KR20020016894A - 황 함유 비료 조성물 및 그 제조 방법 - Google Patents

황 함유 비료 조성물 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 복수의 입자들을 포함하는 비료 조성물로서, 상기 입자들은 비료 부분 내에 매립된 복수의 황 플레이트렛(platelet)을 특징으로 하는 비료 조성물을 제공한다. 또한, 본 발명은 상기 조성물을 제조하는 방법으로서, 먼저 비료 함유 입자들을 황 분무액으로 분무하고, 이어서 비료 또는 그 전구체를 함유하는 슬러리로 분무한 후, 경화하는 단계를 포함하는 방법을 제공한다.

Description

황 함유 비료 조성물 및 그 제조 방법{SULFUR-CONTAINING FERTILIZER COMPOSITION AND METHOD FOR PREPARING SAME}
본 출원은 2000. 5. 17. 출원된 가출원 번호 제60/204,970호를 우선권주장의 기초로 하는데, 상기 가출원 내용을 본 명세서에 참고로 인용한다.
본 발명은 토양에 황(sulfur)을 수송하여 식물의 성장을 촉진시키는 것에 관한 것이다.
황은 황산염의 형태로 산화될 경우 식물 성장에 필수적인 영양소가 된다. 토양에 살포하기에 적당한 형태로 황을 제공하기 위해서는, 일반적으로 인산염, 질산염, 요소(urea) 및/또는 가성 칼리(Potash)와 같은 과립 비료와 황을 벌크(bulk) 혼합하여 물리적 혼합물을 형성시킨다. 이어서, 과립 비료에서 발견된 추가의 영양소뿐만 아니라, 각종 수단[예컨대, 토양에 황을 공급하기 위한 브로드캐스팅(broadcasting) 및 밴딩(banding)]에 의해 토양에 상기 혼합물을 살포한다.
상기 혼합물의 한가지 문제점은 입자들이 침전하기 때문에 조작 및 수송하는 동안 크기별 분리(size segregation)가 일어나고, 그 결과 보다 소규모의 입자 및분진(dust)이 벌크 혼합물의 바닥 부근에 농축된다는 것이다. 따라서, 황은 혼합물 전반에 걸쳐 균일하게 분포되지 않기 때문에 혼합물이 토양에 살포될 경우 황의 함량(dosage)이 불균일하게 된다. 예를 들어, 약간의 처리된 영역은 황의 함량이 지나치게 많은 반면에 다른 영역은 황의 함량이 지나치게 적을 수 있다. 따라서, 토양에 황을 균일하게 운송하는 운송체(vehicle)가 필요하다.
또한, 상이한 목적을 위해 비료 조성물에 황을 혼입시켜 왔다. 구체적으로는, 서방성 비료 조성물의 제조에 있어서 비료 입자의 표면에 견고하게 고정된, 상대적으로 두꺼운 외피막(outer coating) 또는 쉘로서 황을 사용하여 왔다. 상기 조성물은 토양에의 서방성 기초(underlying) 비료의 제공을 목적으로 하는 것이지 연속(subsequent) 산화 및 식물 이용을 위한 토양에의 황의 수송을 목적으로 하는 것은 아니다.
본 발명은 황 함유 비료 조성물 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
도 1은 황 함유 비료 조성물을 제조하는 방법의 일 실시태양을 도시한 개략도이다.
발명의 개요
본 발명은 벌크 혼합된 조성물과 관련된 불균일한 황 분포의 문제를 해결하기 위하여 토양에 황을 수송하는 운송체를 제공한다. 특히, 본 발명은 복수의 입자를 포함하는 비료 조성물로서 상기 복수의 입자가 비료 부분, 및 상기 비료 부분에 매립된 복수의 이산(離散; discrete) 황 플레이트렛(platelet)을 포함하는 비료 조성물을 특징으로 한다.
