KR20020047341A - A circuit of compensation temperature for power amp - Google Patents
A circuit of compensation temperature for power amp Download PDFInfo
- Publication number
- KR20020047341A KR20020047341A KR1020000075720A KR20000075720A KR20020047341A KR 20020047341 A KR20020047341 A KR 20020047341A KR 1020000075720 A KR1020000075720 A KR 1020000075720A KR 20000075720 A KR20000075720 A KR 20000075720A KR 20020047341 A KR20020047341 A KR 20020047341A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- voltage
- signal
- amplifier
- output
- control signal
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/30—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/447—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being protected to temperature influence
Abstract
Description
본 발명은 전력증폭기(Power Amplifier)의 온도 보상회로에 관한 것으로, 특히, 온도를 보상하므로써 이득(Gain)을 안정화시키는 회로에 관한 것이다.The present invention relates to a temperature compensation circuit of a power amplifier, and more particularly, to a circuit for stabilizing a gain by compensating temperature.
전력 증폭기는 신호 증폭기와 구분되는 것으로, 많은 전류를 소모하는 동시에 많은 열을 발생하고, 열이 발생하면 바이어스 저항 값이 변화하여 증폭율 또는 이득이 변화하는 문제가 있다.The power amplifier is distinguished from the signal amplifier, and consumes a lot of current and generates a lot of heat, and when heat is generated, a bias resistance value is changed to change amplification rate or gain.
따라서, 전력증폭기는 많은 열을 발생하는 동시에 온도에 민감하므로, 온도 보상회로가 필요하다.Therefore, since the power amplifier generates a lot of heat and is sensitive to temperature, a temperature compensation circuit is required.
이하, 종래 기술에 의한 파워앰프의 온도 보상 회로를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, a temperature compensation circuit of a power amplifier according to the prior art will be described with reference to the accompanying drawings.
종래 기술을 설명하기 위하여 첨부된 것으로, 도1은 종래 기술에 의한 파워앰프의 온도보상 회로도이다.It is attached to explain the prior art, Figure 1 is a temperature compensation circuit diagram of a conventional power amplifier.
상기 첨부된 도1을 참조하면, 종래 기술에 의한 파워앰프의 온도 보상회로는, 입력되는 신호를 고출력으로 증폭하여 출력하는 증폭부(10)와,Referring to FIG. 1, the temperature compensation circuit of the power amplifier according to the prior art includes: an amplifier 10 for amplifying and outputting an input signal with a high output;
상기 증폭부(10)의 콜렉터(Collector) 단자에 접속되고, 증폭되어 출력되는 신호와 정합하는 동시에 상기 증폭부(10)에 동작 전류를 공급하는 제1 저항(R1)(20)과,A first resistor (R1) 20 connected to a collector terminal of the amplifying unit 10, matching the amplified and output signal, and supplying an operating current to the amplifying unit 10;
상기 증폭부(10)의 베이스(Base) 단자에 접속되고, 바이어스(Bias) 전압을인가하는 제2 저항(R2)(30)과,A second resistor (R2) 30 connected to a base terminal of the amplifier 10 and applying a bias voltage;
상기 증폭부(10)의 베이스 단자와 접지(Ground) 또는 어스(Earth) 사이에 접속되는 동시에 상기 제2 저항(30)의 저항성분 값 비율에 의하여 상기 베이스 단자에 인가되는 바이어스 전압을 설정하는 제1 다이오드(D1)(40)와,A bias voltage connected to the base terminal of the amplifier 10 and ground or earth and for setting a bias voltage applied to the base terminal by a ratio of resistance component values of the second resistor 30; 1 diode (D1) 40,
상기 제1 내지 제2 저항(20,30)과 제1 다이오드(40)의 구성에 의하여 상기 증폭부(10)가 증폭 동작을 하도록 동작전류와 바이어스 전압을 공급하는 전원부(50)로 구성된다.The first to second resistors 20 and 30 and the first diode 40 constitute a power supply unit 50 for supplying an operating current and a bias voltage to the amplifying unit 10 to perform an amplification operation.
