JP3043324B1 - Wafer unloading apparatus and wafer manufacturing method - Google Patents
Wafer unloading apparatus and wafer manufacturing methodInfo
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Abstract
【要約】
【課題】 研磨工程の終了したウェーハを研磨ヘッドか
ら安定して受け取り、確実に次工程に受け渡すことがで
きるウェーハアンローディング装置及びウェーハの製造
方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 アンローディング装置1は、基体部17
とウェーハ載置部18と洗浄機構16とを備えた平面円
形状のアンローディング部2が設けられている。そし
て、基体部17とウェーハ載置部18とは、上下方向の
力を吸収するための作用力吸収機構20によって連結さ
れており、ウェーハ載置部18は基体部17を基準に上
下方向に移動可能となっているため、薄板状のロボット
アームによって次工程に搬送される際にも、該ロボット
アームに作用するモーメントは低減され、ウェーハWは
安定して前記ロボットアームに吸着される。また、ウェ
ーハWや研磨ヘッドは洗浄機構16によって洗浄される
ため、ウェーハWは異物による傷付きが低減される。An object of the present invention is to provide a wafer unloading apparatus and a wafer manufacturing method capable of stably receiving a wafer after a polishing process from a polishing head and reliably transferring the wafer to the next process. The unloading device (1) includes a base (17).
A flat circular unloading unit 2 including a wafer mounting unit 18 and a cleaning mechanism 16 is provided. The base portion 17 and the wafer placing portion 18 are connected by an acting force absorbing mechanism 20 for absorbing a vertical force, and the wafer placing portion 18 moves vertically with respect to the base portion 17. Since it is possible, the moment acting on the robot arm is reduced even when the wafer W is transferred to the next step by the thin plate-shaped robot arm, and the wafer W is stably attracted to the robot arm. Further, since the wafer W and the polishing head are cleaned by the cleaning mechanism 16, the wafer W is less likely to be damaged by foreign matter.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、研磨ヘッドに取り
付けられてその研磨面が研磨されたウェーハを研磨ヘッ
ドから取り外すための装置であるウェーハアンローディ
ング装置及びそれを用いたウェーハの製造方法に関する
ものである。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a wafer unloading apparatus for removing a wafer having a polished surface from a polishing head attached to a polishing head and a method of manufacturing a wafer using the same. It is.
【0002】[0002]
【従来の技術】 一
般に、半導体ウェーハの表面を研磨するウェーハ研磨装
置では、ウェーハを保持するウェーハ研磨ヘッドと研磨
パッドを貼付したプラテンとを対向するように配置さ
せ、ウェーハ表面を研磨パッドに押し当てつつ、研磨砥
粒を含むスラリーを供給しながらウェーハ研磨へッドを
研磨パッド上で遊星回転させることにより研磨を行って
いる。2. Description of the Related Art Generally, in a wafer polishing apparatus for polishing a surface of a semiconductor wafer, a wafer polishing head for holding a wafer and a platen to which a polishing pad is attached are arranged to face each other, and the wafer surface is pressed against the polishing pad. While the slurry containing the abrasive grains is being supplied, the wafer is polished by rotating the wafer polishing head planetarily on the polishing pad.
【0003】この研磨ヘッドとしては、図8に示すよう
に、天板部51と天板部51の外周に固定された筒状の
周壁部52とからなるヘッド本体53と、ヘッド本体5
3の内部に張られた、ゴムなどの弾性材料からなるダイ
ヤフラム54と、流体室58内の圧力を調整する圧力調
整機構56と、ダイヤフラム54の下面に固定された円
盤状のキャリア55と、このキャリア55の外周に同心
に配置された円環状のリテーナリング57とを備えたも
のがある。キャリア55及びリテーナリング57は、ダ
イヤフラム54の上面に設けられたキャリア固定リング
59及びリテーナリング固定リング62にそれぞれ固定
されており、リテーナリング57は、キャリア55の外
周面及び周壁部52との間に僅かな隙間を空けて同心状
に配置されている。ウェーハ研磨時には、ウェーハ70
は、リテーナリング57によって外周を係止されなが
ら、キャリア55の下面に設けられたウェーハ付着シー
ト71に付着される。そして、ウェーハ70の表面は、
プラテン61上面に貼付された研磨パッド63に当接さ
れ、研磨砥粒剤を含むスラリーが供給されながら、ウェ
ーハ研磨ヘッド50が回転されることにより研磨され
る。As shown in FIG. 8, a head body 53 composed of a top plate portion 51 and a cylindrical peripheral wall portion 52 fixed to the outer periphery of the top plate portion 51, as shown in FIG.
3, a diaphragm 54 made of an elastic material such as rubber, a pressure adjusting mechanism 56 for adjusting the pressure in the fluid chamber 58, a disk-shaped carrier 55 fixed to the lower surface of the diaphragm 54, A carrier 55 includes an annular retainer ring 57 disposed concentrically on the outer periphery of a carrier 55. The carrier 55 and the retainer ring 57 are fixed to a carrier fixing ring 59 and a retainer ring fixing ring 62 provided on the upper surface of the diaphragm 54, respectively, and the retainer ring 57 is disposed between the outer peripheral surface of the carrier 55 and the peripheral wall 52. Are arranged concentrically with a slight gap therebetween. During wafer polishing, the wafer 70
Is attached to the wafer attachment sheet 71 provided on the lower surface of the carrier 55 while the outer periphery is locked by the retainer ring 57. And the surface of the wafer 70 is
The wafer is polished by rotating the wafer polishing head 50 while being in contact with the polishing pad 63 stuck on the upper surface of the platen 61 and supplying the slurry containing the polishing abrasive.
【0004】ウェーハ70の研磨工程が終了し、研磨ヘ
ッド50が研磨パッド63から離間するように上昇され
ると、研磨工程が終了したウェーハ70を受け取るため
に、図9に示すように、円盤状のウェーハ載置部80を
有したウェーハアンローディング装置81が研磨ヘッド
50の下方に配置される。そして、研磨ヘッド50の吸
着が解かれたウェーハ70はウェーハ載置部80上に載
置される。ウェーハ70を載置した状態のウェーハ載置
部80は、ウェーハ70を次工程に搬送するためのロボ
ットアーム82に接近するように移動される。このロボ
ットアーム82の先端部82aには吸引機構が形成され
ており、ウェーハ70は、先端部82aの吸引機構によ
り吸着されることによって保持され、次工程に搬送され
る。When the polishing process of the wafer 70 is completed and the polishing head 50 is raised so as to be separated from the polishing pad 63, in order to receive the wafer 70 after the polishing process, as shown in FIG. The wafer unloading device 81 having the wafer mounting portion 80 is disposed below the polishing head 50. Then, the wafer 70 from which the suction of the polishing head 50 has been released is mounted on the wafer mounting portion 80. The wafer mounting portion 80 with the wafer 70 mounted thereon is moved so as to approach a robot arm 82 for transferring the wafer 70 to the next process. A suction mechanism is formed at the distal end portion 82a of the robot arm 82, and the wafer 70 is held by being sucked by the suction mechanism at the distal end portion 82a, and transferred to the next step.
【0005】ウェーハ70がロボットアーム82によっ
て吸着される際、ロボットアーム82は、まず、ウェー
ハ70の上面を押し込むようにして、ロボットアーム8
2とウェーハ70との吸着面を安定させる。そしてウェ
ーハ70は、ロボットアーム82の先端部82aの吸引
機構によってその上面が吸引されることによって保持さ
れ、次工程に搬送される。When the wafer 70 is sucked by the robot arm 82, the robot arm 82 first pushes the upper surface of the wafer 70 so that the robot arm 8
2 and the wafer 70 are stabilized. Then, the upper surface of the wafer 70 is suctioned by the suction mechanism of the distal end portion 82a of the robot arm 82, and the wafer 70 is transferred to the next step.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】このように、ロボット
アーム82はウェーハ70を安定して吸着しようとする
ため、ロボットアーム82はウェーハ70を押し込むよ
うに当接される。この時、ロボットアーム82にはモー
メントが作用するが、ロボットアーム82は薄い板状に
形成されているため、ロボットアーム82は屈曲されや
すい状態となっており、かえってウェーハ70とは不安
定に当接されるようになる。さらに、ロボットアーム8
2は屈曲を繰り返すこととなり、ロボットアーム82自
体の寿命の低下にもつながる。As described above, in order for the robot arm 82 to stably hold the wafer 70, the robot arm 82 is abutted so as to push the wafer 70. At this time, a moment acts on the robot arm 82, but since the robot arm 82 is formed in a thin plate shape, the robot arm 82 is in a state where it is easily bent, and the robot arm 82 is rather unstable with the wafer 70. Being touched. Furthermore, the robot arm 8
2 repeatedly bends, leading to a reduction in the life of the robot arm 82 itself.
【0007】また、ウェーハ研磨時に発生した研磨カス
等の異物により、ウェーハ70や研磨ヘッド50下部に
は異物が付着される。この異物が付着された状態では、
ウェーハ70や研磨ヘッド50が異物によって損傷され
る恐れがあることはもちろん、該異物が付着された状態
で乾燥してしまうと、後でこの異物を洗浄しようとする
場合、乾燥された異物は研磨ヘッド50下部等にこびり
付くようになり、洗浄に多大な労力を要するようにな
る。Further, foreign matters such as polishing debris generated during wafer polishing adhere to the wafer 70 and the lower portion of the polishing head 50. With this foreign matter attached,
The wafer 70 and the polishing head 50 may be damaged by the foreign matter. If the foreign matter is dried with the foreign matter attached thereto, when the foreign matter is to be cleaned later, the dried foreign matter is polished. Since it sticks to the lower part of the head 50 and the like, a large amount of labor is required for cleaning.
【0008】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たもので、研磨されたウェーハを安定して次工程に受け
渡すことができるウェーハアンローディング装置及びウ
ェーハの製造方法を提供することを目的としている。The present invention has been made in view of such circumstances, and has as its object to provide a wafer unloading apparatus and a wafer manufacturing method capable of stably transferring a polished wafer to the next step. And
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明は、研磨ヘッドに取り付けられて研磨された
ウェーハを研磨ヘッドから受け取り、次工程の薄板状の
ロボットアームに受け渡すためのウェーハアンローディ
ング装置であって、前記ウェーハを載置するための、平
面円形状に形成されたアンローディング部と、前記アン
ローディング部を前記研磨ヘッド下方と前記ロボットア
ーム近傍との間で旋回支持する旋回アームと、該旋回ア
ームを前記アンローディング部とともに昇降自在に支持
するアーム昇降機構と、前記旋回アームを旋回駆動させ
るための旋回駆動源とを備え、前記アンローディング部
は、ウェーハの水平方向への移動を係止するための係止
部を備えた円盤状のウェーハ載置部と、前記ウェーハ載
置部に作用する上下方向の力を吸収するための作用力吸
収機構と、研磨されたウェーハ及び研磨ヘッド下部を洗
浄するための前記ウェーハ載置部平面中心近傍に設けら
れた洗浄機構とを具備し、前記洗浄機構が設けられたア
ンローディング部は、前記研磨ヘッド下部及びウェーハ
を洗浄するために旋回されることを特徴とする。In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a method for receiving a polished wafer attached to a polishing head from a polishing head and delivering the polished wafer to a thin plate-shaped robot arm in the next step. A wafer unloading device, for mounting the wafer, an unloading part formed in a plane circular shape, and pivotally supporting the unloading part between below the polishing head and near the robot arm. A swing arm, an arm lifting / lowering mechanism that supports the swing arm together with the unloading section so as to be able to move up and down, and a swing drive source for swinging the swing arm; and the unloading section moves in a horizontal direction of the wafer. A disk-shaped wafer mounting portion provided with a locking portion for locking the movement of the wafer; A force absorbing mechanism for absorbing a force in a direction, and a cleaning mechanism provided near the center of the wafer mounting unit plane for cleaning the polished wafer and the lower part of the polishing head, wherein the cleaning mechanism is provided. The provided unloading part is pivoted to clean the lower part of the polishing head and the wafer.
【0010】本発明によれば、ウェーハ載置部には該ウ
ェーハ載置部に作用する上下方向の力を吸収するための
機構である作用力吸収機構が設けられたため、ロボット
アームがウェーハを下方に押し込んでも、作用力吸収機
構によってウェーハも下方に移動される。そのため、薄
板状に形成されたロボットアームに作用されるモーメン
トは低減され、ロボットアームは屈曲されること無くそ
の先端部とウェーハの上面とを安定して当接させること
ができ、ロボットアームは確実にウェーハを保持するこ
とができる。According to the present invention, since the wafer mounting portion is provided with the acting force absorbing mechanism for absorbing the vertical force acting on the wafer mounting portion, the robot arm moves the wafer downward. , The wafer is also moved downward by the acting force absorbing mechanism. Therefore, the moment acting on the robot arm formed in a thin plate shape is reduced, the robot arm can be stably brought into contact with the top end of the wafer without bending, and the robot arm can be reliably mounted. Can hold the wafer.
【0011】また、前記ウェーハ載置部には、載置され
るウェーハの水平方向への移動を抑えるための係止部が
設けられたため、ウェーハは安定してウェーハ載置部に
載置される。Further, since the wafer mounting portion is provided with a locking portion for suppressing the horizontal movement of the wafer to be mounted, the wafer is stably mounted on the wafer mounting portion. .
【0012】このウェーハ載置部の平面中心近傍には、
研磨工程の終了したウェーハを洗浄するための洗浄機構
が設けられていることにより、研磨工程が終了したウェ
ーハ下面は、前記洗浄機構によって洗浄され、研磨カス
等の異物を取り除くことができる。そのため、ウェーハ
は安定してウェーハ載置部に載置されるとともに、異物
によるウェーハの傷付きを防止することができる。ま
た、この洗浄機構を備えたウェーハ載置部は、研磨ヘッ
ドの下方に旋回されるようになっており、ウェーハが装
着されていない状態の研磨ヘッドの下方へも旋回される
ようになっている。そして、前記洗浄機構によって、ウ
ェーハが装着されていない状態の研磨ヘッド下部に洗浄
用水を噴射させることにより、研磨ヘッド下部の乾燥は
防止される。つまり、ウェーハ研磨時において発生した
研磨カス等の異物が研磨ヘッドに付着しそれが乾燥して
しまうと、前記異物は研磨ヘッドの下部にこびりつき、
後でそれを取り除くための洗浄に労力を要するようにな
るが、前記洗浄機構によって研磨ヘッドを洗浄できるよ
うにしたため、研磨ヘッドの乾燥は防止され、メンテナ
ンスを容易にすることができる。In the vicinity of the center of the plane of the wafer mounting portion,
Since the cleaning mechanism for cleaning the wafer after the polishing step is provided, the lower surface of the wafer after the polishing step is cleaned by the cleaning mechanism to remove foreign matters such as polishing debris. Therefore, the wafer can be stably mounted on the wafer mounting portion, and the wafer can be prevented from being damaged by foreign matter. Further, the wafer mounting portion provided with the cleaning mechanism is configured to be pivoted below the polishing head, and is also pivoted below the polishing head where no wafer is mounted. . The cleaning mechanism sprays cleaning water onto the lower portion of the polishing head where no wafer is mounted, thereby preventing the lower portion of the polishing head from drying. That is, when foreign matter such as polishing debris generated during wafer polishing adheres to the polishing head and dries, the foreign matter sticks to the lower portion of the polishing head,
Although the cleaning for removing it later requires labor, the polishing head can be cleaned by the cleaning mechanism, so that the polishing head is prevented from drying and maintenance can be facilitated.
【0013】また、ウェーハ載置部の上部に第2洗浄機
構を設けることにより、研磨されたウェーハは上下両面
とも洗浄されるとともに、次工程に搬送するためのロボ
ットアームが吸着される面であるウェーハ上面も洗浄さ
れるため、ロボットアームの異物による吸着力の低下を
防止することができる。Further, by providing the second cleaning mechanism above the wafer mounting portion, the polished wafer is cleaned on both upper and lower surfaces, and is a surface on which a robot arm for carrying to the next step is sucked. Since the upper surface of the wafer is also cleaned, it is possible to prevent a decrease in the attraction force due to foreign matter of the robot arm.
【0014】そして、ウェーハの水平方向への移動を係
止するための係止部を備えた円盤状のウェーハ載置部
と、前記ウェーハ載置部に作用する上下方向の力を吸収
するための作用力吸収機構と、研磨されたウェーハ及び
研磨ヘッド下部を洗浄するための前記ウェーハ載置部平
面中心近傍に設けられた洗浄機構と、前記ウェーハ載置
部上端に設けられ研磨ヘッドから取り外されたウェーハ
の上面を洗浄するための第2洗浄機構とを備えたアンロ
ーディング部を、研磨工程を終えたウェーハを装着して
いる研磨ヘッドの下方に配置させるとともに前記洗浄機
構より洗浄溶液を噴射させて前記ウェーハ下面及び研磨
ヘッド下部を洗浄し、次いで、前記ウェーハをウェーハ
載置部に載置させるとともに該ウェーハの上面を前記第
2洗浄機構によって洗浄し、前記上下面が洗浄されたウ
ェーハを、次工程のロボットアームに前記作用力吸収機
構によって上下方向の力を吸収させつつ受け渡した後、
再びアンローディング部を研磨ヘッドの下方に配置させ
て前記洗浄機構によって前記研磨ヘッド下部を洗浄する
ことを特徴とするウェーハの製造方法によって製造する
ことにより、研磨工程後のウェーハは、その上下面を洗
浄されてから次工程に受け渡されるため、ウェーハの傷
付きは防止される。また、ウェーハ未装着状態の研磨ヘ
ッドは、前記洗浄機構によって適宜洗浄されるようにな
っているため、研磨ヘッドの乾燥を防止して研磨カスの
こびり着きを防ぐとともに、ウェーハ装着時におけるウ
ェーハの傷付きも無くすことができる。A disk-shaped wafer mounting portion provided with a locking portion for locking the horizontal movement of the wafer, and a vertical force acting on the wafer mounting portion for absorbing the vertical force acting on the wafer mounting portion. An acting force absorbing mechanism, a cleaning mechanism for cleaning the polished wafer and the lower part of the polishing head provided near the center of the wafer mounting part plane, and a cleaning mechanism provided at the upper end of the wafer mounting part and removed from the polishing head. An unloading unit having a second cleaning mechanism for cleaning the upper surface of the wafer is disposed below the polishing head mounting the wafer after the polishing step, and a cleaning solution is sprayed from the cleaning mechanism. Cleaning the lower surface of the wafer and the lower portion of the polishing head, and then mounting the wafer on the wafer mounting portion and cleaning the upper surface of the wafer by the second cleaning mechanism And Kiyoshi, after the wafers upper and lower surfaces are washed, was passed while absorbing the vertical force to the robot arm in the next step by the action force absorbing mechanism,
By manufacturing the wafer by a method of manufacturing a wafer characterized by cleaning the lower part of the polishing head by disposing the unloading portion below the polishing head again and cleaning the lower part of the polishing head by the cleaning mechanism, the upper and lower surfaces of the wafer after the polishing process, Since the wafer is transferred to the next step after being cleaned, the wafer is prevented from being damaged. In addition, since the polishing head in a state where the wafer is not mounted is appropriately cleaned by the cleaning mechanism, it is possible to prevent the polishing head from drying and preventing polishing residues from sticking, and to remove the wafer when mounting the wafer. Scratches can be eliminated.
【0015】[0015]
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態による
ウェーハアンローディング装置を図面を参照して説明す
る。図1は本発明のウェーハアンローディング装置の一
実施形態を示す側方断面図であり、図2は図1の上方か
ら見た平面図である。また、図3、図5は、それぞれ図
2のA−A断面図、C−C断面図のうちの一部を示して
おり、図4は、図2のB−B断面図である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a wafer unloading apparatus according to one embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a side sectional view showing one embodiment of the wafer unloading apparatus of the present invention, and FIG. 2 is a plan view seen from above in FIG. FIGS. 3 and 5 show a part of the AA cross-sectional view and CC cross-sectional view of FIG. 2, respectively, and FIG. 4 is a BB cross-sectional view of FIG.
【0016】図1において、アンローディング装置1
は、アンローディング部2と、アンローディング部2に
連結された旋回アーム3と、旋回アーム3を水平旋回自
在に支持する旋回軸4と、旋回軸4の上部に設けられ旋
回アーム3を昇降させるためのアーム昇降機構5とを備
えている。また、アンローディング部2の下方にはウェ
ーハWを研磨する研磨パッド31及びプラテン30が設
置されている。In FIG. 1, an unloading device 1
Is a swing arm 3 connected to the unloading section 2, a swing shaft 4 that supports the swing arm 3 so as to be able to swing horizontally, and a swing arm 3 provided above the swing shaft 4 to raise and lower the swing arm 3. Arm elevating mechanism 5 for A polishing pad 31 for polishing the wafer W and a platen 30 are provided below the unloading section 2.
【0017】鉛直方向に設けられた旋回軸4の周囲に
は、ボルトによって外筒支持部7に固定された外筒部6
が形成されており、旋回軸4の上下両端部は外筒部6か
ら突出するように設けられている。また、外筒部6の内
部には2つの軸受8、9が設置されており、旋回軸4
は、これらの軸受8、9に回転自在に支持されている。An outer cylinder 6 fixed to an outer cylinder support 7 by bolts is provided around a pivot 4 provided in the vertical direction.
Are formed so that both upper and lower ends of the turning shaft 4 protrude from the outer cylindrical portion 6. Also, two bearings 8 and 9 are installed inside the outer cylinder portion 6,
Are rotatably supported by these bearings 8 and 9.
【0018】旋回軸4の下方には、旋回軸4を回転させ
るための駆動源であるピストン10が水平方向に設けら
れている。このピストン10の基端部10aは固定部1
1に固定されており、作用端部10bには第1連結軸1
2が連結されている。また、外筒部6の下端から突出し
ている旋回軸4の下端部4aには第2連結軸13が水平
方向に延びるように固定されており、第1連結軸12と
第2連結軸13とはヒンジ部14によって連結されてい
る。そして、ピストン10の駆動によって、図2の第2
連結軸13を第2連結軸13’のように移動させること
により、旋回軸4は回転させられるようになっている。Below the turning shaft 4, a piston 10 as a driving source for rotating the turning shaft 4 is provided in a horizontal direction. The base 10a of the piston 10 is
1 and the first connecting shaft 1 is attached to the working end 10b.
2 are connected. A second connecting shaft 13 is fixed to a lower end portion 4a of the turning shaft 4 protruding from a lower end of the outer cylindrical portion 6 so as to extend in the horizontal direction, and the first connecting shaft 12 and the second connecting shaft 13 Are connected by a hinge 14. Then, by driving the piston 10, the second of FIG.
By moving the connecting shaft 13 like the second connecting shaft 13 ', the turning shaft 4 can be rotated.
【0019】また、旋回軸4の上端部には水平方向に延
びるように形成された旋回アーム3が連結されており、
旋回軸4が回転されることによって旋回アーム3は図2
の位置Lから位置L’の範囲で旋回されるようになって
いる。なお、位置Lは、アンローディング部2が研磨ヘ
ッドの下方に旋回された場合を表しており、位置L’は
研磨工程が終了したウェーハWを次工程に搬送させる場
合の位置を表している。そして、位置L’に旋回された
ウェーハWは、図6のようにロボットアーム40によっ
て受け取られ、次工程に搬送されるようになっている。A swing arm 3 formed to extend in the horizontal direction is connected to the upper end of the swing shaft 4.
As the pivot shaft 4 is rotated, the pivot arm 3 is moved as shown in FIG.
From the position L to the position L '. The position L indicates the case where the unloading section 2 is turned below the polishing head, and the position L 'indicates the position where the wafer W after the polishing process is transported to the next process. Then, the wafer W turned to the position L ′ is received by the robot arm 40 as shown in FIG. 6, and is transported to the next step.
【0020】旋回アーム3は、旋回軸4の上方に設けら
れたアーム昇降機構5によって昇降されるようになって
いる。このアーム昇降機構5にはガイド部5aが備えら
れており、アーム昇降機構5、このガイド部5aに沿っ
て昇降される。The turning arm 3 is moved up and down by an arm elevating mechanism 5 provided above the turning shaft 4. The arm elevating mechanism 5 is provided with a guide part 5a, and the arm elevating mechanism 5 is moved up and down along the guide part 5a.
【0021】旋回アーム3の先端には、研磨工程が終了
したウェーハWを研磨ヘッドから受け取る部分であるア
ンローディング部2が設けられている。このアンローデ
ィング部2は平面円形状に形成されており、その内部
は、断面すり鉢状の中空部15が形成されている。そし
てアンローディング部2は、中空部15を囲むようにす
り鉢状に形成された基体部17と、基体部17の口縁部
17a上方に同心円環状に形成されたウェーハWを載置
させるためのウェーハ載置部18と、アンローディング
部2の底部2aに設けられた洗浄機構16とが設けられ
ている。An unloading section 2 is provided at the tip of the turning arm 3 to receive the wafer W after the polishing process from the polishing head. The unloading part 2 is formed in a plane circular shape, and a hollow part 15 having a mortar-shaped cross section is formed inside. The unloading part 2 is a wafer for mounting a base 17 formed in a mortar shape so as to surround the hollow part 15 and a wafer W formed concentrically above the edge 17 a of the base 17. A mounting section 18 and a cleaning mechanism 16 provided on the bottom 2a of the unloading section 2 are provided.
【0022】この洗浄機構16からは、研磨工程が終了
したウェーハW下面を洗浄するための洗浄用水が、ウェ
ーハW下面に当たるように鉛直上方向に噴射されるよう
になっている。また、この洗浄用水は、ウェーハWが装
着されていない状態の研磨ヘッドに対しても噴射するこ
とができるようになっている。これは研磨ヘッド下面を
乾燥させないようにするためであり、研磨ヘッド下面に
随時洗浄用水を噴射することによって、研磨工程で生じ
た研磨カスなどの異物のこびり付きは防止されている。
そのため、アンローディング部2は、研磨工程が終了し
たウェーハWを次工程に送るために位置L’に旋回され
た後に、研磨ヘッドに洗浄用水を噴射させるためにもし
くは次ヘッドのアンローディングの待機のために位置L
に旋回される。From the cleaning mechanism 16, cleaning water for cleaning the lower surface of the wafer W after the polishing process is jetted vertically upward so as to hit the lower surface of the wafer W. Further, the cleaning water can be jetted also to the polishing head where the wafer W is not mounted. This is to prevent the lower surface of the polishing head from drying, and by spraying cleaning water onto the lower surface of the polishing head as needed, it is possible to prevent foreign substances such as polishing debris generated in the polishing process from sticking.
Therefore, after the unloading unit 2 is turned to the position L ′ to send the wafer W after the polishing process to the next process, the unloading unit 2 injects cleaning water to the polishing head or waits for unloading of the next head. Position L for
Is turned.
【0023】図3、図5に示すように、基体部17の口
縁部17aの上面には、円環に沿うように凸部17bが
形成されている。また、ウェーハ載置部18の下面には
円環に沿うように凹部18aが形成されており、凸部1
7bと凹部18aとは係合されている。また、基体部1
7とウェーハ載置部18とはバネからなる作用力吸収機
構20によって連結されており、この作用力吸収機構
は、図2に示すように複数箇所設けられている。そし
て、ウェーハ載置部18は作用力吸収機構20の働きに
よって、基体部17を基準として上下方向に可動される
ようになっている。As shown in FIGS. 3 and 5, a projection 17b is formed on the upper surface of the edge 17a of the base 17 along the ring. A concave portion 18a is formed on the lower surface of the wafer mounting portion 18 along the ring, and the convex portion 1
7b and recess 18a are engaged. Also, the base part 1
The wafer 7 and the wafer mounting portion 18 are connected by an acting force absorbing mechanism 20 composed of a spring, and the acting force absorbing mechanism is provided at a plurality of locations as shown in FIG. The wafer mounting portion 18 can be moved up and down with respect to the base portion 17 by the function of the acting force absorbing mechanism 20.
【0024】図4に示すように、基体部17と旋回アー
ム先端部3aとは、第1ボルト32と第2ボルト33と
によって連結される部分が設けられている。そして、こ
れら第1ボルト32及び第2ボルト33を調節すること
により、旋回アーム先端部3aに対する基体部17の傾
きが調節されるようになっている。As shown in FIG. 4, the base portion 17 and the tip portion 3a of the turning arm are provided with a portion connected by a first bolt 32 and a second bolt 33. By adjusting the first bolt 32 and the second bolt 33, the inclination of the base portion 17 with respect to the turning arm tip 3a is adjusted.
【0025】ウェーハ載置部18の上部外縁側には、突
起状の当接部18bが円環に沿って形成されており、そ
の上面は平面状に形成されている。また、当接部18b
の内側はテーパ状に形成された係止部18cが形成され
ており、研磨工程が終了したウェーハWは、この係止部
18cの内側に係合されるようになっている。そして、
ウェーハWが研磨ヘッドから取り外される場合には、ウ
ェーハ載置部18の当接部18bを研磨ヘッドのリテー
ナリング下面に当接させる。研磨ヘッドからの吸着が解
かれたウェーハWは、ウェーハ載置部18の係止部18
cに案内されながらウェーハ載置部18上に落下し、係
止部18cの内側に係合される。A protruding contact portion 18b is formed along the ring on the outer peripheral side of the upper portion of the wafer mounting portion 18, and the upper surface thereof is formed in a planar shape. Also, the contact portion 18b
Is formed with a locking portion 18c formed in a tapered shape, and the wafer W after the polishing process is engaged with the inside of the locking portion 18c. And
When the wafer W is removed from the polishing head, the contact portion 18b of the wafer mounting portion 18 is brought into contact with the lower surface of the retaining ring of the polishing head. The wafer W released from the suction from the polishing head is transferred to the locking portion 18 of the wafer mounting portion 18.
c, falls on the wafer mounting portion 18 while being guided, and is engaged inside the locking portion 18c.
【0026】ウェーハ載置部18の近傍にはセンサ19
が設けられている。このセンサ19はウェーハWが載置
される部分を通過するように投光器19aと受光器19
bとが設置されており、ウェーハ載置部18にウェーハ
Wが載置されたかどうかを認識するようになっている。A sensor 19 is located near the wafer mounting portion 18.
Is provided. The sensor 19 is provided with a light projector 19a and a light receiver 19 so as to pass through a portion where the wafer W is placed.
b, and recognizes whether or not the wafer W is mounted on the wafer mounting portion 18.
【0027】このようなウェーハアンローディング装置
1によって、研磨ヘッドからウェーハWを受け取る場合
には、始めに、アンローディング部2をウェーハWの下
方に位置させるように、ローディング部2の旋回駆動源
であるピストン10を駆動させ、アンローディング部2
を位置Lまで旋回させる。そして、洗浄機構16から洗
浄用水を噴射させ、ウェーハWの研磨面や研磨ヘッド下
部を洗浄する。洗浄されることによって、ウェーハWの
下面や研磨ヘッド下部から異物が除去されるため、ウェ
ーハWはウェーハ載置部18に安定して載置されるとと
もに、異物によるウェーハWの傷付きを防止することが
できる。When the wafer W is received from the polishing head by the wafer unloading apparatus 1, first, the turning drive source of the loading unit 2 is used to position the unloading unit 2 below the wafer W. When a certain piston 10 is driven, the unloading section 2
Is turned to the position L. Then, cleaning water is jetted from the cleaning mechanism 16 to clean the polished surface of the wafer W and the lower portion of the polishing head. Since the cleaning removes foreign matter from the lower surface of the wafer W and the lower part of the polishing head, the wafer W is stably mounted on the wafer mounting portion 18 and prevents the wafer W from being damaged by the foreign matter. be able to.
【0028】ウェーハW下面及び研磨ヘッド下部が洗浄
された後、研磨ヘッドはリテーナリング下面にウェーハ
載置部18の当接部18bを当接させつつ、真空吸着に
よって吸着させていたウェーハWの吸着を解く。ウェー
ハWは研磨ヘッドによる吸着が解かれたため、ウェーハ
Wの下方に待機していたアンローディング部2のウェー
ハ載置部18上に落下される。このとき、ウェーハ載置
部18の上面は係止部18cによってテーパ状に形成さ
れているため、ウェーハWは落下した際、ウェーハ載置
部18の係止部18cに安定して係合されるようにな
る。After the lower surface of the wafer W and the lower portion of the polishing head have been cleaned, the polishing head holds the contact portion 18b of the wafer mounting portion 18 against the lower surface of the retainer ring while adsorbing the wafer W adsorbed by vacuum adsorption. Solve. Since the suction of the wafer W by the polishing head is released, the wafer W is dropped onto the wafer mounting unit 18 of the unloading unit 2 waiting below the wafer W. At this time, since the upper surface of the wafer mounting portion 18 is formed in a tapered shape by the locking portion 18c, when the wafer W falls, it is stably engaged with the locking portion 18c of the wafer mounting portion 18. Become like
【0029】研磨されたウェーハWを載置した状態のア
ンローディング部2は、ピストン10の駆動によって、
研磨ヘッドから離間するように位置L’まで旋回され
る。このとき、研磨工程の終了したウェーハWは、図6
に示すように、ロボットアーム40に受け取られた後、
次工程に搬送される。The unloading section 2 with the polished wafer W placed thereon is driven by the piston 10 to
It is turned to the position L 'so as to be separated from the polishing head. At this time, the wafer W after the polishing process is
As shown in the figure, after being received by the robot arm 40,
It is transported to the next process.
【0030】図6のように、このロボットアーム40
は、図示しない駆動手段によって昇降及び水平移動自在
に支持されており、例えば2mm程度の薄い板状に形成
されている。また、ロボットアーム40の先端部40a
には吸引機構が設けられており、この吸引機構によって
ウェーハWの上面は吸引され、ウェーハWはロボットア
ーム40に保持されるようになっている。そしてロボッ
トアーム40は、研磨工程の終了したウェーハWを受け
取るために、アンローディング部2の側方から接近し、
アンローディング部2の切欠部を通過して、吸引機構が
設けられた先端部40aを、アンローディング部2に載
置されているウェーハWの上方に位置させるように駆動
される。As shown in FIG. 6, this robot arm 40
Is supported by a driving unit (not shown) so as to be able to move up and down and move horizontally, and is formed in a thin plate shape of, for example, about 2 mm. Also, the tip portion 40a of the robot arm 40
Is provided with a suction mechanism. The suction mechanism sucks the upper surface of the wafer W, and the wafer W is held by the robot arm 40. Then, the robot arm 40 approaches from the side of the unloading unit 2 to receive the wafer W after the polishing process,
The distal end 40 a provided with the suction mechanism is driven so as to pass through the notch of the unloading unit 2 and to be positioned above the wafer W placed on the unloading unit 2.
【0031】そして、ウェーハWの上方に位置させたロ
ボットアーム40をウェーハWの上面に接近させ、ロボ
ットアーム40の先端部40aとウェーハW上面とを当
接させる。このとき、ロボットアーム40は、ウェーハ
Wの上面を安定して吸着するために、ウェーハWを押し
込むように当接される。この場合、ロボットアーム40
は薄い板状に形成されているため、ウェーハWを押し込
むことによって、ロボットアーム40にはモーメントが
作用し、ロボットアーム40は屈曲された状態となって
しまう。このため、ロボットアーム40とウェーハW上
面とは、かえって不安定に当接され、その結果、ロボッ
トアーム40とウェーハW上面との吸着力は低下されて
しまう。また、ウェーハWを吸着しようとする度に、ロ
ボットアーム40は屈曲を繰り返すこととなり、ロボッ
トアーム40の寿命低下にもつながる。Then, the robot arm 40 positioned above the wafer W is made to approach the upper surface of the wafer W, and the tip portion 40a of the robot arm 40 is brought into contact with the upper surface of the wafer W. At this time, the robot arm 40 is abutted so as to push the wafer W in order to stably attract the upper surface of the wafer W. In this case, the robot arm 40
Is formed in a thin plate shape, a moment acts on the robot arm 40 when the wafer W is pushed in, and the robot arm 40 is bent. For this reason, the robot arm 40 and the upper surface of the wafer W come into contact with each other in an unstable manner, and as a result, the attraction force between the robot arm 40 and the upper surface of the wafer W is reduced. Further, the robot arm 40 repeatedly bends each time the wafer W is to be sucked, which leads to a shortened life of the robot arm 40.
【0032】しかしながら、アンローディング部2のウ
ェーハ載置部18の下方には、上下方向の作用力を吸収
するための機構である、バネからなる作用力吸収機構2
0が複数箇所に設けられているため、ロボットアーム4
0がウェーハWを下方に押し込んでも、作用力吸収機構
20によってウェーハWも下方に移動される。そのた
め、薄板状に形成されたロボットアーム40に作用され
るモーメントは低減され、ロボットアーム40は屈曲さ
れること無く、ロボットアーム40の先端部40aとウ
ェーハWの上面とは安定して当接される。こうして、ロ
ボットアーム40は確実にウェーハWを保持することが
でき、ロボットアーム40に保持されたウェーハは確実
に次工程に搬送される。However, below the wafer mounting portion 18 of the unloading portion 2, the acting force absorbing mechanism 2 composed of a spring, which is a mechanism for absorbing the acting force in the vertical direction, is provided.
0 is provided at a plurality of positions, so that the robot arm 4
Even if 0 pushes the wafer W downward, the wafer W is also moved downward by the acting force absorbing mechanism 20. Therefore, the moment acting on the robot arm 40 formed in a thin plate shape is reduced, and the distal end portion 40a of the robot arm 40 and the upper surface of the wafer W are stably contacted without being bent. You. In this way, the robot arm 40 can surely hold the wafer W, and the wafer held by the robot arm 40 is surely transferred to the next process.
【0033】そして、ウェーハ載置部18には、載置さ
れるウェーハWの水平方向への移動を抑えるための係止
部18cが設けられたため、ウェーハWは安定してウェ
ーハ載置部18に載置される。Since the wafer mounting portion 18 is provided with a locking portion 18c for suppressing the horizontal movement of the wafer W to be mounted, the wafer W can be stably mounted on the wafer mounting portion 18. Is placed.
【0034】また、ウェーハ載置部18の平面中心に位
置させるように、研磨工程の終了したウェーハWを洗浄
するための洗浄機構16が設けられていることにより、
研磨工程が終了したウェーハW下面は、洗浄機構16に
よって洗浄され、研磨カス等の異物を取り除くことがで
きる。そのため、ウェーハWは安定してウェーハ載置部
18に載置されるとともに、異物によるウェーハWの傷
付きを防止することができる。また、この洗浄機構16
を備えたウェーハ載置部18は、研磨ヘッドの下方まで
旋回されるようになっており、研磨ヘッドにウェーハW
が装着されていない状態でも、ロボットアーム40にウ
ェーハWを受け渡したアンローディング部2は位置Lま
で旋回されるようになっている。そして、洗浄機構16
によって、ウェーハWが装着されていない状態の研磨ヘ
ッド下部に洗浄用水を噴射させることにより、研磨ヘッ
ド下部の乾燥は防止される。つまり、ウェーハW研磨時
において発生した研磨カス等の異物が研磨ヘッドに付着
し、それが乾燥してしまうと、前記異物は研磨ヘッドの
下部にこびりつき、後でそれを取り除くための洗浄に労
力を要するようになるが、洗浄機構16によって研磨ヘ
ッドを洗浄できるようにしたため、研磨ヘッドの乾燥は
防止され、メンテナンスを容易にすることができる。The cleaning mechanism 16 for cleaning the wafer W after the polishing step is provided so as to be located at the center of the plane of the wafer mounting portion 18.
The lower surface of the wafer W after the polishing step is cleaned by the cleaning mechanism 16 to remove foreign matters such as polishing debris. Therefore, the wafer W can be stably mounted on the wafer mounting portion 18, and the wafer W can be prevented from being damaged by foreign matter. The cleaning mechanism 16
The wafer mounting portion 18 provided with a wafer is turned to a position below the polishing head.
Is unmounted, the unloading unit 2 that has delivered the wafer W to the robot arm 40 is turned to the position L. And the cleaning mechanism 16
Thus, the cleaning water is sprayed to the lower portion of the polishing head where the wafer W is not mounted, so that the lower portion of the polishing head is prevented from drying. That is, when foreign matter such as polishing debris generated during the polishing of the wafer W adheres to the polishing head and dries, the foreign matter sticks to the lower portion of the polishing head, and labor is required for cleaning to remove it later. However, since the polishing head can be cleaned by the cleaning mechanism 16, drying of the polishing head is prevented and maintenance can be facilitated.
【0035】なお、図7に示すように、ウェーハ載置部
18の上部に第2洗浄機構21を取り付けてもよい。ウ
ェーハ載置部18の上部に第2洗浄機構21を設けるこ
とにより、研磨されたウェーハWは上下両面とも洗浄さ
れるとともに、次工程に搬送するためのロボットアーム
40が吸着される面であるウェーハW上面も洗浄される
ため、ロボットアーム40の異物による吸着力の低下を
防止することができる。Incidentally, as shown in FIG. 7, a second cleaning mechanism 21 may be attached to the upper portion of the wafer mounting portion 18. By providing the second cleaning mechanism 21 on the upper part of the wafer mounting part 18, the polished wafer W is cleaned on both upper and lower surfaces, and the wafer on which the robot arm 40 for transferring to the next process is sucked. Since the upper surface of the W is also cleaned, it is possible to prevent a decrease in the attraction force of the robot arm 40 due to foreign matter.
【0036】[0036]
【発明の効果】本発明のウェーハアンローディング装置
及びウェーハの製造方法は、以下のような効果を有する
ものである。 (1)ウェーハ載置部には該ウェーハ載置部に作用する
上下方向の力を吸収するための機構である作用力吸収機
構が設けられたため、ロボットアームがウェーハを下方
に押し込んでも、作用力吸収機構によってウェーハも下
方に移動される。そのため、薄板状に形成されたロボッ
トアームに作用されるモーメントは低減され、ロボット
アームは屈曲されること無くその先端部とウェーハの上
面とを安定して当接させることができ、ロボットアーム
は確実にウェーハを保持することができる。 (2)前記ウェーハ載置部には、載置されるウェーハの
水平方向への移動を抑えるための係止部が設けられたた
め、ウェーハは安定してウェーハ載置部に載置される。 (3)ウェーハ載置部の平面中心近傍には、研磨工程の
終了したウェーハを洗浄するための洗浄機構が設けられ
ていることにより、研磨工程が終了したウェーハ下面
は、前記洗浄機構によって洗浄され、研磨カス等の異物
を取り除くことができる。そのため、ウェーハは安定し
てウェーハ載置部に載置されるとともに、異物によるウ
ェーハの傷付きを防止することができる。また、この洗
浄機構を備えたウェーハ載置部は、研磨ヘッドの下方に
旋回されるようになっており、ウェーハが装着されてい
ない状態の研磨ヘッドの下方へも旋回されるようになっ
ている。そして、前記洗浄機構によって、ウェーハが装
着されていない状態の研磨ヘッド下部に洗浄用水を噴射
させることにより、研磨ヘッド下部の乾燥は防止され
る。つまり、ウェーハ研磨時において発生した研磨カス
等の異物が研磨ヘッドに付着しそれが乾燥してしまう
と、前記異物は研磨ヘッドの下部にこびりつき、後でそ
れを取り除くための洗浄に労力を要するようになるが、
前記洗浄機構によって研磨ヘッドを洗浄できるようにし
たため、研磨ヘッドの乾燥は防止され、メンテナンスを
容易にすることができる。 (4)ウェーハ載置部の上部に第2洗浄機構を設けるこ
とにより、研磨されたウェーハは上下両面とも洗浄され
るとともに、次工程に搬送するためのロボットアームが
吸着される面であるウェーハ上面も洗浄されるため、ロ
ボットアームの異物による吸着力の低下を防止すること
ができる。 (5)ウェーハの水平方向への移動を係止するための係
止部を備えた円盤状のウェーハ載置部と、前記ウェーハ
載置部に作用する上下方向の力を吸収するための作用力
吸収機構と、研磨されたウェーハ及び研磨ヘッド下部を
洗浄するための前記ウェーハ載置部平面中心近傍に設け
られた洗浄機構と、前記ウェーハ載置部上端に設けられ
研磨ヘッドから取り外されたウェーハの上面を洗浄する
ための第2洗浄機構とを備えたアンローディング部を、
研磨工程を終えたウェーハを装着している研磨ヘッドの
下方に配置させるとともに前記洗浄機構より洗浄溶液を
噴射させて前記ウェーハ下面及び研磨ヘッド下部を洗浄
し、次いで、前記ウェーハをウェーハ載置部に載置させ
るとともに該ウェーハの上面を前記第2洗浄機構によっ
て洗浄し、前記上下面が洗浄されたウェーハを、次工程
のロボットアームに前記作用力吸収機構によって上下方
向の力を吸収させつつ受け渡した後、再びアンローディ
ング部を研磨ヘッドの下方に配置させて前記洗浄機構に
よって前記研磨ヘッド下部を洗浄することを特徴とする
ウェーハの製造方法によって製造することにより、研磨
工程後のウェーハは、その上下面を洗浄されてから次工
程に受け渡されるため、ウェーハの傷付きは防止され
る。また、ウェーハ未装着状態の研磨ヘッドは、前記洗
浄機構によって適宜洗浄されるようになっているため、
研磨ヘッドの乾燥を防止して研磨カスのこびり着きを防
ぐとともに、ウェーハ装着時におけるウェーハの傷付き
も無くすことができる。The wafer unloading apparatus and wafer manufacturing method of the present invention have the following effects. (1) Since the acting force absorbing mechanism, which is a mechanism for absorbing a vertical force acting on the wafer placing portion, is provided in the wafer placing portion, even if the robot arm pushes the wafer downward, the acting force is reduced. The absorption mechanism also moves the wafer downward. Therefore, the moment acting on the robot arm formed in a thin plate shape is reduced, the robot arm can be stably brought into contact with the top end of the wafer without bending, and the robot arm can be reliably mounted. Can hold the wafer. (2) The wafer mounting portion is provided with a locking portion for suppressing the horizontal movement of the mounted wafer, so that the wafer is stably mounted on the wafer mounting portion. (3) Since a cleaning mechanism for cleaning the wafer after the polishing process is provided near the center of the plane of the wafer mounting portion, the lower surface of the wafer after the polishing process is cleaned by the cleaning mechanism. In addition, foreign substances such as polishing residues can be removed. Therefore, the wafer can be stably mounted on the wafer mounting portion, and the wafer can be prevented from being damaged by foreign matter. Further, the wafer mounting portion provided with the cleaning mechanism is configured to be pivoted below the polishing head, and is also pivoted below the polishing head where no wafer is mounted. . The cleaning mechanism sprays cleaning water onto the lower portion of the polishing head where no wafer is mounted, thereby preventing the lower portion of the polishing head from drying. In other words, when foreign matter such as polishing debris generated during wafer polishing adheres to the polishing head and dries, the foreign matter sticks to the lower portion of the polishing head, and requires labor for cleaning to remove it later. But
Since the polishing head can be cleaned by the cleaning mechanism, drying of the polishing head is prevented and maintenance can be facilitated. (4) By providing the second cleaning mechanism on the upper part of the wafer mounting part, the polished wafer is cleaned on both upper and lower surfaces, and the upper surface of the wafer on which the robot arm for transferring to the next process is sucked. Is also cleaned, so that it is possible to prevent a decrease in the attraction force of the robot arm due to foreign matter. (5) A disk-shaped wafer mounting portion provided with a locking portion for locking the wafer in the horizontal direction, and an acting force for absorbing a vertical force acting on the wafer mounting portion. An absorption mechanism, a cleaning mechanism provided near the center of the wafer mounting unit plane for cleaning the polished wafer and the lower part of the polishing head, and a cleaning mechanism provided at the upper end of the wafer mounting unit and removed from the polishing head. An unloading unit having a second cleaning mechanism for cleaning the upper surface,
The wafer after the polishing process is disposed below the polishing head mounted thereon and the cleaning mechanism is sprayed from the cleaning mechanism to wash the lower surface of the wafer and the lower portion of the polishing head, and then the wafer is placed on the wafer mounting portion. The wafer was placed and the upper surface of the wafer was cleaned by the second cleaning mechanism, and the wafer whose upper and lower surfaces were cleaned was transferred to the robot arm of the next process while absorbing the vertical force by the acting force absorbing mechanism. After that, the wafer after the polishing process is placed on the polishing head by manufacturing the wafer by a method of manufacturing the wafer, wherein the unloading part is disposed below the polishing head again and the lower part of the polishing head is cleaned by the cleaning mechanism. Since the lower surface is transferred to the next process after being cleaned, the wafer is prevented from being damaged. In addition, the polishing head in the non-wafer mounted state is to be appropriately cleaned by the cleaning mechanism,
It is possible to prevent the polishing head from drying and prevent polishing residues from sticking, and it is also possible to prevent the wafer from being damaged when the wafer is mounted.
【図1】本発明のウェーハアンローディング装置の実施
形態の一例を示す側方断面図である。FIG. 1 is a side sectional view showing an example of an embodiment of a wafer unloading device of the present invention.
【図2】図1の上方から見た平面図である。FIG. 2 is a plan view seen from above in FIG. 1;
【図3】図2のA−A断面図のうち口縁部近傍を説明す
る図である。FIG. 3 is a view for explaining the vicinity of an edge in the AA sectional view of FIG. 2;
【図4】図2のB−B断面図である。FIG. 4 is a sectional view taken along line BB of FIG. 2;
【図5】図2のC−C断面図のうち口縁部近傍を説明す
る図である。FIG. 5 is a view for explaining the vicinity of the rim in the CC cross-sectional view of FIG. 2;
【図6】ウェーハがロボットアームに吸着される様子を
説明する図である。FIG. 6 is a diagram illustrating how a wafer is attracted to a robot arm.
【図7】第2洗浄機構を説明する図である。FIG. 7 is a diagram illustrating a second cleaning mechanism.
【図8】ウェーハが研磨ヘッドに保持された様子を説明
する図である。FIG. 8 is a diagram illustrating a state where a wafer is held by a polishing head.
【図9】ロボットアームが屈曲される様子を説明する図
である。FIG. 9 is a diagram illustrating how the robot arm is bent.
1 アンローディング装置 2 アンローディング部 2a アンローディング部底部 3 旋回アーム 3a 旋回アーム先端部 4 旋回軸 4a 旋回軸下端部 5 アーム昇降機構 5a ガイド部 6 外筒部 7 外筒支持部 10 ピストン(旋回駆動源) 15 中空部 16 洗浄機構 17 基体部 17a 口縁部 17b 凸部 18 ウェーハ載置部 18b 当接部 18c 係止部 19 センサ 20 作用力吸収機構 21 第2洗浄機構 40 ロボットアーム 40a ロボットアーム先端部 W ウェーハ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Unloading device 2 Unloading part 2a Unloading part bottom part 3 Revolving arm 3a Revolving arm tip part 4 Revolving shaft 4a Revolving shaft lower end part 5 Arm elevating mechanism 5a Guide part 6 Outer cylinder part 7 Outer cylinder support part 10 Piston (rotation drive Source) 15 Hollow part 16 Cleaning mechanism 17 Base part 17a Edge part 17b Convex part 18 Wafer placing part 18b Contact part 18c Lock part 19 Sensor 20 Working force absorption mechanism 21 Second cleaning mechanism 40 Robot arm 40a Robot arm tip Part W Wafer
フロントページの続き (72)発明者 海藤 義衛 埼玉県大宮市北袋町1丁目297番地 三 菱マテリアル株式会社 総合研究所内 (56)参考文献 特開 平7−223142(JP,A) 特開 平8−153693(JP,A) 特開 平6−275582(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/304 H01L 21/68 Continuation of the front page (72) Inventor Yoshie Kaito 1-297 Kitabukuro-cho, Omiya City, Saitama Prefecture Mitsubishi Materials Co., Ltd. (56) References JP-A-7-223142 (JP, A) JP-A-8 -153693 (JP, A) JP-A-6-275582 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 21/304 H01L 21/68
Claims (3)
ウェーハを研磨ヘッドから受け取り、次工程の薄板状の
ロボットアームに受け渡すためのウェーハアンローディ
ング装置であって、 前記ウェーハを載置するための、平面円形状に形成され
たアンローディング部と、 前記アンローディング部を前記研磨ヘッド下方と前記ロ
ボットアーム近傍との間で旋回支持する旋回アームと、 該旋回アームを前記アンローディング部とともに昇降自
在に支持するアーム昇降機構と、 前記旋回アームを旋回駆動させるための旋回駆動源とを
備え、 前記アンローディング部は、ウェーハの水平方向への移
動を係止するための係止部を備えた円盤状のウェーハ載
置部と、 前記ウェーハ載置部に作用する上下方向の力を吸収する
ための作用力吸収機構と、 研磨されたウェーハ及び研磨ヘッド下部を洗浄するため
の前記ウェーハ載置部平面中心近傍に設けられた洗浄機
構とを具備し、 前記洗浄機構が設けられたアンローディング部は、前記
研磨ヘッド下部及びウェーハを洗浄するために旋回され
ることを特徴とするウェーハアンローディング装置。1. A wafer unloading device for receiving a polished wafer attached to a polishing head from a polishing head, and delivering the polished wafer to a thin-plate robot arm in a next process, wherein the wafer is loaded. An unloading section formed in a plane circular shape; a turning arm for turning and supporting the unloading section between the lower portion of the polishing head and the vicinity of the robot arm; and a vertically movable turning arm with the unloading section. An arm lifting mechanism for supporting; a turning drive source for turning the turning arm; and a disc-shaped unloading section having a locking section for locking the movement of the wafer in the horizontal direction. A wafer mounting portion, an acting force absorbing mechanism for absorbing a vertical force acting on the wafer mounting portion, A cleaning mechanism provided in the vicinity of the center of the wafer mounting unit plane for cleaning the wafer and the polishing head lower part, wherein the unloading part provided with the cleaning mechanism cleans the polishing head lower part and the wafer. A wafer unloading device, which is turned for cleaning.
ドから取り外されたウェーハの上面を洗浄するための第
2洗浄機構が設けられたことを特徴とする請求項1に記
載のウェーハアンローディング装置。2. The wafer unloading device according to claim 1, wherein a second cleaning mechanism for cleaning an upper surface of the wafer removed from the polishing head is provided at an upper end of the wafer mounting portion. apparatus.
ための係止部を備えた円盤状のウェーハ載置部と、 前記ウェーハ載置部に作用する上下方向の力を吸収する
ための作用力吸収機構と、 研磨されたウェーハ及び研磨ヘッド下部を洗浄するため
の前記ウェーハ載置部平面中心近傍に設けられた洗浄機
構と、 前記ウェーハ載置部上端に設けられ研磨ヘッドから取り
外されたウェーハの上面を洗浄するための第2洗浄機構
とを備えたアンローディング部を、 研磨工程を終えたウェーハを装着している研磨ヘッドの
下方に配置させるとともに前記洗浄機構より洗浄溶液を
噴射させて前記ウェーハ下面及び研磨ヘッド下部を洗浄
し、 次いで、前記ウェーハをウェーハ載置部に載置させると
ともに該ウェーハの上面を前記第2洗浄機構によって洗
浄し、 前記上下面が洗浄されたウェーハを、次工程のロボット
アームに前記作用力吸収機構によって上下方向の力を吸
収させつつ受け渡した後、 再びアンローディング部を研磨ヘッドの下方に配置させ
て前記洗浄機構によって前記研磨ヘッド下部を洗浄する
ことを特徴とするウェーハの製造方法。3. A disk-shaped wafer mounting portion provided with a locking portion for locking horizontal movement of a wafer, and a vertical force acting on the wafer mounting portion for absorbing a vertical force acting on the wafer mounting portion. An acting force absorbing mechanism, a cleaning mechanism provided near the center of the wafer mounting section plane for cleaning the polished wafer and the lower portion of the polishing head, and a cleaning mechanism provided at the upper end of the wafer mounting section and removed from the polishing head. An unloading unit having a second cleaning mechanism for cleaning the upper surface of the wafer is disposed below the polishing head on which the wafer after the polishing step is mounted, and a cleaning solution is sprayed from the cleaning mechanism. Cleaning the lower surface of the wafer and the lower portion of the polishing head, and then mounting the wafer on the wafer mounting portion and cleaning the upper surface of the wafer by the second cleaning mechanism After transferring the wafer whose upper and lower surfaces have been cleaned to the robot arm of the next process while absorbing the vertical force by the acting force absorbing mechanism, the unloading unit is disposed below the polishing head again to perform the cleaning. A method of manufacturing a wafer, wherein a lower portion of the polishing head is cleaned by a mechanism.
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