KR200241556Y1 - Wafer transfer - Google Patents

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KR200241556Y1
KR200241556Y1 KR2020010012496U KR20010012496U KR200241556Y1 KR 200241556 Y1 KR200241556 Y1 KR 200241556Y1 KR 2020010012496 U KR2020010012496 U KR 2020010012496U KR 20010012496 U KR20010012496 U KR 20010012496U KR 200241556 Y1 KR200241556 Y1 KR 200241556Y1
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wafer
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semiconductor wafer
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vacuum suction
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Inventor
안정훈
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아남반도체 주식회사
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Abstract

본 고안은 웨이퍼 트랜스퍼에 관한 것으로서, 반도체웨이퍼의 연삭장치의 본체(10)에 회전가능하게 설치되는 수직회전축(110)과; 수직회전축(110)에 일단이 결합되는 회전아암(120)과; 회전아암(120)의 타단 하측에 결합되는 지지부재(130)와; 수직회전축(110)으로부터 지지부재(130)의 상측 중앙에 연결되며, 지지부재(130)의 하측으로부터 공기를 흡입하는 진공흡입관(140)과; 지지부재(130)의 하측에 결합되고, 하면 가장자리에 텐션부(151)가 구비되며 진공흡입관(140)에 연통되어 진공흡입관(140)이 공기를 흡입시 반도체웨이퍼(W) 표면에 균일하게 흡입력을 가하도록 복수의 진공흡입구(152)가 형성되는 웨이퍼흡착패드(150)를 포함하는 것으로서, 웨이퍼 트랜스퍼가 세척액에 의해 장력이 발생된 반도체웨이퍼를 흡착시 반도체웨이퍼 표면에 균일하게 흡입력을 가하여 반도체웨이퍼에 크랙이 발생하는 것을 방지함으로써 반도체 소자의 수율을 향상시키는 효과를 가지고 있다.The present invention relates to a wafer transfer, the vertical rotation shaft 110 is rotatably installed in the main body 10 of the grinding device of the semiconductor wafer; A rotating arm 120 having one end coupled to the vertical rotation shaft 110; A support member 130 coupled to the other end of the rotary arm 120; A vacuum suction tube 140 connected to an upper center of the support member 130 from the vertical rotation shaft 110 and sucking air from the lower side of the support member 130; It is coupled to the lower side of the support member 130, the tension portion 151 is provided on the lower edge and is in communication with the vacuum suction tube 140, the vacuum suction tube 140 when the suction suction air uniformly on the surface of the semiconductor wafer (W) And a wafer suction pad 150 having a plurality of vacuum suction holes 152 formed thereon, wherein the wafer transfer applies the suction force uniformly to the surface of the semiconductor wafer when the wafer transfer sucks the semiconductor wafer generated by the cleaning liquid. By preventing cracks from occurring, it has the effect of improving the yield of semiconductor elements.

Description

웨이퍼 트랜스퍼{WAFER TRANSFER}Wafer Transfer {WAFER TRANSFER}

본 고안은 웨이퍼 트랜스퍼에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 세척액에 의해 장력이 발생된 반도체웨이퍼를 흡착하더라도 반도체웨이퍼의 표면에 균일하게 흡입력을 가하여 반도체웨이퍼에 크랙이 발생하는 것을 방지하는 웨이퍼 트랜스퍼에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer transfer, and more particularly, to a wafer transfer that prevents cracking in the semiconductor wafer by applying a suction force uniformly to the surface of the semiconductor wafer even if the semiconductor wafer is tensioned by the cleaning liquid. .

일반적으로 반도체웨이퍼의 제조 공정후에는 불필요한 반도체웨이퍼의 뒷면을 연삭하여 칩의 부피를 줄임과 동시에 패키지화하여 사용할 때 열방출이 용이하도록 연삭작업을 실시한다.In general, after the manufacturing process of the semiconductor wafer, the back surface of the unnecessary semiconductor wafer is ground to reduce the volume of the chip and at the same time to perform the grinding operation to facilitate heat dissipation when packaged.

반도체웨이퍼의 뒷면을 연삭하는데 사용되는 반도체웨이퍼의 연삭장치를 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Referring to the accompanying drawings, a grinding device of a semiconductor wafer used for grinding the back surface of a semiconductor wafer is as follows.

도 1은 종래의 반도체웨이퍼의 연삭장치의 사시도이다. 도시된 바와 같이, 반도체웨이퍼의 연삭장치는 복수의 웨이퍼카세트(1)가 위치하는 본체(10)의 상측에 웨이퍼카세트(1)로부터 웨이퍼반출입아암(20)에 의해 반도체웨이퍼가 일시 대기하는 대기테이블(30)과, 상면에 복수의 척테이블(chuck table;40) 및 제 1 세척수단(50)이 구비된 턴테이블(60)과, 대기테이블(30)가 척테이블(40)간에 반도체웨이퍼를 이송시키는 웨이퍼 트랜스퍼(70)와, 턴테이블(60)의 상측에 위치하며 초기연삭기(81) 및 마무리연삭기(82)로 이루어진 연삭수단(80)과, 연삭된 반도체웨이퍼를 세척하는 제 2 세척수단(90)이 각각 구비되어 있다.1 is a perspective view of a grinding apparatus of a conventional semiconductor wafer. As shown, the grinding apparatus of the semiconductor wafer is a waiting table in which the semiconductor wafer is temporarily waited by the wafer loading / unloading arm 20 from the wafer cassette 1 on the upper side of the main body 10 on which the plurality of wafer cassettes 1 are located. 30, a turntable 60 having a plurality of chuck tables 40 and first cleaning means 50 on the upper surface, and a standby table 30 conveying the semiconductor wafer between the chuck tables 40. A grinding means 80 consisting of an initial grinding machine 81 and a finishing grinding machine 82 and a second cleaning means 90 for washing the ground semiconductor wafer. ) Are each provided.

본체(10)에 복수의 반도체웨이퍼를 장착한 웨이퍼카세트(1)가 로딩되면 웨이퍼반출입아암(20)은 웨이퍼카세트(1)로부터 반도체웨이퍼를 대기테이블(30)로 반입하며, 반입된 반도체웨이퍼는 웨이퍼 트랜스퍼(70)에 진공흡착되어 척테이블(40)로 이송된다.When the wafer cassette 1 equipped with a plurality of semiconductor wafers is loaded on the main body 10, the wafer loading / unloading arm 20 carries the semiconductor wafers from the wafer cassette 1 to the waiting table 30. The vacuum is sucked by the wafer transfer 70 and transferred to the chuck table 40.

척테이블(40)은 웨이퍼 트랜스퍼(70)에 의해 이송된 반도체웨이퍼를 진공으로 흡착한 후, 턴테이블(60)의 회전에 의하여 초기 연삭기(81)의 하측으로 이동한다.The chuck table 40 sucks the semiconductor wafer transferred by the wafer transfer 70 in a vacuum, and then moves to the lower side of the initial grinding machine 81 by the rotation of the turntable 60.

초기연삭기(81)의 하측으로 반도체웨이퍼를 장착한 척테이블(40)이 위치하면 초기연삭기(81)는 하측으로 이동하여 척테이블(40)에 흡착된 반도체웨이퍼를 연삭하게 되고, 반도체웨이퍼가 연삭을 마치면 초기연삭기(81)는 상측으로 이동하며, 초기연삭기(81)에 의해 초기 연삭된 반도체웨이퍼는 턴테이블(60)의 회전에 의하여 마무리연삭기(82)로 이동하며, 마무리연삭기(82)에 의해 마무리 연삭된다.When the chuck table 40 equipped with the semiconductor wafer is located below the initial grinding machine 81, the initial grinding machine 81 moves downward to grind the semiconductor wafer adsorbed on the chuck table 40, and the semiconductor wafer is ground. After finishing, the initial grinding machine 81 is moved upward, the semiconductor wafer initially ground by the initial grinding machine 81 is moved to the finishing grinding machine 82 by the rotation of the turntable 60, by the finishing grinding machine 82 The finish is ground.

마무리연삭기(82)에 의해 반도체웨이퍼가 마무리 연삭을 마치면 마무리연삭기(82)가 상측으로 이동하며, 턴테이블(60)이 회전하여 척테이블(40)을 언로딩 위치로 이동시킨다. 이 때 반도체웨이퍼의 연삭면은 제 1 세척수단(50)에 의해 세척된다.When the semiconductor wafer finishes the final grinding by the finishing grinder 82, the finishing grinder 82 moves upward, and the turntable 60 rotates to move the chuck table 40 to the unloading position. At this time, the grinding surface of the semiconductor wafer is washed by the first cleaning means (50).

세척을 마친 반도체웨이퍼는 웨이퍼 트랜스퍼(70)에 의해 척테이블(40)로부터 대기테이블(30)로 이동하는데, 대기테이블(30)과 척테이블(40)사이에 위치한 제 2 세척수단(90)에 의하여 재차 세척된다.After the cleaning, the semiconductor wafer is moved from the chuck table 40 to the waiting table 30 by the wafer transfer 70, and is attached to the second cleaning means 90 located between the waiting table 30 and the chuck table 40. By washing again.

대기테이블(30)로 이송된 반도체웨이퍼는 웨이퍼반출입아암(20)에 의해 웨이퍼카세트(1)로 반출됨으로써 연삭공정이 종료된다.The semiconductor wafer transferred to the waiting table 30 is carried out to the wafer cassette 1 by the wafer carrying in / out arm 20 so that the grinding process is completed.

이러한 종래의 반도체웨이퍼의 연삭장치에 구비되는 웨이퍼 트랜스퍼(70)에는 반도체웨이퍼의 상면을 흡착하는 웨이퍼흡착패드가 구비된다.The wafer transfer 70 provided in the conventional grinding device for semiconductor wafers is provided with a wafer adsorption pad for absorbing the upper surface of the semiconductor wafer.

도 2는 종래의 반도체웨이퍼의 연삭장치의 웨이퍼 트랜스퍼의 웨이퍼흡착패드의 평면도이다. 도시된 바와 같이, 웨이퍼흡착패드(71)는 가장자리에 볼록한 텐션부(71a)가 형성되며, 중앙에는 진공흡입구(71b)가 형성되어 있다.2 is a plan view of a wafer adsorption pad of a wafer transfer of a conventional grinding device for semiconductor wafers. As illustrated, the wafer suction pad 71 has a convex tension portion 71a formed at an edge thereof, and a vacuum suction port 71b is formed at the center thereof.

웨이퍼흡착패드(71)는 고무재질로 되어 있어서 웨이퍼 트랜스퍼(70)가 반도체웨이퍼를 픽업(pick-up)하기 위하여 반도체웨이퍼를 누르더라도 고무의 탄성력 및 텐션부(71a)의 완충 작용에 의해 반도체웨이퍼가 스트레스를 덜 받게 되는 장점이 있다.Since the wafer adsorption pad 71 is made of rubber material, even if the wafer transfer 70 presses the semiconductor wafer to pick up the semiconductor wafer, the semiconductor wafer is absorbed by the elastic force of the rubber and the buffering action of the tension portion 71a. Has the advantage of being less stressed.

그러나, 이와 같은 웨이퍼흡착패드(71)는 중앙에 하나의 진공흡입홀(71b)만이 구비되기 때문에 웨이퍼흡착패드(71)가 반도체웨이퍼를 진공 흡착할 경우 웨이퍼흡착패드(71)의 흡입력이 반도체웨이퍼의 중앙에 집중된다.However, since the wafer adsorption pad 71 has only one vacuum suction hole 71b at the center, when the wafer adsorption pad 71 vacuum-absorbs the semiconductor wafer, the suction force of the wafer adsorption pad 71 is increased. Is concentrated in the center of the.

따라서, 웨이퍼 트랜스퍼(70)가 척테이블(40)에 흡착되어 있는 반도체웨이퍼를 흡착시 반도체웨이퍼에는 제 1 세척수단(50)으로부터 공급되는 세척액에 의해 장력이 발생하게 되고, 이로 인해 반도체웨이퍼에 휨모멘트(bending monent)가 작용하여 휘게 되어 반도체웨이퍼의 약한 부분부터 크랙(crack)이 발생하는 문제점을 가지고 있다.Accordingly, when the wafer transfer 70 adsorbs the semiconductor wafer adsorbed on the chuck table 40, the semiconductor wafer is tensioned by the cleaning liquid supplied from the first cleaning means 50, thereby causing the semiconductor wafer to bend. The moment (bending monent) is bent by the action has a problem that the crack (crack) occurs from the weak portion of the semiconductor wafer.

본 고안은 상술한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 고안의 목적은 척테이블에 흡착된 반도체웨이퍼를 픽업시 반도체웨이퍼의 표면에 균일하게 흡입력을 가함으로써 척테이블에 흡착된 반도체웨이퍼에 세척액으로 인한 장력이 발생하여도 반도체웨이퍼를 안전하게 픽업하여 반도체웨이퍼에 크랙이 발생하는 것을 방지하며, 반도체웨이퍼에 크랙이 발생하는 것을 방지함으로써 반도체 소자의 수율을 향상시키는 웨이퍼 트랜스퍼를 제공하는데 있다.The present invention is to solve the above-mentioned problems, an object of the present invention is to apply a suction force to the surface of the semiconductor wafer uniformly when picking up the semiconductor wafer adsorbed to the chuck table as a cleaning liquid to the semiconductor wafer adsorbed on the chuck table The present invention provides a wafer transfer that improves the yield of a semiconductor device by preventing the occurrence of cracks in the semiconductor wafer by safely picking up the semiconductor wafer even when the tension occurs.

이와 같은 목적을 실현하기 위한 본 고안은, 반도체웨이퍼의 연삭장치의 본체에 회전가능하게 설치되는 수직회전축과; 수직회전축에 일단이 결합되는 회전아암과; 회전아암의 타단 하측에 결합되는 지지부재와; 수직회전축으로부터 지지부재의 상측 중앙에 연결되며, 지지부재의 하측으로부터 공기를 흡입하는 진공흡입관과; 지지부재의 하측에 결합되고, 하면 가장자리에 텐션부가 구비되며, 진공흡입관에 연통되어 진공흡입관이 공기를 흡입시 반도체웨이퍼 표면에 균일하게 흡입력을 가하도록 복수의 진공흡입구가 형성되는 웨이퍼흡착패드를 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention for achieving the above object is a vertical rotary shaft rotatably installed in the main body of the grinding device of the semiconductor wafer; A rotating arm having one end coupled to the vertical rotation shaft; A support member coupled to the other end of the rotary arm; A vacuum suction pipe connected to the upper center of the support member from the vertical rotation shaft and sucking air from the lower side of the support member; It is coupled to the lower side of the support member, the lower portion is provided with a tension portion, the wafer suction pad includes a plurality of vacuum suction pads are formed in communication with the vacuum suction tube to apply a suction force evenly to the surface of the semiconductor wafer when the vacuum suction tube sucks air Characterized in that.

웨이퍼흡착패드의 진공흡입구는, 웨이퍼흡착패드의 중심에 형성되는 흡입홀과, 흡입홀의 주위에 원형 띠 형상을 가지는 제 1 흡입라인과; 흡입홀을 중심으로 십자 형상을 가지는 제 2 흡입라인으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.The vacuum suction port of the wafer suction pad includes: a suction hole formed at the center of the wafer suction pad, a first suction line having a circular band shape around the suction hole; And a second suction line having a cross shape around the suction hole.

도 1은 종래의 반도체웨이퍼의 연삭장치의 사시도,1 is a perspective view of a grinding apparatus of a conventional semiconductor wafer;

도 2는 종래의 반도체웨이퍼의 연삭장치의 웨이퍼 트랜스퍼의 웨이퍼흡착패드의 평면도,2 is a plan view of a wafer adsorption pad of a wafer transfer of a grinding device of a conventional semiconductor wafer;

도 3은 본 고안에 따른 웨이퍼 트랜스퍼의 단면도,3 is a cross-sectional view of the wafer transfer according to the present invention,

도 4는 본 고안에 따른 웨이퍼 트랜스퍼의 웨이퍼흡착패드의 평면도이다.4 is a plan view of a wafer adsorption pad of the wafer transfer according to the present invention.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

100 : 웨이퍼 트랜스퍼 110 : 수직회전축100: wafer transfer 110: vertical axis of rotation

120 : 회전아암 130 : 지지부재120: rotating arm 130: support member

140 : 진공흡입관 150 : 웨이퍼흡착패드140: vacuum suction pipe 150: wafer suction pad

151 : 텐션부 152 : 진공흡입구151: tension unit 152: vacuum suction port

152a : 흡입홀 152b : 제 1 흡입라인152a: suction hole 152b: first suction line

152c : 제 2 흡입라인152c: second suction line

이하, 본 고안의 가장 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 본 고안의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 더욱 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, the most preferred embodiment of the present invention will be described in more detail so that those skilled in the art can easily practice.

도 1과 동일한 부분에 대해서는 동일부호를 부여하고 그 설명은 생략하기로 하겠다.The same parts as in FIG. 1 will be denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted.

도 3은 본 고안에 따른 웨이퍼 트랜스퍼의 단면도이며, 도 4는 본 고안에 따른 웨이퍼 트랜스퍼의 웨이퍼흡착패드의 평면도이다. 도시된 바와 같이, 반도체웨이퍼의 연삭장치에서 대기테이블(30)과 척테이블(40)간에 반도체웨이퍼(W)를 진공으로 흡착해서 이송시키는 웨이퍼 트랜스퍼(100)는 크게 수직회전축(110)과, 회전아암(120)과, 지지부재(130)와, 진공흡입관(140)과, 웨이퍼흡착패드(150)로 구성된다.3 is a cross-sectional view of the wafer transfer according to the present invention, Figure 4 is a plan view of the wafer adsorption pad of the wafer transfer according to the present invention. As shown in the drawing, the wafer transfer device 100 which sucks and transports the semiconductor wafers W in a vacuum between the waiting table 30 and the chuck table 40 in the grinding device of the semiconductor wafer is largely rotated with the vertical axis of rotation 110. An arm 120, a support member 130, a vacuum suction tube 140, and a wafer suction pad 150 are provided.

수직회전축(110)은 반도체웨이퍼의 연삭장치의 본체(10)에 회전가능하게 설치되고, 내부에는 반도체웨이퍼의 연삭장치의 본체(10)내에 마련된 진공흡입펌프(미도시)에 연결되도록 진공흡입로(111)가 수직으로 형성되며, 상측에는 볼트(B)에 의해 회전아암(120)의 일단이 결합된다.The vertical rotation shaft 110 is rotatably installed in the main body 10 of the grinding device of the semiconductor wafer, and inside the vacuum suction path to be connected to a vacuum suction pump (not shown) provided in the main body 10 of the grinding device of the semiconductor wafer. 111 is formed vertically, one end of the rotary arm 120 is coupled to the upper side by a bolt (B).

회전아암(120)은 수직회전축(110)의 회전에 의하여 회전하고, 상.하측을 관통하는 관통홀(121)이 형성되며, 상측에 커버(122)가 결합되며, 타단에는 하측으로 볼트(B)에 의해 지지부재(130)가 결합된다.Rotating arm 120 is rotated by the rotation of the vertical axis of rotation 110, a through hole 121 penetrating the upper and lower sides is formed, the cover 122 is coupled to the upper side, the other end bolt (B) By the support member 130 is coupled.

지지부재(130)는 원판 형상을 가지고, 중앙에는 진공흡입관(140)이 연결되며, 하측에는 웨이퍼흡착패드(150)가 결합된다.The support member 130 has a disk shape, the vacuum suction tube 140 is connected to the center, the wafer suction pad 150 is coupled to the lower side.

진공흡입관(140)은 수직회전축(110)의 진공흡입로(111)와 지지부재(130)의 중앙을 연결한다. 이를 위해 진공흡입관(140)은 일단이 수직회전축(110)의 결합된 회전아암(120)의 상측에 구비되어 진공흡입로(111)에 연통되는 접속밸브(141)에 결합되며, 타단이 회전아암(120)의 관통홀(121)을 상측에서 하측으로 관통하여 지지부재(130)에 중앙에 구비되는 접속밸브(142)에 결합된다.The vacuum suction pipe 140 connects the center of the vacuum suction path 111 and the support member 130 of the vertical rotation shaft 110. To this end, the vacuum suction pipe 140 has one end coupled to the connection valve 141 which is provided on the upper side of the combined rotary arm 120 of the vertical rotation shaft 110 and communicates with the vacuum suction path 111, and the other end is the rotary arm. The through hole 121 of 120 penetrates from the upper side to the lower side and is coupled to the connection valve 142 provided at the center of the support member 130.

웨이퍼흡착패드(150)는 지지부재(130)의 하측에 결합되고, 하면 가장자리에 텐션부(151)가 구비되며, 지지부재(130)의 중앙에 연결된 진공흡입관(140)에 연통되어 진공흡입관(140)이 공기를 흡입시 반도체웨이퍼(W) 표면에 균일하게 흡입력을 가하도록 복수의 진공흡입구(152)가 형성된다.Wafer adsorption pad 150 is coupled to the lower side of the support member 130, the tension portion 151 is provided on the lower edge, and communicates with the vacuum suction tube 140 connected to the center of the support member 130, the vacuum suction tube ( When the air suctions 140, a plurality of vacuum suction openings 152 are formed to apply the suction force uniformly to the surface of the semiconductor wafer (W).

한편, 웨이퍼흡착패드(150)의 진공흡입구(152)는, 도 4에서와 같이 중심에 형성되는 흡입홀(152a)과, 흡입홀(152a)의 주위에 원형 띠 형상을 가지는 제 1 흡입라인(152b)과, 흡입홀(152a)을 중심으로 십자 형상을 가지는 제 2 흡입라인(152c)으로 이루어진다. 따라서, 흡입홀(152a)과 함께 제 1 및 제 2 흡입라인(152b,152c)는 웨이퍼 트랜스퍼(150)가 반도체웨이퍼(W)를 진공 흡착시 반도체웨이퍼(W)의 표면 전체에 흡입력을 가하게 된다.Meanwhile, the vacuum suction opening 152 of the wafer suction pad 150 has a suction hole 152a formed at the center as shown in FIG. 4 and a first suction line having a circular band shape around the suction hole 152a. 152b and a second suction line 152c having a cross shape around the suction hole 152a. Accordingly, the first and second suction lines 152b and 152c together with the suction hole 152a may apply suction force to the entire surface of the semiconductor wafer W when the wafer transfer 150 vacuum-absorbs the semiconductor wafer W. .

이와 같은 구조로 이루어진 웨이퍼 트랜스퍼의 동작은 다음과 같이 이루어진다.The operation of the wafer transfer having such a structure is performed as follows.

웨이퍼 트랜스퍼(100)가 대기테이블(30) 또는 척테이블(40)로부터 반도체웨이퍼(W)를 픽업(pick-up)할 경우 진공펌프로부터 발생되는 공기 흡입력이 수직회전축(110) 내에 설치된 진공흡입로(111)와 진공흡입관(140)을 따라 웨이퍼흡착패드(150)의 흡입홀(152a)과 제 1 및 제 2 흡입라인(152b,152c)을 통해 반도체웨이퍼(W) 표면의 전체에 가해진다.When the wafer transfer 100 picks up the semiconductor wafer W from the standby table 30 or the chuck table 40, air suction force generated from the vacuum pump is installed in the vertical rotation shaft 110. It is applied to the entire surface of the semiconductor wafer W through the suction holes 152a and the first and second suction lines 152b and 152c of the wafer suction pad 150 along the 111 and the vacuum suction tube 140.

따라서, 웨이퍼 트랜스퍼(100)의 흡입력이 반도체웨이퍼(W) 표면의 전체에 균일하게 가해짐으로써 척테이블(40)에 흡착된 반도체웨이퍼(W)에 제 1 세척수단(50)으로부터 세척액이 공급됨으로써 장력이 발생하여도 반도체웨이퍼(W)에는 휨 모멘트가 작용하지 않게 되므로 웨이퍼 트랜스퍼(100)는 척테이블(40)에 흡착된 반도체웨이퍼(W)를 안전하게 픽업할 수 있다.Therefore, since the suction force of the wafer transfer 100 is uniformly applied to the entire surface of the semiconductor wafer W, the cleaning liquid is supplied from the first cleaning means 50 to the semiconductor wafer W adsorbed on the chuck table 40. Since the bending moment does not act on the semiconductor wafer W even when tension is generated, the wafer transfer 100 can safely pick up the semiconductor wafer W adsorbed on the chuck table 40.

이상과 같이 본 고안의 바람직한 실시예에 따르면, 웨이퍼 트랜스퍼가 척테이블에 흡착된 반도체웨이퍼를 픽업시 반도체웨이퍼가 세척액에 의해 장력이 발생하더라도 반도체웨이퍼의 표면에 균일하게 흡입력을 가함으로써 반도체웨이퍼에 크랙이 발생하는 것을 방지한다.According to a preferred embodiment of the present invention as described above, even when the semiconductor wafer is picked up by the cleaning liquid when the wafer transfer is picked up by the chuck table, the crack is applied to the semiconductor wafer by applying a suction force uniformly to the surface of the semiconductor wafer. To prevent this from happening.

상술한 바와 같이, 본 고안에 따른 웨이퍼 트랜스퍼는 척테이블에 흡착된 반도체웨이퍼를 픽업시 반도체웨이퍼의 표면에 균일하게 흡입력을 가함으로써 척테이블에 흡착된 반도체웨이퍼에 세척액으로 인한 장력이 발생하여도 반도체웨이퍼를 안전하게 픽업하여 반도체웨이퍼에 크랙이 발생하는 것을 방지하며, 반도체웨이퍼에 크랙이 발생하는 것을 방지함으로써 반도체 소자의 수율을 향상시키는 효과를 가지고 있다.As described above, the wafer transfer according to the present invention is applied evenly to the surface of the semiconductor wafer when picking up the semiconductor wafer adsorbed on the chuck table, even if the tension caused by the cleaning liquid on the semiconductor wafer adsorbed on the chuck table occurs. By picking up the wafer safely, it is possible to prevent cracks in the semiconductor wafer and to prevent cracks in the semiconductor wafer, thereby improving the yield of semiconductor devices.

이상에서 설명한 것은 본 고안에 따른 웨이퍼 트랜스퍼를 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 고안은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 실용신안등록청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 고안의 요지를 벗어남이 없이 당해 고안이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 고안의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.What has been described above is just one embodiment for performing a wafer transfer according to the present invention, the present invention is not limited to the above embodiment, the subject matter of the present invention as claimed in the utility model registration claims below Without departing from the technical spirit of the present invention to the extent that any person of ordinary skill in the art to which the invention belongs can be variously modified.

Claims (2)

반도체웨이퍼의 연삭장치에서 대기테이블과 척테이블간에 반도체웨이퍼를 진공으로 흡착해서 이송시키는 이송아암에 있어서,In the transfer arm for sucking and transporting the semiconductor wafer by vacuum between the waiting table and the chuck table in the grinding device of the semiconductor wafer, 상기 반도체웨이퍼의 연삭장치의 본체에 회전가능하게 설치되는 수직회전축과;A vertical rotating shaft rotatably installed on a main body of the grinding device of the semiconductor wafer; 상기 수직회전축에 일단이 결합되는 회전아암과;A rotating arm having one end coupled to the vertical rotation shaft; 상기 회전아암의 타단 하측에 결합되는 지지부재와;A support member coupled to the other end of the rotary arm; 상기 수직회전축으로부터 상기 지지부재의 상측 중앙에 연결되며, 상기 지지부재의 하측으로부터 공기를 흡입하는 진공흡입관과;A vacuum suction pipe connected to an upper center of the support member from the vertical rotation shaft and suctioning air from a lower side of the support member; 상기 지지부재의 하측에 결합되고, 하면 가장자리에 텐션부가 구비되며, 상기 진공흡입관에 연통되어 상기 진공흡입관이 공기를 흡입시 반도체웨이퍼 표면에 균일하게 흡입력을 가하도록 복수의 진공흡입구가 형성되는 웨이퍼흡착패드;The suction unit is coupled to the lower side of the support member, the tension portion is provided at the bottom edge, and the vacuum suction tube communicates with the vacuum suction tube so that the vacuum suction tube applies a suction force uniformly to the surface of the semiconductor wafer when the vacuum suction tube sucks air. pad; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 트랜스퍼.Wafer transfer comprising a. 제 1 항에 있어서, 상기 웨이퍼흡착패드의 진공흡입구는,According to claim 1, wherein the vacuum suction port of the wafer suction pad, 상기 웨이퍼흡착패드의 중심에 형성되는 흡입홀과,A suction hole formed at a center of the wafer suction pad; 상기 흡입홀의 주위에 원형 띠 형상을 가지는 제 1 흡입라인과;A first suction line having a circular band shape around the suction hole; 상기 흡입홀을 중심으로 십자 형상을 가지는 제 2 흡입라인;A second suction line having a cross shape around the suction hole; 으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 트랜스퍼.Wafer transfer, characterized in that consisting of.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20190130522A (en) * 2019-07-19 2019-11-22 김종득 Vaccum Jig Apparatus for Quart'z Ring
KR102044096B1 (en) * 2018-05-14 2019-12-02 김종득 Vaccum Jig Apparatus for Quart'z Ring and Quart'z Ring Manufacturing System having Thesame

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