KR101151568B1 - Apparatus for receiving chemical - Google Patents
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Abstract
Description
실시예는 약액 수용 장치에 관한 것이다.An embodiment relates to a drug receiving device.
일반적으로 반도체 소자 제조용 단결정 실리콘 등으로 이루어지는 웨이퍼는 단결정 잉곳(ingot)을 성장시킨 후 이를 슬라이싱(slicing), 챔퍼링(chamfering), 랩핑(lapping), 에칭(etching), 그라인딩(grinding), 폴리싱(polishing) 및 세정 건조하는 공정 등 일련의 공정을 거쳐 제조된다. 이들 공정은 웨이퍼의 사양이나 공정 목적에 따라 일부 공정의 순서가 바뀌거나 수회 반복되거나 또는 열처리 등 다른 공정이 부가, 치환되기도 한다.In general, a wafer made of single crystal silicon for semiconductor device manufacturing grows single crystal ingots, and then slices, chamfers, lappings, etchings, grindings, and polishes them. It is manufactured through a series of processes such as polishing and washing and drying. These processes may change the order of some processes, repeat several times, or add or substitute other processes, such as heat treatment, depending on the specifications of the wafer and the purpose of the process.
상기의 공정들 중 에칭 공정은 슬라이싱, 챔퍼링, 래핑, 그라인딩과 같은 기계적 가공시 발생되는 기계적 가공변질층을 제거하고 표면에 흡착한 유기물이나 오염물질을 제거하기 위하여 실시되는데, 이러한 에칭은 크게 산 에칭과 알칼리 에칭으로 구분된다. Among the above processes, the etching process is performed to remove the mechanically degraded layer generated during mechanical processing such as slicing, chamfering, lapping and grinding and to remove organic substances or contaminants adsorbed on the surface. It is divided into etching and alkali etching.
웨이퍼 에칭 장치는 일반적으로, 웨이퍼가 수납되고 에칭액이 공급되어 에칭공정이 진행되는 에칭조, 에칭조 내에서 통상 복수 매의 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 랙(rack), 웨이퍼 랙 하방에 배치되어 웨이퍼 랙에 적재된 웨이퍼를 향해 상방으로 에칭액을 공급하는 에칭액 공급관 등으로 구성된다. 그런데, 에칭액 공급관에 의해 에칭조 하방에서 상방으로 공급되는 에칭액은 웨이퍼 랙에 적재된 복수 매의 웨이퍼에 균일하고 안정되게 공급되지 않고 난류(turbulent flow)를 형성함으로써, 웨이퍼의 수납 위치나 웨이퍼 내의 위치에 따라 불균일한 에칭을 유발하며 결과적으로 에칭후 웨이퍼의 평탄도를 떨어뜨린다.In general, a wafer etching apparatus includes an etching bath in which a wafer is stored, an etching solution is supplied, and an etching process is performed, a wafer rack supporting a plurality of wafers in an etching bath, and a wafer rack disposed below the wafer rack. It consists of an etching liquid supply pipe etc. which supply an etching liquid upward toward a mounted wafer. By the way, the etching liquid supplied upward from the etching tank below by the etching liquid supply pipe is not uniformly and stably supplied to the plurality of wafers loaded in the wafer rack, thereby forming a turbulent flow, whereby the wafer storage position or position in the wafer is formed. This causes non-uniform etching and consequently degrades the wafer flatness after etching.
또한 식각 과정에서 발생한 불순물이나 부산물이 잔존하게 될 수 있고, 이러한 불순물이나 부산물은 웨이퍼에 재흡착되어 웨이퍼를 오염시키는 오염원이 될 수 있다. 특히, 식각 속도가 매우 빠른 공정에서는 생성된 불순물이나 부산물로 인해 에칭조에서의 에칭액 순환 및 배수가 원활하게 이루어지지 않을 수 있다.In addition, impurities or by-products generated during the etching process may remain, and these impurities or by-products may be re-adsorbed onto the wafer and become a pollution source that contaminates the wafer. In particular, the etching rate may not be smoothly circulated and drained from the etching bath due to the impurities or by-products generated in the process having a very high etching rate.
실시예는 배수가 용이하고, 배수 홀들의 막힘을 방지하는 약액 수용 장치를 제공하고자 한다.Embodiments provide a chemical liquid receiving device that is easy to drain and prevents clogging of drain holes.
