KR101530716B1

KR101530716B1 - Wafer etching apparatus

Info

Publication number: KR101530716B1
Application number: KR1020090019224A
Authority: KR
Inventors: 남병욱; 한상희
Original assignee: 주식회사 엘지실트론
Priority date: 2009-03-06
Filing date: 2009-03-06
Publication date: 2015-06-23
Also published as: KR20100100367A

Abstract

에칭액의 균일흐름을 유도하여 웨이퍼 에칭효율을 향상시킬 수 있는 웨이퍼 에칭장치가 개시된다. 본 발명에 의한 웨이퍼 에칭장치는, 복수의 웨이퍼가 선택적으로 삽입되는 에칭조, 에칭조 내외로 에칭액을 순환시키되 에칭액을 에칭조 내부에서 다운플로우방식으로 공급하는 순환부, 에칭조 내부에서 상기 에칭액이 통과되는 복수의 통공을 구비하여 층류를 형성시키는 층류형성판 및/또는 외주면에서 내측으로 갈수록 폭이 다단계로 좁혀지는 복수의 지지홈을 구비하여, 복수의 웨이퍼를 지지하는 적어도 2개의 지지체를 포함한다. 이러한 구성에 의하면, 에칭조 내에서 에칭액의 균일흐름이 유도되어, 에칭액과 웨이퍼가 균일하게 접촉될 수 있게 된다. 그로 인해, 웨이퍼가 균일하게 에칭될 수 있어 에칭효율 향상을 기대할 수 있게 된다. A wafer etching apparatus capable of inducing a uniform flow of an etchant to improve wafer etching efficiency is disclosed. A wafer etching apparatus according to the present invention includes: an etching bath in which a plurality of wafers are selectively inserted; a circulation unit for circulating an etching solution in and out of the etching bath while supplying the etching solution in a downflow manner in the etching bath; And at least two support bodies each having a plurality of through holes to form a laminar flow and / or a plurality of support grooves narrowing in width at a plurality of stages from the outer circumferential surface toward the inner side, and supporting the plurality of wafers . With such a configuration, a uniform flow of the etching liquid in the etching bath is induced, so that the etching liquid and the wafer can be uniformly contacted. As a result, the wafer can be uniformly etched, thereby improving the etching efficiency.

웨이퍼, 에칭, 식각, 에칭액, 알카리계, 층류, 흐름, 난류. Wafer, etching, etching, etching solution, alkaline system, laminar flow, flow, turbulence.

Description

[0001] WAFER ETCHING APPARATUS [0002]

본 발명은 반도체 제조에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 웨이퍼와 에칭액 사이의 균일 접촉을 위해 에칭액의 균일흐름을 유도할 수 있는 웨이퍼 에칭장치에 관한 것이다. The present invention relates to semiconductor manufacturing, and more particularly to a wafer etching apparatus capable of inducing a uniform flow of an etchant for uniform contact between a wafer and an etchant.

반도체 소자 제조용 재료로서 광범위하게 사용되고 있는 웨이퍼는 단결정 실리콘 박판을 지칭한다. 이러한 웨이퍼 제조공정은 다결정의 용융실리콘을 단결정 실리콘 잉곳으로 성장시키는 성장공정, 성장된 단결정 실리콘 잉곳(ingot)을 웨이퍼 형태로 자르는 절단공정, 웨이퍼의 두께를 균일화하여 평면화하는 래핑(lapping)공정, 웨이퍼의 데미지를 제거 또는 완화하는 에칭(etching)공정, 웨이퍼 표면을 경면화하는 연마공정, 그리고, 완료된 웨이퍼를 세정하는 세정공정 등으로 이루어진다. A wafer widely used as a material for manufacturing semiconductor devices refers to a single crystal silicon thin plate. Such wafer manufacturing processes include a growth process for growing polycrystalline molten silicon into a monocrystalline silicon ingot, a cutting process for cutting the grown monocrystalline silicon ingot into a wafer form, a lapping process for planarizing the thickness of the wafer, An etching process for removing or alleviating the damage of the wafer, a polishing process for mirror-polishing the wafer surface, and a cleaning process for cleaning the completed wafer.

이러한 웨이퍼 제조공정 중, 에칭공정은 상기 성장공정 이후에 기계적 가공에 의해 발생된 기계적 가공 변질층을 제거하고 또한, 표면 유기물 및 기타 이물지을 제거하여 세정하기 위한 목적으로 이루어진다. 이러한 에칭공정은 불산, 질산, 초산 및 물으로 이루어진 혼합산수용액으로 웨이퍼 표면을 에칭하는 산에칭방 식과, KOH, MaOH, LiOH 등과 같은 알카리계 에칭액으로 웨이퍼 표면을 에칭하는 알카리에칭방식으로 구분된다. In such a wafer manufacturing process, the etching process is performed for removing the mechanically damaged layer generated by the mechanical processing after the growth process, and also for removing the surface organic matter and other foreign matter. Such an etching process is divided into an acid etching method for etching a wafer surface with a mixed acid aqueous solution of hydrofluoric acid, nitric acid, acetic acid, and water, and an alkaline etching method for etching a wafer surface with an alkaline etching solution such as KOH, MaOH, LiOH and the like.

상기 산에칭방식의 경우, 가공 변질층 제거 및 웨이퍼 표면의 불순물 제거 및 생산성 측면에서 유리한 에칭법이나, 반응속도가 매우 빨라 단위시간당 약 0.5~1.0um/sec의 실리콘을 식각한다. 그로 인해, 상기 산에칭방식은 다량의 식각에 에 의해 평탄도 손상을 야기함과 아울러, 산의 화학반응에 의해 인체에 무해한 NOx가 발생되는 문제점이 있다. In the case of the acid etching method, etching is advantageous in terms of removal of a damaged layer and removal of impurities on the surface of the wafer and productivity, or the silicon is etched at a rate of about 0.5 to 1.0 μm / sec per unit time because the reaction speed is very fast. Therefore, the acid etching method causes flatness damage by a large amount of etching, and NOx harmless to the human body is generated by chemical reaction of acid.

반면에, 상기 알카리에칭방식의 경우, 40~48%의 알카리계 에칭액을 사용하여 대략 0.01~0.05㎛/sec의 식각율을 가지고 있어 평탄도 손실을 최소화할 수 있는 이점을 가진다. 이러한 알카리에칭방식에 의한 알카리 에칭장치(1)가 도 1에 도시된다. On the other hand, the alkaline etching method has an etching rate of approximately 0.01 to 0.05 탆 / sec using an alkaline etching solution of 40 to 48%, which is advantageous in minimizing the flatness loss. An alkaline etching apparatus 1 by such an alkaline etching method is shown in Fig.

도 1을 참고하면, 알카리 에칭장치(1)는 에칭되는 웨이퍼(W)가 침지되는 내조(2), 이 내조(2)로부터 오버플로우되는 에칭액(E)을 회수하기 위한 외조(3) 및, 이 내/외조(2)(3)의 에칭액(E)을 순환시키는 순환부(4)를 포함한다. 여기서, 순환부(4)는 외조(3)로부터 회수되는 에칭액(E)을 필터링하는 필터(5), 에칭액(E)을 가열하는 히터(6), 가열된 에칭액(E)을 펌핑하는 펌프(7) 및, 펌핑된 에칭액(E)을 내조(2)로 공급하는 공급관(8)을 포함한다. 이때, 상기 공급관(8)은 상기 내조(2)의 하부와 연통함으로써, 상기 에칭액(E)을 업플로우방식으로 공급한다. 1, an alkaline etching apparatus 1 includes an inner bath 2 in which a wafer W to be etched is immersed, an outer bath 3 for recovering an etching liquid E overflowing from the inner bath 2, (4) for circulating the etching solution (E) in the inner / outer bath (2) (3). The circulation unit 4 includes a filter 5 for filtering the etchant E recovered from the outer tank 3, a heater 6 for heating the etchant E, a pump for pumping the heated etchant E 7 and a supply pipe 8 for supplying the pumped etchant E to the inner tank 2. [ At this time, the supply pipe 8 communicates with the lower part of the inner tank 2, thereby supplying the etching solution E in an upflow manner.

그런데, 상기와 같은 알카리 에칭장치(1)의 경우, 상기 내조(2) 내에서의 상기 에칭액(E)의 난류흐름에 의한 평탄도손실의 우려가 있다. 보다 구체적으로, 상기 에칭액(E)이 상기 공급관(8)을 통해 내조(2)의 하부로 공급되어 중간 보조물 없이 업플로우방식으로 확산됨에 따라, 에칭액(E)이 도 1에 도시된 화살표와 같이 웨이퍼(W)의 외주를 따라 상부로 업플로우됨으로써 웨이퍼(W)의 중심부에 대해 외주부 측에 에칭액(E)이 집중되는 순환유량 차이가 야기된다. 그로 인해, 상기 웨이퍼(W)의 에칭이 외주부에서 집중적으로 발생됨으로써, 웨이퍼(W)이 볼록한 형태로 에칭되는 에칭품질 저하가 야기된다.However, in the case of the above-described alkaline etching apparatus 1, there is a risk of loss of flatness due to the turbulent flow of the etching liquid E in the inner tank 2. More specifically, as the etchant E is supplied to the lower portion of the inner tank 2 through the supply pipe 8 and diffused in an upflow manner without an intermediate auxiliary, Up flow upward along the outer periphery of the wafer W causes a circulation flow rate difference in which the etching liquid E is concentrated on the outer peripheral portion side with respect to the central portion of the wafer W. [ As a result, the etching of the wafer W is intensively generated in the outer peripheral portion, thereby deteriorating the etching quality in which the wafer W is etched in a convex shape.

뿐만 아니라, 상기 내조(2)에 복수매의 웨이퍼(W)가 동시에 침지되어 에칭될 경우에도, 상기 에칭액(E)의 순환유량 차이로 인해 복수매의 웨이퍼(W)들 사이의 에칭편차가 야기된다. In addition, even when a plurality of wafers W are immersed and etched in the inner tank 2, an etching deviation between a plurality of wafers W due to the difference in the circulating flow rate of the etching liquid E is caused do.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 감안하여 안출된 것으로, 균일한 에칭액의 흐름을 형성시킬 수 있는 웨이퍼 에칭장치를 제공하는데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a wafer etching apparatus capable of forming a uniform flow of an etching solution.

본 발명의 다른 목적은 에칭액이 층류를 형성하면서 다운플로우되어 웨이퍼를 균일하게 에칭시킬 수 있는 웨이퍼 에칭장치를 제공하는데 있다.It is another object of the present invention to provide a wafer etching apparatus capable of uniformly etching a wafer downflowed while forming an etching liquid.

본 발명의 또 다른 목적은 웨이퍼 외주부 인근에서 발생되던 에칭액 유속 증가를 개선시킬 수 있는 웨이퍼 에칭장치를 제공하는데 있다.It is still another object of the present invention to provide a wafer etching apparatus capable of improving an increase in the flow rate of an etchant which is generated near the periphery of a wafer.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 웨이퍼 에칭장치는 제 1 내지 제 3 실시예를 구비한다. A wafer etching apparatus for achieving the above object comprises first to third embodiments.

우선, 본 발명의 제 1 실시예에 의한 웨이퍼 에칭장치는, 에칭조, 순환부 및 층류형성부를 구비한다. First, the wafer etching apparatus according to the first embodiment of the present invention includes an etching bath, a circulation unit, and a laminar flow forming unit.

상기 에칭조는 웨이퍼가 선택적으로 삽입되며, 상기 순환부는 상기 에칭조 내외로 에칭액을 순환시키되 상기 에칭액을 상기 에칭조 내부에서 다운플로우방식으로 공급한다. 이를 위해, 상기 순환부는 상기 에칭조의 상부로 상기 에칭액을 공급하기 위한 공급라인, 상기 에칭조의 하부와 연결되어 상기 에칭액을 회수하는 회수라인 및, 상기 회수라인과 연결되어 회수력을 발생시키는 회수펌프를 포함한다. 또한, 상기 순환부는 상기 회수된 에칭액을 필터링하는 필터 및, 상기 필터링된 에칭액을 히팅하는 히터를 더 포함한다. The wafer is selectively inserted into the etching bath, and the circulation unit circulates the etching solution into and out of the etching bath, and supplies the etching solution in the etching bath in a downflow manner. The circulation unit may include a supply line for supplying the etching solution to the upper portion of the etching bath, a recovery line connected to a lower portion of the etching bath to recover the etching solution, and a recovery pump connected to the recovery line to generate a rotating force . The circulation unit may further include a filter for filtering the recovered etchant, and a heater for heating the filtered etchant.

참고로, 상기 에칭조는 상기 웨이퍼가 삽입되는 내조와, 이 내조의 유입구 측을 감싸는 외조를 구비하며, 상기 공급라인은 상기 외조와 연결되어 상기 에칭액을 상기 내조 측으로 오버플로우시킨다. For reference, the etching bath includes an inner bath for inserting the wafer and an outer bath for enclosing the inlet side of the inner bath, and the supply line is connected to the outer bath to overflow the etching liquid to the inner bath.

상기 층류형성부는 상기 에칭조 내부에서 상기 에칭액의 층류흐름을 형성시키는 것으로서, 상기 공급라인과 상기 회수라인 사이에 마련되어 상기 회수펌프의 회수력에 의해 회수되는 상기 에칭액이 층류를 형성하면서 통과되는 복수의 통공을 가지는 층류형성판을 포함한다. 이러한 층류형성판은 상기 내조의 하부에 설치되며, 구체적으로, 상기 에칭조의 하부에서 상기 회수라인과 마주하도록 설치된다. Wherein the laminar flow forming unit forms a laminar flow of the etchant in the etch tank and is provided between the supply line and the collecting line so that the etchant recovered by the recovering force of the collecting pump passes through a plurality And a laminar flow forming plate having a through hole. Such a laminar flow forming plate is installed at the bottom of the inner tank, specifically, facing the recovery line at the bottom of the etching tank.

상기 층류형성판의 두께는 15mm 내지 30mm이고 상기 복수의 통공의 지름은 2mm 내지 3mm이며, 상기 층류형성판에 형성되는 상기 통공의 개수는 400개 내지 600개인 것이 좋다. The thickness of the laminar flow plate is 15 mm to 30 mm, the diameter of the plurality of through holes is 2 mm to 3 mm, and the number of the through holes formed in the laminar flow plate is 400 to 600.

본 발명의 제 2 실시예에 의하면, 제 1 실시예와 마찬가지로 에칭조와 순환부와 함께, 상기 웨이퍼의 외주를 지지하는 지지홈을 구비하여 회전 가능한 적어도 2개의 지지체를 포함한다. 여기서, 상기 지지홈은 외주면에서 내측으로 갈수록 폭이 다단계로 좁혀지도록 다단 라운딩 가공된다. According to the second embodiment of the present invention, similarly to the first embodiment, at least two support bodies which are rotatable with a support groove for supporting the outer periphery of the wafer together with the etching tank and the circulation portion are included. Here, the support groove is multi-stepped rounded so that its width gradually narrows from the outer circumferential surface toward the inner circumferential surface.

구체적으로, 상기 지지홈은, 상기 지지체의 외주면으로부터 50°내지 60°의 각도의 너비를 가지도록 라운딩 가공된 제 1 단부, 상기 제 1 단부로부터 내측으로 연장되되, 15°내지 25°사이의 각도의 너비를 가지도록 라운딩 가공된 제 2 단부를 포함한다. 이러한 지지홈은 복수매의 웨이퍼를 동시에 지지할 수 있도록 복수개 형성된다. 이때, 상기 복수의 지지홈들 사이의 간격은 10mm 내지 20mm이고, 깊이는 13mm 내지 17mm이며 인 것이 좋다. Specifically, the support groove has a first end rounded to have a width of an angle of 50 to 60 from the outer circumferential surface of the support, a second end extending inward from the first end, And a second end that is rounded to have a width of about 1 mm. The support grooves are formed in plurality so as to support a plurality of wafers at the same time. At this time, the distance between the plurality of support grooves is 10 mm to 20 mm, and the depth is preferably 13 mm to 17 mm.

본 발명의 제 3 실시예에 의한 웨이퍼 에칭장치는, 복수의 웨이퍼가 선택적으로 삽입되는 에칭조, 상기 에칭조 내외로 에칭액을 순환시키되, 상기 에칭액을 상기 에칭조 내부에서 다운플로우방식으로 공급하는 순환부, 상기 에칭조 내부에서 상기 에칭액이 통과되는 복수의 통공을 구비하여 층류를 형성시키는 층류형성판, 그리고, 외주면에서 내측으로 갈수록 폭이 다단계로 좁혀지는 복수의 지지홈을 구비하여, 복수의 웨이퍼를 지지하는 적어도 2개의 지지체를 포함한다. The wafer etching apparatus according to the third embodiment of the present invention includes an etching tank in which a plurality of wafers are selectively inserted, a circulation loop for circulating the etching liquid in and out of the etching tank and supplying the etching liquid in a downflow manner in the etching tank A plurality of through holes through which the etching solution passes to form a laminar flow, and a plurality of support grooves narrowing in width at a plurality of stages inward from the outer circumferential surface, At least two supports for supporting the substrate.

상기와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의하면, 다운플로우방식으로 에칭액이 순환됨과 아울러, 에칭액이 층류형성부에 의해 층류를 형성하면서 웨이퍼 표면과 접촉됨으로써, 에칭액의 흐름을 균일하게 가이드할 수 있게 된다. 그로 인해, 웨이퍼와 에칭액 사이의 균일 접촉에 의한 유속편차 향상을 기대할 수 있어, 에칭된 웨이퍼 표면의 품질을 향상시킬 수 있게 된다.According to the present invention having the above-described structure, the etching liquid is circulated in the down flow manner, and the etching liquid is brought into contact with the wafer surface while forming laminar flow by the laminar flow forming unit, thereby uniformly guiding the flow of the etching liquid. Thus, it is possible to expect an improvement in the flow velocity deviation due to the uniform contact between the wafer and the etchant, thereby improving the quality of the etched wafer surface.

또한, 본 발명은 층류형성부와 더불어 웨이퍼의 외주부를 지지하는 지지체의 지지홈을 다단 라운딩 가공함으로써, 웨이퍼를 안전하게 지지함과 아울러 웨이퍼 외주부 인근에서 발생되었던 빠른 유속을 방지시킬 수 있게 된다. 그로 인해, 웨이퍼 외주부의 식각 증가로 인한 웨이퍼 에칭품질 저하를 개선할 수 있게 된다. In addition, according to the present invention, in addition to the laminar flow forming portion, the support grooves of the support for supporting the outer circumferential portion of the wafer are subjected to a multi-stage rounding process to securely support the wafer and to prevent a rapid flow velocity occurring near the wafer outer circumferential portion. As a result, it is possible to improve deterioration in wafer etching quality due to an increase in etching of the peripheral portion of the wafer.

이하, 본 발명의 바람직한 일 실시예를 첨부된 도면을 참고하여 설명한다. Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 2를 참고하면, 본 발명의 바람직한 제 1 실시예에 의한 웨이퍼 에칭장 치(100)는 에칭조(110), 순환부(120) 및 층류형성판(130)을 포함한다. Referring to FIG. 2, the wafer etching apparatus 100 according to the first preferred embodiment of the present invention includes an etching bath 110, a circulation unit 120, and a laminar flow forming plate 130.

상기 에칭조(110)는 에칭될 웨이퍼(W)가 선택적으로 삽입된다. 본 실시예에서는 상기 에칭조(110)가 상기 웨이퍼(W)가 삽입되는 내조(111)와, 이 내조(111)의 유입구(112)를 감싸는 외조(113)로 구분된다. The etching bath 110 selectively inserts the wafer W to be etched. The etching bath 110 is divided into an inner bath 111 into which the wafer W is inserted and an outer bath 113 surrounding the inlet 112 of the inner bath 111. [

상기 순환부(120)는 상기 에칭조(110)의 내외로 에칭액(E)을 순환시키되, 상기 에칭액(E)을 상기 에칭조(110) 내부에서 다운플로우방식으로 공급한다. 이러한 순환부(120)는 공급라인(121), 회수라인(122) 및 회수펌프(123)를 포함한다. The circulation unit 120 circulates the etching solution E into and out of the etching bath 110 and supplies the etching solution E in the etching bath 110 in a downflow manner. The circulation unit 120 includes a supply line 121, a recovery line 122, and a recovery pump 123.

상기 공급라인(121)은 상기 에칭조(110)의 상부로 상기 에칭액(E)을 공급한다. 이때, 상기 공급라인(121)은 상기 외조(113)와 연결된다. 그로 인해, 상기 외조(113)로 공급된 에칭액(E)은 오버플로우되어 상기 내조(111)의 유입구(112)를 통해 내조(111)로 유입됨으로써, 에칭액(E)을 내조(110) 내에서 다운플로우시킨다. The supply line 121 supplies the etchant E to the upper portion of the etching bath 110. At this time, the supply line 121 is connected to the outer tank 113. The etchant E supplied to the outer tub 113 is overflowed and flows into the inner tub 111 through the inlet 112 of the inner tub 111 so that the etchant E flows into the inner tub 110 Down flow.

한편, 본 발명에서 설명하는 에칭액(E)은 에칭공정 중 인체에 유해한 가스를 발생시키지 않음과 아울러 웨이퍼(W)의 평탄도 손실을 최소화할 수 있는 40% 내지 48%의 KOH, NaOH, LiOH 등과 같은 알카리계 에칭액이다. 이러한 알카리계 에칭액(E)의 경우, 0.01 내지 0.05㎛/sec의 식각율을 구비함으로써, 평탄도 측면에서 유리한 특성을 가진다. On the other hand, the etching solution E described in the present invention can be used in an amount of 40 to 48% of KOH, NaOH, LiOH, etc., which does not generate harmful gas to the human body during the etching process and minimizes the flatness loss of the wafer W It is the same alkaline etching solution. In the case of such an alkaline etching solution (E), since the etching rate is 0.01 to 0.05 탆 / sec, it is advantageous in terms of flatness.

상기 회수라인(122)은 상기 에칭조(110)의 하부와 연결되어 웨이퍼(W)를 경유함으로써 웨이퍼(W) 표면의 가공 변질층 및 표면 불순물을 식각한 에칭액(E)을 에칭조(110) 외부로 배출시킨다. The recovery line 122 is connected to a lower portion of the etching bath 110 and passes through the wafer W to etch the etched layer E and the etchant E on the surface of the wafer W, And discharged to the outside.

상기 회수펌프(123)는 상기 회수라인(122)과 연결되어 회수력을 발생시킨다. 보다 구체적으로, 상기 회수펌프(123)는 상기 회수라인(122)을 통해 에칭액(E)이 배출될 수 있는 회수력 즉, 흡입력을 발생시킨다. 이러한 회수펌프(123)의 회수력에 의해 상기 외조(113)로 공급되어 내조(111)로 오버플로우된 에칭액(E)이 상기 회수라인(122) 측으로 다운플로우될 수 있게 된다. The recovery pump 123 is connected to the recovery line 122 to generate a rotating force. More specifically, the recovery pump 123 generates a rotating force, that is, a suction force, through which the etching liquid E can be discharged through the recovery line 122. The etchant E supplied to the outer tank 113 and overflowed to the inner tank 111 can be downflowed to the collection line 122 by the rotating force of the recovery pump 123.

상기와 같은 순환부(120)는 상기 회수된 에칭액(E)을 필터링하는 필터(124)와, 이 필터링된 에칭액(E)을 공급라인(121)을 통해 재 공급되기 이전에 에칭에 적합한 온도로 가열하는 히터(125)를 포함한다. 여기서, 상기 히터(125)는 상기 에칭액(E)을 대략 60℃ 내지 83℃의 온도로 일정하게 유지시킨다. The circulation unit 120 may include a filter 124 for filtering the recovered etchant E and a filter 124 for removing the filtered etchant E from the supply line 121 at a temperature suitable for etching And a heater 125 for heating. Here, the heater 125 maintains the etchant E at a constant temperature of about 60 ° C to 83 ° C.

이상과 같은 구성을 가지는 순환부(120)에 의한 에칭액(E)이 순환량은 5 내지 50lpm이다. 또한, 상기 에칭액(E)에 의해 에칭되는 웨이퍼(W) 표면의 가공량은 대략 10 내지 40㎛이다. The circulation amount of the etching solution E by the circulation unit 120 having the above-described configuration is 5 to 50 lpm. In addition, the processing amount of the surface of the wafer W to be etched by the etching liquid E is approximately 10 to 40 占 퐉.

한편, 본 실시예에서는 상기 에칭조(110)가 내조(111)와 외조(113)를 구비하여 외조(113)의 에칭액(E)이 내조(111) 측으로 오버플로우되어 공급되는 것으로 예시하였으나, 꼭 이를 한정하는 것은 아니다. 즉, 상기 에칭조(110)가 내조(111)와 외조(113)로 구분되지 않고 단일의 조로 구성되고 그 에칭조(110)의 상부와 공급라인(121)이 연결되는 변형예도 가능함은 당연하다. In the present embodiment, the etchant 110 is provided with the inner tank 111 and the outer tank 113, and the etchant E of the outer tank 113 is supplied to overflow the inner tank 111. However, It is not limited thereto. It goes without saying that the etching bath 110 may be formed as a single bath without being divided into the inner bath 111 and the outer bath 113 and the upper portion of the etching bath 110 and the supply line 121 may be connected to each other .

상기 층류형성판(130)은 상기 에칭조(110)의 내부에서 상기 에칭액(E)의 층류(F) 흐름을 형성시킨다. 여기서, 상기 층류형성판(130)은 상기 에칭조(110) 중, 내조(111)에 설치되며, 상기 공급라인(121)과 회수라인(122) 사이의 위치에 설치된다. 본 실시예에서는 상기 층류형성판(130)이 상기 회수라인(122)과 마주하도록, 상기 내조(111)의 하부에 설치되는 것으로 예시한다. The laminar flow plate 130 forms a laminar flow (F) flow of the etchant E inside the etch bath 110. The laminar flow forming plate 130 is installed in the inner tank 111 of the etching bath 110 and is installed at a position between the supply line 121 and the recovery line 122. In this embodiment, the laminar flow forming plate 130 is installed below the inner tank 111 so as to face the recovery line 122.

이러한 층류형성판(130)은 상기 회수펌프(123)의 회수력에 의해 상기 회수라인(122) 측으로 다운플로우되는 에칭액(E)이 층류(F)를 형성하면서 통과되도록 복수의 통공(131)을 가진다. 즉, 상기 회수펌프(123)에서 발생된 회수력이 상기 층류형성판(130)의 통공(131)을 통해 상기 에칭액(E)을 흡입함으로써, 상기 에칭액(E)이 층류(F)를 형성하게 되는 것이다. 그로 인해, 상기 에칭액(E)이 상기 웨이퍼(W)의 주변에서 난류흐름이 야기되지 않고, 층류(F) 흐름에 의해 웨이퍼(W) 표면과 균일하게 접촉될 수 있게 된다. The laminar flow forming plate 130 is provided with a plurality of through holes 131 so that the etchant E flowing down to the collecting line 122 side is passed through while forming a laminar flow F by the rotating force of the recovery pump 123 I have. That is, the rotating force generated by the recovery pump 123 sucks the etching solution E through the through hole 131 of the laminar flow forming plate 130, so that the etching solution E forms a laminar flow F . Thereby, the etchant E can be uniformly brought into contact with the surface of the wafer W by the laminar flow (F) without generating turbulent flow around the wafer W.

여기서, 상기 층류형성판(130)은 도 2 및 도 3의 도시와 같이, 소정 두께(t)를 가지는 플레이트 형상을 가지며, 복수의 통공(131)은 일정간격 이격되도록 다열 형성된다. 이러한 층류형성판(130)은 그 두께(t)가 두껍고 통공(131)의 지름(d)이 작으며 통공(131)의 개수가 많을수록 층류(F) 발생에 의한 균일한 에칭액(E) 흐름 형성에 유리한다. 이에, 본 실시예에서는 상기 층류형성판(130)의 두께(t)는 15mm 내지 30mm 이고, 상기 복수의 통공(131)의 지름(d)은 2mm 내지 3mm인 것으로 예시한다. 또한, 상기 층류형성판(130)에 형성되는 통공(131)의 개수는 대략 400 내지 600개로 예시한다. 그러나, 상기와 같은 구성을 가지는 층류형성판(130)의 두께(t), 통공(131)의 지름(d) 및 개수는 상기와 같은 수치에 꼭 한정되진 않는다.2 and 3, the laminar flow-forming plate 130 has a plate shape having a predetermined thickness t, and the plurality of through-holes 131 are formed in multiple rows so as to be spaced apart from each other by a predetermined distance. The laminar flow forming plate 130 has a thickness t and a small diameter d of the through hole 131. The larger the number of the through holes 131, the more uniform the etchant flow . Thus, in this embodiment, the thickness t of the laminar flow-forming plate 130 is 15 mm to 30 mm, and the diameters d of the plurality of through holes 131 are 2 mm to 3 mm. In addition, the number of the through holes 131 formed in the laminar flow forming plate 130 is approximately 400 to 600. However, the thickness t of the laminar flow forming plate 130 having the above-described structure, the diameter d of the through hole 131, and the number are not limited to the above values.

상기와 같은 층류형성판(130)을 구비할 경우, 도 4의 도시와 같이, 상기 층류형성판(130)이 없는 종래와 비교하여 대략 21%의 유속편차가 개선됨을 알 수 있다. 또한, 도 5의 그래프에 도시된 바와 같이, 상기 층류형성판(130)에 의해 형성 된 층류(F)에 의해 에칭된 웨이퍼(W) 표면의 TTV(Total Thickness Variation)도 대략 2.7%로 개선된다. As shown in FIG. 4, when the laminar flow forming plate 130 as described above is provided, it can be seen that the flow velocity deviation is improved by about 21% compared to the conventional case without the laminar flow forming plate 130. 5, the total thickness variation (TTV) of the surface of the wafer W etched by the laminar flow F formed by the laminar flow forming plate 130 is also improved to approximately 2.7% .

참고로, 본 발명에서 설명하는 상기 웨이퍼(W)는 상기 내조(111)의 에칭액(E)에 복수매 또는 낱장이 침지된다. 이때, 상기 웨이퍼(W)는 지지체(140)에 의해 그 침지된 상태가 지지됨과 아울러, 회전된다. 여기서, 상기 지지체(140)에 의해 회전되는 웨이퍼(W)의 속도는 대략 2rpm 내지 20rpm이다. For reference, a plurality of the wafers W described in the present invention are immersed in the etching liquid E of the inner bath 111. At this time, the wafer W is supported by the support 140 and is rotated. Here, the speed of the wafer W rotated by the support 140 is approximately 2 rpm to 20 rpm.

상기와 같은 구성을 가지는 본 발명의 제 1 실시예에 의한 웨이퍼 에칭장치(10)의 동작을 도 2를 참고하여 설명한다. The operation of the wafer etching apparatus 10 according to the first embodiment of the present invention having the above structure will be described with reference to FIG.

도 2를 참고하면, 상기 공급라인(121)을 통해 상기 에칭액(E)이 에칭조(110)의 외조(113)로 지속적으로 공급되면, 상기 외조(113)로부터 에칭액(E)이 내조(111) 측으로 오버플로우된다. 그러면, 상기 에칭액(E)은 상기 내조(111)의 하부와 연결된 회수라인(122)을 통해 전달되는 회수펌프(123)의 회수력에 의해 내조(111)의 내부에서 다운플로우된다. 2, when the etchant E is continuously supplied to the outer tank 113 of the etching tank 110 through the supply line 121, the etchant E from the outer tank 113 is supplied to the inner tank 111 ) Side. The etchant E flows downward in the inner tank 111 by the rotating force of the recovery pump 123, which is transmitted through the recovery line 122 connected to the lower portion of the inner tank 111.

이때, 상기 회수펌프(123)에서 발생된 회수력이 상기 층류형성판(130)의 통공을 통해 상기 에칭액(E)을 흡입하므로, 상기 에칭액(E)은 층류(F)를 형성하면서 다운플로우된다. 그로 인해, 상기 에칭액(E)은 균일한 흐름을 형성하면서 웨이퍼(W)의 표면과 접촉되게 된다. 이렇게 에칭액(E)이 균일하게 상기 웨이퍼(W)의 표면과 접촉됨에 따라, 상기 웨이퍼(W) 표면이 에칭된다. 즉, 상기 웨이퍼(W)와 에칭액(E)의 화학적 반응에 의해 상기 웨이퍼(W) 표면의 표면가공 변질층을 제거함과 아울러, 웨이퍼(W) 표면의 이물질을 세정하게 된다. At this time, the rotating force generated by the recovery pump 123 sucks the etching solution E through the passage of the laminar flow-forming plate 130, so that the etching solution E flows down while forming the laminar flow F . As a result, the etchant E comes into contact with the surface of the wafer W while forming a uniform flow. As the etchant E uniformly contacts the surface of the wafer W, the surface of the wafer W is etched. That is, the chemical reaction between the wafer W and the etchant E removes the surface damaged layer on the surface of the wafer W, and cleans foreign matters on the surface of the wafer W. [

상기 웨이퍼(W)의 세정에 사용되었던 에칭액(E)은 층류(F)를 형성하면서 층류형성판(130)의 통공(131)을 경유한 후, 상기 회수라인(122)을 통해 회수된다. 상기 회수된 에칭액(E)은 필터(124)에 의해 필터링되어 히터(125)에 의해 가열된 이후, 다시 공급라인(121)을 통해 상기 외조(113)로 재공급된다. The etchant E used for cleaning the wafer W passes through the through hole 131 of the laminar flow forming plate 130 and is recovered through the recovery line 122 while forming a laminar flow F. The recovered etchant E is filtered by the filter 124 and heated by the heater 125 and then supplied again to the outer tank 113 through the supply line 121.

도 6을 참고하면, 본 발명의 바람직한 제 2 실시예에 의한 웨이퍼 에칭장치(100)가 도시된다. Referring to FIG. 6, a wafer etching apparatus 100 according to a second preferred embodiment of the present invention is shown.

도 6에 도시된 본 발명의 제 2 실시예에 의한 웨이퍼 에칭장치(200)는 에칭조(110), 순환부(120, 도 2 참고) 및 적어도 2개의 지지체(240)를 포함한다. 여기서, 상기 에칭조(110)는 에칭액(E)을 수용하며, 상기 순환부(120)는 에칭액(E)을 에칭조(110)의 내외로 순환시키되 에칭액(E)을 에칭조(110) 내부에서 다운플로우방식으로 공급한다. The wafer etching apparatus 200 according to the second embodiment of the present invention shown in FIG. 6 includes an etching bath 110, a circulation unit 120 (see FIG. 2), and at least two supports 240. The etch bath 110 receives the etchant E and the circulating unit 120 circulates the etchant E in and out of the etch bath 110 so that the etchant E flows into the etch bath 110 In a down flow manner.

이러한 에칭조(110) 및 순환부(120)의 기술구성은 도 2를 참고하여 설명하였던 제 1 실시예와 동일한 기술구성을 구비하므로, 동일 참조부호를 부여하여 자세한 설명 및 도시를 생략한다. 다만, 상기 에칭조(110)의 기술구성은 설명의 편의를 위해 내조 및 외조 구분 없이 단일 조로 도시하였다. The etching structure 110 and the circulation unit 120 have the same technical structures as those of the first embodiment described with reference to FIG. 2, and therefore, the same reference numerals are assigned to the etching structure 110 and detailed description and illustration thereof are omitted. However, the technical structure of the etching bath 110 is shown as a single bath for the sake of convenience of description.

본 제 2 실시예의 특징적 기술구성에 의하면, 상기 지지체(240)는 상기 에칭조(110)내에 삽입되는 웨이퍼(W)를 지지하도록 적어도 2개 이상 마련된다. 여기서, 상기 웨이퍼(W)는 상기 에칭조(110) 내에 복수매에 동시에 침지되는 것으로 예시한다. 보다 구체적으로, 상기 웨이퍼(W)는 대략 24매가 상기 에칭조(210)에 동시에 침지되며, 이들을 지지하는 지지체(240)는 3개이다.According to the characteristic construction of the second embodiment, at least two or more support bodies 240 are provided to support the wafer W inserted into the etching bath 110. Here, the wafer W is immersed in the etching bath 110 at a plurality of times. More specifically, approximately 24 wafers W are simultaneously immersed in the etching bath 210, and three supporting bodies 240 are supported.

상기 지지체(240)에는 복수매의 웨이퍼(W)를 동시에 지지하도록 도 7과 같이, 소정 길이를 가진다. 이러한 지지체(240)는 웨이퍼(W)를 지지함과 아울러, 상기 웨이퍼(W)를 승하강시키거나 회전시키기 위해 구동되며, 이를 위해 미도시된 구동수단과 연결된다. 여기서, 상기 지지체(240)는 내구성 및 내식성을 위해 테플론수지로 형성됨이 좋으며, 지지프레임(244)에 양축단이 지지된다.The support 240 has a predetermined length as shown in Fig. 7 so as to support a plurality of wafers W at the same time. The support 240 supports the wafer W and is driven to move up and down or rotate the wafer W and is connected to driving means not shown for this purpose. Here, the support body 240 may be formed of Teflon resin for durability and corrosion resistance, and both end portions of the support body 240 are supported by the support frame 244.

또한, 상기 지지체(240)는 도 8의 도시와 같이, 상기 복수매의 웨이퍼(W)의 외주부를 지지하도록 복수의 지지홈(241)이 형성된다. 이때, 상기 복수의 지지홈(241)들의 간격(L) 및 그 깊이(t3)는 웨이퍼(W) 에칭시의 평탄도에 영향을 미친다. 구체적으로, 웨이퍼(W)의 실리콘 성분과 알카리계 에칭액(E)의 반응에 의해 발생되는 강한 발열반응에 의해 웨이퍼(W)와 웨이퍼(W)의 사이에는 압력장이 형성되는데, 이 압력이 높을수록 에칭액(E)의 원활한 흐름이 방해된다. 뿐만 아니라, 상기 지지홈(241)에 의해 지지되는 웨이퍼(W)의 주변 즉, 외주부의 에칭액(E)DMS 다른 부분에 비해 그 유속이 매우 빠르며 지지체(240)의 회전에 의해 불균일한 에칭이 발생될 가능성이 높다. 그로 인해, 상기 지지홈(241)의 깊이(t3)가 최소화될수록 에칭액(E)의 균일흐름에 유리하나, 그 깊이(t3)가 너무 얇게 되면 웨이퍼(W)의 지지가 불안전한 문제점이 야기된다. 8, a plurality of support grooves 241 are formed in the support 240 so as to support the outer circumferential portions of the plurality of wafers W. As shown in Fig. At this time, the distance L between the plurality of support grooves 241 and the depth t3 thereof affects the flatness at the time of wafer W etching. Specifically, a pressure field is formed between the wafer W and the wafer W by a strong exothermic reaction generated by the reaction between the silicon component of the wafer W and the alkaline etching solution (E). The higher the pressure The smooth flow of the etching liquid E is hindered. In addition, the peripheral velocity of the wafer W supported by the support groove 241, that is, the peripheral portion of the wafer W, is much faster than the other portions of the etchant (E) DMS, and uneven etching is caused by the rotation of the support 240 . Therefore, as the depth t3 of the support groove 241 is minimized, the uniform flow of the etchant E is advantageous, but if the depth t3 is too small, the support of the wafer W becomes unsafe .

따라서, 본 제 2 실시예에서는 상기 지지체(240)의 지지홈(241)이 하기와 같이 형성되어 에칭액(E)의 균일흐름을 유도함에 그 특징을 가진다.Accordingly, in the second embodiment, the support groove 241 of the support body 240 is formed as described below to induce a uniform flow of the etching liquid E.

우선, 도 8의 도시와 같이, 상기 복수의 지지홈(241)들 사이의 간격(L)은 대략 10mm 내지 20mm으로 형성됨으로써, 웨이퍼(W)와 웨이퍼(W) 사이의 압력장 발생 을 최소화한다. 본 실시예에서는 300mm 직경을 가지는 웨이퍼(W)의 지지를 고려하여 10mm인 것으로 예시한다. 8, the gap L between the plurality of support grooves 241 is approximately 10 mm to 20 mm, thereby minimizing the occurrence of a pressure field between the wafer W and the wafer W . In the present embodiment, 10 mm is taken into consideration in consideration of support of a wafer W having a diameter of 300 mm.

또한, 상기 복수의 지지홈(241)은 외주에서 내측으로 갈수록 그 폭이 다단계로 좁혀지도록 다단 가공된다. 구체적으로, 상기 지지홈(241)은 도 9의 도시와 같이, 상기 지지체(240)의 외주로부터 50°내지 60°의 각도(R1)의 너비를 가지도록 라운딩 가공된 제 1 단부(242)와, 이 제 1 단부(242)로부터 내측으로 연장되되 15°내지 25°사이의 각도(R2)의 너비를 가지도록 라운딩 가공된 제 2 단부(243)를 포함한다. 여기서, 상기 제 1 단부(242)의 깊이(t1)는 대략 9mm이고, 제 2 단부(243)의 깊이(t2)는 대략 4.5mm이다. 그로 인해, 상기 지지홈(241)의 깊이(t3)는 대략 13mm 내지 17mm인 것이 좋다. 이러한 제 1 및 제 2 단부(242)(243)의 형성조건들은 직경이 300mm인 웨이퍼(W)의 지지를 고려하여 산출된 조건들이므로, 그 값은 가변 가능하다.In addition, the plurality of support grooves 241 are multi-stepped so that their widths are gradually narrowed from the outer periphery toward the inner periphery. 9, the support groove 241 has a first end 242 rounded to have a width of an angle R1 of 50 to 60 degrees from the outer periphery of the support 240, , And a second end portion 243 that extends radially inwardly from the first end portion 242 and has a width of an angle R2 between 15 and 25 degrees. Here, the depth t1 of the first end 242 is approximately 9 mm and the depth t2 of the second end 243 is approximately 4.5 mm. Therefore, it is preferable that the depth t3 of the support groove 241 is approximately 13 mm to 17 mm. Since the conditions for forming the first and second end portions 242 and 243 are conditions calculated considering the support of the wafer W having a diameter of 300 mm, the value is variable.

이렇게 상기 제 1 및 제 2 단부(242)(243)를 구비하여 지지홈(241)이 웨이퍼(W)를 지지하는 소정 깊이(t3)를 구비하되, 제 1 단부(242)의 공간을 최대한 넓혀 에칭액(E)의 흐름을 보다 원활히 할 수 있게 된다. 즉, 상기 에칭액(E)이 웨이퍼(W) 주변부 즉, 외주부 인근에서의 빠른 유속 흐름을 방지하여, 웨이퍼(W) 외주부의 과도한 식각을 방지하는 것이다.The support groove 241 is provided with the first and second ends 242 and 243 so as to have a predetermined depth t3 for supporting the wafer W so that the space of the first end 242 is maximized The flow of the etching liquid E can be more smoothly performed. That is, the etching solution E prevents the flow of the etching gas at a high velocity around the periphery of the wafer W, thereby preventing excessive etching of the outer periphery of the wafer W.

상기와 같은 지지체(240)를 구비하는 본 발명의 제 2 실시예의 경우, 도 10의 도시와 같이 웨이퍼(W) 표면에서의 유속편차는 종래와 비교하여 대략 27% 개선된다. 또한, 도 11의 그래프와 같이, 제 2 실시예에 의한 지지체(240)에 의해 에칭 된 웨이퍼(W)의 TTV도 종래와 비교하여 약 2.0% 개선된다. In the case of the second embodiment of the present invention having the support 240 described above, the flow velocity deviation on the surface of the wafer W is improved by about 27% as compared with the conventional one, as shown in Fig. 11, the TTV of the wafer W etched by the support body 240 according to the second embodiment is improved by about 2.0% as compared with the conventional one.

도 12를 참고하면, 본 발명의 제 3 실시예에 의한 웨이퍼 에칭장치(300)가 도시된다. Referring to FIG. 12, a wafer etching apparatus 300 according to a third embodiment of the present invention is shown.

도 12를 참고하면, 본 제 3 실시예에 의한 웨이퍼 에칭장치(300)는 에조(110), 순환부(120, 도 2 참고), 층류형성판(330) 및 지지체(340)를 포함한다.Referring to FIG. 12, the wafer etching apparatus 300 according to the third embodiment includes an etch 110, a circulation unit 120 (see FIG. 2), a laminar flow forming plate 330, and a support 340.

상기 에칭조(110)와 순환부(120)는 도 2를 참고하여 설명하였던 제 1 및 제 2 실시예의 에칭조(110) 및 순환부(120)의 기술구성과 동일하다. 구체적으로, 상기 에칭조(310)는 에칭액(E)을 수용하여 웨이퍼(W)가 선택적으로 침지되며, 상기 순환부(120)는 상기 에칭조(110)로 에칭액(E)을 다운플로우방식으로 순환시킨다. 그러므로, 본 실시예를 설명함에 있어, 상기 에칭조(110) 및 순환부(120)의 기술구성은 자세한 도시 및 설명은 생략하며, 도 2와 동일 참조부호를 부여한다. The etching bath 110 and the circulating unit 120 are the same as those of the etching bath 110 and the circulating unit 120 of the first and second embodiments described with reference to FIG. Specifically, the etching bath 310 receives the etchant E to selectively immerse the wafer W, and the circulation unit 120 performs etching of the etchant E in the downflow manner using the etching bath 110 Circulate. Therefore, in describing the present embodiment, detailed description and description of the etching structure 110 and the circulation unit 120 are omitted, and the same reference numerals as in FIG. 2 are given.

또한, 상기 층류형성판(330)는 에칭액(E)이 층류를 형성하도록 복수의 통공(331)을 구비하며, 상기 지지체(340)는 웨이퍼(W)의 외주부를 지지하되 에칭액(E)이 균일한 유속으로 흐를 수 있는 형상의 지지홈(341)을 가진다. 즉, 본 발명의 제 3 실시예는 앞서 설명한 제 1 실시예의 특징적 기술구성인 층류형성판(330의 기술구성과 제 2 실시예의 특징적 기술구성인 지지체(340)의 기술구성을 동시에 구비하는 것이다. 이때, 상기 층류형성판(330) 및 지지체(340)의 기술구성은 앞선 실시예와 동일하므로, 자세한 설명은 생략한다.The laminar flow plate 330 has a plurality of through holes 331 for forming a laminar flow of the etching liquid E and the supporting body 340 supports the outer peripheral portion of the wafer W, And has a support groove 341 of a shape capable of flowing at a flow velocity. That is, the third embodiment of the present invention simultaneously includes the technical constitution of the laminar flow forming plate 330, which is the characteristic technical constitution of the first embodiment described above, and the technical constitution of the support body 340, which is the characteristic technical constitution of the second embodiment. At this time, the technical structure of the laminar flow-forming plate 330 and the support body 340 is the same as that of the previous embodiment, and thus a detailed description thereof will be omitted.

상기와 같이 다운플로우되는 에칭액(E)이 층류형성판(330)에 의해 층류를 형성함과 아울러 지지체(340)에 의해 웨이퍼(W) 외주부 인근의 유속을 균일하게 제어 할 수 있게 된다. 그로 인해, 본 제 3 실시예의 경우, 도 13의 도시와 같이, 종래와 비교하여 유속편차가 개선됨을 알 수 있다. 특히, 상기 에칭액(E)의 순환량이 40lpm인 경우, 약 60% 가량 유속편차가 개선된다. 또한, 도 14의 도시와 같이, 종래와 비교하여 약 3% 가량 TTV도 개선된다. The laminar flow is formed by the laminar flow forming plate 330 and the flow rate near the outer circumferential portion of the wafer W can be uniformly controlled by the support body 340. [ Therefore, in the case of the third embodiment, as shown in Fig. 13, it can be seen that the flow velocity deviation is improved compared with the conventional one. Particularly, when the circulating amount of the etching liquid E is 40 lpm, the flow velocity deviation is improved by about 60%. Also, as shown in Fig. 14, the TTV is improved by about 3% as compared with the conventional one.

