KR20030004740A - Liquid reagent delivery system and process method using the same - Google Patents

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KR20030004740A
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Abstract

PURPOSE: A liquid reagent delivery system and a process method are provided to stabilize the system by installing a bypass pump in a bypass pipe, and to increase the productivity by actuating the transporting system individually. CONSTITUTION: A liquid reagent delivery system is composed of a carburetor(32) evaporating liquid reagent; a gas supply pipe(30) connecting the carburetor to a reactor to supply gas to a process chamber(10); a gas supply valve regulating flow of gas; a bypass pipe(40) connected to the carburetor to discharge gas from the carburetor; a bypass pump(42) connected to the bypass pipe; and a bypass valve installed in the bypass pipe to regulate gas flow. The productivity is increased by actuating the delivery system individually with installing the bypass pump in the bypass pipe.

Description

액체원료 운반시스템 및 이를 이용한 공정진행방법{Liquid reagent delivery system and process method using the same}Liquid reagent delivery system and process method using the same

본 발명은 액체원료 운반시스템(Liquid reagent delivery system, LDS)에 관한 것으로서, 특히 안정화된 소스기체를 프로세스(process) 챔버에 공급할 수 있도록 하는 액체원료 운반시스템에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 상기의 액체원료 운반시스템을 이용하는 공정진행방법에 관한 것이기도 하다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a liquid reagent delivery system (LDS), and more particularly to a liquid raw material delivery system that enables supply of a stabilized source gas to a process chamber. The present invention also relates to a process progressing method using the liquid raw material delivery system.

CVD(chemical vapor deposition) 공정을 수행하기 위해서는 액체상태의 반응원료를 기화시키는 과정이 종종 필요하다. 특히, MOCVD(metal-organic chemical vapor deposition)법에 사용되는 대부분의 금속-유기물 원료(metal-organic source)는 상온에서 용액성 액체이기 때문에 이러한 기화과정이 특히 필요하다. 따라서, MOCVD 공정을 위해 용액성 액체원료를 기화시켜 이를 프로세스 챔버로 공급하는 액체원료 운반시스템에 관하여 많은 연구가 진행되고 있다.In order to perform a chemical vapor deposition (CVD) process, a process of vaporizing a liquid reaction raw material is often required. In particular, since most of the metal-organic source used in the metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) method is a liquid solution at room temperature, this vaporization process is particularly necessary. Therefore, much research is being conducted on a liquid raw material delivery system which vaporizes a liquid liquid raw material for a MOCVD process and supplies it to a process chamber.

도 1은 종래의 액체원료 운반시스템을 설명하기 위한 개략도이다.1 is a schematic view for explaining a conventional liquid raw material delivery system.

도 1을 참조하면, 액체원료 저장조(60)에는 액체원료가 저장된다. 가압기체공급관(70)을 통하여 가압용 기체, 예컨대 헬륨 기체를 액체원료 저장조(60)에 주입함으로써 액체원료 저장조(60)에 압력을 가하게 되면, 액체원료 저장조(60) 내의 액체원료가 기화기(32)로 공급되게 된다. 이 때, 기화기(32)로 공급되는 액체원료의 유량은 LMFC(liquid mass flow controller, 32)에 의해 제어된다.Referring to FIG. 1, a liquid raw material is stored in the liquid raw material storage tank 60. When pressure is applied to the liquid raw material storage tank 60 by injecting a pressurized gas, such as helium gas, through the pressurized gas supply pipe 70 into the liquid raw material storage tank 60, the liquid raw material in the liquid raw material storage tank 60 is vaporized. ) Will be supplied. At this time, the flow rate of the liquid raw material supplied to the vaporizer 32 is controlled by a liquid mass flow controller (LMFC) 32.

액체원료가 기화기(32)로 잘 공급되고 또한 기화가 원활히 이루어지도록 운반기체 공급관(50)을 통하여 아르곤(Ar)과 같은 운반기체(carrier gas)를기화기(32)에 같이 흘려보낸다. 따라서, 액체원료는 운반기체 흐름에 편승하여 기화기(32)에 더 잘 공급되게 된다. 운반기체의 공급유량은 MFC(mass flow controller, 52)에 의해 제어된다.Carrier gas, such as argon (Ar), is flowed to the vaporizer 32 through the carrier gas supply pipe 50 so that the liquid raw material is well supplied to the vaporizer 32 and the vaporization is performed smoothly. Thus, the liquid raw material is better supplied to the vaporizer 32 by piggybacking the carrier gas flow. The supply flow rate of the carrier gas is controlled by the mass flow controller 52 (MFC).

기화기(32)는 기체공급관(30)을 통하여 프로세스 챔버(10)와 연결되며, 기화기(32)에서의 액체원료의 기화에 의해 형성된 소스기체와 운반기체는 기체공급관(30)을 통하여 프로세스 챔버(10)로 공급된다. 기체공급관(30)에는 기체공급밸브(V1)가 설치되어 있으며, 소스기체 및 운반기체의 공급량은 기체공급밸브(V1)에 의해 제어된다.The vaporizer 32 is connected to the process chamber 10 through the gas supply pipe 30, the source gas and the carrier gas formed by the vaporization of the liquid raw material in the vaporizer 32 is the process chamber (30) through the gas supply pipe (30). 10). The gas supply pipe 30 is provided with a gas supply valve V1, and the supply amount of the source gas and the carrier gas is controlled by the gas supply valve V1.

프로세스 챔버(10) 내부에는 서셉터(14)가 설치되어 있으며 서셉터(14) 상에는 기판(12)이 안착되어 진다. 프로세스 챔버(10) 내에서는 소정의 반도체소자 제조공정이 진행된다. 반도체소자 제조공정이 진행되는 동안에 프로세스 챔버(10)는 적절한 압력으로 일정하게 유지되어야 하는데, 이는 챔버용 펌프(24)로 프로세스 챔버(10) 내의 기체를 일정한 속도로 배기함으로써 이루어진다. 챔버용 펌프(24)는 프로세스 챔버(10)에 연결되는 배기관(20)에 설치되며, 챔버용 펌프(24)에 의한 배기량은 드로틀 밸브(throttle valve, 22)에 의해 조절된다. 챔버용 펌프(24)에 의해 배기되는 기체는 스크러버(scrubber, 26)에 의해서 정화된다.The susceptor 14 is installed inside the process chamber 10, and the substrate 12 is seated on the susceptor 14. In the process chamber 10, a predetermined semiconductor device manufacturing process is performed. The process chamber 10 must be kept constant at an appropriate pressure during the semiconductor device manufacturing process, which is accomplished by evacuating the gas in the process chamber 10 at a constant speed with the chamber pump 24. The chamber pump 24 is installed in the exhaust pipe 20 connected to the process chamber 10, and the displacement of the chamber pump 24 is controlled by a throttle valve 22. The gas exhausted by the chamber pump 24 is purified by a scrubber 26.

기화초기부터 소스기체 및 운반기체를 프로세스 챔버(10)로 공급하게 되면, 기체의 흐름이 불안한 상태에서 반도체소자 제조공정이 진행되기 때문에, 이를 방지하기 위하여 안정화 단계를 수행하게 된다. 이러한 안정화 단계를 위해서 바이패스관(bypass line, 40)이 설치된다. 바이패스관(40)은 기체공급밸브(41)와기화기(32) 사이에 위치하는 기체공급관(30)과, 드로틀 밸브(22)와 챔버용 펌프(24) 사이에 위치하는 배기관(20)을 서로 연결하도록 설치된다. 바이패스관(40)을 통해 배출되는 기체의 유량은 바이패스관(40)에 설치된 바이패스 밸브(V2)에 의해 제어된다.When the source gas and the carrier gas are supplied to the process chamber 10 from the beginning of vaporization, the semiconductor device manufacturing process proceeds in an unstable gas flow, and thus, a stabilization step is performed to prevent this. Bypass line 40 is installed for this stabilization step. The bypass pipe 40 includes a gas supply pipe 30 positioned between the gas supply valve 41 and the vaporizer 32, and an exhaust pipe 20 positioned between the throttle valve 22 and the pump 24 for the chamber. Installed to connect with each other. The flow rate of the gas discharged through the bypass pipe 40 is controlled by the bypass valve V2 provided in the bypass pipe 40.

