KR20020035301A - apparatus for cleaning a wafer in a semiconductor fabricating - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체 제조를 위한 웨이퍼 세정 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼의 이송을 포함하는 세정을 수행할 때 헤파 필터(HEPA filter)를통하여 배스(bath)를 포함하는 세정부 주변에 정화된 공기를 제공하는 반도체 제조를 위한 웨이퍼 세정 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer cleaning apparatus for semiconductor manufacturing, and more particularly, purifying around a cleaning section including a bath through a HEPA filter when performing cleaning including wafer transfer. A wafer cleaning apparatus for semiconductor manufacturing providing air.
근래에 컴퓨터와 같은 정보 매체의 급속한 보급에 따라 반도체 장치도 비약적으로 발전하고 있다. 그 기능 면에 있어서, 상기 반도체 장치는 고속으로 동작하는 동시에 대용량의 저장 능력을 가질 것이 요구된다. 이러한 요구에 부응하여 반도체 장치는 집적도, 신뢰도 및 응답 속도 등을 향상시키는 방향으로 제조 기술이 발전되고 있다. 상기 반도체 장치는 파티클을 포함하는 오염 물질에 심각한 영향을 받기 때문에 상기 반도체 장치를 제조할 때 상기 오염 물질에 대한 관리가 엄격하게 요구되고 있다.In recent years, with the rapid spread of information media such as computers, semiconductor devices are also rapidly developing. In terms of its function, the semiconductor device is required to operate at a high speed and to have a large storage capacity. In response to such demands, manufacturing techniques have been developed for semiconductor devices to improve the degree of integration, reliability, and response speed. Since the semiconductor device is severely affected by contaminants including particles, it is strictly required to manage the contaminants when manufacturing the semiconductor device.
그러나 상기 오염 물질을 엄격하게 관리함에도 불구하고 상기 반도체 장치로 제조하기 위한 웨이퍼 표면에 상기 오염 물질이 흡착되는 경우가 빈번하게 발생한다. 따라서 상기 반도체 장치의 제조 전반을 걸쳐 상기 오염 물질을 제거하기 위한 세정을 수행한다. 상기 세정은 세정액을 수용하는 배스를 포함하는 세정 장치를 사용한다.However, despite the strict management of the contaminants, the contaminants are frequently adsorbed on the wafer surface for manufacturing with the semiconductor device. Thus, cleaning is performed to remove the contaminants throughout the manufacture of the semiconductor device. The cleaning uses a cleaning apparatus including a bath containing a cleaning liquid.
상기 세정 장치에 대한 일 예는 길레스(Giles et al.) 등에게 허여된 미합중국 특허 제4,924,890호에 개시되어 있다.An example of such a cleaning apparatus is disclosed in US Pat. No. 4,924,890 to Giles et al.
도 1은 종래의 반도체 제조를 위한 웨이퍼 세정 장치를 설명하기 위한 구성도이다.1 is a block diagram illustrating a conventional wafer cleaning apparatus for semiconductor manufacturing.
도 1을 참조하면, 도시된 장치는 세정액을 수용하는 배스(10)를 포함한다. 따라서 웨이퍼를 배스(10)에 수용된 세정액에 담그어서 세정을 수행한다. 이때 상기 세정액은 주로 물이 사용된다.Referring to FIG. 1, the illustrated apparatus includes a bath 10 containing a cleaning liquid. Therefore, the wafer is immersed in the cleaning liquid contained in the bath 10 to perform the cleaning. At this time, the cleaning solution is mainly used water.
그리고 상기 배스(10)가 설치되는 상측에는 헤파 필터(12)가 구비되어 있다. 따라서 상기 헤파 필터(12)를 통하여 상기 배스(10)가 설치된 주변에 정화된 공기를 제공한다. 이는 상기 웨이퍼를 세정할 때는 물론이고, 세정을 위하여 상기 웨이퍼를 배스(10)로 이송하거나 또는 배스(10) 밖으로 이송시킬 때 상기 정화된 공기를 제공함으로서 상기 세정을 위한 전체적인 공정에서 상기 웨이퍼 표면에 이물질이 흡착되는 것을 방지하기 위함이다.And the HEPA filter 12 is provided in the upper side where the bath 10 is installed. Therefore, the HEPA filter 12 provides purified air to the surroundings in which the bath 10 is installed. This may be applied to the surface of the wafer in the overall process for cleaning by providing the purified air as well as when cleaning the wafer and when transporting the wafer to the bath 10 for cleaning or out of the bath 10. This is to prevent foreign substances from adsorbing.
그리고 상기 배스(10)가 설치된 측부에는 상기 헤파 필터(12)를 통하여 제공되는 정화된 공기를 배기하는 배기부(14)가 구비되어 있다. 따라서 상기 헤파 필터(12)를 통하여 상기 배스(10)가 설치된 주변에 제공되는 공기를 외부로 배기시킨다. 이때 상기 공기는 상기 배스(10) 주변에 포함된 오염 물질을 제거한 다음 상기 오염 물질이 포함된 상태로 배기된다.In addition, an exhaust part 14 for exhausting the purified air provided through the HEPA filter 12 is provided at the side portion where the bath 10 is installed. Therefore, the air provided around the bath 10 is installed through the HEPA filter 12 to the outside. At this time, the air is removed after the contaminants contained around the bath 10 are exhausted with the contaminants included.
그러나 상기 배기부(14)를 통하여 배기되는 공기는 상기 배스(10)가 위치하는 부위에서 순간적인 와류 현상을 일으킨다. 이는 상기 배기가 수직에 가깝게 배기되는 배기 경로를 갖기 때문이다. 그리고 상기 와류 현상이 일어나는 영역은 상기 배스(10)가 설치된 주변으로서 세정이 직접 수행되는 영역이다.However, the air exhausted through the exhaust 14 causes a momentary vortex at the location where the bath 10 is located. This is because the exhaust has an exhaust path that exhausts near vertical. The region in which the vortex phenomenon occurs is a region in which the washing is directly performed as the periphery of the bath 10.
따라서 상기 역류로 인하여 상기 배스 부근까지 오염 물질이 포함된 공기가 제공될 수 있다. 이에 따라 상기 공기가 세정이 이루어지는 웨이퍼와 접촉할 수 있는 상황이 빈번하게 발생하고, 상기 웨이퍼와 접촉할 경우 불량 소스로 작용하는 문제점이 있다.Thus, the backflow may provide air containing contaminants to the vicinity of the bath. Accordingly, a situation in which the air may come into contact with the wafer to be cleaned frequently occurs, and when the air comes into contact with the wafer, there is a problem of acting as a defective source.
본 발명의 목적은, 배스를 사용한 세정에서 제공되는 공기를 배기하는 도중에 발생하는 와류 현상을 최소화하기 위한 반도체 제조를 위한 세정 장치를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a cleaning apparatus for semiconductor manufacturing for minimizing vortex phenomena occurring during exhaust of air provided in cleaning using a bath.
도 1은 종래의 반도체 제조를 위한 웨이퍼 세정 장치를 설명하기 위한 구성도이다.1 is a block diagram illustrating a conventional wafer cleaning apparatus for semiconductor manufacturing.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조를 위한 웨이퍼 세정 장치를 설명하기 위한 구성도이다.2 is a block diagram illustrating a wafer cleaning apparatus for manufacturing a semiconductor according to an embodiment of the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
10, 20a : 배스 12, 22a : 헤파 필터10, 20a: Bath 12, 22a: Hepa filter
14, 24 : 배기부 20 : 세정부14, 24: exhaust 20: cleaning
20b : 이송 부재 22 : 공기 제공부20b: conveying member 22: air supply unit
22b : 공기 제공 부재 24a : 배기 라인22b: air supply member 24a: exhaust line
24b : 배기 부재 26 : 포트24b: exhaust member 26: port
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 제조를 위한 세정 장치는, 반도체 웨이퍼를 세정하는 세정액을 수용하는 배스를 포함하고, 상기 세정액에 상기 웨이퍼를 담그어 세정하는 세정부와, 상기 세정부 상측에 설치되는 헤파 필터를 포함하고, 상기 헤파 필터를 통하여 상기 세정부 주변 영역에 정화된 공기를 제공하여 상기 세정부 주변에 존재하는 오염 물질을 제거하는 공기 제공부와, 상기 세정부 하측에 설치되는 배기 라인을 포함하고, 상기 세정부 주변에 제공되고, 상기 오염 물질을 제거한 공기를 상기 세정부 하측으로부터 외부로 배기하기 위한 배기부를 포함한다.The cleaning apparatus for manufacturing a semiconductor of the present invention for achieving the above object includes a bath containing a cleaning liquid for cleaning a semiconductor wafer, the cleaning unit for dipping and cleaning the wafer in the cleaning liquid, and installed above the cleaning unit And a hepatic filter, wherein the air providing unit removes contaminants present around the cleaning unit by providing purified air to the area around the cleaning unit through the HEPA filter, and an exhaust line installed under the cleaning unit. And an exhaust part provided around the cleaning part and configured to exhaust air from which the contaminant has been removed to the outside from the lower part of the cleaning part.
상기 세정부는 상기 웨이퍼를 이송하는 이송 부재를 포함하고, 상기 이송 부재는 상기 웨이퍼를 파지하여 상기 세정부에 담그고, 꺼집어 내는 작동을 수행하는데, 이때 상기 웨이퍼를 다수매로 파지하는 구성을 갖는다.The cleaning unit includes a transfer member for transferring the wafer, and the transfer member grips the wafer, dips it into the cleaning unit, and performs an operation of taking out the wafer, wherein the wafer has a plurality of wafers. .
상기 공기 제공부는 상기 헤파 필터를 통하여 상기 세정부에 정화된 공기를 강제로 제공하는 공기 제공 부재를 포함하고, 상기 배기부는 상기 세정부 주변에 제공되는 공기를 강제로 배기하는 배기 부재를 포함하고, 상기 배기부의 배기 라인에는 상기 배기부를 통하여 배기되는 공기가 응축되어 형성되는 응축수를 외부로배기하기 위한 포트가 설치된다.The air providing unit includes an air providing member for forcibly providing the purified air to the cleaning unit through the HEPA filter, the exhaust unit includes an exhaust member for forcibly exhausting the air provided around the cleaning unit, The exhaust line of the exhaust portion is provided with a port for exhausting the condensed water formed by condensation of air exhausted through the exhaust portion to the outside.
이에 따라 상기 헤파 필터를 통하여 제공되는 공기가 상기 배스 하측을 따라 배기되는 배기 경로를 갖기 때문에 상기 배기로 인한 와류 현상의 발생을 최소화할 수 있다. 또한 상기 배기가 이루어지는 영역이 상기 배스의 하측 영역이기 때문에 상기 와류가 발생하더라도 상기 배기되는 공기가 상기 배스가 설치된 영역까지 역류하는 것을 방지할 수 있다.Accordingly, since the air provided through the HEPA filter has an exhaust path exhausted along the lower side of the bath, it is possible to minimize the occurrence of vortex phenomena due to the exhaust. In addition, since the area where the exhaust air is generated is the lower area of the bath, even if the vortex occurs, the exhaust air can be prevented from flowing back to the area where the bath is installed.
따라서 상기 헤파 필터를 통하여 배스로 제공되는 공기를 무리없이 배기시킴으로서 웨이퍼의 세정을 안정적으로 수행할 수 있다.Therefore, it is possible to stably clean the wafer by exhausting air provided to the bath through the HEPA filter without difficulty.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면에 따라서 더욱 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 제조를 위한 웨이퍼 세정 장치를 설명하기 위한 구성도이다.2 is a block diagram illustrating a wafer cleaning apparatus for manufacturing a semiconductor according to an embodiment of the present invention.
도 2를 참조하면, 도시된 장치에는 웨이퍼를 세정하는 세정액이 수용되는 배스(20a)를 포함하는 세정부(20)가 구비되어 있다. 상기 세정부(20)는 상기 웨이퍼를 세정액에 담그어서 세정한다. 이때 상기 세정부(20)는 웨이퍼를 파지하여 이송하는 이송 부재(20b)를 포함한다. 따라서 상기 이송 부재(20b)를 사용하여 상기 웨이퍼를 파지하여 상기 배스(20a)로 이송한 다음 상기 배스(20a)에 담그고, 일정 시간이 경과한 후 상기 웨이퍼를 꺼집어 내는 세정을 수행한다. 이때 상기 이송 부재(20b)는 상기 웨이퍼를 25매 또는 50매와 같이 다수매로 파지하는 구성을 갖는다. 때문에 로봇암(robot arm) 등이 상기 이송 부재에 해당된다.Referring to FIG. 2, the illustrated apparatus includes a cleaning unit 20 including a bath 20a containing a cleaning liquid for cleaning a wafer. The cleaning unit 20 cleans the wafer by immersing the wafer in a cleaning liquid. At this time, the cleaning unit 20 includes a transfer member 20b for holding and transferring the wafer. Therefore, the wafer is gripped using the transfer member 20b, transferred to the bath 20a, and then immersed in the bath 20a. After a predetermined time has elapsed, the wafer is taken out. At this time, the transfer member 20b has a configuration in which a plurality of the wafers are held, such as 25 or 50 sheets. Therefore, a robot arm or the like corresponds to the transfer member.
그리고 상기 배스(20a)의 상측에는 상기 헤파 필터(22a)를 포함하는 공기 제공부(22)가 구비되어 있다. 상기 공기 제공부(22)는 상기 배스(20a)를 사용하여 세정을 수행하거나 상기 세정을 위하여 상기 웨이퍼를 이송하는 도중에 상기 배스(20a)가 설치된 주변에 정화된 공기를 제공한다. 이때 상기 헤파 필터(22a)를 통하여 제공되는 공기는 강제로 제공하기 때문에 상기 공기 제공부(22)는 팬(fan)과 같은 구성을 갖는 공기 제공 부재(22b)를 포함한다. 이러한 정화된 공기의 제공은 상기 세정을 수행하는 도중에 상기 웨이퍼에 오염 물질이 흡착되는 것을 방지하고, 상기 웨이퍼에 흡착된 오염 물질을 제거하기 위함이다.An air providing unit 22 including the hepa filter 22a is provided above the bath 20a. The air providing unit 22 provides purified air to the periphery where the bath 20a is installed while performing cleaning using the bath 20a or transferring the wafer for the cleaning. At this time, since the air provided through the hepa filter 22a is forcibly provided, the air providing unit 22 includes an air providing member 22b having a configuration such as a fan. The provision of such purified air is for preventing contaminants from adsorbing to the wafer during the cleaning and for removing contaminants adsorbed on the wafer.
상기 배스(20a)의 하측에는 배기 라인(24a)을 포함하는 배기부(24)가 구비되어 있다. 상기 배기부(24)는 상기 헤파 필터(22a)를 통하여 상기 세정부(20) 주변에 제공되는 공기를 외부로 배기시킨다. 이때 상기 배기부(24)는 상기 공기를 강제로 배기시키기 위하여 팬과 같은 구성을 갖는 배기 부재(24b)를 포함한다. 이에 따라 상기 배스(20a) 주변에 제공되는 공기를 상기 세정부(20) 하측으로부터 외부로 배기시킬 수 있다.The exhaust part 24 including the exhaust line 24a is provided below the bath 20a. The exhaust part 24 exhausts the air provided around the cleaning part 20 to the outside through the HEPA filter 22a. At this time, the exhaust part 24 includes an exhaust member 24b having a fan-like configuration in order to forcibly exhaust the air. Accordingly, air provided around the bath 20a may be exhausted from the lower side of the cleaning unit 20 to the outside.
또한 상기 배기 라인(24a)에는 포트(26)가 구비되어 있다. 상기 포트(26)는 상기 배기부(24)를 통하여 배기되는 공기가 응축되어 응축수를 형성할 경우 상기 응축수를 외부로 배기시키는 구성을 갖는다.The exhaust line 24a is also provided with a port 26. The port 26 is configured to exhaust the condensate to the outside when the air exhausted through the exhaust part 24 condenses to form condensate.
전술한 구성을 갖는 장치를 사용한 세정을 살펴보면 다음과 같다.Looking at the cleaning using the device having the above-described configuration is as follows.
먼저, 상기 이송 부재(20b)를 사용하여 세정을 하기 위한 다수매의 웨이퍼를 상기 배스(20a)로 이송시킨다. 이때 상기 공기 제공부(22)는 상기 헤파 필터(22a)를 통하여 상기 배스(20a) 주변에 정화된 공기를 제공한다. 그리고 상기 배기부(24)를 통하여 상기 공기를 외부로 배기시킨다.First, a plurality of wafers for cleaning are transferred to the bath 20a using the transfer member 20b. At this time, the air providing unit 22 provides purified air around the bath 20a through the hepa filter 22a. The air is exhausted to the outside through the exhaust part 24.
계속해서 상기 이송 부재(20b)를 사용하여 상기 배스(20a)내에 수용된 세정액에 상기 웨이퍼들을 담근다. 이와 같이 상기 웨이퍼들을 세정액에 담근 상태로 일정 시간을 지낸다. 이에 따라 상기 웨이퍼들의 세정을 수행한다. 이때 상기 공기 제공부(22)는 상기 헤파 필터(22a)를 통하여 상기 배스(20a) 주변에 정화된 공기를 제공한다. 그리고 상기 배기부(24)를 통하여 상기 공기를 외부로 배기시킨다.Subsequently, the wafers are immersed in the cleaning liquid contained in the bath 20a using the transfer member 20b. In this manner, the wafers are immersed in the cleaning liquid for a predetermined time. Accordingly, the wafers are cleaned. At this time, the air providing unit 22 provides purified air around the bath 20a through the hepa filter 22a. The air is exhausted to the outside through the exhaust part 24.
계속해서 상기 이송 부재(20b)를 사용하여 상기 세정액에 담긴 웨이퍼들을 꺼낸 다음 지정된 위치로 이송하여 세정을 종료한다. 이때 상기 공기 제공부(22)는 상기 헤파 필터(22a)를 통하여 상기 배스(20a) 주변에 정화된 공기를 제공한다. 그리고 상기 배기부(24)를 통하여 상기 공기를 외부로 배기시킨다.Subsequently, the wafers contained in the cleaning liquid are taken out using the transfer member 20b and then transferred to a designated position to finish cleaning. At this time, the air providing unit 22 provides purified air around the bath 20a through the hepa filter 22a. The air is exhausted to the outside through the exhaust part 24.
이와 같이 상기 웨이퍼의 이송을 포함하는 세정을 수행하는 도중에 계속적으로 정화된 공기를 제공하고, 배기를 한다. 이때 상기 배기되는 공기는 상기 세정부(20)의 배스(20a)가 설치된 하측을 통하여 배기된다. 때문에 배기 경로가 원인이 되는 와류 현상이 거의 발생하지 않는다. 그리고 상기 와류 현상이 발생하더라도 상기 배스(20a) 하측에서 발생하기 때문에 배기되는 공기가 상기 배스(20a)까지 역류되는 상황이 거의 발생하지 않는다.In this way, the purified air is continuously provided and exhausted during the cleaning including the transfer of the wafer. At this time, the exhaust air is exhausted through the lower side of the bath 20a of the cleaning unit 20 is installed. Therefore, the vortex phenomenon which causes the exhaust path hardly occurs. In addition, even when the vortex occurs, since the air is generated under the bath 20a, a situation in which exhausted air flows back to the bath 20a hardly occurs.
또한 상기 포트(26)를 사용하여 상기 배기 라인에서 종종 발생하는 응축수를 외부로 직접 배기시킴으로서 상기 응축수를 제거하기 위한 별도의 유지 보수를 생략할 수 있다.In addition, by using the port 26 to directly exhaust the condensate often generated in the exhaust line to the outside, a separate maintenance for removing the condensate can be omitted.
따라서 본 발명에 의하면, 세정 장치에서 이루어지는 공기의 배기에서 발생되는 와류 현상을 최소화할 수 있다. 때문에 상기 와류로 인하여 상기 공기가 세정부로 역류되는 것을 최소함으로서 불량 소스의 발생을 최소화할 수 있다. 따라서 반도체 장치의 제조에 따른 신뢰도가 향상되는 효과가 있다.Therefore, according to the present invention, it is possible to minimize the vortex phenomenon generated in the exhaust of the air made in the cleaning device. Therefore, it is possible to minimize the occurrence of a defective source by minimizing the backflow of the air due to the vortex to the cleaning unit. Therefore, the reliability of manufacturing the semiconductor device is improved.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be variously modified and changed within the scope of the present invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below. I can understand that you can.
Claims (6)
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Applications Claiming Priority (1)
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| KR1020000065537A KR20020035301A (en) | 2000-11-06 | 2000-11-06 | apparatus for cleaning a wafer in a semiconductor fabricating |
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| KR20020035301A true KR20020035301A (en) | 2002-05-11 |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100797083B1 (en) * | 2006-08-30 | 2008-01-22 | 세메스 주식회사 | Apparatus and method for cleaning substrates |
| KR100944949B1 (en) * | 2007-10-10 | 2010-03-03 | 세메스 주식회사 | Controll unit and apparatus for treating substrate with the controll unit |
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2000
- 2000-11-06 KR KR1020000065537A patent/KR20020035301A/en not_active Application Discontinuation
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |