JPH11330873A - Transmission amplifier - Google Patents
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- JPH11330873A JPH11330873A JP13166098A JP13166098A JPH11330873A JP H11330873 A JPH11330873 A JP H11330873A JP 13166098 A JP13166098 A JP 13166098A JP 13166098 A JP13166098 A JP 13166098A JP H11330873 A JPH11330873 A JP H11330873A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、主としてコードレ
スリモコン、コードレス電話、携帯電話等の無線通信機
器に用いられる送信アンプに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a transmission amplifier mainly used for a wireless communication device such as a cordless remote controller, a cordless telephone, and a portable telephone.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図７は、従来の送受信機の構成を示すブ
ロック図である。図７において、１は送信用トランジス
タ、６は集積回路、７は信号源、８は抵抗、９は電源端
子、１０はチョークコイル、１１は出力端子である。2. Description of the Related Art FIG. 7 is a block diagram showing a configuration of a conventional transceiver. In FIG. 7, 1 is a transmitting transistor, 6 is an integrated circuit, 7 is a signal source, 8 is a resistor, 9 is a power supply terminal, 10 is a choke coil, and 11 is an output terminal.
【０００３】まず従来の送信アンプの動作について説明
する。集積回路６には送信用トランジスタ１および抵抗
８、信号源７が内蔵されている。送信用トランジスタの
コレクタには、電源端子９よりチョークコイルを介して
電圧が供給されている。また、電源端子の電圧を分圧す
るための二つの抵抗８により、送信用トランジスタ１の
ベースバイアスが設定されている。信号源７からの高周
波信号が送信用トランジスタ１のベースに供給され、増
幅が行われる。増幅された高周波信号は出力端子１１よ
り出力される。First, the operation of a conventional transmission amplifier will be described. The integrated circuit 6 includes the transmitting transistor 1, the resistor 8, and the signal source 7. A voltage is supplied to the collector of the transmitting transistor from the power supply terminal 9 via a choke coil. The base bias of the transmitting transistor 1 is set by two resistors 8 for dividing the voltage of the power supply terminal. A high-frequency signal from the signal source 7 is supplied to the base of the transmitting transistor 1 and amplification is performed. The amplified high-frequency signal is output from the output terminal 11.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記の従来
例に示すように送信用トランジスタを集積回路に内蔵し
て構成した従来の送信アンプの問題点は、高出力と高効
率を両立できないことである。集積回路内のトランジス
タのベースバイアスを設定する方法としては、上記の従
来例に示すように抵抗による方法や定電流源からカレン
トミラー回路により設定する方法などが用いられる。た
だしカレントミラー回路を用いる場合は送信用トランジ
スタのベースの高周波信号がカレントミラー回路側にリ
ークしないように数ｋΩ程度の抵抗を挿入する必要があ
る。しかしこのような方法を送信アンプに用いると問題
が生じる。送信用トランジスタの動作効率を上げるため
にはベースバイアスはＢ級またはＣ級動作に設定する必
要がある。Ｂ級およびＣ級動作では、高周波信号の入力
レベルによりベースおよびコレクタ電流が増加する。そ
してベース電流の増加によりベースに接続された抵抗に
より電圧降下が変化し、ベースバイアス電圧が変化して
しまう。However, the problem with the conventional transmission amplifier in which the transmission transistor is built in the integrated circuit as shown in the above-mentioned conventional example is that high output and high efficiency cannot be achieved at the same time. is there. As a method of setting a base bias of a transistor in an integrated circuit, a method using a resistor or a method using a current mirror circuit from a constant current source as described in the above-described conventional example is used. However, when a current mirror circuit is used, it is necessary to insert a resistor of about several kΩ so that a high-frequency signal at the base of the transmitting transistor does not leak to the current mirror circuit side. However, a problem arises when such a method is used for a transmission amplifier. In order to increase the operation efficiency of the transmitting transistor, it is necessary to set the base bias to class B or class C operation. In class B and class C operation, the base and collector currents increase due to the input level of the high frequency signal. Then, as the base current increases, the voltage drop changes due to the resistance connected to the base, and the base bias voltage changes.
【０００５】上記の従来例で説明すると、高周波信号が
入力されている時の送信用トランジスタ１のコレクタ電
流およびベース電流は、信号源７からの高周波信号が入
力されていない時に比べて増加する。ベース電流が増加
するとバイアス設定用の抵抗８で電圧降下が生じ、ベー
スバイアス電圧が低下することになる。つまり高周波信
号の入力によるコレクタおよびベース電流の増加に対
し、負帰還がかかり飽和出力が制限される。また、カレ
ントミラー回路でベースバイアスを設定しても上記のよ
うに挿入した抵抗で電圧降下が変化が生じるため同様に
負帰還がかかり、飽和出力が制限される。そのため大き
な飽和出力を上げるためにはベースバイアスをＡ級動作
に設定しておく必要があるが、この場合アンプの動作効
率が低下してしまう。このように、高出力と高効率を両
立することが困難であった。In the conventional example described above, the collector current and the base current of the transmitting transistor 1 when a high-frequency signal is being input increase compared to when the high-frequency signal from the signal source 7 is not being input. When the base current increases, a voltage drop occurs in the bias setting resistor 8, and the base bias voltage decreases. In other words, negative feedback is applied to the increase of the collector and base currents due to the input of the high-frequency signal, and the saturation output is limited. Further, even if the base bias is set by the current mirror circuit, the voltage drop occurs due to the resistor inserted as described above, so that negative feedback is similarly applied and the saturation output is limited. Therefore, in order to increase the large saturation output, it is necessary to set the base bias to the class A operation, but in this case, the operation efficiency of the amplifier is reduced. Thus, it has been difficult to achieve both high output and high efficiency.
【０００６】また、従来の送信用トランジスタを集積回
路に内蔵して構成した送信アンプでは温度特性の問題が
あった。送信用トランジスタの発熱または周囲温度によ
りコレクタ電流が変化する。送信アンプは発熱が大きい
ため、小出力のアンプと比較して特に温度特性が問題と
なる。場合によっては熱暴走によりアンプが破損する危
険もあった。そして、電流変化に伴って出力電力も変化
する。このように熱的に安定な送信アンプを集積回路に
内蔵することが困難であった。In addition, a conventional transmission amplifier in which a transmission transistor is built in an integrated circuit has a problem of temperature characteristics. The collector current changes depending on the heat generation of the transmitting transistor or the ambient temperature. Since the transmission amplifier generates a large amount of heat, the temperature characteristics are particularly problematic as compared with a low-output amplifier. In some cases, there was a risk that the amplifier would be damaged due to thermal runaway. Then, the output power also changes with the current change. It has been difficult to incorporate such a thermally stable transmission amplifier in an integrated circuit.
【０００７】本発明は上記の課題を解決するものであ
り、高出力と高効率を両立でき、熱的に安定な送信アン
プを提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and has as its object to provide a thermally stable transmission amplifier which can achieve both high output and high efficiency.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明は、集積回路内に
送信用トランジスタとカソードを接地したダイオードを
内蔵し、送信用トランジスタのベースと前記ダイオード
のアノードを集積回路外に設けたインダクタ素子を介し
て接続しており、ベースバイアスはダイオードのしきい
値電圧でほぼ決定され、ベース電流が変化してもベース
バイアス電圧の変化を小さい。そして、Ｂ級またはＣ級
バイアス動作でも飽和出力が大きく低下しないため、高
出力と高効率を両立できる。そして、集積回路内に送信
用トランジスタとダイオードを内蔵することにより熱的
に均一となるため、動作電流の温度補償を行うことがで
きる。According to the present invention, there is provided an inductor having a transmitting transistor and a diode whose cathode is grounded in an integrated circuit, wherein the base of the transmitting transistor and the anode of the diode are provided outside the integrated circuit. The base bias is substantially determined by the threshold voltage of the diode, and the change in the base bias voltage is small even when the base current changes. Since the saturation output does not greatly decrease even in the class B or class C bias operation, both high output and high efficiency can be achieved. Since the transmission transistor and the diode are incorporated in the integrated circuit, the thermal uniformity can be obtained, so that the temperature of the operating current can be compensated.
【０００９】[0009]
【発明の実施の形態】本発明は、送信用トランジスタと
カソードを接地したダイオードを内蔵し前記送信用トラ
ンジスタのベースを接続した第１の外部端子と前記ダイ
オードのアノードを接続した第２の外部端子を備えた集
積回路と、インダクタを備え、前記第１の外部端子は前
記インダクタを介して前記第２の外部端子に接続される
構成としたものである。そして、送信用トランジスタの
ベースとダイオードを抵抗ではなくインダクタで接続し
ているため、ダイオードのしきい値電圧により送信用ト
ランジスタのべースバイアス電圧が決まる。すなわち送
信用トランジスタのベースに入力される高周波信号のレ
ベルが変化してもベースバイアス電圧が変化しないた
め、高出力と高効率を両立することができる。そして、
送信用トランジスタとダイオードが集積回路に内蔵され
ているため熱的に均一になり、動作電流の温度補償を行
うことができる。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention provides a transmitting transistor and a diode having a grounded cathode, a first external terminal connecting the base of the transmitting transistor and a second external terminal connecting the anode of the diode. And an inductor, wherein the first external terminal is connected to the second external terminal via the inductor. Since the base of the transmitting transistor and the diode are connected by an inductor instead of a resistor, the threshold voltage of the diode determines the base bias voltage of the transmitting transistor. That is, even if the level of the high-frequency signal input to the base of the transmitting transistor changes, the base bias voltage does not change, so that both high output and high efficiency can be achieved. And
Since the transmitting transistor and the diode are built in the integrated circuit, the transistor becomes thermally uniform, and the temperature of the operating current can be compensated.
【００１０】また、電圧源を固定または可変の抵抗を介
して第１または第２の外部端子に接続したものである。
そして、高効率を維持したまま出力電力を調整すること
ができる。The voltage source is connected to the first or second external terminal via a fixed or variable resistor.
The output power can be adjusted while maintaining high efficiency.
【００１１】また、固定または可変の電流源の出力を第
１または第２の外部端子に接続したものである。そし
て、更に良好な温度補償特性を得ることができる。The output of the fixed or variable current source is connected to the first or second external terminal. Further, better temperature compensation characteristics can be obtained.
【００１２】また、送信用トランジスタと前記送信用ト
ランジスタのベースにアノードを接続したダイオードを
内蔵し前記ダイオードのカソードに接続した外部端子を
備えた集積回路と、インダクタを備え、外部端子は前記
インダクタを介して接地されるものである。そして、集
積回路の外部端子数を削減できるため、集積回路の低コ
スト化を実現できる。An integrated circuit including a transmitting transistor, a diode having an anode connected to the base of the transmitting transistor, and an external terminal connected to the cathode of the diode, and an inductor, wherein the external terminal includes the inductor. It is grounded through. Further, since the number of external terminals of the integrated circuit can be reduced, the cost of the integrated circuit can be reduced.
【００１３】また、電圧源を固定または可変の抵抗を介
してダイオードのカソードに接続したものである。そし
て高効率を維持したまま出力電力を調整することができ
る。Further, a voltage source is connected to a cathode of a diode via a fixed or variable resistor. The output power can be adjusted while maintaining high efficiency.
【００１４】また、固定または可変の電流源の出力をダ
イオードのカソードに接続したものである。そして、更
に良好な温度補償特性を得ることができる。The output of a fixed or variable current source is connected to the cathode of a diode. Further, better temperature compensation characteristics can be obtained.
【００１５】[0015]
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例につい
て説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１６】（実施例１）図１は、本発明による送信ア
ンプの実施例の構成を示すブロック図である。図１にお
いて、１は送信用トランジスタ、２はダイオード、３は
第１の外部端子、４は第２の外部端子、５はインダク
タ、６は集積回路、７は信号源、８は抵抗、９は電源端
子、１０はチョークコイル、１１は出力端子である。(Embodiment 1) FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of an embodiment of a transmission amplifier according to the present invention. In FIG. 1, 1 is a transmitting transistor, 2 is a diode, 3 is a first external terminal, 4 is a second external terminal, 5 is an inductor, 6 is an integrated circuit, 7 is a signal source, 8 is a resistor, 9 is A power terminal 10 is a choke coil, and 11 is an output terminal.
【００１７】ここで、集積回路６は圧膜ＩＣ等のハイブ
リッドＩＣを用いることもできるが、半導体基板上に構
成されたモノリシックＩＣとすることによりデバイス間
の特性ばらつきを抑え、温度特性が改善されるため、特
に大きな効果が期待できる。モノリシックＩＣでは、半
導体基板としてシリコンまたはＧａＡｓ等を用いること
ができる。また、構成するトランジスタ素子としてはバ
イポーラトランジスタやＦＥＴ、或いはＢｉ−ＣＭＯＳ
プロセスでは上記の混在により各回路を構成することが
できる。Here, the integrated circuit 6 may be a hybrid IC such as a pressure film IC. However, by using a monolithic IC formed on a semiconductor substrate, characteristic variations between devices are suppressed, and temperature characteristics are improved. Therefore, a particularly large effect can be expected. In a monolithic IC, silicon, GaAs, or the like can be used as a semiconductor substrate. Further, a bipolar transistor, an FET, or a Bi-CMOS
In the process, each circuit can be configured by the above mixture.
【００１８】まず、本実施例の送信アンプの動作につい
て説明する。集積回路６には、送信用トランジスタ１、
ダイオード２、信号源７、抵抗８が内蔵されている。ま
た、集積回路６には、第１および第２の外部端子３、４
が設けられている。First, the operation of the transmission amplifier of this embodiment will be described. The integrated circuit 6 includes the transmitting transistor 1,
A diode 2, a signal source 7, and a resistor 8 are built in. The integrated circuit 6 has first and second external terminals 3 and 4.
Is provided.
【００１９】送信用トランジスタ１のコレクタには、電
源端子９よりチョークコイル１０を介して電圧が供給さ
れている。また、前記送信用トランジスタ１のベースは
第１の外部端子３に接続されている。また、ダイオード
２のカソードが接地され、アノードが第２の外部端子４
に接続されている。第１および第２の外部端子３、４は
インダクタ５を介して互いに接続されている。また、電
源端子９が抵抗８を介して送信用トランジスタ１のベー
スに接続されている。そのため送信用トランジスタ１の
ベースバイアス電圧は、ダイオード２のしきい電圧と同
じになる。A voltage is supplied to the collector of the transmitting transistor 1 from a power supply terminal 9 via a choke coil 10. The base of the transmitting transistor 1 is connected to a first external terminal 3. The cathode of the diode 2 is grounded, and the anode is connected to the second external terminal 4.
It is connected to the. The first and second external terminals 3 and 4 are connected to each other via an inductor 5. Further, a power supply terminal 9 is connected to the base of the transmitting transistor 1 via a resistor 8. Therefore, the base bias voltage of the transmitting transistor 1 becomes the same as the threshold voltage of the diode 2.
【００２０】信号源７からの高周波信号が前記送信用ト
ランジスタのベースに供給され、増幅が行われる。増幅
された高周波信号は出力端子１１より出力される。以上
が本実施例の送信アンプの動作である。A high-frequency signal from the signal source 7 is supplied to the base of the transmitting transistor, and amplification is performed. The amplified high-frequency signal is output from the output terminal 11. The above is the operation of the transmission amplifier of the present embodiment.
【００２１】次に、高出力と高効率が両立でき、安定な
送信アンプが実現できる理由を説明する。Next, the reason why a high output and a high efficiency are compatible and a stable transmission amplifier can be realized will be described.
【００２２】送信用トランジスタのバイアスはＢ級また
はＣ級に設定される。ここで、送信用トランジスタ１と
ダイオード２のサイズを選択して、送信用トランジスタ
１のベース電流よりダイオード２の電流の方が十分大き
いように設定されている。そのためベース電流が変化し
ても、ダイオードはほぼ定電圧源として見なすことがで
きる。例として、高周波信号無入力時にベース電流０.
０１ｍＡ、ダイオード電流１ｍＡに設定すると、送信用
トランジスタのｈfeが１００の場合にはコレクタ電流が
１ｍＡとなる。そして信号源７の高周波信号が送信用ト
ランジスタ１のベースに入力されることにより、ベース
およびコレクタ電流は増加する。コレクタ電流が１０ｍ
Ａに増加する場合には、ベース電流は約０.１ｍＡとな
るが、ダイオードが定電圧源と見なせるため、ベースと
ダイオードの電流の総和は１.０１ｍＡから１.１０ｍＡ
に変化するのではなく、１.０１ｍＡから殆ど変化しな
い。そのため、ベースバイアス電圧は殆ど変化しない。
ここで単に抵抗による分圧でバイアスを設定する構成に
比べ、本実施例の構成ではバイアス変化が非常に小さく
なる。つまりベース電流の変化によるバイアス電圧の変
化を小さくすることができる。The bias of the transmitting transistor is set to class B or class C. Here, the sizes of the transmitting transistor 1 and the diode 2 are selected so that the current of the diode 2 is sufficiently larger than the base current of the transmitting transistor 1. Therefore, even if the base current changes, the diode can be regarded as a substantially constant voltage source. As an example, when the high frequency signal is not input, the base current is set to 0.
When the current is set to 01 mA and the diode current is set to 1 mA, when the transmission transistor hfe is 100, the collector current is 1 mA. When the high-frequency signal of the signal source 7 is input to the base of the transmitting transistor 1, the base and collector currents increase. Collector current is 10m
When the current is increased to A, the base current is about 0.1 mA. However, since the diode can be regarded as a constant voltage source, the sum of the base and diode currents is from 1.01 mA to 1.10 mA.
, But hardly changes from 1.01 mA. Therefore, the base bias voltage hardly changes.
Here, as compared with the configuration in which the bias is simply set by the voltage division by the resistor, the configuration of the present embodiment has a very small bias change. That is, the change in the bias voltage due to the change in the base current can be reduced.
【００２３】このことより、ベースバイアスをＢ級また
はＣ級バイアスで動作させてもバイアス電圧が変化しな
いため、安定に動作することができる。すなわち、コレ
クタ電流の変化に対して負帰還が生じない。そしてＢ級
またはＣ級バイアスでも高周波信号の入力レベルに応じ
てコレクタ電流が増加し、大きな飽和電力を得ることが
できる。これより高出力で高効率な送信アンプを実現で
きる。As a result, even when the base bias is operated with the class B or class C bias, the bias voltage does not change, so that stable operation can be achieved. That is, negative feedback does not occur for a change in the collector current. Even with a class B or class C bias, the collector current increases according to the input level of the high-frequency signal, and a large saturation power can be obtained. Thus, a high-output and high-efficiency transmission amplifier can be realized.
【００２４】また、送信用トランジスタのベースに入力
される高周波信号をダイオード側にリークしないために
インダクタが用いられていることが特徴である。抵抗を
用いた場合には電流変化により電圧降下が生じるが、イ
ンダクタでは生じないからである。特にモノリシックＩ
Ｃ等による集積回路ではインダクタを内蔵することが困
難である。そこでインダクタのみを集積回路の外部に設
ける構成とし、外付部品を最小限としている。そして、
使用する高周波信号の周波数において、ベースよりイン
ダクタ側を見たインピーダンスが十分に高くなるように
インダクタ値が選択されている。An inductor is used to prevent a high-frequency signal input to the base of the transmitting transistor from leaking to the diode side. This is because when a resistor is used, a voltage drop occurs due to a change in current, but does not occur in an inductor. Especially monolithic I
It is difficult for an integrated circuit such as C to incorporate an inductor. Therefore, only the inductor is provided outside the integrated circuit, and the number of external components is minimized. And
At the frequency of the high-frequency signal to be used, the inductor value is selected such that the impedance seen from the base side to the inductor side is sufficiently high.
【００２５】また、本実施例では送信用トランジスタと
ダイオードが集積回路に内蔵されているため温度が同一
となる。ここで、トランジスタのベース電流のしきい値
電圧とダイオードのしきい値電圧の変化は同じ傾向で変
化し、温度が変化してもダイオード電流とベース電流の
比は一定保たれる。そして合計の電流値は抵抗８の値で
ほぼ決定されるため、ベース電流を一定に保つことがで
きる。特に、モノリシックＩＣでは同一チップ上に送信
用トランジスタとダイオードを構成できるため、熱的に
均一となり、この電流の温度補償効果が大きい。In this embodiment, since the transmitting transistor and the diode are built in the integrated circuit, the temperature is the same. Here, the change in the threshold voltage of the base current of the transistor and the change in the threshold voltage of the diode change in the same tendency, and the ratio of the diode current to the base current is kept constant even when the temperature changes. Since the total current value is substantially determined by the value of the resistor 8, the base current can be kept constant. In particular, in a monolithic IC, since a transmitting transistor and a diode can be formed on the same chip, they are thermally uniform, and the effect of temperature compensation of this current is large.
【００２６】尚、本実施例で用いたダイオードは、送信
用トランジスタ１と同様の構造を持ったトランジスタの
コレクタとベースまたはエミッタとベースを接続するこ
とにより得ることができる。The diode used in this embodiment can be obtained by connecting the collector and the base or the emitter and the base of a transistor having the same structure as the transmitting transistor 1.
【００２７】また、本実施例ではダイオードと送信用ト
ランジスタを直流的には直結し、ダイオードのカソード
を直接接地したが、送信用トランジスタのベースバイア
スを調整するためにベースからダイオードまたはダイオ
ードから接地までの経路のいずれかに小抵抗を挿入する
ことにより、送信用トランジスタのベースバイアスの調
整を行い、初期電流を大きく設定することができる。In this embodiment, the diode and the transmitting transistor are directly connected in a DC manner, and the cathode of the diode is directly grounded. However, in order to adjust the base bias of the transmitting transistor, the diode is connected from the base or from the diode to the ground. By inserting a small resistor in one of the paths, the base bias of the transmitting transistor can be adjusted, and the initial current can be set large.
【００２８】また、本実施例では、送信用トランジスタ
およびダイオードとしてバイポーラトランジスタを用い
たが、ＧｓＡｓやＭＯＳ等のＦＥＴ素子を用いて構成す
ることもできる。In this embodiment, a bipolar transistor is used as the transmitting transistor and the diode. However, the transmitting transistor and the diode may be configured using FET elements such as GsAs and MOS.
【００２９】（実施例２）図２は、本発明による送信ア
ンプのの実施例２の構成を示すブロック図である。図２
において、１２は可変抵抗である。また、図１と同じ構
成要素については同一の番号を付けて示した。本実施例
の特徴は、送信出力が調整できる構成としたことであ
る。(Embodiment 2) FIG. 2 is a block diagram showing a configuration of a transmission amplifier according to Embodiment 2 of the present invention. FIG.
, 12 is a variable resistor. The same components as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals. The feature of this embodiment is that the transmission output can be adjusted.
【００３０】図２で、電源端子９が可変抵抗１２を介し
て第２の外部端子４に接続されている。In FIG. 2, the power supply terminal 9 is connected to the second external terminal 4 via the variable resistor 12.
【００３１】可変抵抗１２の値を変えるとダイオード２
に流れる電流が変化し、ダイオード２のアノード−カソ
ード間の電圧が変化するため、送信用トランジスタ１の
ベースバイアス電圧を調整するこができる。ここで、可
変抵抗１２の抵抗値を大きくしていくと、ベースバイア
ス電圧が低くなるため送信用トランジスタ１のコレクタ
電流を絞ることができる。Ｃ級バイアス動作でこのよう
な調整をすることにより高効率を維持したまま出力電力
を調整することができる。When the value of the variable resistor 12 is changed, the diode 2
And the voltage between the anode and the cathode of the diode 2 changes, so that the base bias voltage of the transmitting transistor 1 can be adjusted. Here, as the resistance value of the variable resistor 12 increases, the base bias voltage decreases, so that the collector current of the transmitting transistor 1 can be reduced. By performing such adjustment in the class C bias operation, the output power can be adjusted while maintaining high efficiency.
【００３２】尚、本実施例は可変抵抗を第２の外部端子
４に接続したが、第１の外部端子３に接続しても良い。
また、可変抵抗または固定抵抗を集積回路に内蔵した構
成とすることもできる。Although the variable resistor is connected to the second external terminal 4 in this embodiment, it may be connected to the first external terminal 3.
In addition, a configuration in which a variable resistor or a fixed resistor is incorporated in an integrated circuit can be employed.
【００３３】（実施例３）図３は、本発明による送信ア
ンプの実施例３の構成を示すブロック図である。(Embodiment 3) FIG. 3 is a block diagram showing a configuration of a transmission amplifier according to Embodiment 3 of the present invention.
【００３４】図３において、１３は定電流源である。ま
た、図１と同じ構成要素については同一の番号を付けて
示した。In FIG. 3, reference numeral 13 denotes a constant current source. The same components as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals.
【００３５】本実施例と実施例２の違いは、第１または
第２の外部端子３、４に定電流源を接続した点である。
本構成によっても、第１および第２の実施例と同様に高
出力と高効率を両立できる。また、定電流源１３を可変
することにより、高効率を維持したまま出力電力を調整
することができる。The difference between this embodiment and the second embodiment is that a constant current source is connected to the first or second external terminal 3, 4.
According to this configuration, both high output and high efficiency can be achieved as in the first and second embodiments. In addition, by changing the constant current source 13, the output power can be adjusted while maintaining high efficiency.
【００３６】本実施例では定電流源を用いてバイアス電
圧を設定しているため、前記の第１および第２の実施例
のように抵抗を用いるよりも大きな温度補償効果が得ら
れる。In this embodiment, since the bias voltage is set by using the constant current source, a greater temperature compensation effect can be obtained than in the case of using the resistors as in the first and second embodiments.
【００３７】送信用トランジスタとダイオードを同一の
集積回路に内蔵して熱結合を上げることにより、送信用
トランジスタのベース電流とダイオード電流の比を一定
にできることは先の実施例と同様である。さらに本実施
例では合計の電流を定電流源で決定しているため、送信
用トランジスタの電流の温度特性をゼロにすることが可
能となる。そして、特にモノリシックＩＣでは、安定し
た定電流源を実現でき、熱的にも均一となるため良好な
温度補償特性を得ることができる。また、定電流源の可
変機構も比較的容易に構成できるため、送信アンプの出
力の調整機構を含めて一つの集積回路に内蔵できるとい
う利点がある。As in the previous embodiment, the ratio between the base current and the diode current of the transmitting transistor can be made constant by incorporating the transmitting transistor and the diode in the same integrated circuit to increase the thermal coupling. Further, in this embodiment, since the total current is determined by the constant current source, the temperature characteristic of the current of the transmitting transistor can be made zero. In particular, in the case of a monolithic IC, a stable constant current source can be realized, and since it is thermally uniform, good temperature compensation characteristics can be obtained. Further, since the variable mechanism of the constant current source can be configured relatively easily, there is an advantage that it can be built in one integrated circuit including a mechanism for adjusting the output of the transmission amplifier.
【００３８】（実施例４）図４は、本発明による送信ア
ンプの実施例４の構成を示すブロック図である。(Embodiment 4) FIG. 4 is a block diagram showing a configuration of a transmission amplifier according to Embodiment 4 of the present invention.
【００３９】図４において、１４は外部端子である。ま
た、図１と同じ構成要素には同一の番号を付けて示し
た。In FIG. 4, reference numeral 14 denotes an external terminal. The same components as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals.
【００４０】本実施例では、実施例１等と比べて、イン
ダクタおよびダイオードの構成が異なっている。This embodiment is different from the first embodiment in the configuration of the inductor and the diode.
【００４１】集積回路６には、送信用トランジスタ１、
ダイオード２、信号源７、抵抗８が内蔵されており、外
部端子１４が設けられている。The integrated circuit 6 includes the transmitting transistor 1,
A diode 2, a signal source 7, and a resistor 8 are built in, and an external terminal 14 is provided.
【００４２】送信用トランジスタ１のコレクタには、電
源端子９よりチョークコイル１０を介して電圧が供給さ
れている。また前記送信用トランジスタ１のベースは、
ダイオード２のアノードが接続され、前記ダイオード２
のカソードが外部端子１４に接続されている。そして外
部端子１４はインダクタ５を介して接地されている。ま
た、電源端子９が抵抗８を介して送信用トランジスタ１
のベースに接続されている。そして送信用トランジスタ
のベースバイアス電圧は、ダイオードのしきい値電圧に
なる。信号源７からの高周波信号が前記送信用トランジ
スタ１のベースに供給され、増幅が行われる。増幅され
た高周波信号は出力端子１１より出力される。A voltage is supplied to the collector of the transmitting transistor 1 from a power supply terminal 9 via a choke coil 10. The base of the transmitting transistor 1 is
The anode of the diode 2 is connected,
Are connected to the external terminal 14. The external terminal 14 is grounded via the inductor 5. The power supply terminal 9 is connected to the transmitting transistor 1 via the resistor 8.
Connected to the base. Then, the base bias voltage of the transmitting transistor becomes the threshold voltage of the diode. A high-frequency signal from the signal source 7 is supplied to the base of the transmitting transistor 1, and amplification is performed. The amplified high-frequency signal is output from the output terminal 11.
【００４３】本実施例の場合も、高出力と高効率が両立
できることは、実施例１の場合と同様である。本実施例
ではこの効果に加えて、外部端子数を削減できるという
効果がある。すなわち、インダクタ５の片端を外部端子
１４に接続し、他端を接地する構成としたことにより、
実施例１の場合に比べて外部端子を１端子削減できる。Also in this embodiment, high output and high efficiency can be achieved at the same time as in the first embodiment. In this embodiment, in addition to this effect, there is an effect that the number of external terminals can be reduced. That is, by connecting one end of the inductor 5 to the external terminal 14 and grounding the other end,
The number of external terminals can be reduced by one as compared with the case of the first embodiment.
【００４４】このように端子数を削減できるため、集積
回路のパッケージを小型化でき、特にモノリシックＩＣ
ではチップサイズを削減できるため、低コストな集積回
路を得ることができる。As described above, the number of terminals can be reduced, so that the package of the integrated circuit can be reduced in size.
Since the chip size can be reduced, a low-cost integrated circuit can be obtained.
【００４５】（実施例５）図５は、本発明による送信ア
ンプの実施例５の構成を示すブロック図である。(Embodiment 5) FIG. 5 is a block diagram showing a configuration of a transmission amplifier according to Embodiment 5 of the present invention.
【００４６】また、図２、図４と同じ構成要素に同一の
番号を付けて示した。本実施例では、電圧源を可変抵抗
１２を介してダイオードのアノードに接続している。可
変抵抗１２を可変することにより、高効率を維持したま
ま出力電力を調整することができる。The same components as those in FIGS. 2 and 4 are denoted by the same reference numerals. In this embodiment, the voltage source is connected to the anode of the diode via the variable resistor 12. By varying the variable resistor 12, the output power can be adjusted while maintaining high efficiency.
【００４７】（実施例６）図６は、本発明による送信ア
ンプの実施例１の構成を示すブロック図である。図６に
おいて、図３、図４と同じ構成要素には同一の番号を付
けてある。(Embodiment 6) FIG. 6 is a block diagram showing a configuration of a transmission amplifier according to Embodiment 1 of the present invention. 6, the same components as those in FIGS. 3 and 4 are denoted by the same reference numerals.
【００４８】本実施例では、定電流源の出力をダイオー
ドのアノードに接続している。定電流源１３の電流を可
変することにより、高効率を維持したまま出力電力を調
整することができる。In this embodiment, the output of the constant current source is connected to the anode of the diode. By varying the current of the constant current source 13, the output power can be adjusted while maintaining high efficiency.
【００４９】温度補償効果に優れる点は、前記実施例３
の場合と同様である。The point that the temperature compensation effect is excellent is described in the third embodiment.
Is the same as
【００５０】[0050]
【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明の
送信アンプによれば、次の効果が得られる。As is apparent from the above description, the following effects can be obtained according to the transmission amplifier of the present invention.
【００５１】送信用トランジスタとカソードを接地した
ダイオードを内蔵し送信用トランジスタのベースを接続
した第１の外部端子とダイオードのアノードを接続した
第２の外部端子を備えた集積回路と、インダクタを備
え、第１の外部端子はインダクタを介して第２の外部端
子に接続される構成としており、高周波信号の入力レベ
ルにかかわらず送信用トランジスタのベースバイアスを
ダイオードのしきい電圧に設定できるため、高出力と高
効率を両立できる。そして、集積回路内に送信用トラン
ジスタとダイオードを内蔵しているので熱的に均一とな
り、動作電流の温度補償を行うことができる。An integrated circuit including a transmitting transistor, a diode having a grounded cathode, a first external terminal connecting the base of the transmitting transistor, and a second external terminal connecting the anode of the diode, and an inductor. The first external terminal is connected to the second external terminal via an inductor, and the base bias of the transmitting transistor can be set to the threshold voltage of the diode regardless of the input level of the high-frequency signal. Both output and high efficiency can be achieved. Since the transmitting transistor and the diode are built in the integrated circuit, the integrated circuit becomes thermally uniform, and the temperature of the operating current can be compensated.
【００５２】また、電圧源を固定または可変の抵抗を介
して第１または第２の外部端子に接続しており、抵抗値
を変えることにより高効率を維持しながら出力電力を調
整できる。Further, the voltage source is connected to the first or second external terminal via a fixed or variable resistor, and the output power can be adjusted while maintaining high efficiency by changing the resistance value.
【００５３】また、送信用トランジスタと送信用トラン
ジスタのベースにアノードを接続したダイオードを内蔵
しダイオードのカソードに接続した外部端子を備えた集
積回路と、インダクタを備え、外部端子は前記インダク
タを介して接地されるおり、上記効果に加えて集積回路
の外部端子数を削減できるため低コスト化を図れる。Further, an integrated circuit including a transmitting transistor and a diode having an anode connected to the base of the transmitting transistor and having an external terminal connected to the cathode of the diode, and an inductor, wherein the external terminal is connected via the inductor Since the circuit is grounded, the number of external terminals of the integrated circuit can be reduced in addition to the above effects, so that cost reduction can be achieved.
【図１】本発明の実施例１における送信アンプのブロッ
ク図FIG. 1 is a block diagram of a transmission amplifier according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施例２における送信アンプのブロッ
ク図FIG. 2 is a block diagram of a transmission amplifier according to a second embodiment of the present invention.
【図３】本発明の実施例３における送信アンプのブロッ
ク図FIG. 3 is a block diagram of a transmission amplifier according to a third embodiment of the present invention.
【図４】本発明の実施例４における送信アンプのブロッ
ク図FIG. 4 is a block diagram of a transmission amplifier according to a fourth embodiment of the present invention.
【図５】本発明の実施例５における送信アンプのブロッ
ク図FIG. 5 is a block diagram of a transmission amplifier according to a fifth embodiment of the present invention.
【図６】本発明の実施例６における送信アンプのブロッ
ク図FIG. 6 is a block diagram of a transmission amplifier according to a sixth embodiment of the present invention.
【図７】従来の送信アンプのブロック図FIG. 7 is a block diagram of a conventional transmission amplifier.
１ 送信用トランジスタ ２ ダイオード ３ 第１の外部端子 ４ 第２の外部端子 ５ インダクタ ６ 集積回路 ７ 信号源 ８ 抵抗 ９ 電源端子 １０ チョークコイル １１ 出力端子 １２ 可変抵抗 １３ 電流源 １４ 外部端子 １５ 送信アンプ ３３ 第３の高周波フィルタ素子 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Transmitting transistor 2 Diode 3 1st external terminal 4 2nd external terminal 5 Inductor 6 Integrated circuit 7 Signal source 8 Resistance 9 Power supply terminal 10 Choke coil 11 Output terminal 12 Variable resistance 13 Current source 14 External terminal 15 Transmission amplifier 33 Third high frequency filter element
Claims (6)
ダイオードを内蔵し前記送信用トランジスタのベースを
接続した第１の外部端子と前記ダイオードのアノードを
接続した第２の外部端子を備えた集積回路と、インダク
タを備え、前記第１の外部端子は前記インダクタを介し
て前記第２の外部端子に接続される送信アンプ。An integrated circuit including a transmitting transistor, a diode having a grounded cathode, and a first external terminal connected to a base of the transmitting transistor and a second external terminal connected to an anode of the diode; , An inductor, wherein the first external terminal is connected to the second external terminal via the inductor.
１または第２の外部端子に接続した請求項１記載の送信
アンプ。2. The transmission amplifier according to claim 1, wherein the voltage source is connected to the first or second external terminal via a fixed or variable resistor.
は第２の外部端子に接続した請求項１記載の送信アン
プ。3. The transmission amplifier according to claim 1, wherein the output of the fixed or variable current source is connected to the first or second external terminal.
スタのベースにアノードを接続したダイオードを内蔵し
前記ダイオードのカソードに接続した外部端子を備えた
集積回路と、インダクタを備え、外部端子は前記インダ
クタを介して接地される送信アンプ。4. An integrated circuit including a transmitting transistor, a diode having an anode connected to the base of the transmitting transistor, and an external terminal connected to the cathode of the diode, and an inductor, wherein the external terminal includes the inductor. Transmission amplifier grounded through.
イオードのアノードに接続した請求項４記載の送信アン
プ。5. The transmission amplifier according to claim 4, wherein the voltage source is connected to the anode of the diode via a fixed or variable resistor.
ドのアノードに接続した請求項４記載の送信アンプ。6. The transmission amplifier according to claim 4, wherein the output of the fixed or variable current source is connected to the anode of the diode.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13166098A JPH11330873A (en) | 1998-05-14 | 1998-05-14 | Transmission amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13166098A JPH11330873A (en) | 1998-05-14 | 1998-05-14 | Transmission amplifier |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11330873A true JPH11330873A (en) | 1999-11-30 |
Family
ID=15063256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13166098A Pending JPH11330873A (en) | 1998-05-14 | 1998-05-14 | Transmission amplifier |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11330873A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004040795A (en) * | 2002-06-28 | 2004-02-05 | Motorola Inc | Bias control for hbt power amplifier |
| JP2007312001A (en) * | 2006-05-17 | 2007-11-29 | Mitsubishi Electric Corp | Multistage differential amplifier |
| JP2019110378A (en) * | 2017-12-15 | 2019-07-04 | 株式会社デンソーテン | Amplifier circuit |
-
1998
- 1998-05-14 JP JP13166098A patent/JPH11330873A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004040795A (en) * | 2002-06-28 | 2004-02-05 | Motorola Inc | Bias control for hbt power amplifier |
| JP2007312001A (en) * | 2006-05-17 | 2007-11-29 | Mitsubishi Electric Corp | Multistage differential amplifier |
| JP2019110378A (en) * | 2017-12-15 | 2019-07-04 | 株式会社デンソーテン | Amplifier circuit |
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