본 명세서에 사용된 바와 같이, "이산 황 플레이트렛"은 거의 평면이거나 거의 곡면 형태일 수 있는, 얇은 불연속의 황 단편(fragment)을 의미한다. 예를 들어, 상기 플레이트렛은 일부가 구형일 수 있다. 상기 플레이트렛은 기초 비료 부분의 표면을 거의 피복하는 서방성 비료 조성물에서 발견되는 상대적으로 두꺼운 황 피막 및 쉘과 대조적이다.
적당한 비료 부분의 예로는 인산염(예: 인산일암모늄 염, 인산이암모늄 염, 단일 과인산염, 삼중 과인산염 등), 질산염, 요소, 가성 칼리 및 이들의 배합물을 들 수 있다. 또한, 상기 입자들은 1종 이상의 황산염(예: 황산칼슘, 황산마그네슘, 황산암모늄 및 이들의 배합물), 1종 이상의 미량 영양소(예: 아연, 망간, 철, 구리, 몰리브덴, 붕소, 염소, 코발트, 나트륨 및 이들의 배합물) 및/또는 1종 이상의 2차 영양소(예: 칼슘, 마그네슘 및 이들의 배합물)를 포함할 수 있다. 상기 입자들 중 총 고체 황(elemental sulfur) 함량은 약 20 중량% 이하, 바람직하게는 약 10 중량% 이하, 보다 더 바람직하게는 약 5 중량% 이하이다.
황 플레이트렛은 토양에 살포되자마자 비료 부분의 구성 성분과 함께 토양에 방출되고, 토양 미생물의 활성에 의해 황산염 형태로 산화된다. 두께가 약 100 마이크론(μ) 이하, 바람직하게는 10 마이크론 이하가 되도록 상기 플레이트렛을 형성시킴으로써 산화를 촉진시킨다. 상기 조성물 내의 각 입자들은 황 플레이트렛을 함유하기 때문에 비록 입자들이 침전을 겪게 되더라도 불균일한 황 살포 문제를 방지할 수 있다. 비료 입자의 최외각 표면 위에 견고하게 고정된 피막으로서 황만을 공급하기보다는 비료 부분 내에 황 플레이트렛을 매립함으로써, 상기 입자들은 토양에 황 및 비료 구성 성분 둘다를 동시에 수송하기 위한 편리한 운송체를 제공한다.
복수의 비료 함유 입자들을 먼저 고체 황으로 분무하고, 이어서 비료 함유 슬러리 또는 이의 전구체로 분무한 후, 그 결과로 생성된 황 함유 입자들을 경화하는 단계를 포함하는 방법에 따라 비료 조성물을 제조한다. 경화 방법은 슬러리의 조성물에 따라 여러 가지 형태의 방법을 취할 수 있다. 예를 들어, 인산일암모늄 또는 인산이암모늄 비료 전구체를 함유하는 슬러리의 경우, 경화 공정은 암모니아로 황 함유 입자들을 살포한 후, 입자들을 건조시켜 황 플레이트렛이 인산일암모늄 또는 인산이암모늄 비료 내에 매립된 입자들을 형성시키는 단계를 포함한다. 한편, 단일 과인산염, 삼중 과인산염, 요소 또는 가성 칼리를 함유하는 슬러리의 경우, 암모니아 스파지(sparge)를 필요로 하지 않으며, 건조에 의하여서만 입자들을 경화시킨다.
일반적으로, 비료 슬러리는 용융된 조성물이다. 슬러리를 먼저 침착시킨 후 황을 나중에 침착시키거나 황과 슬러리를 동시에 침착시키는 경우, 용융된 슬러리의 상부 상에 침착된 황의 영역은 입자들을 박리시키는 경향이 있다. 먼저 황으로 입자들을 분무시킨 후, 비료 슬러리로 입자들을 분무시키면, 이러한 문제점을 방지할 수 있다. 용융된 슬러리는 황 플레이트렛 위에 침착되지만, 황 플레이트렛보다는 기초 비료 입자 부분에 더 강하게 부착한다. 따라서, 비료와 황 플레이트렛 모두 제위치에 유지되지만 적당한 시간에 토양으로 방출될 수 있다.