실시예에 따른 약액 수용 장치는 배수 홀이 형성된 바텀 플레이트 및 상기 바텀 플레이트로부터 상방으로 연장되는 측벽을 포함하는 배스; 및 상기 바텀 플레이트 상에 배치되고, 다수 개의 여과 홀들을 포함하는 여과부를 포함한다.According to an embodiment, a chemical liquid receiving apparatus includes: a bath including a bottom plate having a drainage hole and a sidewall extending upward from the bottom plate; And a filtration unit disposed on the bottom plate and including a plurality of filtration holes.
실시예에 따른 약액 수용 장치는 세정 공정 또는 에칭 공정 후, 약액을 배수 시킨다. 이때, 상기 여과부에 의해서, 상기 약액에 포함된 침전물은 걸러진다. 이에 따라서, 상기 배수 홀을 통하여, 상기 약액이 용이하게 배수되고, 상기 배수 홀의 막힘이 방지될 수 있다.The chemical liquid container according to the embodiment drains the chemical liquid after the cleaning process or the etching process. At this time, the precipitate contained in the chemical liquid is filtered by the filtration unit. Accordingly, through the drain hole, the chemical liquid can be easily drained, and clogging of the drain hole can be prevented.
또한, 상기 여과부는 상기 약액에 포함된 침전물을 걸러주기 때문에, 상기 배스 내의 약액을 배수하기 위한 자동 밸브(40)의 고장이 방지될 수 있다.In addition, since the filtration unit filters out deposits contained in the chemical liquid, failure of the
또한, 상기 여과부는 상기 배스로부터 탈부착이 가능하고, 상기 약액에 포함된 침전물은 용이하게 제거될 수 있다.In addition, the filtration unit is detachable from the bath, the precipitate contained in the chemical can be easily removed.
도 1은 실시예에 따른 웨이퍼 에칭 장치를 도시한 도면이다.
도 2는 실시예에 따른 웨이퍼 에칭 장치를 도시한 단면도이다.
도 3은 여과부를 도시한 평면도이다.
도 4는 도 3에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 도면이다.
도 5는 도 3에서 B-B`를 따라서 절단한 단면을 도시한 도면이다.
도 6은 여과부의 하부를 도시한 사시도이다.
도 7은 여과부가 배스로부터 탈착되는 과정을 도시한 도면이다.
도 8은 지그의 정면을 도시한 도면이다.
도 9는 지그의 측면을 도시한 도면이다.1 illustrates a wafer etching apparatus according to an embodiment.
2 is a cross-sectional view showing a wafer etching apparatus according to an embodiment.
3 is a plan view of the filtration unit.
4 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 3.
FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line BB ′ in FIG. 3.
6 is a perspective view showing a lower portion of the filtration unit.
7 is a view illustrating a process in which the filtration unit is detached from the bath.
8 is a view showing the front of the jig.
9 is a view showing the side of the jig.
실시 예의 설명에 있어서, 각 패드, 플레이트, 웨이퍼(W) 또는 영역 등이 각 패드, 플레이트, 웨이퍼(W) 또는 영역 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 하부에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.In the description of the embodiment, each pad, plate, wafer (W) or region, etc. are formed on the "on" or "under" of each pad, plate, wafer (W) or region, etc. In the case described, "on" and "under" include both those that are formed "directly" or "indirectly" through other components. In addition, the upper or lower reference of each component is described with reference to the drawings. The size of each component in the drawings may be exaggerated for the sake of explanation and does not mean the size actually applied.
도 1은 실시예에 따른 웨이퍼 에칭 장치를 도시한 도면이다. 도 2는 실시예에 따른 웨이퍼 에칭 장치를 도시한 단면도이다. 도 3은 여과부를 도시한 평면도이다. 도 4는 도 3에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 도면이다. 도 5는 도 3에서 B-B`를 따라서 절단한 단면을 도시한 도면이다. 도 6은 여과부의 하부를 도시한 사시도이다. 도 7은 여과부가 배스로부터 탈착되는 과정을 도시한 도면이다. 도 8은 지그의 정면을 도시한 도면이다. 도 9는 지그의 측면을 도시한 도면이다.1 illustrates a wafer etching apparatus according to an embodiment. 2 is a cross-sectional view showing a wafer etching apparatus according to an embodiment. 3 is a plan view of the filtration unit. FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line AA ′ in FIG. 3. FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line BB ′ in FIG. 3. 6 is a perspective view showing a lower portion of the filtration unit. 7 is a view illustrating a process in which the filtration unit is detached from the bath. 8 is a view showing the front of the jig. 9 is a view showing the side of the jig.
도 1 내지 도 9를 참조하면, 실시예에 따른 웨이퍼 에칭 장치는 배스(10) 및 여과부(20)를 포함한다. 또한, 상기 배스(10)에는 배수 라인(30)에 연결되고, 상기 배수 라인(30)에는 자동 밸브(40)가 설치된다. 또한, 상기 배수 라인(30)은 메인 라인(50)에 연결된다.1 to 9, the wafer etching apparatus according to the embodiment includes a
또한, 실시예에 따른 웨이퍼 에칭 장치는 상기 배수 라인(30)에 연결되고, 상기 배수 라인(30)을 통하여 배수되는 약액을 재생하여, 상기 배스(10)에 다시 공급하는 리싸이클링 장치를 더 포함할 수 있다.In addition, the wafer etching apparatus according to the embodiment may further include a recycling apparatus connected to the
상기 배스(10)는 상기 여과부(20)를 수용한다. 상기 배스(10)는 웨이퍼(W) 및 상기 웨이퍼(W)를 처리하기 위한 약액을 수용한다. 더 자세하게, 상기 배스(10)는 상기 웨이퍼(W) 및 상기 웨이퍼(W)를 식각하기 위한 에천트를 수용할 수 있다. The
상기 에천트의 예로서는 라이트 에천트(Wright etchant) 들 수 있다. 상기 라이트 에천트는 불산, 질산, 산화 크롬, 질산 구리 및 아세트산을 포함할 수 있다. 즉, 상기 라이트 에천트는 상기 물질을 포함하는 용액일 수 있다.An example of the etchant may be a light etchant. The light etchant may include hydrofluoric acid, nitric acid, chromium oxide, copper nitrate and acetic acid. That is, the light etchant may be a solution containing the material.
상기 라이트 에천트에 의해서, 상기 웨이퍼(W)가 에칭될 때, 상기 라이트 에천트에 포함되는 물질이 상기 웨이퍼(W)의 실리콘과 반응하여 침전물이 형성될 수 있다. 상기 침전물은 상기 약액과 함께 혼합된 상태로, 상기 배스(10) 내에 존재된다.When the wafer W is etched by the light etchant, a material included in the light etchant may react with silicon of the wafer W to form a precipitate. The precipitate is present in the
또한, 상기 배스(10)는 상기 웨이퍼(W) 및 상기 웨이퍼(W)를 세정하기 위한 세정액을 수용할 수 있다. 즉, 상기 배스(10)에 수용되는 약액은 탈이온수와 같은 상기 웨이퍼(W)를 세정하기 위한 세정액일 수 있다.In addition, the
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 배스(10)는 바텀 플레이트(11) 및 다수 개의 측벽들(12)을 포함한다.As shown in FIGS. 1 and 2, the
상기 바텀 플레이트(11)는 상기 배스(10)의 하부에 배치된다. 상기 바텀 플레이트(11)는 상기 여과부(20)를 지지한다. 상기 바텀 플레이트(11)에는 하나 이상의 배수 홀들(13)이 형성된다. 상기 배수 홀들(13)은 상기 배수 라인(30)에 연결된다. 상기 배수 홀들(13)의 직경은 약 40㎜ 내지 약 41㎜일 수 있다.The
상기 측벽들(12)은 상기 바텀 플레이트(11)로부터 상방으로 연장된다. 더 자세하게, 상기 측벽들(12)은 상기 바텀 플레이트(11)의 끝단으로부터 상방으로 연장될 수 있다. 상기 측벽들(12) 및 상기 바텀 플레이트(11)에 의해서, 상기 웨이퍼(W) 및 상기 약액을 수용하기 위한 공간이 형성될 수 있다.The
상기 여과부(20)는 상기 배스(10) 내에 배치된다. 더 자세하게, 상기 여과부(20)는 상기 바텀 플레이트(11) 상에 배치된다. 더 자세하게, 상기 여과부(20)는 상기 바텀 플레이트(11)의 상면에 배치된다. 또한, 상기 여과부(20)는 상기 배수 홀들(13)을 덮는다.The
도 3 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 여과부(20)는 여과 플레이트(100), 다수 개의 스페이서들(200), 외곽 블럭부(300), 내부 블럭부(400), 걸림부(500) 및 침전물 가이드부(600)를 포함한다.As shown in FIGS. 3 to 6, the
