KR20020083717A - Organic electroluminescence device and method for fabricating thereof - Google Patents

Organic electroluminescence device and method for fabricating thereof Download PDF

Info

Publication number
KR20020083717A
KR20020083717A KR1020010023307A KR20010023307A KR20020083717A KR 20020083717 A KR20020083717 A KR 20020083717A KR 1020010023307 A KR1020010023307 A KR 1020010023307A KR 20010023307 A KR20010023307 A KR 20010023307A KR 20020083717 A KR20020083717 A KR 20020083717A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
anode electrode
edge
light emitting
organic
forming
Prior art date
Application number
KR1020010023307A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR100808085B1 (en
Inventor
최준후
최범락
채종철
정진구
Original Assignee
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자 주식회사 filed Critical 삼성전자 주식회사
Priority to KR1020010023307A priority Critical patent/KR100808085B1/en
Publication of KR20020083717A publication Critical patent/KR20020083717A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100808085B1 publication Critical patent/KR100808085B1/en

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Abstract

PURPOSE: An organic electroluminescence device and method for manufacturing the same is provided to prevent damage of a pixel by suppressing abnormal electric field generated from an edge of an anode electrode, while preventing performance deterioration of a display. CONSTITUTION: An organic electroluminescence device comprises an anode electrode(510) formed into a matrix shape at a transparent substrate(600); a power supply unit for selectively applying power having a predetermined size corresponding to the image data to be applied to the anode electrode; an insulation film wrapping around an end of the anode electrode; organic luminescence layers(530,540) formed at the top surface of the anode electrode and the insulation film; and a cathode electrode(570) formed at the top surfaces of organic luminescence layers, and which permits power having a predetermined size to be selectively applied.

Description

유기 전계발광 디바이스 및 이의 제조 방법{ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THEREOF}Organic electroluminescent device and its manufacturing method {ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THEREOF}

본 발명은 유기 전계발광 디바이스 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 유기 발광 물질에 정공(hole)을 주입하는 애노드 전극(anode electrode)의 에지(edge)에 집중적으로 형성되는 비정상적인 전계 형성을 억제하여 픽셀 불량을 방지 및 수명을 증가시킴은 물론 이를 구현하는 과정에서 발생되는 유기 발광 물질의 박리, 다른 유기 발광 물질과의 혼합에 따른 디스플레이 성능 저하가 발생하지 않도록 한 유기 전계발광 디바이스 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to an organic electroluminescent device and a method of manufacturing the same, and more particularly to the formation of an abnormal electric field intensively formed at an edge of an anode electrode injecting holes into an organic light emitting material. The organic electroluminescent device and its manufacture, which are suppressed to prevent the pixel defects and increase the lifespan, and to prevent the degradation of the display performance due to the separation of the organic light emitting material and the mixing with other organic light emitting material generated in the process of realizing the same. It is about a method.

최근 들어 급속한 개발이 진행되고 있는 정보처리장치에서 발생한 전기적 신호 형태의 데이터를 사용자가 인식할 수 있도록 변환해주는 일종의 "인터페이스 장치"인 디스플레이 장치의 기술 개발 및 보급이 정보처리장치의 기술 개발과 함께 급속히 진행되고 있는 실정이다.In recent years, the development and dissemination of the display device, which is a kind of "interface device" that converts the data in the form of an electrical signal generated by the information processing device, which is being rapidly developed, has been rapidly developed with the technology development of the information processing device. It's going on.

이와 같은 디스플레이 장치는 사용 목적에 따라서 다양한 형태로 구현되고 있으며, 최근 거의 대부분의 정보처리장치에 장착되고 있는 실정이다.Such display apparatuses are implemented in various forms according to the purpose of use, and are currently being installed in almost all information processing apparatuses.

최근에는 전계차에 의하여 스스로 발광하는 유기 전계발광 물질(organic electroluminescence material)을 사용함으로써 풀 컬러 구현, “백라이트”와 같은 광공급 수단이 불필요 해짐에 따라 부피 및 중량이 획기적으로 감소된 유기 전계발광 디바이스가 개발된 바 있다.In recent years, organic electroluminescent devices have been dramatically reduced in volume and weight by using organic electroluminescence materials that emit light by an electric field vehicle, resulting in the need for a full color, light supply means such as “backlight”. Has been developed.

이 유기 전계발광 디바이스는 어느 하나가 투명한 2 장의 도전성 전극의 사이에 유기 전계발광 물질을 형성한 상태에서 2 장의 도전성 전극에 순방향 전류를 인가함으로써 유기 전계발광 물질로부터 빛이 발생되도록 하고, 발생한 빛이 투명한 도전성 전극을 통하여 외부로 방출되는 원리를 이용한다.In this organic electroluminescent device, light is generated from the organic electroluminescent material by applying a forward current to the two conductive electrodes while one of the organic electroluminescent materials is formed between two transparent conductive electrodes. It uses the principle of emitting to the outside through the transparent conductive electrode.

이를 구현하기 위해서는 구체적으로 투명한 도전성 전극(이하, 애노드 전극이라 칭한다)을 투명 기판에 매트릭스 형태로 형성한다. 이후, 투명한 각 도전성 전극의 상면에 레드 파장, 그린 파장, 블루 파장을 발생시키는 유기 발광 물질이 패터닝되어 유기 발광층을 형성된다. 이어서, 유기 발광층이 포함되도록 투명 기판 전면적에 걸쳐 메탈 물질이 소정 두께로 증착되어 또하나의 도전성 전극(이하, 캐소드 전극이라 칭한다)을 형성된다.To implement this, specifically, a transparent conductive electrode (hereinafter referred to as an anode electrode) is formed in a matrix on a transparent substrate. Subsequently, an organic light emitting material generating a red wavelength, a green wavelength, and a blue wavelength is patterned on an upper surface of each transparent conductive electrode to form an organic emission layer. Subsequently, a metal material is deposited to a predetermined thickness over the entire surface of the transparent substrate so that the organic light emitting layer is included, thereby forming another conductive electrode (hereinafter referred to as a cathode electrode).

이때, 하나의 애노드 전극 - 하나의 유기 발광층 - 하나의 캐소드 전극은 하나의 픽셀을 형성하고, 복수개의 픽셀이 매트릭스 형태로 배열됨으로써 유기 전계발광 디바이스를 구성한다.At this time, one anode electrode-one organic light emitting layer-one cathode electrode forms one pixel, and the plurality of pixels are arranged in a matrix to constitute an organic electroluminescent device.

이처럼 유기 전계발광 디바이스를 구성하는 픽셀들은 라인 구동 방식에 의하여 각 픽셀의 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 형성된 유기 발광층으로부터 소정 휘도를 갖는 광이 발생되고, 이 광은 애노드 전극 및 투명기판을 통과한 후 외부로방출되면서 소정 화상이 디스플레이된다.As such, the pixels constituting the organic electroluminescent device generate light having a predetermined luminance from the organic light emitting layer formed between the anode electrode and the cathode electrode of each pixel by the line driving method, and the light passes through the anode electrode and the transparent substrate. The predetermined image is displayed while being released to the outside.

