KR200208503Y1 - Apparatus for protecting back drift of fume of wet processing apparatus - Google Patents
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Abstract
본 고안은 습식처리장치의 휴움 역류방지장치에 관한 것으로, 모듈 싱크와 습식처리용기가 내측에 설치되며 저면에 삽입구가 형성된 싱크용기와, 삽입구의 상단에 지지되도록 설치되어 화학용액에 포함된 이물질을 여과시키는 다수의 여과홀이 형성된 여과부재와, 여과부재의 저면에 일체로 형성되어 삽입구의 내측으로 설치됨과 아울러 하단에 다수의 배출홀이 형성되며 내측으로 다수의 배출홀이 형성된 높이와 동일하게 소정거리로 이격시켜 배출차단막을 일체로 형성하여 배출되는 화학용액의 휴움의 역류를 방지하는 역류방지부재로 구성하여, 습식처리장치의 배출구를 통해서 배출되는 화학용액을 트랩 공간에 채워 배출시킴으로써 트랩 공간에 채워진 화학용액에 의해 화학용액의 휴움이 역류되는 것을 방지하여 작업자들이 쾌적하고 안전한 분위기에서 습식처리장치를 이용하여 작업할 수 있도록 함에 있다.The present invention relates to a device for preventing back flow of a wet treatment apparatus, and a sink and a wet treatment vessel installed inside and a sink container formed with an insertion hole at a bottom thereof, and installed so as to be supported on an upper end of the insertion hole to remove foreign substances contained in a chemical solution. The filtering member is formed with a plurality of filtration holes for filtration, and integrally formed on the bottom of the filtration member is installed to the inside of the insertion hole, a plurality of discharge holes are formed at the bottom and the same as the height formed with a plurality of discharge holes inward It is composed of a backflow prevention member that prevents the backflow of the chemical solution discharged by forming a discharge blocking film integrally by separating the distance to a distance, and filling the trap space by filling the trap space with the chemical solution discharged through the outlet of the wet processing apparatus. Workers are comfortable and safe by preventing backflow of chemical solution by the filled chemical solution. It is to be able to work with a wet processing device in an atmosphere.
Description
본 고안은 습식처리장치의 휴움(fume) 역류방지장치에 관한 것으로, 특히 반도체소자 제조공정에서 반도체 웨이퍼를 습식처리하기 위해 사용되는 습식처리장치의 배기구조에 화학용액에 포함된 이물질을 여과시킴과 아울러 화학용액의 휴움이 습식처리장치의 내부로 역류되는 것을 방지하기 위한 휴움 역류방지장치에 관한 것이다.The present invention relates to a fume backflow prevention device of a wet processing device. In particular, the foreign material contained in a chemical solution is filtered through an exhaust structure of a wet processing device used for wet processing a semiconductor wafer in a semiconductor device manufacturing process. The present invention also relates to a hummback reflux preventing device for preventing the humm of the chemical solution from flowing back into the wet processing apparatus.
습식공정은 화학용액을 사용하여 반도체 웨이퍼를 식각하거나 세정하기 위해 사용된다. 반도체 웨이퍼를 습식처리하기 위해 습식처리장치가 사용되며 습식처리장치는 여러 단계의 과정을 거쳐 반도체 웨이퍼를 식각하거나 세정하게 된다. 예를 들어 반도체 반도체 웨이퍼를 세정하는 공정인 경우에 초순수, 솔벤트(solvent) 및 산용액 등의 단계로 구분하여 세정하게 된다. 습식처리장치는 각 단계별로 세정시 사용되는 화학용액의 세정 작업이 완료되면 화학용액을 외부로 배출시키게 된다.Wet processes are used to etch or clean semiconductor wafers using chemical solutions. A wet processing apparatus is used to wet process a semiconductor wafer, and the wet processing apparatus may etch or clean the semiconductor wafer through a multi-step process. For example, in the case of a process for cleaning a semiconductor semiconductor wafer, cleaning is performed by dividing into ultrapure water, a solvent, and an acid solution. The wet processing apparatus discharges the chemical solution to the outside when the cleaning operation of the chemical solution used in the cleaning of each step is completed.
반도체 웨이퍼를 식각하거나 세정하기 위해 습식처리하는 습식처리장치를 첨부된 도면을 이용하여 설명하면 다음과 같다.The wet processing apparatus for wet processing to etch or clean the semiconductor wafer will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1은 종래의 습식공정치장치의 구성을 나타낸 단면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 습식처리장치의 배출구의 평면도이다. 도시된 바와 같이, 싱크용기(11)의 내측에 모듈 싱크(module sink)(12)가 설치되며, 모듈 싱크(12)의 상단에 반도체 웨이퍼를 습식 처리하는 습식처리용기(13)가 설치된다. 반도체 웨이퍼를 습식처리한 후 습식처리용기(13)에 남아 있는 화학용액을 외부로 배출시키기 위해 싱크 모듈(12)이 설치되는 싱크용기(11)의 저면에 배출구(14)가 형성된다. 모듈 싱크(12)에는 화학적으로 독성이 강한 화학용액을 별도로 배출시키기 위한 별도의 배관(도시 않음)이 구성되나, 특별하게 독성이 강하지 않은 화학용액은 배출구(14)를 통해 외부로 배출시키게 된다.1 is a cross-sectional view showing the configuration of a conventional wet process device, Figure 2 is a plan view of the outlet of the wet treatment apparatus shown in FIG. As shown, a module sink 12 is installed inside the sink vessel 11, and a wet processing vessel 13 for wet treating a semiconductor wafer is installed on the top of the module sink 12. After the semiconductor wafer is wet-processed, an outlet 14 is formed on the bottom of the sink vessel 11 in which the sink module 12 is installed to discharge the chemical solution remaining in the wet treatment vessel 13 to the outside. The module sink 12 is provided with a separate pipe (not shown) for separately discharging chemically toxic chemical solution, the chemical solution that is not particularly toxic is discharged to the outside through the outlet (14).
싱크용기(11)의 저면에 형성된 배출구(14)는 반도체 웨이퍼를 습식 처리한 후 사용된 화학용액을 외부로 배출시키기 위해 배출구(14)를 통해 직접 배출시키거나 도 2에 도시된 스크린 플레이트(screen plate)(15)를 이용하여 이물질을 여과한 후 배출구(14)를 통해 배출하게 된다. 스크린 플레이트(15)는 다수의 격자 모양의 배출홀(hole)(15a)이 형성되며, 배출홀(15a)은 화학용액에 포함되어 배출되는 이물질을 제거할 수 있는 크기로 형성된다. 스크린 플레이트(15)에 형성된 다수의 배출홀(15a)을 통해 화학용액에 포함된 이물질을 제거함으로써 이물질에 의해 배출구(14)가 막히는 것을 방지하게 된다.The outlet 14 formed at the bottom of the sink vessel 11 is directly discharged through the outlet 14 to discharge the used chemical solution after the wet treatment of the semiconductor wafer to the outside or the screen plate shown in FIG. The foreign matter is filtered using a plate) 15 and then discharged through the outlet 14. The screen plate 15 is formed with a plurality of grid-shaped discharge holes (hole) (15a), the discharge hole (15a) is formed to a size that can remove the foreign matter contained in the chemical solution discharged. By removing the foreign matter contained in the chemical solution through the plurality of discharge holes 15a formed in the screen plate 15, the discharge port 14 is prevented from being blocked by the foreign matter.
배출구(14)를 통해서 화학용액을 배출시키는 과정에서 화학용액의 휴움이 발생한다. 종래의 배출구(14)는 화학용액이 스크린 플레이트(15)를 거쳐 이물질을 제거한 후 직접 배출시킴으로써 배출구(14)를 통해 화학용액의 휴움이 역류된다. 화학용액이 배출구(14)를 통해 역류하게 되면 화학용액의 휴움이 습식처리장치의 외부로 퍼지게 되어 작업자의 건강에 악영향을 끼치는 문제점이 있다.In the process of discharging the chemical solution through the discharge port 14, the hum of the chemical solution is generated. In the conventional outlet 14, the chemical solution is directly discharged after removing the foreign matter through the screen plate 15, and the hum of the chemical solution is flowed back through the outlet 14. When the chemical solution flows back through the outlet 14, the hum of the chemical solution spreads to the outside of the wet treatment device, which adversely affects the health of the worker.
본 고안의 목적은 반도체소자 제조공정에서 반도체 웨이퍼를 습식처리하기 위해 사용되는 습식처리장치에서 화학용액에 포함되어 배출되는 이물질을 여과함과 아울러 화학용액의 휴움이 습식처리장치의 내부로 역류되는 것을 방지하는 휴움 역류방지장치를 제공함에 있다.An object of the present invention is to filter the foreign substances contained in the chemical solution in the wet processing apparatus used for wet processing the semiconductor wafer in the semiconductor device manufacturing process, and that the hum of the chemical solution flows back into the inside of the wet processing apparatus. The present invention provides a device for preventing a hump backflow.
본 고안의 다른 목적은 습식처리장치의 배출구를 통해서 배출되는 화학용액의 휴움이 배출구를 통해서 역류되는 것을 방지하여 화학용액의 휴움이 작업자에게 전달되는 것을 방지하도록 함에 있다.Another object of the present invention is to prevent the hum of the chemical solution discharged through the outlet of the wet processing device to prevent the back flow of the chemistry solution to the worker.
본 고안의 또 다른 목적은 휴움역류방지장치를 이용하여 작업자에게 화학용액의 휴움이 전달되는 것을 방지함으로써 작업자들이 쾌적하고 안전한 분위기에서 습식처리장치를 이용하여 작업할 수 있도록 함에 있다.Another object of the present invention is to prevent the hum of the chemical solution to be delivered to the worker by using the haeum reflux prevention device to enable the worker to work using the wet treatment device in a comfortable and safe atmosphere.
도 1은 종래의 습식공정치장치의 구성을 나타낸 단면도,1 is a cross-sectional view showing the configuration of a conventional wet process device;
도 2는 도 1에 도시된 습식처리장치의 배출구의 평면도,2 is a plan view of the outlet of the wet treatment apparatus shown in FIG.
도 3은 본 고안의 휴움 역류방지장치가 적용된 습식처리장치의 단면도,Figure 3 is a cross-sectional view of the wet processing apparatus to which the huum backflow prevention device of the present invention is applied,
도 4는 도 3에 도시된 휴움 역류방지장치의 확대 단면도,Figure 4 is an enlarged cross-sectional view of the huom backflow prevention device shown in FIG.
도 5는 도 3에 도시된 휴움 역류방지장치의 사시도이다.FIG. 5 is a perspective view of the huum backflow prevention device shown in FIG. 3.
<도면의 주요 부분에 대한 부호 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>
12: 싱크 모듈 13: 습식처리용기12: sink module 13: wet processing container
20: 싱크용기 21: 삽입구20: sink 21: insertion hole
21a: 제1삽입홀 21b: 제2삽입홀21a: first insertion hole 21b: second insertion hole
30: 역류방지장치 31: 여과부재30: backflow prevention device 31: filter member
32: 역류방지부재32: backflow prevention member
본 고안의 습식처리장치의 휴움 역류방지장치는 모듈 싱크와 습식처리용기가 내측에 설치되며 저면에 삽입구가 형성된 싱크용기; 삽입구의 상단에 지지되도록 설치되어 화학용액에 포함된 이물질을 여과시키는 다수의 여과홀이 형성된 여과부재; 및 여과부재의 저면에 일체로 형성되어 삽입구의 내측으로 설치됨과 아울러 하단에 다수의 배출홀이 형성되며 내측으로 다수의 배출홀이 형성된 높이와 동일하게 소정거리로 이격시켜 배출차단막을 일체로 형성하여 배출되는 화학용액의 휴움의 역류를 방지하는 역류방지부재로 구성됨을 특징으로 한다.Hueum backflow prevention device of the wet processing apparatus of the present invention is installed in the module sink and the wet processing container inside the sink container formed with an insertion hole on the bottom; A filtration member installed to be supported at an upper end of the insertion hole and having a plurality of filtration holes for filtering foreign substances contained in the chemical solution; And formed integrally on the bottom of the filtration member to be installed inwardly of the insertion hole, and a plurality of discharge holes are formed at the bottom thereof, and the discharge blocking membrane is integrally formed by being spaced apart by a predetermined distance at the same height as the plurality of discharge holes formed inwardly. Characterized in that it consists of a backflow prevention member for preventing the back flow of the hum of the discharged chemical solution.
싱크용기의 저면에 형성된 삽입구는 제1삽입홀과 제2삽입홀로 구성되며 제1삽입홀은 제2삽입홀 보다 직경이 크게 형성되며, 여과부재는 원형부재로 형성되며 다수의 여과홀은 원형부재의 중단에 원주를 따라 형성됨을 특징으로 한다.The insertion hole formed on the bottom of the sink container is composed of a first insertion hole and a second insertion hole, the first insertion hole is formed larger diameter than the second insertion hole, the filtration member is formed of a circular member, the plurality of filtration holes are circular members Characterized in that formed along the circumference of the interruption.
역류방지부재는 원통부재로 형성되며 다수의 배출홀은 원통부재의 저면을 기준으로 소정 높이에 형성되며, 역류방지부재는 저면이 제2삽입홀의 상단에 지지되도록 조립되며 상단은 제1삽입홀과 소정 거리로 이격되도록 설치됨을 특징으로 한다.The non-return member is formed of a cylindrical member, and the plurality of discharge holes are formed at a predetermined height based on the bottom of the cylindrical member. The non-return member is assembled such that the bottom thereof is supported at the top of the second insertion hole and the top of the first insertion hole is Characterized in that it is installed to be spaced apart by a predetermined distance.
이하, 본 발명을 첨부된 도면을 이용하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 3은 본 고안의 휴움 역류방지장치가 적용된 습식처리장치의 단면도이고, 도 4는 도 3에 도시된 휴움 역류방지장치의 확대 단면도이다. 도시된 바와 같이, 모듈 싱크(12)와 습식처리용기(13)가 내측에 설치되며 저면에 삽입구(21)가 형성된 싱크용기(20)와, 삽입구(21)의 상단에 지지되도록 설치되어 화학용액에 포함된 이물질을 여과시키는 다수의 여과홀(31a)이 형성된 여과부재(31)와, 여과부재(31)의 저면에 일체로 형성되어 삽입구(21)의 내측으로 설치됨과 아울러 하단에 다수의 배출홀(32a)이 형성되며 내측으로 다수의 배출홀(32a)이 형성된 높이와 동일하게 소정거리로 이격시켜 배출차단막(32b)을 일체로 형성하여 배출되는 화학용액의 휴움의 역류를 방지하는 역류방지부재(32)로 구성된다.Figure 3 is a cross-sectional view of the wet processing apparatus to which the huum backflow prevention device of the present invention is applied, Figure 4 is an enlarged cross-sectional view of the huum backflow prevention device shown in FIG. As shown in the drawing, the module sink 12 and the wet processing container 13 are installed on the inner side, and the sink container 20 having the insertion hole 21 formed on the bottom thereof is installed to be supported by the upper end of the insertion hole 21 and the chemical solution. The filtration member 31 is formed with a plurality of filtration holes (31a) for filtering the foreign matter contained in, and integrally formed on the bottom surface of the filtration member 31 is installed to the inside of the insertion port 21 and a plurality of discharge at the bottom A hole 32a is formed and spaced at a predetermined distance to the same height as the plurality of discharge holes 32a are formed inward, thereby preventing the backflow of the recess of the chemical solution discharged by integrally forming the discharge blocking film 32b. The member 32 is comprised.
본 발명의 구성 및 작용을 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.Referring to the configuration and operation of the present invention in more detail as follows.
본 고안의 습식처리장치는 크게 싱크용기(20), 모듈 싱크(12) 및 습식처리용기(13)로 구성된다. 싱크용기(20)의 내측에 모듈 싱크(12)가 설치되며, 모듈 싱크(12)의 상단에 반도체 웨이퍼를 습식 처리하는 습식처리용기(13)가 설치된다. 반도체 웨이퍼를 습식처리한 후 습식처리용기(13)에 남아 있는 화학용액을 외부로 배출시키기 위해 싱크용기(20)의 저면에 삽입구(21)가 형성된다. 싱크용기(20)의 저면에 형성된 삽입구(21)에 여과부재(31)와 역류방지부재(32)가 설치된다.The wet treatment apparatus of the present invention is largely composed of a sink vessel 20, a module sink 12, and a wet treatment vessel 13. The module sink 12 is installed inside the sink container 20, and a wet processing container 13 for wet treating the semiconductor wafer is installed on the upper end of the module sink 12. After wet processing the semiconductor wafer, an insertion hole 21 is formed in the bottom surface of the sink vessel 20 to discharge the chemical solution remaining in the wet processing vessel 13 to the outside. The filtration member 31 and the backflow preventing member 32 are installed in the insertion hole 21 formed at the bottom of the sink vessel 20.
역류방지부재(32)는 여과부재(31)의 저면에 일체로 형성되며, 일체로 형성된 여과부재(31)와 역류방지부재(32)는 싱크용기(20)의 저면에 형성된 삽입구(21)에 삽입되어 설치된다. 여과부재(31)는 삽입구(21)의 상단에 지지되도록 설치되며 화학용액에 포함된 이물질을 여과시켜 배출시키기 위해 다수의 여과홀(31a)이 형성된다. 이물질을 여과시켜 배출시키기 위한 다수의 여과홀(31a)이 형성된 여과부재(31)의 저면에 일체로 형성되는 역류방지부재(32)는 삽입구(21)의 내측으로 설치됨과 아울러 하단에 다수의 배출홀(32a)이 형성된다.The non-return member 32 is integrally formed on the bottom of the filtration member 31, and the integrally formed filtration member 31 and the non-return member 32 are inserted into the insertion hole 21 formed on the bottom of the sink vessel 20. It is inserted and installed. The filtration member 31 is installed to be supported at the upper end of the insertion port 21, and a plurality of filtration holes 31a are formed to filter and discharge the foreign substances contained in the chemical solution. The non-return member 32 formed integrally with the bottom surface of the filtration member 31 in which the plurality of filtration holes 31a are formed to filter and discharge the foreign substances is installed to the inside of the insertion hole 21 and a plurality of discharges at the bottom. The hole 32a is formed.
역류방지부재(32)의 내측에는 다수의 배출홀(32a)이 형성된 높이와 동일하게 소정거리로 이격시켜 배출차단막(32b)이 일체로 형성된다. 역류방지부재(32)의 내측에 배출차단막(32b)을 형성함으로써 여과부재(31)를 통해 배출되는 화학용액이 트랩(trap)되도록 한다. 화학용액이 트랩되도록 하는 공간은 삽입구(21)의 내측벽과 역류방지부재(32)의 내측으로 형성된 배출차단막(32b)으로 이루어진다.Inside the backflow prevention member 32, the discharge blocking film 32b is integrally formed by being spaced apart by a predetermined distance at the same height as the plurality of discharge holes 32a. By forming a discharge blocking membrane 32b inside the backflow preventing member 32, the chemical solution discharged through the filtration member 31 is trapped. The space for allowing the chemical solution to be trapped is composed of an inner wall of the insertion port 21 and a discharge blocking film 32b formed inside the backflow preventing member 32.
삽입구(21)는 역류방지부재(32)의 배출차단막(32b)과 트랩 공간을 형성하기 위해 제1삽입홀(21a)과 제2삽입홀(21b)로 구성되며, 제1삽입홀(21a)은 제2삽입홀(21b) 보다 직경이 크게 형성된다. 삽입구(21)의 상단에 지지되도록 설치하기 위해 여과부재(31)는 도 5에서와 같이 원형부재로 형성되며 다수의 여과홀(31a)은 원형부재로 형성된 여과부재(31)의 중단에 원주를 따라 형성하여 화학용액에 포함된 이물질을 제거시켜 배출하게 된다.The insertion hole 21 is composed of a first insertion hole 21a and a second insertion hole 21b to form a trap space with the discharge blocking film 32b of the backflow preventing member 32, and the first insertion hole 21a. Is larger in diameter than the second insertion hole 21b. Filtration member 31 is formed of a circular member as shown in Figure 5 to install so as to be supported on the upper end of the insertion port 21 and the plurality of filtration holes 31a is a circumference at the end of the filtration member 31 formed of a circular member Formed according to the removal of foreign substances contained in the chemical solution is discharged.
여과부재(31)에 형성된 여과홀(31a)을 통해 배출되는 화학용액을 외부로 배출시키기 위해 원통부재로 형성되는 역류방지부재(32)는 저면을 기준으로 소정 높이에 다수의 배출홀(32a)이 형성된다. 배출홀(32a)을 통해 배출되는 화학용액은 화학용액은 배출차단막(32b)에 의해 소정 높이로 상승된 후 배출차단막(32b)을 넘치게 되면 외부로 배출하게 된다.In order to discharge the chemical solution discharged through the filtration hole 31a formed in the filtration member 31 to the outside, the backflow prevention member 32 formed as a cylindrical member has a plurality of discharge holes 32a at predetermined heights based on the bottom surface thereof. Is formed. The chemical solution discharged through the discharge hole 32a is discharged to the outside when the chemical solution rises to a predetermined height by the discharge blocking film 32b and overflows the discharge blocking film 32b.
역류방지부재(32)의 내측으로 형성된 배출차단막(32b)과 삽입구(21)의 내측벽 사이에 트랩 공간을 형성하기 위해 여과부재(31)의 저면이 제2삽입홀(21b)의 상단에 지지되도록 조립되며 제1삽입홀(21a)과 소정 거리로 이격시켜 설치된다. 제1삽입홀(21a)과 역류방지부재(32)가 소정 거리로 이격시켜 설치됨으로써 내측으로 형성된 배출차단막(32b)과 제1삽입홀(21a) 사이에 트랩공간이 형성된다.The bottom surface of the filtration member 31 is supported on the upper end of the second insertion hole 21b to form a trap space between the discharge blocking film 32b formed inwardly of the backflow preventing member 32 and the inner wall of the insertion hole 21. It is assembled so as to be spaced apart from the first insertion hole 21a by a predetermined distance. Since the first insertion hole 21a and the backflow prevention member 32 are spaced apart by a predetermined distance, a trap space is formed between the discharge blocking film 32b formed inwardly and the first insertion hole 21a.
배출차단막(32b)과 제1삽입홀(21a) 사이에 형성된 트랩공간을 통해 배출되는 화학용액의 휴움이 역류되는 것을 방지하기 위해 배출차단막(32b)의 형성 높이를 역류방지부재(32)의 저면에 설치된 다수의 배출홀(32a)의 형성 높이와 동일하게 형성한다. 배출차단막(32b)의 형성 높이와 다수의 배출홀(32a)의 형성 높이를 동일하게 형성함으로써 화학용액의 휴움이 배출홀(32a)을 통해 역류되는 것을 방지할 수 있게 된다.The bottom surface of the backflow prevention member 32 may be formed such that the height of the discharge blocking film 32b is formed to prevent backflow of the chemical solution discharged through the trap space formed between the discharge blocking film 32b and the first insertion hole 21a. It is formed to be the same as the formation height of the plurality of discharge holes (32a) installed in. By forming the formation height of the discharge blocking film 32b and the formation height of the plurality of discharge holes 32a to be the same, it is possible to prevent the hum of the chemical solution from flowing back through the discharge holes 32a.
이상과 같이 배출차단막의 형성 높이와 다수의 배출홀의 형성 높이를 동일하게 형성함으로써 싱크용기의 저면으로 배출되는 화학용액이 트랩 공간을 채우면 트랩 공간에 채워진 화학용액에 의해 휴움이 역류되는 것을 방지할 수 있게된다.As described above, when the formation height of the discharge barrier membrane and the formation height of the plurality of discharge holes are the same, when the chemical solution discharged to the bottom of the sink container fills the trap space, it is possible to prevent the hum from flowing back by the chemical solution filled in the trap space. Will be.
이상에서 설명한 바와 같이 본 고안은 습식처리장치의 배출구를 통해서 배출되는 화학용액을 트랩 공간에 채워 배출시킴으로써 트랩 공간에 채워진 화학용액에 의해 화학용액의 휴움이 역류되는 것을 방지하여 작업자들이 쾌적하고 안전한 분위기에서 습식처리장치를 이용하여 작업할 수 있는 효과를 제공한다.As described above, the present invention fills the trap space with the chemical solution discharged through the discharge port of the wet processing device, thereby preventing backwashing of the chemical solution by the chemical solution filled in the trap space, thereby providing a comfortable and safe atmosphere for workers. Provides the effect of working with a wet processing device.
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| REGI | Registration of establishment | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20080930 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |