KR20020019995A - 비접촉식 전자회로 전압측정장치 및 방법 - Google Patents
비접촉식 전자회로 전압측정장치 및 방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (13)
- 내부진공을 갖는 챔버;상기 챔버내에 설치되며 전자빔을 발생시키는 전자총;상기 챔버의 하부에 위치되며, 그 상면에 전자빔이 입사되는 회로패턴이 형성된 패드와, 상기 패드간을 전기적으로 연결하는 연결선이 형성된 시료;상기 전자빔의 입사 경로의 소정위치에 설치되어 상기 시료의 회로패턴으로부터 이차전자 검출수단으로 방출되는 이차전자 에너지의 분포를 분석하기 위한 전자분광수단;상기 챔버내에 설치되며 시료의 회로 패턴으로부터 방출되는 이차전자를 수집하기 위한 이차전자 검출수단; 및상기 이차전자 검출수단에 연결되어 그로부터 검출된 이차전자의 전압파형을 조사하여 시료의 회로패턴 전압을 측정하는 수단을 포함하는 비접촉식 전자회로 전압측정장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 전자총의 하부에 설치되어 그로부터 방출되는 전자빔을 접속시키는 전자빔 집속수단을 더 포함하는 비접촉식 전자회로 전압측정장치.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,그 상단에 시료가 놓여지며 상기 전자빔 집속수단에 의해 집속된 전자빔이 시료의 회로 패턴 위에 입사될 수 있도록 상기 시료의 위치를 조절하는 x-y-z 위치조절수단을 더 포함하는 비접촉식 전자회로 전압측정장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 전압측정수단은상기 이차전자 검출수단에서 검출된 이차전자로부터 신호 파형을 읽어 들이기 위한 오실로스코프; 및검출된 이차전자로부터 회로패턴 표면의 상태를 검사히기 위한 CRT 화면장치를 포함하는 비접촉식 전자회로 전압측정장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 전자분광수단은다수의 와이어를 교차시켜 형성하되, 그 중앙부에 전자입사구멍이 형성되며 소정개소를 적층시켜 형성한 격자망으로 이루어진 비접촉식 전자회로 전압측정장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 격자망의 전자입사구멍의 직경이 13mm∼17mm인 비접촉식 전자회로 전압측정장치.
- 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,상기 전자분광수단은특정 에너지 이상의 이차전자만을 통과시키는 전자저지 격자망;상기 전자저지 격자망에 연결되어 그를 통과하는 에너지중 일정한 정도의 에너지를 가지는 이차전자들만 이차전자 검출기에 도달할 수 있도록 소정 전압을 제공하는 신호발생수단;상기 전자저지 격자망의 하부에 놓여져 이차전자의 방출을 돕는 전자 추출격자망; 및상기 전자추출격자망에 연결되어 시료에서 방출된 이차전자들이 상기 이차전자 검출기로 끌어당겨질 수 있도록 소정의 직류전압을 상기 전자추출격자망에 인가하는 전원제공수단을 포함하는 비접촉식 전자회로 전압측정장치.
- 제 1 항 또는 제 5 항에 있어서,상기 신호발생수단은주파수가 수십∼수백 헤르쯔(Hz)이고 ±수십 볼트(Volt)의 램프(ramp)형 또는 톱니형전압중 하나를 상기 전자저지 격자망에 인가하며, 전자 추출격자망에는 수백볼트 이상의 양극 직류전압을 인가하는 비접촉식 전자회로 전압측정장치.
- 진공상태의 챔버내에 설치된 전자총으로부터 전자빔을 발생시키는 제1 단계;상기 전자총으로부터 발생된 전자빔을 집속하여 전자분광장치에 통과시키는 제2 단계;상기 전자분광장치에 소정의 전압을 인가하는 제3 단계;상기 전자빔을 시료의 회로패턴에 입사함에 따라 그로부터 방출되는 이차전자를 전자분광장치에 통과시켜 소정크기 이상의 에너지를 갖는 이차전자만이 이차전자 검출기로 수집되도록 하는 제4 단계; 및상기 이차전자 검출기에서 수집된 이차전자 에너지의 변화를 분별하여 회로패턴의 전압을 측정하는 제5 단계를 포함하는 비접촉식 전자회로 전압측정방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 제2 단계는그 중앙부에 각각 전자입사구멍이 형성된 전자저지격자망과 전자추출격자망을 소정 간격으로 적층하여 전자분광장치를 형성하는 제6 단계를 포함하며,상기 제3 단계는상기 회로패턴에서 방출되는 이차전자의 외부방출을 돕도록 전자추출격자망에 소정 전압을 인가하는 제7 단계; 및상기 전자추출격자망의 상부에 위치된 전자저지 격자망을 통해 소정의 에너지 준위를 갖는 이차전자만이 이차전자검출기에 도달하도록 상기 전자저지격자망에 전압을 인가하는 제8 단계를 포함하는 비접촉식 전자회로 전압 측정방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 제7 단계는상기 전자추출격자망에 수백볼트 이상의 양의 직류전압을 인가하는 제9 단계를 포함하고,상기 제9단계는상기 전자저지격자망에 주파수가 수십∼수백 헤르쯔(Hz)이고 ±수십 볼트(Volt)의 램프(ramp)형 전압을 인가하는 제10 단계; 및상기 인가된 전압변화를 이용하여 이차전자 검출기에 수집되는 이차전자의양을 조절하는 제11 단계를 포함하는 비접촉식 전자회로 전압측정방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 제4 단계는이차전자 검출기에서 검출된 이차전자로부터의 회로표면 상태를 CRT화면장치를 통해 검사하는 제12 단계; 및상기 검출된 이차전자의 신호파형을 오실로스코오프를 통해 "S"자 형태로 읽어들여 전압을 정량적으로 측정하는 제13 단계를 포함하는 비접촉식 전자회로 전압측정방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 제13 단계는상기 "S"곡선이 수평으로 이동되는 정도를 가지고 시료에 걸어준 전압을 정량적으로 측정하는 제14 단계를 포함하는 비접촉식 전자회로 전압측정방법.
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CN106405377A (zh) * | 2016-09-27 | 2017-02-15 | 昆山维嘉益材料科技有限公司 | 一种电离子自动化电测设备 |
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