그러나, 이와 같이 복수개의 픽셀들이 매트릭스 형태로 배열됨으로써 구성된 유기 전계발광 디바이스의 경우, 애노드 전극 중 에지(edge) 부분에서는 비정상적인 전계가 빈번하게 형성되어 픽셀의 파손, 디스플레이 성능 저하, 수명 단축 등의 문제점이 발생된다.However, in the organic electroluminescent device composed of a plurality of pixels arranged in a matrix form, an abnormal electric field is frequently formed at the edge portion of the anode electrode, causing problems such as pixel breakage, display performance deterioration, and shortened lifetime. Is generated.

따라서, 본 발명은 이와 같은 종래 문제점을 감안한 것으로써, 본 발명의 목적은 유기 전계발광 디바이스의 애노드 전극에서의 비정상적으로 전계가 형성되는 것을 방지하여 픽셀의 파손, 디스플레이 성능 저하 및 수명 단축이 발생하지 않도록 함에 있다.Accordingly, the present invention has been made in view of such a conventional problem, and an object of the present invention is to prevent abnormal formation of an electric field at an anode electrode of an organic electroluminescent device, thereby preventing pixel breakage, display performance degradation, and lifespan shortening. It is to avoid.

본 발명의 다른 목적은 유기 전계발광 디바이스의 애노드 전극에서 비정상적으로 전계가 형성되는 것을 방지하는 과정에서 발생되는 유기 발광층의 형성 불량 또한 극복함에 있다.Another object of the present invention is to overcome the poor formation of the organic light emitting layer generated in the process of preventing the abnormal electric field is formed in the anode of the organic electroluminescent device.

도 1은 유기 전계발광 디바이스의 등가회로를 도시한 블록도이다.1 is a block diagram illustrating an equivalent circuit of an organic electroluminescent device.

도 2는 본 발명에 의한 <제 1 실시예>를 설명하기 위한 공정도이다.2 is a flowchart for explaining <First Embodiment> according to the present invention.

도 3은 도 2의 B 부분 확대도이다.3 is an enlarged view of a portion B of FIG. 2.

도 4는 본 발명의 일실시예에 의하여 투명기판에 박막 트랜지스터 및 애노드 전극이 형성된 것을 도시한 공정도이다.4 is a process diagram illustrating a thin film transistor and an anode electrode formed on a transparent substrate according to an embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 일실시예에 의하여 투명기판의 상면에 유기 절연막이 도포된 것을 도시한 공정도이다.FIG. 5 is a process diagram illustrating that an organic insulating film is coated on an upper surface of a transparent substrate according to one embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 일실시예에 의하여 유기 절연막이 패턴 마스크에 의하여 노광되는 것을 도시한 공정도이다.6 is a process diagram illustrating that an organic insulating layer is exposed by a pattern mask according to an embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 일실시예에 의하여 유기 절연막에 이중 단턱이 형성된 것을 도시한 공정도이다.7 is a flowchart illustrating a double step formed in an organic insulating layer according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 8은 도 7의 C 부분 확대도이다.FIG. 8 is an enlarged view of portion C of FIG. 7.

도 9는 본 발명의 일실시예에 의하여 애노드 전극의 상면에 레드 유기 발광층이 형성되는 것을 도시한 공정도이다.9 is a flowchart illustrating a red organic light emitting layer formed on an upper surface of an anode according to an embodiment of the present invention.

도 10은 본 발명의 일실시예에 의하여 애노드 전극의 상면에 그린 유기 발광층이 형성되는 것을 도시한 공정도이다.FIG. 10 is a process diagram illustrating a green organic light emitting layer formed on an upper surface of an anode according to an embodiment of the present invention.

도 11은 본 발명의 일실시예에 의하여 애노드 전극의 상면에 블루 유기 발광층이 형성되는 것을 도시한 공정도이다.FIG. 11 is a flowchart illustrating a blue organic light emitting layer formed on an upper surface of an anode according to an embodiment of the present invention.

도 12는 도 11의 D 부분 확대도이다.FIG. 12 is an enlarged view of a portion D of FIG. 11.

도 13 내지 도 17은 본 발명의 <제 2 실시예>를 구현하기 위한 공정도이다.13 to 17 are process diagrams for implementing the <second embodiment> of the present invention.

이와 같은 본 발명의 목적을 구현하기 위한 유기 전계발광 디바이스의 제조 방법은 투명 기판상에 매트릭스 형태로 형성되며, 전원 공급 수단에 의하여 화상 데이터에 대응하는 소정 크기의 전원이 선택적으로 인가되는 애노드 전극을 형성하는 단계, 애노드 전극의 에지를 감싸는 절연막을 형성하는 단계, 애노드 전극의 에지를 제외한 애노드 전극의 상면에 유기 발광층들을 형성하는 단계 및 유기 발광층들의 상면에 일정 크기를 갖는 전원이 선택적으로 인가되는 캐소드 전극을 형성하는 단계를 포함한다.The organic electroluminescent device manufacturing method for achieving the object of the present invention is formed in a matrix form on a transparent substrate, the anode electrode to which a predetermined size of power corresponding to the image data is selectively applied by the power supply means; Forming an insulating film surrounding an edge of the anode electrode, forming an organic light emitting layer on an upper surface of the anode except for the edge of the anode electrode, and a cathode to which a power having a predetermined size is selectively applied to the upper surface of the organic light emitting layers Forming an electrode.

또한, 본 발명의 목적을 구현하기 위한 유기 전계발광 디바이스는 투명 기판상에 매트릭스 형태로 형성되는 애노드 전극, 애노드 전극에 인가될 화상 데이터에 대응하는 소정 크기의 전원이 선택적으로 인가되도록 하는 전원 공급 수단, 애노드 전극의 에지를 감싸도록 형성된 절연막, 애노드 전극의 상면 및 절연막의 일부에 형성되는 유기 발광층, 유기 발광층들의 상면에 일정 크기를 갖는 전원이 선택적으로 인가되도록 형성되는 캐소드 전극을 포함한다.In addition, the organic electroluminescent device for realizing the object of the present invention is an anode electrode formed in a matrix form on a transparent substrate, power supply means for selectively applying a power of a predetermined size corresponding to the image data to be applied to the anode electrode And an insulating film formed to surround the edge of the anode electrode, an organic light emitting layer formed on an upper surface of the anode electrode and a part of the insulating film, and a cathode electrode formed to selectively apply a power having a predetermined size to the upper surface of the organic light emitting layers.

이하, 본 발명의 일실시예에 의한 유기 전계발광 디바이스 및 이의 제조 방법을 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, an organic electroluminescent device and a method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1의 등가회로에 도시된 바와 같이 유기 전계발광 디바이스(900)는 복수개의 유기 전계발광 소자로 이루어진다. 본 발명에서는 일실시예로 3 개의 유기 전계발광 소자(901,902,903;904)가 하나의 유기 전계발광 디바이스(900)를 구성한다.As shown in the equivalent circuit of FIG. 1, the organic electroluminescent device 900 is composed of a plurality of organic electroluminescent elements. In one embodiment, three organic electroluminescent devices 901, 902, 903; 904 constitute one organic electroluminescent device 900.

유기 전계발광 소자(904)는 다시 2 개의 박막 트랜지스터(100,200) 및 1 개의 화상 유지용 커패시턴스(300), 박막 트랜지스터(100,200)를 구동시키기 위한 구동 신호 인가선(410,420,430) 및 픽셀(500)로 구성된다.The organic electroluminescent device 904 is composed of two thin film transistors 100 and 200, one image holding capacitance 300, driving signal applying lines 410, 420, 430 and a pixel 500 for driving the thin film transistors 100 and 200. do.

구체적으로 2 개의 박막 트랜지스터(100,200)는 스위칭 TFT(100) 및 구동용 TFT(200)이다.Specifically, the two thin film transistors 100 and 200 are the switching TFT 100 and the driving TFT 200.

이들은 게이트 전극(110,210), 소오스 전극(120,220) 및 드레인 전극(130,230)을 공통적으로 갖는다.They have gate electrodes 110 and 210, source electrodes 120 and 220, and drain electrodes 130 and 230 in common.

한편, 구동 신호 인가선(410,420,430)은 다시 상호 평행하며 소정 간격 이격된 도전성 게이트 라인(410), 게이트 라인(410)과 쇼트되지 않도록 절연되며 게이트 라인(410)과 직교하는 도전성 데이터 라인(420) 및 임의의 데이터 라인(420)과 인접한 데이터 라인(420)의 사이에 형성되는 바이어스 라인(bios line;430)으로 구성된다.Meanwhile, the driving signal applying lines 410, 420, and 430 are again parallel to each other and are insulated so as not to be shorted with the conductive gate lines 410 and the gate lines 410 spaced apart from each other, and the conductive data lines 420 are perpendicular to the gate lines 410. And a bias line 430 formed between an arbitrary data line 420 and an adjacent data line 420.

이와 같은 구성을 갖는 게이트 라인(410) 및 데이터 라인(420)과 인접한 곳에는 앞서 소개한 스위칭 TFT(100)가 형성되어 있다.The switching TFT 100 described above is formed in the vicinity of the gate line 410 and the data line 420 having such a configuration.

이때, 스위칭 TFT(100)의 게이트 전극(110)에는 게이트 라인(410)으로부터 전원이 공급되고, 소오스 전극(120)은 인접한 데이터 라인(420)으로부터 전원이 공급된다.At this time, power is supplied from the gate line 410 to the gate electrode 110 of the switching TFT 100, and power is supplied from the adjacent data line 420 to the source electrode 120.

이처럼 소오스 전극(120)에 전원이 공급된 상태에서 게이트 전극(110)에 전원이 공급될 경우, 스위칭 TFT(100)의 드레인 전극(130)으로는 소오스 전극(120)에 인가되었던 전원이 증폭된 상태로 채널층(미도시)을 통하여 출력된다.When power is supplied to the gate electrode 110 while the power is supplied to the source electrode 120 as described above, the power applied to the source electrode 120 is amplified by the drain electrode 130 of the switching TFT 100. It is output through the channel layer (not shown) in the state.

이때, 스위칭 TFT(100)의 드레인 전극(130)으로부터 출력된 전원은 2 가지 경로를 통하여 각각 다르게 공급된다.At this time, the power output from the drain electrode 130 of the switching TFT 100 is supplied differently through two paths.

어느 하나의 경로로 공급된 전원은 도 1에 도시된 바와 같이 화상 유지용 커패시턴스(300)의 일측 전극(310)으로 공급된다.Power supplied through any one path is supplied to one electrode 310 of the image retention capacitance 300 as shown in FIG. 1.

이때, 화상 유지용 커패시턴스의 타측 전극(320)은 바이어스 라인(430)으로부터 항상 전원이 공급됨으로 스위칭 TFT(100)의 드레인 전극(130)으로부터 전원이 출력되자마자 화상 유지용 커패시턴스(300)는 충전되기 시작한다.At this time, since the other electrode 320 of the image retention capacitance is always supplied from the bias line 430, the image retention capacitance 300 is charged as soon as the power is output from the drain electrode 130 of the switching TFT 100. It begins to be.

이 화상 유지용 커패시턴스(300)에 충전된 전하는 스위칭 TFT(100)의 게이트라인(410)으로부터 인가되는 전원이 턴-오프되는 순간부터 소정 시간 동안, 예를 들면, 한 개의 프레임(frame)이 구현되는 시간 동안, 구동용 TFT(200)의 게이트 전극(210)으로 공급된다.The electric charge charged in the image holding capacitance 300 is realized for a predetermined time, for example, one frame from the moment when the power applied from the gate line 410 of the switching TFT 100 is turned off. During this time, it is supplied to the gate electrode 210 of the driver TFT 200.

한편, 나머지 하나의 경로로 공급된 전원은 구동용 TFT(200)의 게이트 전극(210)으로 공급된다.On the other hand, the power supplied through the other path is supplied to the gate electrode 210 of the driving TFT 200.

이때, 구동용 TFT(200)의 소오스 전극(220)은 바이어스 라인(430)으로부터 전원이 항상 공급되고 있기 때문에 구동용 TFT(200)의 게이트 전극(210)에 전원이 공급되는 순간 바이어스 라인(430)의 전원은 구동용 TFT(200)의 드레인 전극(230)으로 출력된다.At this time, since the source electrode 220 of the driving TFT 200 is always supplied with power from the bias line 430, the bias line 430 at the moment when power is supplied to the gate electrode 210 of the driving TFT 200. ) Is output to the drain electrode 230 of the driving TFT 200.

구동용 TFT(200)의 드레인 전극(230)으로 출력된 전원은 픽셀(500)로 인가된다.Power output to the drain electrode 230 of the driving TFT 200 is applied to the pixel 500.

각 유기 전계발광 소자(904)에 하나씩 형성되는 픽셀(500)은 투명하면서 도전성인 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide) 물질로 구성된 애노드 전극, 애노드 전극의 상면에 형성된 유기 발광층 및 유기 발광층의 상면에 형성되는 캐소드 전극으로 구성된다.Each pixel 500 formed in each organic electroluminescent device 904 is formed on an anode electrode made of a transparent and conductive indium tin oxide material, an organic light emitting layer formed on the anode electrode, and an upper surface of the organic light emitting layer. Consisting of a cathode electrode.

이때, 캐소드 전극에는 일정 크기를 갖는 전원이 항상 공급되고 있기 때문에 구동용 TFT(200)의 드레인 전극(230)으로부터 출력된 전원이 어느 순간 애노드 전극에 인가됨에 따라 애노드 전극과 캐소드 전극의 사이에서는 전계 변화가 발생하고 이로 인하여 유기 발광층에서는 소정 파장을 갖는 광이 발생되고, 광은 애노드 전극을 통하여 외부로 방출되면서 디스플레이가 수행된다.At this time, since a power having a predetermined size is always supplied to the cathode, the electric power output from the drain electrode 230 of the driving TFT 200 is applied to the anode at any moment, so that an electric field is formed between the anode and the cathode. The change occurs, whereby light having a predetermined wavelength is generated in the organic light emitting layer, and light is emitted to the outside through the anode electrode, thereby performing display.

이와 같은 구동 방법에 의하여 작동되는 유기 전계발광 소자(904)의 픽셀(500)을 이루는 각각의 애노드 전극 중 특히 에지(edge) 부분에서는 비정상적인 전계가 쉽게 발생하여 픽셀 불량 및 수명이 감소된다.An abnormal electric field is easily generated in each of the anode electrodes constituting the pixel 500 of the organic electroluminescent element 904 operated by the driving method, thereby reducing pixel defects and lifespan.

이를 방지하기 위해서 본 발명에서는 일실시예로 도 2에 도시된 바와 같이 애노드 전극(510)의 에지 부분을 절연막(590)으로 덮음으로써 애노드 전극(510)의 에지 부분에서 발생하는 비정상적인 전계 형성을 억제한다. 이때, 절연막(590)은 포토레지스트 박막이 사용될 수 있다.In order to prevent this, in the present invention, as shown in FIG. 2, the edge portion of the anode electrode 510 is covered with the insulating layer 590 to suppress abnormal electric field generation occurring at the edge portion of the anode electrode 510. do. In this case, a photoresist thin film may be used as the insulating film 590.

이처럼 애노드 전극(510)의 에지 부분을 절연막(590)으로 덮은 후, 애노드 전극(510)의 상면에는 레드 유기 발광층(520), 그린 유기 발광층(530), 블루 유기 발광층(540) 중 하나가 증착되는 공정이 진행된다.After covering the edge portion of the anode electrode 510 with the insulating film 590, one of the red organic light emitting layer 520, the green organic light emitting layer 530, and the blue organic light emitting layer 540 is deposited on the top surface of the anode electrode 510. Process is performed.

이때, 레드 유기 발광층(520), 그린 유기 발광층(530), 블루 유기 발광층(540)은 주로 원하는 위치에만 유기 발광 물질이 증착되도록 하기 위해서 도 2에 도시된 바와 같이 미세한 개구(555)가 형성된 쉐도우 마스크(shadow mask;550)가 이용된다.In this case, the red organic light emitting layer 520, the green organic light emitting layer 530, and the blue organic light emitting layer 540 have shadows in which fine openings 555 are formed, as shown in FIG. 2, in order to deposit organic light emitting materials only at desired positions. A mask (550) is used.

이 쉐도우 마스크(550)의 개구(555) 크기는 애노드 전극(510)과의 미스 얼라인먼트를 감안하여 실제 필요한 유기 발광층의 면적보다 다소 크게 형성된다.The size of the opening 555 of the shadow mask 550 is slightly larger than the area of the organic light emitting layer actually required in consideration of misalignment with the anode electrode 510.

이처럼 쉐도우 마스크(550)의 개구(555) 크기를 애노드 전극(510)보다 다소 크게 형성할 경우, 유기 전계 발광층(520,530,540)은 어쩔수 없이 도 2에 도시된 바와 같이 절연막(590)의 측면은 물론 절연막(590)의 상면 일부까지 올라오게 된다.As such, when the size of the opening 555 of the shadow mask 550 is slightly larger than that of the anode electrode 510, the organic electroluminescent layers 520, 530, and 540 inevitably have a sidewall of the insulating film 590 as shown in FIG. 2. It is raised to a part of the upper surface of the (590).

이와 같이 절연막(590)의 상면 일부까지 유기 전계 발광층(520,530,540)이 올라올 경우, 도 3에 도시된 바와 같이 쉐도우 마스크(550)와 유기 전계 발광층(520,530,540)이 접촉하게 되어 유기 전계 발광층(520,530,540)의 일부가 도시된 바와 같이 파손되거나 쉐도우 마스크(550)의 밑면에 유기 전계 발광층(520,530,540)을 이루는 유기 발광물질이 묻게 된다.As such, when the organic EL layer 520, 530, 540 is raised to a part of the upper surface of the insulating layer 590, the shadow mask 550 and the organic EL layer 520, 530, 540 are in contact with each other as shown in FIG. 3. As shown in FIG. 2, the organic light emitting layers 520, 530, and 540 may be buried under the shadow mask 550.

이처럼 쉐도우 마스크(550)의 밑면에 유기 전계 발광층(520,530,540)이 묻을 경우, 예를 들어, 레드 유기 발광물질이 쉐도우 마스크(550)에 묻은 상태에서 쉐도우 마스크(550)가 쉬프트되면서 인접한 곳에 위치한 그린 유기 발광 물질과 쉐도우 마스크에 묻은 레드 유기 발광물질이 혼합되어 그린 유기 발광 물질이 지정된 그린 파장의 색을 발생시키지 못하는 결과가 발생될 수 있다.As such, when the organic electroluminescent layers 520, 530, and 540 are buried on the bottom surface of the shadow mask 550, for example, the green organic organic light emitting material is deposited on the shadow mask 550 while the shadow mask 550 is shifted, and thus the green organic light emitting layer is positioned adjacent to the organic mask. A mixture of the light emitting material and the red organic light emitting material on the shadow mask may result in the green organic light emitting material not generating the color of the designated green wavelength.

이와 같이 쉐도우 마스크(550)와 유기 전계 발광층(520,530,540)의 상호 간섭에 의하여 발생하게 되는 문제는 본 발명에 의한 2 가지 실시예에 의하여 극복된다.As such, the problem caused by the mutual interference between the shadow mask 550 and the organic electroluminescent layers 520, 530, and 540 is overcome by two embodiments of the present invention.

<제 1 실시예><First Embodiment>

첨부된 도 4는 투명 기판(600)에 도 1에 도시된 스위칭 TFT(100), 구동용 TFT(200) 및 픽셀(500)의 애노드 전극(510)까지 형성된 것을 나타낸 도면으로 도 1의 A-A 단면도이다.4 is a cross-sectional view of the transparent substrate 600 formed with the switching TFT 100, the driving TFT 200, and the anode electrode 510 of the pixel 500 shown in FIG. to be.

이후, 첨부된 도 5에 도시된 바와 같이, 투명 기판(600)의 상면에는 전면적에 걸쳐 포토레지스트 박막(700)이 스핀 코터(spin coater)등에 의하여 소정 두께로 형성된다.Subsequently, as shown in FIG. 5, a photoresist thin film 700 is formed on a top surface of the transparent substrate 600 to a predetermined thickness by a spin coater or the like over the entire surface.

이후, 포토레지스트 박막(700)은 프레 베이크(pre-bake) 공정이 진행되고, 애노드 전극(510)의 에지를 감싸면서 상면이 이중 단턱을 갖도록 패터닝된다.Thereafter, the photoresist thin film 700 is subjected to a pre-baking process, and is patterned so that the upper surface has a double step while surrounding the edge of the anode electrode 510.

이처럼 포토레지스트 박막(700)이 애노드 전극(510)의 에지를 감싸면서 상면이 이중 단차를 갖도록 패터닝 되도록 하기 위해서는 포토레지스트 박막(700)을 패터닝할 때 부분적으로 광투과도가 상이한 패턴 마스크를 사용해야 한다.As such, in order to pattern the photoresist thin film 700 to have a double step while covering the edge of the anode electrode 510, a pattern mask having a partially different light transmittance should be used when patterning the photoresist thin film 700.

보다 구체적으로, 도 6을 참조하면, 패턴 마스크(800) 중 애노드 전극(510)이 외부로 노출되도록 해야 할 부분(810)은 소정 파장 길이를 갖는 광이 100% 포토레지스트 박막(700)에 도달되도록 한다.More specifically, referring to FIG. 6, the portion 810 of the pattern mask 800 to which the anode electrode 510 is exposed to the outside reaches a 100% photoresist thin film 700 having a predetermined wavelength length. Be sure to

한편, 패턴 마스크(700) 중 포토레지스트 박막(700)이 전혀 제거되어서는 안되는 부분, 예를 들면 애노드 전극(510)의 에지를 감쌀 부분(820)은 소정 파장 길이를 갖는 광이 100% 도달하지 않도록 한다.On the other hand, the portion of the pattern mask 700 in which the photoresist thin film 700 should not be removed at all, for example, the portion 820 covering the edge of the anode electrode 510 does not reach 100% of light having a predetermined wavelength length. Do not

한편, 포토레지스트 박막(700)중 이중 단턱을 형성 할 부분(830)은 특별히 광이 반투과 되도록 하여 부분 노광이 진행되도록 한다.On the other hand, the portion 830 of the photoresist thin film 700 to form the double step has a special light so as to be transmissive to allow partial exposure to proceed.

이후, 현상 공정이 진행되면, 도 7에 도시된 바와 같이 애노드 전극(510)의 에지가 감싸이도록 유기 절연막(710)이 형성된다.Thereafter, when the development process is performed, the organic insulating layer 710 is formed to surround the edge of the anode electrode 510 as shown in FIG. 7.

물론 이 유기 절연막(710)에는 도 8에 상세하게 도시된 바와 같이 높이차 H인 이중 단턱(715,718;720)이 형성된다.Of course, as shown in detail in FIG. 8, the organic insulating layer 710 is provided with double steps 715, 718; 720 having a height difference H.

이후, 유기 절연막(710)에 이중 단턱(720)이 형성된 상태에서 다시 한번 베이크 공정이 진행된 후, 도 9에 도시된 바와 같이 쉐도우 마스크(550)가 지정된 애노드 전극(510)에 위치한 상태에서 레드 유기 발광 물질이 쉐도우 마스크(550)의개구(555)를 통하여 애노드 전극(510)의 상면에 증착되어 레드 유기 발광층(520)이 형성된다.Subsequently, after the baking process is performed once again with the double step 720 formed on the organic insulating layer 710, the red organic layer is disposed in the state where the shadow mask 550 is positioned on the designated anode electrode 510 as shown in FIG. 9. A light emitting material is deposited on the top surface of the anode 510 through the opening 555 of the shadow mask 550 to form a red organic light emitting layer 520.

이때, 증착된 레드 유기 발광층(520)은 쉐도우 마스크(550)의 개구(555)의 크기에 의하여 애노드 전극(510)의 상면은 물론 유기 절연막(710)의 측면 및 이중 단턱이 형성된 유기 절연막(710)의 상면으로 이어진다.In this case, the deposited red organic light emitting layer 520 may have an upper surface of the anode electrode 510, a side surface of the organic insulating layer 710, and a double stepped portion formed by the size of the opening 555 of the shadow mask 550. Leads to the top of).

이후, 도 10에 도시된 바와 같이 쉐도우 마스크(550)의 개구(555)는 쉬프트되어 레드 유기 발광층(520)과 인접한 애노드 전극(510)으로 이송되어 정확하게 얼라인먼트가 진행되고, 그린 유기 발광 물질이 쉐도우 마스크(550)의 개구(555)를 통하여 애노드 전극(510)의 상면에 증착되어 그린 유기 발광층(530)이 형성된다.Thereafter, as shown in FIG. 10, the opening 555 of the shadow mask 550 is shifted to be transferred to the anode electrode 510 adjacent to the red organic light emitting layer 520, so that the alignment is accurately performed, and the green organic light emitting material is shadowed. The green organic emission layer 530 is formed by depositing on the upper surface of the anode 510 through the opening 555 of the mask 550.

이후, 도 11에 도시된 바와 같이 쉐도우 마스크(550)의 개구(555)는 다시 쉬프트되어 그린 유기 발광층(540)과 인접한 애노드 전극(510)으로 이송된 상태에서 정확하게 얼라인먼트가 진행된다. 쉐도우 마스크(550)의 개구(555)로는 블루 유기 발광 물질이 통하여 애노드 전극(510)의 상면에 증착되어 블루 유기 발광층(540)이 형성된다.Thereafter, as shown in FIG. 11, the opening 555 of the shadow mask 550 is shifted again to be accurately aligned in a state where the opening 555 is transferred to the anode electrode 510 adjacent to the green organic light emitting layer 540. As the opening 555 of the shadow mask 550, a blue organic light emitting material is deposited on the top surface of the anode 510 to form a blue organic light emitting layer 540.

이때, 이중 단턱(720)을 갖는 유기 절연막(710)에 형성된 레드, 그린, 블루 유기 발광층(520,530,540)의 경우 도 12에 도시된 바와 같이 이중 단턱(720) 중 하부 단턱(718)에 형성됨으로써 쉐도우 마스크(550)의 밑면과 h의 이격 거리를 갖게 된다. 이로써, 쉐도우 마스크(550)의 밑면이 유기 발광 물질에 의하여 오염이 발생되지 않게 됨으로써 유기 발광층(520,530,540)의 파손 및 서로 다른 유기 발광물질이 쉐도우 마스크(550)에 의하여 혼합되지 않게 된다.In this case, the red, green, and blue organic light emitting layers 520, 530, and 540 formed on the organic insulating layer 710 having the double step 720 are formed on the lower step 718 of the double step 720 as shown in FIG. 12. The bottom surface of the mask 550 has a distance of h. As a result, the bottom surface of the shadow mask 550 is not contaminated by the organic light emitting material, so that the organic light emitting layers 520, 530, 540 are damaged, and different organic light emitting materials are not mixed by the shadow mask 550.

<제 2 실시예>Second Embodiment

첨부된 도 13 이하에는 본 발명의 다른 실시예가 도시되어 있다.13 is shown below another embodiment of the present invention.

앞서 설명한 <제 1 실시예>의 경우, 유기 절연막(710)으로 포토레지스트 박막을 사용하기 때문에 포토레지스트 박막의 형태를 유지시키기 위해서는 빛 및 산소에 유기 절연막(710)이 노출되지 않도록 해야 한다.In the above-described <first embodiment>, since the photoresist thin film is used as the organic insulating film 710, in order to maintain the shape of the photoresist thin film, the organic insulating film 710 should not be exposed to light and oxygen.

이때, 유기 발광물질 역시 산소에 의하여 열화되는 바, 유기 발광물질의 열화를 방지하기 위하여 메탈 캔(미도시)이 씌워지고 흡습제 및 산소를 차단하는 화합물이 주입됨으로 포토레지스트 박막의 형태 변경은 방지되지만 아직까지 밝혀지지 않은 다양한 원인에 의하여 포토레지스트 박막의 형태 변경이 발생될 수 있다.At this time, the organic light emitting material is also deteriorated by oxygen, the metal can (not shown) is covered in order to prevent degradation of the organic light emitting material, and the change of the shape of the photoresist thin film is prevented because the compound that blocks the absorbent and oxygen is injected. The shape change of the photoresist thin film may occur due to various causes which have not yet been identified.

반면, 도 13 이하에서 설명되는 <제 2 실시예>에서는 유기 절연막으로 빛 또는 산소 또는 기타 물질에 의하여 안정된 물성을 갖는 절연물질이 절연막을 형성 및 절연막에 이중 단턱이 형성됨으로써 보다 안정된 구조를 갖는 유기 절연막이 개시되고 있다.On the other hand, in <Second Embodiment> described below with reference to FIG. 13, an organic insulating film has an organic material having a more stable structure by forming an insulating film and forming a double step in the insulating film with an insulating material having stable properties by light, oxygen, or other materials. An insulating film is disclosed.

이를 구현하기 위해서는 도 4의 공정까지 수행한 상태에서 도 13에 도시된 바와 같이 투명 기판(600)의 상면에 포토레지스트를 제외한 임의의 절연물질을 소정 두께로 형성하여 절연막(740)을 화학 기상 증착 등의 반도체 제조 공정으로 형성한 상태에서 절연막(740)의 상면에 소정 두께로 포토레지스트 박막(750)을 형성한다.In order to achieve this, as shown in FIG. 13, any insulating material except photoresist is formed on the upper surface of the transparent substrate 600 to a predetermined thickness, and the chemical vapor deposition of the insulating film 740 is performed. The photoresist thin film 750 is formed on the upper surface of the insulating film 740 with a predetermined thickness in a state formed by a semiconductor manufacturing process such as the like.

이후, 포토레지스트 박막은 도시되지 않은 패턴 마스크를 매개로 애노드 전극(510)의 에지 부분이 감싸지도록 노광되어 포토레지스트 박막이 도 13의 형태를패터닝되도록 한다. 패터닝된 포토레지스트 박막에는 도면부호 750이 부여된다.Thereafter, the photoresist thin film is exposed to surround the edge portion of the anode electrode 510 through a pattern mask (not shown) to allow the photoresist thin film to pattern the shape of FIG. 13. The patterned photoresist thin film is denoted by reference numeral 750.

이어서, 도 14에 도시된 바와 같이 패터닝된 포토레지스트 박막(750)을 마스크로 하여 에천트 또는 플라즈마 식각 설비에 의하여 절연막(740)은 패터닝이 수행된다. 이하, 패터닝된 절연막(740)에 도면부호 745를 부여하기로 한다.Subsequently, as shown in FIG. 14, the insulating film 740 is patterned by an etchant or plasma etching facility using the patterned photoresist thin film 750 as a mask. Hereinafter, reference numeral 745 will be given to the patterned insulating layer 740.

이로써, 도 14에 도시된 바와 같이 애노드 전극(510)의 에지(edge)는 패터닝된 절연막(745)에 의하여 가려지고, 애노드 전극(510)의 에지를 제외한 중앙 부분은 외부에 대하여 노출된다.Thus, as shown in FIG. 14, the edge of the anode electrode 510 is covered by the patterned insulating layer 745, and the center portion except for the edge of the anode electrode 510 is exposed to the outside.

이후, 투명 기판(600)의 상면에는 다시 포토레지스트 박막이 소정 두께로 형성된다.Thereafter, a thin photoresist thin film is formed on the upper surface of the transparent substrate 600 again.

이후, 포토레지스트 박막은 노광에 의하여 패터닝이 수행되는데, 이때, 도 15에 도시된 바와 같이 노광에 의하여 패터닝이 수행되는 부분은 절연막(745)중 이중 단턱이 형성될 부분이다.Subsequently, the photoresist thin film is patterned by exposure. In this case, as shown in FIG. 15, a portion where the patterning is performed by exposure is a portion where the double step is to be formed in the insulating layer 745.

이후, 패터닝된 포토레지스트 박막(765)이 현상됨으로써 도 15에서와 같이 이중 단턱이 형성될 절연막(745) 부분만이 외부에 대하여 노출되도록 한다.Thereafter, the patterned photoresist thin film 765 is developed such that only a portion of the insulating layer 745 on which the double step is to be formed is exposed to the outside, as shown in FIG. 15.

이하, 외부에 대하여 노출된 절연막 부분에 도면부호 745a를 부여하기로 한다.Hereinafter, reference numeral 745a will be given to the portion of the insulating film exposed to the outside.

이후, 노출된 절연막(745a) 부분은 에천트 또는 플라즈마에 의하여 부분 식각이 수행됨으로써 도 16에 도시된 바와 같이 절연막(745)에는 이중 단턱(720)이 형성되도록 한다.Subsequently, partial etching is performed on the exposed portion of the insulating layer 745a by an etchant or plasma to form a double stepped 720 in the insulating layer 745 as shown in FIG. 16.

이후, 도 9 내지 도 11에 도시된 바와 동일한 공정을 수행함으로써 애노드전극(510)의 상면에는 도 16에 도시된 바와 같이 레드 유기 발광층(520), 그린 유기 발광층(530), 블루 유기 발광층(540)이 모두 형성되도록 한다.Subsequently, a red organic light emitting layer 520, a green organic light emitting layer 530, and a blue organic light emitting layer 540 are formed on the top surface of the anode electrode 510 by performing the same process as illustrated in FIGS. 9 to 11. ) Are all formed.

이때, 레드 유기 발광층(520), 그린 유기 발광층(530), 블루 유기 발광층(540)은 이중 단턱(720)에 의하여 쉐도우 마스크(550)와 전혀 접촉됨 없이 유기 발광층의 형성이 가능하다.In this case, the red organic light emitting layer 520, the green organic light emitting layer 530, and the blue organic light emitting layer 540 may be formed without contacting the shadow mask 550 by the double step 720 at all.

이후, 도 17에 도시된 바와 같이 투명 기판(600)의 전면적에 걸쳐 메탈 재질의 캐소드 전극(570)이 형성된다.Thereafter, as illustrated in FIG. 17, a metal cathode electrode 570 is formed over the entire surface of the transparent substrate 600.

이와 같은 방법에 의하여 제작된 유기 전계발광 디바이스에 의하여 디스플레이가 수행되는 방법을 설명하면 다음과 같다.When the display is performed by the organic electroluminescent device manufactured by such a method as follows.

먼저, 모든 데이터 라인(420)에 소정 전원이 인가된 상태에서, 게이트 라인(410)에 스위칭 TFT(100)의 문턱 전압보다 높은 전압이 인가될 경우, 데이터 라인(420)에 걸려 있던 전원은 스위칭 TFT(100)의 채널층을 통하여 드레인 전극(130)으로 인가된다.First, when a predetermined power is applied to all the data lines 420, when a voltage higher than the threshold voltage of the switching TFT 100 is applied to the gate line 410, the power applied to the data line 420 is switched. It is applied to the drain electrode 130 through the channel layer of the TFT 100.

이후, 드레인 전극(130)으로 인가된 전원은 병렬 방식으로 화상 유지용 커패시턴스(300)를 충전시킴과 동시에 구동용 TFT(200)의 게이트 전극(210)에 문턱 전압보다 높은 전압을 인가시킨다.Thereafter, the power applied to the drain electrode 130 charges the image holding capacitance 300 in a parallel manner and simultaneously applies a voltage higher than the threshold voltage to the gate electrode 210 of the driving TFT 200.

이때, 게이트 라인(210)에는 매우 짧은 시간동안만 문턱 전압보다 높은 전원이 걸림으로 스위칭 TFT(200)의 드레인 전극(230)으로 전원 공급이 중단될 경우 화상 유지용 커패시턴스(300)에 저장되었던 전하가 방전된다.At this time, when the power supply is interrupted to the drain electrode 230 of the switching TFT 200 because the power supply higher than the threshold voltage is applied to the gate line 210 only for a very short time, the charge stored in the image holding capacitance 300 is reduced. Is discharged.

