KR20020094511A - 반도체 제조 설비의 석영 배출 고정 지그 - Google Patents

Abstract

본 발명의 반도체 제조 설비의 석영 배출 고정 지그는 적어도 두개의 나사봉과 상기 나사봉에 의해 상하로 결합되는 하부 고정판과 상부 고정판 그리고 상기 상부 고정판과 나사봉을 결합 고정하기 위한 다수개의 너트로 구성되어 가변 조절이 가능하다. 이러한 고정 지그는 석영에 POCL3 가스를 주입하여 부도체에서 도체로 전환하기 위한 반도체 공정 설비에 장착되어 상기 설비에 가스 주입되고 있는 석영의 변화에 따라 가변 되는 테플론 가변 파이프의 가변후 복귀되는 것을 막아 테플론 가변 파이프에 의한 석영 배출 파손을 방지한다.

Description

반도체 제조 설비의 석영 배출 고정 지그{QUARTZ EXHAUST FIXING JIG OF SEMICONDUCTOR FABRICATION EQUIPMENT}

본 발명은 반도체 공정 설비에 관한 것으로, 구체적으로는 반도체 공정 설비에 구성되어 석영 배출 파손(quartz exhaust broken)을 방지할 수 있는 석영 배출 고정 지그에 관한 것이다.

반도체 제조 설비에 있어서 POCL3 가스를 주입하여 부도체에서 도체로 전환하는 공정이 있다. 첨부도면 도 1에는 종래의 PLOCL3 가스 주입 공정을 진행하는설비의 개략적인 구성을 보여주는 도면이 도시되어 있다. 도면에서 참조부호 10은 공정 설비를 표시하고, 12는 테플론 가변 파이프를 그리고 14는 석영 배출관을 각각 표시한다.

이러한 공정 설비에서 석영의 약간의 변화에 따라서 테플론 가변 파이프(12)가 가변된다. 이 공정 설비에는 POCL3 가스 배출을 위한 고정 나사 및 판은 구비되어 있으나 배출 끝 부분의 고정판은 마련되어 있지 않다. 그런데, 일단 늘어나 경우 다시 수축하려는 힘에 의해서 석영의 파손이 발생하는 경우가 있다.

따라서, 본 발명의 목적은 상술한 제반 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로서 석영 배출 파손을 방지할 수 있는 고정 지그를 제공하는데 있다.

도 1은 종래의 PLOCL3 가스 주입 공정을 진행하는 설비의 개략적인 구성을 보여주는 도면; 그리고

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 다른 고정 지그가 설치된 PLOCL3 가스 주입 공정을 진행하는 설비의 구성을 보여주는 도면이다.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*

10: 공정 설비12: 테플론 가변 파이프

14: 석영 배출관

상술한 바와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 의하면, 반도체 제조 설비의 석영 배출 고정 지그는 적어도 두개의 나사봉과 상기 나사봉에 의해 상하로 결합되는 하부 고정판과 상부 고정판 그리고 상기 상부 고정판과 나사봉을 결합 고정하기 위한 다수개의 너트로 구성되어 가변 조절된다.

이 고정 지그는 석영에 POCL3 가스를 주입하여 부도체에서 도체로 전환하기 위한 반도체 공정 설비에 장착되어 상기 설비에 가스 주입되고 있는 석영의 변화에 따라 가변 되는 테플론 가변 파이프의 가변후 복귀되는 것을 막아 테플론 가변 파이프에 의한 석영 배출 파손을 방지한다.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 명확하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.

(실시예)

이하, 본 발명에 따른 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

본 발명의 신규한 고정용 지그는 POCL3 가스를 주입하여 부도체에서 도체로 전환하는 공정 설비에 장착되어 테플론 가변 파이프가 석영의 변화에 따라 유연하게 변화된 뒤에 다시 석영의 변화에 따라 원위치로 다시 복귀되는 것을 방지하여 석영 배출 파손(quartz exhaust broken)이 발생되는 것을 막는다.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 다른 고정 지그가 설치된 PLOCL3 가스 주입 공정을 진행하는 설비의 구성을 보여주는 도면이다. 도면에서 참조부호 10은 공정 설비를 표시하고, 12는 테플론 가변 파이프를 14는 석영 배출관을 각각 표시한다. 그리고 20은 고정용 지그를 각각 표시한다.

도면을 참조하여, 본 발명의 고정 지그(20)는 공정 설비(10)에 장착되는데 높낮이를 가변조절 할 수 있도록 설치된다. 고정 지그(20)는 적어도 두개의 나사봉(22)과 나사봉에 의해 상하로 결합되는 하부 고정판(24)과 상부 고정판(26) 그리고 상기 상부 고정판(26)과 나사봉(20)을 결합 고정하기 위한 다수개의 너트(28)로 구성된다.

상기 고정 지그(20)는 테플론 가변 파이프(12)가 석영의 변화에 따라 늘어나는 것에 따라 늘어난 후 복귀되는 것을 막아 석영 배출 파손이 발생되는 것을 막게된다. 또한 테플론 가변 파이프(12)의 연결부위가 이탈되는 것도 방지하게 된다.

상술한 바와 같은, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 제조 설비의 석영 배출 고정 지그의 구성 및 동작을 상기한 설명 및 도면에 따라 도시하였지만, 이는 예를 들어 설명한 것에 불과하며 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능하다는 것을 이 분야의 통상적인 기술자들은 잘 이해할 수 있을 것이다.

이상과 같은 본 발명에 의하면, 고정 지그는 테플론 가변 파이프가 석영의 변화에 따라 늘어나는 것에 따라서 동일하게 늘어나지만 일단 늘어난 후에는 고정되어 다시 테플론 가변 파이프가 줄어들려고 하는 것을 막아 석영 배출 파손이 발생되는 것을 막는 효과가 있다.

Claims (1)

1. 석영에 POCL3 가스를 주입하여 부도체에서 도체로 전환하기 위한 반도체 공정 설비에 장착되어 상기 설비에 가스 주입되고 있는 석영의 변화에 따라 가변 되는 테플론 가변 파이프의 가변후 복귀되는 것을 막기 위한 고정 지그, 상기 고정 지그는:

   고정 지그는 적어도 두개의 나사봉과 상기 나사봉에 의해 상하로 결합되는 하부 고정판과 상부 고정판 그리고 상기 상부 고정판과 나사봉을 결합 고정하기 위한 다수개의 너트로 구성되어 가변 조절되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 설비의 석영 배출 고정 지그.