KR200251183Y1 - Ultra-Thin Stack Package Device and Ultra-Thin Memory Card Employing Such Package Device - Google Patents

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KR200251183Y1
KR200251183Y1 KR2020010021412U KR20010021412U KR200251183Y1 KR 200251183 Y1 KR200251183 Y1 KR 200251183Y1 KR 2020010021412 U KR2020010021412 U KR 2020010021412U KR 20010021412 U KR20010021412 U KR 20010021412U KR 200251183 Y1 KR200251183 Y1 KR 200251183Y1
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최완균
정도수
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주식회사 바른전자
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Abstract

본 고안은 메모리 용량이 증가하면서도 두께가 매우 얇은 초박형 적층 패키지 소자와 이를 포함하는 메모리 카드를 개시한다. 적층 패키지 소자는 실장될 복수의 개별 패키지 소자보다 크기가 더 큰 관통 개방부가 형성되어 있고 상부면과 하부면을 갖는 기판과, 상기 기판의 개방부에 수용되는 패키지 몸체와 이 패키지 몸체로부터 돌출되어 상기 기판의 상부면에 접속되는 복수의 리드를 갖는 상부 개별 패키지 소자와, 상기 기판의 개방부에 수용되는 패키지 몸체와 이 패키지 몸체로부터 돌출되어 상기 기판의 하부면에 접속되는 복수의 리드를 갖는 하부 개별 패키지 소자를 포함한다. 상하부 개별 패키지 소자는 단일 칩 패키지이거나 이중 칩 패키지이며, 복수개 적층될 수 있고, 개별 패키지 소자의 리드는 패키지 몸체로부터 일직선으로 돌출되어 뻗어 있거나 기판의 상하부면을 향해 굴곡된 구조로 되어 기판의 상하부면에 직접 접속되거나 또는 바로 밑에 적층된 개별 소자의 리드에 접속될 수 있다. 이러한 적층 패키지 소자를 포함하는 메모리 카드에서, 카드 기판은 배선 패턴과 전기적으로 연결된 복수의 비아 구멍를 포함하고, 상하부 개별 메모리 소자는 각각 칩 선택 리드를 포함하며, 이 칩 선택 리드를 제외한 리드쌍 각각은 상기 비아 구멍을 통해 상하부 개별 메모리 소자에 대해 공통 접속되어 있다.The present invention discloses an ultra-thin stacked package device having an increased memory capacity and a very thin thickness, and a memory card including the same. The laminated package element includes a substrate having a through opening having a larger size than a plurality of individual package elements to be mounted and having a top surface and a bottom surface, a package body accommodated in the opening of the substrate, and protruding from the package body. An upper individual package element having a plurality of leads connected to an upper surface of a substrate, a lower individual having a package body accommodated in an opening of the substrate and a plurality of leads protruding from the package body and connected to a lower surface of the substrate It includes a package element. The upper and lower individual package elements may be a single chip package or a dual chip package, and may be stacked in plural. The leads of the individual package elements may extend in a straight line from the package body, or may be curved toward the upper and lower surfaces of the substrate. It may be directly connected to or connected to the leads of the individual elements stacked directly below. In a memory card including such a stacked package element, the card substrate includes a plurality of via holes electrically connected to the wiring pattern, and upper and lower individual memory elements each include a chip select lead, and each of the lead pairs except the chip select lead is The via holes are commonly connected to upper and lower individual memory elements.

Description

초박형 적층 패키지 소자 및 이를 포함하는 초박형 메모리 카드{Ultra-Thin Stack Package Device and Ultra-Thin Memory Card Employing Such Package Device}Ultra-Thin Stack Package Device and Ultra-Thin Memory Card Employing Such Package Device

본 고안은 두께가 매우 얇은 초박형 적층 패키지 소자 및 이를 포함하는 메모리 카드에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 개별 패키지의 몸체가 수용될 수 있는 관통 개방부를 갖는 기판을 사용한 초박형 적층 패키지 소자 및 이를 포함하는 메모리 카드에 관한 것이다.The present invention relates to an ultra-thin laminated package device having a very thin thickness and a memory card including the same, and more particularly, to an ultra-thin laminated package device using a substrate having a through opening through which the body of an individual package can be accommodated. Relates to a memory card.

디지털 통신 기기나 영상 데이터, 음악 데이터를 처리하는 전자기기가 널리보급되면서, 디지털 데이터를 저장하는 메모리 카드가 다양한 형태로 제공되고 있다. 메모리 카드는 주로 플래시(flash) 메모리를 이용한 카드 형태로 구현되는데, 현재 일본 도시바(Toshiba)사를 주축으로 한 스마트미디어(SmartMedia), 일본 소니(Sony)사의 메모리스틱(MemoryStick), 미국 샌디스크(Sandisk)사의 컴팩플래시(CompactFlash), 미국 샌디스크사와 독일 지멘스(Gimens)사가 공동 개발한 멀티미디어 카드(MultiMedia Card), 보안 디지털 카드(Secure Digital Card) 등이 표준화되어 있다. 이러한 메모리 카드는 디지털 카메라나 엠피3 플레이어(MP3 player), HPC (Handheld Personal Computer), PDA (Personal Digital Assistants), 휴대폰 등과 같은 다양한 휴대용 전자 기기에 사용하는 기록 매체로서, 디지털 데이터 기억 장치의 일종인데, 그 응용 분야가 점점 더 확대되고 있다. 최근에는 가정용 디지털 기기 사이에서 디지털 데이터를 이동하고 저장하는 것이 쉬어져 가전제품의 디지털화와 네트워크화를 더욱 가속화하고 있다.As digital communication devices, electronic devices for processing image data, and music data are widely used, memory cards for storing digital data have been provided in various forms. The memory card is mainly implemented in the form of a card using flash memory, currently SmartMedia (Toshiba, Japan), Memory Stick (Sony), Sony (Japan), SanDisk (USA) SanDisk's CompactFlash, MultiMedia Card and Secure Digital Card, developed jointly by SanDisk and Siemens, are standardized. These memory cards are recording media used in various portable electronic devices such as digital cameras, MP3 players, handheld personal computers (HPC), personal digital assistants (PDAs), mobile phones, etc. Increasingly, their applications are expanding. In recent years, moving and storing digital data between home digital devices has become easier, further accelerating the digitization and networking of consumer electronics.

이러한 메모리 카드에 사용되는 반도체 소자는 특히 그 두께가 얇아야함과 동시에 데이터 저장 용량이 커야 한다. 이를 위해 도 1과 도 2에 도시한 것처럼 적층 패키지 소자로 된 메모리를 사용하는 것이 일반적이다.The semiconductor device used in such a memory card must have a particularly thin thickness and a large data storage capacity. To this end, it is common to use a memory having a stacked package element as shown in Figs.

