KR200225021Y1 - 기밀성이 향상된 댐퍼 - Google Patents

Abstract

1. 청구범위에 기재된 고안이 속한 기술분야

반도체 장비의 댐퍼

2. 고안이 해결하려고 하는 기술적 과제

본 고안은 댐퍼의 조립시 조립 공차를 줄이면서도 댐퍼 블레이드의 작동을 원할하게 함과 동시에 몸체와 블레이드 사이의 기밀성도 증가되도록 한 반도체 장비의 댐퍼를 제공하는데 그 목적이 있다.

3. 발명의 해결방법 요지

본 고안은 하우징; 그 양단이 베어링에 지지되어 상기 하우징을 가로질러 장착된 샤프트; 상기 샤프트를 중심축으로 회전가능하게 설치되어 가스 흐름을 조절하는 댐퍼 블레이드; 및 상기 댐퍼 블레이드의 단부가 면하는 상기 샤프트상에 설치되어 상기 댐퍼 블레이드를 탄성적으로 지지하는 탄성부재를 포함하는 댐퍼를 제공한다.

4. 발명의 중요한 용도

반도체 장비에서 미반응가스들을 중화시키기 위해 스크러버로 제공되는 가스의 흐름량을 조절하는 댐퍼로 사용할 수 있는 것임

Description

기밀성이 향상된 댐퍼{DAMPER HAVING A INCREASED AIRTIGHTNESS}

본 고안은 반도체 제조 장비에 설치되는 댐퍼에 관한 것으로, 특히 댐퍼 블레이드의 동작을 원할하게 함과 동시에, 높은 기밀성을 제공하며, 조립 공차를 줄여 조립성을 향상시킨 댐퍼에 관한 것이다.

일반적으로, 화학 가스를 이용하는 공정(예컨대, 화학 기상 증착 공정등)을 행하는 반도체 제조 장비에 있어서는, 가공하고자 하는 웨이퍼를 여러 공정들에 적용시켜 웨이퍼의 표면상에 전기적인 특성을 갖는 패턴을 형성시키는 것이 필요하며, 이러한 반도체 장치의 효율적인 제조를 위하여는 일정한 수준으로 청정화된 정화공기를 순환시키고, 배기가스를 배기시키기 위한 공기조화시스템이 요구된다.

특히, 웨이퍼의 표면에 패턴을 형성시키기 위한 여러 공정들 중에서 특히 식각공정, 에칭공정 및 에픽텍셜공정 등은 여러 반응가스들의 공급에 의한 웨이퍼와의 반응이 수반되며, 충분히 양호한 수율을 얻기 위하여는 반응가스들의 공급량을 필요이상의 과량으로 공급하는 것이 일반적이다. 따라서, 반응 후의 부산물이나 미반응가스 등이 배기가스에 포함되어 방출되는 것이 필연적이다.

이러한 반응 후의 부산물 혹은 미반응가스들을 포함하는 배기가스가 그대로 대기중으로 방출되는 경우에는 심각한 환경오염의 원인이 될 수 있기 때문에 반도체용 공기조화시스템의 설계에서는 이러한 배기 중, 반응 후의 부산물이나 미반응가스들을 포집하기 위하여 배기라인에 댐퍼 및 스크러버를 구비한다.

도 1 은 일반적인 반도체 제조 장비 시스템을 개략적으로 설명하기 위하여 도시한 구성도로서, 이를 간단히 설명하면 다음과 같다.

도면에서 1 은 반응 챔버를 보인 것으로, 반응 작용 후 가스가 배출되는 배관(2)이 연결되어 있다.

그리고, 상기 배관(2) 타측에는 그 내부에 블레이드를 장착시켜 소정의 조절수단(미도시)에 의해 그 블레이드의 각도를 조절하여 반응챔버(1)로부터 유입되는 가스의 흐름량을 조절하는 댐퍼(3)가 설치되며, 상기 댐퍼(3)의 토출 배관(4)측에는 유입되는 미반응 가스를 중화시키기 위한 스크러버(5)가 배치되어 있으며, 상기 스크러버(5)를 거쳐 중화된 가스는 배기관(4')을 통해 송풍기(6)에 의해 옥외로 배출되게 된다.

상기 댐퍼(3)는 그 내부에 복수개의 블레이드(미도시)가 설치되어 반응 챔버(1)로부터 스크러버(5)로 공급되는 가스의 흐름량을 조절하는 것이며, 상기 댐퍼(3)와 스크러버(5)는 진공 펌프(2)로 부터 복수의 배기관에 의해 복수개로 연결될 수 있다.

이하, 종래 기술에 의한 댐퍼의 구성을 도 2a 및 도 2b 를 참조하여 설명하면 다음과 같다.

도2a 및 도2b 는 종래 기술에 의한 댐퍼의 구조를 도시한 것으로, 댐퍼 핸들의 조작으로 각각 댐퍼가 열린 상태와 닫힌 상태를 도시한 내부 단면도이다.

이에 도시한 바와 같이, 종래 기술에 의한 댐퍼(3)는 사각 덕트의 하우징(10)과, 상기 하우징(10)의 내부 중앙부에 설치되어 상기 지지하는 보강부재(10a)와, 상기 하우징(10)의 내부를 가로질러 장착되되, 그 양단이 베어링(11a)에 지지되는 샤프트(11)와, 상기 각 샤프트(11)를 중심축으로하여 결합편(12a)를 매개로 회전가능하게 설치되어 가스흐름을 조절하는 댐퍼 블레이드(12)와, 상기 하우징(10)의 외부 일측에 설치되어 상기 댐퍼 블레이드(12)의 회전각도를 조절하는 댐퍼 핸들(미도시)로 구성된다.

여기에서, 상기 각 샤프트(11)의 일단을 각각 연결하는 링크로드로 연결되며, 상기 댐퍼 핸들이 이 링크로드와 연결된 엑츄이이터를 구동시켜 댐퍼 블레이드(12)의 회전각도를 조절하고, 그 조절량은 지침기에 의해 표시되는 것으로, 이에 대해서 자세한 설명은 생략한다.

이와 같이 구성된 댐퍼(3)는 반응 챔버(1)의 작동 조건이나 댐퍼의 동작 유무에 따라서, 반응 챔버(1)로부터 스크러버(5)로 제공되는 가스의 흐름을 댐퍼 핸들(미도시)에 의한 조작으로 회전하는 블레이드(12)를 통하여 조절하며, 그 댐퍼의 차폐 정도는 하우징(10)의 외측에 설치된 지침기(미도시)에 의해 알 수 있다.

즉, 도 2a와 같이, 유체 흐름방향과 평행하도록 댐퍼 블레이드(12)를 조절하면 댐퍼(5)는 완전히 열린상태가 되고, 도2b와 같이, 댐퍼 블레이드(12)를 회전시켜 공기 흐름방향과 직교하도록 댐퍼 블레이드(12)를 조절하면 댐퍼(3)는 닫힌 상태가 된다.

여기에서, 상기 댐퍼(3)의 가장 크게 영향을 미치는 것은 댐퍼(3)가 닫혔을 시, 기밀성이 어느 정도 유지되는가 하는 것이다.

다시 말해서, 종래 기술에 의하면, 하우징(10)과 댐퍼 블레이드(12) 사이(t1) 및 보강부재(10a)와 댐퍼 블레이드(12) 사이(t2), 즉 구동축상의 댐퍼 블레이드(12)와 하우징(10) 또는 보강부재(10a)의 사이(t1, t2)는 최소한의 간극을 가져야만 한다. 이는 댐퍼 블레이드(12)의 차폐 구동 시, 그 블레이드(12)의 단부가 면하는 하우징(10) 또는 보강부재(10a)와 마찰이 없어야만 원할한 구동이 이루어지기 때문이다.

그러나, 상기와 같은 종래의 댐퍼 구조는, 구동축상의 댐퍼 블레이드와 하우징 또는 보강부재의 사이는 최소한의 공극을 가져야만 하기 때문에, 댐퍼를 닫았을 경우, 그 공극으로 인해 댐퍼의 기밀성을 유지하지 못하게 되어 댐퍼의 신뢰성이 저하되는 문제점이 있었다.

또한, 댐퍼 블레이드와 하우징 또는 보강부재의 간극을 최소화 하도록 조립 공차를 줄이면, 조립 공정이 어려워 생산성이 떨어지게 되고, 댐퍼 블레이드의 동작이 원할하게 이루어지지 않은 문제점이 있었다.

따라서, 상기의 제반 문제점을 해결하기 위하여 제안된 본 고안은, 댐퍼 블레이드의 조립 시, 하우징과 댐퍼 블레이드의 조립 공차를 줄이면서도 조립을 용이하게 할 수 있도록 하고, 댐퍼 블레이드의 작동을 원할하게 함과 동시에 하우징와 블레이드 사이의 기밀성도 증가되도록 한 댐퍼를 제공하는데 그 목적이 있다.

도 1 은 일반적인 반도체 제조 장비 시스템을 개략적으로 설명하기 위하여 도시한 구성도.

도 2a 는 종래 기술에 의한 댐퍼 구조를 도시한 것으로, 댐퍼 핸들의 조작으로 댐퍼가 열려 있는 상태를 나타낸 내부 단면도.

도 2b 는 종래 기술에 의한 댐퍼 구조를 도시한 것으로, 댐퍼 핸들의 조작으로 댐퍼가 닫혀 있는 상태를 나타낸 내부 단면도.

도 3a 는 본 발명에 따른 댐퍼 구조를 도시한 것으로, 댐퍼 핸들의 조작으로 댐퍼가 열려 있는 상태를 나타낸 내부 단면도.

도 3b 는 본 발명에 따른 댐퍼 구조를 도시한 것으로, 댐퍼 핸들의 조작으로 댐퍼가 닫혀 있는 상태를 나타낸 내부 단면도.

도 4 는 도 3a 의 A 부 상세도.

도 5 는 도 3a 의 B부 상세도.

도 6 은 본 발명에 의한 댐퍼의 요부 구성인 탄성부재를 도시한 사시도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *

100: 댐퍼 50: 하우징

51: 보강부재 52: 샤프트

52a: 베어링 53: 댐퍼 블레이드

53a: 결합편 54: 탄성부재

상기의 목적을 달성하기 위한 본 고안에 의한 댐퍼는, 하우징; 그 양단이 베어링에 지지되어 상기 하우징을 가로질러 장착된 샤프트; 상기 샤프트를 중심축으로 회전가능하게 설치되어 가스 흐름을 조절하는 댐퍼 블레이드; 및 상기 댐퍼 블레이드의 단부가 면하는 상기 샤프트상에 설치되어 상기 댐퍼 블레이드를 탄성적으로 지지하는 탄성부재를 포함한다.

상기 탄성부재는 아치형의 판 스프링 형태로 형성된다.

상기 댐퍼 블레이드가 열려 있을 경우에는, 그 단부가 상기 판 스프링에 점접촉되고, 상기 댐퍼 블레이드가 닫혀 있을 경우에는, 그 단부가 상기 판 스프링에 선 접촉된다.

상기 탄성부재는 섬유강화플라스틱 재질로 형성된다.

상기 하우징의 내부에 설치되어 상기 하우징을 보강하는 보강부재; 상기 각 샤프트의 일단을 각각 연결하는 링크로드; 상기 하우징의 외측에 위치하며, 상기 링크로드와 연결되는 엑츄에이터; 상기 엑츄에이터와 연결되어 상기 링크 로드를 구동시켜 상기 댐퍼 블레이드의 차폐 각도를 조절하는 댐퍼 핸들; 및 상기 댐퍼 핸들 일측에 설치되어 상기 댐퍼 블레이드의 차폐 각도를 표시하는 지침기를 더 포함한다.

이하, 본 고안에 따른 반도체 장비의 댐퍼 커버의 실시예를 참조도면을 참조하여 설명하며 종래와 동일 구성에 대해서는 동일부호를 부여하였다.

도 3a 및 도 3b 는 본 발명에 따른 반도체 장비의 댐퍼 구조를 도시한 것으로, 각각 댐퍼 핸들의 조작으로 댐퍼가 열려 있는 상태를 나타낸 내부 단면도 및 댐퍼가 닫혀 있는 상태를 나타낸 내부 단면도이다.

도 4 는 도 3a 의 A 부 상세도이고, 도 5 는 도 3a 의 B부 상세도이다.

이에 도시한 바와 같이, 본 발명에 의한 댐퍼(100)는, 하우징(50)과, 상기 하우징(50)의 내부 중앙부에 설치되어 상기 하우징(50)을 보강 지지하는 보강부재(51)와, 상기 하우징(50)의 내부에 그 양단이 베어링(52a)에 지지되어 축설되는 복수개의 샤프트(52)와, 상기 각 샤프트(52)를 중심축으로하여 결합편(53a)를 매개로 설치되는 복수개의 댐퍼 블레이드(53)와, 중앙부에 관통공이 형성되어 상기 댐퍼 블레이드(53)의 단부가 면하는 상기 샤프트(52)의 축상에 설치되어 상기 댐퍼 블레이드(53)를 탄성적으로 지지하는 탄성부재(54)와, 상기 하우징(50)의 외부 일측에 설치되어 댐퍼 블레이드(53)의 회전각도를 조절하는 댐퍼 핸들(미도시)로 구성된다.

여기에서, 상기 각 샤프트(52)의 일단에는 링크로드가 연결되고, 이 링크로드는 엑츄에이터에 의해 상기 댐퍼 핸들과 연결되어 댐퍼 블레이드의 회전 각도를 조절하는 것으로, 자세한 설명은 생략한다.

도 6 은 탄성부재를 도시한 사시도로서, 상기 탄성부재(54)는 아치형의 판 스프링 형태로 형성되며, 그 재질로는 섬유강화플라스틱, 즉 FRP로 하는 것이 바람직하다.

이와 같이 구성된 댐퍼(100)는 반응 챔버(1)의 작동 조건이나 댐퍼의 동작 유무에 따라서, 반응 챔버(1)로부터 스크러버(5)로 제공되는 가스의 흐름을 댐퍼 핸들(미도시)에 의한 조작으로 블레이드(53)의 각도를 조절하여 댐퍼를 차폐함으로써 가스 흐름량을 조절하며, 그 댐퍼의 차폐 정도는 하우징(50)의 외측에 설치된 지침기(미도시)에 의해 알 수 있다.

즉, 도 3a와 같이, 댐퍼 블레이드(53)를 조절하여 가스 흐름방향과 평행하도록 하면, 상기 댐퍼 블레이드(53)의 단부는 텐션 플레이트(54)의 중앙점에 선접촉하는 상태로서, 댐퍼(100)는 완전히 열린 상태가 되고, 도3b와 같이, 댐퍼 블레이드(53)를 회전시켜 공기 흐름방향과 직교하도록 하면 상기 댐퍼 블레이드(53)의 단부는 텐션 플레이트(54)와 선접촉되는 상태로 되어 댐퍼(100)는 닫힌 상태가 된다.

여기에서, 상기 댐퍼(100)가 완전히 차폐되기 전까지는 상기 댐퍼 블레이드(53)의 단부는 텐션 플레이트(54)는 점 접촉되어 있고 탄성적으로 지지되어 있는 상태로 그 회전동작이 원할하게 이루어질 수 있는 것이다.

또한, 댐퍼(100)의 닫을 경우, 상기 댐퍼 플레이트(53)의 단부가 텐션 플레이트(54)와 선 접촉하는 상태로 밀착되어 높은 기밀성을 유지하게 된다.

또한, 댐퍼 블레이드(53)가 텐션 플레이트(54)에 의해 탄성 지지되면서 조립되기 때문에 조립이 용이해진다.

이상에서 설명한 본 고안에 따른 반도체 장비의 댐퍼 커버는 다음의 실용실안등록청구범위 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 고안의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 고안이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 이루어질 수 있는 여러가지 치환, 변형 및 변경도 본 고안의 범위에 속하는 것이다.

상기와 같이 이루어지는 본 고안에 따르면, 댐퍼 블레이드의 단부가 면하는 샤프트 상에 텐션 플레이트를 구비하여, 회전 구동부 접촉면의 마찰손실을 최대한 줄여 댐퍼의 차폐동작을 원할히 한 효과가 있다.

또한, 댐퍼의 제품 조립 시, 조립 공차를 맞추기가 용이해져 생산성이 향상되며, 하우징과 블레이드 사이의 공급을 최소화하여 기밀성을 향상시킨 효과가 있다.

Claims (5)

1. 하우징;

   그 양단이 베어링에 지지되어 상기 하우징을 가로질러 장착된 샤프트;

   상기 샤프트를 중심축으로 회전가능하게 설치되어 가스 흐름을 조절하는 댐퍼 블레이드; 및

   상기 댐퍼 블레이드의 단부가 면하는 상기 샤프트상에 설치되어 상기 댐퍼 블레이드를 탄성적으로 지지하는 탄성부재

   를 포함하는 기밀성이 댐퍼.
2. 제1항에 있어서,

   상기 탄성부재는

   아치형의 판 스프링 형태로 형성되는 기밀성이 향상된 댐퍼.
3. 제2항에 있어서,

   상기 댐퍼 블레이드가 열려 있을 경우에는, 그 단부가 상기 판 스프링에 점접촉되고, 상기 댐퍼 블레이드가 닫혀 있을 경우에는, 그 단부가 상기 판 스프링에 선 접촉되는 댐퍼.
4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항 있어서,

   상기 탄성부재는

   섬유강화플라스틱 재질로 형성되는 기밀성이 향상된 댐퍼.
5. 제1항에 있어서,

   상기 하우징의 내부에 설치되어 상기 하우징을 보강하는 보강부재;

   상기 각 샤프트의 일단을 각각 연결하는 링크로드;

   상기 하우징의 외측에 위치하며, 상기 링크로드와 연결되는 엑츄에이터;

   상기 엑츄에이터와 연결되어 상기 링크 로드를 구동시켜 상기 댐퍼 블레이드의 차폐 각도를 조절하는 댐퍼 핸들; 및

   상기 댐퍼 핸들 일측에 설치되어 상기 댐퍼 블레이드의 차폐 각도를 표시하는 지침기

   를 더 포함하는 기밀성이 향상된 댐퍼.