KR20020073258A - Photosensitive resin composition for detecting system error of exposure device - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A photosensitive composition to form such images that an exposed part can be recognized from a non-exposed part only by exposure to radiation is provided, and a photosensitive resin composition having high sensitivity to which stable visualizing property by exposure necessary and sufficient for the alignment measurement of exposure device is imparted is provided. CONSTITUTION: In a photosensitive resin composition that is used to detect the system error in an exposure device when a mask pattern is transferred to a photosensitive resin composition film by transferring the mask pattern onto the photosensitive resin composition film only by exposure to radiation and detecting the focused state of the transferred pattern image, the photosensitive resin composition for detection of the system error of an exposure device is characterized in that the photosensitive resin composition contains (A) a compound which produces an acid by exposure to radiation and (B) a resin which changes its volume by the reaction with the acid produced by (A).

Description

노광장치의 시스템오차 검출용 감광성 수지조성물{PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION FOR DETECTING SYSTEM ERROR OF EXPOSURE DEVICE}PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION FOR DETECTING SYSTEM ERROR OF EXPOSURE DEVICE}

본 발명은 IC, LSIZ의 반도체소자를 제조할 때에 사용되는 노광장치의 시스템오차를 검출하기 위하여 사용되는 감광성 수지조성물에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a photosensitive resin composition used for detecting a system error of an exposure apparatus used in manufacturing semiconductor devices of IC and LSIZ.

IC, LSI 등의 반도체소자 제조용의 노광장치에는 해상성능과 중합성능이라는 2가지의 기본적인 성능이 요구되고 있다. 전자는 반도체기판(이하 "웨이퍼"라 함)면상에 도포된 포토레지스트면상에 어떻게 미세한 패턴을 형성하는가에 대한 능력이고, 후자는 전공정에서 웨이퍼면상에 형성된 패턴에 대하여 포토마스크상의 패턴을 어떻게 정확히 위치맞춤하여 전사할 수 있는가에 대한 능력이다.Exposure apparatus for semiconductor element manufacturing, such as IC and LSI, requires two basic performances, namely, a resolution performance and a polymerization performance. The former is the ability to form a fine pattern on the photoresist surface applied on the surface of the semiconductor substrate (hereinafter referred to as the "wafer"), and the latter how to accurately pattern the pattern on the photomask with respect to the pattern formed on the wafer surface in the previous step. The ability to transcribe in position.

현재, 요구되는 해상성능은 130㎚이하이고, 이 해상력을 달성하는 노광장치로서 KrF엑시머레이저(248㎚), ArF엑시머레이저(193㎚), F2엑시머레이저(157㎚)를광원으로 한 노광장치, 전자선을 노광광원으로 한 노광장치, 그리고 X선을 노광광원으로 한 노광장치가 검토되고 있다. 어느 노광방식에 있어서도 중합정밀도는 일반적으로 베이킹 최소선폭의 1/3∼1/5의 값이 필요하고, 이 정밀도를 달성하는 것은 일반적으로 해상성능의 달성과 동등하거나, 그 이상의 곤란함을 수반하고 있다.Currently, the required resolution performance is 130 nm or less, and an exposure apparatus using KrF excimer laser (248 nm), ArF excimer laser (193 nm), and F 2 excimer laser (157 nm) as light sources for achieving this resolution. An exposure apparatus using an electron beam as an exposure light source and an exposure apparatus using an X-ray as an exposure light source have been studied. In any exposure method, the polymerization precision generally requires a value of 1/3 to 1/5 of the minimum baking line width, and achieving this accuracy generally involves the same or higher difficulty in achieving the resolution performance. have.

종래는, 레티클면상의 패턴과 웨이퍼면상의 패턴의 상대적 위치맞춤, 즉 얼라인먼트의 시스템오차의 보정방법으로서 배율 및 SHOT배열이 보증된 기준웨이퍼에 레지스트를 도포하고, 통상의 순서에 따라서 얼라인먼트 및 노광을 하여 장치로부터 꺼내고, 그 레지스트를 현상하여 버니어(vernier)와 같은 마크를 의지하여 오차량을 판독하고, 거기에서 계산된 값을 오프셋값으로서 장치에 입력하는 방법이 일반적이었다.Conventionally, as a method of correcting the relative alignment of a pattern on a reticle surface and a pattern on a wafer surface, that is, a system error of alignment, a resist is applied to a reference wafer which is guaranteed a magnification and a SHOT arrangement, and alignment and exposure are performed in a usual procedure. It was common to take out from the apparatus, develop the resist, read the error amount by relying on a mark such as a vernier, and input the calculated value therein into the apparatus as an offset value.

그러나 이 방법에서는 장치의 가동율이 저하되고, 오퍼레이터의 수고가 증가하며, 또한 일련의 작업에 시간을 많이 요하기 때문에 노광후의 시간경과에 따라 더욱 경시변화가 진행되어 버린다는 문제점이 있었다.In this method, however, the operation rate of the apparatus is lowered, the labor of the operator is increased, and a lot of time is required for a series of operations, so that there is a problem that the change over time progresses with time after exposure.

이와 같은 문제를 해결하기 위한 방법으로서, 일본 특허공고 평6-50716에 광자기재료 또는 포토크로믹재료가 개시되어 있지만, 감광재료의 감도가 불충분하였다. 또, 일본 특허공개 평5-158226호, 특허공개 평9-160229호에 산에 의해서 색조를 변화시키는 감광재료가 개시되어 있지만, 300㎚이하의 노광만에서의 가시화성, 감도 및 형성된 화상의 안정성이 불충분하였다.As a method for solving such a problem, Japanese Patent Publication No. Hei 6-50716 discloses a magneto-optical material or a photochromic material, but the sensitivity of the photosensitive material is insufficient. Japanese Patent Laid-Open Publication No. Hei 5-158226 and Japanese Patent Laid-Open Publication No. Hei 9-160229 disclose a photosensitive material which changes color by acid, but the visibility, sensitivity, and stability of the formed image only under an exposure of 300 nm or less. This was insufficient.

방사선의 노광만으로 노광부와 비노광부의 식별이 가능한 화상이 형성되는감광성 조성물로서, 감도가 높고, 노광장치의 얼라인먼트 계측에 필요충분한 안정된 노광가시화성을 부여한 감광성 수지조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.It is an object of the present invention to provide a photosensitive resin composition having a high sensitivity and imparting stable exposure visibility necessary for alignment measurement of an exposure apparatus.

도 1은 체적변동률을 설명하기 위하여 사용한 막두께와 노광량의 관계를 나타내는 도면이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a figure which shows the relationship between the film thickness and exposure amount used in order to demonstrate a volume variation rate.

본 발명자 등은, 감광성 수지조성물의 구성재료를 예의검토한 결과, 특정의 수지 및 특정의 방사선의 노광에 의해 산을 발생하는 화합물을 사용함으로써, 본 발명의 목적이 달성되는 것을 발견하고 본 발명에 이르렀다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM As a result of earnestly examining the constituent material of the photosensitive resin composition, this inventor discovered that the objective of this invention is achieved by using the compound which generate | occur | produces an acid by exposure of specific resin and a specific radiation, and to this invention, Reached.

즉, 상기 목적은 하기 구성에 의해서 달성된다.That is, the said object is achieved by the following structures.

(1) 방사선의 노광만으로 마스크패턴을 감광성 수지조성물막 위에 전사하고, 상기 전사패턴상의 결상상태를 검출함으로써 마스크패턴을 감광성 수지조성물막 위에 전사할 때의 노광장치의 시스템오차를 검출하기 위한 감광성 수지조성물로서,(1) The photosensitive resin for detecting the system error of the exposure apparatus when the mask pattern is transferred onto the photosensitive resin composition film by transferring the mask pattern onto the photosensitive resin composition film only by the exposure of radiation, and detecting the imaging state on the transfer pattern. As a composition,

A) 방사선의 노광에 의해 산을 발생하는 화합물과A) a compound that generates an acid by exposure to radiation and

B) 상기 A)로부터 발생한 산과의 반응에 의해 체적이 변화하는 수지를 함유하는 것을 특징으로 하는 노광장치의 시스템오차 검출용 감광성 수지조성물.B) The photosensitive resin composition for system error detection of the exposure apparatus containing resin which changes in volume by reaction with the acid generated from said A).

(2) 노광에 의해 발생된 산과의 반응에 의해 400㎚이상의 파장영역의 분광특성이 변화하는 색소를 더 함유하는 것을 특징으로 하는 상기 (1)에 기재된 노광장치의 시스템오차 검출용 감광성 수지조성물.(2) A photosensitive resin composition for detecting a system error of the exposure apparatus according to (1), further comprising a dye in which the spectral characteristics of the wavelength region of 400 nm or more change by reaction with an acid generated by exposure.

(3) 상기 색소가 하기 일반식(I)의 구조로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 상기 (2)에 기재된 노광장치의 시스템오차 검출용 감광성 수지조성물.(3) The photosensitive resin composition for detecting a system error of the exposure apparatus according to (2), wherein the dye is a compound represented by the structure of the following general formula (I).

식(I)에 있어서, R11∼R15, R21∼R25, R31∼R35는 서로 같거나 달라도 좋고, 수소원자, 탄소수 1∼6의 알킬기, 탄소수 1∼6의 알콕시기, 카르복실기, 할로겐원자, 니트로기, 수산기, 치환 또는 무치환의 탄소수 1∼6의 카르보닐기, 치환 또는 무치환의 아미노기, 치환 또는 무치환의 탄소수 6∼12의 아릴기, 치환 또는 무치환의 탄소수 6∼12의 아릴옥시기를 표시한다.In formula (I), R <11> -R <15> , R <21> -R <25> , R <31> -R <35> may mutually be same or different, A hydrogen atom, a C1-C6 alkyl group, a C1-C6 alkoxy group, carboxyl group , Halogen atom, nitro group, hydroxyl group, substituted or unsubstituted carbonyl group of 1 to 6 carbon atoms, substituted or unsubstituted amino group, substituted or unsubstituted aryl group of 6 to 12 carbon atoms, substituted or unsubstituted C6 to 12 carbon atoms An aryloxy group is shown.

또, R11∼R15중 2개가 결합하여 고리를 형성하여도 좋다. R21∼R25중 2개가 결합하여 고리를 형성하여도 좋다. R31∼R35중 2개가 결합하여 고리를 형성하여도 좋다. 고리를 형성하는 경우, 산소원자, 유황원자, 질소원자를 포함하여 고리를 형성하여도 된다.In addition, two of R 11 to R 15 may be bonded to each other to form a ring. Two of R 21 to R 25 may be bonded to each other to form a ring. Two of R 31 to R 35 may be bonded to each other to form a ring. When forming a ring, you may form a ring including an oxygen atom, a sulfur atom, and a nitrogen atom.

단, R11, R15, R21, R25, R31, R35중 1개는 탄소수 1∼6의 알콕시기, 카르복실기, 할로겐원자, 니트로기, 수산기, 치환 또는 무치환의 탄소수 1∼6의 카르보닐기, 치환 또는 무치환의 아미노기, 치환 또는 무치환의 탄소수 6∼12의 아릴기, 치환 또는 무치환의 탄소수 6∼12의 아릴옥시기이다.Provided that one of R 11 , R 15 , R 21 , R 25 , R 31 and R 35 is a C 1-6 alkoxy group, carboxyl group, halogen atom, nitro group, hydroxyl group, substituted or unsubstituted C 1-6 Carbonyl group, substituted or unsubstituted amino group, substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 12 carbon atoms, and substituted or unsubstituted aryloxy group having 6 to 12 carbon atoms.

또한, 각 치환기는 아미드결합을 통하여 결합하여도 좋다.Each substituent may be bonded via an amide bond.

(4) 상기 B)의 수지가 알칼리가용성 수지의 알칼리가용성기의 30몰% 이상을 아세탈기로 보호한 알칼리 불용성 수지인 것을 특징으로 하는 상기 (1)∼(3)의 어느 하나에 기재된 노광장치의 시스템오차 검출용 감광성 수지조성물.(4) The exposure apparatus according to any one of (1) to (3), wherein the resin of B) is an alkali insoluble resin which protects 30 mol% or more of the alkali-soluble group of the alkali-soluble resin with an acetal group. Photosensitive resin composition for system error detection.

(5) 1000㎚ 막두께의 감광성 조성물 미노광부의 400㎚∼800㎚ 파장영역의 광에 대한 투과율의 최소값이 85%이상이고, 감광성 수지조성물 노광부의 400㎚∼800㎚ 파장영역의 광에 대한 투과율의 최소값이 75%이하인 것을 특징으로 하는 상기 (1)∼(4)의 어느 하나에 기재된 노광장치의 시스템오차 검출용 감광성 수지조성물.(5) The minimum value of the transmittance | permeability with respect to the light of 400 nm-800 nm wavelength region of the photosensitive composition unexposed part of 1000 nm film thickness is 85% or more, and the transmittance | permeability with respect to the light of 400 nm-800 nm wavelength region of the photosensitive resin composition exposure part. The photosensitive resin composition for detecting a system error of the exposure apparatus according to any one of (1) to (4), wherein the minimum value is 75% or less.

이하에 바람직한 형태를 기재한다.Preferred embodiments are described below.

(6) 상기 방사선의 노광에 의해 산을 발생하는 화합물로서, 하기 일반식(II)의 구조로 표시되는 술포늄염, 하기 일반식(III)의 구조로 표시되는 요오드늄염 및 하기 일반식(IV)의 구조로 표시되는 술포닐디아조메탄의 군에서 선택되는 화합물 중 적어도 1종을 함유하는 것을 특징으로 하는 상기 (1)∼(5)의 어느 하나에 기재된 노광장치의 시스템오차 검출용 감광성 수지조성물.(6) As a compound which generates an acid by exposure of the said radiation, the sulfonium salt represented by the structure of following General formula (II), the iodonium salt represented by the structure of following General formula (III), and the following general formula (IV) A photosensitive resin composition for detecting a system error of the exposure apparatus according to any one of (1) to (5), characterized by containing at least one compound selected from the group of sulfonyldiazomethane represented by the structure of (1) to (5). .

식(II), 식(III)에 있어서, Ra1∼Ra5, Rb1∼Rb5, Rc1∼Rc5, Re1∼Re5및 Rf1∼Rf5는, 각각 단독으로 수소원자, 탄소수 1∼6까지의 직쇄, 분기 혹은 환상의 알킬기, 또는 탄소수 1∼6까지의 직쇄, 분기 혹은 환상의 알콕시기를 나타낸다.Formula (II), in the formula (III), Ra 1 ~Ra 5 , Rb 1 ~Rb 5, Rc 1 ~Rc 5, Re 1 ~Re 5 and Rf 1 ~Rf 5 are each independently a hydrogen atom, A straight, branched or cyclic alkyl group of 1 to 6 or a straight, branched or cyclic alkoxy group of 1 to 6 carbon atoms is represented.

X-는 R3-SO3 -또는 R3-COO-를 표시한다. R3는 탄소수 1∼20까지의 직쇄, 분기 혹은 환상의 알킬기, 탄소수 6∼20의 치환 또는 무치환의 아릴기 또는 탄소수 6∼20의 치환 또는 무치환의 아랄킬기, 탄소수 1∼20까지의 직쇄, 분기 혹은 환상의 퍼풀루오로알킬기, 또는 탄소수 6∼20의 치환 또는 무치환의 퍼풀루오로아릴기를 나타낸다.X - is R 3 -SO 3 - and display - or R 3 -COO. R 3 is a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aralkyl group having 6 to 20 carbon atoms, and a straight chain having 1 to 20 carbon atoms. , A branched or cyclic perfluorouroalkyl group, or a substituted or unsubstituted perfluorofluoroaryl group having 6 to 20 carbon atoms.

식(IV)에 있어서, Rd1및 Rd2는 각각 독립적으로 탄소수 1∼10의 직쇄, 분기 혹은 환상의 알킬기, 탄소수 6∼20의 치환 혹은 무치환의 아릴기, 또는 탄소수 6∼20의 치환 혹은 무치환의 아랄킬기를 나타낸다.In formula (IV), Rd 1 and Rd 2 are each independently a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms, or substituted or substituted with 6 to 20 carbon atoms, or Unsubstituted aralkyl group is shown.

(7) 또한 유기염기성 화합물 및/또는 유기카르복실산을 함유하는 것을 특징으로 하는 상기 (1)∼(6)의 어느 하나에 기재된 노광장치의 시스템오차 검출용 감광성 수지조성물.(7) A photosensitive resin composition for detecting a system error of the exposure apparatus according to any one of (1) to (6), further comprising an organic basic compound and / or an organic carboxylic acid.

(8) 상기 아세탈기가 하기의 구조로 표시되는 기에서 선택되는 아세탈기인 것을 특징으로 하는 상기 (4)에 기재된 노광장치의 시스템오차 검출용 감광성 수지조성물.(8) The photosensitive resin composition for detecting a system error of the exposure apparatus according to (4), wherein the acetal group is an acetal group selected from the group represented by the following structure.

이하, 본 발명에 사용되는 각 성분에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, each component used for this invention is demonstrated in detail.

[1] B)의 수지[1] resins of B)

빛을 광원으로 하는 상기 노광장치의 시스템오차를 검출하기 위한 상기 감광성 수지조성물이라면, 본 발명에 사용되는 수지는 막두께 1000㎚에서의 노광파장에서의 투과율의 최소값이 60%이상이고, 그 수지중에 노광으로 발생한 산과의 반응에서 체적이 증가 혹은 감소하는 것을 함유하는 것이 중요하다.If the photosensitive resin composition for detecting a system error of the exposure apparatus using light as a light source, the resin used in the present invention has a minimum value of 60% or more at an exposure wavelength at a film thickness of 1000 nm, It is important to contain that the volume increases or decreases in reaction with acid generated by exposure.

노광으로 발생한 산과의 반응에서 체적을 감소시키는 바람직한 수지로서는, 산으로 분해되는 아세탈구조를 함유하여 알칼리 수용액에 불용인 것을 들 수 있다. 알칼리 수용액에 불용이라는 것은, 그 수지막의 2.38% 테트라메틸암모늄 수용액에 대한 용해속도가 3000초/㎛이하인 것을 나타낸다.As preferable resin which reduces a volume in reaction with the acid which generate | occur | produced in exposure, what contains an acetal structure decomposed | dissolved into acid, and is insoluble in aqueous alkali solution is mentioned. Insoluble in aqueous alkali solution means that the dissolution rate of the resin film in the 2.38% aqueous tetramethylammonium solution is 3000 seconds / µm or less.

산으로 분해되는 아세탈결합에서 수지의 알칼리 가용기끼리를 가교한 것은, 분자량이 높기 때문에 알칼리에 대한 용해성이 저하하고, 분자량 변화가 크기 때문에 체적변화도 커지므로 보다 바람직하다. 노광광원이 전자선이나 X선 등 에너지선인 경우는 수지의 투과율에 한정은 없다.The crosslinking of alkali solubilizing groups of the resin in the acetal bond decomposed to an acid is more preferable because of its high molecular weight, solubility in alkali is lowered, and the change in volume is also large. When the exposure light source is an energy ray such as an electron beam or X-ray, the transmittance of the resin is not limited.

본 발명에 있어서 방사선의 노광에 의해 발생한 산에서 체적이 변화한다는 것은, 체적이 감소 또는 증가하는 것을 의미하지만, 바람직하게는 체적이 감소하는 것이다. 예를 들면, 산으로 분해되는 아세탈기가 방사선의 노광에 의해 발생한 산에 의해 분해되고, 노광후의 수지의 체적이 노광전에 비하여 감소하는 것을 이용할 수 있다.In the present invention, the change in volume in the acid generated by the exposure of the radiation means that the volume decreases or increases, but preferably the volume decreases. For example, an acetal group decomposed into an acid is decomposed by an acid generated by exposure to radiation, and a decrease in the volume of the resin after exposure can be used.

체적변동률은, 가능한 한 많을수록 좋고, 노광전의 수지의 체적을 기준으로 하여 적어도 3%이상, 바람직하게는 5%이상 필요하다.As much as possible, the volume change rate is good, and it is required at least 3% or more, preferably 5% or more based on the volume of the resin before exposure.

체적변동률은 예를 들면, 실리콘기판상에 스핀도포한 조성물의 막두께로 견적할 수 있다. 실리콘기판상에 본 발명의 조성물을 스핀도포하고, 90℃/90초로 베이크를 행하여 건조시키고, 막두께를 시판의 두께게이지로 측정한다(이 막두께를FTinit라 한다).Volume variation can be estimated by the film thickness of the composition spin-coated on a silicon substrate, for example. The composition of the present invention is spin-coated on a silicon substrate, baked at 90 DEG C / 90 seconds, dried, and the film thickness is measured by a commercially available thickness gauge (this film thickness is referred to as FT init ).

이 막을 KrF엑시머레이저에 의해 노광하고, 노광부분의 막두께를 두께게이지로 측정한다. 노광량을 변경하면서 도 1과 같은 그래프를 작성하고, FTexp(막두께 변동이 완료된 때의 막두께)를 구한다.This film is exposed with a KrF excimer laser, and the film thickness of the exposed portion is measured by a thickness gauge. The graph as shown in FIG. 1 is produced, changing exposure amount, and FT exp (film thickness at the time of film thickness fluctuation) is calculated | required.

이 때, 체적변동률(%)은 (FTexp-FTinit)/FTinit×100으로 정의할 수 있다. 체적이 수축할 때는 음의 수치로 되고, 체적이 증가할 때는 양의 수치로 된다.In this case, the volume change rate (%) may be defined as (FT exp -FT init ) / FT init × 100. When the volume shrinks, it becomes negative, and when the volume increases, it becomes positive.

본 발명에 있어서는, 상기 수지의 체적이 산과의 반응에 의해 일단 변화하면, 그 후의 시간경과에 의해 그 체적은 변동되기 어렵고 안정된다.In this invention, once the volume of the said resin changes by reaction with an acid, the volume is hard to fluctuate and stabilizes with subsequent time.

본 발명의 수지로서는, 알칼리가용성 수지의 알칼리 가용성기의 30∼50몰%를 아세탈기로 보호한 알칼리 불용성 수지인 것이 바람직하다.As resin of this invention, it is preferable that it is alkali-insoluble resin which protected 30-50 mol% of alkali-soluble group of alkali-soluble resin with an acetal group.

알칼리가용성 수지로서는, 예를 들면 노볼락수지, 수소화노볼락수지, 아세톤-피로가롤수지, 폴리히드록시스티렌, 알킬 또는 알콕시치환 폴리히드록시스티렌, 히드록시스티렌-스티렌 공중합체, 히드록시스티렌-N-치환말레이미드 공중합체, 폴리히드록시스티렌의 수산기의 일부 알킬화물 또는 아실화물, 스티렌-무수말레인산 공중합체, 카르복실기함유 메타크릴계 수지, 카르복실기함유 아크릴계 수지 및 그 유도체를 예시할 수 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.Examples of the alkali-soluble resin include novolak resins, hydrogenated novolak resins, acetone-pyrogarol resins, polyhydroxystyrenes, alkyl or alkoxy substituted polyhydroxystyrenes, hydroxystyrene-styrene copolymers, and hydroxystyrene- N-substituted maleimide copolymers, some alkylates or acylates of hydroxyl groups of polyhydroxystyrene, styrene-maleic anhydride copolymers, carboxyl group-containing methacrylic resins, carboxyl group-containing acrylic resins and derivatives thereof can be exemplified. It is not limited to.

이들 중에서 바람직한 알칼리가용성 수지는 폴리히드록시스티렌, 카르복실기함유 메타크릴계 수지, 카르복실기함유 아크릴계 수지이다. 산과의 반응으로 분해되는 기나 결합으로서는 아세탈이 특히 바람직하다.Preferred alkali-soluble resin among these is polyhydroxy styrene, carboxyl group-containing methacryl-type resin, and carboxyl group-containing acrylic resin. Acetal is particularly preferable as a group or a bond decomposed by reaction with an acid.

본 발명에 사용되는 특히 바람직한 수지로서는 식(A), 또는 식(B)로 표시되는 수지가 있다.Especially preferable resin used for this invention is resin represented by Formula (A) or Formula (B).

식(A) 및 (B)에 있어서, BL1및 BL2는 같거나 달라도 좋고, 하기 일반식(I)의 구조로 표시되는 아세탈기를 표시한다.In Formulas (A) and (B), BL 1 and BL 2 may be the same or different and represent an acetal group represented by the structure of the following general formula (I).

L1은 수소원자 또는 산으로 분해되지 않는 기를 표시한다.L 1 represents a group which does not decompose into a hydrogen atom or an acid.

0.1≤a≤0.5, 0.1≤b≤0.5 및 0.0<c≤0.3이다.0.1 ≦ a ≦ 0.5, 0.1 ≦ b ≦ 0.5, and 0.0 <c ≦ 0.3.

식중 R1은 탄소수 1∼4의 알킬기를 표시한다. W는 직쇄, 분기 또는 환상의 탄소수 1∼10까지의 알킬기를 나타낸다. n은 1∼4의 정수를 나타낸다.In the formula, R 1 represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. W represents a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 10 carbon atoms. n represents the integer of 1-4.

상기 식(I)에 있어서, W로서는 직쇄, 분기 혹은 환상의 탄소수 1∼6의 알킬기, n은 1 또는 2인 기가 바람직하다.In said Formula (I), as W, a linear, branched or cyclic C1-C6 alkyl group, and n is 1 or 2 are preferable.

또, 상기 식(I)의 구조로 표시되는 아세탈기로서 특히 바람직하게는 하기의구조로 표시되는 기가 있다.Moreover, as an acetal group represented by the structure of said Formula (I), there exists especially preferably the group represented by the following structure.

L1은 산에서 분해되지 않는 기라면 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 수소원자, 탄소수 1∼6의 직쇄, 분기 혹은 환상의 알킬기, 탄소수 1∼6의 직쇄, 분기 혹은 환상의 알콕시기, 또는 할로겐원자, 니트로기, 아미노기 또는 시아노기의 군에서 선택되는 기이다. 특히 바람직하게는 수소원자, 탄소수 1∼6의 직쇄, 분기 혹은 환상의 알킬기, 탄소수 1∼6의 직쇄, 분기 혹은 환상의 알콕시기이다.L 1 is not particularly limited as long as it is a group that does not decompose in an acid, but is preferably a hydrogen atom, a straight chain, branched or cyclic alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a straight chain, branched or cyclic alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, or halogen A group selected from the group of an atom, a nitro group, an amino group, or a cyano group. Especially preferably, they are a hydrogen atom, a C1-C6 linear, branched or cyclic alkyl group, and a C1-C6 linear, branched or cyclic alkoxy group.

수지의 보호율과 분자량은 수지의 알칼리가용성에 크게 영향받는다. 일반적으로 보호율이 높으면 수지의 알칼리가용성은 낮아지고, 체적변화도 커지게 되기 때문에, 본 발명의 효과를 발휘하는데는 보호율은 가능한 한 높은 쪽이 바람직하다. 구체적으로는 30%이상이 바람직하다.The protection rate and molecular weight of the resin are greatly influenced by alkali solubility of the resin. In general, the higher the protection rate, the lower the alkali solubility of the resin and the larger the volume change. Therefore, the higher the protection rate is, the more preferable it is to achieve the effect of the present invention. Specifically, 30% or more is preferable.

그러나, 보호율이 지나치게 높으면 탈보호시에 발생하는 분해물에 의한 오염이 염려되므로, 보호율로서는 30%이상 50%이하가 보다 바람직하다.However, if the protection rate is too high, contamination by decomposition products generated during deprotection is concerned, and as the protection rate, 30% or more and 50% or less are more preferable.

또, 동일한 보호율이라도 폴리머의 분자량이 높은 쪽이 알칼리가용성은 낮지만, 분자량이 지나치게 높아지면 폴리머의 강성이 높아져서 노광후의 체적변동이작아지고, 조성물의 여과성도 악화되기 때문에 바람직하지 않으므로, 수지의 분자량은 8000이상 600000이하가 바람직하다.Although the higher the molecular weight of the polymer is, the higher the molecular weight of the polymer is, the lower the alkali solubility. However, when the molecular weight is too high, the rigidity of the polymer is increased, the volume variation after exposure is reduced, and the filterability of the composition is also deteriorated. As for molecular weight, 8000 or more and 600000 or less are preferable.

보호율이나 분자량이 적절한 범위 외에서는, 수지의 알칼리가용성이 높아지고, 체적변동도 얻어지지 않게 되므로, 본 발명의 효과를 얻을 수 없게 된다.Outside the appropriate ranges of the protective ratio and the molecular weight, the alkali solubility of the resin is increased and the volume change is not obtained. Therefore, the effect of the present invention cannot be obtained.

중량평균분자량, 분산도는 겔투과 크로마토그래피(폴리스티렌 환산값)로 얻을 수 있다.The weight average molecular weight and the dispersion degree can be obtained by gel permeation chromatography (polystyrene conversion value).

본 발명의 감광성 수지조성물에 있어서, 본 발명에 관한 모든 수지의 조성물 전체의 배합량은, 전체 고형분중 40∼99.99중량%가 바람직하고, 보다 바람직하게는 50∼99.97중량%이다.In the photosensitive resin composition of this invention, 40-99.99 weight% is preferable, and, as for the compounding quantity of the whole composition of all the resin which concerns on this invention in total solid content, More preferably, it is 50-99.97 weight%.

[2] 방사선의 노광에 의해 산을 발생하는 화합물(이하, "광산발생제"라고 함)[2] a compound that generates an acid by exposure to radiation (hereinafter referred to as a "photoacid generator")

본 발명에서 사용되는 광산발생제는 방사선의 조사에 의해 산을 발생하는 화합물이다.The photoacid generator used in the present invention is a compound that generates an acid by irradiation of radiation.

이와 같은 광산발생제로서는, 광양이온중합의 광개시제, 광라디칼중합의 광개시제, 색소류의 광소색제, 광변색제, 또는 마이크로레지스트 등에 사용되고 있는 공지의 광(400∼200㎚의 자외선, 원자외선, 특히 바람직하게는 g선, h선, i선, KrF엑시머레이저광), ArF엑시머레이저광, 전자선, X선, 분자선 또는 이온빔에 의해 산을 발생하는 화합물 및 이들의 혼합물을 적절히 선택하여 사용할 수 있다.Such photoacid generators include photoinitiators of photocationic polymerization, photoinitiators of radical photopolymerization, photochromic agents of pigments, photochromic agents, micro resists, and the like. Preferably, g-rays, h-rays, i-rays, KrF excimer laser light), ArF excimer laser light, electron beams, X-rays, molecular rays or ion beams can be selected and used as appropriate.

또, 기타 본 발명에 사용되는 병용가능한 광산발생제로서는, 예를 들면, 디아조늄염, 암모늄염, 포스포늄염, 요오드늄염, 술포늄염, 셀레노늄염, 아르소늄염 등의 오늄염, 유기할로겐 화합물, 유기금속/유기할로겐화물, o-니트로벤질형 보호기를 보유하는 광산발생제, 이미노술포네이트 등으로 대표되는 광분해하여 술폰산을 발생하는 화합물, 디술폰 화합물, 디아조케토술폰, 디아조디술폰 화합물 등을 예시할 수 있다.In addition, as other photoacid generators used in the present invention, onium salts such as diazonium salts, ammonium salts, phosphonium salts, iodonium salts, sulfonium salts, selenium salts, arsonium salts, and organic halogen compounds, for example. Photo-degraded compounds, such as organometallic / organic halides, photoacid generators having o-nitrobenzyl-type protecting groups, iminosulfonates, sulfonic acid, disulfone compounds, diazoketosulphones, diazodisulfone compounds Etc. can be illustrated.

또, 이들의 광에 의해 산을 발생하는 기, 또는 화합물을 폴리머의 주쇄 또는 측쇄에 도입한 화합물을 사용할 수 있다.Moreover, the compound which introduce | transduced the group or compound which generate | occur | produces an acid by these light in the polymer main chain or side chain can be used.

단, 본 발명의 광산발생제로서, 트리할로알킬 화합물, 디아조늄염 화합물, 올루토퀴논디아지드 화합물은 감도가 낮아 바람직하지 않다.However, as the photoacid generator of the present invention, the trihaloalkyl compound, the diazonium salt compound, and the olutoquinone diazide compound are not preferable because of low sensitivity.

바람직한 광산발생제로서는, 하기 일반식(II)의 구조로 표시되는 술포늄염, 하기 일반식(III)의 구조로 표시되는 요오드늄염 및 하기 일반식(IV)의 구조로 표시되는 술포닐디아조메탄의 군에서 선택되는 화합물 중 적어도 1종을 사용하는 것이 바람직하다.As a preferable photo-acid generator, the sulfonium salt represented by the structure of following General formula (II), the iodonium salt represented by the structure of following General formula (III), and the sulfonyl diazomethane represented by the structure of following General formula (IV) It is preferable to use at least 1 sort (s) of the compound chosen from the group of.

식(II), 식(III)에 있어서, Ra1∼Ra5, Rb1∼Rb5, Rc1∼Rc5, Re1∼Re5및 Rf1∼Rf5는, 각각 단독으로 수소원자, 탄소수 1∼6까지의 직쇄, 분기 혹은 환상의 알킬기, 탄소수 1∼6까지의 직쇄, 분기 혹은 환상의 알콕시기를 나타낸다.Formula (II), in the formula (III), Ra 1 ~Ra 5 , Rb 1 ~Rb 5, Rc 1 ~Rc 5, Re 1 ~Re 5 and Rf 1 ~Rf 5 are each independently a hydrogen atom, The linear, branched or cyclic alkyl group of 1 to 6, and the linear, branched or cyclic alkoxy group of 1 to 6 carbon atoms are shown.

X-는 R3-SO3 -또는 R3-COO-를 표시한다.X - is R 3 -SO 3 - and display - or R 3 -COO.

R3는 탄소수 1∼20까지의 직쇄, 분기 혹은 환상의 알킬기, 탄소수 6∼20의 치환 또는 무치환의 아릴기 또는 탄소수 6∼20의 치환 또는 무치환의 아랄킬기, 탄소수 1∼20까지의 직쇄, 분기 혹은 환상의 퍼풀루오로알킬기, 또는 탄소수 6∼20의 치환 또는 무치환의 퍼풀루오로아릴기를 나타낸다.R 3 is a straight, branched or cyclic alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aralkyl group having 6 to 20 carbon atoms, and a straight chain having 1 to 20 carbon atoms. , A branched or cyclic perfluorouroalkyl group, or a substituted or unsubstituted perfluorofluoroaryl group having 6 to 20 carbon atoms.

식(IV)에 있어서, Rd1및 Rd2는 각각 독립적으로 탄소수 1∼10의 직쇄, 분기 혹은 환상의 알킬기, 탄소수 6∼20의 치환 혹은 무치환의 아릴기, 또는 탄소수 6∼20의 치환 혹은 무치환의 아랄킬기를 나타낸다.In formula (IV), Rd 1 and Rd 2 are each independently a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms, or substituted or substituted with 6 to 20 carbon atoms, or Unsubstituted aralkyl group is shown.

직쇄, 분기 혹은 환상의 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, i-펜틸기, t-펜틸기, n-헥실기, i-헥실기, t-헥실기, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기를 예시할 수 있다.Examples of the linear, branched or cyclic alkyl group include methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, t-butyl group, n-pentyl group, i-pentyl group and t- A pentyl group, n-hexyl group, i-hexyl group, t-hexyl group, cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group can be illustrated.

직쇄, 분기 혹은 환상의 알콕시기로서는, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, i-프로폭시기, n-부톡시기, i-부톡시기, t-부톡시기, n-펜틸옥시기, i-펜틸옥시기, t-펜틸옥시기, n-헥실옥시기, i-헥실옥시기, t-헥실옥시기, 시클로프로필옥시기, 시클로부톡시기, 시클로펜틸옥시기, 시클로헥실옥시기 등을 예시할 수 있다.As a linear, branched or cyclic alkoxy group, a methoxy group, an ethoxy group, n-propoxy group, i-propoxy group, n-butoxy group, i-butoxy group, t-butoxy group, n-pentyloxy group, i Examples of -pentyloxy group, t-pentyloxy group, n-hexyloxy group, i-hexyloxy group, t-hexyloxy group, cyclopropyloxy group, cyclobutoxy group, cyclopentyloxy group, cyclohexyloxy group and the like can do.

아릴기로서는, 페닐기, 나프틸기 등을 열거할 수 있다.As an aryl group, a phenyl group, a naphthyl group, etc. can be mentioned.

아랄킬기로서는, 치환 혹은 무치환의 벤질기, 치환 혹은 무치환의 나프틸메틸기, 치환 혹은 무치환의 프릴기, 치환 혹은 무치환의 티에닐기를 열거할 수 있다.Examples of the aralkyl group include a substituted or unsubstituted benzyl group, a substituted or unsubstituted naphthylmethyl group, a substituted or unsubstituted fryl group, and a substituted or unsubstituted thienyl group.

퍼풀루오로알킬기로서는, 직쇄, 분기 혹은 환상이어도 좋고, 트리풀루오로메틸기, 펜타풀루오로에틸기, n-펩타풀루오로프로필기, i-펩타플루오로프로필기, t-펩타플루오로프로필기, 퍼플루오로시클로헥실기 등이 있다.The perfluorofluoroalkyl group may be linear, branched or cyclic, and may be a trifluoromethyl group, a pentafuluroethyl group, an n-peptafluorofluoro group, an i-peptafluoropropyl group, and a t-peptafluoropropyl group. And a perfluorocyclohexyl group.

퍼풀루오로아릴기로서는, 펜타풀루오로페닐기 등을 열거할 수 있다.As a perfluoro aryl group, a pentafluoro phenyl group etc. can be mentioned.

이들 치환기로서는, 수산기, 할로겐원자, 탄소수 1∼4의 알킬기, 탄소수 1∼4의 알콕시기, 퍼풀루오로알킬기 등이 있다.These substituents include a hydroxyl group, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, a perfuluroalkyl group and the like.

광산발생제의 구체예로서는 이하의 것이 열거되지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.Although the following are mentioned as a specific example of a photo-acid generator, It is not limited to these.

광산발생제는, 1종 단독으로 혹은 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 바람직한 첨가량은 조성물의 용제를 제외한 고형분에 대하여 1∼20중량%, 바람직하게는 1∼10중량%이다.Photo-acid generators can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types. Preferable addition amount is 1-20 weight% with respect to solid content except the solvent of a composition, Preferably it is 1-10 weight%.

[3] 노광에 의해 발생한 산과의 반응에 의해 400㎚이상의 파장영역의 분광특성이 변화하는 색소[3] pigments whose spectral characteristics change over a wavelength range of 400 nm or more due to reaction with acids generated during exposure

노광에 의해 발생한 산과의 반응에 의해 400㎚이상의 파장영역의 분광특성이 변화하는 색소로서는 염기성 염료, 유용성 염료, 산성 염료 등의 여러 가지의 것을 사용할 수 있다.Various dyes, such as basic dye, oil-soluble dye, and acid dye, can be used as a pigment | dye which the spectral characteristic of 400 nm or more wavelength range changes by reaction with the acid which generate | occur | produced by exposure.

본 발명에 있어서는, 상기 색소의 분광특성이 산과의 반응에 의해 일단 변화하면, 그 후의 시간경과에 의해 그 분광특성은 변동하기 어렵고 안정하다.In the present invention, once the spectral characteristic of the dye is changed by the reaction with acid, the spectral characteristic is difficult to change due to the subsequent time and is stable.

분광특성이라는 것은, 시판되고 있는 분광광도계나 분광엘립소미터로 측정되는 물리물성값의 것이다. 보다 구체적으로는 투과율, 흡광계수, 소광계수, 굴절률, 반사율 등을 나타낸다.Spectroscopic characteristics are the physical-property values measured with a commercially available spectrophotometer and a spectroscopic ellipsometer. More specifically, the transmittance, extinction coefficient, extinction coefficient, refractive index, reflectance, and the like are shown.

바람직한 색소로서는, 펜타메톡시레드, 에틸바이오렛, 메틸바이올렛, 크리스탈바이올렛, p-메틸레드, p-아미노아조벤젠, 4-페닐아족시페닐아민, 오일옐로GE, 오일그린3G 등이 있다.Preferred pigments include pentamethoxy red, ethyl violet, methyl violet, crystal violet, p-methyl red, p-aminoazobenzene, 4-phenylaxiphenylamine, oil yellow GE, oil green 3G, and the like.

특히 바람직한 색소는 하기 일반식(I)로 표시되는 화합물이다.Especially preferable pigment | dye is a compound represented by the following general formula (I).

식(I)에 있어서, R11∼R15, R21∼R25, R31∼R35는 서로 같거나 달라도 좋고, 수소원자, 탄소수 1∼6의 알킬기, 탄소수 1∼6의 알콕시기, 카르복실기, 할로겐원자, 니트로기, 수산기, 치환 또는 무치환의 탄소수 1∼6의 카르보닐기, 치환 또는 무치환의 아미노기, 치환 또는 무치환의 탄소수 6∼12의 아릴기, 치환 또는 무치환의 탄소수 6∼12의 아릴옥시기를 표시한다.In formula (I), R <11> -R <15> , R <21> -R <25> , R <31> -R <35> may mutually be same or different, A hydrogen atom, a C1-C6 alkyl group, a C1-C6 alkoxy group, carboxyl group , Halogen atom, nitro group, hydroxyl group, substituted or unsubstituted carbonyl group of 1 to 6 carbon atoms, substituted or unsubstituted amino group, substituted or unsubstituted aryl group of 6 to 12 carbon atoms, substituted or unsubstituted C6 to 12 carbon atoms An aryloxy group is shown.

또, R11∼R15중 2개가 결합하여 고리를 형성하여도 좋다. R21∼R25중 2개가 결합하여 고리를 형성하여도 좋다. R31∼R35중 2개가 결합하여 고리를 형성하여도 좋다. 고리를 형성하는 경우, 산소원자, 유황원자, 질소원자를 포함하여 고리를 형성하여도 된다.In addition, two of R 11 to R 15 may be bonded to each other to form a ring. Two of R 21 to R 25 may be bonded to each other to form a ring. Two of R 31 to R 35 may be bonded to each other to form a ring. When forming a ring, you may form a ring including an oxygen atom, a sulfur atom, and a nitrogen atom.

단, R11, R15, R21, R25, R31, R35중 1개는 탄소수 1∼6의 알콕시기, 카르복실기, 할로겐원자, 니트로기, 수산기, 치환 또는 무치환의 탄소수 1∼6의 카르보닐기, 치환 또는 무치환의 아미노기, 치환 또는 무치환의 탄소수 6∼12의 아릴기, 치환 또는 무치환의 탄소수 6∼12의 아릴옥시기이다.Provided that one of R 11 , R 15 , R 21 , R 25 , R 31 and R 35 is a C 1-6 alkoxy group, carboxyl group, halogen atom, nitro group, hydroxyl group, substituted or unsubstituted C 1-6 Carbonyl group, substituted or unsubstituted amino group, substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 12 carbon atoms, and substituted or unsubstituted aryloxy group having 6 to 12 carbon atoms.

또한, 각 치환기는 아미드결합을 통하여 결합하여도 좋다.Each substituent may be bonded via an amide bond.

알킬기로서는, 직쇄, 분기 혹은 환상이어도 좋고, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, i-펜틸기, t-펜틸기, n-헥실기, i-헥실기, t-헥실기, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기를 예시할 수 있다.The alkyl group may be linear, branched or cyclic, and may be methyl, ethyl, n-propyl, i-propyl, n-butyl, i-butyl, t-butyl, n-pentyl, i-pentyl, t-pentyl group, n-hexyl group, i-hexyl group, t-hexyl group, cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group can be illustrated.

알콕시기로서는, 직쇄, 분기 혹은 환상이어도 좋고, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, i-프로폭시기, n-부톡시기, i-부톡시기, t-부톡시기, n-펜틸옥시기, i-펜틸옥시기, t-펜틸옥시기, n-헥실옥시기, i-헥실옥시기, t-헥실옥시기, 시클로프로필옥시기, 시클로부톡시기, 시클로펜틸옥시기, 시클로헥실옥시기 등을 예시할 수 있다.As an alkoxy group, linear, branched, or cyclic may be sufficient, and a methoxy group, an ethoxy group, n-propoxy group, i-propoxy group, n-butoxy group, i-butoxy group, t-butoxy group, n-pentyloxy group i-pentyloxy group, t-pentyloxy group, n-hexyloxy group, i-hexyloxy group, t-hexyloxy group, cyclopropyloxy group, cyclobutoxy group, cyclopentyloxy group, cyclohexyloxy group, etc. Can be illustrated.

탄소수 1∼6의 카르보닐기로서는, 메틸카르보닐기, 에틸카르보닐기, n-프로필카르보닐기, i-프로필카르보닐기, n-부틸카르보닐기, i-부틸카르보닐기, t-부틸카르보닐기, 펜틸카르보닐기, 헥실카르보닐기 등을 열거할 수 있다.Examples of the carbonyl group having 1 to 6 carbon atoms include methylcarbonyl group, ethylcarbonyl group, n-propylcarbonyl group, i-propylcarbonyl group, n-butylcarbonyl group, i-butylcarbonyl group, t-butylcarbonyl group, pentylcarbonyl group, hexylcarbonyl group and the like. .

아릴기로서는, 페닐기, 나프틸기 등을 열거할 수 있다.As an aryl group, a phenyl group, a naphthyl group, etc. can be mentioned.

아릴옥시기로서는, 페녹시기, 나프틸옥시기 등을 열거할 수 있다.Examples of the aryloxy group include phenoxy group, naphthyloxy group, and the like.

R11∼R15중 2개, R21∼R25중 2개, R31∼R35중 2개가 결합하여 형성되는 고리로서는, 3원환에서 7원환이 바람직하고, 질소, 유황, 산소원자를 포함하는 헤테로환을 예시할 수 있다.As a ring formed by combining two of R 11 to R 15 , two of R 21 to R 25 , and two of R 31 to R 35 , a three-membered ring is preferably a seven-membered ring, and includes nitrogen, sulfur, and oxygen atoms. The heterocyclic to be mentioned can be illustrated.

이들 치환기로서는, 수산기, 할로겐원자, 탄소수 1∼4의 알킬기, 탄소수1∼4의 알콕시기 등을 예시할 수 있다.As these substituents, a hydroxyl group, a halogen atom, a C1-C4 alkyl group, a C1-C4 alkoxy group, etc. can be illustrated.

또, 상기 일반식(I)로 표시되는 화합물 중에서 바람직한 것으로서는 이하의 것이 열거된다.Moreover, the following are mentioned as a preferable thing among the compound represented by the said General formula (I).

일반적으로 색소는 나트륨, 칼륨, 철 등의 금속을 수십ppm이상 함유하는 것이 많기 때문에, 메탈저감처리를 행하여 금속함유율이 1ppm이하인 것을 이용하는 것이 바람직하다. 메탈저감처리방법으로서는, 일반적으로 잘 알려진 이온교환수지에 의한 처리나 재결정법 등을 이용할 수 있다.In general, since the pigments often contain several tens of ppm or more of metals such as sodium, potassium, iron, etc., it is preferable to perform a metal reduction treatment and use a metal having a metal content of 1 ppm or less. As the metal reduction treatment method, generally known treatment with an ion exchange resin, recrystallization method, or the like can be used.

색소의 첨가량은 고형분에 대하여 1중량%∼20중량%이고, 바람직하게는 1중량%∼15중량%이다.The addition amount of a pigment is 1 weight%-20 weight% with respect to solid content, Preferably it is 1 weight%-15 weight%.

[4] 염기성 화합물[4] basic compounds

본 발명에 이용되는 색소는, 산농도에 민감하기 때문에 노광에 의해 형성한 화상은 불안정하지만, 염기성 화합물을 첨가함으로써 형성한 화상을 안정화하는 것이 가능하다. 또한, 용제의 산성도만으로 분광특성이 변화하여 버리는 일도 있으므로 염기성 화합물을 첨가하는 것은 매우 유효하다.Since the pigment | dye used for this invention is sensitive to acid concentration, the image formed by exposure is unstable, but it is possible to stabilize the image formed by adding a basic compound. In addition, since the spectral characteristics may change only by the acidity of the solvent, it is very effective to add a basic compound.

이용될 수 있는 염기성 화합물로서는 유기염기성 화합물이나 수산화 암모늄염을 예시할 수 있지만, 유기염기성 화합물이 특히 바람직하다.As a basic compound which can be used, although an organic basic compound and ammonium hydroxide salt can be illustrated, an organic basic compound is especially preferable.

본 발명에서 이용할 수 있는 바람직하는 유기염기성 화합물은, 페놀보다도 염기성이 강한 화합물이다. 그중에서도 질소함유 염기성 화합물이 바람직하다. 유기염기성 화합물을 첨가함으로써 시간경과에서의 감도변동이 개량된다.Preferable organic basic compounds which can be used in the present invention are compounds which are more basic than phenol. Among them, nitrogen-containing basic compounds are preferable. By adding the organic basic compound, the sensitivity change over time is improved.

이와 같은 유기염기성 화합물로서는 하기에 나타내는 구조를 보유하는 것이 열거된다.As such an organic basic compound, what has a structure shown below is mentioned.

여기에서, R250, R251및 R252은 각각 독립적으로, 수소원자, 탄소수 1∼6의 알킬기, 탄소수 1∼6의 아미노알킬기, 탄소수 1∼6의 히드록시알킬기 또는 탄소수 6∼20의 치환 또는 비치환의 아릴기이고, 여기서 R251과 R252는 서로 결합하여 고리를 형성하여도 좋다.Where R250, R251And R252Are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an aminoalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a hydroxyalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms, wherein R251And R252May combine with each other to form a ring.

(식중, R253, R254, R255및 R256은 각각 독립적으로, 탄소수 1∼6의 알킬기를 나타낸다.)(Wherein, R 253 , R 254 , R 255, and R 256 each independently represent an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.)

더욱 바람직한 화합물은, 한분자중에 다른 화학적 환경의 질소원자를 2개 이상 보유하는 질소함유 염기성 화합물이고, 특히 바람직하게는 치환 또는 미치환의아미노기와 질소원자를 함유하는 환구조의 양쪽을 포함하는 화합물 또는 알킬아미노기를 보유하는 화합물이다. 바람직한 구체예로서는, 치환 또는 미치환의 구아니딘, 치환 또는 미치환의 아미노피리딘, 치환 또는 미치환의 아미노알킬피리딘, 치환 또는 미치환의 아미노피롤리딘, 치환 또는 미치환의 인다졸, 치환 또는 미치환의 피라졸, 치환 또는 미치환의 피라진, 치환 또는 미치환의 피리미딘, 치환 또는 미치환의 푸린, 치환 또는 미치환의 이미다졸린, 치환 또는 미치환의 피라졸린, 치환 또는 미치환의 피페라진, 치환 또는 미치환의 아미노몰포린, 치환 또는 미치환의 아미노알킬몰포린 등이 있다. 바람직한 치환기는, 아미노기, 아미노알킬기, 알킬아미노기, 아미노아릴기, 아릴아미노기, 알킬기, 알콕시기, 아실기, 아실옥시기, 아릴기, 아릴옥시기, 니트로기, 히드록시기 및 시아노기이다.Further preferred compounds are nitrogen-containing basic compounds having at least two nitrogen atoms of different chemical environments in one molecule, particularly preferably compounds containing both substituted or unsubstituted amino groups and ring structures containing nitrogen atoms or A compound having an alkylamino group. Preferred embodiments include substituted or unsubstituted guanidine, substituted or unsubstituted aminopyridine, substituted or unsubstituted aminoalkylpyridine, substituted or unsubstituted aminopyrrolidine, substituted or unsubstituted indazole, substituted or unsubstituted Pyrazole, substituted or unsubstituted pyrazine, substituted or unsubstituted pyrimidine, substituted or unsubstituted purine, substituted or unsubstituted imidazoline, substituted or unsubstituted pyrazoline, substituted or unsubstituted piperazine , Substituted or unsubstituted aminomorpholine, substituted or unsubstituted aminoalkylmorpholine, and the like. Preferred substituents are amino group, aminoalkyl group, alkylamino group, aminoaryl group, arylamino group, alkyl group, alkoxy group, acyl group, acyloxy group, aryl group, aryloxy group, nitro group, hydroxy group and cyano group.

질소함유 염기성 화합물의 바람직한 구체예로서, 구아니딘, 1,1-디메틸구아니딘, 1,1,3,3-테트라메틸구아니딘, 2-아미노피리딘, 3-아미노피리딘, 4-아미노피리딘, 2-디메틸아미노피리딘, 4-디메틸아미노피리딘, 2-디에틸아미노피리딘, 2-(아미노메틸)피리딘, 2-아미노-3-메틸피리딘, 2-아미노-4-메틸피리딘, 2-아미노-5-메틸피리딘, 2-아미노-6-메틸피리딘, 3-아미노에틸피리딘, 4-아미노에틸피리딘, 3-아미노피롤리딘, 피페라진, N-(2-아미노에틸)피페라진, N-(2-아미노에틸)피페리딘, 4-아미노-2,2,6,6-테트라메틸피페리딘, 4-피페리디노피페리딘, 2-이미노피페리딘, 1-(2-아미노에틸)-피롤리딘, 피라졸, 3-아미노-5-메틸피라졸, 5-아미노-3-메틸-1-p-톨릴피라졸, 피라진, 2-(아미노메틸)-5-메틸피라진, 피리미딘, 2,4-디아미노피리미딘, 4,6-디히드록시피리미딘, 2-피라졸린, 3-피라졸린, N-아미노몰포린, N-(2-아미노에틸)몰포린, 1,5-디아자비시클로[4.3.0]노나-5-엔, 1,8-디아자비시클로[5.4.0]운데카-7-엔, 1,4-디아자비시클로[2.2.2]옥탄, 2,4,5-트리페닐이미다졸, N-메틸몰포린, N-에틸몰포린, N-히드록시에틸몰포린, N-벤질몰포린, 시클로헥실몰포리노에틸티오우레아(CHMETU) 등의 제3급몰포린 유도체, 일본 특허공개 평11-52575호 공보에 기재된 간섭아민류(예를 들면 상기 공보[0005]에 기재된 것) 등이 있지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.As a preferred embodiment of the nitrogen-containing basic compound, guanidine, 1,1-dimethylguanidine, 1,1,3,3-tetramethylguanidine, 2-aminopyridine, 3-aminopyridine, 4-aminopyridine, 2-dimethylamino Pyridine, 4-dimethylaminopyridine, 2-diethylaminopyridine, 2- (aminomethyl) pyridine, 2-amino-3-methylpyridine, 2-amino-4-methylpyridine, 2-amino-5-methylpyridine, 2-amino-6-methylpyridine, 3-aminoethylpyridine, 4-aminoethylpyridine, 3-aminopyrrolidine, piperazine, N- (2-aminoethyl) piperazine, N- (2-aminoethyl) Piperidine, 4-amino-2,2,6,6-tetramethylpiperidine, 4-piperidinopiperidine, 2-iminopiperidine, 1- (2-aminoethyl) -pyrrolidine , Pyrazole, 3-amino-5-methylpyrazole, 5-amino-3-methyl-1-p-tolylpyrazole, pyrazine, 2- (aminomethyl) -5-methylpyrazine, pyrimidine, 2,4 -Diaminopyrimidine, 4,6-dihydroxypyrimidine, 2-pyrazoline, 3-pyra Lean, N-aminomorpholine, N- (2-aminoethyl) morpholine, 1,5-diazabicyclo [4.3.0] nona-5-ene, 1,8-diazabicyclo [5.4.0] ound Car-7-ene, 1,4-diazabicyclo [2.2.2] octane, 2,4,5-triphenylimidazole, N-methylmorpholine, N-ethylmorpholine, N-hydroxyethylmol Tertiary morpholine derivatives such as porin, N-benzyl morpholine, cyclohexyl morpholinoethylthiourea (CHMETU), and interference amines described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-52575 (for example, described in the above publication) But is not limited to these.

특히 바람직한 구체예로서는, 1,5-디아자비시클로[4.3.0]노나-5-엔, 1,8-디아자비시클로[5.4.0]운데카-7-엔, 1,4-디아자비시클로[2.2.2]옥탄, 4-디메틸아미노피리딘, 헥사메틸렌테트라민, 4,4-디메틸이미다졸린, 피롤류, 피라졸류, 이미다졸류, 피리다진류, 피리미딘류, CHMETU 등의 3급몰포린류, 비스(1,2,2,6,6-펜타메틸-4-피페리딜)세바게이트 등의 간섭아민류, N,N-디시클로헥실메틸아민 등을 예시할 수 있다.As a particularly preferred embodiment, 1,5-diazabicyclo [4.3.0] nona-5-ene, 1,8-diazabicyclo [5.4.0] undec-7-ene, 1,4-diazabicyclo [ 2.2.2] tertiary morpholines such as octane, 4-dimethylaminopyridine, hexamethylenetetramine, 4,4-dimethylimidazoline, pyrroles, pyrazoles, imidazoles, pyridazines, pyrimidines and CHMETU And interference amines such as bis (1,2,2,6,6-pentamethyl-4-piperidyl) sevagate, N, N-dicyclohexylmethylamine, and the like.

그중에서도, 1,5-디아자비시클로[4.3.0]노나-5-엔, 1,8-디아자비시클로[5.4.0]운데카-7-엔, 1,4-디아자비시클로[2.2.2]옥탄, 4-디메틸아미노피리딘, 헥사메틸렌테트라민, CHMETU, 비스(1,2,2,6,6-펜타메틸-4-피페리딜)세바게이트, N,N-디시클로헥실메틸아민이 바람직하다.Among them, 1,5-diazabicyclo [4.3.0] nona-5-ene, 1,8-diazabicyclo [5.4.0] undeca-7-ene, 1,4-diazabicyclo [2.2.2 ] Octane, 4-dimethylaminopyridine, hexamethylenetetramine, CHMETU, bis (1,2,2,6,6-pentamethyl-4-piperidyl) sevagate, N, N-dicyclohexylmethylamine desirable.

이들 유기염기성 화합물은, 단독 혹은 2종 이상 조합하여 사용된다. 유기염기성 화합물의 사용량은 감광성 수지조성물의 전체 조성물 고형분에 대하여 통상 5중량%이하가 바람직하다.These organic basic compounds are used individually or in combination of 2 or more types. As for the usage-amount of an organic basic compound, 5 weight% or less is preferable normally with respect to the total composition solid content of the photosensitive resin composition.

[5] 산성화합물[5] acidic compounds

본 발명의 감광성 수지조성물에는, 감도를 조절하기 위하여 노광에 의한 화상형성을 저해하지 않는 범위에서 산성화합물을 추가하는 것도 가능하다. 첨가할 수 있는 산성화합물로서는 유기카르복실산이나 유기술폰산을 들 수 있지만, 유기카르복실산이 특히 바람직하다.It is also possible to add an acidic compound to the photosensitive resin composition of this invention in the range which does not inhibit the image formation by exposure, in order to adjust a sensitivity. Examples of the acidic compound that can be added include organic carboxylic acids and organic technical acids, but organic carboxylic acids are particularly preferred.

유기카르복실산으로서는, 포화 또는 불포화 지방족 카르복실산, 지환식 카르복실산, 옥시카르복실산, 알콕시카르복실산, 케토카르복실산, 방향족 카르복실산 등 어느것도 사용할 수 있고, 특별히 한정되는 것은 아니다.As the organic carboxylic acid, any of saturated or unsaturated aliphatic carboxylic acid, alicyclic carboxylic acid, oxycarboxylic acid, alkoxy carboxylic acid, ketocarboxylic acid, aromatic carboxylic acid, and the like can be used. no.

예를 들면, 포름산, 초산, 프로피온산, 낙산, 이소낙산, 옥살산, 말론산, 숙신산, 글루탈산, 아지핀산 등의 1가 혹은 다가지방족 카르복실산, 1,1-시클로헥산디카르복실산, 1,2-시클로헥산디카르복실산, 1,3-시클로헥산디카르복실산, 1,4-시클로헥산디카르복실산, 1,1-시클로헥실디낙산 등의 지환식 카르복실산, 아크릴산, 크로톤산, 이소크로톤산, 3-부텐산, 메타크릴산, 4-펜텐산, 프로피올산, 2-부틴산, 말레인산, 푸말산, 아세틸렌카르복실산 등의 불포화 지방족 카르복실산, 옥시초산 등의 옥시카르복실산, 메톡시초산, 에톡시초산 등의 알콕시카르복실산, 피루빈산 등의 케토카르복실산이나 일반식(V) 및 일반식(VI)로 표시되는 방향족 카르복실산 등을 열거할 수 있다.For example, monovalent or polyaliphatic carboxylic acids, 1,1-cyclohexanedicarboxylic acid, 1, such as formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, isobutyric acid, oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid and azipine acid Alicyclic carboxylic acids, such as 2-cyclohexanedicarboxylic acid, 1,3-cyclohexanedicarboxylic acid, 1,4-cyclohexanedicarboxylic acid, and 1,1-cyclohexyl dibutane, acrylic acid, Unsaturated aliphatic carboxylic acids such as crotonic acid, isocrotonic acid, 3-butenoic acid, methacrylic acid, 4-pentenoic acid, propiolic acid, 2-butynic acid, maleic acid, fumaric acid, acetylenecarboxylic acid, and oxyacetic acid Examples thereof include alkoxycarboxylic acids such as oxycarboxylic acid, methoxy acetic acid and ethoxy acetic acid, ketocarboxylic acids such as pyruvic acid, and aromatic carboxylic acids represented by general formula (V) and general formula (VI). can do.

식(V)중, R13및 R14는 각각 독립하여 수소원자, 수산기, 니트로기, 카르복실기, 또는 비닐기를 나타낸다(단, R13및 R14가 모두 수소원자의 경우는 제외한다).In formula (V), R <13> and R <14> represents a hydrogen atom, a hydroxyl group, a nitro group, a carboxyl group, or a vinyl group each independently, except that R <13> and R <14> are all hydrogen atoms.

식(VI)중, n은 0 또는 1∼10의 정수를 나타낸다.In formula (VI), n represents 0 or the integer of 1-10.

특히 지환식 카르복실산, 불포화 지방족 카르복실산 및 방향족 카르복실산이 바람직하게 사용된다.Especially alicyclic carboxylic acid, unsaturated aliphatic carboxylic acid, and aromatic carboxylic acid are used preferably.

상기 일반식(V)로 표시되는 방향족 카르복실산으로서는, 예를 들면 p-히드록시안식향산, o-히드록시안식향산, 2-히드록시-3-니트로안식향산, 3,5-디니트로안식향산, 2-니트로안식향산, 2,4-디히드록시안식향산, 2,5-디히드록시안식향산, 2,6-디히드록시안식향산, 3,4-디히드록시안식향산, 3,5-디히드록시안식향산, 2-비닐안식향산, 4-비닐안식향산, 프탈산, 텔레프탈산, 이소프탈산 등을 열거할 수 있고, 특히 o-위에 치환기를 보유하는 안식향산, 예를 들면 o-히드록시안식향산, o-니트로안식향산, 프탈산 등이 바람직하다.As an aromatic carboxylic acid represented by the said general formula (V), p-hydroxy benzoic acid, o-hydroxy benzoic acid, 2-hydroxy-3- nitro benzoic acid, 3, 5- dinitro benzoic acid, 2- Nitro benzoic acid, 2,4-dihydroxy benzoic acid, 2,5-dihydroxy benzoic acid, 2,6-dihydroxy benzoic acid, 3,4-dihydroxy benzoic acid, 3,5-dihydroxy benzoic acid, 2- Vinyl benzoic acid, 4-vinyl benzoic acid, phthalic acid, telephthalic acid, isophthalic acid and the like, and especially benzoic acid having a substituent on o-, such as o-hydroxy benzoic acid, o-nitro benzoic acid, phthalic acid, etc. are preferable. Do.

또, 일반식(VI)로 표시되는 방향족 카르복실산 화합물로서는, 식중의 n이 단일한 것만, 또는 이종의 것을 조합시켜도 사용할 수 있지만, 실용적으로는 페놀화합물로서 시판되고 있는 SAX(상품명, 미츠이도아츠 카가쿠사 제품)가 바람직하게 사용된다.In addition, as the aromatic carboxylic acid compound represented by the general formula (VI), although n in the formula may be used singly or in combination of heterogeneous ones, SAX (trade name, Mitsuiido) is commercially available as a phenol compound. Atsuka Chemical Co., Ltd.) is used preferably.

어떤 유기카르복실산도, 1종 단독으로 혹은 2종 이상을 조합시켜 사용할 수 있다. 바람직한 첨가량은 조성물의 용제를 제외하고 고형분에 대하여 5중량% 이하가 바람직하다.Any organic carboxylic acid can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types. As for the preferable addition amount, 5 weight% or less is preferable with respect to solid content except the solvent of a composition.

[6] 불소계 및/또는 실리콘계 계면활성제[6] fluorine and / or silicone surfactants

본 발명의 감광성 수지조성물에는, 바람직하게는 불소계 및/또는 실리콘계 계면활성제를 함유한다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains a fluorine-based and / or silicone-based surfactant.

본 발명의 감광성 수지조성물에는 불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제 및 불소원자와 실리콘원자의 양쪽을 함유하는 계면활성제의 어느 하나, 또는 2종 이상을 함유하는 것이 바람직하다.The photosensitive resin composition of the present invention preferably contains any one or two or more of a fluorine-based surfactant, a silicone-based surfactant, and a surfactant containing both a fluorine atom and a silicon atom.

본 발명의 감광성 수지조성물이 상기 산분해성 수지와 상기 계면활성제를 함유함으로써 소밀의존성이 개량된다.When the photosensitive resin composition of this invention contains the said acid-decomposable resin and the said surfactant, roughness dependency is improved.

이들 계면활성제로서, 예를 들면 일본 특허공개 소62-36663호, 동 61-226746호, 동 61-226745호, 동 62-170950호, 동 63-34540호, 특허공개 평7-230165호, 동 8-62834호, 동 9-54432호, 동 9-5988호, 미국특허 5,405,720호, 동 5,360,692호, 동 5,529,881호, 동 5,296,330호, 동 5,436,098호, 동 5,576,143호, 동 5,294,511호 및 동 5,824,451호에 기재된 계면활성제를 열거할 수 있고, 하기 시판되는 계면활성제를 그대로 사용할 수도 있다.As these surfactant, For example, Unexamined-Japanese-Patent No. 62-36663, 61-226746, 61-226745, 62-170950, 63-34540, JP 7-230165, A 8-62834, 9-54432, 9-9988, U.S. Patent 5,405,720, 5,360,692, 5,529,881, 5,296,330, 5,436,098, 5,576,143, 5,294,511 and 5,824,451 The surfactant described can be enumerated, and the following commercially available surfactant can also be used as it is.

사용될 수 있는 시판되는 계면활성제로서, 예를 들면, Eftop EF301 및EF303(신아키타카세이(주) 제품), Florad FC430, FC431(수미모토 3M(주) 제품), Megafac F171, F173, F176, F189 및 R08(다이니폰 잉크(주) 제품), Surflon S-382, SC101, 102, 103, 104, 105 및 106(아사히 글래스(주) 제품), 트로이졸 S-366(트로이 케미컬(주) 제품) 등의 불소계 계면활성제 또는 실리콘계 계면활성제를 들 수 있다. 또 폴리실록산 중합체 KP-341(신에쓰카가쿠고교(주) 제품)도 실리콘계 계면활성제로서 사용할 수 있다.As commercially available surfactants that can be used, for example, Eftop EF301 and EF303 (manufactured by Shin-Akita Kasei Co., Ltd.), Florad FC430, FC431 (manufactured by Sumitomoto 3M Co., Ltd.), Megafac F171, F173, F176, F189 and R08 (manufactured by Dainippon Ink Co., Ltd.), Surflon S-382, SC101, 102, 103, 104, 105, and 106 (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), Troisol S-366 (manufactured by Troy Chemical Co., Ltd.), etc. And fluorine-based surfactants or silicone-based surfactants. Moreover, polysiloxane polymer KP-341 (made by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) can also be used as a silicone type surfactant.

계면활성제의 배합량은, 본 발명의 조성물중의 고형분을 기준으로 하여 통상 0.001중량%∼2중량%, 바람직하게는 0.01중량%∼1중량%이다. 이들 계면활성제는 단독으로 첨가하여도 좋고, 또 몇개의 조합으로 첨가하는 것도 가능하다.The compounding quantity of surfactant is 0.001 to 2 weight% normally based on solid content in the composition of this invention, Preferably it is 0.01 to 1 weight%. These surfactants may be added alone, or may be added in any combination.

상기 외에 사용할 수 있는 계면활성제로서는, 구체적으로는 폴리옥시에틸렌 라우릴에테르, 폴리옥시에틸렌 스테아릴에테르, 폴리옥시에틸렌 세틸에테르, 폴리옥시에틸렌 올레일에테르 등의 폴리옥시에틸렌 알킬에테르류, 폴리옥시에틸렌 옥틸페놀에테르, 폴리옥시에틸렌 노닐페놀에테르 등의 폴리옥시에틸렌 알킬알릴에테르류, 폴리옥시에틸렌ㆍ폴리옥시프로필렌 블록 공중합체류, 소르비탄 모노라우레이트, 소르비탄 모노팔미테이트, 소르비탄 모노스테아레이트, 소르비탄 모노올레에이트, 소르비탄 트리올레에이트, 소르비탄 트리스테아레이트 등의 소르비탄 지방산 에스테르류, 폴리옥시에틸렌 소르비탄 모노라우레이트, 폴리옥시에틸렌 소르비탄 모노팔미테이트, 폴리옥시에틸렌 소르비탄 모노스테아레이트, 폴리옥시에틸렌 소르비탄 트리올레에이트, 폴리옥시에틸렌 소르비탄 트리스테아레이트 등의 폴리옥시에틸렌 소르비탄 지방산 에스테르류 등의 비이온계 계면활성제 등을 들 수 있다.As surfactants which can be used other than the above, specifically, polyoxyethylene alkyl ethers, such as polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene cetyl ether, polyoxyethylene oleyl ether, and polyoxyethylene Polyoxyethylene alkylallyl ethers such as octyl phenol ether and polyoxyethylene nonyl phenol ether, polyoxyethylene polyoxypropylene block copolymers, sorbitan monolaurate, sorbitan monopalmitate, sorbitan monostearate, sorb Sorbitan fatty acid esters such as non-molecular monooleate, sorbitan trioleate, sorbitan tristearate, polyoxyethylene sorbitan monolaurate, polyoxyethylene sorbitan monopalmitate, polyoxyethylene sorbitan monostearate Polyoxyethylene sorbitan tree Les oleate, polyoxyethylene, and the like sorbitan tristearate, etc., polyoxyethylene sorbitan fatty acid non-ionic surfactants such as esters.

이들의 다른 계면활성제의 배합량은, 본 발명의 조성물중의 고형분 100중량부당 통상, 2중량부 이하, 바람직하게는 1중량부 이하이다.The compounding quantity of these other surfactant is 2 weight part or less normally per 100 weight part of solid content in the composition of this invention, Preferably it is 1 weight part or less.

[7] 용제[7] solvents

본 발명의 감광성 수지조성물은, 도포용제로서 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 등의 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 유산메틸, 유산에틸 등의 유산알킬에스테르류, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르 등의 프로필렌글리콜모노알킬에테르류, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르 등의 에틸렌글리콜모노알킬에테르류, 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 등의 에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 2-헵타논, γ-부틸로락톤, 메톡시프로피온산메틸, 에톡시프로피온산에틸 등의 알콕시프로피온산알킬류, 피루빈산메틸, 피루빈산에틸 등의 피루빈산알킬에스테르류, N-메틸피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, 디메틸술폭시드 등에서 선택되는 적어도 1종의 용제를 사용하여 도포된다.The photosensitive resin composition of this invention is propylene glycol monoalkyl ether acetates, such as propylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monoethyl ether acetate, lactic acid alkyl esters, such as methyl lactate and ethyl lactate, and propylene glycol monomethyl as a coating solvent. Propylene glycol monoalkyl ethers such as ether and propylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monoalkyl ethers such as ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, and the like. Pyruvic acids such as ethylene glycol monoalkyl ether acetates, alkyl alkoxypropionates such as 2-heptanone, γ-butylolactone, methyl methoxy propionate and ethyl ethoxypropionate, methyl pyruvate and ethyl pyruvate Alkyl esters, N-methylpyrroli , Is applied using N, N- dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, at least one kind of solvent selected from the seed.