도 1은 종래 DDP (Dual Die Package) 기술을 사용한 적층 패키지 소자(10)의 구조를 나타내는 단면도이다. 도 1의 적층 패키지 소자(10)는 칩 실장 밀도를 높이기 위해 리드 프레임의 양면에 반도체 칩을 실장한 것이다. 도 1을 참조하면, 종래의 전형적인 반도체 패키지(10)는 다이 패드(13)와 다수의 리드(14)들로 구성된 리드 프레임(15)을 구비한다. 반도체 집적회로 칩(11)은 접착제(12)에 의하여 다이패드(13)에 물리적으로 접합되며, 본딩 와이어(16)에 의하여 리드(14)에 전기적으로 연결된다. 반도체 칩(11)과 본딩 와이어(16) 등은 에폭시와 같은 성형수지로 형성되는 패키지 성형체(17) 속에 밀봉되어 외부로부터 보호된다. 각 리드(14)의 바깥쪽, 즉 패키지 성형체(17) 외부로 돌출된 외부 리드는 기판(18, 예컨대, 메모리 카드 기판)에 실장하기에 적합한 형태로 가공된다.1 is a cross-sectional view illustrating a structure of a multilayer package device 10 using a conventional dual die package (DDP) technique. In the multilayer package device 10 of FIG. 1, semiconductor chips are mounted on both surfaces of a lead frame in order to increase chip mounting density. Referring to FIG. 1, a conventional semiconductor package 10 of the related art has a lead frame 15 composed of a die pad 13 and a plurality of leads 14. The semiconductor integrated circuit chip 11 is physically bonded to the die pad 13 by an adhesive 12, and is electrically connected to the lead 14 by a bonding wire 16. The semiconductor chip 11 and the bonding wire 16 and the like are sealed in a package molded body 17 formed of a molding resin such as epoxy and protected from the outside. Outer leads protruding outward from each lead 14, i.e., outside the package molded body 17, are processed into a form suitable for mounting on a substrate 18 (e.g., a memory card substrate).

도 2는 종래 칩-온-칩(chip-on-chip) 기술을 적용한 적층 패키지 소자(20)의 구조를 나타내는 단면도이다. 기판(28)에 하부 반도체 칩(21)을 접착제(23)로 부착하고 하부 반도체 칩(21) 위에 상부 반도체 칩(23)을 접착제(24)를 통해 부착한다. 상하부 반도체 칩(21, 23)은 본딩 와이어(25)를 통해 기판과 전기적으로 연결되며, 칩(21, 23)과 본딩 와이어(25)는 패키지 몸체(27)에 의해 보호된다.2 is a cross-sectional view illustrating a structure of a multilayer package device 20 to which a conventional chip-on-chip technology is applied. The lower semiconductor chip 21 is attached to the substrate 28 with the adhesive 23, and the upper semiconductor chip 23 is attached onto the lower semiconductor chip 21 through the adhesive 24. The upper and lower semiconductor chips 21 and 23 are electrically connected to the substrate through the bonding wire 25, and the chips 21 and 23 and the bonding wire 25 are protected by the package body 27.

이상과 같은 구조를 가지는 종래의 적층 패키지 소자(10, 20)는 기판 위에 칩이 실장되는 구조이기 때문에 전체 두께를 줄이는 데에 한계가 있거나, 상하부 반도체 칩의 크기를 서로 다르게 하여야 한다. 적층 패키지 소자의 두께를 줄이기 위해서 반도체 칩 자체의 두께를 줄이거나 리드 프레임을 얇게 하는 방법이 있다. 반도체 칩은 웨이퍼를 예컨대, 후면 연마(wafer back-lapping)하여 그 두께를 100~150 ㎛ 범위까지 줄일 수 있지만, 칩의 두께를 줄이는 것은 웨이퍼 취급을 어렵게 만들고, 웨이퍼 파손이나 칩 파손 가능성이 커진다는 단점이 있다. 한편, 리드 프레임의 두께를 지나치게 얇게 하면, 조립 공정 도중에 리드 프레임이 쉽게 파손되어 조립 공정의 생산성이 떨어질 수 있다. 현재, 리드 프레임의 두께는 리드 프레임의 취급 가능성, 외부 리드의 절곡성(formability) 등을 고려할 때, 100㎛가그 한계인 것으로 알려져 있다. 또한, 패키지 소자의 두께를 줄이기 위해 새로운 조립 기술 예컨대, CSP(chip scale package) 기술을 사용할 수도 있지만, 이것은 이미 사용하고 있는 플라스틱 패키지 조립 장비들을 교체해야 하는 등의 비용 증가를 수반한다.The conventional multilayer package device 10 and 20 having the above structure has a limitation in reducing the overall thickness because the chip is mounted on the substrate, or the size of the upper and lower semiconductor chips must be different. In order to reduce the thickness of the multilayer package device, there is a method of reducing the thickness of the semiconductor chip itself or thinning the lead frame. While semiconductor chips can reduce wafer thickness, for example, by back-lapping wafers to a range of 100-150 μm, reducing the thickness of the chip makes wafer handling difficult and increases the likelihood of wafer breakage or chip breakage. There are disadvantages. On the other hand, if the thickness of the lead frame is too thin, the lead frame may be easily broken during the assembly process, and the productivity of the assembly process may be reduced. At present, it is known that the thickness of the lead frame is 100 占 퐉 in consideration of the handleability of the lead frame, the formability of the external lead, and the like. It is also possible to use new assembly techniques, such as chip scale package (CSP) techniques, to reduce the thickness of the package elements, but this entails an increase in costs such as the need to replace plastic package assembly equipment already in use.

따라서, 본 고안의 목적은 칩이나 리드 프레임에 특별한 가공을 하지 않고 플라스틱 조립 기술을 그대로 적용하면서도 적층 패키지 소자의 두께를 획기적으로 줄이는 것이다.Therefore, the object of the present invention is to significantly reduce the thickness of the laminated package device while applying the plastic assembly technology as it is without special processing on the chip or lead frame.

본 고안의 다른 목적은 메모리의 용량을 충분히 확보하면서도 두께가 매우 얇은 메모리 카드를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a memory card having a very thin thickness while ensuring sufficient memory capacity.

도 1은 종래 DDP (Dual Die Package) 기술을 사용한 적층 패키지 소자의 구조를 나타내는 단면도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a cross-sectional view showing a structure of a laminated package device using a conventional dual die package (DDP) technique.

도 2는 종래 칩-온-칩(chip-on-chip) 기술을 적용한 적층 패키지 소자의 구조를 나타내는 단면도.2 is a cross-sectional view illustrating a structure of a multilayer package device to which a conventional chip-on-chip technology is applied.

도 3은 본 고안에 따른 적층 패키지 소자의 구조를 나타내는 단면도.3 is a cross-sectional view showing the structure of a laminated package device according to the present invention.

도 4는 본 고안에 따른 적층 패키지 소자가 적용된 메모리 카드의 일례를 나타내는 평면도.4 is a plan view illustrating an example of a memory card to which a multilayer package device according to the present invention is applied.

도 5는 도 4의 선 Ⅴ-Ⅴ를 따라 절단한 단면도.FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line VV of FIG. 4. FIG.

도 6은 본 고안의 다른 구현예에 따른 적층 패키지 소자의 구조를 보여주는 단면도.6 is a cross-sectional view showing a structure of a multilayer package device according to another embodiment of the present invention.

도 7은 본 고안의 또 다른 구현예에 따른 적층 패키지 소자의 구조를 나타내는 단면도.7 is a cross-sectional view showing the structure of a multilayer package device according to another embodiment of the present invention.

도 8은 본 고안의 또 다른 구현예에 따른 적층 패키지 소자의 구조를 나타내는 단면도.8 is a cross-sectional view showing the structure of a multilayer package device according to another embodiment of the present invention.

도 9는 본 고안의 또 다른 구현예에 따른 적층 패키지 소자의 구조를 나타내는 단면도.9 is a cross-sectional view showing the structure of a multilayer package device according to another embodiment of the present invention.

도 10은 본 고안에 따른 적층 패키지 소자가 적용된 메모리 카드의 다른 구현예를 나타내는 평면도.10 is a plan view showing another embodiment of a memory card to which the stacked package device according to the present invention is applied.

도 11은 도 10의 선 XI-XI를 따라 절단한 단면도.FIG. 11 is a cross-sectional view taken along the line XI-XI of FIG. 10.

<도면의 주요 부호에 대한 설명><Description of Major Symbols in Drawing>

30: 적층 패키지 31: 기판30: laminated package 31: substrate

32, 34: 상하부 패키지 33, 35: 리드32, 34: upper and lower package 33, 35: lead

37: 솔더 접합부 38: 기판 개방부37: solder joint 38: substrate opening

40: 메모리 카드 42: 외부 접속 단자40: memory card 42: external connection terminal

44: 제어소자(controller) 46: 부품44: controller 46: component

48: 스위치48: switch

본 고안에 따른 적층 패키지 소자는 실장될 복수의 개별 패키지 소자보다 크기가 더 큰 관통 개방부가 형성되어 있고 상부면과 하부면을 갖는 기판과, 상기 기판의 개방부에 수용되는 패키지 몸체와 이 패키지 몸체로부터 돌출되어 상기 기판의 상부면에 접속되는 복수의 리드를 갖는 상부 개별 패키지 소자와, 상기 기판의 개방부에 수용되는 패키지 몸체와 이 패키지 몸체로부터 돌출되어 상기 기판의 하부면에 접속되는 복수의 리드를 갖는 하부 개별 패키지 소자를 포함한다. 개별 패키지 소자는 단일 칩 패키지이거나 이중 칩 패키지이다. 상하부 개별 패키지 소자는 복수개 적층될 수 있으며 개별 패키지 소자의 리드는 패키지 몸체로부터 일직선으로 돌출되어 뻗어 있거나 기판의 상하부면을 향해 굴곡된 구조로 되어 기판의 상하부면에 직접 접속되거나 또는 바로 밑에 적층된 개별 소자의 리드에 접속될 수 있다. 개별 패키지 소자는 패키지 상부면에 가깝게 배치된 반도체 칩 활성면이 서로 동일한 방향에 배치되도록 적층된다.The laminated package device according to the present invention is a substrate having a through opening having a larger size than a plurality of individual package elements to be mounted and having an upper surface and a lower surface, a package body accommodated in the opening of the substrate, and the package body. An upper individual package element having a plurality of leads protruding from and connected to an upper surface of the substrate, a package body accommodated in an opening of the substrate and a plurality of leads protruding from the package body and connected to a lower surface of the substrate It includes a lower individual package element having a. Individual package elements are single chip packages or dual chip packages. The upper and lower individual package elements may be stacked in plurality, and the leads of the individual package elements may extend in a straight line from the package body or may be bent toward the upper and lower surfaces of the substrate, and may be directly connected to or directly stacked on the upper and lower surfaces of the substrate. It can be connected to the lead of the device. Individual package elements are stacked such that semiconductor chip active surfaces disposed close to the package top surface are disposed in the same direction.

본 고안에 따른 메모리 카드는, 배선 패턴이 형성된 상부면과 하부면을 가지고 관통 개방부를 갖는 카드 기판과, 상기 카드 기판의 관통 개방부에 수용되는 패키지 몸체와 이 패키지 몸체로부터 돌출되어 상기 기판의 상부면에 접속되는 복수의 리드를 갖는 상부 개별 메모리 소자와, 상기 카드 기판의 개방부에 수용되는 패키지 몸체와 이 패키지 몸체로부터 돌출되어 상기 기판의 하부면에 접속되는 복수의 리드를 갖는 하부 개별 메모리 소자와, 상기 상하부 개별 메모리 소자의 동작과 메모리 카드의 동작을 제어하는 제어 소자를 포함한다. 여기서, 카드 기판은 상기 배선 패턴과 전기적으로 연결된 복수의 비아 구멍를 포함하고, 상기 상하부 개별 메모리 소자는 각각 칩 선택 리드를 포함하고, 이 칩 선택 리드를 제외한 리드쌍 각각은 상기 비아 구멍을 통해 상하부 개별 메모리 소자에 대해 공통 접속되어 있다.A memory card according to the present invention includes a card substrate having a top surface and a bottom surface having a wiring pattern formed therethrough, a package body accommodated in the through opening portion of the card substrate, and a protruding portion from the package body and an upper portion of the substrate. An upper individual memory element having a plurality of leads connected to a surface thereof, a lower body individual memory element having a package body accommodated in an opening of the card substrate and a plurality of leads protruding from the package body and connected to a lower surface of the substrate; And a control element for controlling the operation of the upper and lower individual memory elements and the operation of the memory card. The card substrate may include a plurality of via holes electrically connected to the wiring pattern, and each of the upper and lower individual memory elements may include chip select leads, and each of the pairs of leads except for the chip select leads may be separated from each other through the via holes. Common connections are made to the memory elements.

이하, 도면을 참조로 본 고안의 구현예에 대해 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

도 3은 본 고안의 일구현예에 따른 적층 패키지 소자의 구조를 나타내는 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing the structure of a multilayer package device according to an embodiment of the present invention.

도 3의 적층 패키지 소자(30)는 기판(31)과 상부 개별 패키지 소자(32), 하부 개별 패키지 소자(34)를 포함한다. 기판(31)은 인쇄 회로 기판(PCB)으로서, 예컨대, FR-4(Fireretardant epoxy resin/glass cloth laminate)와 같은 에폭시-글래스 기판이다. 기판(31)은 회로 배선 패턴(도시하지 않음)이 형성된 상부면과 하부면을 가진다. 여기서, 상부와 하부는 도면에 도시한 기판의 위쪽 표면과 아래쪽 표면을 말하며, 개별 소자의 패키지 몸체에 포함된 반도체 칩의 활성면(active surface, 온-칩 회로가 형성되어 있는 면)이 배치된 방향이 상부 방향이다. 만약, 개별 패키지 소자에 2개의 반도체 칩이 포함된다면, 2개의 반도체 칩 중 패키지 몸체 상부면에 가깝게 배치된 상부 반도체 칩의 활성면 쪽이 상부임을 의미한다. 기판(31)의 내부층에 배선 패턴이 존재하도록 다층으로 구성하는 것도 가능하다.The stacked package device 30 of FIG. 3 includes a substrate 31, an upper individual package element 32, and a lower individual package element 34. The substrate 31 is a printed circuit board (PCB), for example, an epoxy-glass substrate such as Fireretardant epoxy resin / glass cloth laminate (FR-4). The substrate 31 has an upper surface and a lower surface on which circuit wiring patterns (not shown) are formed. Here, the upper and lower portions refer to the upper and lower surfaces of the substrate shown in the drawings, wherein the active surface (the surface on which the on-chip circuit is formed) of the semiconductor chip included in the package body of the individual elements is disposed. Direction is the upper direction. If two semiconductor chips are included in the individual package device, it means that the active surface side of the upper semiconductor chip disposed closer to the upper surface of the package body among the two semiconductor chips is the upper portion. It is also possible to comprise a multilayer so that a wiring pattern exists in the inner layer of the board | substrate 31. FIG.

기판(31)에는 개별 패키지 소자(32, 34)가 실장되는데, 실장될 개별 패키지 소자보다 크기가 더 큰 (예컨대, 패키지 몸체보다 0.5㎜ 더 큰) 개방부(38)가 기판(31)에 형성되어 있다. 개방부(38)는 기판(31)을 완전히 관통한다.Individual package elements 32, 34 are mounted on the substrate 31, with openings 38 formed in the substrate 31 that are larger in size (eg, 0.5 mm larger than the package body) than the individual package elements to be mounted. It is. The opening 38 penetrates completely through the substrate 31.

개별 패키지 소자들(32, 34)은 패키지 몸체와 이 몸체로부터 돌출된 복수의 리드(33, 35)를 포함한다. 패키지 몸체에는 반도체 칩 예컨대, 메모리 칩이 밀봉되어 있고 이 메모리 칩은 리드와 전기적으로 연결되어 있다. 패키지 몸체에는 하나의 반도체 칩이 포함될 수도 있고, 2개 또는 그 이상의 반도체 칩이 포함될 수도 있다. 하나의 반도체 칩이 포함된 개별 패키지 소자를 단일 칩 패키지 소자라 하고, 2개의 반도체 칩이 포함된 소자를 이중 칩 패키지 소자라고 한다. 개별 패키지 소자의 칩 구조와 리드와의 연결 구조에 대한 것은 본 고안이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 쉽게 알 수 있으므로 자세한 설명을 생략한다.The individual package elements 32, 34 comprise a package body and a plurality of leads 33, 35 protruding from the body. The package body is sealed with a semiconductor chip, for example a memory chip, which is electrically connected to the leads. The package body may include one semiconductor chip or two or more semiconductor chips. An individual package device including one semiconductor chip is called a single chip package device, and a device including two semiconductor chips is called a dual chip package device. The chip structure of the individual package device and the connection structure between the leads are easily understood by those skilled in the art to which the present invention pertains, and thus detailed descriptions thereof will be omitted.

상부 개별 패키지 소자(32)는 기판(31)의 상부면에 실장되는데 패키지 몸체가 기판의 개방부(38)에 삽입되어 수용되도록 실장된다. 상부 개별 패키지소자(32)의 패키지 몸체에서 돌출된 리드(33)는 기판(31)의 상부면에서 기판 배선 패턴과 접속부(37)에 의해 전기적으로 연결된다. 접속부(37)는 예컨대, 솔더(solder) 접합부이다.The upper individual package element 32 is mounted on the upper surface of the substrate 31 so that the package body is inserted into and received in the opening 38 of the substrate. The lead 33 protruding from the package body of the upper individual package element 32 is electrically connected to the upper surface of the substrate 31 by the substrate wiring pattern and the connecting portion 37. The connecting portion 37 is, for example, a solder joint.

하부 개별 패키지 소자(34)는 기판(31)의 하부면에 그 패키지 몸체가 개방부(38)에 삽입되어 수용되도록 실장된다. 하부 개별 패키지 소자(34)의 패키지 몸체에서 돌출된 리드(35)는 기판(31)의 하부면에서 기판 배선 패턴과 솔더 접합부(37)에 의해 전기적으로 연결된다.The lower individual package element 34 is mounted on the lower surface of the substrate 31 so that the package body is inserted into and received in the opening 38. The leads 35 protruding from the package body of the lower individual package element 34 are electrically connected by the substrate wiring pattern and the solder joint 37 at the lower surface of the substrate 31.

상하부 개별 패키지 소자(32, 34)는 기판(31)에 동일한 방향으로 실장된다. 즉, 개별 패키지 소자(32, 34) 내부의 패키지 상부면에 가깝게 배치된 반도체 칩의 활성면이 동일한 방향으로 놓이도록 실장된다. 따라서, 상하부 개별 패키지 소자(32, 34)는 하나를 미러 칩(mirror chip)으로 하지 않아도 동일한 기능을 하는 리드 각각을 서로 마주 보는 기판 배선 패턴과 비아 구멍을 통해 서로 연결할 수 있다.The upper and lower individual package elements 32 and 34 are mounted on the substrate 31 in the same direction. That is, the active surface of the semiconductor chip disposed close to the upper surface of the package inside the individual package elements 32 and 34 is mounted in the same direction. Accordingly, the upper and lower individual package elements 32 and 34 may be connected to each other through the substrate wiring pattern and the via hole facing each other having the same function without having one as a mirror chip.

한편, 기판(31)의 개방부(38)를 중심으로 상하부 개별 패키지 소자(32, 34)가 좌우 대칭이 되도록 기판(31)에 실장하는 것이 바람직하다. 따라서, 예컨대 두께 t3가 0.58㎜인 WSOP (Wide Small Outline Package)를 상하부 개별 패키지 소자(32, 34)로 사용하고 두께 t1이 0.4㎜의 기판(31)을 사용하는 경우, 상하부 개별 패키지 소자(32, 34)가 개방부(38)의 측면으로부터 동일한 거리만큼 떨어지도록 배치하고, 상부 개별 패키지 소자(32)의 밑면과 하부 개별 패키지 소자(34)의 윗면이 적층 패키지 구조(30)의 수직 공간에 대해 거의 중앙에 배치하도록 한다. 이 예에 따르면, 개별 패키지의 리드(33, 35)와 기판 상부면 또는 하부면의 거리 t2는 0.05㎜, 상하부 개별 패키지 소자(32, 34)의 간격 t4는 0.02㎜이며, 적층 패키지 소자(30)의 전체 두께는 1.18㎜이다.On the other hand, it is preferable to mount on the board | substrate 31 so that the upper and lower individual package elements 32 and 34 may be symmetrical about the opening part 38 of the board | substrate 31. As shown in FIG. Thus, for example, when using a wide small outline package (WSOP) having a thickness t3 of 0.58 mm as the upper and lower individual package elements 32 and 34 and a substrate 31 having a thickness t1 of 0.4 mm, the upper and lower individual package elements 32 , 34 so that the same distance from the side of the opening 38, the bottom of the upper individual package element 32 and the upper surface of the lower individual package element 34 in the vertical space of the laminated package structure 30 To be almost centered. According to this example, the distance t2 between the leads 33 and 35 of the individual package and the upper or lower surface of the substrate is 0.05 mm, and the interval t4 of the upper and lower individual package elements 32 and 34 is 0.02 mm, and the laminated package element 30 ) Has a total thickness of 1.18 mm.

