figure 7, the cover 50, the raw material supply pipe 49 is extended to supply the deposition raw material 42 to the raw material storage tank 44.

이런 원료저장조(44)와 제2 봉형히터(45)는 하부 케이스(40)의 내부에 수용되며, 하부 케이스(40)는 상부에 위치한 2차 증기유도관(22)의 하단 및 단열재(23)의 하단에 고정된 플랜지(29)에 체결된다. 그리고 이런 선형 증착원(20)은 진공챔버(10)의 하면을 관통하여 진공챔버(10)의 하면에 걸쳐 위치한다. 이런 진공챔버(10)의 하면은 선형 증착원(20)의 중간부 즉 플랜지(29)가 위치한 부위에 고정되는데, 진공챔버(10)와 선형 증착원(20)의 사이로 공기가 유동하는 것을 차단하기 위해 실링부(52)가 설치된다. 따라서, 도 3에 보이듯이, 선형 증착원(20)의 제2 냉각수관(24)은 선형 증착원(20)을 따라 진공챔버(10)의 하면 외부로 연장되고, 연료공급관(49) 또한 하부 케이스(40)를 관통하여 진공챔버(10)의 하면 외부로 연장되어 있다. 또한, 제1 봉형히터(25) 및 제2 봉형히터(45)에 전원을 공급하는 도선 또한, 선형 증착원(20)을 따라 진공챔버(10)의 하면 밖으로 연장된다. 따라서, 도면에는 도시되어 있지 않지만, 진공챔버(10)의 외부에 설치된 냉각수저장조와 증착원공급조 및 전원공급부로부터 냉각수와 증착원료 및 전원이 선형 증착원(20)으로 공급된다.The raw material storage tank 44 and the second rod-shaped heater 45 is accommodated in the lower case 40, the lower case 40 is the lower end and the heat insulating material 23 of the secondary steam induction pipe 22 located in the upper portion It is fastened to the flange 29 fixed to the bottom of the. The linear deposition source 20 passes through the lower surface of the vacuum chamber 10 and is positioned over the lower surface of the vacuum chamber 10. The lower surface of the vacuum chamber 10 is fixed to the middle portion of the linear deposition source 20, that is, the flange 29 is located, blocking the flow of air between the vacuum chamber 10 and the linear deposition source 20. In order to seal the sealing portion 52 is installed. Therefore, as shown in FIG. 3, the second cooling water pipe 24 of the linear deposition source 20 extends outside the lower surface of the vacuum chamber 10 along the linear deposition source 20, and the fuel supply pipe 49 is also lower. It extends through the case 40 and to the outside of the lower surface of the vacuum chamber 10. In addition, the conductive wires supplying power to the first rod heater 25 and the second rod heater 45 also extend out of the lower surface of the vacuum chamber 10 along the linear deposition source 20. Accordingly, although not shown in the drawing, the coolant, the deposition material, and the power supply are supplied to the linear deposition source 20 from the cooling water storage tank, the deposition source supply tank, and the power supply installed outside the vacuum chamber 10.

이와 같이 구성된 선형 증착원(20)에 있어서, 제2 봉형히터(45)에서 열이 발생되면 그 열에 의해 증착원료(42)는 증발하여 증착원료(42)의 증기를 발생하고 증기는 1차 증기유도관(21)을 통해 상부로 이동한다. 이와 같은 증기 이동과정 중에 1차 증기유도관(21)에 형성된 관통공을 통해 1차 증기유도관(21)의 외부로 배출되고, 제1 봉형히터(25)에서 발생하는 열에 의해 증기상태의 증착원은 활발하게 운동하게 되어 선형 노즐(27)을 통해 선형 증착원(20)을 빠져나간다.In the linear deposition source 20 configured as described above, when heat is generated in the second rod-shaped heater 45, the deposition material 42 is evaporated by the heat to generate steam of the deposition material 42, and the steam is the primary steam. It moves upward through the induction pipe 21. During the steam movement process, the vapor is discharged to the outside of the primary steam induction pipe 21 through the through hole formed in the primary steam induction pipe 21, and is deposited in the vapor state by the heat generated by the first rod heater 25. The circle is actively moved out of the linear deposition source 20 through the linear nozzle 27.

그리고, 이런 선형 증착원(20)의 내부에는 온도센서(30)가 설치되어 증기상태의 증착원료(42)의 온도를 감지하며, 1차 증기유도관(21)의 상단에는 플라스마발생기(60)가 설치되고, 이런 플라스마발생기(60)에는 RF(Radio Frequency)발생기가 연결되어 RF발생기에서 발생한 고주파 전기장에 의해 플라스마발생기(60)에서 플라스마를 발생한다. 한편, 플라스마발생기(60)가 위치한 1차 증기유도관(21)의 상단과 접하는 부위에는 플라스마발생기(60)를 감싸는 RF차단부(65)가 설치된다.In addition, the temperature sensor 30 is installed inside the linear deposition source 20 to detect the temperature of the vapor deposition material 42, the plasma generator 60 on the upper end of the primary steam induction pipe 21 Is installed, such a plasma generator 60 is connected to the RF (Radio Frequency) generator to generate a plasma in the plasma generator 60 by a high frequency electric field generated in the RF generator. On the other hand, the RF contact portion 65 surrounding the plasma generator 60 is installed at a portion in contact with the upper end of the primary steam induction pipe 21, the plasma generator 60 is located.

또한, 진공챔버(10)에는 플라스마발생기(61)와 RF발생기(63)가 진공챔버(10)를 관통하여 설치된다. 그리고, 이런 플라스마발생기(61)와 RF발생기(63)에서 발생하는 플라스마에 의해 진공챔버(10)의 내부는 세정된다.In addition, a plasma generator 61 and an RF generator 63 are installed in the vacuum chamber 10 through the vacuum chamber 10. In addition, the inside of the vacuum chamber 10 is cleaned by the plasma generated by the plasma generator 61 and the RF generator 63.

이런 1차 증기유도관(21)과 진공챔버(10)에 설치된 플라스마발생기(60, 61)는 선형 증착원(20)의 내부에 고착되거나 또는 진공챔버(10)의 내면에 고착되는 고체상태의 증착원료를 세정하는 역할을 한다.Plasma generators 60 and 61 installed in the primary steam induction pipe 21 and the vacuum chamber 10 are fixed to the inside of the linear deposition source 20 or fixed to the inner surface of the vacuum chamber 10. It serves to clean the deposition material.

그리고, 입구게이트(71)와 출구게이트(72) 및, 플랜지(29)와 하부 케이스(40)가 접하는 곳에는 실링부(52)가 설치되어 공기의 흐름을 차단한다.In addition, the inlet gate 71 and the outlet gate 72 and the flange 29 and the lower case 40 where the sealing portion 52 is provided to block the flow of air.

한편, 도 6에 도시된 바와 같이, 기판이송부(70)는 기판(1)을 고정하는 기판고정부(80)와, 기판고정부(80)에 고정된 기판(1)에 밀착되어 기판(1)의 열을 흡수하는 기판냉각부(90)를 포함한다.On the other hand, as shown in Figure 6, the substrate transfer unit 70 is in close contact with the substrate fixing portion 80 for fixing the substrate 1, the substrate 1 fixed to the substrate fixing portion 80 is a substrate ( And a substrate cooling unit 90 that absorbs the heat of 1).

기판고정부(80)는 기판(1)의 직경과 동일한 내경을 갖고 그 내경 하단을 따라 형성되어 기판(1)이 안착되는 걸림턱(82)을 구비한 기판지지부(81)와, 이런 기판(1)의 상면에 안착되는 마스크(75)를 고정하는 고정판(83) 및, 기판지지부(81)와 고정판(83)을 고정하는 볼트(85)를 구비한다.The substrate fixing part 80 has an inner diameter equal to the diameter of the substrate 1 and is formed along the lower end of the inner diameter thereof, and includes a substrate support part 81 having a locking step 82 on which the substrate 1 is seated. The fixing plate 83 which fixes the mask 75 mounted on the upper surface of 1), and the bolt 85 which fixes the board | substrate support part 81 and the fixing plate 83 are provided.

그리고, 기판냉각부(90)는 기판고정부(80)에 고정된 기판(1)의 하면에 밀착되어 위치하는 냉각전도판(97)과, 냉각전도판(97)에 고정되어 냉각전도판(97)의 열을 흡수하도록 내부에 냉각수로(93)가 형성된 전도판냉각부(91)를 구비한다. 그리고, 전도판냉각부(91)와 기판고정부(80)의 사이에는 스프링(95)이 위치하여 기판(1)과 냉각전도판(97)의 사이에 밀착력을 조절한다. 이런 기판고정부(80)와 기판냉각부(90)는 이와 같이 밀착된 상태로 프레임(99)에 끼워져 클램프된 상태로 프레임(99)의 이동에 따라 진공챔버(10)의 내부와 외부로 이송되고, 이런 프레임(99)은 도면에 도시되지 않은 구동부에 연결되어 구동부의 작동에 의해 기판(1)을 진공챔버(10)의 내부로 진입 또는 인출한다.The substrate cooling unit 90 is fixed to the cooling conductive plate 97 positioned in close contact with the lower surface of the substrate 1 fixed to the substrate fixing unit 80, and is fixed to the cooling conductive plate 97. The conductive plate cooling part 91 in which the cooling water path 93 is formed is provided so that the heat of 97 may be absorbed. Then, a spring 95 is positioned between the conductive plate cooling unit 91 and the substrate fixing part 80 to adjust the adhesion between the substrate 1 and the cooling conductive plate 97. The substrate fixing part 80 and the substrate cooling part 90 are inserted into the frame 99 in such a close state and transferred to the inside and outside of the vacuum chamber 10 according to the movement of the frame 99 in a clamped state. The frame 99 is connected to a driving unit not shown in the drawing to enter or withdraw the substrate 1 into the vacuum chamber 10 by the operation of the driving unit.

또한 바람직하게는 진공챔버(10)의 내면에 다수의 세정판(14)이 부착되는 것이 양호하다. 이런 세정판(14)은 증착원료(42)의 증기가 세정판(14)에 증착하여 융착되었을 때에, 플라스마발생기(61) 및 RF발생기(63)에 의해 융착된 증착원료가 제거되지 않을 경우에 진공챔버(10)의 내부에 체결된 세정판(14)을 분리하여 교체함으로써, 플라스마발생기(61) 및 RF발생기(63)로 세정되지 않은 증착원료를 제거한다.Also preferably, a plurality of cleaning plates 14 are attached to the inner surface of the vacuum chamber 10. The cleaning plate 14 is formed when the vapor deposition material 42 is not deposited by the plasma generator 61 and the RF generator 63 when the vapor deposition on the cleaning plate 14 is fused. By removing and replacing the cleaning plate 14 fastened inside the vacuum chamber 10, the deposition raw material not cleaned by the plasma generator 61 and the RF generator 63 is removed.

이상과 같이 구성된 선형 증착과 간접 가열을 이용한 진공증착장치의 작동에 대하여 상세히 설명하겠다.The operation of the vacuum deposition apparatus using the linear deposition and indirect heating configured as described above will be described in detail.

우선, 기판이송부(70)에 기판(1)을 고정시킨다. 기판지지부(81)의 걸림턱(82)에 기판(1)을 안착하고, 기판(1)의 상면에 마스크(75)를 안착시킨 후에 마스크(75)의 상면에 고정판(83)을 안착한다. 그리고, 볼트(85)로 기판지지부(81)와 고정판(83)을 체결하여 마스크(75)를 고정시키면, 기판(1)은 마스크(75)와 기판지지부(81)의 걸림턱(82) 사이에 위치하여 고정된다. 이와 같이 기판(1)이 고정된 기판고정부(80)를 기판냉각부(90)에 밀착시킨다. 그리고, 기판고정부(80)와 기판냉각부(90)를 프레임(99)에 끼워 고정시킨다.First, the substrate 1 is fixed to the substrate transfer part 70. The substrate 1 is seated on the locking projection 82 of the substrate support part 81, the mask 75 is seated on the upper surface of the substrate 1, and then the fixing plate 83 is seated on the upper surface of the mask 75. Then, when the substrate 75 is fixed by fastening the mask 75 by fastening the substrate support 81 and the fixing plate 83 with the bolts 85, the substrate 1 is interposed between the mask 75 and the latching jaw 82 of the substrate support 81. It is located at and fixed. In this way, the substrate fixing part 80 to which the substrate 1 is fixed is brought into close contact with the substrate cooling unit 90. Then, the substrate fixing part 80 and the substrate cooling part 90 are fitted to the frame 99 and fixed.

이런 상태에서 진공챔버(10)의 입구게이트(71)를 개방하고, 구동부를 작동하여 기판이송부(70)가 입구게이트(71)를 통해 진공챔버(10)의 내부로 진입시킨 후에 입구게이트(71)를 폐쇄한 후에 진공챔버(10)의 내부를 진공상태로 유지한다.In this state, the inlet gate 71 of the vacuum chamber 10 is opened and the driving unit is operated to allow the substrate transfer unit 70 to enter the inside of the vacuum chamber 10 through the inlet gate 71 and then the inlet gate ( After closing 71, the inside of the vacuum chamber 10 is kept in a vacuum state.

이런 상태에서 제2 봉형히터(45)에 전원을 공급하면, 제2 봉형히터(45)에서 발생하는 열에 의해 원료저장조(44)에 수용된 증착원료(42)는 증발하게 되고, 증착원료(42)의 증기는 1차 증기유도관(21)을 통해 선형 증착원(20)의 상부로 이동하며 1차 증기유도관(21)의 관통공을 통해 2차 증기유도관(22)으로 배출된다. 이때, 제2봉형히터(45)의 열에 의해 증착원료(42)의 증기는 활발하게 운동하면서 선형 노즐(27)을 통해 선형 증착원(20)의 외부로 분사된다.When power is supplied to the second rod heater 45 in this state, the deposition raw material 42 contained in the raw material storage tank 44 is evaporated by the heat generated in the second rod heater 45 and the deposition raw material 42 The steam is moved to the upper portion of the linear deposition source 20 through the primary steam induction pipe 21 and is discharged to the secondary steam induction pipe 22 through the through-hole of the primary steam induction pipe 21. At this time, the vapor of the deposition raw material 42 is actively moved by the heat of the second rod-shaped heater 45 is injected to the outside of the linear deposition source 20 through the linear nozzle 27.

이때, 개폐판(56)은 회전구동부(54)에 의해 선회하며 선형 노즐(27)을 개방시키고 있는 상태이며 선형 노즐(27)의 개구부로부터 빠져나온 증착원료(42)의 증기는 확산되면서 기판(1)으로 진행한다. 이와 같이, 기판(1) 쪽으로 진행한 증착원료(42)의 증기는 기판(1)에 증착된다. 기판(1)에 증착원료(42)의 증기가 증착되는 과정에 있어 마스크(75)에 형성된 패튼(Pattern)에 따라 증착이 이루어지며, 기판(1)에 발생한 열은 후면의 밀착되어 있는 냉각전도판(97)을 통해 전달되며, 이런 냉각전도판(97)은 전도판냉각부(91)의 내부에 형성된 냉각수로(93)를 따라 순환하는 냉각수에 의해 냉각된다.At this time, the opening and closing plate 56 is rotated by the rotary drive unit 54 and the linear nozzle 27 is opened, and the vapor of the deposition raw material 42 exiting from the opening of the linear nozzle 27 is diffused and the substrate ( Proceed to 1). In this way, the vapor of the deposition raw material 42 that has advanced toward the substrate 1 is deposited on the substrate 1. In the process of depositing the vapor of the deposition material 42 on the substrate 1, the deposition is performed according to the pattern formed on the mask 75, and the heat generated on the substrate 1 adheres to the cooling conduction in close contact with the rear surface. Passed through the plate 97, the cooling conductive plate 97 is cooled by the cooling water circulating along the cooling water passage 93 formed in the conductive plate cooling unit 91.

한편, 이와 같이 기판(1)에 마스크(75)의 패튼의 형태대로 증착원료(42)가 증착된 후에는 출구게이트(72)가 개방되고, 구동부를 작동하여 기판이송부(70)를 진공챔버(10)의 외부로 배출한다. 이때, 개폐판(56)은 회전구동부(54)에 의해 선회하며 선형 노즐(27)을 폐쇄시켜 선형 증착원(20)으로부터 증착원료(42)의 증기가 분사되지 않도록 차단한다.On the other hand, after the deposition raw material 42 is deposited in the form of the pattern 75 of the mask 75 on the substrate 1 as described above, the exit gate 72 is opened, and the driving unit is operated to operate the substrate transfer unit 70 in a vacuum chamber. Discharge to the outside of (10). At this time, the opening and closing plate 56 is rotated by the rotary drive unit 54 to close the linear nozzle 27 to block the vapor of the deposition material 42 from the linear deposition source 20 to be injected.