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the present invention has been described with reference to the preferred embodiments thereof, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the following claims. It can be understood that

도 1은 일반적인 웨이퍼 에칭장치를 개략적으로 도시한 구성도1 schematically shows a general wafer etching apparatus

도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 의한 웨이퍼 에칭장치를 개략적으로 도시한 구성도, 2 is a schematic view showing a wafer etching apparatus according to a first embodiment of the present invention,

도 3은 도 2에 도시된 층류형성판의 평면도 및 단면도, Fig. 3 is a plan view and a sectional view of the laminar flow forming plate shown in Fig. 2,

도 4는 제 1 실시예와 종래의 유속편차 비교 그래프,FIG. 4 is a graph showing the flow velocity difference comparison graph of the first embodiment and the conventional example,

도 5는 제 1 실시예와 종래의 TTV 비교 그래프,FIG. 5 is a graph showing the comparison between the first embodiment and the conventional TTV comparison graph,

도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 의한 웨이퍼 에칭장치를 개략적으로 도시한 사시도, 6 is a perspective view schematically showing a wafer etching apparatus according to a second embodiment of the present invention,

도 7은 도 7의 지지체만을 발췌하여 개략적으로 도시한 사시도, Fig. 7 is a perspective view schematically showing only the support of Fig. 7,

도 8은 도 7의 지지체의 측면도, Figure 8 is a side view of the support of Figure 7,

도 9는 도 7의 A영역 확대도, Fig. 9 is an enlarged view of area A in Fig. 7,

도 10은 제 2 실시예와 종래의 유속편차 비교 그래프,Fig. 10 is a graph showing the flow velocity difference comparison graph of the second embodiment and the conventional example,

도 11은 제 2 실시예와 종래의 TTV 비교 그래프,11 is a graph showing a comparison between the second embodiment and the conventional TTV comparison graph,

도 12는 본 발명의 제 3 실시예에 의한 웨이퍼 에칭장치를 개략적으로 도시한 사시도, 12 is a perspective view schematically showing a wafer etching apparatus according to a third embodiment of the present invention,

도 13은 제 3 실시예와 종래의 유속편차 비교 그래프, 그리고, 13 is a graph showing the flow velocity deviation comparison graph of the third embodiment,

도 14는 제 3 실시예와 종래의 TTV 비교 그래프이다. FIG. 14 is a graph showing a comparison between the third embodiment and a conventional TTV.

<도면의 주요 부분에 대한 부호 설명>Description of the Related Art [0002]

100, 200, 300: 웨이퍼 에칭장치 110: 에칭조100, 200, 300: wafer etching apparatus 110: etching apparatus

120: 순환부 130, 330: 층류형성판120: circulation unit 130, 330: laminar flow forming plate

131, 331: 통공 240, 340: 지지체 131, 331: through hole 240, 340: support

241, 341: 지지홈241, 341: Support groove

Claims

An etching bath in which a wafer is selectively inserted;

A circulation unit circulating an etchant into and out of the etch bath and supplying the etchant in a down flow manner in the etch bath; And

A laminar flow forming unit for forming a laminar flow of the etchant in the etch bath;

Lt; / RTI >

Wherein the circulation portion includes a supply line for supplying the etching solution to the upper portion of the etching bath, a recovery line connected to a lower portion of the etching bath to recover the etching solution, and a recovery pump connected to the recovery line,

Wherein the circulation unit further includes a filter for filtering the recovered etchant and a heater for heating the filtered etchant.

delete

The method according to claim 1,

Wherein the laminar flow forming portion comprises:

A laminar flow forming plate provided between the supply line and the recovery line and having a plurality of through holes through which the etchant recovered by the rotational force of the recovery pump passes while forming a laminar flow;

And the wafer etching apparatus.

5. The method of claim 4,

Wherein the etching tank has an inner tank into which the wafer is inserted and an outer tank surrounding the inlet of the inner tank, the supply line being connected to the outer tank to overflow the etching liquid to the inner tank side,

Wherein the laminar flow forming plate is installed at a lower portion of the inner tank.

5. The method of claim 4,

Wherein the laminar flow forming plate is installed to face the recovery line in the lower part of the etching bath.

6. The method of claim 5,

The thickness of the laminar flow plate is 15 mm to 30 mm, the diameter of the plurality of through holes is 2 mm to 3 mm,

Wherein the number of the through holes formed in the laminar flow forming plate is 400 to 600.

The method according to claim 1,

Further comprising at least two support members rotatable with supporting grooves for supporting the outer periphery of the wafer.

9. The method of claim 8,

Wherein the support groove is multi-stage rounded so that the width gradually narrows from the outer circumferential surface to the inner circumferential surface in a multi-step manner.

10. The method of claim 9,

The support groove

A first end rounded to have an angle of 50 to 60 degrees from the outer circumferential surface of the support;

A second end extending inwardly from the first end and having a width of an angle between 15 and 25 degrees;

And the wafer etching apparatus.

9. The method of claim 8,

A plurality of support grooves are formed to support a plurality of wafers at the same time,

Wherein a distance between the plurality of support grooves is 10 mm to 20 mm and a depth is 13 mm to 17 mm.

An etching bath in which a plurality of wafers are selectively inserted;

At least two support members each having a plurality of support grooves for supporting the plurality of wafers;

/ RTI >

Wherein the plurality of support grooves are multi-stepped so as to be narrowed in width from the outer circumferential surface to the inner circumferential surface in multiple steps,

The plurality of support grooves having a first end rounded to have an angle of 50 to 60 degrees from the outer circumferential surface of the support, a first end extending inwardly from the first end, the width being between 15 and 25 degrees And a second end rounded so as to have a first end and a second end.

delete

13. The method of claim 12,

Wherein a distance between the plurality of support grooves is 10 mm to 30 mm and a depth is 13 mm to 17 mm.

13. The method of claim 12,

A laminar flow forming plate having a plurality of through holes through which the etchant passes to form a laminar flow of the etchant within the etch bath;

Further comprising:

16. The method of claim 15,

The circulation unit includes:

A supply line for supplying the etchant to an upper portion of the etching bath;

A recovery line connected to a lower portion of the etching bath to recover the etching liquid; And

A recovery pump connected to the recovery line to generate a rotating force;

/ RTI >

Wherein the laminar flow forming plate is provided between the supply line and the recovery line.

17. The method of claim 16,

The thickness of the laminar flow plate is 15 to 30 mm, the diameter of the plurality of through holes is 2 to 3 mm,

An etching bath in which a plurality of wafers are selectively inserted;

A circulation unit circulating an etchant into and out of the etch bath and supplying the etchant in a down flow manner in the etch bath;

A laminar flow forming plate having a plurality of through holes through which the etchant passes to form a laminar flow in the etching bath; And

At least two support members having a plurality of support grooves narrowing in width in a multistage from the outer circumferential surface toward the inner circumferential surface to support the plurality of wafers;

Wherein the wafer is etched.