KR20020057394A - The bias circuit of power amplifier in used mobile communication terminals - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A power amplification bias circuit for a mobile communication terminal is provided to maintain a bias constantly without regard to temperature variation by using a transistor for performing a feedback of bias in a bias circuit. CONSTITUTION: A first transistor(Q1) performs a feedback of a bias permitted into a power amplifier. A second transistor(Q2) restricts bias variation in interlocking with the first transistor(Q1). A first power supply unit(V1) supplies a collector of the first transistor(Q1) and a base of the second transistor(Q2) with power. A second power supply unit(V2) supplies a collector of the second transistor(Q2) with power. A bias permitting tap(BI) permits the electrostatic bias into the power amplifier through the first transistor(Q1) and the second transistor(Q2). A third transistor(Q3) amplifies a signal in which the bias is permitted.

Description

이동통신 단말기용 전력증폭 바이어스 회로{The bias circuit of power amplifier in used mobile communication terminals}The bias circuit of power amplifier in used mobile communication terminals

본 발명은 이동통신용 단말기의 전력증폭 바이어스 회로에 관한 것으로서, 특히 무선 인터페이스에서 단말기의 신호를 전송하는데 중요한 역할을 하는 전력증폭기의 바이어스를 안정시켜 증폭기의 선형성을 개선하기 위한 이동통신 단말기용 전력증폭 바이어스 회로에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a power amplification bias circuit of a mobile communication terminal. In particular, a power amplification bias for improving a linearity of an amplifier by stabilizing a bias of a power amplifier that plays an important role in transmitting a signal of a terminal in a wireless interface. It is about a circuit.

이동통신 시장의 확대에 따라, 이동통신 단말기나 통신기기의 수요는 상당량에 이르고 있으며, 성능이 뛰어나고 소형 경량화 통신기기를 필요로 하고 있다. 이동 통신 단말기는 크기를 줄이기 위하여 고밀도 집적회로로 제작되고 있으며, 이에 통신기기의 제한된 면적 내에서 성능을 개선시키기 위한 기술적 노력이 계속되고 있다.With the expansion of the mobile communication market, the demand for mobile communication terminals and communication devices has reached a considerable amount, and there is a need for high performance and small size and light weight communication devices. In order to reduce the size of a mobile communication terminal, a high density integrated circuit has been manufactured. Accordingly, technical efforts for improving performance within a limited area of a communication device have continued.

특히, 이동통신 단말기는 외부입력신호의 전력레벨에 상관없이 일정한 선형성을 가지는 높은 신뢰도의 단말기를 필요로 하고 있는 실정이다.In particular, a mobile communication terminal requires a terminal having a high reliability having a certain linearity regardless of the power level of an external input signal.

도 1은 종래기술에 따른 이동통신 단말기용 전력증폭회로를 나타낸 회로도로서, 신호의 전력을 증폭하는 트랜지스터(Q)와, 상기 트랜지스터의 베이스에 바이어스 전압을 인가하는 바이어스 분배저항들(R1,R2)과, 상기 트랜지스터의 컬렉터로 인가되는 전원을 조절하는 저항(Rc)과, 상기 트랜지스터(Q)를 보호하는 저항(Re)과, 상기 트랜지스터(Q)의 컬렉터와 바이어스 분배저항(R1,R2)으로 전압을 공급하는 전원(Vcc)로 구성된다.1 is a circuit diagram showing a power amplifier circuit for a mobile communication terminal according to the prior art, the transistor (Q) for amplifying the power of the signal, and the bias distribution resistors (R1, R2) for applying a bias voltage to the base of the transistor And a resistor (Rc) for controlling the power applied to the collector of the transistor, a resistor (Re) for protecting the transistor (Q), a collector and bias distribution resistor (R1, R2) of the transistor (Q). It consists of the power supply Vcc which supplies a voltage.

