KR20020021533A - 액정 표시소자 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 수직배향 횡전계를 사용하는 반강유전성 액정모드 내지 강유전성 액정모드의 구동전압을 낮춤과 아울러 정전기나 잔류 직류전압으로 배향막에 흡착된 전하가 액정셀 내부로 쉽게 확산 시킬 수 있도록 하는 액정 표시소자에 관한 것이다.
본 발명은 상부기판과 하부기판 사이에 액정이 주입되며 상기 액정에 수평방향의 전계를 인가하기 위한 화소전극 및 공통전극과, 상기 화소전극에 데이터를 공급하기 위한 박막트랜지스터를 구비하는 액정 표시소자에 있어서, 상기 상부기판과 하부기판 사이의 셀갭을 유지하며 상기 박막트랜지스터로부터 공급되는 데이터신호에 응답하여 상기 액정을 구동하기 위해 상기 상부기판과 하부기판 상에 형성되는 화소전극과, 상기 화소전극과 수평방향으로 대향되게끔 상기 상부기판과 하부기판에 형성되고 공통전압원에 접속되어 상기 화소전극과 함께 상기 액정에 수평방향 전계를 인가하기 위한 공통전극을 구비한다.
본 발명에 따른 액정 표시소자는 상/하부기판 상에 공통전극과 공통전극의 높이보다 높은 화소전극을 형성함과 아울러 상기 화소전극을 서로 접촉시킴으로써, 반강유전성액정 내지 강유전성 액정에 인가되는 전계가 균일하게 인가되어 구동전압을 낮춤과 아울러 정전기나 잔류 직류전압으로 배향막에 흡착된 전하가 액정셀 내부로 쉽게 확산 시킬 수 있어 투과도도 증가할 수 있다.
Description
본 발명은 액정 표시소자에 관한 것으로, 특히, 수직배향 횡전계를 사용하는 반강유전성 액정모드 내지 강유전성 액정모드의 구동전압을 낮춤과 아울러 정전기나 잔류 직류전압으로 배향막에 흡착된 전하가 액정셀 내부로 쉽게 확산 시킬 수 있도록 하는 액정 표시소자에 관한 것이다.
1990년대 중반부터 TFT 구동의 반강유전성 액정 채용 디스플레이 모드가 제시되어 왔다. 자발 분극을 가지고 있는 반강유전성 액정(AntiferroelectricLiquid Crystal)은 유전이방성에 의하여 구동되는 네마틱 액정에 비하여 1 order∼2 order 정도 응답속도가 빨라 고속응답의 액정 표시장치로서 주목을 받고 있다.
이를 상세히 하면, 반강유전성 액정은 서로 이웃한 층(layer)에 있는 액정분자들이 서로 반대방향으로 기울어져 있는 상태가 1:1로 반복되는 상을 갖는 액정을 말한다. 이와 같은 반강유전성 액정상의 거시적인 자발분극은 서로 이웃한 층(layer)에서의 전기쌍극자 방향이 반대이기 때문에 "0"이 된다. 그러나, 어느 크기 이상의 전기장을 인가하면 전기쌍극자가 전기장 방향으로 정렬되어 강유전성상이 되는데 이는 전기장 유도 상전이의 한 예이다. 이러한 반강유전성 액정의 구조를 이용한 액정 표시장치가 반강유전성 액정 표시장치(Antiferroelectric Liquid Crystal Device)로 이는 전기광학적으로 세 개의 안정된 상태가 존재하기 때문에 기존의 두 개의 안정된 상태를 이용한 구동에 비해 응답특성의 균일도와 안정효과가 크다.
이와 같은 반강유전성 액정을 이용한 대표적인 모드로는 나선변형 강유전성 액정모드(Deformed Helix Ferroelectric Liquid Crystal : DHF)와 스레스홀드리스 반강유전성 액정모드(Thresholdless Antiterroelectric Liquid Crystal)가 있다. 이와 같은 액정모드들은 전기광학특성(V-T특성)이 도 1 과 같이 거의 "V" 자 형태를 보인다. 즉 , 비교적 낮은 전기장(V) 인가에 따라 투과율(T)이 연속적으로 급변화하는 특성을 가진다.
이러한 모드는 프리틸트각(Pretilt Angle)이 1∼2도의 저 프리틸트각의 배향제로 도 2와 같이 수평배향을 시키는 모드이나, 네마틱과는 달리 강유전성 액정의 까다로운 배향조건으로 고대비비의 디스플레이의 제작이 어려웠다. 이와 아울러 모드에 따라서는 표면 안정화를 시키며 액정 셀이 최대의 투과도를 나타내도록 하기 위하여 셀 간격을 2㎛ 이하가 되도록 셀 설계를 하여야 한다. 이와 같이 협소한 셀간격은 강유전성 액정의 점도가 높다는점과 더불어 액정 주입의 공정성을 저하시킨다는 단점이 있다.
이러한 단점을 보완하기 위하여 도 3과 같이 수직 배향제를 이용하여 강유전성 액정(11)을 수직 배향시켜 배향성의 향상과 셀 간격의 증대를 꾀 할 수 있는 모드가 제시되었다. 수직배향의 강유전성 액정(11)은 하부기판(2)에 설치된 화소전극(15)과 공통전극(13)이 형성하는 횡전계에 의하여 강유전성 액정(11)이 영향을 받아 응답하며, 나선구조를 가지고 있는 강유전성 액정(11)을 수직 배향시키면 강유전성 액정(11)의 나선 축이 빛의 입사 방향과 평행이 되어 나선 주기에 따른 선택 반사에 의한 색 특성의 생성을 막기 위하여 가시광 영역보다는 짧거나 큰 나선 주기의 액정을 사용한다.
이러한 수직배향의 강유전성 액정 모드도 도 4와 같이 인가전압(V)에 따라 빛의 투과도(T)가 연속적으로 변하여 계조표시가 가능하다. 그러나, 수직 배향의 강유전성 액정모드는 구동전압이 높아질 수 있다는 단점이 있다. 자발분극이 큰 액정을 이용하면 구동전압을 감소시킬 수는 있으나, 박막트랜지스터(Thin Film Transistor : TFT) 구동하에서 자발분극이 큰 액정의 사용은 전압 유지율(Voltage Holding Ratio : VHR)의 감소 및 충전시켜야 하는 전하량을 증가 시키는 등의 바람직스럽지 못한 문제가 발생한다. 또한, 도 5와 같이 액정을 구동시키기 위한 화소전극(15) 및 공통전극(13)이 도시되지 않은 박막트랜지스터가 형성된 액정 표시장치의 하부기판(2)에만 있고 도시되지 않은 칼라필터가 형성되는 액정 표시장치의 상부기판(1)에는 없어 정전기나 잔류 직류전압 등으로 도시되지 않은 배향막에 흡착된 전하가 액정셀 내부로 확산되어 지기가 어렵다는 단점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 수직배향 횡전계를 사용하는 반강유전성 액정모드 내지 강유전성 액정모드의 구동전압를 낮춤과 아울러 정전기나 잔류 직류전압으로 배향막에 흡착된 전하가 액정셀 내부로 쉽게 확산될 수 있도록 하는 액정 표시소자를 제공하는데 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 수평배향 강유전성 액정모드를 이용한 액정 표시소자의 V-T 특성도.
도 2는 도 1에 도시된 특성도를 보이는 수평배향 강유전성 액정모드를 이용한 액정 표시소자의 사면도.
도 3은 종래 기술에 따른 수직배향 강유전성 액정모드를 이용한 액정 표시소자의 사면도.
도 4는 도 3에 도시된 수직배향 강유전성 액정모드를 이용한 액정 표시소자의 V-T 특성도.
도 5는 도 3에 도시된 수직배향 강유전성 액정모드를 이용한 액정 표시소자의 전기장 분포도.
도 6은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정 표시소자의 단면도.
도 7a 내지 도 7e는 도 6에 도시된 액정 표시소자의 제조방법을 단계적으로 도시한 단면도.
도 8은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정 표시소자의 단면도.
도 9a 내지 도 9e는 도 8에 도시된 액정 표시소자의 제조방법을 단계적으로도시한 단면도.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
1 : 상부기판 2 : 하부기판
3 : 블랙매트릭스 4 : 칼라필터
5 : 패시베이션층 7 : 박막트랜지스터
8 : 포토마스크 9 : 배향막
11 : 강유전성 액정 13,21a,25a : 공통전극
15,21b,25b : 화소전극 21,25 : 전극
22 : 포토레지스트 22a : 포토레지스트 패턴
23 : 유기절연막 27 : 보조전극
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 액정 표시소자는 상부기판과 하부기판 사이에 액정이 주입되며 상기 액정에 수평방향의 전계를 인가하기 위한 화소전극 및 공통전극과, 상기 화소전극에 데이터를 공급하기 위한 박막트랜지스터를 구비하는 액정 표시소자에 있어서, 상기 상부기판과 하부기판 사이의 셀갭을 유지하며 상기 박막트랜지스터로부터 공급되는 데이터신호에 응답하여 상기 액정을 구동하기 위해 상기 상부기판과 하부기판 상에 형성되는 화소전극과; 상기 화소전극과 수평방향으로 대향되게끔 상기 상부기판과 하부기판에 형성되고 공통전압원에 접속되어 상기 화소전극과 함께 상기 액정에 수평방향 전계를 인가하기 위한 공통전극을 구비한다.
상기 목적외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부도면을 참조한 실시예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 액정 표시소자의 단면도에는 한 화소셀내의 전극들중 그 일부만을 도시하였다.
도 6은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정 표시소자의 단면도이다.
도 6을 참조하면, 먼저 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정 표시소자는 블랙매트릭스(3) 및 칼라필터(4)가 형성된 상부기판(1)과, 박막트랜지스터(7) 및 패시베이션층(5)이 형성된 하부기판(2)을 구비한다. 이와 아울러 상부기판(1) 및 하부기판(2) 상의 소정 부분에 다수의 공통전극(21a)이 형성된다. 또한, 공통전극(21a) 사이에는 소정의 두께를 가지게끔 유기절연막(23a)이 증착된다. 그런 다음, 유기절연막(23a) 상에 화소전극(21b)이 형성된다. 이렇게 형성된 화소전극(21b)은 상부기판(1)과 하부기판(2)을 서로 대향되게 합착할 시 서로 접촉되어 액정패널의 셀갭을 유지시켜주는 스페이서 역할을 하게 된다. 그런 다음, 상부기판(1) 및 하부기판(2) 상에 배향막(9)이 증착된다. 이와 같이 형성된 상부기판(10)과 하부기판(2)은 서로 대향되게 합착된다.
도 6과 같이 구성된 액정 표시소자의 제조방법을 단계적으로 상세히 설명하면 도 7a 내지 도 7e와 같다.
도 7a를 참조하면, 먼저 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정 표시소자는 블랙매트릭스(3) 및 칼라필터(4)가 형성된 상부기판(1)과 박막트랜지스터(7) 및 패시베이션층(5)이 형성된 하부기판(2)을 구비한다. 그런 다음, 도 7b와 같이 상부기판(1) 및 하부기판(2) 상에 유기절연막(23)과 포토레지스트(22)가 순차적으로 도포된다. 이때, 유기절연막(23)은 상부기판(1)과 하부기판(2) 사이의 셀갭을 유지하기 위해 1-5㎛ 정도의 두께로 도포된다. 유기절연막(23)과 포토레지스트(22)가 순차적으로 도포된 상부기판(1) 및 하부기판(2) 상에 포토마스크기판(8a)과 포토마스크기판(8a)의 소정부분에 마련된 불투명금속(8b)이 구비된 포토마스크(8)가 위치한다. 이와 같이 상부기판(1) 및 하부기판(2) 상에 위치한 포토마스크(8) 상에 자외선(UV)이 조사된다. 이때, 포토마스크(8)에 조사된 자외선은 포토마스크기판(8a)을 투과하는 반면에 포토마스크기판(8a)의 소정부분에 위치한 불투명금속(8b)은 투과하지 못한다. 이로 인해, 포토마스크(8)에 조사된 자외선은 포토레지스트(22) 중 포토마스크(8)에 구비된 불투명금속(8b)과 대향되는 부분을 제외한 소정 부분에 조사된다. 자외선에 노출된 포토레지스트(22)의 소정 부분은 광화학반응에 의해 분자구조가 변화하게 된다. 이런 분자구조의 변화에 의해 자외선에 노출된 포토레지스트(22)는 제거되어 유기절연막(23) 상에는 포토레지스트 패턴이 형성된다. 이와 아울러 유기절연막(23)은 그 상에 형성된 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 건식에칭 또는 습식에칭에 의해 패터닝된다. 패터닝된 유기절연막(23a) 상에 형성된 포토레지스트 패턴은 스트립공정에 의해 제거되어 상부기판(1) 및 하부기판(2) 상에는 도 7c와 같이 유기절연막(23a)만 남게 된다.
또한, 도 7d와 같이 유기절연막(23a)이 소정부분에 패터닝되어 형성된 상부기판(1) 및 하부기판(2) 상에 전극(21)과 포토레지스트(22)가 순차적으로 도포된다. 그런 다음, 전극(21)과 포토레지스트(22)가 순차적으로 도포된 상부기판(1) 및 하부기판(2) 상에 불투명금속(8b)이 유기절연막(23a) 및 화소셀내의 양단 상에 형성되도록 포토마스크(8)를 위치함과 아울러 그 상에는 자외선이 조사된다. 포토마스크(8)에 조사된 자외선은 포토마스크기판(8a)을 투과하는 반면에 포토마스크기판(8a)의 소정부분에 위치한 불투명금속(8b)은 투과하지 못한다. 이로 인해, 포토마스크(8)에 조사된 자외선은 포토레지스트(22) 중 포토마스크(8)에 구비된 불투명금속(8b)과 대향되는 부분을 제외한 소정 부분에 조사된다. 자외선에 노출된 포토레지스트(22)의 소정 부분은 광화학반응에 의해 분자구조가 변화하게 된다. 이런 분자구조의 변화에 의해 자외선에 노출된 포토레지스트(22)는 제거되어 전극(21) 상에는 포토레지스트 패턴이 형성된다. 이와 아울러 전극(21)은 그 상에 형성된 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 건식에칭 또는 습식에칭에 의해 패터닝되어 유기절연막(23a) 상에는 화소전극(21b)이 형성되고 화소셀내의 양단에는 다수의 공통전극(21a)이 형성된다. 또한, 화소전극(21b) 및 공통전극(21a) 상에 형성된 포토레지스트 패턴은 스트립공정에 의해 제거된다. 또한, 도 7e와 같이 다수의 공통전극(21a)과 공통전극(21a) 사이에 형성된 유기절연막(23a)과 유기절연막(23a) 상에 동일하게 형성된 화소전극(21b)이 마련된 상부기판(1) 및 하부기판(2) 상에는 배향막(9)이 형성된다. 배향막(9)이 형성된 상부기판(1) 및 하부기판(2)은 서로 대향되게 합착된다. 이때, 상부기판(1) 및 하부기판(2) 상에 형성된 화소전극(21b)은 서로 대응되게 접촉된다.
도 8은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정 표시소자의 단면도이다.
도 8을 참조하면, 먼저 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정 표시소자는 블랙매트릭스(3) 및 칼라필터(4)가 형성된 상부기판(1)과, 박막트랜지스터(7) 및 패시베이션층(5)이 형성된 하부기판(2)을 구비한다. 이와 아울러 상부기판(1) 및 하부기판(2) 상의 소정 부분에 다수의 공통전극(25a)이 형성된다. 또한, 공통전극(25a) 사이에는 화소전극(25b)이 형성된다. 화소전극(25b) 상에는 공통전극(25a)의 높이보다 높게 형성되기 위해 소정의 두께를 가진 보조전극(27a)이 형성된다. 이렇게 형성된 보조전극(27a)은 화소전극(25b)과 아울러 상부기판(1)과 하부기판(2)을 서로 대향되게 합착할 시 서로 접촉되어 액정패널의 셀갭을 유지시켜주는 스페이서 역할을 하게 된다. 이어서, 상부기판(1)과 하부기판(2) 상에 배향막(9)이 증착된다. 이와 같이 형성된 상부기판(1)과 하부기판(2)은 서로 대향되게 합착된다.
도 8과 같이 구성된 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정 표시소자의 제조방법을 단계적으로 상세히 설명하면 도 9a 내지 도 9e와 같다.
도 9a를 참조하면, 먼저 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정 표시소자는 블랙매트릭스(3) 및 칼라필터(4)가 형성된 상부기판(1)과 박막트랜지스터(7) 및 패시베이션층(5)이 형성된 하부기판(2)을 구비한다. 그런 다음, 도 9b와 같이 상부기판(1) 및 하부기판(2) 상에 전극(25)과 포토레지스트(22)가 순차적으로 도포된다. 전극(25)과 포토레지스트(22)가 순차적으로 도포된 상부기판(1) 및 하부기판(2) 상에 포토마스크기판(8a)과 포토마스크기판(8a)의 소정부분에 마련된 불투명금속(8b)이 구비된 포토마스크(8)가 위치한다. 이와 같이 상부기판(1) 및 하부기판(2) 상에 위치한 포토마스크(8) 상에 자외선이 조사된다. 이때, 포토마스크(8)에 조사된 자외선은 포토마스크기판(8a)을 투과하는 반면에 포토마스크기판(8a)의 소정 부분에 위치한 불투명금속(8b)은 투과하지 못한다. 이로 인해, 포토마스크(8)에 조사된 자외선은 포토레지스트(22)중 포토마스크(8)에 구비된 불투명금속(8b)과 대향되는 부분을 제외한 소정 부분에 조사된다. 이때, 자외선에 노출된 포토레지스트(22)의 소정 부분은 광화학반응에 의해 분자구조가 변화하게 된다. 이런 분자구조의 변화에 의해 자외선에 노출된 포토레지스트(22)는 제거되어 전극(25) 상에는 포토레지스트 패턴이 형성된다. 이와 아울러 전극(25)은 그 상에 형성된 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 건식에칭 또는 습식에칭에 의해 패터닝되어 단위셀내의 양단에는 다수의 공통전극(25a)이 형성되고 공통전극(25a) 사이에는 화소전극(25b)이 형성된다. 또한, 공통전극(25a) 및 화소전극(25b) 상에 형성된 포토레지스트 패턴은 스트립공정에 의해 제거되어 상부기판(1) 및 하부기판(2) 상에는 다수의 공통전극(25a) 및 화소전극(25b)이 도 9c와 같이 형성된다.
또한, 도 9d와 같이 다수의 공통전극(25a) 및 화소전극(25b)이 형성된 상부기판(1) 및 하부기판(2) 상에 보조전극(27)과 포토레지스트(22)가 순차적으로 도포된다. 여기서, 보조전극(27)은 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide)막, 금속 및 전도성 물질중 어느 하나가 될 수 있다. 그런 다음, 보조전극(27)과 포토레지스트(22)가 순차적으로 도포된 상부기판(1) 및 하부기판(2) 상에 포토마스크(8)가 위치함과 아울러 포토마스크(8) 상에 자외선이 조사된다. 포토마스크(8)에 조사된 자외선은 포토마스크기판(8a)을 투과하는 반면에 포토마스크기판(8a)의소정부분에 위치한 불투명금속(8b)은 투과하지 못한다. 이로 인해, 포토마스크(8)에 조사된 자외선은 포토레지스트(22) 중 포토마스크(8)에 구비된 불투명금속(8b)과 대향되는 부분을 제외한 소정 부분에 조사된다. 자외선에 노출된 포토레지스트(22)의 소정 부분은 광화학반응에 의해 분자구조가 변화하게 된다. 이런 분자구조의 변화에 의해 자외선에 노출된 포토레지스트(22)는 제거되어 보조전극(27) 상에는 포토레지스트 패턴이 형성된다. 이와 아울러 보조전극(27)은 그 상에 형성된 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 건식에칭 또는 습식에칭에 의해 패터닝되어 화소전극(25a) 상에는 보조전극(27a)이 형성된다. 또한, 보조전극(27a) 상에 형성된 포토레지스트 패턴은 스트립공정에 의해 제거된다. 또한, 도 9e와 같이 다수의 공통전극(25a)과 공통전극(25a) 사이에 형성된 화소전극(25b)이 마련된 상부기판(1) 및 하부기판(2) 상에는 배향막(9)이 형성된다. 배향막(9)이 형성된 상부기판(1) 및 하부기판(2)은 서로 대향되게 합착된다. 이때, 상부기판(1) 및 하부기판(2) 상에 형성된 보조전극(27a)은 서로 대응되게 접촉된다.
이와 같이 본 발명은 액정 표시소자의 상/하부기판 상에 공통전극 및 화소전극을 형성함과 아울러 화소전극은 공통전극의 높이보다 높게 형성되도록 그 상에 인듐 틴 옥사이드막 또는 금속 또는 전도성물질중 어느 하나로 구성된 보조전극이 증착되거나 화소전극 아래에 유기절연막이 형성된다. 이렇게 형성된 화소전극은 상/하부기판을 합착할 시 서로 대향되게 접촉되어 액정패널의 셀갭을 유지시켜주는 스페이서 역할을 한다. 이와 아울러 화소전극 상에 형성된 보조전극에 의해 하부기판에 인가되는 전압이 상부기판에 전달될 수 있다. 이로 인해, 상/하부기판 합착후, 주입되는 반강유전성 액정 내지 강유전성 액정으로 상/하부기판에서 골고루 횡전계를 인가할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 액정 표시소자는 상/하부기판 상에 공통전극과 공통전극의 높이보다 높은 화소전극을 형성함과 아울러 상기 화소전극을 서로 접촉시킴으로써, 반강유전성액정 내지 강유전성 액정에 인가되는 전계가 균일하게 인가되어 구동전압을 낮춤과 아울러 정전기나 잔류 직류전압으로 배향막에 흡착된 전하가 액정셀 내부로 쉽게 확산 시킬수 있어 투과도도 증가할 수 있다. 또한, 접촉된 상/하부기판의 화소전극 높이로서 액정 패널 셀 간격을 유지시킬 수 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여 져야만 할 것이다.
Claims (5)
- 상부기판과 하부기판 사이에 액정이 주입되며 상기 액정에 수평방향의 전계를 인가하기 위한 화소전극 및 공통전극과, 상기 화소전극에 데이터를 공급하기 위한 박막트랜지스터를 구비하는 액정 표시소자에 있어서,상기 상부기판과 하부기판 사이의 셀갭을 유지하며 상기 박막트랜지스터로부터 공급되는 데이터신호에 응답하여 상기 액정을 구동하기 위해 상기 상부기판과 하부기판 상에 형성되는 화소전극과,상기 화소전극과 수평방향으로 대향되게끔 상기 상부기판과 하부기판에 형성되고 공통전압원에 접속되어 상기 화소전극과 함께 상기 액정에 수평방향 전계를 인가하기 위한 공통전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정 표시소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 화소전극은 상기 박막트랜지스터의 드레인전극과 접속되는 투명전극과;소정의 높이로 상기 투명전극을 신장시키기 위한 유기절연막을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정 표시소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 화소전극은 상기 박막트랜지스터의 드레인전극과 접속되는 투명전극과;소정의 높이로 상기 투명전극을 신장시키기 위한 보조전극을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 액정 표시소자.
- 제 3 항에 있어서,상기 보조전극은 금속, 인듐 틴 옥사이드막 및 전도성 물질중 어느 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 액정은 강유전성 액정 및 반강유전성 액정중 어느 하나로 설정되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
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