이하, 상기와 같은 구성의 본 발명 기술에 의한 것으로, 파워앰프의 온도 보상 회로를 상기 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the temperature compensation circuit of the power amplifier according to the present invention having the above configuration will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
상기 파워앰프의 증폭부(10)는 베이스 단자에 인가되는 신호를 고출력으로 증폭하여 출력하는 것으로, 상기 베이스 단자로 입력되는 신호는 증폭부(10)의 최저 증폭 영역인 스레솔드(Threshold) 영역과 포화(Saturation) 영역 사이의 활성영역에서 입력되는 신호만을 증폭하여 출력하는 것이다.The amplifier 10 of the power amplifier amplifies and outputs a signal applied to the base terminal at a high output, and the signal input to the base terminal includes a threshold region which is the lowest amplification region of the amplifier 10. Only a signal input from the active region between the saturation region is amplified and output.
상기와 같이 베이스 단자에 입력되는 신호가 활성영역의 적당한 위치에 인가되도록 하는 것이 바이어스 전압이며, 상기 바이어스 전압은 전원부(50)로부터 인가되는 전원전압을 제2 저항(30)과 제1 다이오드(40)의 저항값 비례에 의하여 결정된다.As described above, the bias voltage is such that the signal input to the base terminal is applied to an appropriate position of the active region, and the bias voltage is the power supply voltage applied from the power supply unit 50 to the second resistor 30 and the first diode 40. Is proportional to the resistance value proportional to
상기 제1 저항은 증폭부(10)가 순방향으로 동작하도록 하는 동시에 증폭되어 출력되는 신호의 부하(Load) 저항 기능을 한다.The first resistor allows the amplifier 10 to operate in the forward direction and at the same time serves as a load resistance of the amplified and output signal.
상기와 같은 구성의 종래 기술에 의한 파워앰프 회로는 온도가 증가하게 되면, 제2 저항(30) 값이 증가하여, 상기 증폭부(10)의 베이스 단자에 인가되는 전압이 증가되고, 따라서, 바이어스 전압이 상승하게 되며, 상기 증폭부(10)는 입력되는 신호를 활성영역에 위치시키지 못하게 되는 문제가 있었으나, 상기 다이오드(40)의 순방향으로 인가되는 일정한 전압이 상기 베이스 단자에 바이어스 전압으로 일정하게 인가되므로, 온도를 보상하는 효과가 있다.In the power amplifier circuit according to the related art having the above configuration, when the temperature is increased, the value of the second resistor 30 is increased, so that the voltage applied to the base terminal of the amplifier 10 is increased. The voltage is increased and the amplifier 10 has a problem that the input signal is not located in the active region, but a constant voltage applied in the forward direction of the diode 40 is uniformly maintained as a bias voltage at the base terminal. Since it is applied, there is an effect of compensating the temperature.
상기와 같은 구성의 종래 기술에 의한 파워앰프 온도 보상회로는, 수동(Passive) 소자로 구성되어 간단하고, 온도보상을 하는 다이오드(40) 역시 그 특성이 간단하여 회로 구성이 용이한 장점이 있으나, 증폭부(10)의 온도 상승에 의하여 콜렉터 단자에 인가되는 전류 값이 작아지므로 인한 증폭율 또는 이득이 떨어지는 것을 보상 할 수 없다는 문제가 있었다.Power amplifier temperature compensation circuit according to the prior art of the configuration as described above, is composed of a passive (Passive) element is simple, the temperature compensation diode 40 also has the advantage that the circuit configuration is easy because its characteristics are simple, As the current value applied to the collector terminal becomes smaller due to the increase in temperature of the amplifier 10, there is a problem in that the amplification ratio or the gain that is lost cannot be compensated.
본 발명은 파워앰프의 온도 변화를 감지하고, 감지된 온도 변화에 비례하는 전압신호가 출력되는 능동소자를 이용하여 파워앰프의 온도변화에 의한 바이어스 값을 보상하는 회로를 제공하는 것이 그 목적이다.It is an object of the present invention to provide a circuit that senses a temperature change of a power amplifier and compensates for a bias value caused by a temperature change of the power amplifier by using an active element that outputs a voltage signal proportional to the sensed temperature change.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 안출한 본 발명은, 파워앰프의 온도 보상회로에 있어서, 입력되는 신호를 고출력으로 증폭하여 출력하는 증폭부와; 상기 증폭부의 온도 변화를 감지하고 온도 변화에 비례하는 전압신호를 출력하는 온도감지부와; 상기 온도감지부로부터 출력되는 전압신호를 소정의 크기로 증폭하고 제어신호로 출력하는 전압증폭부와; 상기 전압증폭부로부터 입력되는 제어신호와 외부로부터 인가되는 기준신호를 비교하여 상기 증폭부의 바이어스 전압 제어신호로 출력하는 동시에 일정한 레벨 이상의 전압 제어신호가 출력되지 못하도록 하는 제한부로 이루어지는 파워앰프의 온도보상 회로를 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a temperature compensation circuit of a power amplifier, comprising: an amplifier for amplifying and outputting an input signal with a high output; A temperature sensing unit for sensing a temperature change of the amplifier and outputting a voltage signal proportional to the temperature change; A voltage amplifier for amplifying the voltage signal output from the temperature sensing unit to a predetermined magnitude and outputting the signal as a control signal; The temperature compensation circuit of the power amplifier comprising a limiter which compares a control signal input from the voltage amplifier and a reference signal applied from the outside and outputs it as a bias voltage control signal of the amplifier and prevents output of a voltage control signal above a certain level. It is characterized by.
도1은 종래 기술에 의한 파워앰프의 온도보상 회로도이고,1 is a temperature compensation circuit diagram of a power amplifier according to the prior art,
도2 는 본 발명 기술에 의한 파워앰프 온도보상회로의 기능 블록도이며,2 is a functional block diagram of a power amplifier temperature compensation circuit according to the present invention;
도3 은 본 발명 기술에 의한 파워앰프 온도보상회로의 상세 기능 블록도이고,3 is a detailed functional block diagram of a power amplifier temperature compensation circuit according to the present invention;
도4 는 본 발명 기술에 의한 파워앰프의 온도보상회로 제어전압 변화 상태도 이다.4 is a state diagram of a control voltage change of the temperature compensation circuit of the power amplifier according to the present invention.
** 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 **** Explanation of symbols on the main parts of the drawing **
10 : 100 : 증폭부20 : 제1 저항10: 100: amplifier 20: first resistor
30 : 제2 저항40 : 제1 다이오드30: second resistor 40: first diode
50 : 전원부200 : 온도감지부50: power supply unit 200: temperature detection unit
300 : 전압증폭부310 : 제3 저항300: voltage amplifier 310: third resistor
320 : 제4 저항330 : 제1 오피 앰프320: fourth resistor 330: first op amp
400 : 제한부410 : 입력저항400: limiting unit 410: input resistance
420 : 부하저항430 : 제2 오피 앰프420: load resistance 430: second op amp
450 : 제2 다이오드460 : 제3 다이오드450: second diode 460: third diode
이하, 본 발명의 기술에 의한 파워앰프의 온도 보상회로를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, a temperature compensation circuit of a power amplifier according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
본 발명의 기술을 설명하기 위하여 첨부된 것으로, 도2 는 본 발명 기술에 의한 파워앰프 온도보상회로의 기능 블록도이며, 도3 은 본 발명 기술에 의한 파워앰프 온도보상회로의 상세 기능 블록도이고, 도4 는 본 발명 기술에 의한 파워앰프의 온도보상회로 제어전압 변화 상태도 이다.2 is a functional block diagram of a power amplifier temperature compensation circuit according to the present invention, and FIG. 3 is a detailed functional block diagram of a power amplifier temperature compensation circuit according to the present invention. 4 is a state diagram of control voltage variation of a temperature compensation circuit of a power amplifier according to the present invention.
상기 첨부된 도2를 참조하면, 본 발명 기술에 의한 파워앰프의 온도 보상회로는, 입력되는 신호를 고출력(High Power)으로 증폭하여 출력하는 증폭부(100)와,Referring to FIG. 2, the temperature compensation circuit of the power amplifier according to the present invention includes: an amplifier 100 for amplifying and outputting an input signal at high power;
상기 증폭부(100)의 온도 변화를 감지하고, 온도 변화에 선형적으로 비례하는 전압신호를 출력하는 온도감지부(200)와,A temperature sensing unit 200 for sensing a temperature change of the amplifying unit 100 and outputting a voltage signal linearly proportional to the temperature change;
상기 온도감지부(200)로부터 온도 변화에 선형적으로 비례하여 출력되는 전압신호를 입력받고 소정의 크기로 증폭하여 제어신호(VS)로 출력하는 것으로써, 상기 온도감지부(200)로부터 출력되는 전압신호를 비반전 단자(+)로 입력하여 소정의 크기로 증폭하는 제1 오피(OP: Operational) 앰프(330); 상기 오피 앰프(330)의 증폭율을 결정하는 제3 저항(R3)(310) 및 제4 저항(R4)(320)으로 이루어져 구성되는 전압증폭부(300)와,The voltage signal output from the temperature sensor 200 is linearly proportional to the temperature change, is amplified to a predetermined magnitude and output as a control signal VS, which is output from the temperature sensor 200. A first operational amplifier (OP) 330 for inputting a voltage signal to the non-inverting terminal (+) and amplifying the voltage signal to a predetermined magnitude; A voltage amplification unit 300 including a third resistor (R3) 310 and a fourth resistor (R4) 320 for determining an amplification ratio of the op amp 330;
상기 전압증폭부(300)로부터 입력되는 제어신호(VS)와 외부로부터 인가되는기준신호(VG)를 비교하여 상기 증폭부(100)의 바이어스(Bias) 전압 제어신호(VO)로 출력하는 동시에 일정한 레벨(Level) 이상의 전압 제어신호(VO)가 출력되지 못하도록 제한하는 것으로, 상기 전압증폭부(300)로부터 출력되는 제어신호(VS)를 입력받는 입력저항(R5)(410); 상기 입력저항(410)을 통하여 인가된 제어신호(VS)를 반전단자(-)로 입력하고, 외부로부터 인가되는 기준신호(VG)를 비반전단자(+)로 입력하여 비교한 차이값을 소정의 크기로 증폭 한 후 출력하는 제2 오피 앰프(430); 상기 제2 오피 앰프(430)로부터 출력되는 신호를 일 방향으로 출력되도록 하는 제2 다이오드(D2)(450); 상기 제2 오피 앰프(430)로부터 출력되는 신호를 전압신호로 변환하는 부하저항(R6)(420); 상기 부하저항(420)에 의하여 출력되는 전압 제어신호가 소정의 레벨 이상이 되지 못하도록 제너 다이오드를 이용하여 제한(Limiting)하는 제3 다이오드(D3)(460)로 이루어져 구성되는 제한부(400)로 구성된다.The control signal VS input from the voltage amplifying part 300 and the reference signal VG applied from the outside are compared and output as a bias voltage control signal VO of the amplifying part 100. An input resistor (R5) 410 for restricting the output of the voltage control signal VO above a level, and receiving a control signal VS output from the voltage amplifier 300; The control signal VS applied through the input resistor 410 is input to the inverting terminal (-), and the reference signal VG applied from the outside is input to the non-inverting terminal (+) to compare the difference value. A second op amp 430 output after amplifying to a size of? A second diode (D2) 450 for outputting a signal output from the second op amp 430 in one direction; A load resistor (R6) 420 for converting a signal output from the second op amp 430 into a voltage signal; The limiter 400 includes a third diode (D3) 460 for limiting the voltage control signal output by the load resistor 420 by using a zener diode to prevent the voltage control signal from being higher than a predetermined level. It is composed.
이하, 상기와 같은 구성의 본 발명 기술에 의한 파워앰프의 온도 보상회로를 첨부된 도2 내지 도4를 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the temperature compensation circuit of the power amplifier according to the present invention having the above configuration will be described in detail with reference to FIGS. 2 to 4.
상기 증폭부(100)는 일 예로서, MOS FET로 이루어지는 고출력 증폭기이며, 고출력을 발생하므로써, 출력에너지가 열로 전환되어 증폭기의 온도를 증가시키고, 바이어스 전류는 온도와 반비례하는 특성에 의하여 온도가 상승할수록 점차 전류가 떨어지고, 증폭율 또는 이득(Gain)이 떨어지므로, 온도의 변화에 대한 바이어스 전압을 변화시켜줄 필요가 있다.The amplification unit 100 is, for example, a high output amplifier made of a MOS FET, and by generating a high output, the output energy is converted into heat to increase the temperature of the amplifier, and the bias current is increased in temperature due to a property inversely proportional to the temperature. As the current gradually decreases and the amplification rate or gain falls, it is necessary to change the bias voltage against the change in temperature.
상기 도2 내지 도3을 참조하면, 온도감지부(200)는 상온 또는 실내온도에서 일정한 전압을 출력하고, 온도가 증가하면, 선형적으로 출력전압이 증가하는 기능을 한다.2 to 3, the temperature sensing unit 200 outputs a constant voltage at room temperature or room temperature, and when the temperature increases, the output voltage increases linearly.
상기 온도감지부(200)에서 출력되는 전압신호는 레벨(Level)이 작으므로, 상기 전압증폭부(300)에 의하여 증폭된다.Since the voltage signal output from the temperature sensing unit 200 has a small level, it is amplified by the voltage amplifier 300.
상기 전압증폭부는 오피(OP) 증폭기로 이루어지는 제1 OP 앰프(330)와 제3 저항(R3)(310) 및 제4 저항(R4)(320)으로 이루어지는 것으로, 상기 제1 OP 앰프(330)의 증폭율은 다음과 같은 식에 의하여 증폭율이 결정되며, 비반전(+)단자를 통하여 입력된 신호를 반전(-)단자에 연결된 상기 제3 저항(R3)(310)과 제4 저항(R4)(320)의 비율에 의하여 결정된 증폭율로 증폭하고 제어신호(VS)로써 출력한다.The voltage amplifier includes a first OP amplifier 330 formed of an OP amplifier, a third resistor R3 310, and a fourth resistor R4 320, and the first OP amplifier 330. The amplification rate of the amplification rate is determined by the following equation, the third resistor (R3) 310 and the fourth resistor (R3) connected to the inverting (-) terminal of the signal input through the non-inverting (+) terminal ( It amplifies at an amplification rate determined by the ratio of R4) 320 and outputs it as a control signal VS.
[식 1][Equation 1]
출력(Vout) = [ 1 + R3/R4 ] * Vin = VSOutput (Vout) = [1 + R3 / R4] * Vin = VS
Vin : 온도감지부(200)로부터 출력되는 전압신호Vin: voltage signal output from the temperature sensing unit 200
VS : 전압증폭부(300)로부터 출력되는 제어신호VS: control signal output from the voltage amplifier 300
상기와 같은 식에 의하여 증폭율이 결정되는 제1 OP 앰프(330)로부터 출력되는 제어신호(VS)는 제한부(400)에 입력되어 전압 제어신호(VO)로 출력된다.The control signal VS output from the first OP amplifier 330 whose amplification factor is determined by the above equation is input to the limiting unit 400 and output as the voltage control signal VO.
상기 제한부(400)는 입력되는 제어신호(VS)를 입력저항(R5)(410)에 의하여 입력받고, 제2 OP 앰프(430)의 반전(-) 단자에 입력하며, 비반전(+) 단자로는 외부로부터 인가되는 기준신호(VG)가 입력된다.The limiting unit 400 receives the input control signal VS by the input resistors R5 and 410, and inputs the control signal VS to the inverting (−) terminal of the second OP amplifier 430. The terminal receives a reference signal VG applied from the outside.
상기 기준신호(VG)는 상기 고출력 증폭부(100)에 인가되는 바이어스 전압의 기준신호로 사용되는 것으로서, 상기 제2 OP 앰프(430)에 의하여 제어신호(VS)와 비교되는 것으로, 다음 식과 같이, 제어신호(VS)가 기준신호(VG) 보다 레벨이 클 경우는 제어신호(VS)를 출력하고, 제어신호(VS)가 기준신호(VG) 보다 레벨이 작을 경우는 기준신호(VG)를 출력한다.The reference signal VG is used as a reference signal of a bias voltage applied to the high output amplifier 100, and is compared with a control signal VS by the second OP amplifier 430, as follows. If the control signal VS is higher than the reference signal VG, the control signal VS is output. If the control signal VS is lower than the reference signal VG, the control signal VS is output. Output
[식 2][Equation 2]
VS < VG 이면, VO = VGIf VS <VG, then VO = VG
VS > VG 이면, VO = (VS * R6) / (R6 + R5) ≒ VSIf VS> VG, then VO = (VS * R6) / (R6 + R5) ≒ VS
단; R6>R5only; R6> R5
상기와 같은 식이 적용되는 제2 OP 앰프(430)로부터 출력되는 신호는 제2 다이오드(D2)(450)에 의하여 일 방향으로 출력되고, 제너다이오드인 제3 다이오드(D3)(460)에 의하여, 일정한 레벨 이상의 전압신호가 출력되지 못하도록 제한(Limit)되어, 전압제어신호(VO)로서 출력된다.The signal output from the second OP amplifier 430 to which the above equation is applied is output in one direction by the second diode (D2) 450 and by the third diode (D3) 460 which is a zener diode, The voltage signal above a certain level is limited so as not to be output, and is output as the voltage control signal VO.
상기와 같이 제한부(400)로부터 출력되는 전압 제어신호(VO)는 증폭부(100)의 바이어스 전압신호로 인가된다.As described above, the voltage control signal VO output from the limiter 400 is applied as a bias voltage signal of the amplifier 100.
좀더 상세히 설명하면, 상기 공급전압(VDD)로부터 전원을 인가받고 동작하는 증폭부(100)의 온도가 상승하면, 상기 해당 공급전원(VCC)로부터 전원을 인가받고 동작하는 온도감지부(200)에서 감지하여 온도 상승에 비례하는 전압신호를 출력하고, 전압증폭부(300)에 의하여 소정의 레벨로 증폭된 후, 제어신호(VS)로써 제한부(400)에 출력된다.In more detail, when the temperature of the amplifier 100 that receives power from the supply voltage VDD increases and operates, the temperature sensing unit 200 receives power from the corresponding supply power VCC. After sensing and outputting a voltage signal proportional to the temperature rise, and amplified to a predetermined level by the voltage amplifier 300, it is output to the limiting unit 400 as a control signal VS.
상기 제한부(400)는 제어신호(VS)와 외부로부터 고정되어 인가되는 기준신호(VG)를 각각 입력받고, 비교하여 레벨이 큰 신호를 출력한다.The limiting unit 400 receives a control signal VS and a reference signal VG which is fixedly applied from the outside, and outputs a signal having a large level by comparing them.
즉, 제어신호(VS)의 레벨이 기준신호(VG)의 레벨보다 작으면, 상기 증폭부(100)의 온도가 상승하지 않았다는 것으로, 상기 증폭부(10)의 증폭율을 일정하게 유지하기 위하여, 기준신호(VG)를 증폭부(100)의 바이어스 전압 신호로 출력하고, 제어신호(VS)의 레벨이 기준신호(VG)의 레벨보다 크면, 상기 증폭부(100)의 온도가 상승하였다는 것으로, 상기 증폭부(100)의 증폭율을 높이기 위하여 바이어스 전압을 높이어야 하며, 따라서, 상기 기준신호(VG)보다 레벨이 높은 제어신호(VS)를 전압 제어신호(VO)로써 상기 증폭부(100)에 출력한다.That is, when the level of the control signal VS is smaller than the level of the reference signal VG, the temperature of the amplifying unit 100 does not increase, so that the amplification ratio of the amplifying unit 10 is kept constant. When the reference signal VG is output as a bias voltage signal of the amplifier 100 and the level of the control signal VS is greater than the level of the reference signal VS, the temperature of the amplifier 100 is increased. In order to increase the amplification ratio of the amplifier 100, the bias voltage must be increased. Accordingly, the control signal VS having a level higher than that of the reference signal VG is used as the voltage control signal VO. To 100).
상기와 같이 제한부(400)로부터 출력되는 전압 제어신호(VO)는 일정한 레벨 이상이 되는 경우, 즉, 증폭부(100)의 증폭율을 계속 높게 하는 경우, 상기 증폭부(100)가 포화(Saturation) 상태가 되어 정상적인 동작을 하지 못하게 되므로, 상기 증폭부(100)가 최대의 증폭율 이상이 되지 못하도록 제한하기 위하여, 제너다이오드인 제3 다이오드(D3)(460)를 사용하므로써, 출력되는 전압 제어신호(VO)의 레벨을 제한한다.As described above, when the voltage control signal VO output from the limiting unit 400 is equal to or higher than a predetermined level, that is, when the amplification rate of the amplifying unit 100 is continuously increased, the amplifying unit 100 is saturated ( In order to restrict the amplification unit 100 from exceeding the maximum amplification rate, since it is in a saturation state, the voltage outputted by using the third diode (D3) 460 which is a zener diode Limit the level of the control signal VO.
상기와 같이 제한부(400)에서 출력되고 증폭부(100)에 인가되는 것으로, 바이어스 전압을 위한 전압 제어신호(VO) 출력 범위는 첨부된 도4에 도시된 것과 같다.As described above, it is output from the limiting unit 400 and applied to the amplifying unit 100, and the voltage control signal VO output range for the bias voltage is as shown in FIG. 4.
따라서, 상기 증폭부(100)는 상온에서 설정된 또는 설계단계에서 설정된 증폭율을, 온도가 증가하여 변화하여도 일정하게 유지할 수 있게 된다.Therefore, the amplification unit 100 can maintain the amplification rate set at room temperature or set in the design stage even when the temperature increases and changes.
상기와 같은 구성의 본 발명은, 입력되는 신호를 고출력으로 증폭하는 증폭부에 있어서, 온도가 상승하여도 설정된 증폭율이 저하되지 않는 온도 보상의 효과가 있다.The present invention having the above-described configuration has an effect of temperature compensation in which the set amplification factor does not decrease even when the temperature rises in the amplifying unit that amplifies the input signal with high output.
또한, 증폭부에서 일정한 증폭율을 유지하므로, 제품의 신뢰도를 제고시키는 효과가 있다.In addition, since the amplification unit maintains a constant amplification rate, there is an effect of improving the reliability of the product.
Claims (3)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020000075720A KR20020047341A (en) | 2000-12-13 | 2000-12-13 | A circuit of compensation temperature for power amp |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020000075720A KR20020047341A (en) | 2000-12-13 | 2000-12-13 | A circuit of compensation temperature for power amp |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20020047341A true KR20020047341A (en) | 2002-06-22 |
Family
ID=27681282
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020000075720A KR20020047341A (en) | 2000-12-13 | 2000-12-13 | A circuit of compensation temperature for power amp |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20020047341A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8183928B2 (en) | 2010-06-11 | 2012-05-22 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | CMOS power amplifier and temperature compensation circuit thereof |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5107389A (en) * | 1989-05-22 | 1992-04-21 | Sgs-Thomson Microelectronics S.R.L. | Circuit for limiting temperature without distortion in audio power amplifiers |
JPH05299955A (en) * | 1992-04-21 | 1993-11-12 | Nec Corp | Automatic gain control circuit |
KR960012788U (en) * | 1994-09-14 | 1996-04-17 | Current amplifier circuit with temperature compensation | |
JPH09116344A (en) * | 1995-10-19 | 1997-05-02 | Mitsumi Electric Co Ltd | Level control circuit and semiconductor device |
JPH09172336A (en) * | 1995-12-20 | 1997-06-30 | Hitachi Denshi Ltd | Radio equipment |
KR19990007956A (en) * | 1995-04-21 | 1999-01-25 | 밀러 럿셀 비 | Temperature Compensation Automatic Gain Control |
US5994961A (en) * | 1997-12-08 | 1999-11-30 | Motorola, Inc. | Temperature compensated decibel linear variable gain amplifier |
US6014059A (en) * | 1997-04-21 | 2000-01-11 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson | Power amplifier and method therein |
KR20000012807U (en) * | 1998-12-21 | 2000-07-15 | 서평원 | Output signal automatic level control device of transmitter |
KR20000066140A (en) * | 1999-04-13 | 2000-11-15 | 김영환 | Apparatus for error compensation as to transmittion power of mobile communication terminal |
-
2000
- 2000-12-13 KR KR1020000075720A patent/KR20020047341A/en not_active Application Discontinuation
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5107389A (en) * | 1989-05-22 | 1992-04-21 | Sgs-Thomson Microelectronics S.R.L. | Circuit for limiting temperature without distortion in audio power amplifiers |
JPH05299955A (en) * | 1992-04-21 | 1993-11-12 | Nec Corp | Automatic gain control circuit |
KR960012788U (en) * | 1994-09-14 | 1996-04-17 | Current amplifier circuit with temperature compensation | |
KR19990007956A (en) * | 1995-04-21 | 1999-01-25 | 밀러 럿셀 비 | Temperature Compensation Automatic Gain Control |
JPH09116344A (en) * | 1995-10-19 | 1997-05-02 | Mitsumi Electric Co Ltd | Level control circuit and semiconductor device |
JPH09172336A (en) * | 1995-12-20 | 1997-06-30 | Hitachi Denshi Ltd | Radio equipment |
US6014059A (en) * | 1997-04-21 | 2000-01-11 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson | Power amplifier and method therein |
US5994961A (en) * | 1997-12-08 | 1999-11-30 | Motorola, Inc. | Temperature compensated decibel linear variable gain amplifier |
KR20000012807U (en) * | 1998-12-21 | 2000-07-15 | 서평원 | Output signal automatic level control device of transmitter |
KR20000066140A (en) * | 1999-04-13 | 2000-11-15 | 김영환 | Apparatus for error compensation as to transmittion power of mobile communication terminal |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8183928B2 (en) | 2010-06-11 | 2012-05-22 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | CMOS power amplifier and temperature compensation circuit thereof |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5404585A (en) | Power detector that employs a feedback circuit to enable class B operation of a detector transistor | |
US6369554B1 (en) | Linear regulator which provides stabilized current flow | |
US4760347A (en) | Controlled-output amplifier and power detector therefor | |
KR101278951B1 (en) | Mixed type frequency compensating circuit, control circuit, dc-dc converter and method of controlling the same | |
US7342454B2 (en) | Analog multistage amplification circuit in the field of sensor | |
KR940027352A (en) | Transceiver | |
CN109917846B (en) | Voltage stabilizing circuit, semiconductor device, and power supply device | |
US6667660B2 (en) | Temperature sensor and circuit configuration for controlling the gain of an amplifier circuit | |
JPH09121125A (en) | Bias current control circuit for amplifier | |
US5936470A (en) | Audio amplifier having linear gain control | |
KR20020047341A (en) | A circuit of compensation temperature for power amp | |
US20050225394A1 (en) | Automatic current reduction biasing technique for RF amplifier | |
EP0460273A1 (en) | Gain stabilizing amplifier | |
US6339702B1 (en) | Output power detection circuit of transmitter | |
JPH0629751A (en) | Temperature compensated amplifier | |
KR20060122492A (en) | Power sensible circuit for power amplifier | |
KR100309554B1 (en) | The control current generating circuit of the amplifier | |
JPH0330097A (en) | Photoelectric smoke sensor | |
JP2915442B2 (en) | Automatic gain control method | |
US20030174011A1 (en) | Method of stabilization of operating conditions in electronic devices | |
KR950009922B1 (en) | Apparatus of signal compensation for detectors | |
KR100190852B1 (en) | Hysteresis circuit for receive signal level detector | |
US20240061053A1 (en) | Sensor device | |
KR100834251B1 (en) | An amplifier for use in a mobile phone | |
US8860510B2 (en) | Bias control for push-pull amplifier arrangement |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
N231 | Notification of change of applicant | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E601 | Decision to refuse application |