본 발명의 1 이상의 실시태양에 대한 세부 사항은 첨부되는 도면 및 하기 상세한 설명에 기술되어 있다. 본 발명의 다른 특징, 목적 및 장점은 명세서 및 도면 그리고 특허청구범위로부터 자명할 것이다.
상세한 설명
도 1은 인산일암모늄("MAP"), 인산이암모늄("DAP) 또는 이들의 배합물인 비료 부분 내에 매립된 이산 황 플레이트렛을 함유하는 입자들을 특징으로 하는 비료 조성물을 제조하는 연속 방법을 도시한 것이다. 도 1에 도시되어 있는 바와 같이, MAP 또는 DAP 비료 과립(또는 이들의 배합물)을 포함하는 회전식 과립화 드럼 반응기 (10)을 회전시켜 비료 과립의 롤릴 베드를 형성시킨다. 또한, 반응기 (10)은 벨트 공급기 (11)로부터 반응기에 공급된 고체 황산염(예: 황산칼슘, 황산 마그네슘, 황산암모늄 또는 이들의 배합물)을 포함한다. 최종 생성물에 혼입되는 이들 황산염은 토양에 살포될 경우 식물의 황 영양소로 즉시 이용될 수 있다. 이와는 대조적으로, 플레이트렛 내의 고체 황은 먼저 토양 미생물에 의해 황산염 형태로 산화된 후에 식물의 황 영양소로 이용될 수 있다.
반응기 (10)을 회전시킬 때, 먼저 반응기 내의 내용물을 용융 저압 분무 형태의 고체 황으로 분무하여, 비료 과립의 표면 상의 얇은 황 플레이트렛을 형성시킨다. 비료 과립은 용융되지 않기 때문에, 황 플레이트렛은 과립을 박리시키지 않는다. 황 플레이트렛이 비료 과립의 전 표면을 피복시키지 않아 기초 비료 과립에의 연속 살포된 슬러리의 부착을 촉진시킬 수 있도록 분무 압력 및 분무 시간을 비롯한 분무 조건을 선택한다.
용융실 (12)에 공급된 증기를 사용하여 황이 용융되는 튜브 용융실 (12)에 고체 황을 수동 충전시킴으로써, 용융된 황 분무액을 제조한다. 용융된 황은 보관 탱크 (14) 내에 저장하고, 필요할 때까지 증기를 공급하는데, 용융된 황은 펌프(16)을 경유하여 반응기 (10)에 주입되고 분무되어 분무액을 형성한다. 환수(還收) 루프(return loop) (18)은 과량의 용융된 황을 보관 탱크 (14)에 환수시킴으로써 반응기 (10)에 수송된, 용융된 황을 계량하는데 사용한다.
황 플레이트렛을 형성시킨 후, 비회전식(still-rotating) 플레이트렛 함유 비료 과립은, 예비 중화기(pre-neutralizer) (22) 내에 암모니아[탱크 (20)으로부터] 및 인산을 배합한 후, 반응기 (10)에 슬러리를 이동시켜 여기서 슬러리가 분무되어 분무액을 형성시킴으로써 제조된, 용융된 슬러리로 분무한다. 슬러리는 암모니아 스파징(sparging)시 MAP, DAP 또는 이들의 배합물로 변형되는 비료 전구체이다. 그것은 황 플레이트렛에 의해 점유되지 않은 비료 과립의 표면 부분에 보다 강하게 부착하고, 황 플레이트렛 위로 확장하지만 황 플레이트렛에 강하게 부착하지 않는다. 분무 압력 및 분무 시간을 비롯한 슬러리 분무 조건은 암모니아 스파징의 결과물인 소정 두께의 비료에 기초하여 선택한다.
전술한 바와 같이, 슬러리 분무가 완결되면, 피복된 입자들은 암모니아 스파지를 받아 슬러리를 MAP, DAP 또는 이들의 배합물로 전환시킨다. 탱크 (26)으로부터 암모니아가 공급된 베드하(under-bed)의 암모니아 스파저(sparger) (24)는 이러한 목적에 사용한다. 암모니아의 농도는 질소 대 인산의 비율이 약 1.0(MAP의 경우) 내지 약 2.0(DAP의 경우)이 되도록 선택하는데, 상기 비율일 때 불용성 비료 입자가 형성되고 용액에서 침전된다. 순결과물(net result)은 얇은 황 플레이트렛이 MAP, DAP 또는 이들의 배합물 중에 매립된 입자이다.
암모니아 스파지 후, 그 결과 형성된 입자들을 가열된 건조 드럼 (28) 내에서 건조시킴으로써, 천연 가스 버너 (29)로부터 송풍기(blower) (27)를 통해 공급된 열을 사용하여 습기 및 임의의 다른 휘발성 물질을 제거한다. 건조 후, 컨베이어 (30)을 경유하여 1개 이상의 입자 사이징(sizing) 스크린이 장착된 입자 스크리너(screener) (32)에 입자들을 방출시킨다. 입자 스크리너 (32)는 예정된 목표 크기보다 상대적으로 너무 크거나 너무 작은 입자를 생성물 스트림(stream)으로부터 분리시킨다. 지나치게 큰(oversize) 입자를 벨트 공급기 (34)에 충전시킨 후, 롤 밀 (36)에 공급한다. 롤 밀 (36)은 분진 형성을 최소화하도록 주의하면서 지나치게 큰 입자들을 완화하게 분쇄하여 입자 크기를 감소시킨다. 이어서, 분쇄된 입자들은 재순환 컨베이어 (38) 및 재순환 엘리베이터 (40)을 경유하여 재순환시키고, 벨트 공급기 재순환 (42)을 경유하여 공급하며, 소정의 입자 크기를 얻을 때까지 상기 분쇄된 입자들이 추가의 황산염과 배합되고, 황 분무액에 이어 슬러리 분무액에 노출되는 추가의 순회를 겪도록 반응기 (10)에 역공급한다. 유사한 방식으로, 입자 스크리너 (32)는 지나치게 작은(undersize) 입자들을 재순환 컨베이어 (38)에 공급하는데, 상기 재순환 컨베이어 (38)에서 지나치게 작은 입자들을 지나치게 큰 입자들과 결합시켜 반응기 (10)용 미가공 재료를 형성시킨다.
지나치게 큰 입자와 지나치게 작은 입자의 분리 후, 예정된 목표 크기를 만족시키는 입자들을 함유하는 생성물 스트림을 생성물 엘리베이터 (44)를 통해 생성물 디버터(diverter) (46)에 수송하고, 생성물 디버터(diverter) (46)은 상기 입자들 중 일부를 다시 반응기 (10)에 재순환시키고 냉각 드럼 (48)에 잔존 입자들을 공급한다. 이어서, 냉각된 입자들을 수집하고 콜렉터(collector) (50) 내에 저장한다. 건조 드럼 (28) 및 반응기 (10)으로부터 방사된 휘발성 물질뿐만 아니라 냉각 공정 중에 방사된 임의의 휘발성 물질은 상기 휘발성 물질이 처리된 후, 대기로 배출되는 세척기(scrubber) (52)에 공급한다.
전술한 방법에 따라 형성된 입자들은 MAP 또는 DAP 비료 부분(또는 이들의 배합물), 및 비료 부분 내에 매립된 얇은 황 플레이트렛을 특징으로 한다. 플레이트렛 두께는, 토양에 살포시 황산의 황산염으로의 산화를 촉진하도록 바람직하게는 100 마이크론 이하, 보다 바람직하게는 10 마이크론 이하이다. 총 고체 황 함량은 바람직하게는 약 20 중량% 이하, 더 바람직하게는 약 10 중량% 이하, 훨씬 더 바람직하게는 약 5 중량% 이하이다.
황산염(예: 황산칼슘, 황산마그네슘, 황산암모늄 또는 이들의 배합물)을 추가로 포함하는 입자들의 경우, 중량 대 중량을 기준으로 입자 내의 황산염 황 대 고체 황의 비율은 소정의 작물의 경작에 필요한 것 및/또는 작물 영역에 기초하여 선택한다. 일반적으로, 약 1:9 내지 7:3 범위의 황산염 황 대 고체 황 비율이 적당하고, 특히 약 1:1의 비율이 유용하다.
입자의 전체 크기는 토양에 살포시 영양소의 최적 방출이 가능하도록 선택한다. 일반적으로, 입자 크기는 지름 약 2 ㎜ 내지 지름 약 4 ㎜ 범위이다.
도 1에 도시되어 있는 방법은 비료 부분이 MAP, DAP 또는 이들의 배합물인 실시태양을 예시한 것이다. 그러나, 예컨대 다른 인산염(예: 단일 과인산염, 삼중 과인산염 또는 이들의 배합물), 질산염, 요소, 가성 칼리 및 이들의 배합물을 비롯한 다른 비료도 사용가능하다. 이들 비료 모두가 암모니아 스파지를 필요로 하는것은 아니다. 예를 들어, 단일 과인산염, 삼중 과인산염, 요소 및 가성 칼리의 경우, 슬러리를 비료로 전환시키는데 암모니아 스파지를 필요로 하지 않을 뿐만 아니라 예비 중화기도 필요로 하지 않는다. 오히려, 비료를 함유하는 슬러리를 반응기 (10) 내의 입자들에 살포한 후, 건조 드럼 (28) 내에서 건조시킴으로써, 생성물을 형성시킨다.
도 1은 회전식 과립화 드럼의 형태로 반응기를 사용하는 것을 예시한 것이다. 그러나, 예컨대 유동 베드 반응기를 비롯한 다른 반응기도 사용가능하다.
또한, 도 1은 황 함유 비료 입자들을 제조하는 연속 방법을 추가로 예시한 것이다. 그럼에도 불구하고, 배치(batch)법도 또한 사용가능하다.
도 1에 도시된 방법은 고체 황산염의 첨가를 통한 입자 내에의 황산염의 혼입을 추가로 예시한 것이다. 그러나, 황산염 혼입은 상이한 루트에 의해 수행할 수 있다. 예를 들어, 인산 사료 중에 용해된 황산을 적당한 양이온과 반응시킴으로써 계(系) 내에서 황산염을 생성시킬 수 있다.
입자들에 다른 성분을 첨가할 수 있다. 그 예로는 미량 영양소(예: 아연, 망간, 철, 구리, 몰리브덴, 붕소, 클로라이드, 코발트, 나트륨 및 이들의 배합물) 및 2차 영양소(예: 칼슘, 마그네슘 및 이들의 배합물)을 들 수 있다. 미량 영양소 및 2차 영양소는 원소 형태(elemental form) 또는 염 형태(예: 황산염, 질산염, 할로겐화물 등)로 공급할 수 있다.
또한, 입자 형성 후, 입자들에 하나 이상의 캡슐형(encapsulating) 피막을 도포하는 것도 가능하다. 적당한 캡슐형 피막의 예는 당업계에 공지되어 있으며,예컨대 토양에 적용된 후, 시간에 걸쳐 분해하는 중합체성 피막을 들 수 있다.
본 발명의 다수의 실시태양에 대하여 기술하였다. 그러나, 본 발명의 정신과 범위를 벗어나지 않는 한, 본 발명을 다양하게 변화 및 수정할 수 있다고 이해될 것이다. 따라서, 기타 다른 실시태양은 하기 특허청구범위의 범주 내에 있다.

Claims (48)

  1. 복수의 입자들을 포함하는 비료 조성물로서, 상기 입자들은
    (a) 비료 부분; 및
    (b) 상기 비료 부분 내에 매립된 복수의 이산(離散) 황 플레이트렛 (platelet)을 포함하는 비료 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 플레이트렛의 두께는 약 100 마이크론 이하인 것을 특징으로 하는 비료 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 상기 플레이트렛의 두께는 약 10 마이크론 이하인 것을 특징으로 하는 비료 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 상기 비료 부분은 인산염, 질산염, 요소, 가성 칼리 및 이들의 배합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 비료 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 상기 비료 부분은 인산일암모늄, 인산이암모늄, 단일 과인산염, 삼중 과인산염 및 이들의 배합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 비료 조성물.
  6. 제1항에 있어서, 상기 비료 부분은 인산일암모늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 비료 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 상기 비료 부분은 인산이암모늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 비료 조성물.
  8. 제1항에 있어서, 상기 비료 부분은 단일 과인산염을 포함하는 것을 특징으로 하는 비료 조성물.
  9. 제1항에 있어서, 상기 비료 부분은 삼중 과인산염을 포함하는 것을 특징으로 하는 비료 조성물.
  10. 제1항에 있어서, 상기 입자들의 총 고체 황(elemental sulfur) 함량은 약 20 중량% 이하인 것을 특징으로 하는 비료 조성물.
  11. 제1항에 있어서, 상기 입자들의 총 고체 황 함량은 약 10 중량% 이하인 것을 특징으로 하는 비료 조성물.
  12. 제1항에 있어서, 상기 입자들의 총 고체 황 함량은 약 5 중량% 이하인 것을 특징으로 하는 비료 조성물.
  13. 제1항에 있어서, 상기 입자들은 황산염을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 비료 조성물.
  14. 제13항에 있어서, 상기 황산염은 황산칼슘, 황산마그네슘, 항산암모늄 및 이들의 배합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 비료 조성물.
  15. 제1항에 있어서, 상기 입자들은 아연, 망간, 철, 구리, 몰리브덴, 붕소, 클로라이드, 코발트, 나트륨 및 이들의 배합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 미량 영양소를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 비료 조성물.
  16. 제1항에 있어서, 상기 입자들은 칼슘, 마그네슘 및 이들의 배합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 2차 영양소를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 비료 조성물.
  17. 비료 조성물을 제조하는 방법으로서,
    (a) 비료를 포함하는 제1 복수의 입자들을 고체 황으로 분무한 후, 비료 또는 그 전구체를 포함하는 슬러리로 분무하는 단계; 및
    (b) 단계 (a)의 생성물을 경화하여 (ⅰ) 비료 부분, 및 (ⅱ) 상기 비료 부분 내에 매립된 복수의 이산 황 플레이트렛을 포함하는 제2 복수의 입자들을 형성시키는 단계를 포함하는 방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 제2 복수의 입자들은 인산염, 질산염, 요소, 가성 칼리 및 이들의 배합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 비료 부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  19. 제17항에 있어서, 상기 제2 복수의 입자들은 인산일암모늄, 인산이암모늄, 단일 과인산염, 삼중 과인산염 및 이들의 배합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 비료 부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  20. 제17항에 있어서, 상기 슬러리는 인산일암모늄 전구체를 포함하며; 상기 경화 단계는 상기 단계 (a)의 생성물을 암모니아로 스파징(sparging)하고 암모니아 스파징된 생성물을 건조시켜 인산일암모늄 함유 비료 부분을 포함하는 상기 제2 복수의 입자들을 형성시키는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  21. 제17항에 있어서, 상기 슬러리는 인산이암모늄 전구체를 포함하며; 상기 경화 단계는 상기 단계 (a)의 생성물을 암모니아로 스파징(sparging)하고 암모니아 스파징된 생성물을 건조시켜 인산이암모늄 함유 비료 부분을 포함하는 상기 제2 복수의 입자들을 형성시키는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  22. 제17항에 있어서, 상기 슬러리는 단일 과인산염을 포함하며; 상기 경화 단계는 상기 단계 (a)의 생성물을 건조시켜 단일 과인산염 함유 비료 부분을 포함하는 상기 제2 복수의 입자들을 형성시키는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  23. 제17항에 있어서, 상기 슬러리는 삼중 과인산염을 포함하며; 상기 경화 단계는 상기 단계 (a)의 생성물을 건조시켜 삼중 가인산염 함유 비료 부분을 포함하는 제2 복수의 입자들을 형성시키는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  24. 제17항에 있어서, 상기 제1 복수의 입자들, 상기 슬러리, 또는 상기 제1 복수의 입자들 및 슬러리는 황산염을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  25. 제24항에 있어서, 상기 황산염은 황산칼슘, 황산마그네슘, 황산암모늄 및 이들의 배합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  26. 제17항에 있어서, 상기 제1 복수의 입자들, 상기 슬러리, 또는 상기 제1 복수의 입자들 및 슬러리는 아연, 망간, 철, 구리, 몰리브덴, 붕소, 클로라이드, 코발트, 나트륨 및 이들의 배합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 미량 영양소를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  27. 제17항에 있어서, 상기 제1 복수의 입자들, 상기 슬러리, 또는 상기 제1 복수의 입자들 및 슬러리는 칼슘, 마그네슘 및 이들의 배합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 제2 영양소를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  28. 제17항에 있어서, 상기 플레이트렛의 두께는 약 100 마이크론 이하인 것을 특징으로 하는 방법.
  29. 제17항에 있어서, 상기 플레이트렛의 두께는 약 10 마이크론 이하인 것을 특징으로 하는 방법.
  30. 제17항에 있어서, 상기 제2 복수의 입자들의 총 고체 황 함량은 약 20 중량% 이하인 것을 특징으로 하는 방법.
  31. 제17항에 있어서, 상기 제2 복수의 입자들의 총 고체 황 함량은 약 10 중량% 이하인 것을 특징으로 하는 방법.
  32. 제17항에 있어서, 상기 제2 복수의 입자들의 총 고체 황 함량은 약 5 중량% 이하인 것을 특징으로 하는 방법.
  33. 토양에 황을 수송하는 방법으로서, 복수의 입자들을 포함하는 비료 조성물로 토양을 처리하는 단계를 포함하는 방법[상기 입자들은 (a) 비료 부분 및 (b) 상기비료 부분 내에 매립된 복수의 이산 황 플레이트렛을 포함함].
  34. 제33항에 있어서, 상기 플레이트렛의 두께는 약 100 마이크론 이하인 것을 특징으로 하는 방법.
  35. 제33항에 있어서, 상기 플레이트렛의 두께는 약 10 마이크론 이하인 것을 특징으로 하는 방법.
  36. 제33항에 있어서, 상기 비료 부분은 인산염, 질산염, 요소, 가성 칼리 및 이들의 배합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  37. 제33항에 있어서, 상기 비료 부분은 인산일암모늄, 인산이암모늄, 단일 과인산염, 삼중 과인산염 및 이들의 배합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  38. 제33항에 있어서, 상기 비료 부분은 인산일암모늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  39. 제33항에 있어서, 상기 비료 부분은 인산이암모늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  40. 제33항에 있어서, 상기 비료 부분은 단일 과인산염을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  41. 제33항에 있어서, 상기 비료 부분은 삼중 과인산염을 포함하는 것을 특징으로 방법.
  42. 제33항에 있어서, 상기 입자들의 총 고체 황 함량은 약 20 중량% 이하인 것을 특징으로 하는 방법.
  43. 제33항에 있어서, 상기 입자들의 총 고체 황 함량은 약 10 중량% 이하인 것을 특징으로 하는 방법.
  44. 제33항에 있어서, 상기 입자들의 총 고체 황 함량은 약 5 중량% 이하인 것을 특징으로 하는 방법.
  45. 제33항에 있어서, 상기 입자들은 황산염을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  46. 제45항에 있어서, 상기 황산염은 황산칼슘, 황산마그네슘, 황산암모늄 및 이들의 배합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  47. 제33항에 있어서, 상기 입자들은 아연, 망간, 철, 구리, 몰리브덴, 붕소, 클로라이드, 코발트, 나트륨 및 이들의 배합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 미량 영양소를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  48. 제33항에 있어서, 상기 입자들은 칼슘, 마그네슘 및 이들의 배합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 제2 영양소를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
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