KR20020064415A - Semiconductor package - Google Patents

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KR20020064415A
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이상국
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Abstract

PURPOSE: A semiconductor package is provided to overcome a stack limit of semiconductor chips by forming electrode pads on both surface of the semiconductor chip. CONSTITUTION: A semiconductor package(100) comprises a semiconductor chip(10) mounted on a PCB(Printed Circuit Board)(20), a resin molding part(40) enclosed on the resultant structure for protecting the semiconductor chip(10) and the PCB(20) and solder balls(50) as an outer connection terminal formed on the rear surface of the PCB(20) for electrically connecting with the semiconductor chip(10). The semiconductor chip(10) further includes the first active surface(12) formed with first electrode pads(14) and the second active surface(16) formed with second electrode pads(18).

Description

반도체 패키지{Semiconductor package}Semiconductor Package {Semiconductor package}

본 발명은 반도체 패키지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 양면에 전극 패드가 형성된 반도체 칩이 실장된 반도체 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor package, and more particularly, to a semiconductor package in which a semiconductor chip having electrode pads formed on both surfaces thereof is mounted.

일반적인 반도체 웨이퍼(semiconductor wafer)는 평면이기 때문에, 한 평면내에 반도체 소자의 집적도를 향상시키는 데 한계가 있다. 또한 집적도를 향상시키는 데도 많은 설비투자가 필요한 실정이다. 따라서, 현재 반도체 패키지의 고집적화를 위하여 많은 회사들 및 학계에서 고밀도 3차원 칩, 3차원 패키지의 적층 방법을 연구하고 있다. 즉, 반도체 웨이퍼를 개별 반도체 소자로 절삭한 이후에 집적도를 높이는 방법을 연구하고 있다.Since a typical semiconductor wafer is a plane, there is a limit to improving the integration degree of a semiconductor device in one plane. In addition, a lot of facility investment is required to improve the density. Therefore, many companies and academia are investigating stacking method of high density 3D chip and 3D package for high integration of semiconductor package. That is, a method of increasing the degree of integration after cutting a semiconductor wafer into individual semiconductor devices is being studied.

복수개의 단위 패키지를 3차원으로 적층하여 제조된 3차원 적층 패키지는 고집적화를 이룰 수 있는 반면에, 두께가 두꺼워 반도체 제품의 경박단소화에 대한 대응성이 떨어지는 문제점을 안고 있다.The three-dimensional stacked package manufactured by stacking a plurality of unit packages in three dimensions may achieve high integration, but has a problem in that the thickness thereof is inferior to light and thin shortening of a semiconductor product.

복수개의 반도체 칩을 3차원으로 적층하여 제조된 3차원 적층 칩 패키지는 고집적화를 이룰 수 있는 동시에 반도체 제품의 경박단소화에 대한 대응성도 뛰어나다.The three-dimensional stacked chip package manufactured by stacking a plurality of semiconductor chips in three dimensions can achieve high integration and has excellent responsiveness to light and thin reduction of semiconductor products.

하지만, 적층 칩 패키지는 다음과 같은 문제점을 안고 있다. 먼저, 복수의 반도체 칩을 적층 접속하는 형태에서는 적층 가능한 반도체 칩 형상이나 수에 제한이 있고, 같은 크기의 반도체 칩을 적층하면 적층되는 반도체 칩의 전극 패드가 감춰지기 때문에 사용할 수 없다는 문제점을 가지고 있다. 다음으로, 적층하는 모든 반도체 칩을 각각 다른 크기로 해야하기 때문에, 최대 적층수가 3 또는 4층으로 제한된다는 문제점도 가지고 있다. 다음으로, 적층된 반도체 칩과 외부접속단자 사이의 전기적 연결 수단으로 사용되는 본딩 와이어가 층이 올라갈수록 길어지기 때문에, 성형 공정에서 와이어 스위핑이나, 본딩 와이어들 사이의 기계적인 접촉과 같은 문제점이 발생될 수 있다. 특히, 성형수지를 사용하는 박형 패키지의 경우한정된 공간에 복수의 반도체 칩을 적층해야 함으로 성형 공정에서의 품질 불량 및 작업성 저하라는 문제점을 가지고 있으며, 또한 다기능화를 강조한 적층 칩 패키지는 와이어 길이가 길어지면서 속도 저하라는 문제와 고속화 기능을 강조한 패키지는 다기능화가 어려운 단점을 가지고 있다.However, multilayer chip packages have the following problems. First, in the form of stacking and connecting a plurality of semiconductor chips, there is a limitation in the shape and number of stackable semiconductor chips, and if the same size semiconductor chips are stacked, electrode pads of stacked semiconductor chips are hidden and cannot be used. . Next, since all semiconductor chips to be stacked must be different in size, there is also a problem in that the maximum stacking number is limited to three or four layers. Next, since the bonding wire used as the electrical connection means between the stacked semiconductor chip and the external connection terminal becomes longer as the layer increases, problems such as wire sweeping or mechanical contact between the bonding wires occur in the forming process. Can be. In particular, in the case of a thin package using a molding resin, a plurality of semiconductor chips must be stacked in a limited space, which causes problems such as poor quality and poor workability in the molding process. As it grows longer, the package that emphasizes the problem of speed and speeding up has a disadvantage in that it is difficult to be multifunctional.

따라서, 본 발명의 목적은 반도체 칩의 적층 한계를 극복하고, 다기능화 및 고속화가 가능한 반도체 패키지를 제공하는 데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a semiconductor package capable of overcoming stacking limitations of semiconductor chips and enabling multi-functionality and high speed.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 양면에 전극 패드가 형성된 반도체 칩이 실장된 반도체 패키지를 보여주는 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor package in which semiconductor chips having electrode pads formed on both surfaces thereof are mounted, according to an exemplary embodiment of the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 설명 *Description of the main parts of the drawing

10 : 반도체 칩 12 : 제 1 활성면10 semiconductor chip 12 first active surface

13 : 범프 14 : 제 1 전극 패드13: bump 14: first electrode pad

16 : 제 2 활성면 18 : 제 2 전극 패드16: 2nd active surface 18: 2nd electrode pad

20 : 기판 22 : 기판 몸체20: substrate 22: substrate body

24 : 배선 패턴층 30 : 본딩 와이어24: wiring pattern layer 30: bonding wire

40 : 수지 봉합부 50 : 솔더볼40: resin sealing portion 50: solder ball

100 : 반도체 패키지100: semiconductor package

상기 목적을 달성하기 위하여, 제 1 전극 패드들이 형성된 제 1 활성면과, 제 1 활성면에 반대되며 제 2 전극 패드들이 형성된 제 2 활성면을 갖는 반도체 칩으로, 상기 제 1 전극 패드에 각기 도전성 범프가 형성된 반도체 칩과; 상기 도전성 범프에 의해 상기 반도체 칩이 범프 접속되는 상부면과, 상기 상부면에 반대되는 하부면을 갖는 기판과; 상기 반도체 칩의 제 2 전극 패드들과 상기 기판의 상부면을 전기적으로 연결하는 본딩 와이어와; 상기 기판 상부면의 반도체 칩과 본딩 와이어를 성형수지로 봉합하여 형성한 수지 봉합부; 및 상기 기판의 하부면에 형성되며, 상기 반도체 칩과 전기적으로 연결되는 솔더볼;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지를 제공한다.In order to achieve the above object, a semiconductor chip having a first active surface on which first electrode pads are formed and a second active surface opposite to the first active surface and on which second electrode pads are formed, each of which is conductive to the first electrode pad. A semiconductor chip having bumps formed thereon; A substrate having an upper surface on which the semiconductor chip is bump-connected by the conductive bumps and a lower surface opposite to the upper surface; Bonding wires electrically connecting the second electrode pads of the semiconductor chip to an upper surface of the substrate; A resin encapsulation portion formed by sealing a semiconductor chip and a bonding wire of the upper surface of the substrate with a molding resin; And a solder ball formed on a lower surface of the substrate and electrically connected to the semiconductor chip.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail an embodiment of the present invention.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 양면에 전극 패드(14, 18)가 형성된 반도체칩(10)이 실장된 반도체 패키지(100)를 보여주는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 반도체 패키지(100)는 인쇄회로기판(20)에 반도체 칩(10)이 실장되고, 반도체 칩(10)이 실장된 인쇄회로기판(20)의 상부면이 수지봉합부(40)에 의해 보호되고, 인쇄회로기판(20)의 하부면에 반도체 칩(10)과 전기적으로 연결되는 외부접속단자인 솔더볼(50; solder ball)이 형성된 구조를 갖는다.1 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor package 100 in which a semiconductor chip 10 having electrode pads 14 and 18 formed on both surfaces thereof according to an exemplary embodiment of the present invention is mounted. Referring to FIG. 1, the semiconductor package 100 includes a semiconductor chip 10 mounted on a printed circuit board 20, and an upper surface of the printed circuit board 20 on which the semiconductor chip 10 is mounted is a resin encapsulation unit ( 40, a solder ball 50, which is an external connection terminal electrically connected to the semiconductor chip 10, is formed on the lower surface of the printed circuit board 20.

반도체 칩(10)은 종래의 문제점으로 대두된 적층의 한계, 고속화 및 다기능화에 대응할 수 있도록, 양면(12, 16)에 전극 패드(14, 18)가 형성되어 있다. 즉, 반도체 칩(10)은 제 1 전극 패드들(14)이 형성된 제 1 활성면(12)과, 제 1 활성면(12)에 반대되며 제 2 전극 패드들(18)이 형성된 제 2 활성면(16)을 가지며, 제 1 활성면(12)에 형성된 제 1 전극 패드들(14)이 인쇄회로기판(20)의 상부면에 플립 칩 본딩될 수 있도록 제 1 전극 패드들(14)에 각기 소정의 높이로 도전성 범프(13)가 형성되어 있다. 본 실시예에 따른 도전성 범프(13)는 솔더 범프(solder bump)지만, 금도금 범프(Au plating bump) 또는 지주 범프(stud bump)를 형성하여도 무방하다. 특히, 반도체 칩의 양면(12, 16)에 집적회로를 형성하기 때문에, 다기능화 및 고속화에 대응이 가능하다.In the semiconductor chip 10, electrode pads 14 and 18 are formed on both surfaces 12 and 16 so that the semiconductor chip 10 can cope with the limitations, the speed, and the multifunctionality of the lamination. That is, the semiconductor chip 10 may include a first active surface 12 on which first electrode pads 14 are formed, and a second active surface opposite to the first active surface 12 and on which second electrode pads 18 are formed. The first electrode pads 14 having a surface 16 and formed on the first active surface 12 may be flip chip bonded to the upper surface of the printed circuit board 20. Conductive bumps 13 are formed at predetermined heights, respectively. The conductive bump 13 according to the present embodiment is a solder bump, but may be formed of an Au plating bump or a stud bump. In particular, since integrated circuits are formed on both surfaces 12 and 16 of the semiconductor chip, it is possible to cope with multifunctionality and high speed.