상기와 같이 구성된 종래 이동통신 단말기용 전력증폭회로의 동작을 도1을 참고하여 설명하면, 외부에서 입력된 신호는 신호 레벨에 따라 바이어스 분배저항(R1,R2)을 통해 전압이 분배되어 트랜지스터(Q)의 베이스로 전압을 인가하고, 상기 트랜지스터에서 신호의 전력이 증폭된다.Referring to FIG. 1, an operation of a conventional power amplifier circuit for a conventional mobile communication terminal configured as described above is applied to an external signal, and a voltage is distributed through bias distribution resistors R1 and R2 according to a signal level. Voltage is applied to the base, and the power of the signal is amplified in the transistor.

그러나, 종래의 이동통신 단말기용 전력증폭 바이어스 회로는 바이어스 분배저항(R1,R2)을 통해 바이어스가 분배되어 상기 트랜지스터(Q) 바이어스를 인가시키데 있어서, 전력증폭기의 작동에 의해 온도나 전력 특성의 변화에 따라 상기 트랜지스터(Q)의 베이스-이미터 전압(Vbe)이 변동되어 신호 전력증폭시에 이득이 불안정하게 되고 위상 왜곡(phase distortion)이 발생하게 되어 선형성(linerity)에 영향을 미치게 되는 문제점이 있다.However, in the conventional power amplification bias circuit for a mobile communication terminal, the bias is distributed through the bias distribution resistors R1 and R2 to apply the transistor Q bias. The variation of the base-emitter voltage Vbe of the transistor Q according to the change causes gain instability and phase distortion during signal power amplification, thereby affecting linearity. There is this.

본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 그 목적은 신호전력증폭시에 사용되는 바이어스 회로에 바이어스를 피드백(feedback)시키는 트랜지스터를 사용하여 전력증폭기의 동작하여 온도의 상승시에도 바이어스를 일정하게 유지하여 단말기의 선형성을 개선할 수 있는 이동통신 단말기용 전력증폭 바이어스 회로를 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the prior art, and its object is to operate a power amplifier using a transistor that feeds back a bias circuit to a bias circuit used in signal power amplification, even when the temperature rises. The present invention provides a power amplification bias circuit for a mobile communication terminal that can maintain a constant bias to improve linearity of a terminal.

도 1은 종래기술에 따른 이동통신 단말기용 전력증폭 바이어스의 회로도,1 is a circuit diagram of a power amplification bias for a mobile communication terminal according to the prior art;

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 회로도,2 is a circuit diagram according to a first embodiment of the present invention;

도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 회로도.3 is a circuit diagram according to a second embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명><Explanation of symbols on main parts of the drawings>

Q1 : 제1 트랜지스터 Q2 : 제2 트랜지스터Q1: first transistor Q2: second transistor

Q3 : 제3 트랜지스터 V1 : 제1 전원Q3: third transistor V1: first power supply

V2 : 제2 전원 BI : 바이어스 인가단V2: second power supply BI: bias applied stage

상기한 과제를 해결하기 위한 본 발명에 의한 이동통신 단말기용 전력증폭 바이어스 회로의 특징에 따르면, 이동통신 단말기의 전력증폭기에 인가되는 바이어스를 피드백(feedback)하는 제1 트랜지스터단과, 상기 제1 트랜지스터단과 연동되어 바이어스 변동을 억제하는 제2 트랜지스터단과, 상기 제1 트랜지스터단의 컬렉터와 제2 트랜지스터단의 베이스에 전원을 공급하는 제1 전원부와, 상기 제2 트랜지스터단의 컬렉터에 전원을 공급하는 제2 전원부와, 상기 제1 트랜지스터단과 제2 트랜지스터단에 의한 정전압 바이어스를 전력증폭기에 인가하는 바이어스 인가단으로 구성된다.According to a feature of a power amplifier bias circuit for a mobile communication terminal according to the present invention for solving the above problems, a first transistor stage for feeding back a bias applied to the power amplifier of the mobile communication terminal, and the first transistor stage; A second transistor stage interlocked with each other to suppress bias variation, a first power supply unit supplying power to a collector of the first transistor stage and a base of the second transistor stage, and a second supply of power to a collector of the second transistor stage And a power supply unit and a bias applying stage for applying constant voltage bias by the first transistor stage and the second transistor stage to the power amplifier.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 이동통신 단말기용 바이어스 회로를 나타낸 회로도로서, 이동통신 단말기의 전력증폭기에 인가되는 바이어스를 피드백(feedback)하는 제1 트랜지스터(Q1)와, 상기 제1 트랜지스터(Q1)와 연동되어 바이어스 변동을 억제하는 제2 트랜지스터(Q2)와, 상기 제1 트랜지스터(Q1)의 컬렉터와 제2 트랜지스터(Q2)의 베이스에 전원을 공급하는 제1 전원(V1)과, 상기 제2 트랜지스터의 컬렉터에 전원을 공급하는 제2 전원(V2)과, 상기 제1 트랜지스터(Q1)와 제2 트랜지스터(Q2)에 의해 정전압의 바이어스를 전력증폭기에 인가하는 바이어스 인가단(BI)과, 상기 바이어스 인가단(BI)에서 바이어스가 인가되어 신호의 전력을 증폭하는 제3 트랜지스터(Q3)로 구성된다.FIG. 2 is a circuit diagram illustrating a bias circuit for a mobile communication terminal according to a first embodiment of the present invention. The first transistor Q1 feeds back a bias applied to a power amplifier of the mobile communication terminal. A second transistor Q2 interlocked with the transistor Q1 to suppress bias variation, a first power supply V1 supplying power to the collector of the first transistor Q1 and the base of the second transistor Q2; And a second power supply V2 for supplying power to the collector of the second transistor, and a bias applying stage BI for applying a constant voltage bias to the power amplifier by the first transistor Q1 and the second transistor Q2. ), And a third transistor Q3 for applying a bias to the bias applying terminal BI to amplify the power of the signal.

상기 제1 전원은 상기 제1 전원는 상기 제1 및 제2 트랜지스터단으로 입력되는 전류를 조절하는 저항(R1)을 통하여 전원을 공급한다.The first power source supplies power through a resistor R1 that regulates current input to the first and second transistor stages.

상기 제1 트랜지스터는 베이스에 전류조절용 저항(R2)이 포함된어 구성되고, 상기 바이어스 인가단(BI)은 회로의 접지와 연결된 전압안정용 저항(R3)이 연결되어 구성된다.The first transistor includes a current regulating resistor R2 at a base, and the bias applying terminal BI is connected to a voltage stabilizing resistor R3 connected to a ground of a circuit.

상기와 같이 구성된 본 발명의 제1 실시예에 따른 이동통신 단말기용 전력증폭 바이어스 회로의 동작을 살펴보면 다음과 같다.The operation of the power amplification bias circuit for a mobile communication terminal according to the first embodiment of the present invention configured as described above is as follows.

먼저, 제3 트랜지스터(Q3)의 동작에 따른 온도상승에 의해서 회로에서 전류 Ic3,Ic1,Ic2,Ib2가 증가하게 되고, 이에 따라 Vb2가 감소하게된다. Vb2가 감소되면 제2 트랜지스터(Q2)의 Ic2가 감소하고, lc2가 감소함에 따라서 IR2,Ic1,Ib3,Ic3가 감소하게 된다. 이때 IR1이 감소 즉, Vb2가 다시 증가하게 되고, Vb2가 증가하게되면 처음 바이어스 회로가 동작하는 상태로 돌아가게 되어 증감을 반복하게 된다. 제3 트랜지스터(Q3)의 베이스로 바이어스를 인가하는 바이어스 인가단(BI)의 전압(이하 Vb3)의 변화를 보았을 때 Vb의 증감이 일어나고 일정한 바이어스 상태를 유지하게 된다. 또, 저항 R3를 이용하여 Vb2의 증감에 따른 Vb3의 전압을 안정화 시키게 된다. 따라서, Vb3의 전압이 안정된 정전압(constant voltage) 바이어스 상태를 유지하게 되고, 신호의 전력을 증폭하는 제3 트랜지스터(Q3)에 안정화된 바이어스를 공급하게 된다.First, currents Ic3, Ic1, Ic2, and Ib2 increase in the circuit due to the temperature rise due to the operation of the third transistor Q3, and thus Vb2 decreases. When Vb2 is decreased, Ic2 of the second transistor Q2 is decreased, and as lc2 is decreased, IR2, Ic1, Ib3, and Ic3 are decreased. At this time, IR1 decreases, that is, Vb2 increases again, and when Vb2 increases, the bias circuit is returned to the operating state for the first time, and the increase and decrease is repeated. When a change in the voltage (hereinafter, Vb3) of the bias applying terminal BI that applies the bias to the base of the third transistor Q3 is observed, Vb increases and decreases and maintains a constant bias state. In addition, the resistor R3 is used to stabilize the voltage of Vb3 according to the increase and decrease of Vb2. Therefore, the voltage of Vb3 maintains a stable constant voltage bias state and supplies the stabilized bias to the third transistor Q3 that amplifies the power of the signal.

도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 이동통신 단말기용 전력증폭 바이어스 회로를 나타낸 회로도로서, 상기 제1 실시예와 중복되는 구성에 대한 설명은 도면에 기재를 통하여 생략된다.FIG. 2 is a circuit diagram illustrating a power amplification bias circuit for a mobile communication terminal according to a second embodiment of the present invention, and a description of a configuration overlapping with the first embodiment will be omitted in the drawings.

상기 제2 실시예는 상기 제1 실시예의 제1 트랜지스터(Q1)가 베이스와 컬렉터가 전기적으로 연결되어 다이오드 역할을 수행하고, 제1 트랜지스터(Q1)의 컬렉터에 전류조절용 저항(R4)이 연결되고, 상기 제2 트랜지스터(Q2)의 이미터에 전류조절용 저항(R5)이 연결되며, 제1 트랜지스터(Q1)의 베이스에 연결된 저항(R2) 및 제2 트랜지스터(Q2)의 이미터에 연결된 저항(R5)이 제3 트랜지스터(Q3)의 베이스에 연결되어 구성된다.In the second embodiment, the first transistor Q1 of the first embodiment is electrically connected to the base and the collector, and serves as a diode, and the current adjusting resistor R4 is connected to the collector of the first transistor Q1. The resistor R5 is connected to the emitter of the second transistor Q2, and the resistor R2 is connected to the base of the first transistor Q1 and the resistor is connected to the emitter of the second transistor Q2. R5) is connected to the base of the third transistor Q3.

상기와 같이 구성된 본 발명의 제2 실시예에 따른 이동통신 단말기용 전력증폭 바이어스 회로의 동작을 도 3을 참조하여 설명하면, 제3 트랜지스터(Q3)의 동작에 따른 온도상승에 의해서 회로에서 전류 Ic3,IR4,Ic2,Ib2가 증가하게 되고, 이에 따라 Vb2가 감소하게 된다. Vb2가 감소되면 제2 트랜지스터(Q2)의 Ic2가 감소하고,lc2가 감소함에 따라서 IR2,IR4,IR5,Ib3,Ic3가 감소하게 된다. 이때 IR1이 감소 즉, Vb2가 다시 증가하게 되고, Vb2가 증가하게 되면 처음 바이어스 회로가 동작하는 상태로 돌아가게 되어 증감을 반복하게 된다. 제3 트랜지스터(Q3)의 베이스 전압(이하 Vb3)의 변화를 보았을 때 Vb2의 증감이 일어나고 일정한 바이어스 상태를 유지하게 된다. 따라서, Vb3의 전압이 안정된 정전압(constant voltage) 바이어스 상태를 유지하게 되고, 신호의 전력을 증폭하는 제3 트랜지스터(Q3)에 안정화된 바이어스를 공급하게 된다.The operation of the power amplification bias circuit for a mobile communication terminal according to the second embodiment of the present invention configured as described above will be described with reference to FIG. 3. The current Ic3 is increased in the circuit due to the temperature rise according to the operation of the third transistor Q3. , IR4, Ic2, and Ib2 increase, and thus Vb2 decreases. When Vb2 is decreased, Ic2 of the second transistor Q2 is decreased, and as lc2 is decreased, IR2, IR4, IR5, Ib3, and Ic3 decrease. At this time, IR1 decreases, that is, Vb2 increases again, and when Vb2 increases, the bias circuit is returned to the operating state for the first time, and the increase and decrease is repeated. When the base voltage (hereinafter, Vb3) of the third transistor Q3 is changed, the increase and decrease of Vb2 occurs and a constant bias state is maintained. Therefore, the voltage of Vb3 maintains a stable constant voltage bias state and supplies the stabilized bias to the third transistor Q3 that amplifies the power of the signal.

상기와 같이 구성되는 이동통신 단말기용 전력증폭 바이어스 회로는 전력증폭기의 동작에 의한 온도상승을 보상하기 위하여 온도보상 트랜지스터나 전류조절 저항 등을 더 포함시켜 구성할 수 있다.The power amplification bias circuit for a mobile communication terminal configured as described above may further include a temperature compensation transistor or a current regulating resistor in order to compensate for the temperature rise caused by the operation of the power amplifier.

상기와 같이 구성되는 본 발명에 따른 이동통신 단말기용 전력증폭 바이어스 회로는 외부입력신호의 전력을 증폭시에 발생하는 온도상승이나 전력 변동을 보상하는 회로를 구성하여, 전력증폭기로 인가되는 바이어스를 안정시키고, 증폭기의 선형성을 개선하여 단말기의 신뢰도를 높일 수 있는 효과가 있다.The power amplification bias circuit for a mobile communication terminal according to the present invention configured as described above constitutes a circuit for compensating for temperature rise or power fluctuation generated when amplifying the power of an external input signal, thereby stabilizing a bias applied to the power amplifier. By improving the linearity of the amplifier, it is possible to increase the reliability of the terminal.

Claims (5)

이동통신 단말기의 전력증폭기에 인가되는 바이어스를 피드백(feedback)하는 제1 트랜지스터단과; 상기 제1 트랜지스터단과 연동되어 바이어스 변동을 억제하는 제2 트랜지스터단과; 상기 제1 트랜지스터단의 컬렉터와 제2 트랜지스터단의 베이스에 전원을 공급하는 제1 전원부와; 상기 제2 트랜지스터단의 컬렉터에 전원을 공급하는 제2 전원부와; 상기 제1 트랜지스터단과 제2 트랜지스터단에 의한 정전압 바이어스를 전력증폭기에 인가하는 바이어스 인가단으로 구성된 것을 특징으로 하는 이동통신 단말기용 전력증폭 바이어스 회로.A first transistor stage for feeding back a bias applied to the power amplifier of the mobile communication terminal; A second transistor stage interlocked with the first transistor stage to suppress bias variation; A first power supply unit supplying power to the collector of the first transistor stage and the base of the second transistor stage; A second power supply unit supplying power to the collector of the second transistor stage; And a bias applying stage for applying constant voltage bias by the first transistor stage and the second transistor stage to a power amplifier. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 전원부는 상기 제1 및 제2 트랜지스터단으로 입력되는 전류를 조절하는 저항이 포함된 것을 특징으로 하는 이동통신 단말기용 전력증폭 바이어스 회로.And the first power supply unit includes a resistor for adjusting a current input to the first and second transistor terminals. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 트랜지스터단은 베이스에 전류조절용 저항이 포함된 것을 특징으로 하는 이동통신 단말기용 전력증폭 바이어스 회로.The first transistor stage is a power amplification bias circuit for a mobile communication terminal, characterized in that the current control resistor is included in the base. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 바이어스 인가단은 접지와 연결되어 바이어스 전압을 안정시키는 저항이 포함된 것을 특징으로 하는 이동통신 단말기용 전력증폭 바이어스 회로.The bias applying stage is a power amplification bias circuit for a mobile communication terminal, characterized in that it comprises a resistor connected to ground to stabilize the bias voltage. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 트랜지스터단이 베이스와 컬렉터가 서로 연결되어 다이오드로 작동되는 것을 포함하는 이동통신 단말기용 전력증폭 바이어스 회로.And the first transistor stage includes a base and a collector connected to each other to operate as a diode.
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