바람직하게는, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 유산메틸, 유산에틸이 열거된다.Preferably, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, methyl lactate, and ethyl lactate are mentioned.

이들 용제는 단독 혹은 혼합하여 사용되지만, 소재의 용해성이 높은 용제, 예컨대 프로필렌글리콜모노알킬에테르류, 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 유산알킬에스테르류를 1종이상 추가혼합하여 사용하는 것이 특히 바람직하다.추가하는 용제의 비율은 소재의 용해성과 도포성에 영향을 주지않는 범위에서 자유롭게 변경할 수 있다.Although these solvents are used individually or in mixture, it is particularly preferable to add one or more kinds of solvents having high solubility of materials such as propylene glycol monoalkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ether acetates and lactic acid alkyl esters. The proportion of solvent to be added can be changed freely without affecting the solubility and applicability of the material.

본 발명에 있어서, 상기 각 성분을 포함하는 감광성 수지조성물의 고형분을, 상기 혼합용제에 고형분 농도로서 5∼40중량% 용해하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 5∼30중량%이다.In this invention, it is preferable to melt | dissolve 5-40 weight% of solid content of the photosensitive resin composition containing each said component as solid content concentration in the said mixed solvent, More preferably, it is 5-30 weight%.

[8] 기타 첨가제[8] other additives

본 발명의 감광성 수지조성물에는, 필요에 따라서 염료, 가소제, 광증감제, 산분해성 용해저지화합물 및 현상액에 대한 용해성을 촉진시키는 화합물 등을 함유시킬 수 있다.The photosensitive resin composition of this invention can contain a dye, a plasticizer, a photosensitizer, an acid-decomposable dissolution inhibiting compound, the compound which accelerates the solubility to a developing solution, etc. as needed.

본 발명의 이와 같은 감광성 수지조성물은 기판상에 도포되어 박막을 형성한다. 이도막의 막두께는 0.1∼10㎛, 바람직하게는 0.5∼5㎛가 바람직하다.Such a photosensitive resin composition of the present invention is applied onto a substrate to form a thin film. The film thickness of the island coat is preferably 0.1 to 10 µm, preferably 0.5 to 5 µm.

본 발명에 있어서, 1000㎚막두께의 감광성 수지조성물 미노광부의 400㎚∼800㎚ 파장영역의 광에 대한 투과율의 최소값이 85%이상이고, 감광성 수지조성물 노광부의 400㎚∼800㎚ 파장영역의 광에 대한 투과율의 최소값이 75%이하인 것이 바람직하다.In this invention, the minimum value of the transmittance | permeability with respect to the light of 400 nm-800 nm wavelength region of the photosensitive resin composition unexposed part of 1000 nm film thickness is 85% or more, and the light of 400 nm-800 nm wavelength region of the photosensitive resin composition exposure part. It is preferable that the minimum value of the transmittance | permeability with respect to 75% or less.

본 발명에 있어서는, 필요에 따라 시판되는 무기 혹은 유기반사방지막을 사용할 수 있다.In the present invention, a commercially available inorganic or organic antireflection film can be used if necessary.

반사방지막으로서는, 티탄, 이산화티탄, 질화티탄, 산화크롬, 카본, α-실리콘, SiON, 텅스텐Si, 폴리실리콘 등의 무기막형 및 흡광제와 폴리머 재료로 이루어지는 유기막형이 사용될 수 있다. 전자는 막형성에 진공증착장치, CVD장치, 스패터링장치 등의 설비를 필요로 한다. 유기반사방지막으로서는, 예를 들면 일본 특허공고 평7-69611호 기재의 디페닐아민 유도체와 포름알데히드변성 멜라민수지의 축합체, 알칼리가용성 수지, 흡광제로 이루어지는 것이나, 미국특허 5294680호 기재의 무수말레인산 공중합체와 디아민형 흡광제의 반응물, 일본 특허공개 평6-118631호 기재의 수지바인더와 메티롤멜라민계 열가교제를 함유하는 것, 일본 특허공개 평6-118656호 기재의 카르복실산기와 에폭시기와 흡광기를 동일 분자내에 보유하는 아크릴수지형 반사방지막, 일본 특허공개 평8-87115호 기재의 메티롤멜라민과 벤조페논계 흡광제로 이루어지는 것, 일본 특허공개 평8-179509호 기재의 폴리비닐알콜수지에 저분자 흡광제를 첨가한 것 등이 있다.As the antireflection film, an inorganic film type such as titanium, titanium dioxide, titanium nitride, chromium oxide, carbon, α-silicon, SiON, tungsten Si, polysilicon, or an organic film type made of a light absorber and a polymer material can be used. The former requires equipment such as a vacuum deposition apparatus, a CVD apparatus, a sputtering apparatus, etc. to form the film. As the organic antireflection film, for example, a condensation product of a diphenylamine derivative described in Japanese Patent Publication No. Hei 7-69611 and a formaldehyde-modified melamine resin, an alkali-soluble resin, a light absorber, or a maleic anhydride disclosed in US Pat. A reactant of a copolymer with a diamine light absorber, containing a resin binder as described in Japanese Patent Application Laid-open No. Hei 6-118631 and a methirolmelamine-based thermal crosslinking agent; An acrylic resin type antireflection film having a group in the same molecule, consisting of methirolmelamine and a benzophenone light absorber described in Japanese Patent Application Laid-open No. Hei 8-87115, low molecular weight in a polyvinyl alcohol resin described in Japanese Patent Application Laid-open No. Hei 8-179509 And a light absorber is added.

또, 유기반사방지막으로서, 브류워사이언스사 제품의 DUV-30 시리즈나, DUV-40 시리즈, 시프레사 제품의 AC-2, AC-3 등을 사용할 수도 있다.As the organic antireflection film, DUV-30 series manufactured by Brewers Science, DUV-40 series, AC-2, AC-3 manufactured by Shippress, etc. may be used.

상기 레지스트액을 정밀집적회로소자의 제조에 사용되는 기판(예: 실리콘 또는 실리콘/이산화실리콘 피복)상에(필요에 따라 상기 반사방지막을 설치한 기판상에), 스피너, 코터 등의 적당한 도포방법에 의해 도포한 후, 소정의 마스크를 통하여 노광하고, 베이크를 행하여 현상함으로써 양호한 레지스트패턴을 얻을 수 있다.Appropriate coating method such as spinner, coater, etc. on the substrate (e.g. silicon or silicon / silicon dioxide coating) used for the manufacture of the precision integrated circuit device (on the substrate on which the anti-reflection film is provided, if necessary) After the coating is carried out, a good resist pattern can be obtained by exposing through a predetermined mask, baking and developing.

여기서 노광광으로서는, 바람직하게는 150㎚∼250㎚ 파장의 광이다. 규체적으로는, KrF엑시머레이저(248㎚), ArF엑시머레이저(193㎚), F2엑시머레이저(157㎚), X선, 전자빔 등이 있다.The exposure light is preferably light having a wavelength of 150 nm to 250 nm. Typical examples include KrF excimer laser (248 nm), ArF excimer laser (193 nm), F 2 excimer laser (157 nm), X-rays, electron beams, and the like.

또한 사용목적의 관점에서, 본 발명의 조성물은 현상하지 않고 노광만으로노광부와 비노광부를 식별할 수 있는 안정된 화상을 형성하는 것을 필수조건으로 하고 있다.In addition, in view of the purpose of use, the composition of the present invention makes it essential to form a stable image which can distinguish the exposed portion and the non-exposed portion only by exposure without developing.

또, 감도가 우수하고, 얻어진 화상이 안정되기 때문에, 본 발명의 조성물은 노광장치의 얼라인먼트 계측에 사용할 수 있고, 시스템오차를 고정밀도로 검출할 수 있다.Moreover, since the sensitivity is excellent and the obtained image is stabilized, the composition of the present invention can be used for alignment measurement of the exposure apparatus, and the system error can be detected with high accuracy.

(실시예)(Example)

이하, 본 발명을 실시예에 의해서 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, although an Example demonstrates this invention further more concretely, this invention is not limited to a following example.

(실시예 1 및 비교예 1)(Example 1 and Comparative Example 1)

VP-8000(니폰소다 제품, 폴리히드록시스티렌수지) 수산기의 40%를 에톡시에틸에테르기로 치환한 수지 30중량부, 트리페닐술포늄트리플레이트 1.5중량부, 펜타메톡시레드 1중량부, 트로이졸 S-366(트로이케미칼사 제품) 0.15중량부를 1-메톡시-2-프로판올 120중량부에 용해하였다.30 parts by weight of a resin obtained by substituting 40% of the hydroxyl group of VP-8000 (manufactured by Nippon Soda, polyhydroxystyrene resin) with ethoxyethyl ether, 1.5 parts by weight of triphenylsulfonium triflate, 1 part by weight of pentamethoxy red, and Troy 0.15 weight part of sol S-366 (made by Troy Chemical Co., Ltd.) was dissolved in 120 weight part of 1-methoxy-2-propanol.

이 용액을 0.1㎛의 테프론필터로 정밀여과하여 감광성 수지조성물 A(실시예 1)를 조제하였다. 한편, 수지만을 VP-8000으로 한 용액을 마찬가지로 정밀여과하여 조제하여 감광성 수지조성물 X(비교예 1)로 하였다.This solution was filtrated with a 0.1 micron Teflon filter to prepare Photosensitive Resin Composition A (Example 1). On the other hand, the solution using only the resin VP-8000 was similarly fine filtered to prepare a photosensitive resin composition X (Comparative Example 1).

이 감광성 수지조성물을 스핀코터로 각각 실리콘웨이퍼에 도포한 후, 90℃ 핫플레이트상에서 90초간 가열하여 막두께 약 2.5㎛의 감광성 수지조성물 도포막을 형성하였다. 이것을 케논사 제품 KrF엑시머레이저스테퍼(NA=0.63)로 노광하였다.Each of the photosensitive resin compositions was applied to a silicon wafer with a spin coater, and then heated on a 90 ° C. hot plate for 90 seconds to form a photosensitive resin composition coating film having a film thickness of about 2.5 μm. This was exposed with a KrF excimer laser stepper (NA = 0.63) manufactured by Kennon Corporation.

감광성 수지조성물 A는 2mJ/㎠이상에서 노광부와 미노광부의 구별이 눈으로확인되고, 매우 고감도인 것이 확인되었다.In the photosensitive resin composition A, the distinction between an exposed part and an unexposed part was visually confirmed at 2 mJ / cm 2 or more, and it was confirmed that it was very highly sensitive.

30mJ/㎠에서의 10㎛패턴의 선폭의 화상을 CCD카메라에 의해 50회 적산하여 넣어서 디지탈화상을 작성하고, 그 선폭을 32점 측정하여 그 표준편차의 3배를 3σA로 하였다. 또, 마찬가지로 레이저회절에 의한 측정법으로 노광에 의해 형성한 10㎛패턴의 선폭을 10회 계측하여 그 표준편차의 3배를 3σB로 하였다.A digital image was created by integrating an image having a line width of 10 μm pattern at 30 mJ / cm 2 by a CCD camera 50 times to produce a digital image. The line width was measured by 32 points, and 3 times the standard deviation was 3σ A. Similarly, the line width of the 10 μm pattern formed by exposure was measured 10 times by a laser diffraction measurement method, and three times the standard deviation was 3σ B.

감광성 수지조성물 A의 3σA와 3σB는 모두 4㎚이고, 감광성 수지조성물 X의 3σA와 3σB는 모두 15㎚이었다.3σ and A and B are both 4㎚ 3σ of the photosensitive resin composition A, and the 3σ A photosensitive resin composition X 3σ B was all 15㎚.

또, 화상의 안정성 평가를 위하여, 노광후 24시간 후에 3σA와 3σB를 재계측하고, 각각을 3σA24와 3σB24로 하였다. 감광성 수지조성물 A의 3σA24는 6㎚이고 3σB24는 3㎚이며, 감광성 수지조성물 X의 3σA24와 3σB24는 모두 20㎚이었다.In addition, for the evaluation of the stability of the image, 3 sigma A and 3 sigma B were re-measured 24 hours after exposure, and 3 sigma A24 and 3 sigma B24 , respectively. 3σ A24 of the photosensitive resin composition A was 6 nm, 3σ B24 was 3 nm, and both 3σ A24 and 3σ B24 of the photosensitive resin composition X were 20 nm.

또, 체적변동률은 하기와 같이 평가하였다.In addition, the volume variation rate was evaluated as follows.

[체적변동률의 평가방법][Evaluation Method of Volume Variation Rate]

본 발명의 감광성 수지조성물을 스핀코터로 각각 실리콘웨이퍼에 도포한 후, 90℃ 핫플레이트상에서 90초간 가열하여 감광성 수지조성물의 막을 형성한다.The photosensitive resin composition of the present invention is applied to each silicon wafer by a spin coater, and then heated for 90 seconds on a 90 ° C. hot plate to form a film of the photosensitive resin composition.

이것에 케논사 제품 KrF엑시머레이저스테퍼를 사용하여 노광량을 0mJ/㎠에서 140mJ/㎠까지 2mJ/㎠스텝으로 변경하면서 노광을 1㎠정도의 면적에서 행하여 각 노광량에 대한 막두께를 측정하였다.Using the KrF excimer laser stepper manufactured by Kennon Co., Ltd., the exposure was changed from 0 mJ / cm 2 to 140 mJ / cm 2 in 2 mJ / cm 2 steps, and the exposure was performed in an area of about 1 cm 2 to measure the film thickness for each exposure amount.

그 값을 도 1에 나타낸 바와 같은 그래프로 작성하고,(FTexp-FTinit)/FTinit×100에 의해 구한 값을 체적변동률로 하였다.The value was created with the graph shown in FIG. 1, and the value calculated | required by (FT exp -FT init ) / FT init x100 was made into the volume variation rate.

(실시예 2∼6, 비교예 2∼4)(Examples 2-6, Comparative Examples 2-4)

표 1에 나타낸 감광성 수지조성물을 조제하고, 실시예 1과 같은 평가를 행하여 결과를 표 2에 나타내었다.The photosensitive resin composition shown in Table 1 was prepared, the same evaluation as Example 1 was performed, and the result was shown in Table 2.

또, 사용한 수지, 광산발생제, 색소, 기타 첨가제 및 용제를 이하에 나타낸다.Moreover, used resin, a photo-acid generator, a pigment | dye, other additives, and a solvent are shown below.

Poly-1 : VP-8000(니폰소다 제품, 폴리히드록시스티렌수지)의 수산기의 40%를 에톡시에틸에테르기로 치환한 수지Poly-1: Resin which substituted 40% of hydroxyl groups of VP-8000 (made by Nippon Soda, polyhydroxy styrene resin) with the ethoxy ethyl ether group

Poly-2 : VP-8000(니폰소다 제품, 폴리히드록시스티렌수지)의 수산기의 35%를 i-부톡시에틸에테르기로 치환한 수지Poly-2: Resin which substituted 35% of hydroxyl groups of VP-8000 (made by Nippon Soda, polyhydroxy styrene resin) with i-butoxyethyl ether group

Poly-3 : VP-15000(니폰소다 제품, 폴리히드록시스티렌수지)의 수산기의 30%를 t-부톡시에틸에테르기로 치환한 수지Poly-3: Resin which substituted 30% of hydroxyl groups of VP-15000 (made by Nippon Soda, polyhydroxy styrene resin) with t-butoxyethyl ether group

Poly-4 : VP-8000(니폰소다 제품, 폴리히드록시스티렌수지)의 수산기의 5%를 에톡시에틸에테르기로 치환한 수지Poly-4: Resin which substituted 5% of hydroxyl groups of VP-8000 (made by Nippon Soda, polyhydroxy styrene resin) with an ethoxy ethyl ether group

PMMA : 폴리(메틸메타크릴레이트)PMMA: Poly (methyl methacrylate)

PAG-1 : 트리페닐술포늄트리플레이트PAG-1: Triphenylsulfonium Triplate

PAG-2 : 비스(시클로헥실술포닐)디아조메탄PAG-2: Bis (cyclohexylsulfonyl) diazomethane

PAG-3 : 디페닐요오드늄트리플레이트PAG-3: Diphenyl Iodide Triplate

Dye-1 : 펜타메톡시레드Dye-1: pentamethoxy red

Dye-2 : 1,3,3,-트리메틸인돌리노-6'-니트로벤조피리로스피란(스피로피란)Dye-2: 1,3,3, -trimethylindolino-6'-nitrobenzopyros pyran (spiropyran)

ADD-1 : 디시클로헥실메틸아민ADD-1: dicyclohexylmethylamine

ADD-2 : 살리틸산ADD-2: Salicylic Acid

S-1 : 트로이졸 S-366(트로이케미칼사 제품)S-1: Troisol S-366 (product of Troy Chemical Company)

PGME : 1-메톡시-2-프로판올PGME: 1-methoxy-2-propanol

MEK : 메틸에틸케톤MEK: methyl ethyl ketone

표 2의 결과로부터 본 발명의 조성물은 감도가 우수하고, 또 노광으로 형성된 패턴을 레이저회절광에 의해 계측하는 경우의 계측재현성이 우수한 것을 알 수 있다.The result of Table 2 shows that the composition of this invention is excellent in the sensitivity, and excellent in the measurement reproducibility at the time of measuring the pattern formed by exposure by laser diffraction light.

본 발명에 의해, 방사선의 노광만으로 노광부와 비노광부의 식별이 가능한 화상이 형성되는 감광성 조성물로서, 감도가 높고, 노광장치의 얼라인먼트 계측에 필요충분한 안정된 노광가시화성을 부여한 감광성 수지조성물을 제공할 수 있다.According to the present invention, there is provided a photosensitive resin composition having a high sensitivity and providing stable exposure visibility necessary for alignment measurement of an exposure apparatus, as a photosensitive composition in which an image capable of identifying an exposed portion and a non-exposed portion is formed only by exposure to radiation. Can be.

Claims (5)

방사선의 노광만으로 마스크패턴을 감광성 수지조성물막 위에 전사하고, 상기 전사패턴상의 결상상태를 검출함으로써, 마스크패턴을 감광성 수지조성물막 위에 전사할 때의 노광장치의 시스템오차를 검출하기 위한 감광성 수지조성물로서,As a photosensitive resin composition for detecting the system error of the exposure apparatus when the mask pattern is transferred onto the photosensitive resin composition film by transferring the mask pattern onto the photosensitive resin composition film only by the exposure of radiation and detecting the imaging state on the transfer pattern. , A) 방사선의 노광에 의해 산을 발생하는 화합물과A) a compound that generates an acid by exposure to radiation and B) 상기 A)로부터 발생한 산과의 반응에 의해 체적이 변화하는 수지를 함유하는 것을 특징으로 하는 노광장치의 시스템오차 검출용 감광성 수지조성물.B) The photosensitive resin composition for system error detection of the exposure apparatus containing resin which changes in volume by reaction with the acid generated from said A). 제1항에 있어서, 노광에 의해 발생된 산과의 반응에 의해 400㎚이상의 파장영역의 분광특성이 변화하는 색소를 더 함유하는 것을 특징으로 하는 노광장치의 시스템오차 검출용 감광성 수지조성물.The photosensitive resin composition for detecting a system error of an exposure apparatus according to claim 1, further comprising a dye in which the spectral characteristics of the wavelength region of 400 nm or more change due to a reaction with an acid generated by exposure. 제2항에 있어서, 상기 색소가 하기 일반식(I)의 구조로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 노광장치의 시스템오차 검출용 감광성 수지조성물.The photosensitive resin composition for detecting a system error of an exposure apparatus according to claim 2, wherein said dye is a compound represented by the structure of the following general formula (I). (식(I)에 있어서, R11∼R15, R21∼R25, R31∼R35는 서로 같거나 달라도 좋고, 수소원자, 탄소수 1∼6의 알킬기, 탄소수 1∼6의 알콕시기, 카르복실기, 할로겐원자, 니트로기, 수산기, 치환 또는 무치환의 탄소수 1∼6의 카르보닐기, 치환 또는 무치환의 아미노기, 치환 또는 무치환의 탄소수 6∼12의 아릴기, 치환 또는 무치환의 탄소수 6∼12의 아릴옥시기를 표시한다.(In formula (I), R <11> -R <15> , R <21> -R <25> , R <31> -R <35> may mutually be same or different, A hydrogen atom, a C1-C6 alkyl group, a C1-C6 alkoxy group, Carboxyl group, halogen atom, nitro group, hydroxyl group, substituted or unsubstituted carbonyl group of 1 to 6 carbon atoms, substituted or unsubstituted amino group, substituted or unsubstituted aryl group of 6 to 12 carbon atoms, substituted or unsubstituted C6 to C6 The aryloxy group of 12 is shown. 또, R11∼R15중 2개가 결합하여 고리를 형성하여도 좋다. R21∼R25중 2개가 결합하여 고리를 형성하여도 좋다. R31∼R35중 2개가 결합하여 고리를 형성하여도 좋다. 고리를 형성하는 경우, 산소원자, 유황원자, 질소원자를 포함하여 고리를 형성하여도 된다.In addition, two of R 11 to R 15 may be bonded to each other to form a ring. Two of R 21 to R 25 may be bonded to each other to form a ring. Two of R 31 to R 35 may be bonded to each other to form a ring. When forming a ring, you may form a ring including an oxygen atom, a sulfur atom, and a nitrogen atom. 단, R11, R15, R21, R25, R31, R35중 1개는 탄소수 1∼6의 알콕시기, 카르복실기, 할로겐원자, 니트로기, 수산기, 치환 또는 무치환의 탄소수 1∼6의 카르보닐기, 치환 또는 무치환의 아미노기, 치환 또는 무치환의 탄소수 6∼12의 아릴기, 치환 또는 무치환의 탄소수 6∼12의 아릴옥시기이다.Provided that one of R 11 , R 15 , R 21 , R 25 , R 31 and R 35 is a C 1-6 alkoxy group, carboxyl group, halogen atom, nitro group, hydroxyl group, substituted or unsubstituted C 1-6 Carbonyl group, substituted or unsubstituted amino group, substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 12 carbon atoms, and substituted or unsubstituted aryloxy group having 6 to 12 carbon atoms. 또한, 각 치환기는 아미드결합을 통하여 결합하여도 좋다.)Each substituent may be bonded via an amide bond.) 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 B)의 수지가 알칼리가용성 수지의 알칼리가용성기 30몰%이상을 아세탈기로 보호한 알칼리 불용성 수지인 것을 특징으로 하는 노광장치의 시스템오차 검출용 감광성 수지조성물.The system error detection according to any one of claims 1 to 3, wherein the resin of B) is an alkali insoluble resin which protects 30 mol% or more of the alkali-soluble group of the alkali-soluble resin with an acetal group. Photosensitive resin composition for use. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 1000㎚ 막두께의 감광성 조성물 미노광부의 400㎚∼800㎚ 파장영역의 광에 대한 투과율의 최소값이 85%이상이고, 감광성 수지조성물 노광부의 400㎚∼800㎚ 파장영역의 광에 대한 투과율의 최소값이 75%이하인 것을 특징으로 하는 노광장치의 시스템오차 검출용 감광성 수지조성물.The minimum value of the transmittance | permeability with respect to the light of the 400 nm-800 nm wavelength range of the photosensitive composition unexposed part of 1000 nm film thickness is 85% or more, The 400 of the photosensitive resin composition exposed part of any one of Claims 1-4. A photosensitive resin composition for detecting a system error of an exposure apparatus, wherein the minimum value of the transmittance with respect to light in the wavelength range of nm to 800 nm is 75% or less.
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