인쇄회로기판(20)은 상부면과 하부면을 갖는 기판 몸체(22)와, 기판 몸체(22)에 형성된 다층의 배선 패턴층(24)으로 구성된다. 배선 패턴층(24)은 기판 몸체(22)의 상부면에 실장되는 반도체 칩(10)과 전기적으로 접속되는 기판 패드(21)를 포함하는 상부 배선층과, 기판 몸체(22)의 하부면에 형성되며 솔더볼(50)이 융착되는 솔더볼 패드(25) 및 기판 몸체(22)의 내부에 형성되며 기판패드(21)와 솔더볼 패드(25)를 연결하는 내부 배선층(23)으로 이루어지며, 배선 패턴층(24)은 기판 몸체(22)에 형성된 구리 박막(copper foil)을 패터닝하여 형성한다. 상부 배선층의 기판 패드(21)는 반도체 칩의 도전성 범프(13)가 플립 칩 본딩되는 제 1 기판 패드(21a)와, 플립 칩 본딩된 반도체 칩(10)의 외측에 형성되며 제 2 전극 패드(18)와 본딩 와이어(30)로 연결되는 제 2 기판 패드(21b)로 구성된다. 그리고, 도시되지는 않았지만, 솔더볼(50)이 부착될 솔더볼 패드(25)와, 기판 패드(21)를 제외한 인쇄회로기판(20)의 전면에 솔더 레지스트층(solder resist layer)이 형성되어 있다.The printed circuit board 20 includes a substrate body 22 having an upper surface and a lower surface, and a multilayer wiring pattern layer 24 formed on the substrate body 22. The wiring pattern layer 24 is formed on the upper wiring layer including the substrate pad 21 electrically connected to the semiconductor chip 10 mounted on the upper surface of the substrate body 22, and on the lower surface of the substrate body 22. And formed inside the solder ball pad 25 and the substrate body 22 to which the solder balls 50 are fused, and the inner wiring layer 23 connecting the substrate pad 21 and the solder ball pad 25 to each other. 24 is formed by patterning a copper foil formed on the substrate body 22. The substrate pad 21 of the upper wiring layer is formed outside the first chip pad 21a to which the conductive bumps 13 of the semiconductor chip are flip chip bonded and the flip chip bonded semiconductor chip 10, and the second electrode pad ( 18 and a second substrate pad 21b connected to the bonding wire 30. Although not shown, a solder resist layer 25 is formed on the entire surface of the printed circuit board 20 except for the solder ball pad 25 and the substrate pad 21 to which the solder ball 50 is attached.

본 발명의 실시예에서는 제 2 전극 패드(18)와 제 2 기판 패드(21b)는 본딩 와이어(30)에 의해 전기적 접속을 이루는데, 본딩 와이어(30)의 길이를 최소화하기 위해서, 제 2 전극 패드(18)는 제 2 활성면(16)의 가장자리 부분에 형성하는 것이 바람직하다. 그리고, 도전성 범프(13)가 인쇄회로기판(20)에 플립 칩 본딩된 이후에 어느 한쪽으로 기우는 것을 방지하기 위해서, 제 1 전극 패드(14)는 제 1 활성면(12)의 중심 부분보다는 가장자리 부분에 형성하는 것이 바람직하다. 한편, 반도체 칩이 실장되는 기판으로서 어느 기판을 사용하느냐에 따라서 제 1 및 제 2 전극 패드는 제 1 및 제 2 활성면의 중심 부분 또는 가장자리 부분에 형성하는 변형은, 본 발명의 기술적 사상의 범위를 벗어나는 것은 아니다.In the embodiment of the present invention, the second electrode pad 18 and the second substrate pad 21b make electrical connection by the bonding wire 30. In order to minimize the length of the bonding wire 30, the second electrode The pad 18 is preferably formed at the edge of the second active surface 16. In order to prevent the conductive bumps 13 from tilting to either side after being flip chip bonded to the printed circuit board 20, the first electrode pad 14 may be formed rather than the center portion of the first active surface 12. It is preferable to form in the edge part. On the other hand, depending on which substrate is used as the substrate on which the semiconductor chip is mounted, the deformations of the first and second electrode pads formed at the center portion or the edge portion of the first and second active surfaces are not limited to the scope of the technical idea of the present invention. It doesn't go away.

그리고, 수지 봉합부(40)는 인쇄회로기판(20) 상부면에 실장된 반도체 칩(10)과 본딩 와이어(30)를 외부의 환경으로부터 보호하기 위해서, 에폭시 몰딩 컴파운드(Epoxy Molding Compound; EMC)와 같은 액상의 성형수지로 봉합하여 형성한다.In addition, the resin encapsulation part 40 may use an epoxy molding compound (EMC) to protect the semiconductor chip 10 and the bonding wire 30 mounted on the upper surface of the printed circuit board 20 from an external environment. It is formed by sealing with a molding resin of a liquid such as.