한편, 두께 t3가 1.0㎜인 TSOP를 상하부 개별 패키지 소자(32, 34)로 하고 두께 t1이 0.7㎜인 기판(31)을 사용하는 경우에는, 개별 패키지의 리드(33, 35)와 기판 상부면 또는 하부면의 거리 t2는 0.09㎜, 상하부 개별 패키지 소자(32, 34)의 간격 t4는 0.04㎜이며, 적층 패키지 소자(30)의 전체 두께는 2.04㎜이다.On the other hand, when the TSOP having a thickness t3 of 1.0 mm is used as the upper and lower individual package elements 32 and 34 and the substrate 31 having a thickness t1 of 0.7 mm is used, the leads 33 and 35 of the individual package and the upper surface of the substrate are used. Alternatively, the distance t2 of the lower surface is 0.09 mm, the interval t4 of the upper and lower individual package elements 32 and 34 is 0.04 mm, and the total thickness of the laminated package element 30 is 2.04 mm.

그러나, 도 3에 나타낸 구조와 위에서 예로 든 수치들은 설명을 위한 것이지 본 고안의 보호 범위를 제한하기 위한 것은 아니다. 따라서, 본 고안의 기술적 사상을 벗어나지 않고 리드 구조와 수치를 여러 가지로 수정하거나 변형할 수 있다. 즉, 적층 패키지를 사용하는 전자 부품 예컨대, 메모리 카드의 종류나 규격에 맞게 적층 패키지의 구조나 치수를 변경할 수 있는데, 이에 대한 구현예는 도 6 ~ 도 9를 참조로 나중에 설명한다.However, the structure shown in FIG. 3 and the numerical examples given above are for illustration only and are not intended to limit the protection scope of the present invention. Accordingly, the lead structure and numerical values may be variously modified or modified without departing from the technical spirit of the present invention. That is, the structure or dimensions of the multilayer package may be changed according to the type or standard of the electronic component using the multilayer package, for example, a memory card. An embodiment thereof will be described later with reference to FIGS. 6 to 9.

도 4는 본 고안에 따른 적층 패키지 소자가 적용된 메모리 카드의 일례를 나타내는 평면도이고, 도 5는 도 4의 선 Ⅳ-Ⅳ를 따라 절단한 단면도이다.4 is a plan view illustrating an example of a memory card to which a stacked package device according to the present invention is applied, and FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line IV-IV of FIG. 4.

도 4와 도 5에 나타낸 메모리 카드(40)는 보안 디지털 카드로서 폭, 길이, 두께가 각각 24㎜, 32㎜, 2.1㎜이다. 카드(40)는 기판(31), 개별 패키지 소자(32, 34), 외부 접속 단자(42), 제어 소자(44; controller), 부품(46), 스위치(48)를 포함한다. 외부 접속 단자(42)는 보안 디이털 카드(40)와 외부 소자의 전기적 통로인데, 예컨대 4개의 데이터 입출력 단자(DATA0~3), 명령 신호 단자(command), 클럭신호 단자(clock), 전원 단자(VDD), 접지 전원 단자(VSS)를 포함한다. 제어 소자(44)는 메모리 카드(40)의 동작과 메모리 패키지 소자(32, 34)을 동작을 제어하는 논리 소자이다. 부품(46)은 메모리 카드의 동작에 필요한 저항, 커패시터와 같은 수동 소자와 트랜지스터, 다이오드와 같은 능동 소자를 포함한다. 스위치(48)는 메모리 카드(40)에 겹쳐쓰기(overwrite)를 방지하는 역할을 한다. 기판(31)에는 비아 구멍(31)과 배선 패턴(53, 55, 57)이 형성되어 있다. 비아 구멍(31)은 기판 상부면의 배선 패턴과 기판 하부면의 배선 패턴을 전기적으로 연결한다.The memory card 40 shown in Figs. 4 and 5 is a secure digital card having a width, a length, and a thickness of 24 mm, 32 mm, and 2.1 mm, respectively. The card 40 comprises a substrate 31, individual package elements 32, 34, external connection terminals 42, a controller 44, a controller 46, a switch 48. The external connection terminal 42 is an electrical path between the security digital card 40 and an external device. For example, four data input / output terminals DATA0 to 3, a command signal terminal, a clock signal terminal, and a power terminal (V DD ) and the ground power supply terminal (V SS ). The control element 44 is a logic element that controls the operation of the memory card 40 and the operation of the memory package elements 32 and 34. Component 46 includes passive elements such as resistors and capacitors required for the operation of the memory card and active elements such as transistors and diodes. The switch 48 serves to prevent overwriting of the memory card 40. The via hole 31 and the wiring patterns 53, 55, 57 are formed in the substrate 31. The via hole 31 electrically connects the wiring pattern of the upper surface of the substrate and the wiring pattern of the lower surface of the substrate.

이 구현예에 도시한 메모리 소자(32, 34)는 예컨대, 64M×8 비트 NAND형 플래시 메모리 소자이고, 접속되지 않은 리드는 NC (No Connection)로 표시하였고, 나머지 제어 소자(44)와 전기적 신호를 주고받는 리드는 각각의 기능을 나타내는 기호로 표시하고 도면에서 검은 색으로 표시하여 쉽게 구별될 수 있도록 하였다. 여기서, I/O0~7은 데이터의 입출력 리드를 말하고, CLE는 명령 래치 인에이블(command latch enable), ALE는 어드레스 래치 인에이블(address latch enable) 리드이며, CE는 칩 인에이블(chip enable)로서 상하부 개별 메모리 소자(32, 34)를 선택하는 리드이다. 또한, RE는 읽기 인에이블(read enable), WE는 쓰기 인에이블(write enable), WP는 쓰기 보호(write protect), R/B는 준비/비지 출력(ready/busy output), Vcc는 전원, Vss는 접지 리드를 각각 의미한다.The memory elements 32 and 34 shown in this embodiment are, for example, 64M x 8-bit NAND type flash memory elements, and unconnected leads are denoted as NC (No Connection), and electrical signals with the remaining control elements 44 are shown. Leads are exchanged with symbols representing each function and marked with black in the drawings so that they can be easily distinguished. Here, I / O 0 to 7 are data input / output reads, CLE is command latch enable, ALE is address latch enable lead, and CE is chip enable. Is a lead for selecting the upper and lower individual memory elements 32 and 34 as. In addition, RE is read enable, WE is write enable, WP is write protect, R / B is ready / busy output, Vcc is power, Vss means ground lead respectively.

CE 리드와 NC 리드를 제외한 모든 리드는 각각의 배선 패턴(53)에 연결되어 있기 때문에, 상부 메모리 소자(32)와 하부 메모리 소자(34)의 CE 리드를 제외한모든 리드는 비아 구멍(51)에 의해 공통 접속되어 있고 따라서 제어 소자(44)에 의해 공통으로 제어된다. 그러나, CE 리드는 상하부 메모리 소자에 대해 공통으로 연결되어 있지 않고, 도 5의 단면도에 나타낸 것처럼 개별적으로 각각의 메모리 소자에 연결되어 있다. 즉, 상부 메모리 소자(32)에 대한 CE 리드는 배선 패턴(55)를 통해 제어 소자(44)에 연결되고, 하부 메모리 소자(34)에 대한 CE 리드는 배선 패턴(57)을 통해 제어 소자(44)에 연결되어 있어서, 각각의 개별 소자(32, 34)에 대한 CE 리드는 서로 분리되어 있다.Since all leads except the CE leads and NC leads are connected to the respective wiring patterns 53, all leads except the CE leads of the upper memory element 32 and the lower memory element 34 are connected to the via hole 51. It is connected in common, and is therefore controlled in common by the control element 44. However, the CE leads are not commonly connected to the upper and lower memory elements, but are individually connected to the respective memory elements as shown in the cross-sectional view of FIG. That is, the CE lead for the upper memory element 32 is connected to the control element 44 through the wiring pattern 55, and the CE lead for the lower memory element 34 is connected to the control element (the wiring pattern 57). 44, the CE leads for each individual element 32, 34 are separated from each other.

본 고안에 따른 적층 패키지 소자와 이를 포함하는 메모리 카드는 개별 패키지 소자의 적층 구조를 다양하게 구현할 수 있다. 도 6 내지 도 9는 이러한 여러 구현예에 따른 적층 패키지 소자의 구조를 나타낸다.The stacked package device and the memory card including the same according to the present invention can implement various stacked structures of individual package devices. 6-9 illustrate the structure of stacked package devices in accordance with these various embodiments.

예를 들어서, 도 6에 도시한 것처럼, 상부 패키지 소자는 제1 개별 상부 패키지 소자(64a), 제2 개별 상부 패키지 소자(66a), 제3 개별 상부 패키지 소자(68a)를 포함하며, 하부 패키지 소자는 제1 개별 하부 패키지 소자(64b), 제2 개별 하부 패키지 소자(66b), 제3 개별 하부 패키지 소자(68b)를 포함한다. 제1 개별 패키지 소자(64a, 64b)의 리드(63a, 63b)는 패키지 몸체로부터 일직선으로 돌출되어 기판(62)의 상부면과 하부면에 각각 접속된다. 한편, 제2 개별 패키지 소자(66a, 66b)와 제3 개별 패키지 소자(68a, 68b)는 패키지 몸체로부터 돌출되어 기판의 상부면과 하부면을 향해 굴곡된 소위, 걸-윙(Gull-Wing) 형태의 리드(65a, 65b; 69a, 69b)를 각각 포함한다. 이 예에서 제3 개별 패키지 소자의 리드(69a, 69b)도 기판(62)의 상부면과 하부면에 직접 접속되어 있다.For example, as shown in FIG. 6, the upper package element includes a first individual upper package element 64a, a second individual upper package element 66a, and a third individual upper package element 68a, and the lower package element. The device includes a first individual bottom package element 64b, a second individual bottom package element 66b, and a third individual bottom package element 68b. The leads 63a and 63b of the first individual package elements 64a and 64b protrude in a straight line from the package body and are connected to the upper and lower surfaces of the substrate 62, respectively. Meanwhile, the second individual package elements 66a and 66b and the third individual package elements 68a and 68b protrude from the package body to be bent toward upper and lower surfaces of the substrate, so-called Gull-Wings. Shaped leads 65a, 65b; 69a, 69b, respectively. In this example, the leads 69a and 69b of the third individual package element are also directly connected to the upper and lower surfaces of the substrate 62.

한편, 적층되는 개별 소자의 리드 길이를 짧게 하는 것도 가능하다. 예컨대, 도 7에 도시한 것처럼, 복수의 상부 개별 패키지 소자(74a, 76a, 78a)와 하부 개별 패키지 소자(74b, 76b, 78b)를 적층한 상태에서 가장 상하부에 적층되는 개별 소자(78a, 78b)의 리드(79a, 79b)를 그 아래에 적층된 개별 소자(76a, 76b)의 리드(76a, 76b)에 접속되도록 하고, 기판(72)의 상부면이나 하부면에는 직접 접속되지 않도록 하여 리드의 길이를 줄이는 것도 가능하다.On the other hand, it is also possible to shorten the lead length of the individual elements to be stacked. For example, as illustrated in FIG. 7, in the state in which the plurality of upper individual package elements 74a, 76a, and 78a and the lower individual package elements 74b, 76b, and 78b are stacked, the individual elements 78a and 78b that are stacked on the upper and lowermost parts. ) Leads 79a and 79b to the leads 76a and 76b of the individual elements 76a and 76b stacked below them, and is not directly connected to the upper or lower surfaces of the substrate 72. It is also possible to reduce the length of.

적층되는 개별 패키지 소자의 리드 구조는 도 8에 도시한 것처럼, 적층 패키지 소자(80)의 상부 개별 패키지 소자(84)의 리드(83)를 걸-윙 모양으로 절곡하여 기판(82)의 상부면에 접속하고, 하부 개별 패키지 소자(86)의 리드(85)를 직선으로 하여 기판(82)의 하부면에 접속할 수 있다. 또는, 도 9에 도시한 것처럼, 적층 패키지 소자(90)의 상하부 개별 패키지 소자(94, 96)의 리드(93, 95)를 모두 걸-윙 모양으로 절곡하여 기판(92)의 상부면과 하부면에 접속하는 것도 가능하다. 도 9의 구조에서 리드(93, 95)는 기판(92) 두께의 1/2 크기로 절곡된다. 즉, 도 8과 도 9에 도시한 구현예와 같이 적층되는 개별 패키지 소자 중 최소한 하나의 리드를 직선으로 하지 않고 절곡 가공하면, 두께가 좀 더 얇은 기판을 사용하여 적층 소자 및 메모리 카드를 구현하는 것이 가능하다.As shown in FIG. 8, the lead structure of the individual package elements to be stacked is bent in a hook-like manner to the leads 83 of the upper individual package elements 84 of the stacked package element 80 to form a top surface of the substrate 82. The lead 85 of the lower individual package element 86 can be connected to the lower surface of the substrate 82 in a straight line. Alternatively, as shown in FIG. 9, all of the leads 93 and 95 of the upper and lower individual package elements 94 and 96 of the stacked package element 90 are bent into a hook-wing shape to form the upper and lower surfaces of the substrate 92. It is also possible to connect to the surface. In the structure of FIG. 9, the leads 93, 95 are bent to one-half the thickness of the substrate 92. That is, when bending at least one of the individual package elements stacked as in the embodiment shown in FIGS. 8 and 9 without bending a straight line, a stacked element and a memory card may be implemented using a thinner substrate. It is possible.

본 고안에 따른 적층 패키지 소자는 여러 형태의 메모리 카드에 적용될 수 있다. 예컨대, 도 10과 도 11에 도시한 바와 같이 메모리스틱 카드에 본 고안에 따른 적층 패키지 소자를 적용하여 메모리 용량이 증가하면서도 두께는 얇은 초박형 메모리 카드를 구현할 수 있다.The multilayer package device according to the present invention can be applied to various types of memory cards. For example, as shown in FIGS. 10 and 11, the multilayer package device according to the present invention may be applied to a memory stick card to realize an ultra-thin memory card having a thinner memory capacity.

도 10과 도 11을 참조하면, 메모리스틱 카드(100)는 폭, 길이, 두께가 각각 21.5㎜, 50㎜, 2.8㎜이며, 외부 접속 단자(102), 겹쳐쓰기(overwrite) 잠금 스위치(104), 제어 소자(106), 개별 메모리 패키지 소자(110, 120) 및 카드 기판(130)을 포함한다. 제어 소자(106)는 메모리스틱 카드(100)의 동작과 메모리 패키지 소자(110, 120)의 동작을 제어하며, 예컨대, 64-LGA-0909(0.7T) 컨트롤러이거나 64-TQFP-12×12(1.2T) 컨트롤러이다. 개별 메모리 소자(110, 120)는 예컨대, 64M×8 비트 NAND형 TSOP 플래시 메모리 소자이다. 이 메모리 소자(110, 120)의 리드 핀 구성은 도 4와 도 5를 참조로 설명한 카드 구현예의 메모리 소자와 동일하므로, 각각의 리드 기능에 대한 자세한 설명은 생략한다.10 and 11, the memory stick card 100 has a width, a length, and a thickness of 21.5 mm, 50 mm, and 2.8 mm, respectively, and an external connection terminal 102 and an overwrite lock switch 104. , Control element 106, individual memory package elements 110, 120, and card substrate 130. The control element 106 controls the operation of the memory stick card 100 and the operation of the memory package elements 110 and 120, for example, a 64-LGA-0909 (0.7T) controller or 64-TQFP-12 × 12 ( 1.2T) controller. The individual memory elements 110, 120 are, for example, 64M x 8-bit NAND type TSOP flash memory elements. Since the lead pin configurations of the memory devices 110 and 120 are the same as those of the memory device of the card implementation described with reference to FIGS. 4 and 5, a detailed description of each read function is omitted.

카드 기판(130)에는 관통 개방부(138)가 형성되어 있고, 이 개방부(138)에 개별 메모리 소자(110, 120)가 수용된다. 기판(130)에는 배선 패턴(153)이 형성되어 있고 상부 메모리 소자(110)의 리드(112)에 연결된 배선 패턴은 하부 메모리 소자(120)의 리드(122)에 연결된 배선 패턴과 비아 구멍(151)을 통해 전기적으로 연결되어 있다. 한편, 도 4와 도 5를 참조로 설명한 카드 구현예와 마찬가지로, 상부 메모리 소자를 선택하는 데에 사용되는 CE 리드에 연결된 배선 패턴(155)과 하부 메모리 소자를 선택하기 위한 CE 리드에 연결된 배선 패턴(157)은 서로 전기적으로 분리되어 있다. 따라서, 제어 소자(106)는 상하부 메모리 소자(110, 120)의 선택적 동작을 제어할 수 있다.A through opening 138 is formed in the card substrate 130, and the individual memory elements 110 and 120 are accommodated in the opening 138. The wiring pattern 153 is formed on the substrate 130, and the wiring pattern connected to the lead 112 of the upper memory element 110 may include the wiring pattern and the via hole 151 connected to the lead 122 of the lower memory element 120. Is electrically connected via Meanwhile, similar to the card implementation described with reference to FIGS. 4 and 5, the wiring pattern 155 connected to the CE lead used to select the upper memory element and the wiring pattern connected to the CE lead for selecting the lower memory element are shown. 157 are electrically separated from each other. Therefore, the control element 106 may control the selective operation of the upper and lower memory elements 110 and 120.

이 구현예에서, 상부 메모리 소자(110)의 리드(112)는 걸-윙 모양으로 절곡되어 기판(130)의 상부면에 접속되는 반면에, 하부 메모리 소자(120)의 리드(122)는 직선 모양으로 패키지 몸체로부터 돌출되어 기판(130)의 하부면에 접속된다. 따라서, 도 11의 단면도의 수직 방향에 대해 상하부 메모리 소자(110, 120)는 기판(130) 중심선을 기준으로 비대칭으로 배치되어 있다. 상부 메모리 소자(110)의 리드(112)를 절곡하는 것은 기판(130)의 두께를 줄이고 메모리스틱 카드에 적층 패키지 소자가 적절하게 수용되도록 하기 위한 것이다. 절곡된 리드를 하부 메모리 소자(120)에 구성하는 것도 물론 가능하다.In this embodiment, the leads 112 of the upper memory element 110 are bent into a hooked wing shape and connected to the upper surface of the substrate 130, while the leads 122 of the lower memory element 120 are straight. It protrudes from the package body in a shape and is connected to the lower surface of the substrate 130. Therefore, the upper and lower memory elements 110 and 120 are asymmetrically disposed with respect to the center line of the substrate 130 with respect to the vertical direction of the cross-sectional view of FIG. 11. The bending of the lead 112 of the upper memory element 110 is to reduce the thickness of the substrate 130 and to properly accommodate the stacked package element in the memory stick card. It is of course also possible to configure the bent lead in the lower memory element 120.

이 구현예에서, 메모리스틱 카드(100)의 전체 두께 t1은 2.8㎜이고, 기판(130)의 밑면에서 카드 밑면까지의 거리는 0.4㎜이며 적층 패키지 소자의 상부면으로부터 카드 상부면까지의 거리 t3은 0.4㎜, 상부 메모리 소자의 중심과 하부 메모리 소자의 중심간 거리 t4는 2㎜이다.In this embodiment, the total thickness t1 of the memory stick card 100 is 2.8 mm, the distance from the bottom of the substrate 130 to the bottom of the card is 0.4 mm and the distance t3 from the top surface of the laminated package element to the card top surface is 0.4 mm, the distance t4 between the center of the upper memory element and the center of the lower memory element is 2 mm.

상부 메모리 소자(110)와 하부 메모리 소자(120)는 수직 방향에 대해 동일한 방향으로 기판(130)에 실장된다. 즉, 상부 메모리 소자(110)의 패키지 몸체에 수용된 반도체 칩의 활성면과 하부 메모리 소자(120)의 패키지 몸체에 수용된 반도체 칩의 활성면은 동일한 방향 예컨대, 적층 패키지 소자의 상부면에 배치되어 있다. 한편, 상하부 메모리 소자(110, 120)의 패키지 몸체에 2개의 메모리 칩이 수용되는 경우에는 상부 메모리 칩의 활성면이 적층 패키지 소자의 상부면에 배치된다.The upper memory element 110 and the lower memory element 120 are mounted on the substrate 130 in the same direction with respect to the vertical direction. That is, the active surface of the semiconductor chip accommodated in the package body of the upper memory device 110 and the active surface of the semiconductor chip accommodated in the package body of the lower memory device 120 are disposed in the same direction, for example, the upper surface of the stacked package device. . Meanwhile, when two memory chips are accommodated in the package bodies of the upper and lower memory devices 110 and 120, the active surface of the upper memory chip is disposed on the upper surface of the multilayer package device.