상술한 바와 같이, 기화초기에는 소스기체 및 운반기체를 바로 프로세스 챔버(10)로 공급하지 않고 일단 안정화 단계를 거치게 된다. 즉, 기화초기에는 기체공급밸브(V1)는 차단하고 바이패스 밸브(V2)는 개방하여 소스기체 및 운반기체를 일단 외부로 일정시간 배출하여 소스기체 흐름의 안정화를 꾀한다. 그리고, 기화가 어느 정도 진행되어 기체의 흐름이 안정화되면 그때서야 비로소 바이패스 밸브(V2)는 차단하고 기체공급밸브(V1)는 개방하여 프로세스 챔버(10)로 소스기체 및 운반기체를 공급하여 반도체소자 제조공정을 진행한다.As described above, in the initial stage of the vaporization, the source gas and the carrier gas are not supplied directly to the process chamber 10, but undergo a stabilization step. That is, at the beginning of vaporization, the gas supply valve V1 is blocked and the bypass valve V2 is opened to discharge the source gas and the carrier gas to the outside for a predetermined time, thereby stabilizing the source gas flow. When the gas flow is stabilized to stabilize the gas flow, the bypass valve V2 is shut off and the gas supply valve V1 is opened to supply the source gas and the carrier gas to the process chamber 10, thereby providing a semiconductor. Proceed with the device manufacturing process.

반도체소자 제조공정이 완료되면 프로세스 챔버(10)에서 기판(12)을 꺼내야 하는데, 이를 위해 프로세스 챔버(10)를 벤팅(venting)시켜 프로세스 챔버(10) 내의 압력을 대기압(atmosphere pressure) 상태로 만든다. 기판(12)을 꺼낼 때에는 프로세스 챔버(10)로의 소스기체 및 운반기체의 공급이 차단되어야 한다.When the semiconductor device manufacturing process is completed, the substrate 12 needs to be removed from the process chamber 10. To this end, the process chamber 10 is vented to bring the pressure in the process chamber 10 to an atmospheric pressure. . When removing the substrate 12, the supply of the source gas and the carrier gas to the process chamber 10 should be shut off.

상술한 종래의 액체원료 운반시스템에 의하면, 프로세스 챔버(10)의 배기 및 바이패스관(40)을 통한 안정화 단계가 챔버용 펌프(24)에 의해서 모두 이루어지므로, '기판 장입 →안정화 단계 →반도체소자 제조공정 →기판 배출' 의 단계를 반복함에 있어서, 이에 대응되는 '바이패스 밸브(42) 및 기체공급밸브(V1) 차단 →바이패스 밸브(42) 개방 →바이패스 밸브(42)의 차단 및 기체공급밸브(V1) 개방 →기체공급밸브(V1) 차단 ' 이라는 단계를 수행해야 한다.According to the conventional liquid raw material transport system described above, since the exhaust chamber of the process chamber 10 and the stabilization stage through the bypass pipe 40 are all performed by the chamber pump 24, the substrate loading → stabilization stage → semiconductor When repeating the steps of device manufacturing process → substrate discharge, the corresponding 'bypass valve 42 and gas supply valve (V1) are blocked → open bypass valve 42 → shut off bypass valve 42 and Open the gas supply valve (V1) → shut off the gas supply valve (V1).

즉, 액체원료 운반시스템에 흐르는 기체의 압력이 그대로 프로세스 챔버(10)의 압력에 영향을 미치고 또한 역으로 프로세스 챔버(10)의 상황이 액체원료 운반시스템의 기체흐름에도 영향을 미치게 되므로, 액체원료 운반시스템을 프로세스 챔버(10)의 상황과 연계시켜 동작시켜야 하고, 이로 인해 전체적인 공정시간이 지연된다는 문제가 발생한다.That is, the pressure of the gas flowing in the liquid raw material delivery system as it affects the pressure of the process chamber 10, and conversely, the situation of the process chamber 10 also affects the gas flow of the liquid raw material delivery system, The delivery system must be operated in conjunction with the situation of the process chamber 10, which causes a problem that the overall process time is delayed.

따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 프로세스 챔버의 상황과 독립하여 동작될 수 있도록 하는 액체원료 운반시스템을 제공하는 데 있다.Accordingly, the technical problem to be achieved by the present invention is to provide a liquid raw material delivery system that can be operated independently of the situation of the process chamber.

본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 상기 기술적 과제의 달성에 의해 제공되는 액체원료 운반시스템을 이용하여 종래보다 공정시간을 감소시키면서도 재현성 있게 공정을 진행할 수 있도록 하는 공정진행방법을 제공하는 데 있다.Another technical problem to be achieved by the present invention is to provide a process progressing method which allows the process to be carried out reproducibly while reducing the process time by using the liquid raw material delivery system provided by the achievement of the technical problem.

도 1은 종래의 액체원료 운반시스템을 설명하기 위한 개략도;1 is a schematic diagram for explaining a conventional liquid raw material delivery system;

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 액체원료 운반시스템을 설명하기 위한 개략도이다.2 is a schematic view for explaining a liquid raw material delivery system according to an embodiment of the present invention.

< 도면의 주요 부분에 대한 참조번호의 설명 ><Description of Reference Numbers for Main Parts of Drawings>

10: 프로세스 챔버 12: 기판10: process chamber 12: substrate

14: 서셉터 22: 드로틀 밸브14: susceptor 22: throttle valve

24: 챔버용 펌프 26: 스크러버(scrubber)24: pump for chamber 26: scrubber

30: 기체공급관 32: 기화기30: gas supply pipe 32: vaporizer

34: LMFC 40: 바이패스관34: LMFC 40: bypass tube

50: 운반기체 공급관 52: MFC50: carrier gas supply pipe 52: MFC

60: 액체원료 저장조 70: 가압기체 공급관60: liquid raw material storage tank 70: pressurized gas supply pipe

V1: 기체공급밸브 V2: 바이패스용 밸브V1: Gas Supply Valve V2: Bypass Valve

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 액체원료 운반시스템은, 액체원료를 공급받아 기화시킨 후에 이를, 챔버용 펌프에 의해 배기되는 프로세스 챔버에 공급하며; 액체원료를 기화시키는 기화기; 상기 기화기에서 기화되어 형성된 소스기체가 상기 프로세스 챔버에 공급되도록 상기 기화기와 상기 반응기를 연결하는 기체공급관; 상기 기체공급관에 흐르는 소스기체의 유량을 조절하기 위하여상기 기체공급관에 설치되는 기체공급밸브; 상기 기화기에서 형성된 소스기체를 외부로 배출시키기 위하여 상기 기화기에 연결되어 설치되는 바이패스관; 상기 바이패스관에 연결되어 설치되는 바이패스용 펌프; 및 상기 바이패스관에 흐르는 소스기체의 유량을 조절하기 위하여 상기 바이패스관에 설치되는 바이패스 밸브를 구비하는 것을 특징으로 한다.The liquid raw material conveying system according to the present invention for achieving the above technical problem, after receiving the liquid raw material is vaporized, and supplies it to the process chamber exhausted by the chamber pump; Vaporizers for vaporizing liquid raw materials; A gas supply pipe connecting the vaporizer and the reactor such that a source gas formed by vaporization in the vaporizer is supplied to the process chamber; A gas supply valve installed in the gas supply pipe to control a flow rate of the source gas flowing through the gas supply pipe; A bypass pipe connected to the vaporizer to discharge the source gas formed in the vaporizer to the outside; A bypass pump connected to the bypass pipe and installed; And a bypass valve installed in the bypass pipe to adjust a flow rate of the source gas flowing through the bypass pipe.

상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 공정진행방법은, 상기 기체공급밸브는 차단하고 상기 바이패스 밸브는 개방하여, 상기 바이패스용 펌프로 상기 기화기에서 형성된 소스기체를 외부로 배출하면서, 상기 프로세스 챔버에 기판을 장입하는 단계; 상기 바이패스 밸브를 차단하고 상기 기체공급밸브를 개방하여, 상기 프로세스 챔버로 소스기체를 공급하여 소정의 공정을 진행하는 단계; 및 상기 기체공급밸브를 차단하고 상기 바이패스 밸브를 개방한 후에, 상기 프로세스 챔버를 대기압 상태로 만들어 기판을 상기 프로세스 챔버 외부로 반출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.Process progress method according to the present invention for achieving the above another technical problem, the gas supply valve is blocked and the bypass valve is opened, while discharging the source gas formed in the vaporizer to the bypass pump to the outside, Charging a substrate into the process chamber; Shutting off the bypass valve and opening the gas supply valve to supply a source gas to the process chamber to perform a predetermined process; And shutting off the gas supply valve and opening the bypass valve, bringing the process chamber into an atmospheric pressure and transporting a substrate to the outside of the process chamber.

이하에서, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면들을 참조하여 상세히 설명한다. 도면에 있어서, 도 1과 동일한 참조번호는 동일 기능을 수행하는 구성요소를 나타내며 반복적인 설명은 생략한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, preferred embodiments of the present invention will be described in detail. In the drawings, the same reference numerals as in FIG. 1 denote components that perform the same function, and a repetitive description thereof will be omitted.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 액체원료 운반시스템을 설명하기 위한 개략도이다.2 is a schematic view for explaining a liquid raw material delivery system according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 종래와 달리 바이패스관(40)에는 별도의 독립적인 바이패스용 펌프(42)가 더 설치되어, 바이패스관(40)을 통한 기체의 배기가 챔버용 펌프(24)가 아닌 독립적인 바이패스용 펌프(42)에 의해 이루어진다. 바이패스용 펌프(42)에 의해 배출되는 기체의 유량은 바이패스관(40)에 설치된 바이패스 밸브(V2)에 의해 제어된다. 바이패스용 펌프(42)에 의해 배기되는 기체는 스크러버(scrubber, 26)에 의해서 정화된다Referring to FIG. 2, unlike the conventional method, an additional independent bypass pump 42 is further installed in the bypass pipe 40 so that the exhaust of the gas through the bypass pipe 40 is the chamber pump 24. By means of an independent bypass pump 42. The flow rate of the gas discharged by the bypass pump 42 is controlled by the bypass valve V2 provided in the bypass pipe 40. The gas exhausted by the bypass pump 42 is purified by a scrubber 26.

도 2의 액체원료 운반시스템을 이용하는 공정진행방법을 설명하면 다음과 같다.Referring to the process progress method using the liquid raw material transport system of Figure 2 as follows.

'기판 장입 →안정화 단계 →반도체소자 제조공정 →기판 배출' 의 단계를 반복해야 하는 것은 종래의 경우와 동일하다. 그러나, 바이패스관(40)에 독립적으로 바이패스용 펌프(42)가 설치되어 있으므로 액체원료 운반시스템을 프로세스 챔버(10)의 상황에 연계시키지 않고 독립적으로 동작시킬 수 있다.It is the same as in the conventional case that the steps of 'Loading the substrate → Stabilization step → Semiconductor device manufacturing process → Substrate discharge' must be repeated. However, since the bypass pump 42 is installed in the bypass pipe 40 independently, the liquid raw material delivery system can be operated independently without being linked to the situation of the process chamber 10.

즉, '기체공급밸브(41) 차단 및 바이패스 밸브(42) 개방 →기체공급밸브(41) 차단 및 바이패스 밸브(42) 개방 상태 유지 →바이패스 밸브(42) 차단 및 기체공급밸브(41) 개방 →기체공급밸브(41) 차단 및 바이패스 밸브(42) 개방' 이라는 단계를 수행할 수 있게 된다.That is, the gas supply valve 41 is blocked and the bypass valve 42 is open.The gas supply valve 41 is blocked and the bypass valve 42 is kept open.The bypass valve 42 is blocked and the gas supply valve 41 is opened. Opening → shut off the gas supply valve 41 and open the bypass valve 42.

이와 같이, 본 발명의 경우에는 액체원료 운반시스템에 흐르는 기체의 압력이 프로세스 챔버(10)의 압력에 영향을 미치지 않고, 또한 역으로 프로세스 챔버(10)의 상태가 액체원료 운반시스템의 기체흐름에도 영향을 미치지 않게 할 수 있으므로, 액체원료 운반시스템을 프로세스 챔버(10) 상황과는 독립적으로 동작시킬 수 있게 된다.As described above, in the case of the present invention, the pressure of the gas flowing in the liquid raw material conveying system does not affect the pressure of the process chamber 10, and conversely, the state of the process chamber 10 does not affect the gas flow of the liquid raw material conveying system. It is possible to operate the liquid material delivery system independently of the process chamber 10 situation since it can be prevented from affecting.

또한, 종래의 경우는 안정화 단계에서만 바이패스관(40)을 통한 배기가 이루어지는 반면, 본 발명의 경우는 프로세스 챔버(10)에서 반도체소자 제조공정이 진행되는 경우를 제외한 모든 경우가 이러한 상태로 유지되도록 할 수 있다. 즉, 항상 소스기체 흐름의 안정화가 이루어져 있는 상태로 스탠바이(stand-by)되어 있게 할 수 있기 때문에, 공정진행 시간이 매우 짧아지게 되어 생산수율(throughput)이 좋아질 뿐만 아니라 공정 재현성도 향상되게 된다.In addition, in the conventional case, exhaust through the bypass tube 40 is performed only in the stabilization stage, whereas in the present invention, all cases except the case where the semiconductor device manufacturing process is performed in the process chamber 10 remain in this state. You can do that. That is, since the source gas flow can be always in a stand-by state where the stabilization of the source gas flow is made, the process progress time is very short, and the throughput is improved and the process reproducibility is also improved.

