KR20030021493A - 리프트핀을 갖춘 웨이퍼 처리 장치 및 이를 포함하는반도체 소자 제조 장치 - Google Patents

리프트핀을 갖춘 웨이퍼 처리 장치 및 이를 포함하는반도체 소자 제조 장치 Download PDF

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KR20030021493A KR1020010054773A KR20010054773A KR20030021493A KR 20030021493 A KR20030021493 A KR 20030021493A KR 1020010054773 A KR1020010054773 A KR 1020010054773A KR 20010054773 A KR20010054773 A KR 20010054773A KR 20030021493 A KR20030021493 A KR 20030021493A
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Abstract

설비를 분해하지 않고도 교체 또는 높낮이 조절이 가능한 리프트핀을 갖춘 웨이퍼 처리 장치 및 이를 포함하는 반도체 소자 제조 장치에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 웨이퍼 처리 장치는 웨이퍼를 지지하기 위한 상면을 가지고, 복수의 관통홀이 형성되어 있는 플래튼과, 상기 플래튼의 상면에 있는 웨이퍼를 상기 상면으로부터 들어 올리거나 상기 상면에 내려 놓기 위하여 상기 관통홀을 통하여 상승 또는 하강 이동 가능한 복수의 리프트핀 조립체를 포함한다. 상기 리프트핀 조립체는 블라인드공이 형성되어 있는 리프트핀 베이스와, 상기 플래튼에 형성된 관통홀을 통하여 상승 또는 하강 이동 가능하도록 상기 관통홀 내에 삽입되어 있는 일단부와, 상기 리프트핀 베이스의 블라인드공 내에 삽입되어 있는 타단부를 가지는 리프트핀과, 상기 리프트핀 베이스의 블라인드공 내에서 상기 리프트핀을 고정시키기 위한 고정 장치를 포함한다.

Description

리프트핀을 갖춘 웨이퍼 처리 장치 및 이를 포함하는 반도체 소자 제조 장치 {Wafer treatment apparatus having lift pin and apparatus for manufacturing semiconductor device including the same}
본 발명은 반도체 소자 제조 장치에 관한 것으로, 특히 리프트핀을 갖춘 웨이퍼 처리 장치 및 이를 포함하는 반도체 소자 제조 장치에 관한 것이다.
반도체 소자 제조 공정중 웨이퍼상에 텅스텐을 증착하기 위하여 널리 사용되는 CVD(chemical vapor deposition) 장치중 하나로서, 프로세스 챔버 내에서 플래튼(platen) 위에 있는 웨이퍼를 들어 올리거나 내려놓기 위하여 웨이퍼 이송 메카니즘에 의하여 작동되는 리프트핀을 이용하는 것이 있다.
지금까지 개발된 반도체 소자 제조 장치에서는 리프트핀이 플래튼의 하부에 고정된 상태로 지지되어 있다. 따라서, 리프트핀을 교체할 필요가 있을 때에는 프로세스 챔버 내에 조립되어 있는 모든 키트(kit)를 분해하여야 하므로 번거롭고 시간 소모가 많을 뿐 만 아니라 설비의 분해 및 조립 작업에 의하여 설비가 손상되거나 결함이 발생되는 등 많은 문제가 발생된다. 또한, 상기 프로세스 챔버 내에서 CVD 공정이 반복됨에 따라 리프트핀의 선단부가 마모되거나 RF 플라즈마에 의한 손상 또는 미세한 파손이 야기되는 경우가 있다. 이와 같은 경우에는 웨이퍼를 지지하는 여러 개의 리프트핀 사이에 균형이 맞지 않아 웨이퍼가 수평으로 유지되지 않고 기울어지거나 흔들려서 파손되는 경우가 발생된다.
본 발명의 목적은 리프트핀을 사용하여 웨이퍼를 지지하는 반도체 소자 제조 장치의 프로세스 챔버 내에서 설비를 분해하지 않고도 상기 리프트핀의 교체가 가능한 구조를 가지는 웨이퍼 처리 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 리프트핀을 사용하여 웨이퍼를 지지하는 반도체 소자 제조 장치의 프로세스 챔버 내에서 설비를 분해하지 않고도 여러 개의 리프트핀 높이가 일정하게 될 수 있도록 각각의 리프트핀의 높낮이를 간단한 방법에 의하여 조절할 수 있는 구조를 가지는 웨이퍼 처리 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기한 바와 같은 웨이퍼 처리 장치를 포함하는 반도체 소자 제조 장치를 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼 처리 장치를 채용하는 반도체 소자 제조 장치의 횡단면도이다.
도 2는 도 1의 반도체 소자 제조 장치의 일부 구성을 도시한 측단면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 웨이퍼 처리 장치에 포함된 리프트핀 조립체를 도시한 도면이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10: 로드락 챔버, 20: 프로세스 챔버, 30: 웨이퍼 이송 메카니즘, 40a, 40b, 40c, 40d, 40e: 프로세스 스테이션, 50: 플래튼, 52: 페데스탈 베이스, 60: 리프트핀 조립체, 62: 리프트핀 베이스, 62a: 블라인드공, 64: 리프트핀, 64a: 일단부, 64b: 타단부, 66: 고정 장치, 82: 핀 리프트 플랫폼.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 웨이퍼 처리 장치는 웨이퍼를 지지하기 위한 상면을 가지고, 복수의 관통홀이 형성되어 있는 플래튼(platen)과, 상기 플래튼의 상면에 있는 웨이퍼를 상기 상면으로부터 들어 올리거나 상기 상면에 내려 놓기 위하여 상기 관통홀을 통하여 상승 또는 하강 이동 가능한 복수의 리프트핀 조립체를 포함한다. 상기 리프트핀 조립체는 블라인드공이 형성되어 있는 리프트핀 베이스와, 상기 플래튼에 형성된 관통홀을 통하여 상승 또는 하강 이동 가능하도록 상기 관통홀 내에 삽입되어 있는 일단부와, 상기 리프트핀 베이스의 블라인드공 내에 삽입되어 있는 타단부를 가지는 리프트핀과, 상기 리프트핀 베이스의 블라인드공 내에서 상기 리프트핀을 고정시키기 위한 고정 장치를 포함한다. 상기 고정 장치는 상기 리프트핀 베이스와 나사 결합되는 스크류로 이루어질 수 있다.
상기 블라인드공은 상기 리프트핀 베이스 내에서 소정의 길이를 가지고 연장되고, 상기 리프트핀은 상기 블라인드공 내에 위치되는 상기 리프트핀의 타단부의 위치에 따라 그 높이가 결정된다. 또한, 상기 리프트핀은 상기 블라인드공 내에 위치되는 상기 타단부의 위치에 따라 다양한 높이를 가지도록 상기 블라인드공의 길이 범위 내에서 상하 이동 가능하다.
상기 고정 장치는 상기 리프트핀의 타단부가 상기 블라인드공 내의 소정 위치에 고정되도록 하기 위하여 상기 타단부와 접하고 있는 제1 위치와, 상기 블라인드공 내에서 상기 리프트핀의 타단부가 그 가장 낮은 위치에 있도록 상기 타단부와 접하지 않는 제2 위치 사이에서 작동 가능하다. 상기 플래튼의 상면에 노출되어 있는 상기 관통홀의 일단부를 더 포함하고, 상기 고정 장치가 상기 제2 위치에 있도록 작동될 때 상기 리프트핀은 상기 관통홀의 일단부를 통하여 상기 리프트핀 베이스로부터 분리 가능하다. 또한, 상기 리프트핀과 상기 리프트핀 베이스를 결합시키기 위하여 상기 리프트핀이 상기 관통홀의 일단부를 통하여 상기 리프트핀 베이스의 블라인드공 내에 삽입 가능하다.
상기 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 반도체 소자 제조 장치는 로드락 챔버와, 복수의 프로세스 스테이션을 구비하는 프로세스 챔버와, 웨이퍼 이송 메카니즘을 갖추고 있다. 상기 프로세스 스테이션은 각각 웨이퍼를 지지하기 위한 상면을 가지고, 복수의 관통홀이 형성되어 있는 플래튼(platen)과, 상기 웨이퍼 이송 메카니즘의 작동에 따라 상기 플래튼의 상면에 있는 웨이퍼를 상기 상면으로부터 들어 올리거나 상기 상면에 내려 놓기 위하여 상기 관통홀을 통하여 상승 또는 하강 이동 가능한 복수의 리프트핀 조립체를 포함한다. 상기 리프트핀 조립체는 상기 플래튼에 형성된 관통홀을 통하여 상승 또는 하강 이동 가능한 리프트핀과, 상기 리프트핀을 지지하기 위하여 상기 리프트핀과 분리 가능하게 결합되어 있는 리프트핀 베이스를 포함한다. 상기 리프트핀 베이스는 상기 플래튼의 상면과 반대측에서 상기 플래튼으로부터 소정 거리 이격되어 설치되어 있다. 상기 리프트핀 베이스에는 상기 리프트핀을 수용할 수 있는 블라인드공이 형성되어 있다.
본 발명에 의하면, 리프트핀을 사용하여 웨이퍼를 지지하는 반도체 소자 제조 장치의 프로세스 챔버 내에서 설비를 분해하지 않고도 상기 리프트핀을 간단하게 교체할 수 있다. 또한, 하나의 웨이퍼를 지지하기 위하여 동시에 사용되는 복수개의 리프트핀 각각의 높낮이를 간단한 방법으로 조절할 수 있으므로 웨이퍼의 기울어짐 또는 파손 등에 의하여 발생되는 문제를 줄일 수 있다.
다음에, 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼 처리 장치를 채용하는 반도체 소자 제조 장치의 횡단면도이다. 도 1에는 반도체 소자 제조 공정에서 CVD 공정을 행하기 위하여 사용되는 프로세스 챔버(20)를 위에서 보았을 때의 횡단면도를 도시하였다. 도 2는 도 1의 반도체 소자 제조 장치의 일부 구성을 도시한 측단면도이다.
도 1 및 도 2에서 CVD 반응 챔버로 사용되는 상기 프로세스 챔버(20)는 로드락 챔버(10)와 연통되어 있다. 상기 프로세스 챔버(20) 내에서 웨이퍼의 각 프로세스 스테이션(40a, 40b, 40c, 40d, 40e)간 이동을 위하여 핀 리프트 플랫폼(82) 및 웨이퍼 이송 메카니즘(30)이 사용된다. 상기 각 프로세스 스테이션(40a, 40b, 40c, 40d, 40e)에는 웨이퍼를 지지하기 위한 상면을 가지고 복수의 관통홀이 형성되어 있는 플래튼(platen)(50)과, 상기 플래튼(50)을 가열하기 위한 히터를 포함하는 페데스탈 베이스(pedestal base)(52)가 설치되어 있다.
또한, 상기 각 프로세스 스테이션(40a, 40b, 40c, 40d, 40e)에는 상기 웨이퍼 이송 메카니즘(30)의 작동에 따라 상기 플래튼(50)의 상면에 있는 웨이퍼를 상기 상면으로부터 들어 올리거나 상기 상면에 내려 놓기 위하여 상기 관통홀을 통하여 상승 또는 하강 이동 가능한 복수의 리프트핀 조립체(60)를 포함한다.
도 3은 상기 리프트핀 조립체(60)를 보다 상세히 도시한 도면이다.
도 3을 참조하면, 상기 리프트핀 조립체(60)는 상기 플래튼(50)에 형성된 관통홀을 통하여 상승 또는 하강 이동 가능한 리프트핀(64)과, 상기 리프트핀(64)을 지지하기 위하여 상기 리프트핀(64)과 분리 가능하게 결합되어 있는 리프트핀 베이스(62)를 포함한다. 상기 리프트핀 베이스(62)는 상기 플래튼(50)의 상면과 반대측에서 상기 플래튼(50)으로부터 소정 거리 이격되어 설치되어 있다.
상기 리프트핀 베이스(62)에는 상기 리프트핀(64)을 수용할 수 있는 블라인드공(62a)이 형성되어 있다. 상기 리프트핀(64)은 상기 플래튼(50)의 관통홀 내에 삽입되어 있는 일단부(64a)와, 상기 리프트핀 베이스(62)의 블라인드공(62a) 내에 삽입되어 있는 타단부(64b)를 가진다. 상기 블라인드공(62a)은 상기 리프트핀 베이스(62) 내에서 소정의 길이를 가지고 연장된다. 상기 리프트핀(64)은 상기 블라인드공(62a) 내에 위치되는 상기 리프트핀(64)의 타단부(64b)의 위치에 따라 그 높이가 결정된다. 또한, 상기 리프트핀(64)은 상기 블라인드공(62a) 내에 위치되는 상기 타단부(64a)의 위치에 따라 다양한 높이를 가지도록 상기 블라인드공(62a)의 길이 범위 내에서 상하 이동 가능하게 설치되어 있다.
상기 리프트핀 베이스(62)의 블라인드공(62a) 내에서 상기 리프트핀(64)을고정시키기 위하여, 상기 리프트핀 베이스(62)에는 고정 장치(66)가 결합되어 있다. 상기 고정 장치(66)는 스크류로 구성될 수 있다. 이 때, 상기 고정 장치(66)는 상기 리프트핀 베이스(62)와 나사 결합된다.
상기 고정 장치(66)는 상기 리프트핀(64)의 타단부(64b)가 상기 블라인드공(62a) 내의 소정 위치에 고정될 수 있도록 상기 타단부(64b)와 접하고 있는 제1 위치와, 상기 블라인드공(62a) 내에서 상기 리프트핀(64)의 타단부(64b)가 그 가장 낮은 위치에 있도록 상기 타단부(64b)와 접하지 않는 제2 위치 사이에서 작동 가능하다. 상기 고정 장치(66)가 도 3에 도시한 바와 같이 스크류로 구성된 경우, 상기 고정 장치(66)를 잠금 방향 또는 열림 방향으로 회전시킴으로써 상기 고정 장치(66)가 상기 제1 위치 또는 제2 위치로 될 수 있다.
상기 리프트핀(64)을 교체하고자 할 때에는, 상기 프로세스 챔버(20) 내에서 다른 설비를 분해할 필요 없이, 상기 고정 장치(66)가 상기 제2 위치에 있도록 상기 고정 장치(66)를 열림 방향으로 돌려서 상기 고정 장치(66)를 상기 리프트핀(64)의 타단부(64b)와 분리시킨 후, 상기 플래튼(50)의 상면에서 노출되는 상기 관통홀의 일단부를 통하여 상기 리프트핀(64)을 들어 올려 상기 리프트핀(64)을 상기 리프트핀 베이스(62)로부터 분리시킨다.
상기 리프트핀 베이스(62)에 새로운 리프트핀(64)을 결합시키는 경우에도, 상기 프로세스 챔버(20) 내에서 다른 설비를 분해할 필요 없이, 상기 플래튼(50)의 상면에서 노출되는 상기 관통홀의 일단부를 통하여 상기 리프트핀(64)을 끼워 넣어 상기 리프트핀 베이스(62)의 블라인드공(62a) 내에 상기 리프트핀(64)을 삽입한다.그 후, 상기 리프트핀 베이스(62)의 블라인드공(62a) 내에서의 상기 리프트핀(64)의 타단부(64b) 위치를 결정한 후, 상기 고정 장치(66)를 잠금 방향으로 돌려서 상기 고정 장치(66)가 상기 타단부(64b)와 접하고 있는 제1 위치로 되도록 함으로써, 상기 고정 장치(66)에 의하여 상기 리프트핀(64)을 고정시킨다.
또한, 상기 리프트핀(64)의 높낮이를 맞추는 경우에도 마찬가지로 상기 고정 장치(66)가 상기 제2 위치에 있도록 상기 고정 장치(66)를 열림 방향으로 돌려서 상기 고정 장치(66)를 상기 리프트핀(64)의 타단부(64b)와 분리시킨 후, 상기 플래튼(50)의 상면에서 노출되는 상기 관통홀의 일단부를 통하여 상기 리프트핀(64)을 들어 올리거나 더 낮추어 상기 리프트핀 베이스(62)의 블라인드공(62a) 내에서의 상기 리프트핀(64)의 타단부(64b) 위치를 결정한 후, 상기 고정 장치(66)를 잠금 방향으로 돌려서 상기 고정 장치(66)가 상기 타단부(64b)와 접하고 있는 제1 위치로 되도록 함으로써, 상기 고정 장치(66)에 의하여 상기 리프트핀(64)을 고정시킨다.
상기한 바와 같이, 본 발명에 따른 웨이퍼 처리 장치는 상기 플래튼의 상면에 있는 웨이퍼를 상기 상면으로부터 들어 올리거나 상기 상면에 내려 놓기 위한 리프트핀 조립체를 포함한다. 상기 리프트핀 조립체는 블라인드공이 형성되어 있는 리프트핀 베이스를 포함한다. 상기 블라인드공에 삽입되는 리프트핀은 상기 플래튼에 형성된 관통홀을 통하여 상승 또는 하강 이동 가능하도록 상기 관통홀 내에 삽입되어 있는 일단부와, 상기 리프트핀 베이스의 블라인드공 내에 삽입되어 있는 타단부를 가진다. 상기 리프트핀 베이스의 블라인드공 내에서 상기 리프트핀을 고정시키기 위하여 고정 장치가 상기 리프트핀 베이스에 결합되어 있다. 이와 같은 구성을 가지는 웨이퍼 처리 장치에서는 리프트핀을 사용하여 웨이퍼를 지지하는 반도체 소자 제조 장치의 프로세스 챔버 내에서 설비를 분해하지 않고도 상기 리프트핀을 간단하게 교체할 수 있다. 또한, 하나의 웨이퍼를 지지하기 위하여 동시에 사용되는 복수개의 리프트핀 각각의 높낮이를 간단한 방법으로 조절할 수 있으므로 웨이퍼의 기울어짐 또는 파손 등에 의하여 발생되는 문제를 줄일 수 있다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러가지 변형이 가능하다.

Claims (19)

  1. 웨이퍼를 지지하기 위한 상면을 가지고, 복수의 관통홀이 형성되어 있는 플래튼(platen)과,
    상기 플래튼의 상면에 있는 웨이퍼를 상기 상면으로부터 들어 올리거나 상기 상면에 내려 놓기 위하여 상기 관통홀을 통하여 상승 또는 하강 이동 가능한 복수의 리프트핀 조립체를 포함하고,
    상기 리프트핀 조립체는
    블라인드공이 형성되어 있는 리프트핀 베이스와,
    상기 플래튼에 형성된 관통홀을 통하여 상승 또는 하강 이동 가능하도록 상기 관통홀 내에 삽입되어 있는 일단부와, 상기 리프트핀 베이스의 블라인드공 내에 삽입되어 있는 타단부를 가지는 리프트핀과,
    상기 리프트핀 베이스의 블라인드공 내에서 상기 리프트핀을 고정시키기 위한 고정 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 고정 장치는 상기 리프트핀 베이스와 나사 결합되는 스크류로 이루어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 블라인드공은 상기 리프트핀 베이스 내에서 소정의 길이를 가지고 연장되고,
    상기 리프트핀은 상기 블라인드공 내에 위치되는 상기 리프트핀의 타단부의 위치에 따라 그 높이가 결정되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 리프트핀은 상기 블라인드공 내에 위치되는 상기 타단부의 위치에 따라 다양한 높이를 가지도록 상기 블라인드공의 길이 범위 내에서 상하 이동 가능한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 고정 장치는 상기 리프트핀의 타단부가 상기 블라인드공 내의 소정 위치에 고정되도록 하기 위하여 상기 타단부와 접하고 있는 제1 위치와, 상기 블라인드공 내에서 상기 리프트핀의 타단부가 그 가장 낮은 위치에 있도록 상기 타단부와 접하지 않는 제2 위치 사이에서 작동 가능한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 플래튼의 상면에 노출되어 있는 상기 관통홀의 일단부를 더 포함하고,
    상기 고정 장치가 상기 제2 위치에 있도록 작동될 때 상기 리프트핀은 상기 관통홀의 일단부를 통하여 상기 리프트핀 베이스로부터 분리 가능한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 플래튼의 상면에 노출되어 있는 상기 관통홀의 일단부를 더 포함하고,
    상기 리프트핀과 상기 리프트핀 베이스를 결합시키기 위하여 상기 리프트핀이 상기 관통홀의 일단부를 통하여 상기 리프트핀 베이스의 블라인드공 내에 삽입 가능한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치.
  8. 로드락 챔버와, 복수의 프로세스 스테이션을 구비하는 프로세스 챔버와, 웨이퍼 이송 메카니즘을 갖춘 반도체 소자 제조 장치에 있어서,
    상기 프로세스 스테이션은 각각
    웨이퍼를 지지하기 위한 상면을 가지고, 복수의 관통홀이 형성되어 있는 플래튼(platen)과,
    상기 웨이퍼 이송 메카니즘의 작동에 따라 상기 플래튼의 상면에 있는 웨이퍼를 상기 상면으로부터 들어 올리거나 상기 상면에 내려 놓기 위하여 상기 관통홀을 통하여 상승 또는 하강 이동 가능한 복수의 리프트핀 조립체를 포함하고,
    상기 리프트핀 조립체는 상기 플래튼에 형성된 관통홀을 통하여 상승 또는 하강 이동 가능한 리프트핀과, 상기 리프트핀을 지지하기 위하여 상기 리프트핀과 분리 가능하게 결합되어 있는 리프트핀 베이스를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 리프트핀 베이스는 상기 플래튼의 상면과 반대측에서 상기 플래튼으로부터 소정 거리 이격되어 설치된 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치.
  10. 제8항에 있어서, 상기 리프트핀 베이스에는 상기 리프트핀을 수용할 수 있는 블라인드공이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 리프트핀은 상기 관통홀 내에 삽입되어 있는 일단부와, 상기 리프트핀 베이스의 블라인드공 내에 삽입되어 있는 타단부를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 블라인드공은 상기 리프트핀 베이스 내에서 소정의 길이를 가지고 연장되고,
    상기 리프트핀은 상기 블라인드공 내에 위치되는 상기 리프트핀의 타단부의 위치에 따라 그 높이가 결정되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치.
  13. 제11항에 있어서, 상기 리프트핀은 상기 블라인드공 내에 위치되는 상기 타단부의 위치에 따라 다양한 높이를 가지도록 상기 블라인드공의 길이 범위 내에서 상하 이동 가능한 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 리프트핀 베이스의 블라인드공 내에서 상기 리프트핀을 고정시키기 위한 높이 고정 장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 고정 장치는 상기 리프트핀 베이스와 나사 결합되는 스크류로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 고정 장치는 상기 리프트핀의 타단부가 상기 블라인드공 내의 소정 위치에 고정되도록 하기 위하여 상기 타단부와 접하고 있는 제1 위치와, 상기 블라인드공 내에서 상기 리프트핀의 타단부가 그 가장 낮은 위치에 있도록 상기 타단부와 접하지 않는 제2 위치 사이에서 작동 가능한 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 플래튼의 상면에 노출되어 있는 상기 관통홀의 일단부를 더 포함하고,
    상기 고정 장치가 상기 제2 위치에 있도록 작동될 때 상기 리프트핀은 상기 관통홀의 일단부를 통하여 상기 리프트핀 베이스로부터 분리 가능한 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치.
  18. 제16항에 있어서,
    상기 플래튼의 상면에 노출되어 있는 상기 관통홀의 일단부를 더 포함하고,
    상기 리프트핀과 상기 리프트핀 베이스를 결합시키기 위하여 상기 리프트핀이 상기 관통홀의 일단부를 통하여 상기 리프트핀 베이스의 블라인드공 내에 삽입 가능한 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치.
  19. 제8항에 있어서, 상기 프로세스 챔버는 CVD(chemical vapor deposition) 반응 챔버인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101395821B1 (ko) * 2006-11-29 2014-05-16 엘아이지에이디피 주식회사 기판 합착기
KR102201887B1 (ko) * 2019-07-02 2021-01-13 세메스 주식회사 기판 지지 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치
KR20210021685A (ko) * 2019-08-19 2021-03-02 주식회사 유진테크 기판 지지 조립체 및 기판 처리 장치

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