본 고안에 따르면, 기판의 관통 개방부에 개별 패키지 몸체가 수용되기 때문에, 개별 패키지 소자의 적층 밀도를 개선할 수 있고 적층 패키지 소자의 전체 두께를 줄일 수 있으며, 따라서 메모리 용량이 증가된 초박형 메모리 카드를 구현하는 것이 가능하다.According to the present invention, since the individual package body is accommodated in the through opening of the substrate, it is possible to improve the stacking density of the individual package elements and to reduce the overall thickness of the stacked package element, thus increasing the memory capacity. It is possible to implement

또한, 본 고안에 따르면, 반도체 조립 공정에서 널리 사용되는 플라스틱 패키지 조립 기술을 그대로 활용하면서도 패키지 소자 및 이를 포함하는 메모리 카드의 두께를 크게 줄일 수 있다.In addition, according to the present invention, it is possible to significantly reduce the thickness of the package element and the memory card including the same while utilizing the plastic package assembly technology widely used in the semiconductor assembly process.

Claims (10)

적층 패키지 소자로서,As a laminated package element, 실장될 복수의 개별 패키지 소자보다 크기가 더 큰 관통 개방부가 형성되어 있고 상부면과 하부면을 갖는 기판과,A substrate having a through opening having a larger size than a plurality of individual package elements to be mounted and having an upper surface and a lower surface, 상기 기판의 개방부에 수용되는 패키지 몸체와 이 패키지 몸체로부터 돌출되어 상기 기판의 상부면에 접속되는 복수의 리드를 갖는 상부 개별 패키지 소자와,An upper individual package element having a package body accommodated in an opening of the substrate and a plurality of leads protruding from the package body and connected to an upper surface of the substrate; 상기 기판의 개방부에 수용되는 패키지 몸체와 이 패키지 몸체로부터 돌출되어 상기 기판의 하부면에 접속되는 복수의 리드를 갖는 하부 개별 패키지 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 적층 패키지 소자.And a lower individual package element having a package body accommodated in an opening of the substrate and a plurality of leads protruding from the package body and connected to the lower surface of the substrate. 제1항에서, 상기 개별 패키지 소자는 단일 칩 패키지 소자이거나 이중 칩 패키지 소자인 것을 특징으로 하는 적층 패키지 소자.The multilayer package device of claim 1, wherein the individual package device is a single chip package device or a dual chip package device. 제1항에서, 상기 개별 패키지 소자들의 리드는 각각의 패키지 몸체로부터 일직선으로 돌출되어 뻗어 있는 것을 특징으로 하는 적층 패키지 소자.The stack package device of claim 1, wherein the leads of the individual package elements extend in a straight line from each package body. 제3항에서, 상기 개별 패키지 소자들은 패키지 몸체로부터 돌출되어 기판의 상부면 또는 하부면쪽으로 굴곡되어 있는 제1 복수의 리드를 갖는 제1 개별 패키지 소자들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 적층 패키지 소자.4. The multilayer package device of claim 3, wherein the individual package elements further comprise first individual package elements having a first plurality of leads protruding from the package body and bent toward the upper or lower surface of the substrate. 제1항에서, 상기 개별 패키지 소자들 중 최소한 하나는 리드가 패키지 몸체로부터 돌출되어 기판의 상부면 또는 하부면쪽으로 굴곡되어 있는 것을 특징으로 하는 적층 패키지 소자.The stack package device of claim 1, wherein at least one of the individual package elements has a lead protruding from the package body and bent toward the upper or lower surface of the substrate. 제1항에서, 상기 상부 개별 패키지 소자와 하부 개별 패키지 소자는 각각의 패키지 소자의 상부면에 가깝게 배치된 반도체 칩 활성면이 동일한 방향으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 적층 패키지 소자.The multilayer package device of claim 1, wherein the upper individual package element and the lower individual package element have semiconductor chip active surfaces disposed close to the upper surface of each package element in the same direction. 메모리 카드로서,As a memory card, 배선 패턴이 형성된 상부면과 하부면을 가지고 관통 개방부를 갖는 카드 기판과,A card substrate having an upper surface and a lower surface on which wiring patterns are formed and having a through opening; 상기 카드 기판의 관통 개방부에 수용되는 패키지 몸체와 이 패키지 몸체로부터 돌출되어 상기 기판의 상부면에 접속되는 복수의 리드를 갖는 상부 개별 메모리 소자와,An upper individual memory element having a package body accommodated in the through opening of the card substrate and a plurality of leads protruding from the package body and connected to an upper surface of the substrate; 상기 카드 기판의 개방부에 수용되는 패키지 몸체와 이 패키지 몸체로부터 돌출되어 상기 기판의 하부면에 접속되는 복수의 리드를 갖는 하부 개별 메모리 소자와,A lower individual memory element having a package body accommodated in an opening of the card substrate and a plurality of leads protruding from the package body and connected to a lower surface of the substrate; 상기 상하부 개별 메모리 소자의 동작과 메모리 카드의 동작을 제어하는 제어 소자를 포함하는 메모리 카드.And a control element for controlling the operation of the upper and lower individual memory elements and the operation of the memory card. 제7항에서, 상기 카드 기판은 상기 배선 패턴과 전기적으로 연결된 복수의 비아 구멍를 포함하고, 상기 상하부 개별 메모리 소자는 각각 칩 선택 리드를 포함하고, 이 칩 선택 리드를 제외한 리드쌍 각각은 상기 비아 구멍을 통해 상하부 개별 메모리 소자에 대해 공통 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 메모리 카드.The method of claim 7, wherein the card substrate includes a plurality of via holes electrically connected to the wiring pattern, and the upper and lower individual memory elements each include a chip select lead, and each of the lead pairs excluding the chip select lead each have the via hole. And a common connection for the upper and lower individual memory elements. 제7항에서, 상기 상부 개별 메모리 소자와 하부 개별 메모리 소자는 각각의 패키지 몸체의 상부면에 가깝게 배치된 반도체 칩 활성면이 서로 동일한 방향으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 메모리 카드.8. The memory card of claim 7, wherein the upper individual memory elements and the lower individual memory elements have semiconductor chip active surfaces disposed close to the upper surface of each package body in the same direction. 제7항에서, 상기 개별 메모리 소자는 각각의 패키지 몸체로부터 일직선으로 돌출되어 뻗어 있거나 굴곡되어 있는 리드를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 카드.8. The memory card of claim 7, wherein the individual memory elements comprise leads that extend or bend in a straight line from each package body.
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KR100852895B1 (en) 2006-12-05 2008-08-19 삼성전자주식회사 A complex memory chip and a memory card having the same, and method of manufacturing the memory card

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010099298A (en) * 2001-09-20 2001-11-09 신이술 Mehod of stacking a semiconductor
KR100852895B1 (en) 2006-12-05 2008-08-19 삼성전자주식회사 A complex memory chip and a memory card having the same, and method of manufacturing the memory card

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