KR101569970B1 - Apparatus for polishing an edge of wafer - Google Patents

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Abstract

실시예의 웨이퍼 에지 연마 장치는, 웨이퍼가 수납된 카세트로부터 상기 웨이퍼를 인출하는 이송 로봇; 상기 이송 로봇에 의해 이송되는 상기 웨이퍼가 안착되는 제 1 진공 척; 상기 이송 로봇에 의해 이송되는 상기 웨이퍼가 안착되는 제 2 진공 척; 및 상기 제 1 진공 척과 제 2 진공 척 사이에 배치되고, 상기 웨이퍼의 에지를 연마하기 위한 에지 연마 수단;을 포함하고, 상기 이송 로봇은 상기 제 1 진공 척 상에 위치한 웨이퍼를 흡착하기 위한 진공 암을 포함하고, 상기 진공 암은 상기 웨이퍼를 흡착한 상태에서 회전된 후 상기 제 2 진공 척으로 상기 웨이퍼를 이송하는 것을 특징으로 한다. The wafer edge polishing apparatus of the embodiment includes: a transfer robot for taking out the wafer from a cassette containing the wafer; A first vacuum chuck on which the wafer transferred by the transfer robot is seated; A second vacuum chuck on which the wafer transferred by the transfer robot is seated; And an edge polishing means disposed between the first vacuum chuck and the second vacuum chuck for polishing an edge of the wafer, wherein the transfer robot includes a vacuum arm for sucking a wafer placed on the first vacuum chuck, Wherein the vacuum arm rotates while the wafer is sucked, and then transfers the wafer to the second vacuum chuck.

Description

웨이퍼 에지 연마 장치{Apparatus for polishing an edge of wafer}Technical Field [0001] The present invention relates to an apparatus for polishing an edge,

본 발명은 웨이퍼의 에지를 연마하기 위한 장치에 대한 것으로서, 특히, 웨이퍼의 에지의 고른 연마를 위하여 웨이퍼의 상하면을 뒤집는 것이 용이한 장치에 대한 것이다. The present invention relates to an apparatus for polishing the edge of a wafer, and more particularly to a device that is easy to turn the top and bottom surfaces of a wafer for even polishing of the edge of the wafer.

일반적으로, 실리콘 웨이퍼를 제조하는 공정 중의 하나인 에지 연마 공정에서는 에지 연마 장치가 사용되고 있으며, 에지 연마 공정은 충격에 의하여 칩(chip)이 발생되거나 파손되는 것을 방지하고, 에피택셜 적층 공정에서 크라운 현상을 방지하기 위한 목적을 가진다. 또한, 웨이퍼의 에지가 실리콘 웨이퍼를 사용하는 고객의 니즈에 따라 형성될 수 있도록, 에지 연마의 공정이 이루어진다. In general, an edge polishing apparatus is used in an edge polishing process, which is one of the processes for manufacturing a silicon wafer. Edge polishing process is used to prevent a chip from being generated or broken by an impact. In the epitaxial deposition process, To prevent the occurrence of such a problem. Further, the edge polishing process is performed so that the edge of the wafer can be formed according to the needs of the customer using the silicon wafer.

일반적으로, 웨이퍼의 에지를 연마하기 위하여, 가공 스테이지가 되는 진공 척 상에 웨이퍼를 척킹시킨 후, 스핀들에 장착된 가공 휠을 회전시켜 웨이퍼의 에지를 둥글게 연마한다. 그리고, 웨이퍼의 에지 영역에서의 상부 에지를 에이펙스(apex), 하부 에지를 베벨(bevel)이라고 할 수 있는데, 회전되는 가공 휠에 웨이퍼의 에이펙스와 베벨 모두를 닿게 하기 위하여, 상기 웨이퍼의 상하면을 반전시키는 작업이 필요하다. 즉, 웨이퍼의 윗면과 뒷면을 뒤집기 위한 작업이 필요하며, 종래에는 웨이퍼를 뒤집기 위한 로딩 유닛과, 뒤집어진 웨이퍼를 진공 척에 위치시키기 위한 핸드 척이 필요하였다. Generally, in order to polish the edge of a wafer, the wafer is chucked on a vacuum chuck to be a machining stage, and the edge of the wafer is rounded by rotating the machining wheel mounted on the spindle. The upper edge in the edge region of the wafer may be referred to as an apex and the lower edge may be referred to as a bevel. In order to contact both the apex and the bevel of the wafer with the rotating processing wheel, . In other words, it is necessary to work to turn the top and the back of the wafer upside down. Conventionally, a loading unit for reversing the wafer and a hand chuck for positioning the inverted wafer on the vacuum chuck were required.

도 1 내지 도 5는 웨이퍼의 가공면을 변경하기 위하여 웨이퍼를 뒤집기 위한 종래의 과정을 설명하기 위한 도면이다. FIGS. 1 to 5 are views for explaining a conventional process for reversing a wafer to change a processed surface of the wafer.

먼저, 도 1을 참조하면, 가공 대상의 웨이퍼가 안착되는 제 1 진공 척(11)과, 제 2 진공 척(12)이 마련되고, 상기 제 1 진공 척(11)과 제 2 진공 척(12) 사이에는 가공 휠로서, 회전되는 스핀들과 스핀들 외주면에 마련된 부직포 등의 연마 수단이 위치한다. 1, a first vacuum chuck 11 and a second vacuum chuck 12 on which a wafer to be processed is placed are provided, and the first vacuum chuck 11 and the second vacuum chuck 12 , A polishing means such as a spindle to be rotated and a nonwoven fabric provided on the outer peripheral surface of the spindle is positioned as a processing wheel.

제 1 진공 척(11)에서 에지가 연마된 웨이퍼(W)를 제 2 진공 척(12)이 이동시키면서 상부면과 하부면을 뒤집기 위해서는, 도시된 로딩 유닛(13)과 핸드 척(15)이 구성되었다. The loading unit 13 and the hand chuck 15 shown in the figure are used to turn the upper and lower surfaces while the second vacuum chuck 12 moves the wafer W with the edges being polished in the first vacuum chuck 11 Respectively.

즉, 로딩 유닛(13)은 웨이퍼(W)를 흡착하기 위한 로딩 암(14)을 포함하고, 상기 로딩 유닛(13)과 로딩 암(14)이 하강하여 제 1 진공 척(11) 위의 웨이퍼(W)를 흡착한 다음, 수직으로 상승된다. 그러면, 도 2에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)가 로딩 암(14)에 고정된 상태에서 상측으로 이동하게 된다. That is, the loading unit 13 includes a loading arm 14 for adsorbing the wafer W, and the loading unit 13 and the loading arm 14 are lowered to form a wafer W on the first vacuum chuck 11, (W) is adsorbed, and then it is raised vertically. Then, as shown in FIG. 2, the wafer W is moved upward while being fixed to the loading arm 14.

그리고, 상기 로딩 암(14)이 상기 로딩 유닛(13)을 중심으로 180도 회전함으로써, 웨이퍼(W)의 상하반전이 이루어지고, 상기 로딩 유닛(13)은 제 2 진공 척(12) 상측에 위치하는 핸드 척(15)으로 이동한다. 이러한 과정이 수행되면, 도 3에 도시된 바와 같은 상태가 된다. The loading arm 14 is rotated 180 degrees around the loading unit 13 so that the wafer W is reversed in the vertical direction and the loading unit 13 is placed on the upper side of the second vacuum chuck 12 And moves to the hand chuck 15 located. When this process is performed, the state shown in FIG. 3 is obtained.

그리고, 상기 핸드 척(15)이 이동된 웨이퍼(W)의 타면을 흡착함으로써, 상기 웨이퍼(W)의 고정이 이루어진다. 즉, 상기 로딩 암(14)에 의하여 흡착 고정된 웨이퍼(W)의 면을 제 1 면이라고 할 경우에, 상기 핸드 척(15)에 의하여 흡착 고정되는 웨이퍼(W)는 제 2 면이 된다. 즉, 웨이퍼(W)를 이송 및 뒤집기 위한 과정을 거치면서, 웨이퍼(W)의 양면 모두가 타 기기에 흡착 고정되며, 이것은 결국 웨이퍼의 품질을 저하시킬 수 있다. Then, the wafer W is fixed by sucking the other surface of the wafer W on which the hand chuck 15 is moved. That is, when the surface of the wafer W sucked and fixed by the loading arm 14 is referred to as the first surface, the wafer W sucked and fixed by the hand chuck 15 becomes the second surface. That is, both sides of the wafer W are adsorbed and fixed to other devices while the process of transferring and flipping the wafer W is carried out, which may eventually deteriorate the quality of the wafer.

그리고, 상기 핸드 척(15)은 수직 하강하여 제 2 진공 척(12)에 웨이퍼(W)를 안착시킴으로써, 제 2 진공 척(12)에 위치하는 웨이퍼는 상하면이 뒤집어진 상태가 된다. 즉, 도 4에서와 같이, 웨이퍼(W)가 핸드 척(15)으로 옮겨진 다음, 상기 로딩 유닛(13)은 원래의 위치로 이동하고, 상기 핸드 척(15)은 하강하여 웨이퍼(W)를 제 2 진공 척(12)에 로딩시킨다. The hand chuck 15 vertically descends to seat the wafer W on the second vacuum chuck 12 so that the wafer placed on the second vacuum chuck 12 is turned upside down. 4, after the wafer W is transferred to the hand chuck 15, the loading unit 13 is moved to its original position and the hand chuck 15 is lowered to transfer the wafer W And is loaded on the second vacuum chuck 12.

이와 같이, 웨이퍼를 제 1 진공 척에서 제 2 진공 척에서 옮기는 것과 함께, 웨이퍼의 상하면을 뒤집기 위해서는, 로딩 유닛과 핸드 척의 상호 동작이 필요하였으며, 이것은 웨이퍼의 상하면 뿐만 아니라 에지 영역에 대해서 다수회 접촉일 일어나는 것에 의하여, 웨이퍼 품질이 저하될 수 있었다. In this way, in order to flip the upper and lower surfaces of the wafer together with the transfer of the wafer from the first vacuum chuck to the second vacuum chuck, the mutual operation of the loading unit and the hand chuck is required, By doing so, the wafer quality could be degraded.

도 6은 웨이퍼의 이송시키기 위하여 사용되었던 핸드 척의 구성을 보여주는 도면이다. 도 6을 참조하면, 웨이퍼(W)의 에지 영역을 핸드 척(15)의 에지 그립부(21)가 파지하고, 상기 에지 그립부(21)와 연결된 연결 프레임(22) 및 상하 이동이 가능한 승강 실린더(23)에 의하여 웨이퍼(W)의 상하 이동이 이루어진다. 6 is a view showing a configuration of a hand chuck used for transferring a wafer. 6, the edge region of the wafer W is gripped by the edge grip portion 21 of the hand chuck 15, and the connection frame 22 connected to the edge grip portion 21 and the vertically movable lifting cylinder 23, the wafer W is moved up and down.

이러한 핸드 척(15)은 다른 부재(즉, 로딩 유닛)에 의하여 흡착 고정되었던 웨이퍼(W)를 다시 그립하기 하기 위하여 웨이퍼 에지를 컨택하게 되고, 위치 고정을 위하여 소정의 힘을 인가하는 장치이다. 참고로, 도 7은 웨이퍼의 에지를 연마하기 위한 연마 휠(30) 주위에 제 1 진공 척(11)과, 제 2 진공 척(12)이 배치되는 모습의 평면도이다. The hand chuck 15 is a device that contacts the wafer edge to re-grip the wafer W that has been attracted and fixed by another member (i.e., a loading unit), and applies a predetermined force to fix the position. 7 is a plan view of a state in which a first vacuum chuck 11 and a second vacuum chuck 12 are disposed around a polishing wheel 30 for polishing an edge of a wafer.

종래에는, 웨이퍼의 에지를 직접 컨택하는 핸드 척(15)이 구성되어야 했으며, 웨이퍼(W)를 상측으로 이동시키고 상하면의 반전이 이루어지도록 하는 로딩 유닛(13) 역시 구성되어야 했다. Conventionally, a hand chuck 15 for directly contacting the edge of the wafer had to be constructed, and a loading unit 13 for moving the wafer W upward and reversing the upper and lower surfaces had to be constructed.

그 결과, 웨이퍼 에지 연마를 위한 공정의 시간이 크게 증가하고, 웨이퍼의 다수회 접촉에 따른 품질 저하가 문제된다. As a result, the time for polishing the edge of the wafer is greatly increased, and quality deterioration due to multiple contact of the wafer is a problem.

본 발명은 웨이퍼의 에지를 연마하기 위하여, 로봇 암 등에 의한 웨이퍼의 접촉이 최소한으로 이루어지도록 하고, 다양한 위치의 에지 연마를 위하여 웨이퍼를 뒤집기 위한 공정 역시 용이하게 이루어지도록 하는 장치를 제안하고자 한다. The present invention proposes an apparatus for polishing an edge of a wafer such that contact of the wafer by a robot arm or the like is minimized and a process for reversing the wafer for edge polishing at various positions is also easily performed.

실시예의 웨이퍼 에지 연마 장치는, 웨이퍼가 수납된 카세트로부터 상기 웨이퍼를 인출하는 이송 로봇; 상기 이송 로봇에 의해 이송되는 상기 웨이퍼가 안착되는 제 1 진공 척; 상기 이송 로봇에 의해 이송되는 상기 웨이퍼가 안착되는 제 2 진공 척; 및 상기 제 1 진공 척과 제 2 진공 척 사이에 배치되고, 상기 웨이퍼의 에지를 연마하기 위한 에지 연마 수단;을 포함하고, 상기 이송 로봇은 상기 제 1 진공 척 상에 위치한 웨이퍼를 흡착하기 위한 진공 암을 포함하고, 상기 진공 암은 상기 웨이퍼를 흡착한 상태에서 회전된 후 상기 제 2 진공 척으로 상기 웨이퍼를 이송하는 것을 특징으로 한다. The wafer edge polishing apparatus of the embodiment includes: a transfer robot for taking out the wafer from a cassette containing the wafer; A first vacuum chuck on which the wafer transferred by the transfer robot is seated; A second vacuum chuck on which the wafer transferred by the transfer robot is seated; And an edge polishing means disposed between the first vacuum chuck and the second vacuum chuck for polishing an edge of the wafer, wherein the transfer robot includes a vacuum arm for sucking a wafer placed on the first vacuum chuck, Wherein the vacuum arm rotates while the wafer is sucked, and then transfers the wafer to the second vacuum chuck.