한편, 본 명세서와 도면에 개시된 본 발명의 실시예들은 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것에 지나지 않으며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형예들이 실시 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에서는 반도체 칩이 실장되는 기판으로 인쇄회로기판을 사용하였지만, 인쇄회로기판 대신에 테이프 배선기판, 세라믹 기판, 리드프레임 등과 배선 기판을 사용하여 반도체 패키지를 구현할 수 있다. 또한, 필요에 따라서 제 1 및 제 2 전극 패드는 제 1 및 제 2 활성면의 중심 부분 또는 가장자리 부분에 형성할 수도 있다.On the other hand, the embodiments of the present invention disclosed in the specification and drawings are merely presented specific examples to aid understanding and are not intended to limit the scope of the present invention. In addition to the embodiments disclosed herein, it is apparent to those skilled in the art that other modifications based on the technical idea of the present invention may be implemented. For example, in the exemplary embodiment of the present invention, a printed circuit board is used as a substrate on which a semiconductor chip is mounted, but a semiconductor package may be implemented using a tape wiring board, a ceramic board, a lead frame, or the like instead of a printed circuit board. . In addition, as needed, the first and second electrode pads may be formed in the central portion or the edge portion of the first and second active surfaces.

따라서, 본 발명의 구조를 따르면 반도체 칩의 양면에 전극 패드를 형성함으로써, 하나의 반도체 칩으로 기존의 두 개의 반도체 칩을 적층하는 효과를 발휘시킬 수 있기 때문에, 기존의 반도체 칩을 적층하는 한계를 극복할 수 있다. 또한, 반도체 패키지의 박형화가 가능하다.Therefore, according to the structure of the present invention, by forming electrode pads on both sides of the semiconductor chip, it is possible to exert the effect of stacking two conventional semiconductor chips with one semiconductor chip, thereby limiting the limitation of stacking existing semiconductor chips. It can be overcome. In addition, the semiconductor package can be thinned.

그리고, 반도체 칩의 양면에 어떤 회로를 구성하느냐에 따라서 다기능화 및 고속화된 반도체 패키지의 제공이 가능하다.In addition, it is possible to provide a semiconductor package which is more versatile and faster depending on which circuit is formed on both surfaces of the semiconductor chip.

Claims (3)

제 1 전극 패드들이 형성된 제 1 활성면과, 제 1 활성면에 반대되며 제 2 전극 패드들이 형성된 제 2 활성면을 갖는 반도체 칩으로, 상기 제 1 전극 패드에 각기 도전성 범프가 형성된 반도체 칩과;A semiconductor chip having a first active surface having first electrode pads formed thereon and a second active surface opposite to the first active surface having second electrode pads formed thereon, each semiconductor chip having conductive bumps formed on the first electrode pads; 상기 도전성 범프에 의해 상기 반도체 칩이 범프 접속되는 상부면과, 상기 상부면에 반대되는 하부면을 갖는 기판과;A substrate having an upper surface on which the semiconductor chip is bump-connected by the conductive bumps and a lower surface opposite to the upper surface; 상기 반도체 칩의 제 2 전극 패드들과 상기 기판의 상부면을 전기적으로 연결하는 본딩 와이어와;Bonding wires electrically connecting the second electrode pads of the semiconductor chip to an upper surface of the substrate; 상기 기판 상부면의 반도체 칩과 본딩 와이어를 성형수지로 봉합하여 형성한 수지 봉합부; 및A resin encapsulation portion formed by sealing a semiconductor chip and a bonding wire of the upper surface of the substrate with a molding resin; And 상기 기판의 하부면에 형성되며, 상기 반도체 칩과 전기적으로 연결되는 솔더볼;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.And a solder ball formed on the lower surface of the substrate and electrically connected to the semiconductor chip. 제 1항에 있어서, 상기 제 1 전극 패드는 상기 제 1 활성면의 가장자리 부분에 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.The semiconductor package of claim 1, wherein the first electrode pad is formed at an edge portion of the first active surface. 제 2항에 있어서, 상기 제 2 전극 패드는 상기 제 2 활성면의 가장자리 부분에 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.The semiconductor package of claim 2, wherein the second electrode pad is formed at an edge portion of the second active surface.
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