KR20020019995A - 비접촉식 전자회로 전압측정장치 및 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 주사전자현미경의 전자총으로부터 방출되는 전자빔을 전자회로 기판의 표면에 조사시키고 그 표면으로부터 방출되는 이차전자를 수집하여 그 이차전자 에너지를 측정함으로서 전자회로표면과의 금속 접촉이 없이도 고속, 비파괴, 비접촉식으로 미세회로 전압을 측정할 수 있는 비접촉식 전자회로 전압측정장치 및 방법에 관한 것이다.

본 발명은 내부진공을 갖는 챔버; 상기 챔버내에 설치되며 전자빔을 발생시키는 전자총; 상기 챔버의 하부에 위치되며, 그 상면에 전자빔이 입사되는 회로패턴이 형성된 패드와, 상기 패드간을 전기적으로 연결하는 연결선이 형성된 시료; 상기 전자빔의 입사 경로의 소정위치에 설치되어 상기 시료의 회로패턴으로부터 이차전자 검출수단으로 방출되는 이차전자 에너지의 분포를 분석하기 위한 전자분광수단; 상기 챔버내에 설치되며 시료의 회로 패턴으로부터 방출되는 이차전자를 수집하기 위한 이차전자 검출수단; 및 상기 이차전자 검출수단에 연결되어 그로부터 검출된 이차전자의 전압파형을 조사하여 시료의 회로패턴 전압을 측정하는 수단을 포함하는 비접촉식 전자회로 전압측정장치를 제공한다.

Description

비접촉식 전자회로 전압측정장치 및 방법{Apparatus and methods of contactless voltage measurements for electronic circuits}

본 발명은 반도체 칩이나 인쇄회로 기판, 다중칩모듈 기판, 세라믹 기판 등의 각종 전자회로 기판 위에 설치된 회로 패턴에 대한 전압 및 각종 전기적 특성을 측정할 수 있는 전자회로 측정장치 및 방법에 관한 것으로, 특히 주사전자현미경의 전자총으로부터 방출되는 전자빔을 이용하여 비파괴,비접촉식으로 전자회로의 전압을 측정할 수 있는 비접촉식 전자회로 측정장치 및 방법에 관한 것이다.

일반적으로, 전자회로의 전기적 특성이나 회로패턴에 대한 전압을 측정하는 방법으로서, 탐침을 이용하여 회로패턴에 접촉시키고 현미경을 들여다 보면서 회로패턴의 전압을 측정하는 자동 웨이퍼 프로브 스테이션(automatic wafer probe station)이나, 4단자 탐침장치(4-point probe station) 등의 접촉방식이 이용되고 있다.

이러한 접촉식 금 등으로 이루어진 탐침을 이용하여 회로 패턴의 전압을 측정하는 방법은 탐침을 물리적으로 회로패턴에 접촉시킴으로써 전압을 측정하는 과정에서, 탐침과의 마찰로 인해 회로패턴이 손상될 우려가 있다. 특히, 회로 패턴의 크기가 마이크로미터(㎛)단위의 크기를 갖는 초미세형 회로패턴인 경우에는 탐침의 크기가 커서 미세회로의 전압을 측정하기에는 기술적인 한계가 있어서 측정이 불가능하며, 또한 상기와 같은 종래의 탐침을 이용한 측정 방식은 접촉식 탐침을 움직여 가며 접촉시킨 다음 전압을 측정하기 때문에 측정속도가 매우 느린 문제점이 있다. 또한, 네트 수가 많은 회로패턴에 대해서는 그 일부만 측정하는 견본 측정법이 사용되고 있으나, 이는 회로패턴 전체나 문제가 되는 특정한 회로 패턴에 대해서 전압 및 그 전기적 파형을 측정하는 것이 불가능한 문제점을 내포하고 있다.

따라서, 본 발명은 상기의 제반 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 주사전자현미경의 전자총으로부터 방출되는 전자빔을 전자회로 기판의 표면에 조사시키고 그 표면으로부터 방출되는 이차전자를 수집하여 그 이차전자 에너지를 측정함으로서 전자회로표면과의 금속 접촉이 없이도 고속, 비파괴, 비접촉식으로 미세회로 전압을 측정할 수 있는 비접촉식 전자회로 전압측정장치 및 방법을 제공함에 그 목적이 있다.

또한, 본 발명은 전자총에서 방출된 전자빔이 회로 패턴의 표면에 입사됨에 따라 그 표면으로부터 방출되는 이차전자의 에너지를 측정하므로서 회로 패턴의 표면에 유기된 전압을 측정하여 탐침의 비접촉 상태에서 회로 패턴의 개방 및 단락상태를 검사함으로서 마이크로미터(㎛)단위 미만의 회로패턴에 대해서도 검사가 가능하며 정량적으로 손쉽고 빠르게 측정할 수 있는 비접촉식 전자회로 전압측정장치 및 방법을 제공함에 다른 목적이 있다.

도1은 본 발명에 의한 비접촉식 전자회로 측정장치의 일실시예 구성을 나타낸 개략도.

도2는 본 발명의 요부인 2중 평면형 격자망의 구성도.

도3은 본 발명에 사용되는 웨이퍼 시료를 나타낸 사시도.

도4는 본 발명의 전자분광장치를 이용한 이차전자 에너지 변화에 의한 전자회로 전압을 비접촉으로 측정하는 상태도.

도5는 시료와 격자면의 일함수에 따른 이차전자 에너지 분포를 나타낸 그래프도.

도6은 전자저지격자망에 걸어주는 입력전압의 램프(ramp)형 파형도.

도7은 검출된 이차전자에 대한 S 곡선 그래프도.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

101 : 시료 102 : x-y-z위치이동블록

103 : 전자추출격자망 104 : 전자저지격자망

105 : 시료 전원 106 : 신호발생기

107 : 전자추출격자망 전원 115 : 챔버

120 : 전자총 121 : 전자빔

122 : 이차전자 131 : 전자빔 집속기

133 : 이차전자검출기 135 : CRT 표시 장치

137 : 오실로스코프 201 : 틈

202 : 와이어 203 : 전자입사구멍

204 : 이중평면격자망 205 : 패드

206 : 연결선 301 : 시료의 페르미 준위

305 : 이차전자에너지 분포

306 : 시료의 진공상태의 에너지 준위

310 : 기준준위 311 : 전자추출격자망의 페르미 준위

316 : 전자추출격자망에서 진공상태의 에너지 준위

321 : 전자저지격자망의 페르미 준위

325 : 전자저지격자망을 통과한 이차전자에너지 분포

326 : 전자저지격자망에서 진공상태의 에너지 준위

400 : 입력파형 420 : 전자분광장치

501 : 전자저지격자망에 걸어준 -5V 전압의 S 곡선

502 : 전자저지격자망에 걸어준 0V 전압의 S 곡선

503 : 전자저지격자망에 걸어준 +5V 전압의 S 곡선

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 내부진공을 갖는 챔버; 상기 챔버내에 설치되며 전자빔을 발생시키는 전자총; 상기 챔버의 하부에 위치되며, 그 상면에 전자빔이 입사되는 회로패턴이 형성된 패드와, 상기 패드간을 전기적으로 연결하는 연결선이 형성된 시료; 상기 전자빔의 입사 경로의 소정위치에 설치되어 상기 시료의 회로패턴으로부터 이차전자 검출수단으로 방출되는 이차전자 에너지의 분포를 분석하기 위한 전자분광수단; 상기 챔버내에 설치되며 시료의 회로 패턴으로부터 방출되는 이차전자를 수집하기 위한 이차전자 검출수단; 및 상기 이차전자 검출수단에 연결되어 그로부터 검출된 이차전자의 전압파형을 조사하여 시료의 회로패턴 전압을 측정하는 수단을 포함하는 비접촉식 전자회로 전압측정장치를 제공한다.

이하, 첨부된 도1 이하의 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.

본 발명에 의한 비접촉식 전자회로 전압측정장치는 전자빔과 전자분광장치를 이용하여 회로패턴에 접촉시키지 않고도 회로패턴의 전압을 빠르고 정확하게 검사할 수 있도록 구현한 것으로, 본 실시예에서는 도1에 도시한 바와 같이 그 내부가 진공상태로 형성된 챔버(115)와, 상기 챔버(115)내의 상측에 설치되며 전자빔을 발생시키는 전자총(120)과, 상기 전자총(120)의 하부에 구비되어 그로부터 방출되는 일차전자의 전자빔(121)을 집속시키는 전자빔 집속기(131)가 구비된다. 이때, 상기 전자빔 집속기(131)은 통상 대물렌즈를 이용하게 된다.

또한, 상기 챔버(115)의 하부에는 회로패턴이 형성된 시료(101)와, 상기 시료(101)를 그 상단에 놓여지도록 하여 전자빔(121)이 회로패턴에 입사될 수 있도록 상기 시료(101)의 위치를 조절하는 x-y-z 위치이동블럭(102)과, 상기 전자빔 집속기(131)에 의해 집속된 전자빔이 상기 시료(101)의 회로패턴에 입사될 때, 이차전자가 방출되도록 상기 시료의 회로패턴에 연결되어 그에 전압을 걸어주는 시료전원(105)이 구비된다.

여기서. 상기 회로패턴에 입사되는 전자빔의 일차전자는 입사된 표면두께의 0.01 마이크론 이내에서 이차전자를 방출하게 된다. 상기 이차전자는 50eV 미만의 에너지 분포를 갖는데, 이때 상기 이차전자의 에너지 크기는 그 회로표면에 인가되는 전압에 따라 변한다.

상기 챔버(115)내에는 시료(101)의 회로패턴으로부터 방출되는 이차전자를 수집하기 위한 이차전자 검출기(133)가 설치되며, 상기 전자빔(121)의 입사경로의 소정위치에는 상기 이차전자 검출기(133)로 수집되는 이차전자 에너지의 분포를 분석하기 위한 평면 전자분광기(420)가 설치된다.

또한, 상기 이차전자 검출기(133)에는 그로부터 검출된 이차전자(122)로부터 회로패턴 표면의 상태를 검사히기 위한 CRT 화면장치(135)와, 상기 이차전자 검출기(133)로부터 검출된 이차전자로부터 신호 파형을 읽기 위한 오실로스코프(137)가 순차적으로 연결되어 있다.

상기 평면 전자분광기(420)는 도2에 도시한 바와 같이 소정 크기의 메쉬(#)를 가지도록 다수의 와이어(202)를 교차시켜 형성하되 그 중앙부에 전자 입사구멍(203)이 형성된 격자망을 수㎜ 간격으로 적층시켜 부착한 구성으로 되어 있다. 이는, 상기 교차된 와이어에 의해 짜여진 메쉬공간(201) 사이로 이차전자들이 이차전자 검출기(133)에 보다 많이 도달할 수 있도록 한 것이다.

본 실시예에서는 상기 평면 전자분광기(420)가 시료에서 방출된 이차전자를 모두 수용할 수 있는 크기를 가지되, 두개의 망을 적층시켜 구성한 이중 평면 격자망(204)으로 되어 있는데, 상부의 망은 특정 에너지 이상의 이차전자만을 통과시키는 전자저지 격자망(104)이고, 하부의 망은 시료 표면에서 방출되는 모든 이차전자가 전자저지격자망(104)에 도달하도록 이차전자의 방출을 돕는 전자 추출격자망(103)으로 구성된다. 여기서, 상기 전자 입사구멍(203)은 일차전자가 통과할 수 있는 크기, 즉 직경이 13∼17mm중 어느 하나의 크기를 갖는데, 통상 15mm정도의 크기를 갖는다. 또한, 상기 전자저지 격자망(104)에는 그의 에너지 준위를 변화시킬 수 있도록 전압을 인가하는 신호발생기(106)가 연결되어 있다. 상기 신호발생기(106)에서는 도4에 도시한 바와 같이 주파수가 수십∼수백 헤르쯔(Hz)이고 ±수십 볼트(Volt)의 램프(ramp)형 또는 톱니형 전압(400)을 상기 전자저지격자망(104)에 인가하여 전자저지격자망(104)을 통과하는 전자에너지 크기의 변화를 유도한다. 그 형성된 전위보다 큰 에너지를 갖는 이차전자는 통과하게 하며 통과된 이차전자는 모두 전자검출기에 수집되므로 전자저지격자망(104)에 인가하는 전압을 음의 전압에서 양의 전압으로 변화시켜 주므로서 그 통과하는 이차전자의 양은 변화하게 된다. 그 통과하는 이차전자의 양은 이차전자검출기(133)에서 보았을때는 적분형태의 신호로 나타나는데, 즉 "S"곡선이 나타나게 된다. 이로부터 이차전자검출기(133)에 의해 수집된 이차전자에 의해 형성된 파형을 디지털 오실로스코프로 측정하므로서 도7과 같은"S"곡선이 나타나고, 만약 시료표면의 전압이 회로패턴의 전압변화에 의해서 변화하게 되면, 그 "S"곡선이 이동하는 형태로나타나게 된다.

상기와 같이 구성된 상기 전자분광기(420)에 의해서 그를 통과해 수집되는 이차전자의 파형을 S곡선으로 만들수 있고, 상기 회로패턴의 전압이 변함에 따라 S곡선이 이동하게 되는 상태를 측정하여 전자회로패턴의 전압을 측정할 수 있게 되는 것이다.

상기 시료(101)로 사용되는 전자회로는 도3에 도시한 바와 같이 칩의 패드(205)와 연결선(206)으로 구성되어 있으며, 상기 패드(205)에 전압을 인가하여 시료전원(105)에서 인가되는 전압을 변화시킴으로서 오실로스코프(137)에 나타나는 S곡선이 시료(101)에 인가하는 전압(105)에 따라 수평으로 평행이동하게 된다.

상기와 같이 구성된 본 발명에 의한 전자회로의 측정방법을 설명하면 다음과 같다.

먼저, 상기 x-y-z 위치이동블록(102)을 이용하여 시료(101)의 위치를 입사 가능한 위치로 이동시킨 후, 챔버(115)는 진공상태를 이루게 된다.

상기 챔버(115)의 진공상태에서, 주사전자현미경의 전자총(120)을 통해 발사되는 전지빔(121)은 전자빔 집속기(131)를 통하여 시료(101)로 침투되고 시료에서 방출된 이차전자(122)들이 전자분광기(420)의 전자추출격자망(103)과 전자저지격자망(104)을 통해 이차전자 검출기(133)에 도달하게 되어 시료 표면의 영상을 얻게 된다. 이때, 얻은 영상 신호는 상기 CRT 표시장치(135)에서 회로패턴 표면 상태를 검사하게 되고, 디지털 오실로스코프(137)를 이용하여 영상 신호의 파형을 얻게된다. 상기 과정에서 전자빔의 입사경로에 설치된 전자 추출격자망(103)에는시료(101)에서 방출된 이차전자들을 모두 이차전자 검출기(133)로 끌어당길 수 있을 정도의 높은 양의 직류전압(107)을 가해준다. 또한, 상기 전자 저지 격자망(104)에는 일정한 정도의 에너지를 가지는 이차전자들만 이차전자 검출기(133)에 도달할 수 있도록 조절하기 위해 상기 신호 발생기(106)에서 발생된 양의 전압과 음의 전압을 모두 가할 수 있는 램프형태의 전압 파형(400)을 인가해 준다.

이에따라, 도4에 도시한 바와 같이 상기 디지털 오실로스코프(137)에는 "S" 형태의 곡선(501)이 나타나게 된다. 이 "S" 곡선(420)은 시료(101)에 가해주는 시료전원(105)의 전압에 따라서 수평 방향으로 평행이동을 하게 된다. 이 이동된 정도를 측정하면 전자회로나 기판에 흐르는 정량적인 전압의 크기를 측정을 할 수 있게 되는 것이다.

도5는 주사전자현미경과 평면형 전자분광장치(420)를 이용하여 시료(101)를 측정하였을 때의 시료와 격자망(204)에 걸어준 전압에 따른 이차전자 에너지 분포(305)를 도시한 것이다. 상기 시료(101)에서 방출된 이차전자들의 에너지는 시료의 페르미 준위(301)보다 AB 크기만큼 위에 존재하게 된다. 따라서, 이차전자들의 에너지 분포(305)는 이차전자가 금속이나 반도체 물질 밖으로 방출되는데, 필요한 진공상태에서의 에너지 준위(306)를 넘어서면서부터 존재한다. 이때, 전자추출격자망(103)에 높은 양의 전압(107)을 걸어주면 페르미 준위(311)가 B(301)에서 B'(311)로 추출격자망 전위만큼 낮아져서 시료에서 방출되는 이차전자(122)가 모두 시료(101)로부터 탈출하게 된다. 또한 램프(ramp) 파형(400)이나 톱니파형의 전압을 걸어준 전자저지격자망(104)에는 페르미 준위(301)가 B'(311)에서 B''(321)만큼 이동하게 되고 추출격자망을 탈출된 이차전자(122)는 전자저지격자망(104)의 페르미 준위 B''(321)보다 큰 에너지를 가진 이차전자(325)들만 전자추출격자망(103)을 탈출하게 되어 이차전자검출기(133)에 수집되게 된다. 이때, 기준준위(310), 0에서 페르미 준위(321), B''까지 전자저지격자망의 전위를 조절해줌에 따라 전자저지격자망(104)을 통과하는 이차전자 에너지분포(325)를 조절할 수 있다.

도6은 상기 신호발생기(106)로부터 전자저지격자망(104)에 입력되는 전압파형(400)을 도시한 것이다. 이 파형(400)은 램프(ramp)형태나 톱니형태를 띄고 있고, AB 만큼의 전압 진폭을 가지고 CD만큼의 신호주기를 가진다.

도7은 주사전자현미경과 평면형 전자분광장치(420)를 이용하여 얻은 신호파형인 S곡선(501)을 나타낸 것이다. 상기 S곡선(501)은 시료에 걸어준 전압에 따라 곡선이 수평으로 평행이동을 하게 된다. 또한 상기 시료전원(105)의 전압을 변화시켜줌에 따라 수평이동한 "S" 곡선(502,503)을 볼수 있고, "S" 곡선(501)의 수평 이동정도로부터 시료에 걸어준 전압을 정량적으로 측정을 할수 있다.

이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환과 변경이 가능함은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.

상기와 같이 본 발명에 따르면, 반도체 칩, 탐침과 시료사이의 물리적 접촉으로 인한 파괴 현상이 없이 주사전자현미경의 전자빔과 전자분광기를 이용하여 비접촉, 비파괴적으로 전자회로기판과 같은 전자제품의 전압측정이 가능하며, 탐침의 접촉이 없으므로 탐침을 이용한 기존의 전압 측정방식보다 미세한 전자회로에서 전압측정이 가능하고 빠르게 측정할 수 있다. 또한, 전압측정에 필요한 전자분광장치의 제작이 용이하고 가격이 저렴하며, 전압 정보는 전자분광장치 구조와 주사전자현미경의 전자빔을 이용하고 상기의 측정조건에서 전자회로의 전압을 정량적으로 측정함으로써 회로의 전기적 특성을 신뢰성있게 알 수 있다.

따라서, 본 발명에서의 측정방법으로 전자제품의 생산과정상에서 생산품 전체에 대하여 전압 측정검사를 할 수 있고, 메모리나 IC칩과 같은 미세한 전자회로도 전압 특성을 측정할 수 있어, 제품의 신뢰성 및 생산성을 향상시킬 수 있는 효과를 가진다.

Claims (13)

1. 내부진공을 갖는 챔버;

   상기 챔버내에 설치되며 전자빔을 발생시키는 전자총;

   상기 챔버의 하부에 위치되며, 그 상면에 전자빔이 입사되는 회로패턴이 형성된 패드와, 상기 패드간을 전기적으로 연결하는 연결선이 형성된 시료;

   상기 전자빔의 입사 경로의 소정위치에 설치되어 상기 시료의 회로패턴으로부터 이차전자 검출수단으로 방출되는 이차전자 에너지의 분포를 분석하기 위한 전자분광수단;

   상기 챔버내에 설치되며 시료의 회로 패턴으로부터 방출되는 이차전자를 수집하기 위한 이차전자 검출수단; 및

   상기 이차전자 검출수단에 연결되어 그로부터 검출된 이차전자의 전압파형을 조사하여 시료의 회로패턴 전압을 측정하는 수단

   을 포함하는 비접촉식 전자회로 전압측정장치.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 전자총의 하부에 설치되어 그로부터 방출되는 전자빔을 접속시키는 전자빔 집속수단

   을 더 포함하는 비접촉식 전자회로 전압측정장치.
3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

   그 상단에 시료가 놓여지며 상기 전자빔 집속수단에 의해 집속된 전자빔이 시료의 회로 패턴 위에 입사될 수 있도록 상기 시료의 위치를 조절하는 x-y-z 위치조절수단을 더 포함하는 비접촉식 전자회로 전압측정장치.
4. 제 1 항에 있어서,

   상기 전압측정수단은

   상기 이차전자 검출수단에서 검출된 이차전자로부터 신호 파형을 읽어 들이기 위한 오실로스코프; 및

   검출된 이차전자로부터 회로패턴 표면의 상태를 검사히기 위한 CRT 화면장치

   를 포함하는 비접촉식 전자회로 전압측정장치.
5. 제 1 항에 있어서,

   상기 전자분광수단은

   다수의 와이어를 교차시켜 형성하되, 그 중앙부에 전자입사구멍이 형성되며 소정개소를 적층시켜 형성한 격자망으로 이루어진 비접촉식 전자회로 전압측정장치.
6. 제 5 항에 있어서,

   상기 격자망의 전자입사구멍의 직경이 13mm∼17mm인 비접촉식 전자회로 전압측정장치.
7. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,

   상기 전자분광수단은

   특정 에너지 이상의 이차전자만을 통과시키는 전자저지 격자망;

   상기 전자저지 격자망에 연결되어 그를 통과하는 에너지중 일정한 정도의 에너지를 가지는 이차전자들만 이차전자 검출기에 도달할 수 있도록 소정 전압을 제공하는 신호발생수단;

   상기 전자저지 격자망의 하부에 놓여져 이차전자의 방출을 돕는 전자 추출격자망; 및

   상기 전자추출격자망에 연결되어 시료에서 방출된 이차전자들이 상기 이차전자 검출기로 끌어당겨질 수 있도록 소정의 직류전압을 상기 전자추출격자망에 인가하는 전원제공수단

   을 포함하는 비접촉식 전자회로 전압측정장치.
8. 제 1 항 또는 제 5 항에 있어서,

   상기 신호발생수단은

   주파수가 수십∼수백 헤르쯔(Hz)이고 ±수십 볼트(Volt)의 램프(ramp)형 또는 톱니형전압중 하나를 상기 전자저지 격자망에 인가하며, 전자 추출격자망에는 수백볼트 이상의 양극 직류전압을 인가하는 비접촉식 전자회로 전압측정장치.
9. 진공상태의 챔버내에 설치된 전자총으로부터 전자빔을 발생시키는 제1 단계;

   상기 전자총으로부터 발생된 전자빔을 집속하여 전자분광장치에 통과시키는 제2 단계;

   상기 전자분광장치에 소정의 전압을 인가하는 제3 단계;

   상기 전자빔을 시료의 회로패턴에 입사함에 따라 그로부터 방출되는 이차전자를 전자분광장치에 통과시켜 소정크기 이상의 에너지를 갖는 이차전자만이 이차전자 검출기로 수집되도록 하는 제4 단계; 및

   상기 이차전자 검출기에서 수집된 이차전자 에너지의 변화를 분별하여 회로패턴의 전압을 측정하는 제5 단계

   를 포함하는 비접촉식 전자회로 전압측정방법.
10. 제 9 항에 있어서,

    상기 제2 단계는

    그 중앙부에 각각 전자입사구멍이 형성된 전자저지격자망과 전자추출격자망을 소정 간격으로 적층하여 전자분광장치를 형성하는 제6 단계를 포함하며,

    상기 제3 단계는

    상기 회로패턴에서 방출되는 이차전자의 외부방출을 돕도록 전자추출격자망에 소정 전압을 인가하는 제7 단계; 및

    상기 전자추출격자망의 상부에 위치된 전자저지 격자망을 통해 소정의 에너지 준위를 갖는 이차전자만이 이차전자검출기에 도달하도록 상기 전자저지격자망에 전압을 인가하는 제8 단계

    를 포함하는 비접촉식 전자회로 전압 측정방법.
11. 제 10 항에 있어서,

    상기 제7 단계는

    상기 전자추출격자망에 수백볼트 이상의 양의 직류전압을 인가하는 제9 단계를 포함하고,

    상기 제9단계는

    상기 전자저지격자망에 주파수가 수십∼수백 헤르쯔(Hz)이고 ±수십 볼트(Volt)의 램프(ramp)형 전압을 인가하는 제10 단계; 및

    상기 인가된 전압변화를 이용하여 이차전자 검출기에 수집되는 이차전자의양을 조절하는 제11 단계

    를 포함하는 비접촉식 전자회로 전압측정방법.
12. 제 11 항에 있어서,

    상기 제4 단계는

    이차전자 검출기에서 검출된 이차전자로부터의 회로표면 상태를 CRT화면장치를 통해 검사하는 제12 단계; 및

    상기 검출된 이차전자의 신호파형을 오실로스코오프를 통해 "S"자 형태로 읽어들여 전압을 정량적으로 측정하는 제13 단계

    를 포함하는 비접촉식 전자회로 전압측정방법.
13. 제 12 항에 있어서,

    상기 제13 단계는

    상기 "S"곡선이 수평으로 이동되는 정도를 가지고 시료에 걸어준 전압을 정량적으로 측정하는 제14 단계를 포함하는 비접촉식 전자회로 전압측정방법.