상기 여과 플레이트(100)는 상기 바텀 플레이트(11)와 소정의 간격으로 이격된다. 상기 여과 플레이트(100)에는 다수 개의 여과 홀들(110)이 형성된다.The
상기 여과 플레이트(100)는 상기 웨이퍼(W)의 에칭 공정 또는 세정 공정 등에서 발생되는 침전물을 여과할 수 있다. 즉, 상기 침전물은 상기 여과 플레이트(100)에 의해서 걸러지고, 상기 약액 만이 상기 여과 홀들(110)을 통과할 수 있다.The
특히, 상기 라이트 에천트를 사용하는 라이트 에칭 공정을 통하여, 상기 웨이퍼(W)가 에칭될 때, 많은 양의 불순물이 발생될 수 있다. 이와 같은 불순물을 효과적으로 걸러내기 위해서, 상기 여과 홀들(110)의 직경은 약 4㎜ 내지 약 6㎜일 수 있다.In particular, a large amount of impurities may be generated when the wafer W is etched through the light etching process using the light etchant. In order to effectively filter out such impurities, the diameter of the filtration holes 110 may be about 4 mm to about 6 mm.
또한, 상기 여과 홀들(110)은 서로 일정한 간격으로 이격되며, 상기 여과 홀들(110) 사이의 간격은 약 30㎜ 내지 약 31㎜일 수 있다.In addition, the filtration holes 110 may be spaced apart from each other at regular intervals, and the distance between the filtration holes 110 may be about 30 mm to about 31 mm.
또한, 상기 여과 플레이트(100)에는 두 개의 지그 가이드 홀들(120)이 형성될 수 있다. 상기 지그 가이드 홀들(120)은 서로 이격되고, 양 끝단에 형성될 수 있다. 상기 지그 가이드 홀들(120)은 상기 바텀 플레이트(11)의 상면을 노출시킬 수 있다.In addition, two jig guide holes 120 may be formed in the
상기 스페이서들(200)은 상기 여과 플레이트(100) 및 상기 바텀 플레이트(11) 사이에 개재된다. 상기 스페이서들(200)은 상기 여과 플레이트(100)를 상기 바텀 플레이트(11)로부터 이격시킨다. 특히, 상기 스페이서들(200)은 상기 여과 플레이트(100) 및 상기 바텀 플레이트(11)를 서로 소정의 간격으로 이격시킨다.The
상기 스페이서들(200)은 섬(island) 형상을 가진다. 상기 스페이서들(200)의 두께는 약 9㎜ 내지 약 9.5㎜일 수 있다. 이에 따라서, 상기 여과 플레이트(100) 및 상기 바텀 플레이트(11) 사이의 간격은 약 9㎜ 내지 약 9.5㎜일 수 있다. 상기 스페이서들(200)은 서로 이격된다. 상기 스페이서들(200)은 상기 여과 플레이트(100)와 일체로 형성될 수 있다.The
상기 외곽 블럭부(300)는 상기 여과 플레이트(100)로부터 하방으로 연장된다. 더 자세하게, 상기 외곽 블럭부(300)는 상기 여과 플레이트(100)의 외곽으로부터 하방으로 연장된다. 상기 외곽 블럭부(300)는 상기 여과 플레이트(100)의 외곽을 따라서 연장된다.The
결국, 상기 외곽 블럭부(300)는 상기 여과 홀들(110)의 주위를 둘러싼다. 또한, 상기 외곽 블럭부(300)는 상기 지그 가이드 홀들(120)의 주위를 둘러싼다. 즉, 상기 외곽 블럭부(300)에 의해서 정의되는 공간에 상기 여과 홀들(110) 및 상기 지그 가이드 홀들(120)이 배치된다.As a result, the
또한, 상기 외곽 블럭부(300)는 상기 배수 홀들(13)의 주위를 따라서 연장된다. 즉, 상기 외곽 블럭부(300)는 상기 배수 홀들(13)을 둘러싼다. 상기 외각 블럭부에 의해서 정의되는 공간에 상기 배수 홀들(13)이 배치된다.In addition, the
상기 외곽 블럭부(300)의 두께는 상기 스페이서들(200)의 두께와 실질적으로 동일할 수 있다. 또한, 상기 외곽 블럭부(300)는 상기 여과 플레이트(100)와 일체로 형성될 수 있다. 또한, 상기 외곽 블럭부(300)는 상기 바텀 플레이트(11)의 상면과 직접 접촉될 수 있다.The thickness of the
상기 외곽 블럭부(300)는 폐루프(closed loop) 형상을 가질 수 있다. 상기 외곽 블럭부(300)는 상기 약액이 상기 여과 홀들(110)을 통과하지 않고, 상기 여과 플레이트(100) 및 상기 바텀 플레이트(11) 사이로 유입되는 것을 방지한다. 즉, 상기 약액과 함께 상기 침전물이 상기 바텀 플레이트(11) 및 상기 여과 플레이트(100) 사이로 유입되는 것을 방지한다.The
상기 내부 블럭부(400)는 상기 지그 가이드 홀들(120)의 주위에 형성된다. 상기 내부 블럭부(400)는 각각의 지그 가이드 홀(120)의 주위를 둘러싼다. 상기 내부 블럭부(400)는 상기 바텀 플레이트(11)의 상면에 직접 접촉된다. 또한, 상기 내부 블럭부(400)는 상기 여과 플레이트(100)와 일체로 형성될 수 있다.The
상기 내부 블럭부(400)의 두께는 상기 외곽 블럭부(300)의 두께 및 상기 스페이서들(200)의 두께와 실질적으로 동일할 수 있다. 상기 내부 블럭부(400)는 상기 지그 가이드 홀들(120)을 통하여, 상기 여과 플레이트(100) 및 상기 바텀 플레이트(11) 사이의 공간에 상기 약액 및 상기 침전물이 유입되는 것을 방지한다.The thickness of the
상기 외곽 블럭부(300) 및 상기 내부 블럭부(400)에 의해서, 대부분의 약액은 상기 여과 홀들(110)을 통하여, 상기 여과 플레이트(100) 및 상기 바텀 플레이트(11) 사이에 유입된다.By the
상기 내부 블럭부(400)에 의해서, 상기 여과 플레이트(100)에 상기 걸림부(500)가 정의된다. 즉, 상기 내부 블럭부(400)는 상기 지그 가이드 홀들(120)보다 더 바깥쪽에 형성된다. 이에 따라서, 상기 내부 블럭부(400)는 각각의 지그 가이드 홀(120)의 내측면(121)과 소정의 간격으로 이격된다.The locking
즉, 상기 걸림부(500)는 상기 내부 블럭부(400) 및 각각의 지그 가이드 홀(120)의 내측면(121) 사이의 부분이다. 상기 걸림부(500)는 상기 지그 가이드 홀들(120)에 인접한 부분이다.That is, the locking
상기 침전물 가이드부(600)는 상기 여과 플레이트(100)로부터 상방으로 연장된다. 상기 침전물 가이드부(600)는 상기 여과 플레이트(100)의 외곽을 따라서 연장된다. 상기 침전물 가이드부(600)는 탑측에서 보았을 때, 폐루프 형상을 가질 수 있다.The precipitate
상기 침전물 가이드부(600)에는 측방으로 관통되는 관통 홀들(610)이 형성될 수 있다. 상기 관통 홀들(610)은 서로 소정의 간격으로 이격될 수 있다.The
상기 침전물 가이드는 상기 여과부(20)가 상기 배스(10)로부터 탈착될 때, 상기 여과 플레이트(100) 상의 침전물이 상기 배스(10) 내로 흐르는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상기 관통 홀들(610)을 통하여, 상기 여과 플레이트(100)에 남아있는 약액은 용이하게 배출될 수 있다.The precipitate guide may prevent the precipitate on the
상기 여과부(20)는 높은 내화학성을 가진다. 상기 여과부(20)로 사용되는 물질의 예로서는 폴리테트라플루오르에틸렌(polytetrafluoroethylene;PTFE) 등과 같은 플라스틱 등을 들 수 있다.The
상기 여과부(20)는 상기 배스(10)에 용이하게 탈착 및 장착될 수 있다. 더 자세하게, 상기 여과부(20)는 도 7에 도시된 바와 같이, 지그(80)를 사용하여 용이하게 탈착될 수 있다.The
도 8 및 도 9를 참조하면, 상기 지그(80)는 제 1 지그 몸체(81), 제 2 지그 몸체(82), 제 1 그립부(83), 제 2 그립부(84) 및 회전 중심부(85)를 포함한다.8 and 9, the
상기 제 1 지그 몸체(81) 및 상기 제 2 지그 몸체(82)는 상기 회전 중심부(85)에 의해서 서로 피벗 결합된다. 상기 제 1 지그 몸체(81) 및 상기 제 2 몸체는 서로 엇갈리도록, 상기 회전 중심부(85)를 중심으로 회전될 수 있다.The
상기 제 1 그립부(83)는 상기 제 1 지그 몸체(81)의 끝단에 배치되고, 상기 제 2 그립부(84)는 상기 제 2 지그 몸체(82)의 끝단에 배치된다. 상기 제 1 그립부(83) 및 상기 제 2 그립부(84)는 상기 걸림부(500)에 걸리도록 'ㄴ' 형상을 가질 수 있다. 또한, 상기 제 1 그립부(83)는 상기 제 1 지그 몸체(81)와 일체로 형성되고, 상기 제 2 그립부(84)는 상기 제 2 지그 몸체(82)와 일체로 형성될 수 있다.The
상기 회전 중심부(85)는 상기 제 1 지그 몸체(81) 및 상기 제 2 지그 몸체(82)를 관통할 수 있다. 또한, 상기 회전 중심부(85)는 상기 제 1 지그 몸체(81) 및 상기 제 2 지그 몸체(82)가 서로 회전될 수 있도록 결합시킬 수 있다. 상기 회전 중심부(85)는 상기 제 1 지그 몸체(81) 및 상기 제 2 지그 몸체(82)의 중간 부분에 체결될 수 있다.The
상기 지그(80)는 높은 내화학성을 가진다. 상기 지그(80)로 사용되는 물질의 예로서는 폴리테트라플루오르에틸렌 등과 같은 플라스틱 등을 들 수 있다.The
도 7을 참조하면, 상기 지그(80)는 상기 지그 가이드 홀들(120)에 삽입되고, 상기 걸림부(500)를 통하여, 상기 여과부(20)를 그립할 수 있다. 더 자세하게, 하나의 지그 가이드 홀에 상기 제 1 그립부(83)가 삽입되고, 다른 하나의 지그 가이드 홀에 상기 제 2 그립부(84)가 삽입된다.Referring to FIG. 7, the
이후, 상기 제 1 지그 몸체(81) 및 상기 제 2 지그 몸체(82)는 회전되고, 상기 지그(80)에 의해서, 상기 여과부(20)가 그립될 수 있다.Thereafter, the
이후, 사용자의 조작에 의해서, 상기 지그(80)를 통하여, 상기 여과부(20)는 상기 배스(10)로부터 이탈된다. 이때, 상기 배스(10) 내에 남아 있는 약액은 사용자의 건강에 치명적일 수 있으므로, 사용자의 안전을 위하여, 상기 지그(80)가 사용되어, 상기 여과부(20)가 탈착되어야 한다. 특히, 상기 라이트 에천트와 같은 약액은 사용자에게 치명적일 수 있으므로, 상기 지그(80)가 더욱 필요하게 된다.Then, by the user's operation, through the
실시예에 따른 웨이퍼 에칭 장치는 상기 여과부(20)를 사용하여, 상기 웨이퍼(W)의 에칭 공정에서 발생되는 침전물을 효과적을 여과할 수 있다.In the wafer etching apparatus according to the embodiment, the precipitates generated in the etching process of the wafer W may be effectively filtered using the
이에 따라서, 실시예에 따른 웨이퍼 에칭 장치는 상기 침전물이 상기 배수 홀들(13)의 입구를 막는 현상을 방지할 수 있다. 또한, 실시예에 따른 웨이퍼 에칭 장치는 상기 침전물이 상기 자동 밸브(40)로 흘러들어가 상기 자동 밸브(40)의 동작을 방해하는 현상도 방지할 수 있다.Accordingly, the wafer etching apparatus according to the embodiment may prevent the deposit from blocking the inlet of the drain holes 13. In addition, the wafer etching apparatus according to the embodiment may also prevent a phenomenon that the deposit flows into the
또한, 실시예에 따른 웨이퍼 에칭 장치는 상기 지그 가이드 홀들(120), 상기 걸림부(500) 및 상기 지그(80)를 사용하여, 상기 여과부(20)를 효과적으로 탈착시키고, 상기 침전물을 효율적으로 제거할 수 있다.In addition, the wafer etching apparatus according to the embodiment uses the jig guide holes 120, the catching
앞서 설명한 바와 같이, 상기 약액은 상기 웨이퍼(W)를 세정하기 위한 세정액일 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 웨이퍼 에칭 장치의 주된 구성들은 상기 웨이퍼(W)를 세정하기 위한 웨이퍼 세정 장치에도 변형되어 적용될 수 있다. 더 넓게, 실시예에 따른 웨이퍼 에칭 장치는 상기 약액을 수용하기 위한 약액 수용 장치이다.As described above, the chemical liquid may be a cleaning liquid for cleaning the wafer (W). Therefore, the main components of the wafer etching apparatus according to the embodiment may be modified and applied to the wafer cleaning apparatus for cleaning the wafer (W). More broadly, the wafer etching apparatus according to the embodiment is a chemical liquid containing device for accommodating the chemical liquid.
또한, 이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In addition, the features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be modified. And differences relating to such modifications and applications will have to be construed as being included in the scope of the invention defined in the appended claims.
Claims (9)
상기 바텀 플레이트 상에 배치되고, 복수의 여과 홀들을 포함하는 여과부를 포함하고,
상기 여과부는
상기 배수 홀을 둘러싸며 연장되는 외곽 블럭부를 포함하는 약액 수용 장치.A bath including a bottom plate having a drain hole and sidewalls extending upwardly from the bottom plate; And
A filtration unit disposed on the bottom plate and including a plurality of filtration holes,
The filtration unit
A chemical solution containing device including an outer block portion surrounding the drain hole.
상기 여과 홀들이 형성되는 여과 플레이트; 및
상기 여과 플레이트 및 상기 바텀 플레이트 사이에 개재되는 스페이서를 포함하는 약액 수용 장치.The method of claim 1, wherein the filtration unit
A filtration plate in which the filtration holes are formed; And
And a spacer interposed between the filtration plate and the bottom plate.
상기 바텀 플레이트 상에 배치되고, 복수의 여과 홀들을 포함하는 여과부를 포함하고,
상기 여과부는
상기 여과 홀들이 형성되는 여과 플레이트; 및
상기 여과 플레이트 및 상기 바텀 플레이트 사이에 개재되는 내부 블럭부를 포함하고,
상기 여과 플레이트에는 상기 바텀 플레이트를 노출시키는 지그 가이드 홀을 포함하고,
상기 내부 블럭부는 상기 지그 가이드 홀의 주위를 둘러싸는 약액 수용 장치.A bath including a bottom plate having a drain hole and sidewalls extending upwardly from the bottom plate; And
A filtration unit disposed on the bottom plate and including a plurality of filtration holes,
The filtration unit
A filtration plate in which the filtration holes are formed; And
An inner block portion interposed between the filtration plate and the bottom plate,
The filter plate includes a jig guide hole for exposing the bottom plate,
And the inner block part surrounds the jig guide hole.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020110012755A KR101151568B1 (en) | 2011-02-14 | 2011-02-14 | Apparatus for receiving chemical |
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1041266A (en) * | 1996-07-23 | 1998-02-13 | Kaijo Corp | Cleaning tank |
KR20010028185A (en) * | 1999-09-18 | 2001-04-06 | 김영환 | Wet station bath for wafer |
KR20040085265A (en) * | 2003-03-31 | 2004-10-08 | 삼성전자주식회사 | Apparatus for drying a semiconductor substrate |
JP2008041791A (en) * | 2006-08-03 | 2008-02-21 | Toppan Printing Co Ltd | Filtering device, and coating apparatus using the same |
-
2011
- 2011-02-14 KR KR1020110012755A patent/KR101151568B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1041266A (en) * | 1996-07-23 | 1998-02-13 | Kaijo Corp | Cleaning tank |
KR20010028185A (en) * | 1999-09-18 | 2001-04-06 | 김영환 | Wet station bath for wafer |
KR20040085265A (en) * | 2003-03-31 | 2004-10-08 | 삼성전자주식회사 | Apparatus for drying a semiconductor substrate |
JP2008041791A (en) * | 2006-08-03 | 2008-02-21 | Toppan Printing Co Ltd | Filtering device, and coating apparatus using the same |
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