KR20020081914A - Field emission cathode - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 전계 방출형 음극구조에 관한 것이며, 보다 상세하게는 소정의 외부 전원에 연결되어 상기 음극구조에 작동 전압을 공급하는 전압공급부 구조에 관한 것이다.The present invention relates to a field emission type cathode structure, and more particularly, to a voltage supply structure for supplying an operating voltage to the cathode structure connected to a predetermined external power source.
전계 방출형 음극구조는 소정의 전압이 인가??을 때 터널링 효과(tunneling effect)에 의해 전자가 금속 또는 반도체 표면에서 상온의 진공중으로 방사되는 원리를 이용한다. 반도체 미세가공기술의 발전에 따라 현재 상기 전계 방출형 음극구조는 상용화 단계에 있으며, 각종 전자장치에 포함되는 전자공급수단, 특히 평판형 표시장치등에 적용되고 있다.The field emission type cathode structure uses the principle that electrons are radiated from the surface of a metal or semiconductor to vacuum at room temperature by a tunneling effect when a predetermined voltage is applied. With the development of semiconductor micromachining technology, the field emission cathode structure is currently in commercialization stage, and has been applied to electronic supply means included in various electronic devices, especially flat panel display devices.
이러한 전계방출형 음극구조가 도 1 및 도 2에 도시되며 이를 참조하여 설명하면 다음과 같다.Such a field emission type cathode structure is shown in FIGS. 1 and 2 and will be described with reference to the following.
전계방출형 음극 구조는 크게 기판(10), 인가된 전압에 의해 전자를 진공중으로 방출하는 전자 방출부(20) 및 상기 전자 방출부(20)가 작동할 수 있도록 소정의 전압을 인가하는 전압 공급부(30)로 이루어진다. 실제적으로 전계 방출형 음극은 전자방출특성을 결정하는 방출소자(에미터)의 종류에 따라 여러 가지 형태가 존재하며, 본 발명은 도시된 바와 같이 가장 일반적으로 적용되는 스핀트(spindt)형을 기준으로 설명된다.The field emission cathode structure largely includes a substrate 10, an electron emission unit 20 for emitting electrons into a vacuum by an applied voltage, and a voltage supply unit for applying a predetermined voltage so that the electron emission unit 20 can operate. It consists of 30. Actually, the field emission cathode has various forms depending on the type of emitter (emitter) that determines the electron emission characteristics, and the present invention is based on the most commonly applied spindt type as shown. Is explained.
먼저 도 1에 도시된 바와 같이 상기 전자 방출부(20)는 기판(10)의 표면에 형성되는 캐소드 전극층(21)과 상기 캐소드 전극층(21)상에 형성되는 다수개의 에미터(21a), 상기 캐소드 전극층(21)상에 상기 에미터(21a)를 수용하는 공동부(cavity)를 형성하는 절연층(23), 그리고 상기 절연층(23)상에 상기 에미터(21a)의 첨단을 둘러싸도록 형성되는 게이트 전극층(25)으로 이루어진다.First, as shown in FIG. 1, the electron emission unit 20 includes a cathode electrode layer 21 formed on the surface of the substrate 10 and a plurality of emitters 21a formed on the cathode electrode layer 21. An insulating layer 23 forming a cavity for receiving the emitter 21a on the cathode electrode layer 21, and surrounding the tip of the emitter 21a on the insulating layer 23; The gate electrode layer 25 is formed.
보다 상세하게는, 상기 캐소드 전극층(21) 및 게이트 전극(25)은 패터닝에 의해 소정의 금속층으로 형성되며, 이들중 캐소드 전극층(21)은 상기 에미터(21a)와 전기적으로 연결된다. 그리고 상기 에미터(21a)는 원추형 도전체이며 전압 인가시 실질적으로 전자를 방출한다. 또한 상기 절연층(23)은 일반적으로 산화규소(SiO2)로 이루어지며, 상기 캐소드 전극층(21) 및 게이트 전극층(25)을 전기적으로 절연한다.More specifically, the cathode electrode layer 21 and the gate electrode 25 are formed of a predetermined metal layer by patterning, of which the cathode electrode layer 21 is electrically connected to the emitter 21a. The emitter 21a is a conical conductor and substantially emits electrons when a voltage is applied. In addition, the insulating layer 23 is generally made of silicon oxide (SiO 2 ), and electrically insulates the cathode electrode layer 21 and the gate electrode layer 25.
한편, 도 2에 도시된 상기 전압 공급부(30)는 상기 기판(10)의 소정 위치에 설치되는 캐소드 및 게이트 전압인가 전극(31,33), 상기 기판(10)상에 형성되는 도전성 물질층(35), 상기 전극들(31,33) 및 도전성 물질층(35)과 더불어 상기 각각의 전극층(21,25)에 연결되는 리드선(39)을 포함한다. 여기서, 상기 전압 공급부(30)에 있어서, 상기 각 전압인가 전극(31,33)은 기판(10)에 도전성 페이스트층(25)을 이용하여 설치되며, 특히 도시된 바와 같이 상기 캐소드 전극층(21)을 도전성 물질층(35)에 부착시킨다.Meanwhile, the voltage supply unit 30 illustrated in FIG. 2 includes cathode and gate voltage applying electrodes 31 and 33 provided at a predetermined position of the substrate 10, and a conductive material layer formed on the substrate 10. 35, the lead wires 39 connected to the respective electrode layers 21 and 25, together with the electrodes 31 and 33 and the conductive material layer 35. Here, in the voltage supply unit 30, each of the voltage applying electrodes 31 and 33 is provided on the substrate 10 by using the conductive paste layer 25, and as shown in particular, the cathode electrode layer 21. Is attached to the conductive material layer 35.
보다 상세하게는, 상기 캐소드 전압인가 전극(31)은 리드선(39), 도전성 물질층(35) 및 도전성 페이스트(35)를 순차적으로 경유하여 상기 캐소드 전극층(21)과 전기적으로 연결된다. 그리고 상기 게이트 전압인가 전극(33)은 먼저 전극 주변의 도전성 페이스트(37), 도전성 물질층(35) 및 리드선(39)을 순차적으로 경유하여 상기 게이트 전극층(25)과 연결된다.More specifically, the cathode voltage applying electrode 31 is electrically connected to the cathode electrode layer 21 via the lead wire 39, the conductive material layer 35, and the conductive paste 35 sequentially. The gate voltage applying electrode 33 is first connected to the gate electrode layer 25 via the conductive paste 37, the conductive material layer 35, and the lead wire 39 around the electrode in sequence.
이러한 전계방출형 음극구조에 있어서, 상기 전압 공급부(30)를 통해 캐소드전극층(21)과 게이트 전극층(25)사이에 소정의 전압이 인가되면, 에미터(21a)의 첨단부에는 대단히 강한 전계가 발생한다. 이에 따라 전자가 상기 에미터 팁(105)의 첨단부로부터 터널링 효과에 의해 방출되며, 도 1에 도시된 바와 같이 이들 방출된 전자들은 전자빔을 형성한다.In the field emission type cathode structure, when a predetermined voltage is applied between the cathode electrode layer 21 and the gate electrode layer 25 through the voltage supply part 30, a very strong electric field is applied to the tip of the emitter 21a. Occurs. Accordingly, electrons are emitted from the tip of the emitter tip 105 by the tunneling effect, and as shown in FIG. 1, these emitted electrons form an electron beam.
그러나, 상기 전계방출형 음극구조의 작동시 상기 전압 공급부(30)에 개재되는 도전성 페이스트(37)의 상대적으로 높은 저항으로 인해 상기 전자 방출부(20)에 적절한 전압이 공급되지 않는 경우가 종종 발생한다. 또한 상기 전압 공급부(30)에서의 리드선(39) 사용 또한 상술된 불균일한 전압 공급의 한 원인이 될 수 있다. 결과적으로 이러한 부적절한 전압공급은 상기 전자방출부(20)에서의 전자 방사불량을 발생시킨다.However, when the field emission type cathode structure is operated, an appropriate voltage is often not supplied to the electron emission unit 20 due to the relatively high resistance of the conductive paste 37 interposed in the voltage supply unit 30. do. In addition, the use of the lead wire 39 in the voltage supply part 30 may also be a cause of the non-uniform voltage supply described above. As a result, such an improper voltage supply generates an electron radiation defect in the electron emission unit 20.
또한, 상기 전압 공급부(30)는 상술된 바와 같이 구조가 복잡하며, 이로인한 불량 발생의 요인을 내재한다. 따라서 상기 언급된 종래의 전계방출형 음극구조는 제조시 생산성을 저하시키며, 생산 단가를 상승시키는 문제점이 있다.In addition, the voltage supply unit 30 has a complicated structure as described above, thereby inherently causes the failure. Therefore, the above-mentioned conventional field emission type negative electrode structure has a problem of lowering productivity in manufacturing and raising production cost.
본 발명은 상술된 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 적절한 전압이 안정적으로 인가되는 전계방출형 음극구조를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a field emission type cathode structure in which an appropriate voltage is stably applied.
또한 본 발명의 다른 목적은 종래에 비해 보다 단순화된 전계방출형 음극구조를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a field emission type cathode structure which is more simplified than in the related art.
도 1은 일반적인 전계방출 음극구조를 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a general field emission cathode structure.
도 2는 종래의 전압 공급부를 포함하는 전계방출 음극구조의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of a field emission cathode structure including a conventional voltage supply unit.
도 3은 전압공급부를 포함하여 나타낸 본 발명에 따른 전계방출 음극구조의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of a field emission cathode structure according to the present invention including a voltage supply unit.
도 4는 본 발명에 따른 전계방출 음극구조의 다른 실시예를 나타내는 단면도이다.4 is a cross-sectional view showing another embodiment of the field emission cathode structure according to the present invention.
도 5a 내지 도 5d는 도 4의 실시예를 제조하는 단계를 나타내는 단면도이다.5A through 5D are cross-sectional views illustrating steps of manufacturing the embodiment of FIG. 4.
<도면의 주요 부분에 대한 설명>Description of the main parts of the drawing
10 : 기판20 : 전자 방출부10 substrate 20 electron emitting portion
21 : 캐소드 전극층21a : 에미터21 cathode electrode layer 21a emitter
21b : 돌출부23 : 절연층21b: protrusion 23: insulating layer
25 : 게이트 전극층30,40 : 전압공급부25: gate electrode layer 30, 40: voltage supply
31,41 : 캐소드 전압인가 전극33,43 : 게이트 전압인가 전극31,41: cathode voltage applied electrode 33,43: gate voltage applied electrode
35,45 : 도전성 물질층37,47 : 도전성 페이스트35,45 conductive layer 37,47 conductive paste
39.49 : 리드선39.49: lead wire
상술된 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 기판; 상기 기판상에 적층되며, 캐소드 전극층, 에미터 팁 및 게이트 전극층등을 갖는 전자 방출부; 그리고 상기 기판상에 상기 전자 방출부와 연결되도록 위치되며, 전압인가 전극 및 도전물질층을 갖는 전압공급부를 포함하는 전계방출형 음극구조에 있어서, 상기 도전 물질층과 전압인가 전극층이 직접적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 전계방출형 음극구조를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention is a substrate; An electron emission unit stacked on the substrate and having a cathode electrode layer, an emitter tip, a gate electrode layer, and the like; And a field emission type cathode structure positioned on the substrate so as to be connected to the electron emission part and including a voltage supplying part having a voltage applying electrode and a conductive material layer, wherein the conductive material layer and the voltage applying electrode layer are directly connected to each other. It provides a field emission type cathode structure, characterized in that.
여기서 상기 캐소드 전극층이 상기 도전물질층과 직접연결되는 돌출부를 더 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다.The cathode electrode layer may further include a protrusion directly connected to the conductive material layer.
한편, 본 발명에 있어서 상기 도전성 물질층은 크롬 또는 몰리브덴으로 이루어질 수 있으며, 또한 상기 게이트 전극과 동일한 재질로 이루어지질 수도 있다.Meanwhile, in the present invention, the conductive material layer may be made of chromium or molybdenum, and may also be made of the same material as the gate electrode.
이하 상기 목적이 구체적으로 실현될 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예가 첨부된 도면을 참조하여 설명된다. 본 실시예를 설명함에 있어서, 동일 구성에 대해서는 동일 명칭 및 동일 부호가 사용되며 이에 따른 부가적인 설명은 하기에서 생략된다.DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention in which the above objects can be specifically realized are described with reference to the accompanying drawings. In describing the present embodiment, the same name and the same reference numerals are used for the same configuration and additional description thereof will be omitted below.
도 3은 전압공급부를 포함하여 나타낸 본 발명에 따른 전계방출형 음극구조의 단면도이며, 도 4는 본 발명에 따른 전계방출형 음극구조의 다른 실시예를 나타내는 단면도이다. 이들 도면을 참조하여 상기 전계방출 음극구조를 설명하면 다음과 같다.3 is a cross-sectional view of a field emission cathode structure according to the present invention including a voltage supply, Figure 4 is a cross-sectional view showing another embodiment of the field emission cathode structure according to the present invention. The field emission cathode structure will be described with reference to these drawings.
본 발명에 따른 전계방출형 음극구조는 도시된 바와 같이 전체적으로 기판 (10), 전자 방출부(20) 및 전압 공급부(40)로 이루어진다. 본 발명에 있어서, 상기 기판(10) 및 전자 방출부(20)는 앞서 설명된 도 1에 따른 종래 전계방출형 음극구조와 동일하므로 이에 대한 상세한 설명을 생략하며, 종래와 다른 구성을 갖는 상기 전압 공급부(40)를 상세하게 설명하면 다음과 같다.The field emission type cathode structure according to the present invention is composed of a substrate 10, an electron emission portion 20 and a voltage supply portion 40 as shown in the whole. In the present invention, since the substrate 10 and the electron emission unit 20 are the same as the conventional field emission cathode structure according to FIG. 1 described above, a detailed description thereof will be omitted, and the voltage having a different configuration from the conventional one. The supply unit 40 is described in detail as follows.
본 발명의 전압공급부(40)에 있어서, 도시된 바와 같이 도전성 물질층(45)은 상기 기판(10) 내부에 삽입되어 전극들(41,43)에까지 연장된다. 따라서, 각각의 전압인가 전극(41,43)은 상기 도전성 물질층들(45)과 소정의 연결매체 없이 직접적으로 연결된다. 즉, 도 2에 도시된 일반적 전압 공급부(30)와는 다르게, 본 발명에 있어서 캐소드 전압인가 전극(41)은 별도의 리드선 없이 상기 도전성 물질층(45)과 직결되며, 상기 게이트 전압인가 전극(43)은 도전성 페이스트(47)를 경유하지 않고 도전성 물질층(45)과 연결된다.In the voltage supply unit 40 of the present invention, as shown, the conductive material layer 45 is inserted into the substrate 10 and extends to the electrodes 41 and 43. Accordingly, each of the voltage applying electrodes 41 and 43 is directly connected to the conductive material layers 45 without any connection medium. That is, unlike the general voltage supply unit 30 illustrated in FIG. 2, in the present invention, the cathode voltage applying electrode 41 is directly connected to the conductive material layer 45 without a separate lead wire, and the gate voltage applying electrode 43 Is connected to the conductive material layer 45 without passing through the conductive paste 47.
이러한 전압 공급부(40)의 형성과정에 있어서, 먼저 상기 기판(10)의 상부표면이 식각되며, 이러한 식각작업에 의해 형성되는 소정 자리부에 상기 도전성 물질층(45)이 도포된다. 여기서 상기 자리부는 상기 기판(10)에 기 형성된 전극 자리부에까지 연장되도록 형성된다. 상기 형성단계의 완료 후, 상기 전압인가 전극들(41,43)은 상기 연장 형성된 도전성 물질층(45)과 각각 직접적으로 연결되도록 상기 기판(10)에 배치된다. 이 후, 안정적인 고정을 위하여 상기 도전성 페이스트(47)가 상기 전압인가 전극들(41,43)에 도포된다. 그리고 상기 캐소드 전극층(21) 및 상기 게이트 전극층(25)은 각각 도전성 페이스트(47) 및 리드선(49)을 이용하여 상기 도전성 물질층(45)과 연결된다.In the process of forming the voltage supply part 40, first, the upper surface of the substrate 10 is etched, and the conductive material layer 45 is applied to a predetermined portion formed by the etching operation. In this case, the seat portion is formed to extend to the electrode seat portion previously formed in the substrate 10. After completion of the forming step, the voltage applying electrodes 41 and 43 are disposed on the substrate 10 so as to be directly connected to the elongated conductive material layer 45, respectively. Thereafter, the conductive paste 47 is applied to the voltage applying electrodes 41 and 43 for stable fixing. The cathode electrode layer 21 and the gate electrode layer 25 are connected to the conductive material layer 45 using the conductive paste 47 and the lead wire 49, respectively.
한편, 본 발명에 있어서, 상기 캐소드 전극층(21)은 도 4에 도시된 바와 같이, 하부에 위치되는 도전성 물질층(45)과 직접적으로 연결될 수 있도록 상기 도전성 물질층(45)을 향해 소정 길이로 연장되는 돌출부(21b)를 더 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다.Meanwhile, in the present invention, as shown in FIG. 4, the cathode electrode layer 21 has a predetermined length toward the conductive material layer 45 so as to be directly connected to the conductive material layer 45 located below. It is preferred to further comprise an extended protrusion 21b.