실시예에 따른 웨이퍼 에지 연마 장치에 의해서, 진공 암에 한번 흡착 고정된 웨이퍼는 흡착된 해당 부분을 제외하고는, 다른 기기나 기구에 접촉되지 않은채, 상하면이 뒤집히면서 다른 진공 척으로의 이송이 완료될 수 있다. 즉, 상기 웨이퍼를 제 1 진공 척에서 제 2 진공 척으로 이송시키는 때와, 웨이퍼의 상하면을 뒤집는 때에 웨이퍼 소정 영역의 1회 접촉만 이루어지면 되므로, 웨이퍼의 다수회 접촉에 따른 품질 저하를 줄일 수 있는 장점이 있다. With the wafer edge polishing apparatus according to the embodiment, the wafer once sucked and fixed to the vacuum arm is transported to another vacuum chuck while the upper and lower surfaces are turned upside down, Can be completed. In other words, since only one contact of the wafer in a predetermined area is required when the wafer is transferred from the first vacuum chuck to the second vacuum chuck and when the wafer is turned upside down, quality deterioration due to multiple contact of the wafer can be reduced There is an advantage.

도 1 내지 도 5는 웨이퍼의 가공면을 변경하기 위하여 웨이퍼를 뒤집기 위한 종래의 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 웨이퍼의 이송시키기 위하여 사용되었던 핸드 척의 구성을 보여주는 도면이다.
도 7은 웨이퍼의 에지를 연마하기 위한 연마 휠 주위에 제 1 진공 척과 제 2 진공 척이 배치되는 모습의 평면도이다.
도 8은 본 실시예에 따른 웨이퍼 에지 연마 장치의 구성을 보여주는 도면이다.
도 9는 실시예의 이송 로봇의 진공 암을 보여주는 도면이다.
도 10은 실시예의 웨이퍼 에지 연마 장치에서 웨이퍼가 안착되는 진공 척의 구성을 보여주는 도면이다.
도 11은 실시예의 진공 척 위의 웨이퍼를 진공 암이 이송시키는 때의 모습을 도시한 도면이다.
도 12는 실시예의 이송 로봇에 의하여 웨이퍼를 이송하는 때의 과정을 보여주는 도면이다.
도 13은 실시예의 진공 척 상에 고정된 웨이퍼의 에지가 연마되는 과정을 보여주는 도면이다. FIGS. 1 to 5 are views for explaining a conventional process for reversing a wafer to change a processed surface of the wafer.
6 is a view showing a configuration of a hand chuck used for transferring a wafer.
7 is a plan view of a first vacuum chuck and a second vacuum chuck disposed around a polishing wheel for polishing the edge of the wafer.
8 is a view showing a configuration of a wafer edge polishing apparatus according to the present embodiment.
9 is a view showing a vacuum arm of the transfer robot of the embodiment.
10 is a view showing a configuration of a vacuum chuck on which a wafer is seated in the wafer edge grinding apparatus of the embodiment.
11 is a view showing a state in which a vacuum arm transfers a wafer on a vacuum chuck in the embodiment.
12 is a view showing a process of transferring wafers by the transfer robot of the embodiment.
13 is a view showing a process of polishing an edge of a wafer fixed on a vacuum chuck of the embodiment.

이하에서는, 본 실시예에 대하여 첨부되는 도면을 참조하여 상세하게 살펴보도록 한다. 다만, 본 실시예가 개시하는 사항으로부터 본 실시예가 갖는 발명의 사상의 범위가 정해질 수 있을 것이며, 본 실시예가 갖는 발명의 사상은 제안되는 실시예에 대하여 구성요소의 추가, 삭제, 변경 등의 실시변형을 포함한다고 할 것이다. Hereinafter, the present embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It should be understood, however, that the scope of the inventive concept of the present embodiment can be determined from the matters disclosed in the present embodiment, and the spirit of the present invention possessed by the present embodiment is not limited to the implementation of addition, deletion, Variations.

도 8은 본 실시예에 따른 웨이퍼 에지 연마 장치의 구성을 보여주는 도면이다. 8 is a view showing a configuration of a wafer edge polishing apparatus according to the present embodiment.

도 8을 참조하면, 실시예의 웨이퍼 에지 연마 장치는, 연마 대상의 웨이퍼가 적어도 하나 이상 수납된 카세트(110)와, 상기 카세트(110)에 수납된 웨이퍼를 얼라인 유닛(120) 상으로 인출하는 이송 로봇(150)과, 상기 얼라인 유닛(120)에서 얼라인된 웨이퍼를 에지 연마하기 위하여 상기 웨이퍼가 안착되는 제 1 진공 척(131) 및 제 2 진공 척(132)과, 상기 제 1 진공 척(131)과 제 2 진공 척(132) 사이에 배치되어 회전하는 에지 연마 수단(140)을 포함한다. 8, the wafer edge grinding apparatus of the embodiment is provided with a cassette 110 in which at least one wafer to be polished is accommodated, and a plurality of wafers housed in the cassette 110, A transfer robot 150 and a first vacuum chuck 131 and a second vacuum chuck 132 on which the wafer is placed for edge polishing the wafers aligned in the alignment unit 120, And an edge polishing means 140 disposed and rotating between the chuck 131 and the second vacuum chuck 132.

그리고, 상기 제 1 진공 척(131), 제 2 진공 척(132) 및 에지 연마 수단(140)이 마련되는 위치의 반대쪽에도, 적어도 하나 이상의 진공 척과 에지 연마 수단이 더 마련될 수 있다. At least one vacuum chuck and edge polishing means may be further provided on the opposite side of the position where the first vacuum chuck 131, the second vacuum chuck 132 and the edge polishing means 140 are provided.

특히, 상기 이송 로봇(150)은 상기 얼라인 유닛(120) 상에 위치한 웨이퍼를 제 1 진공 척(131)으로 이송시키는 것 뿐만 아니라, 상기 제 1 진공 척(131)에서 에지 연마된 웨이퍼를 제 2 진공 척(132)으로 이송시키는 역할도 함께 수행한다. 이때, 상기 이송 로봇(150)은 상기 제 2 진공 척(132)으로의 웨이퍼 이송 중에 웨이퍼의 상하면 반전이 이루어지도록 한다. Particularly, the transfer robot 150 not only transfers the wafer positioned on the alignment unit 120 to the first vacuum chuck 131, but also transfers the edge-polished wafer from the first vacuum chuck 131 2 vacuum chuck 132 as shown in FIG. At this time, the transfer robot 150 causes the upper and lower surfaces of the wafer to be inverted during transfer of the wafer to the second vacuum chuck 132.

상기 이송 로봇(150)은, 도 9에 도시된 바와 같이, 웨이퍼의 하면을 지지하면서 상기 웨이퍼의 위치를 고정시키는 진공 암(151)을 포함하고, 상기 이송 로봇(150)에 의하여 상기 진공 암(151)이 상하 및 좌우로의 이동이 이루어질 수 있다. 9, the transfer robot 150 includes a vacuum arm 151 for holding a position of the wafer while supporting a lower surface of the wafer. The transfer robot 150 transfers the vacuum arm 151 151 can be moved up and down and left and right.

상기 이송 로봇(150)에 의하여 제 1 진공 척(131)으로의 이송, 제 1 진공 척(131)에서의 에지 연마 공정 후에 제 2 진공 척(132)으로의 이송 및, 그 이송 중에 웨이퍼의 상부면과 하부면을 뒤집는 역할도 함께 수행한다. 이러한 일련의 과정들은, 상기 이송 로봇(150)에 의하여 흡착 고정된 웨이퍼의 하나의 면만이 접촉된 상태를 유지하고, 별도의 그립이 필요하거나, 웨이퍼 타면의 접촉이 필요하지 않는다. The wafer W is transferred to the first vacuum chuck 131 by the transfer robot 150, to the second vacuum chuck 132 after the edge polishing process in the first vacuum chuck 131, It also plays a role of reversing the face and the lower face. In this series of processes, only one surface of the wafer sucked and fixed by the transfer robot 150 is held in contact with each other, a separate grip is required, or the contact of the wafer surface is not required.

상기 이송 로봇(150)이 기존의 장비 내에서 웨이퍼를 카세트(110)로부터 얼라인 유닛(120)으로 이송시키는 것과, 얼라인 유닛(120) 상의 위치 정렬된 웨이퍼를 에지 연마를 위하여 진공 척으로 이송시키는 역할을 수행하면서, 웨이퍼의 상하면을 뒤집을 수 있도록 하기 위하여, 상기 이송 로봇(150)에서 웨이퍼와 접촉하는 진공 암(151)이 진공 척을 출입할 수 있는 구조로 이루어져야 한다. The transfer robot 150 transfers wafers from the cassette 110 to the alignment unit 120 in the existing equipment and the aligned wafers on the alignment unit 120 are transferred to a vacuum chuck for edge polishing A vacuum arm 151 contacting with the wafer in the transfer robot 150 is required to be able to move in and out of the vacuum chuck so that the upper and lower surfaces of the wafer can be reversed.

도 10은 실시예의 웨이퍼 에지 연마 장치에서 웨이퍼가 안착되는 진공 척의 구성을 보여주는 도면이고, 도 11은 실시예의 진공 척 위의 웨이퍼를 진공 암이 이송시키는 때의 모습을 도시한 도면이고, 도 12는 실시예의 이송 로봇에 의하여 웨이퍼를 이송하는 때의 과정을 보여주는 도면이고, 도 13은 실시예의 진공 척 상에 고정된 웨이퍼의 에지가 연마되는 과정을 보여주는 도면이다. FIG. 10 is a view showing a configuration of a vacuum chuck on which a wafer is mounted in the wafer edge polishing apparatus of the embodiment, FIG. 11 is a view showing a state in which a vacuum arm transfers a wafer on a vacuum chuck in the embodiment, FIG. 13 is a view showing a process of transferring a wafer by the transfer robot of the embodiment, and FIG. 13 is a view showing a process of polishing the edge of the wafer fixed on the vacuum chuck of the embodiment.

먼저, 도 13을 참조하면, 실시예의 진공 척(131,132)은 공기를 흡입시킴으로써 상기 웨이퍼(W)를 진공 척 상에 고정되도록 하며, 하측의 바디에 의하여 상기 진공 척(131,132)은 에지 연마 수단(140)의 외주면을 향하여 기울어지게 된다. 그리고, 바디 내에 마련된 구동 수단 등에 의하여 상기 진공 척(131,132)은 기울어진 상태에서 회전하게 되고, 상기 에지 연마 수단(140) 역시 회전됨으로써, 웨이퍼 에지의 연마가 이루어진다. 상기 진공 척(131,132)을 기울이기 위한 구성과, 진공 척을 회전시키는 수단 및, 에지 연마 수단(140)은 알려진 구성이기에 자세한 설명은 생략하기로 한다. 13, the vacuum chuck 131, 132 of the embodiment sucks air to fix the wafer W on a vacuum chuck, and the vacuum chuck 131, 132 is pushed by an edge polishing means 140 toward the outer circumferential surface. Then, the vacuum chucks 131 and 132 are rotated in a tilted state by driving means provided in the body, and the edge polishing means 140 is also rotated to polish the wafer edge. The configuration for tilting the vacuum chucks 131 and 132, the means for rotating the vacuum chuck, and the edge polishing unit 140 are known constructions, and thus a detailed description thereof will be omitted.

다만, 제 1 진공 척(131)과 제 2 진공 척(132) 모두에 웨이퍼(W)가 위치한 것으로 도시되어 있지만, 제 1 진공 척(131)에서 에지 연마가 완료된 웨이퍼(W)는 이송 로봇(150)에 의하여 제 2 진공 척(132)이 이송되고, 그 이송 도중에 웨이퍼(W)의 상하면을 뒤집는 과정이 수행된다. Although the wafer W is shown in both the first vacuum chuck 131 and the second vacuum chuck 132, the wafer W having been subjected to edge polishing in the first vacuum chuck 131 is transferred to the transfer robot The second vacuum chuck 132 is transferred by the second vacuum chuck 150 and the process of reversing the upper and lower surfaces of the wafer W during the transfer is performed.

도 10을 참조하면, 실시예의 진공 척(131,132, 이하 '131'의 도면부호로 기재함)은 웨이퍼(W)의 위치를 고정시키기 위하여 공기의 이동 경로가 되는 복수개의 흡착 홀(131a)이 마련된다. 그리고, 상기 진공 척(131)은, 카세트 내에 수납되었던 웨이퍼를 꺼내기 위한 이송 로봇(150)의 진공 암(151)이 통과할 수 있는 크기의 홀을 갖는다. 즉, 상기 진공 척(131)은 이송 로봇의 진공 암(151)의 이동을 자유롭게 해주는 크기의 홀로 이루어진 진공암 삽입부(131b)를 포함한다. Referring to FIG. 10, vacuum chucks 131 and 132 (hereinafter referred to as reference numeral 131 ') of the embodiment are provided with a plurality of suction holes 131a for moving air to fix the position of the wafer W do. The vacuum chuck 131 has a hole sized to allow the vacuum arm 151 of the transfer robot 150 to take out the wafer stored in the cassette. That is, the vacuum chuck 131 includes a vacuum arm insertion portion 131b having a hole sized to allow movement of the vacuum arm 151 of the transfer robot.

이송 로봇의 진공 암(151)에 흡착된 웨이퍼(W)를 제 2 진공 척(132)으로 이송시키는 때에, 상기 진공 암(151)이 제 2 진공 척의 진공암 삽입부를 먼저 통과하게 되면, 진공 암(151)에 고정된 웨이퍼가 제 2 진공 척 상에 안착된다. 그리고, 상기 진공 암(151)에서 웨이퍼(W)측으로부터의 공기 흡입을 중단하면서, 상기 진공 암(151)은 제 2 진공 척으로부터 탈출이 이루어진다. When the vacuum arm 151 is first passed through the vacuum arm inserting portion of the second vacuum chuck when the wafer W sucked by the vacuum arm 151 of the transfer robot is transferred to the second vacuum chuck 132, The wafer fixed on the first vacuum chuck 151 is seated on the second vacuum chuck. Then, while the suction of the air from the wafer W side is stopped in the vacuum arm 151, the vacuum arm 151 escapes from the second vacuum chuck.

즉, 도 11에 도시된 바와 같이, 제 1 진공 척에서 흡착해온 웨이퍼(W)를 제 2 진공 척(132)으로 이송시키는 때에, 진공 암(151)이 먼저 제 2 진공 척(132)을 향하도록 이동하며, 상기 웨이퍼(W)를 제 2 진공 척(132)에 안착 고정시키기 위하여, 상기 진공 암(151)이 제 2 진공 척의 진공암 삽입부를 통과한다. 11, when the wafer W adsorbed by the first vacuum chuck is transferred to the second vacuum chuck 132, the vacuum arm 151 first moves toward the second vacuum chuck 132 And the vacuum arm 151 passes through the vacuum arm insertion portion of the second vacuum chuck 132 in order to fix the wafer W to the second vacuum chuck 132. [

그리고, 상기 진공암 삽입부를 통과한 진공 암(151)은, 웨이퍼 고정을 위한 공기 흡입을 중단하고, 상기 제 2 진공 척(132)의 공기 흡입을 통한 웨이퍼(W)의 위치 고정이 수행된다. The vacuum arm 151 having passed through the vacuum arm insertion portion stops air suction for securing the wafer and fixes the position of the wafer W through the air suction of the second vacuum chuck 132.

그리고, 상기 진공 암(151)은 상기 제 2 진공 척(132)으로부터 탈출하게 되고, 제 2 진공 척(132) 상에 고정된 웨이퍼(W)는 진공 척의 회전 및 기울어짐을 통하여 에지 연마 수단(140)의 외주면에 형성된 부직포 등에 접촉함으로써, 연마가 이루어진다. The vacuum arm 151 is allowed to escape from the second vacuum chuck 132 and the wafer W fixed on the second vacuum chuck 132 is guided by the edge polishing means 140 And the like, thereby polishing is performed.

전체적인 이송 과정에 대해서는, 도 12를 함께 참조하여 본다. Referring to FIG. 12 together, the overall transporting process will be referred to.

먼저, 도 12에는 웨이퍼 이송에 따른 이송 로봇의 위치가 도면부호 150A, 150B, 150C 및 150D로 도시되어 있다. 12, the positions of the transfer robot in accordance with the wafer transfer are denoted by reference numerals 150A, 150B, 150C and 150D.

이송 로봇(150)에 의하여 카세트 및 얼라인 유닛에 위치하였던 웨이퍼(W)가 제 1 진공 척(131) 상에 위치하게 되고, 제 1 진공 척(131)의 기울어짐 및 회전에 의하여 에지 연마 수단(140)과의 접촉에 의한 에지 연마가 수행된다. The wafer W placed on the cassette and the alignment unit by the transfer robot 150 is positioned on the first vacuum chuck 131 and the inclination and rotation of the first vacuum chuck 131 cause the edge polishing means Edge polishing by contact with the polishing pad 140 is performed.

제 1 진공 척(131)에서의 에지 연마가 수행된 다음에는, 웨이퍼의 상하면 위치가 바뀐 다음에 제 2 진공 척(132)에서의 2차 에지 연마가 수행되어야 하는데, 실시예의 이송 로봇 및 이송 로봇의 진공 암(151)이 웨이퍼(W)의 상부면을 흡착시킨다. After the edge polishing in the first vacuum chuck 131 is performed, secondary edge polishing in the second vacuum chuck 132 must be performed after the top and bottom positions of the wafer have been changed. In the transfer robot and the transfer robot The vacuum arm 151 of the wafer W adsorbs the upper surface of the wafer W.

즉, 진공 암의 제 1 위치(150A)에서, 1차 에지 연마가 완료된 웨이퍼(W)의 흡착 고정이 수행된다. That is, at the first position 150A of the vacuum arm, the suction and fixation of the wafer W having completed the primary edge polishing is performed.

그리고, 진공 암의 제 2 위치(150B)에서와 같이, 상기 진공 암(151) 및 이송 로봇에 의하여 상기 웨이퍼(W)는 상승하게 된다. Then, as in the second position 150B of the vacuum arm, the wafer W is raised by the vacuum arm 151 and the transfer robot.

그 다음, 상기 이송 로봇의 진공 암(151)이 180도 회전됨으로써, 흡착 고정된 웨이퍼(W)의 상하면이 반전된다(진공 암의 제 3 위치(150C)). Then, the vacuum arm 151 of the transfer robot is rotated 180 degrees, so that the upper and lower surfaces of the wafer W sucked and fixed are reversed (the third position 150C of the vacuum arm).

그 다음, 상기 진공 암(151)은 제 2 진공 척(132)을 향하여 하강하게 되고, 상기 제 2 진공 암(151)에 형성된 진공암 삽입부를 상기 진공 암(151)이 통과한다(150D). 그리고, 앞서 설명한 바와 같이, 진공 암(151)에서의 흡착 동작이 중단되고, 상기 제 2 진공 척(132)에서의 공기 흡입을 통하여 웨이퍼(W)의 위치를 고정시킨다. Next, the vacuum arm 151 is lowered toward the second vacuum chuck 132, and the vacuum arm 151 passes through the vacuum arm insertion portion formed in the second vacuum arm 151 (150D). As described above, the suction operation in the vacuum arm 151 is stopped, and the position of the wafer W is fixed through the air sucking in the second vacuum chuck 132.

이러한 일련의 과정을 통해서, 진공 암(151)에 한번 흡착 고정된 웨이퍼(W)는 흡착된 해당 부분을 제외하고는, 다른 기기나 기구에 접촉되지 않은채, 상하면이 뒤집히면서 다른 진공 척으로의 이송이 완료될 수 있다. 즉, 상기 웨이퍼(W)를 제 1 진공 척에서 제 2 진공 척으로 이송시키는 때와, 웨이퍼(W)의 상하면을 뒤집는 때에 웨이퍼(W) 소정 영역의 1회 접촉만 이루어지면 되므로, 웨이퍼(W)의 다수회 접촉에 따른 품질 저하를 줄일 수 있는 장점이 있다. Through such a series of processes, the wafer W once attracted and fixed to the vacuum arm 151 is turned upside down while being in contact with other devices or mechanisms, Can be completed. That is, only one contact of the predetermined area of the wafer W is required when the wafer W is transferred from the first vacuum chuck to the second vacuum chuck and when the upper and lower surfaces of the wafer W are reversed. ) Can be reduced.

Claims (4)

웨이퍼가 수납된 카세트로부터 상기 웨이퍼를 인출하는 이송 로봇;
상기 이송 로봇에 의해 이송되는 상기 웨이퍼가 안착되는 제 1 진공 척;
상기 이송 로봇에 의해 이송되는 상기 웨이퍼가 안착되는 제 2 진공 척; 및
상기 제 1 진공 척과 제 2 진공 척 사이에 배치되고, 상기 웨이퍼의 에지를 연마하기 위한 에지 연마 수단;을 포함하고,
상기 이송 로봇은 상기 제 1 진공 척 상에 위치한 웨이퍼를 흡착하기 위한 진공 암을 포함하고,
상기 진공 암은 상기 제 1 진공 척 상에 위치한 웨이퍼의 상면을 흡착한 상태에서 상기 웨이퍼의 상하면이 반전되도록 상기 웨이퍼를 회전시키고, 상기의 상하면 회전이 이루어진 웨이퍼를 상기 제 2 진공 척으로 이송시키고,
상기 제 2 진공 척에는 상기 진공 암이 통과할 수 있는 크기의 홀이 마련되며,
상기 진공 암의 회전에 의해 웨이퍼 하면에 흡착된 상기 진공 암이 상기 홀을 통과한 후에 상기 진공 암에 고정된 웨이퍼가 상기 제 2 진공 척 상에 안착되는 웨이퍼 에지 연마 장치. A transfer robot for taking out the wafer from a cassette containing the wafer;
A first vacuum chuck on which the wafer transferred by the transfer robot is seated;
A second vacuum chuck on which the wafer transferred by the transfer robot is seated; And
And edge polishing means disposed between the first vacuum chuck and the second vacuum chuck for polishing the edge of the wafer,
Wherein the transfer robot includes a vacuum arm for sucking a wafer positioned on the first vacuum chuck,
Wherein the vacuum arm rotates the wafer so that the upper and lower surfaces of the wafer are inverted while the upper surface of the wafer positioned on the first vacuum chuck is adsorbed and the wafer with the upper and lower surfaces rotated is transferred to the second vacuum chuck,
Wherein the second vacuum chuck is provided with a hole having a size allowing the vacuum arm to pass therethrough,
And a wafer secured to the vacuum arm is seated on the second vacuum chuck after the vacuum arm adsorbed on the lower surface of the wafer passes through the hole by rotation of the vacuum arm. 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 이송 로봇에 의하여 상기 카세트로부터 인출된 웨이퍼가 놓여지는 얼라인 유닛을 더 포함하고,
상기 이송 로봇은 상기 얼라인 유닛 상에 놓여진 웨이퍼를 상기 제 1 진공 척으로 이송하는 장치인 웨이퍼 에지 연마 장치. The method according to claim 1,
Further comprising an alignment unit on which a wafer drawn out from the cassette by the transfer robot is placed,
Wherein the transfer robot transfers the wafer placed on the alignment unit to the first vacuum chuck. 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 진공 척 및 제 2 진공 척에는 상기 웨이퍼의 위치를 고정시키기 위한 공기 흡입홀이 복수개 마련되는 웨이퍼 에지 연마 장치. The method according to claim 1,
Wherein the first vacuum chuck and the second vacuum chuck are provided with a plurality of air suction holes for fixing the position of the wafer.
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