그리고, 진공챔버(10)의 내부는 RF발생기(63) 및 플라스마발생기(61)에서 발생한 플라스마에 의해 세정되고, 1차 증기유도관(21)의 내부는 플라스마발생기(60)에서 발생한 플라스마에 의해 세정된다.The inside of the vacuum chamber 10 is cleaned by the plasma generated from the RF generator 63 and the plasma generator 61, and the inside of the primary steam induction pipe 21 is formed by the plasma generated by the plasma generator 60. It is cleaned.

한편, 진공챔버(10)의 내면에 증착원료(42)의 증기가 상기의 플라스마발생기(61)와 RF발생기(63)에 의해 세정되지 않을 정도로 융착되었을 때에는 진공챔버(10)의 내부에 위치한 세정판(14)을 분리하여 새로운 세정판으로 교체한다.On the other hand, when the vapor of the deposition raw material 42 is fused to the inner surface of the vacuum chamber 10 to the extent that it is not cleaned by the plasma generator 61 and the RF generator 63, the cleaning located inside the vacuum chamber 10 Remove plate 14 and replace with a new cleaning plate.

한편, 도면에서 도 8은 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 선형 증착과 간접 가열을 이용한 진공증착장치의 측단면도이다.8 is a side cross-sectional view of a vacuum deposition apparatus using linear deposition and indirect heating according to another embodiment of the present invention.

앞에서 설명한 본 발명의 한 실시예에 따른 선형 증착과 간접 가열을 이용한 진공증착장치는 그 선형 증착원(20)의 길이가 진공챔버(10)의 높이방향으로 위치한 상태를 설명한 것이지만, 다른 한 실시예에서의 진공증착장치(200)는 선형 증착원(20)이 진공챔버(10)의 상부에 위치하여 하부에 위치한 기판(1)을 향해 증착원료(42)의 증기를 분사하여 증착할 수 있으며, 다른 구성요소들은 모두 동일하다.In the vacuum deposition apparatus using the linear deposition and indirect heating according to an embodiment of the present invention described above, the length of the linear deposition source 20 is described in the position in the height direction of the vacuum chamber 10, but another embodiment In the vacuum deposition apparatus 200 in the linear deposition source 20 is located on the upper portion of the vacuum chamber 10 can be deposited by spraying the vapor of the deposition raw material 42 toward the substrate 1 located below, All other components are identical.

앞서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명의 선형 증착과 간접 가열을 이용한 진공증착장치는 간접 가열방식으로 증착원을 기판에 증착함으로써, 증착원이 튀겨 입자 덩어리가 기판에 증착되는 것을 예방할 수 있다는 장점이 있다.As described in detail above, the vacuum deposition apparatus using the linear deposition and the indirect heating of the present invention has the advantage that by depositing the deposition source on the substrate by the indirect heating method, it is possible to prevent the deposition source is splashed and deposited on the substrate. .

또한, 본 발명의 선형 증착과 간접 가열을 이용한 진공증착장치는 진공 챔버와 1차 증기유도관의 내부에 플라스마를 형성하여 고착된 증착원을 세정할 수 있다는 장점이 있다.In addition, the vacuum deposition apparatus using the linear deposition and indirect heating of the present invention has the advantage that it is possible to clean the deposited source by forming a plasma inside the vacuum chamber and the primary steam induction pipe.

이상에서 본 발명의 선형 증착과 간접 가열을 이용한 진공증착장치 및 그 증착방법에 대한 기술사상을 첨부도면과 함께 서술하였지만, 이는 본 발명의 가장 양호한 실시예를 예시적으로 설명한 것이지 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 또한, 이 기술분야의 통상의 지식을 가진 자이면 누구나 본 발명의 기술사상의 범주를 이탈하지 않는 범위 내에서 다양한 변형 및 모방이 가능함은 명백한 사실이다.The technical idea of the vacuum deposition apparatus using the linear deposition and indirect heating and the deposition method of the present invention has been described above with the accompanying drawings, but this is by way of example to illustrate the best embodiment of the present invention to limit the present invention. It is not. In addition, it is obvious that any person skilled in the art can make various modifications and imitations without departing from the scope of the technical idea of the present invention.