여기서 상기 돌출부(21b)는 상기 도전성 물질층(45)과 캐소드 전극층(21)사이에 개재되며 상대적으로 저항이 높은 도전성 페이스트(47) 대신에 상기 캐소드 전극층(21)을 상기 도전성 물질층(45)과 직결시킨다, 따라서 본 발명에 따른 전게방출형 음극구조의 작동시 저항발생을 보다 감소시키며, 이에 따라 상대적으로 도전성을 향상시키게 된다.The protrusion 21b is interposed between the conductive material layer 45 and the cathode electrode layer 21 and replaces the cathode electrode layer 21 with the conductive material layer 45 instead of the conductive paste 47 having a relatively high resistance. Therefore, the generation of resistance in the operation of the electrocathode-emitting cathode structure according to the present invention is further reduced, thereby improving the relative conductivity.
이러한 본 발명의 변형예의 형성과정에 있어서, 도 5a에 도시된 바와 같이 먼저 상기 캐소드 전극층(21)과 연결되는 도전성 물질층(10) 상부표면이 소정의 자리부를 형성하도록 부분적으로 식각된다. 여기서 도전성 물질층(45)형성 또는 전압인가전극(41,43)고정단계와 같은 이전의 단계들은 도 3을 참조하여 설명된 단계들과 동일하게 수행된다.In the formation of the modified example of the present invention, as shown in FIG. 5A, first, the upper surface of the conductive material layer 10 connected to the cathode electrode layer 21 is partially etched to form a predetermined portion. Here, the previous steps such as forming the conductive material layer 45 or fixing the voltage applying electrodes 41 and 43 are performed in the same manner as those described with reference to FIG. 3.
상기 식각단계 완료후, 도 5b에 도시된 바와 같이, 상기 캐소드 전극층의 일부분(21b)이 상기 자리부내에 증착에 의해 형성되며, 도 5c에 도시된 바와 같이 상기 도전성 페이스트(47)가 상기 형성된 일부분(21b)을 제외한 상기 도전성 물질층(45)상에 도포된다. 여기서 상기 캐소드 전극층의 일부(21b)는 도포되는 도전성 페이스트(47)를 고려하여 상기 도전성 물질층(45)보다 조금 높게 형성된다.After completion of the etching step, as shown in FIG. 5B, a portion 21b of the cathode electrode layer is formed by deposition in the seat portion, and as shown in FIG. 5C, the conductive paste 47 is formed in the portion. It is applied on the conductive material layer 45 except for 21b. The portion 21b of the cathode electrode layer is formed slightly higher than the conductive material layer 45 in consideration of the conductive paste 47 to be applied.
이후, 최종적으로 도 5d에 도시된 바와 같이, 상기 전자방출부(20)가 상기 도전성 페이스트(47)에 의해 부착된다. 따라서 상기 일부분(21b)은 상기 캐소드 전극층(21)과 접촉되어 상기 캐소드 전극층(21)과 도전성 물질층(45)을 직결하는 돌출부로서 형성된다.Thereafter, as shown in FIG. 5D, the electron-emitting part 20 is attached by the conductive paste 47. Accordingly, the portion 21b is formed as a protrusion contacting the cathode electrode layer 21 to directly connect the cathode electrode layer 21 and the conductive material layer 45.
한편, 이와 같은 본 발명에 따른 전계방출형 음극구조에 있어서, 상기 도전성 물질층(45)은 도전성을 갖는 어떤 재질로도 형성될 수 있으나, 바람직하게는 제조성의 여려 조건을 고려하여 크롬(Cr) 또는 몰리브덴(Mo)으로 이루어지는 것이 바람직하다. 또한 보다 바람직하게는, 보다 향상된 도전성을 위하여 상기 도전성 물질층(45)은 상기 캐소드 전극(21) 또는 게이트 전극(25)과 동일한 재질로 이루어질 수 있다.On the other hand, in the field emission cathode structure according to the present invention, the conductive material layer 45 may be formed of any material having conductivity, preferably chromium (Cr) in consideration of various conditions of manufacturability Or molybdenum (Mo). Also, more preferably, the conductive material layer 45 may be made of the same material as the cathode electrode 21 or the gate electrode 25 for improved conductivity.
다른 한편, 앞서 언급된 바와 같이 가장 일반적인 스핀트형을 기준으로 설명되었으나, 본 발명의 전압공급부(40)는 이러한 방출소자(에미터)에 따른 분류에 상관없이 예를 들어, 카본나노튜브(carbon nano tube), SCE(Surface Conduction Emitter)등과 같은 평면형 에미터를 갖는 전계방출형 음극구조와 MIM(Metal Insulator Metal), MIS(Metal Insulator Semiconductor)와 같은 전계방출능력을 갖는 모든 음극구조에 적용가능하다.On the other hand, as described above on the basis of the most common spin type, the voltage supply unit 40 of the present invention, regardless of the classification according to the emitter (emitter), for example, carbon nanotubes (carbon nano) It is applicable to field emission type cathode structures having planar emitters such as tube) and surface conduction emitters (SCE) and all cathode structures having field emission capabilities such as metal insulator metal (MIM) and metal insulator semiconductor (MIS).
이와 더불어, 본 발명에 따른 전계방출형 음극구조는 특히 전계방출형 표시소자(Field Emission Display : FED)의 음극부로 사용될 수 있으며 또한 통상의 음극선관(Cathode Ray Tube : CRT) 전자총의 음극부로도 사용될 수 있다.In addition, the field emission cathode structure according to the present invention may be used as a cathode portion of a field emission display (FED), and may also be used as a cathode portion of a conventional cathode ray tube (CRT) electron gun. Can be.
상술된 본 명세서에서 단지 몇몇의 실시예가 설명되었음에도 불구하고, 본발명이 그 취지와 범주에서 벗어남 없이 많은 다른 특정 형태로 구체화 될 수 있다는 사실은 해당 기술에 통상의 지식을 가진 이들에게는 자명한 것이다. 그러므로, 상술된 실시예는 제한적인 것이 아니라 예시적인 것으로 여겨져야 하고, 이에 따라 본 발명은 상술된 상세한 설명에 한정되지 않고 첨부된 청구항의 범주 및 그 동등 범위내에서 변경될 수도 있다.Although only a few embodiments have been described herein above, it will be apparent to those skilled in the art that the present invention may be embodied in many other specific forms without departing from the spirit and scope thereof. Therefore, the above-described embodiments are to be considered as illustrative and not restrictive, and thus, the invention is not limited to the above detailed description, but may vary within the scope of the appended claims and their equivalents.
상술된 본 발명에 따른 전계방출형 음극구조의 효과를 설명하면 다음과 같다.The effect of the field emission type cathode structure according to the present invention described above is as follows.
본 발명은 상기 도전성 물질층 및 전압인가 전극이 직접적으로 연결됨으로서 도전성 페이스트 및 리드선의 사용에 의한 저항 발생을 감소시킬 수 있다. 또한 본 발명에 따른 캐소드 전극층의 돌출부에 의해 상기 캐소드 전극층 및 도전성 물질층은 직접 연결되며 이에 따라 부가적인 저항 감소가 기대될 수 있다. 따라서, 전계방출형 음극구조의 작동시 각 구성요소간의 도전성이 실질적으로 향성되며, 적절한 전압이 안정적으로 인가될 수 있다.According to the present invention, the conductive material layer and the voltage applying electrode are directly connected to reduce resistance generated by the use of the conductive paste and the lead wire. In addition, the cathode electrode layer and the conductive material layer are directly connected by the protrusion of the cathode electrode layer according to the present invention, and thus an additional resistance reduction may be expected. Therefore, when the field emission type cathode structure is operated, the conductivity between the components is substantially improved, and an appropriate voltage can be stably applied.
또한, 상술된 직접적 연결구조 및 이에 따른 일부 리드선의 제거에 의해 본 발명에 따른 전계방출형 음극구조는 보다 단순화된 구조를 가지게 된다. 따라서, 제조 불량 및 작동불량등이 실질적으로 감소되며, 생산성의 향상 및 제조원가의 감소가 기대될 수 있다.In addition, the field emission type cathode structure according to the present invention has a simplified structure by the above-described direct connection structure and the removal of some lead wires. Therefore, manufacturing defects and malfunctions are substantially reduced, and productivity and manufacturing cost can be reduced.
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|---|---|---|---|
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Citations (4)
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| KR200244559Y1 (en) * | 1996-09-09 | 2001-12-17 | 김순택 | Fluorescent tube |
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2001
- 2001-04-20 KR KR1020010021430A patent/KR20020081914A/en not_active Application Discontinuation
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