결국, 구동용 TFT(200)의 게이트 전극(210)으로는 화상 유지용커패시턴스(300)가 방전되는데 소요되는 시간 만큼 턴-온 전압이 계속 걸리게 되어 바이어스 라인(430)으로부터 픽셀(500)의 애노드 전극(510)으로는 소정 전류가 지속적으로 공급된다.As a result, the turn-on voltage is continuously applied to the gate electrode 210 of the driving TFT 200 by the time required for the image holding capacitance 300 to be discharged, so that the anode of the pixel 500 is moved from the bias line 430. A predetermined current is continuously supplied to the electrode 510.

결국, 애노드 전극(510)과 캐소드 전극(570) 사이에 순방향 전류가 공급됨에 따라 유기 전계발광층(520,530,540)에서는 각각 레드, 그린, 블루 파장을 갖는 광이 발생되고, 발생된 광은 애노드 전극(510) 및 투명 기판(600)을 통과한 후 사용자의 눈으로 입사된다.As a result, as the forward current is supplied between the anode electrode 510 and the cathode electrode 570, light having red, green, and blue wavelengths is generated in the organic electroluminescent layers 520, 530, and 540, respectively, and the generated light is the anode electrode 510. ) And enters the user's eye after passing through the transparent substrate 600.

이상에서 상세하게 설명한 바에 의하면, 애노드 전극의 에지는 이중 단턱을 갖는 절연막에 의하여 감싸여지도록 하고, 애노드 전극의 에지를 제외한 중앙 부분은 개구되도록 한 상태에서 애노드 전극의 개구된 부분 및 이중 단턱의 아래 부분까지 유기 절연막을 형성할 수 있도록 함으로써 애노드 전극의 에지에서 발생하는 비정상적인 전계 형성을 억제하여 픽셀 파손 및 수명 단축을 방지한다.As described in detail above, the edge of the anode electrode is covered by an insulating film having a double step, and the center part except the edge of the anode is opened so that the bottom of the open part and the double step of the anode electrode are opened. By allowing the organic insulating film to be formed up to the portion, abnormal electric field formation occurring at the edge of the anode electrode is suppressed, thereby preventing pixel breakage and shortening of life.

또한, 애노드 전극의 에지를 감싸는 과정에서 발생하는 유기 발광층의 일부 손상을 방지 및 원하지 않는 유기 발광층이 혼합됨으로써 발생하는 디스플레이 성능 저하를 방지할 수 있다.In addition, it is possible to prevent some damage of the organic light emitting layer generated in the process of covering the edge of the anode electrode and to prevent display performance degradation caused by mixing of the organic light emitting layer that is not desired.

Claims (11)

투명 기판상에 매트릭스 형태로 형성되는 애노드 전극;An anode formed in a matrix on a transparent substrate; 상기 애노드 전극에 인가될 화상 데이터에 대응하는 소정 크기의 전원이 선택적으로 인가되도록 하는 전원 공급 수단;Power supply means for selectively applying power of a predetermined size corresponding to the image data to be applied to the anode electrode; 상기 애노드 전극의 에지를 감싸도록 형성된 절연막;An insulating film formed to surround an edge of the anode electrode; 상기 애노드 전극의 상면 및 상기 절연막의 일부에 형성되는 유기 발광층; 및An organic light emitting layer formed on an upper surface of the anode electrode and a part of the insulating film; And 상기 유기 발광층들의 상면에 일정 크기를 갖는 전원이 선택적으로 인가되도록 형성되는 캐소드 전극을 포함하는 유기 전계발광 디바이스.And a cathode electrode formed to selectively apply a power having a predetermined size to the top surfaces of the organic light emitting layers. 제 1 항에 있어서, 상기 절연막은 유기 절연막으로 포토레지스트 물질인 유기 전계발광 디바이스.The organic electroluminescent device of claim 1, wherein the insulating film is an organic insulating film and is a photoresist material. 제 1 항에 있어서, 상기 절연막의 상단은 높이차가 있고, 상기 절연막중 높이가 낮은 곳에까지 유기 발광층이 형성되는 유기 전계발광 디바이스.The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein an upper end of the insulating film has a height difference, and an organic light emitting layer is formed to a portion of the insulating film having a lower height. 투명 기판상에 매트릭스 형태로 형성되며, 전원 공급 수단에 의하여 화상 데이터에 대응하는 소정 크기의 전원이 선택적으로 인가되는 애노드 전극을 형성하는 단계;Forming an anode electrode formed on the transparent substrate in the form of a matrix, to which power of a predetermined size corresponding to the image data is selectively applied by the power supply means; 상기 애노드 전극의 에지를 감싸는 절연막을 형성하는 단계;Forming an insulating film surrounding an edge of the anode electrode; 상기 애노드 전극의 에지를 제외한 상기 애노드 전극의 상면에 유기 발광층들을 형성하는 단계; 및Forming organic light emitting layers on an upper surface of the anode except for the edge of the anode; And 상기 유기 발광층들의 상면에 일정 크기를 갖는 전원이 선택적으로 인가되는 캐소드 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 전계발광 디바이스의 제조 방법.Forming a cathode electrode to which a power having a predetermined size is selectively applied on the upper surfaces of the organic light emitting layers. 제 4 항에 있어서, 상기 절연막을 형성하는 단계는The method of claim 4, wherein forming the insulating film 상기 투명 기판의 상면에 절연물질을 소정 두께로 전면적에 걸쳐 형성하는 단계;Forming an insulating material over the entire surface of the transparent substrate in a predetermined thickness; 상기 애노드 전극의 에지는 감싸여지고 상기 애노드 전극의 에지를 제외한 중앙 부분은 개구되도록 상기 절연물질의 패터닝을 수행하는 단계를 더 포함하는 유기 전계발광 디바이스의 제조 방법.And patterning the insulating material such that an edge of the anode electrode is wrapped and a central portion except the edge of the anode electrode is opened. 제 5 항에 있어서, 상기 절연물질은 광과 반응하는 유기 절연물질로 포토레지스트 물질인 유기 전계발광 디바이스의 제조 방법.6. The method of claim 5, wherein the insulating material is an organic insulating material that reacts with light and is a photoresist material. 제 4 항에 있어서, 상기 절연막을 형성하는 단계는The method of claim 4, wherein forming the insulating film 상기 투명 기판의 상면에 절연물질을 소정 두께로 전면적에 걸쳐 형성하는 단계; 및Forming an insulating material over the entire surface of the transparent substrate in a predetermined thickness; And 상기 애노드 전극의 에지는 감싸고, 상기 애노드 전극의 에지를 제외한 중앙부분은 개구되며, 상기 애노드 전극의 에지를 감싸는 부분에는 높이차가 있도록 상기 절연물질을 패터닝하는 단계를 포함하는 유기 전계발광 디바이스의 제조 방법.Patterning the insulating material such that an edge of the anode electrode is wrapped, a central portion except the edge of the anode electrode is opened, and a portion of the edge electrode surrounding the edge of the anode has a height difference. . 제 7 항에 있어서, 상기 유기 발광층은 상기 절연막의 상면 중 높이가 낮은 부분까지 형성되는 유기 전계발광 디바이스의 제조 방법.The method of manufacturing an organic electroluminescent device according to claim 7, wherein the organic light emitting layer is formed up to a portion of the upper surface of the insulating film having a lower height. 제 7 항에 있어서, 상기 절연물질은 광과 반응하는 포토레지스트 물질인 유기 전계발광 디바이스의 제조 방법.8. The method of claim 7, wherein the insulating material is a photoresist material that reacts with light. 제 9 항에 있어서, 상기 애노드 전극의 에지를 감싸는 부분에서의 높이차는 이중 단턱에 의하여 형성되며, 상기 이중 단턱은 상기 유기 절연물질을 패터닝하는데 필요한 패턴 마스크에서의 노광량을 조절하여 형성하는 유기 전계발광 디바이스의 제조 방법.The organic electroluminescence device of claim 9, wherein a height difference at a portion surrounding the edge of the anode electrode is formed by a double step, and the double step is formed by controlling an exposure amount in a pattern mask required for patterning the organic insulating material. Method of manufacturing the device. 제 4 항에 있어서, 상기 절연막을 형성하는 단계는The method of claim 4, wherein forming the insulating film 상기 투명 기판의 상면에 절연물질을 소정 두께로 전면적에 걸쳐 형성하는 단계;Forming an insulating material over the entire surface of the transparent substrate in a predetermined thickness; 상기 절연물질의 상면에 포토레지스트 박막을 형성하는 단계;Forming a photoresist thin film on an upper surface of the insulating material; 상기 포토레지스트 박막 중 상기 애노드 전극의 에지에 대응하는 부분은 노광되지 않도록 하고, 상기 포토레지스트 박막 중 상기 애노드 전극의 에지를 제외한 나머지 부분은 노광되어 제거되도록 상기 포토레지스트 박막을 패터닝하는 단계;Patterning the photoresist thin film so that the portion of the photoresist thin film corresponding to the edge of the anode electrode is not exposed, and the remaining portion of the photoresist thin film except for the edge of the anode electrode is exposed and removed; 패터닝된 상기 포토레지스트 박막을 매개로 외부에 대하여 노출된 상기 절연물질을 패터닝하는 단계;Patterning the insulating material exposed to the outside via the patterned photoresist thin film; 상기 투명 기판에 포토레지스트 박막을 형성하는 단계;Forming a photoresist thin film on the transparent substrate; 패터닝된 후 남아 있는 상기 절연물질의 에지가 노출되도록 상기 포토레지스트 박막을 패터닝하는 단계; 및Patterning the photoresist thin film to expose edges of the insulating material remaining after the patterning; And 외부에 대하여 노출된 상기 절연물질을 패터닝하여 높이차를 발생시키는 단계를 포함하는 유기 전계발광 디바이스의 제조 방법.Patterning the insulating material exposed to the outside to generate a height difference.
KR1020010023307A 2001-04-30 2001-04-30 Organic electroluminescence device and method for fabricating thereof KR100808085B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020010023307A KR100808085B1 (en) 2001-04-30 2001-04-30 Organic electroluminescence device and method for fabricating thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020010023307A KR100808085B1 (en) 2001-04-30 2001-04-30 Organic electroluminescence device and method for fabricating thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020083717A true KR20020083717A (en) 2002-11-04
KR100808085B1 KR100808085B1 (en) 2008-03-06