Claims

In the vacuum deposition apparatus for depositing a vapor of the deposition material vaporized from the deposition material located inside the vacuum chamber on the substrate,

A linear deposition source for injecting vapor of the deposition material generated by applying heat to the deposition material contained therein to the substrate through the linear nozzle;

A substrate transfer part in which a substrate entering through the inlet gate formed in the vacuum chamber and discharged through the outlet gate is fixed;

And the substrate transfer part moves in a direction perpendicular to the length of the linear nozzle of the linear deposition source.

The method of claim 1,

The linear deposition source has a plurality of through-holes formed on the front surface and is located in the center along the length of the linear deposition source, the primary steam induction pipe to accommodate the primary steam induction pipe, and the 1 A raw material storage tank located at the lower end of the primary steam induction pipe and accommodating the deposition material, a heater positioned around the raw material storage tank to generate heat, and the secondary steam induction pipe around the secondary steam induction pipe It includes a linear nozzle installed in the longitudinal direction of,

And a vapor of the deposition material located inside the secondary vapor induction pipe is injected to the outside through the linear nozzle.

The method of claim 2,

The linear deposition source penetrates the lower surface of the vacuum chamber, and the fuel reservoir is located outside the lower surface of the vacuum chamber.

A heat insulating material surrounds the outer surface of the secondary steam induction pipe, a cooling water pipe surrounds the outer surface of the heat insulating material, the cooling water pipe is extended in the longitudinal direction of the linear deposition source, the vacuum extending to the lower surface of the vacuum chamber Vapor deposition apparatus.

The method of claim 2 or 3,

And a plurality of rod-shaped heaters are disposed along the inner circumferential surface of the secondary steam induction pipe between the outer surface of the primary steam induction pipe and the inner surface of the secondary steam induction pipe.

The method of claim 1,

The opening and closing plate is located in the opening of the linear nozzle of the linear deposition source, the opening and closing plate is a vacuum deposition apparatus, characterized in that for opening and closing the opening of the linear nozzle while rotating by the rotary drive.

The method of claim 2,

And a fuel supply pipe extends outside the linear deposition source to supply the deposition material to the raw material storage tank through the fuel supply pipe.

The method of claim 2,

Plasma generator is installed on the upper end of the primary steam induction pipe vacuum deposition apparatus, characterized in that for cleaning the deposition material fused in the interior of the primary steam induction pipe.

The method of claim 1,

The vacuum chamber is fixed through the plasma generator, the vacuum deposition apparatus, characterized in that for cleaning the vapor of the deposition material fixed on the inner surface of the vacuum chamber by the plasma generated in the plasma generator.

The method of claim 1,

The substrate transfer part supports a substrate fixing part for fixing an edge of the substrate, and a substrate cooling part for supporting the substrate fixing part so that the substrate fixed to the substrate fixing part faces a linear nozzle of the linear deposition source and cooling the substrate. And a driving unit for transferring the substrate cooling unit from the outside to the inside of the vacuum chamber or from the inside to the outside through the inlet gate and the outlet gate.

The method of claim 9,

The substrate fixing part has an inner diameter equal to the diameter of the substrate and a fixing support seated on an upper surface of a mask seated on an upper surface of the substrate support part formed at a lower end of the inner diameter along the inner diameter of the substrate support part, and the substrate support part. And a bolt fastened through the mask and the fixing piece.

The method according to claim 9 or 10,

The substrate cooling unit is in close contact with the rear surface of the substrate fixing part,

A cooling conductive plate in close contact with a rear surface of the substrate fixed to the substrate fixing part, a conductive plate cooling part having a cooling water passage therein fixed to the cooling conductive plate to absorb heat of the cooling conductive plate, and a conductive plate cooling part And an elastic body positioned between the substrate fixing part and adjusting the adhesion between the substrate and the cooling conductive plate.

The method of claim 1,

And a cleaning plate detachably attached to an inner surface of the vacuum chamber.

In the vacuum deposition method for depositing a vapor of the deposition material evaporated from the deposition material on a substrate,

Heating the deposition material to generate vapor of the deposition material and inducing the generated steam to the nozzle unit;

Raising the active energy by applying heat to the steam guided by the nozzle unit;

Linearly injecting steam through the nozzle unit;

The vapor deposition method comprising the step of depositing on the entire surface of the substrate while the vapor is sprayed linearly.