상술한 바와 같은 본 발명에 따른 액체원료 운반시스템 및 이를 이용한 공정진행방법에 의하면, 안정화 단계를 수행하기 위해 설치된 바이패스관(40)에 독립적인 바이패스용 펌프(42)를 더 설치하여, 프로세스 챔버(10) 상황과 독립하여 액체원료 운반시스템을 동작시킬 수 있도록 함으로써, 매엽식(single wafer type) 장비의 취약점인 생산성 및 재현성 문제를 해결할 수 있게 된다.According to the liquid raw material delivery system and the process progress method using the same according to the present invention as described above, by installing an independent bypass pump 42 in the bypass pipe 40 installed to perform the stabilization step, the process By allowing the liquid raw material delivery system to operate independently of the chamber 10 situation, it is possible to solve the problem of productivity and reproducibility, which is a weak point of the single wafer type equipment.

본 발명은 상기 실시예에만 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 많은 변형이 가능함은 명백하다.The present invention is not limited to the above embodiments, and it is apparent that many modifications are possible by those skilled in the art within the technical spirit of the present invention.

Claims (2)

액체원료를 공급받아 기화시킨 후에 이를, 챔버용 펌프에 의해 배기되는 프로세스 챔버에 공급하는 액체원료 운반시스템에 있어서,In a liquid raw material delivery system for supplying a liquid raw material and vaporizing it, and then supplying it to a process chamber exhausted by a chamber pump, 액체원료를 기화시키는 기화기;Vaporizers for vaporizing liquid raw materials; 상기 기화기에서 기화되어 형성된 소스기체가 상기 프로세스 챔버에 공급되도록 상기 기화기와 상기 반응기를 연결하는 기체공급관;A gas supply pipe connecting the vaporizer and the reactor such that a source gas formed by vaporization in the vaporizer is supplied to the process chamber; 상기 기체공급관에 흐르는 소스기체의 유량을 조절하기 위하여 상기 기체공급관에 설치되는 기체공급밸브;A gas supply valve installed in the gas supply pipe to control a flow rate of the source gas flowing through the gas supply pipe; 상기 기화기에서 형성된 소스기체를 외부로 배출시키기 위하여 상기 기화기에 연결되어 설치되는 바이패스관;A bypass pipe connected to the vaporizer to discharge the source gas formed in the vaporizer to the outside; 상기 바이패스관에 연결되어 설치되는 바이패스용 펌프; 및A bypass pump connected to the bypass pipe and installed; And 상기 바이패스관에 흐르는 소스기체의 유량을 조절하기 위하여 상기 바이패스관에 설치되는 바이패스 밸브를 구비하는 것을 특징으로 하는 액체원료 운반시스템.And a bypass valve installed in the bypass pipe to adjust a flow rate of the source gas flowing through the bypass pipe. 제1항의 액체원료 운반시스템을 이용하는 공정진행방법에 있어서,In the process progress method using the liquid raw material transport system of claim 1, 상기 기체공급밸브는 차단하고 상기 바이패스 밸브는 개방하여, 상기 바이패스용 펌프로 상기 기화기에서 형성된 소스기체를 외부로 배출하면서, 상기 프로세스 챔버에 기판을 장입하는 단계;Closing the gas supply valve and opening the bypass valve, charging the substrate to the process chamber while discharging the source gas formed in the vaporizer to the outside by the bypass pump; 상기 바이패스 밸브를 차단하고 상기 기체공급밸브를 개방하여, 상기 프로세스 챔버로 소스기체를 공급하여 소정의 공정을 진행하는 단계; 및Shutting off the bypass valve and opening the gas supply valve to supply a source gas to the process chamber to perform a predetermined process; And 상기 기체공급밸브를 차단하고 상기 바이패스 밸브를 개방한 후에, 상기 프로세스 챔버를 대기압 상태로 만들어 기판을 상기 프로세스 챔버 외부로 반출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 공정진행방법.After shutting off the gas supply valve and opening the bypass valve, bringing the process chamber into an atmospheric pressure and removing the substrate to the outside of the process chamber.
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