Family

ID=27703049

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020010023307A KR100808085B1 (en) 2001-04-30 2001-04-30 Organic electroluminescence device and method for fabricating thereof

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100808085B1 (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100635066B1 (en) * 2004-06-03 2006-10-16 삼성에스디아이 주식회사 an organic electrominescence display and method for fabricating the same
KR100646936B1 (en) * 2005-10-18 2006-11-23 삼성에스디아이 주식회사 Organic light emitting diode and method for fabricating the same
KR100683695B1 (en) * 2004-11-11 2007-02-15 삼성에스디아이 주식회사 Organic light emitting device
KR100754339B1 (en) * 2005-07-29 2007-08-31 쿄세라 코포레이션 Organic el element and manufacturing method thereof
KR100759557B1 (en) * 2005-11-12 2007-09-18 삼성에스디아이 주식회사 Organic light emitting display apparatus
KR101322044B1 (en) * 2006-11-27 2013-10-25 엘지디스플레이 주식회사 Light Emitting Device and Method for manufacturing thereof

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000021577A (en) * 1998-06-30 2000-01-21 Nippon Seiki Co Ltd Organic electroluminescence
JP2000030871A (en) * 1998-07-08 2000-01-28 Futaba Corp Organic el element
JP2000077190A (en) * 1998-08-28 2000-03-14 Futaba Corp Organic electroluminescent element and manufacture thereof
JP2001307878A (en) * 2000-04-26 2001-11-02 Casio Comput Co Ltd Electric field luminescent element and its manufacturing method

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100635066B1 (en) * 2004-06-03 2006-10-16 삼성에스디아이 주식회사 an organic electrominescence display and method for fabricating the same
KR100683695B1 (en) * 2004-11-11 2007-02-15 삼성에스디아이 주식회사 Organic light emitting device
US7531834B2 (en) 2004-11-11 2009-05-12 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic electroluminescent display device with improved interface between anode and luminescent organic layer
KR100754339B1 (en) * 2005-07-29 2007-08-31 쿄세라 코포레이션 Organic el element and manufacturing method thereof
KR100646936B1 (en) * 2005-10-18 2006-11-23 삼성에스디아이 주식회사 Organic light emitting diode and method for fabricating the same
KR100759557B1 (en) * 2005-11-12 2007-09-18 삼성에스디아이 주식회사 Organic light emitting display apparatus
KR101322044B1 (en) * 2006-11-27 2013-10-25 엘지디스플레이 주식회사 Light Emitting Device and Method for manufacturing thereof

Also Published As

Publication number Publication date
KR100808085B1 (en) 2008-03-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11716877B2 (en) Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same
US7132801B2 (en) Dual panel-type organic electroluminescent device and method for fabricating the same
KR100768995B1 (en) Display device using organic light emitting element
US8604463B2 (en) Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same
US7482186B2 (en) Method for fabricating active matrix organic light emitting diode display device and structure of such device
TWI545740B (en) Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing the same
US7394193B2 (en) Organic electroluminescence device and method for fabricating thereof
KR102568516B1 (en) Array Substrate For Display Device And Method Of Fabricating The Same
KR102059014B1 (en) Light emitting display device and method of fabricating the same
US20140203245A1 (en) Active Matrix Organic Light Emitting Diode Display Having Variable Optical Path Length for Microcavity
KR20130018501A (en) Method of fabricating the organic light emitting device
JP2004111369A (en) Organic electroluminescent display device and its manufacturing method
KR20100125502A (en) Organic light emitting display device and method for fabricating the same
KR20040103062A (en) OLED and fabrication method thereof
KR20140140147A (en) Display device and method of manufacturing the same
KR101592012B1 (en) Organic light emitting device and manufacturing method thereof
JP2003243171A (en) Organic electroluminescent display panel and its manufacturing method
KR20120073704A (en) Organic electroluminescent device and method of fabricating the same
US20230165051A1 (en) Display device, display panel and manufacturing method thereof, driving circuit and driving method
KR100808085B1 (en) Organic electroluminescence device and method for fabricating thereof
KR20080108062A (en) Organic electroluminescence device and method for manufacturing the same
CN111415963A (en) Display panel and preparation method thereof
JP2003091246A (en) Organic electro-luminescence display panel and manufacturing method therefor
CN109872685B (en) Display panel, manufacturing method thereof and display device
KR101096719B1 (en) Organic Electroluminescence Display Device And Method For Fabricating The Same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130213

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140129

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150130

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee