KR20020008684A - Semiconductor manufacturing device having an impurity cleaning apparatus - Google Patents

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KR20020008684A KR1020000042686A KR20000042686A KR20020008684A KR 20020008684 A KR20020008684 A KR 20020008684A KR 1020000042686 A KR1020000042686 A KR 1020000042686A KR 20000042686 A KR20000042686 A KR 20000042686A KR 20020008684 A KR20020008684 A KR 20020008684A
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Abstract

PURPOSE: A semiconductor fabricating equipment with an alien substance cleaning device is provided to remove alien substances or impurities from a wafer or a reticle. CONSTITUTION: An air injection portion(402) is connected with an air supply source(428). The air injection portion(402) has a regulator(426) for controlling a pressure of air supplied from the air supply source(428). The regulator(426) is operated manually or automatically by a sense signal from a sensor and a control signal from a control portion. The first solenoid valve(427) is arranged between the air supply source(428) and the regulator(426). Impurities passing the regulator(426) are filtered by a filter(425). The air passing the filter(425) is injected to a bottom of a wafer by an air shower(420). An alien substance absorption portion(401) is connected with a vacuum supply source(414). The alien substance absorption portion(401) is formed with a vacuum duct(410) and the second solenoid valve(412).

Description

이물질 세척장치를 구비한 반도체 제조 장치{SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE HAVING AN IMPURITY CLEANING APPARATUS}Semiconductor Manufacturing Equipment with Foreign Material Cleaning Device {SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE HAVING AN IMPURITY CLEANING APPARATUS}

본 발명은 반도체 제조 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼 또는 레티클(reticle)에 묻어있는 이물질 또는 불순물을 제거시킬 수 있는 세척장치를 구비한 반도체 제조 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly, to a semiconductor manufacturing apparatus having a cleaning apparatus capable of removing foreign substances or impurities from a wafer or a reticle.

반도체 소자 또는 반도체 칩 등은 일반적으로 실리콘으로 형성되는 웨이퍼를 반도체 장비를 이용하여 처리함으로써 제조된다. 웨이퍼는 통상적으로 리소그래피, 노광, 이온주입, CMP(chemical and mechanical polishing), 화학 또는 물리적 증착 및 플라즈마 에칭 등과 같은 일련의 반도체소자 제조 공정을 거쳐 반도체소자 또는 반도체 칩으로 제조된다.BACKGROUND OF THE INVENTION A semiconductor device or a semiconductor chip is generally manufactured by processing a wafer formed of silicon using semiconductor equipment. Wafers are typically manufactured as semiconductor devices or semiconductor chips through a series of semiconductor device manufacturing processes such as lithography, exposure, ion implantation, chemical and mechanical polishing (CMP), chemical or physical vapor deposition, and plasma etching.

상기 반도체소자 제조 공정 중, 노광 공정은 웨이퍼에 레티클(reticle)의 패턴이 옮겨질 수 있도록 포토레지스트가 적층된 웨이퍼를 웨이퍼 스테이지 상에 정렬시킨 후, 상기 웨이퍼를 자외선에 노출시키는 공정으로서, 스테퍼(stepper)로 통칭되는 노광장치를 사용하여 이루어 진다.During the semiconductor device manufacturing process, an exposure process is a process of aligning a wafer on which a photoresist is stacked so that a pattern of a reticle can be transferred to a wafer on a wafer stage, and then exposing the wafer to ultraviolet rays. It is made using an exposure apparatus, commonly referred to as a stepper).

이러한 노광공정 및 노광공정을 수행하는 장치(stepper)들은 미합중국 특허 제5,706,076호(issued to Minoru Takeda on Jan. 6, 1998), 제5,781,277호(issued to Kazunori Iwamoto on July 14, 1998), 제5,526,093호(issued to Kazhiro Takahachi on June 11, 1996) 및 제5,842,824호(issued to Kenji Nishi on Dec. 1,1998)에 상세히 개시되어 있다.Such exposure processes and steppers for performing the exposure processes are issued to U.S. Patent Nos. 5,706,076 (issued to Minoru Takeda on Jan. 6, 1998), 5,781,277 (issued to Kazunori Iwamoto on July 14, 1998), 5,526,093. (issued to Kazhiro Takahachi on June 11, 1996) and 5,842,824 (issued to Kenji Nishi on Dec. 1,1998).

최근들어, 상기 노광 공정을 수행함에 있어서, 불순물(particle) 발생이 중요한 문제로 부각되고 있다. 스테퍼에서 가장 중요한 부품이라할 수 있는 레티클 및 웨이퍼에 불순물이 묻어있게 되면 공정상 치명적인 품질저하가 발생하게 된다. 또한, 반도체 소자의 패턴이 점점 소형화되고 있다는 점을 감안할 때, 불순물의 처리는 반도체 소자의 품질향상에 있어서 매우 중요한 해결과제인 것이다.Recently, in performing the above exposure process, generation of particles has become an important problem. Impurities on reticles and wafers, the most important components of steppers, can cause fatal degradation in process. In addition, in view of the fact that the pattern of the semiconductor device is becoming smaller, the treatment of impurities is a very important problem in improving the quality of the semiconductor device.

도1에는 종래 스테퍼에서 웨이퍼가 이송되는 경로를 보여주는 블록도가 도시되어 있다. 도1에 도시되어 있는 바와 같이, 웨이퍼는 스피너(spinner) 상에서 포토레지스트가 스핀 코팅된다(S1).1 is a block diagram showing a path through which a wafer is transferred in a conventional stepper. As shown in FIG. 1, the wafer is spin-coated with a photoresist on a spinner (S1).

상기 포토레지스트가 코팅된 웨이퍼는 스테퍼 상의 웨이퍼 운송 스테이지로 이송되는데(S2), 이러한 이송작업은 통상적으로 핸들러와 같은 로봇에 의해 이루어 진다.The photoresist coated wafer is transferred to a wafer transfer stage on a stepper (S2), which is typically done by a robot, such as a handler.

웨이퍼 운송 스테이지로 이송된 웨이퍼는 다시 핸들러에 의해 웨이퍼 예비 정렬 스테이지로 이송되는데(S3), 여기서 웨이퍼의 얼라인마크 정렬 및 엣지부 정렬이 이루어지게 된다.The wafer transferred to the wafer transport stage is transferred back to the wafer preliminary alignment stage by the handler (S3), where alignment of the wafer and alignment of the edges are performed.

이어서, 상기 웨이퍼는 웨이퍼 스테이지로 이송되는데(S4), 상기 웨이퍼 스테이지에서 웨이퍼 상에 자외선이 조사되므로써 소정의 패턴이 웨이퍼 상면에 형성되게 된다.Subsequently, the wafer is transferred to the wafer stage (S4), and ultraviolet rays are irradiated onto the wafer from the wafer stage, so that a predetermined pattern is formed on the upper surface of the wafer.

그러나, 상기 공정에서는 웨이퍼가 스피너에서 코팅된 후 스테퍼로 이송될 때 계면활성제 등과 같은 이물질이 웨이퍼에 유입되어 제품의 불량을 유발시킨다는문제가 있다.However, in the above process, when the wafer is coated on the spinner and then transferred to the stepper, foreign substances such as surfactants enter the wafer and cause a defect of the product.

한편, 도2에는 종래 레티클의 불순물 검사 공정을 보여주는 블록도가 도시되어 있다. 도2에 도시되어 있는 바와 같이, 종래 레티클의 불순물 검사 공정은 진행할 공정을 선택하는 단계(S5), 레티클을 선택하는 단계(S6), 레티클 로더(loader)부에 레티클을 이송시키는 단계(S6), 및 레티클 부위의 불순물을 검사하는 단계(S7)로 구성되어 있다.On the other hand, Figure 2 is a block diagram showing an impurity inspection process of the conventional reticle is shown. As shown in FIG. 2, the impurity inspection process of the conventional reticle includes selecting a process to proceed (S5), selecting a reticle (S6), and transferring the reticle to a reticle loader (S6). , And checking the impurities in the reticle portion (S7).

상기 공정에서는 스테퍼에서 공정을 진행할 때 먼저 선택된 레티클이 레티클 로더 시스템을 통하여 로딩된다. 이때, 설비는 레이저를 이용하여 레티클 면에 불순물이 있는지를 검사하고, 그 결과를 작업자에게 표시해준다.In this process, the first selected reticle is loaded through the reticle loader system when the process is performed in the stepper. At this time, the facility inspects the reticle surface for impurities using a laser and displays the result to the operator.

이 과정에서 불순물이 많으면 작업자는 레티클을 관리하는 룸(room)에서 세척작업을 실시한 후 재차 공정 진행을 하게 되는데, 이러한 경우 공정 시간이 많이 소요될 뿐만 아니라 제품의 생산성이 저하된다는 단점이 있다.In this process, if there are a lot of impurities, the operator performs the washing process again in the room for managing the reticle, and then proceeds with the process again.

본 발명은 상기 종래기술의 문제점을 극복하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 노광공정을 진행하는 중에 웨이퍼 또는 레티클에 묻어있는 이물질 또는 불순물을 제거시킬 수 있는 세척장치를 구비한 반도체 제조 장치에 관한 것이다.The present invention has been made to overcome the problems of the prior art, an object of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing apparatus having a cleaning device capable of removing foreign substances or impurities on the wafer or reticle during the exposure process It is about.

도1은 종래 스테퍼에서 웨이퍼가 이송되는 경로를 보여주는 블럭도이다.1 is a block diagram showing a path in which a wafer is transferred in a conventional stepper.

도2는 종래 레티클의 불순물 검사 공정을 보여주는 블럭도이다.2 is a block diagram showing an impurity test process of a conventional reticle.

도3은 본 발명의 일 실시예에 따른 불순물 세척장치를 구비한 스테퍼를 보여주는 평면도이다.Figure 3 is a plan view showing a stepper having an impurity washing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도4는 도3에 도시된 불순물 세척장치의 정면도이다.4 is a front view of the impurity washing apparatus shown in FIG.

도5는 본 발명에 따른 불순물 세척장치가 레티클의 세척에 적용되는 것을 보여주는 평면도이다.Figure 5 is a plan view showing that the impurity washing apparatus according to the present invention is applied to the cleaning of the reticle.

도6은 본 발명에 따른 웨이퍼 이송공정을 보여주는 블럭도이다.6 is a block diagram showing a wafer transfer process according to the present invention.

도7는 본 발명에 따른 레티클 검사공정을 보여주는 블럭도이다.7 is a block diagram showing a reticle inspection process according to the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

300 : 레티클 세척 스테이지 410 : 진공 덕트300: reticle cleaning stage 410: vacuum duct

420 : 에어 샤워부 425 : 필터420: air shower 425: filter

426 : 레귤레이터 500 : 스테퍼426: regulator 500: stepper

510 : 웨이퍼 운송 스테이지 520 : 웨이퍼 예비정렬 스테이지510: wafer transport stage 520: wafer pre-alignment stage

530 : 웨이퍼 스테이지 540 : 스피너530: wafer stage 540: spinner

550 : 엣지 센서 560 : 얼라인 마크 센서550: edge sensor 560: alignment mark sensor

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 웨이퍼 운송 스테이지, 웨이퍼 예비 정렬 스테이지 및 웨이퍼 스테이지로 구성되는 스테퍼의 웨이퍼 운송 스테이지로 이송된 웨이퍼를 향해 에어를 분사하여 웨이퍼에 묻어있는 이물질을 상기 웨이퍼로부터 이탈시키는 에어 분사수단 및 상기 에어 분사수단에 의해 이탈된 이물질을 흡입하여 외부로 배출시키는 이물질 흡입수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention, the foreign matter buried in the wafer is separated from the wafer by jetting air toward the wafer transferred to the wafer transport stage of the stepper consisting of the wafer transport stage, the wafer pre-alignment stage and the wafer stage It provides a semiconductor manufacturing apparatus characterized in that it comprises air injecting means and the foreign matter suction means for sucking the foreign matter separated by the air injection means to discharge to the outside.

상기 에어 분사수단은 에어 공급원에 연결되어 상기 에어 공급원으로부터 공급되는 에어의 압력을 조절하는 레귤레이터, 상기 에어 공급원과 레귤레이터 사이에 배치되어 에어의 유입을 개폐하는 제1 솔레노이드 밸브, 상기 레귤레이터를 통과한 에어에 포함된 불순물을 여과시키는 필터 및 상기 웨이퍼의 저부에 배치되어 상기 웨이퍼의 저면을 향해 에어를 분사하는 에어 샤워부를 구비한다.The air injection means is connected to an air source regulator for regulating the pressure of the air supplied from the air source, a first solenoid valve disposed between the air source and the regulator to open and close the inflow of air, the air passed through the regulator And a filter for filtering impurities contained in the air and an air shower disposed at the bottom of the wafer to inject air toward the bottom of the wafer.

상기 이물질 흡입수단은 진공 공급원에 연결되어 있으며, 상기 에어 샤워부에 인접 배치되어 웨이퍼로부터 이탈된 이물질을 흡입하는 진공 덕트 및 상기 진공 공급원을 개폐시키기 위한 제2 솔레노이드 밸브를 구비한다.The foreign matter suction means is connected to a vacuum source, and includes a vacuum duct disposed adjacent to the air shower to suck foreign matter separated from the wafer, and a second solenoid valve for opening and closing the vacuum source.

상기 에어 분사수단과 이물질 흡입수단은 레티클 세척 스테이지에도 제공되어 레티클에 묻어 있는 이물질을 제거한다.The air jetting means and the foreign matter suction means are also provided in the reticle cleaning stage to remove foreign substances on the reticle.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도3에는 본 발명에 따른 세척장치(400)를 구비한 스테퍼(500)가 도시되어 있다. 본 발명에 따른 세척장치(400)가 스테퍼(500)에 적용되고 있는 것으로 도시되어 있지만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 이물질의 세척 및 제거가 필요한 다양한 반도체 장치에 적용될 수 있다.Figure 3 shows a stepper 500 with a cleaning device 400 according to the present invention. Although the cleaning apparatus 400 according to the present invention is illustrated as being applied to the stepper 500, the present invention is not limited thereto and may be applied to various semiconductor devices requiring cleaning and removal of foreign matter.

도3에 도시되어 있는 바와 같이, 상기 스테퍼(500)는 가공될 웨이퍼(w)를 보관하기 위한 웨이퍼 운송 스테이지(510), 상기 웨이퍼 운송 스테이지(510)로부터 이송된 웨이퍼(w)를 예비 정렬시키기 위한 웨이퍼 예비정렬 스테이지(520) 및 상기 웨이퍼 예비정렬 스테이지(wafer pre-aligning stage; 520)로부터 이송된 웨이퍼(w)를 보다 정밀하게 정렬시키는 웨이퍼 스테이지(main wafer stage; 530)를 구비한다. 상기 웨이퍼 예비정렬 스테이지(520)는 상기 웨이퍼 운송 스테이지(510)와 웨이퍼 스테이지(530) 사이에 배치된다.As shown in Fig. 3, the stepper 500 pre-aligns the wafer transport stage 510 for storing the wafer w to be processed, and the wafer w transferred from the wafer transport stage 510. And a wafer stage 530 for more precisely aligning the wafer w transferred from the wafer pre-aligning stage 520. The wafer prealignment stage 520 is disposed between the wafer transfer stage 510 and the wafer stage 530.

상기 웨이퍼 운송 스테이지(510)에 보관되는 상기 웨이퍼(w)의 상면에는 포토레지스트(photoresist)가 코팅되어 있다. 상기 포토레지스트 코팅 작업은 스피너(spinner; 540)에서 스핀 코팅방식으로 수행되며, 상기 포토레지스트가 스핀코팅된 웨이퍼(w)는 제1 핸들러(512)에 의해 상기 웨이퍼 운송 스테이지(510)로 이송된다.A photoresist is coated on the upper surface of the wafer w stored in the wafer transport stage 510. The photoresist coating operation is performed by spin coating in a spinner 540, and the wafer w on which the photoresist is spin coated is transferred to the wafer transfer stage 510 by a first handler 512. .

상기 예비정렬 스테이지(520)에는 제2 및 제3 핸들러(522, 532)가 배치되어 있다. 상기 제2 핸들러(522)는 상기 웨이퍼 운송 스테이지(510)에 보관된 웨이퍼(w)를 상기 웨이퍼 예비정렬 스테이지(520)로 이송시킨다. 또한, 상기 제2 핸들러(522)는 노광작업이 완료된 이후 상기 웨이퍼 스테이지(530)로부터 상기 웨이퍼 예비정렬 스테이지(520)로 이송되는 웨이퍼(w)를 상기 웨이퍼 운송 스테이지(510)로 복귀시키는 역할을 한다.Second and third handlers 522 and 532 are disposed in the preliminary alignment stage 520. The second handler 522 transfers the wafer w stored in the wafer transfer stage 510 to the wafer pre-alignment stage 520. In addition, the second handler 522 serves to return the wafer w transferred from the wafer stage 530 to the wafer pre-alignment stage 520 after the exposure operation is completed, to the wafer transfer stage 510. do.

상기 제3 핸들러(532)는 상기 제2 핸들러(522)에 의해 웨이퍼 예비정렬 스테이지(520)로 이송된 웨이퍼(w)를 상기 웨이퍼 스테이지(530)로 이송시키며, 또한,상기 웨이퍼 스테이지(530)에서 노광작업이 완료된 웨이퍼(w)를 상기 웨이퍼 예비정렬 스테이지(520)로 복귀시킨다. 상기 제3 핸들러(522)는 약 120도의 각도로 선회이동을 한다. 따라서, 상기 웨이퍼 예비정렬 스테이지(520)로 복귀된 웨이퍼(w)의 위치는 그 초기위치에 대향된다.The third handler 532 transfers the wafer w transferred to the wafer prealignment stage 520 by the second handler 522 to the wafer stage 530, and further, the wafer stage 530. The wafer w on which the exposure operation is completed is returned to the wafer pre-alignment stage 520. The third handler 522 pivots at an angle of about 120 degrees. Thus, the position of the wafer w returned to the wafer pre-alignment stage 520 is opposite to its initial position.

상기 웨이퍼 예비정렬 스테이지(520)에는 엣지 센서(edge sensor; 550)와 얼라인마크 센서(align mark sensor; 560)가 설치되어 있다. 상기 엣지 센서(550)는 웨이퍼(w)의 플랫존(flat zone)을 검출하기 위한 것으로서, 통상적으로 발광소자와 수광소자를 구비하고 있다. 또한, 상기 얼라인마크 센서(560)는 웨이퍼의 측부에 형성된 얼라인마크를 검출하기 위한 것이다. 상기 엣지 센서(550)에 의해 일차적으로 플랫존이 검출된 상태에서, 상기 얼라인마크 센서(560)에 의해 웨이퍼(w)의 얼라인마크를 검출하기 때문에, 상기 웨이퍼(w)의 보다 정밀한 예비정렬이 가능하게 된다.An edge sensor 550 and an alignment mark sensor 560 are installed in the wafer preliminary alignment stage 520. The edge sensor 550 is for detecting a flat zone of the wafer w, and typically includes a light emitting device and a light receiving device. In addition, the alignment mark sensor 560 is for detecting the alignment mark formed on the side of the wafer. Since the alignment mark of the wafer w is detected by the alignment mark sensor 560 in the state where the flat zone is primarily detected by the edge sensor 550, more accurate preliminary preparation of the wafer w is performed. Sorting is possible.

한편, 상기 웨이퍼 스테이지(530)에는 다수개의 광센서(534)가 설치되어 있다. 상기 광센서(534)는 상기 웨이퍼 스테이지(530) 상의 정위치에 상기 웨이퍼(w)를 위치시키기 위한 것이다. 상기 광센서(534)들에 의해 검출된 신호는 컨트롤러(도시 안됨)로 입력되며, 상기 컨트롤러는 상기 광센서(534)들로부터 입력되는 신호에 근거하여 웨이퍼 위치조정 장치(wafer positioning device)를 작동시키므로써 웨이퍼(w)의 위치를 미세 조정한다. 이러한 위치 조정작업에 의해, 웨이퍼(w) 상에 막질(thin film)이 오버레이(overlay)되는 현상을 방지할 수 있게 된다.The wafer stage 530 is provided with a plurality of optical sensors 534. The optical sensor 534 is for positioning the wafer w in position on the wafer stage 530. Signals detected by the photosensors 534 are input to a controller (not shown), which operates a wafer positioning device based on signals input from the photosensors 534. Thus, the position of the wafer w is finely adjusted. By this positioning operation, it is possible to prevent the phenomenon in which a thin film is overlaid on the wafer w.

여기서, 오버레이 현상이란 웨이퍼(w) 상에 적층되는 첫 번째 막질층과 상기첫 번째 막질층 상에 적층되는 두 번째 막질층 사이에 옵셋(offset)이 발생하는 것을 의미한다.Here, the overlay phenomenon means that an offset occurs between the first film layer stacked on the wafer w and the second film layer stacked on the first film layer.

도면부호(536)는 자외선 발생장치로서, 정렬이 완료된 웨이퍼(w) 상에 자외선을 조사하므로써 웨이퍼(w) 상에 포토레지스트 패턴을 형성시키는 역할을 한다. 상기 포토레지스트 패턴 형성작업은 마스크를 개재하여 수행된다.Reference numeral 536 denotes an ultraviolet ray generating device, which serves to form a photoresist pattern on the wafer w by irradiating ultraviolet rays onto the aligned wafer w. The photoresist pattern forming operation is performed through a mask.

한편, 웨이퍼 세척 장치(400)는 웨이퍼(w)가 운송되는 웨이퍼 운송 스테이지(510)의 저부에 배치된다. 상기 세척 장치는 웨이퍼(w)에 묻어 있는 이물질을 상기 웨이퍼로부터 이탈시키기 위한 에어 분사장치(402) 및 상기 에어 분사장치(402)에 의해 웨이퍼(w)로부터 이탈된 이물질을 흡입하여 외부로 배출시키기 위한 이물질 흡입장치(401)를 구비한다.Meanwhile, the wafer cleaning apparatus 400 is disposed at the bottom of the wafer transport stage 510 to which the wafer w is transported. The cleaning apparatus sucks and discharges foreign substances separated from the wafer w by the air jetting device 402 and the air jetting device 402 to release the foreign matter from the wafer w. It is provided with a foreign material suction device 401.

도4에 상세히 도시되어 있는 바와 같이, 상기 에어 분사장치(402)는 에어 공급원(428)에 연결되어 상기 에어 공급원(428)으로부터 공급되는 에어의 압력을 조절하는 레귤레이터(426)를 포함한다. 상기 레귤레이터(426)의 작동은 센서로부터의 신호와 제어부의 제어에 의해 자동으로 이루어지는 것이 바람직하지만, 수동으로 작동시키는 것도 가능하다. 상기 레귤레이터(426)는 효율적인 이물질 제거를 위해 통상적으로 30psi 정도로 에어의 압력을 조절한다.As shown in detail in FIG. 4, the air injector 402 includes a regulator 426 connected to an air source 428 to regulate the pressure of air supplied from the air source 428. The operation of the regulator 426 is preferably performed automatically by the signal from the sensor and the control of the controller, but can be operated manually. The regulator 426 regulates the pressure of air typically to 30 psi for efficient foreign material removal.

상기 에어 공급원(428)과 레귤레이터(426) 사이에는 에어의 유입을 개폐하는 제1 솔레노이드 밸브(427)가 배치되며, 상기 레귤레이터(426)를 통과한 에어에 포함된 불순물은 필터(425)에 의해 여과된다. 상기 필터(425)는 대략 0.001㎛의 필터를 사용하는 것이 바람직하다. 상기 필터(425)를 통과한 에어는 상기 웨이퍼(w)의저부에 배치되어 있는 에어 샤워부(air shower; 420)를 통해 상기 웨이퍼(w)의 저면을 향해 분사된다. 상기 에어 샤워부(420)는 다수개의 홀이 형성되어 있는 분사 덕트의 형태이거나, 또는 하나의 개구부가 상면에 형성되는 분사덕트의 형태일 수 있다. 상기 에어 샤워부(420)의 형상 및 구조는 적용되는 시스템에 따라 적절하게 개조될 수 있다.A first solenoid valve 427 is disposed between the air supply source 428 and the regulator 426 to open and close the inflow of air, and impurities contained in the air passing through the regulator 426 are filtered by the filter 425. Filtered. The filter 425 is preferably a filter of approximately 0.001㎛. Air passing through the filter 425 is injected toward the bottom surface of the wafer w through an air shower 420 disposed at the bottom of the wafer w. The air shower 420 may be in the form of an injection duct in which a plurality of holes are formed, or may be in the form of an injection duct in which one opening is formed on an upper surface thereof. The shape and structure of the air shower 420 may be appropriately modified depending on the system to which it is applied.

상기 이물질 흡입장치(401)는 진공 공급원(414)에 연결되어 있으며, 상기 에어 샤워부(420)에 인접 배치되어 웨이퍼(w)로부터 이탈된 이물질을 흡입하는 진공 덕트(410) 및 상기 진공 공급원(414)을 개폐시키기 위한 제2 솔레노이드 밸브(412)를 구비한다. 상기 진공 덕트(410)를 상기 에어 샤워부(420)에 인접 배치시키는 이유는 상기 웨이퍼(w)로부터 이탈되는 이물질을 효율적으로 포집할 수 있도록 하기 위함이다.The foreign matter suction device 401 is connected to the vacuum source 414, and is disposed adjacent to the air shower 420 to suck the foreign matter separated from the wafer w and the vacuum duct 410. And a second solenoid valve 412 for opening and closing 414. The reason why the vacuum duct 410 is disposed adjacent to the air shower 420 is to efficiently collect foreign substances separated from the wafer w.

이하, 상기 구성을 갖는 스테퍼(500)의 작동을 도6을 참조하여 설명하기로 한다.Hereinafter, the operation of the stepper 500 having the above configuration will be described with reference to FIG.

먼저, 웨이퍼(w)는 스피너(540)에서 포토레지스트가 스핀코팅된다(S10). 이렇게 포토레지스트가 스핀 코팅된 웨이퍼(w)는 상기 제1 핸들러(512)에 의해 상기 웨이퍼 운송 스테이지(510)로 이송된다(S20).First, the wafer w is spin-coated with a photoresist in the spinner 540 (S10). The wafer w spin-coated with the photoresist is transferred to the wafer transfer stage 510 by the first handler 512 (S20).

상기 웨이퍼 운송 스테이지(510)에서, 웨이퍼(w)는 다음 공정의 진행을 위해 대기한다. 이 상태에서, 상기 세척장치(400)가 작동하여 웨이퍼(w)에 묻어 있는 이물질을 제거시킨다(S30).In the wafer transfer stage 510, the wafer w waits for the next process to proceed. In this state, the cleaning device 400 operates to remove foreign substances on the wafer (W30).

즉, 상기 웨이퍼 운송 스테이지(510) 상에 웨이퍼(w)가 안착되면, 센서가 이를 감지하여 제어부에 웨이퍼 감지 신호를 전송한다. 센서로부터 웨이퍼 감지 신호가 입력됨에 따라, 제어부는 상기 제1 솔레노이드 밸브(427)에 개방시켜 에어 공급원(428)으로부터 레귤레이터(426)로 에어가 유입된다.That is, when the wafer w is seated on the wafer transport stage 510, the sensor detects this and transmits a wafer detection signal to the controller. As the wafer sensing signal is input from the sensor, the controller opens the first solenoid valve 427 so that air flows from the air supply 428 to the regulator 426.

상기 유입되는 에어는 레귤레이터(426)를 통과하는 동안 그 압력이 조절되어 소정의 압력을 갖게 되며, 필터(425)를 통과하여 불순물이 제거된 상태에서 에어 샤워부(420)로 유입된다.The incoming air is adjusted to have a predetermined pressure while passing through the regulator 426, and is introduced into the air shower 420 while impurities are removed through the filter 425.

상기 에어 샤워부(420)로 유입된 공기는 상기 웨이퍼의 저면을 향해 분사되므로써 웨이퍼에 묻어있는 이물질을 이탈시킨다.The air introduced into the air shower 420 is ejected toward the bottom surface of the wafer to release foreign substances from the wafer.

한편, 상기 에어 분사 공정이 진행됨과 동시에, 상기 제어부는 제2 솔레노이드 밸브(412)에 개방신호를 인가시켜 상기 진공 공급원(414)과 진공 덕트(410)를 연통시킨다. 따라서, 상기 에어 샤워부(420)에 의해 상기 웨이퍼로부터 이탈된 상기 이물질들은 진공 덕트(410)에 형성된 진공에 의해 상기 진공 덕트(410)로 빨려들어가므로, 상기 이물질의 부유에 의해 상기 웨이퍼가 재오염되는 문제가 발생하지 않게 된다.On the other hand, as the air injection process proceeds, the controller applies an open signal to the second solenoid valve 412 to communicate the vacuum source 414 with the vacuum duct 410. Therefore, since the foreign matters separated from the wafer by the air shower 420 are sucked into the vacuum duct 410 by the vacuum formed in the vacuum duct 410, the wafer may be reloaded by the floating of the foreign matter. The problem of contamination does not occur.

이렇게 웨이퍼에 묻어있는 이물질이 제거된 상태에서, 상기 제2 핸들러(522)는 상기 웨이퍼 운송 스테이지(510)에 대기하고 있는 웨이퍼(w)를 웨이퍼 예비정렬 스테이지(520)로 이송시킨다(S40). 이때, 상기 제2 핸들러(522)에 의해 상기 웨이퍼 예비정렬 스테이지(520)로 이송된 웨이퍼(w)는 상기 엣지센서(550)와 얼라인마크 센서(560) 사이에 위치된다.In this state in which the foreign matter on the wafer is removed, the second handler 522 transfers the wafer w waiting on the wafer transport stage 510 to the wafer pre-alignment stage 520 (S40). In this case, the wafer w transferred to the wafer pre-alignment stage 520 by the second handler 522 is positioned between the edge sensor 550 and the alignment mark sensor 560.

상기 위치에서, 웨이퍼(w)는 회전장치(도시 안됨)에 의해 소정속도로 회전하게 되는데, 상기 웨이퍼(w)의 회전은 상기 엣지센서(550)가 상기 웨이퍼(w)의 플랫존을 검출할 때까지 계속된다.In this position, the wafer w is rotated at a predetermined speed by a rotating device (not shown), and the rotation of the wafer w causes the edge sensor 550 to detect the flat zone of the wafer w. Until it continues.

웨이퍼(w)의 플랫존이 검출되면, 얼라인마크 센서(560)가 상기 웨이퍼(w)의 측부에 형성되어 있는 얼라인마크를 검출하는데, 이때 상기 웨이퍼(w)는 얼라인마크 센서(560)에 의해 얼라인마크가 검출될 때까지 상기 회전장치에 의해 미세하게 회전이동을 한다. 웨이퍼(w)에 대한 예비정렬 작업이 완료되면, 상기 제3 핸들러(532)가 작동하여 상기 웨이퍼(w)를 상기 웨이퍼 스테이지(530)로 이송시킨다(S50).When the flat zone of the wafer w is detected, the alignment mark sensor 560 detects the alignment mark formed on the side of the wafer w, wherein the wafer w is the alignment mark sensor 560. Fine rotation by the rotary device until the alignment mark is detected by the). When the pre-alignment operation for the wafer w is completed, the third handler 532 is operated to transfer the wafer w to the wafer stage 530 (S50).

상기 웨이퍼(w)가 상기 웨이퍼 스테이지(530)로 이송되면, 상기 웨이퍼 스테이지(530)에 설치되어 있는 다수개의 광센서(534)가 상기 웨이퍼(w)의 위치를 검출한다. 상기 광센서(534)는 정밀 센서장치로서 상기 웨이퍼(w)의 위치에 따른 전기신호를 계속적으로 상기 컨트롤러에 전송한다. 상기 컨트롤러는 상기 광센서(534)들로부터 입력되는 신호에 근거하여 웨이퍼 위치조정 장치를 작동시켜 웨이퍼(w)의 위치를 미세 조정하므로써 상기 웨이퍼(w)를 상기 웨이퍼 스테이지(530) 상의 정위치에 위치시킨다.When the wafer w is transferred to the wafer stage 530, a plurality of optical sensors 534 installed on the wafer stage 530 detect the position of the wafer w. The optical sensor 534 is a precision sensor device and continuously transmits an electric signal according to the position of the wafer w to the controller. The controller operates the wafer positioning device based on the signals input from the photosensors 534 to finely adjust the position of the wafer w, thereby bringing the wafer w into position on the wafer stage 530. Position it.

웨이퍼(w)에 대한 정렬작업이 완료되면, 상기 컨트롤러는 자외선 발생장치(536)에 전기신호를 인가하여 정렬이 완료된 웨이퍼(w) 상에 자외선을 조사한다. 상기 자외선 조사는 소정의 패턴이 형성되어 있는 레티클을 개재하여 수행된다.When the alignment operation on the wafer w is completed, the controller applies an electric signal to the ultraviolet ray generator 536 to irradiate the ultraviolet ray on the wafer w on which alignment is completed. The ultraviolet irradiation is performed via a reticle in which a predetermined pattern is formed.

이때, 상기 웨이퍼는 이물질이 제거된 상태를 유지하고 있기 때문에, 매우정밀한 패턴의 레티클을 사용할 경우에도 패턴 형성이 매우 용이하게 이루어 질 수 있다.In this case, since the wafer maintains a state in which foreign substances are removed, even when using a reticle having a very precise pattern, pattern formation may be very easy.

한편, 도5에는 본 발명에 따른 세척장치(200)가 레티클(R)에 묻어있는 이물질의 제거를 위해 레티클 세척 스테이지(300)에 적용되고 있는 것을 도시하는 것이다. 여기서, 상기 세척장치(200)의 구성 및 작동은 에어 공급원(428) 대신에 질소 공급원(328)을 사용한다는 것을 제외하면, 도5에 도시된 세척장치(400)와 동일하다. 에어에 대신하여 질소를 사용하는 이유는 에어 중에 포함되어 있는 화합물이 레티클(R)을 손상시킬 우려가 있기 때문이다.On the other hand, Figure 5 shows that the cleaning device 200 according to the present invention is applied to the reticle cleaning stage 300 to remove the foreign matter on the reticle (R). Here, the configuration and operation of the cleaning device 200 is the same as the cleaning device 400 shown in FIG. 5, except that the nitrogen source 328 is used instead of the air source 428. The reason why nitrogen is used instead of air is that the compound contained in the air may damage the reticle (R).

도7에는 상기 레티클(R)을 세척시키는 공정이 블록도로 도시되어 있다.7 is a block diagram illustrating a process of cleaning the reticle R.

도7에 도시되어 있는 바와 같이, 레티클(R)의 이물질 제거 공정은 진행할 공정을 선택하는 단계(S60), 레티클(R)을 선택하는 단계(S70), 레티클 로더(loader)부에 레티클(R)을 이송시키는 단계(S80), 레티클(R) 세척단계(S90) 및 레티클 부위의 불순물을 검사하는 단계(S100)로 구성되어 있다.As illustrated in FIG. 7, the foreign material removing process of the reticle R may include selecting a process to proceed (S60), selecting a reticle R (S70), and a reticle R in a reticle loader. ) Transfer step (S80), the reticle (R) washing step (S90) and the step of inspecting the impurities in the reticle portion (S100).

상기 레티클 세척 단계(S90)는 웨이퍼 세척 공정과 동일한 메카니즘으로 진행되므로 그 구체적인 설명은 이하 생략하기로 한다.Since the reticle cleaning step S90 proceeds to the same mechanism as the wafer cleaning process, a detailed description thereof will be omitted below.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 웨이퍼와 레티클을 사전 세척할 수 있기 때문에 레티클 검사 공정에서 레티클의 불량이 발생할 위험이 감소되고, 웨이퍼에 정밀한 레티클 패턴을 형성시킬 수 있다는 장점을 갖는다.As described above, according to the present invention, since the wafer and the reticle can be pre-cleaned, there is an advantage of reducing the risk of defects in the reticle in the reticle inspection process and forming a precise reticle pattern on the wafer.

또한, 본 발명에 따르면, 제품의 불량률이 감소되므로 제품의 생산성이 향상될 수 있다는 효과가 있다.In addition, according to the present invention, since the defective rate of the product is reduced, there is an effect that the productivity of the product can be improved.

이상 본 발명이 바람직한 실시예를 참고로 설명되었으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상의 범주 내에서 다양한 개량이나 변형이 가능하고, 이러한 개량이나 변형 또한 본 발명에 속한다는 것은 당업자라면 인지할 수 있을 것이다.Although the present invention has been described with reference to preferred embodiments, the present invention is not limited to the above embodiments, and various improvements or modifications are possible within the scope of the technical idea of the present invention, and such improvements or modifications also belong to the present invention. Will be appreciated by those skilled in the art.

Claims (3)

웨이퍼 운송 스테이지, 웨이퍼 예비 정렬 스테이지 및 웨이퍼 스테이지로 구성되는 스테퍼의 웨이퍼 운송 스테이지로 이송된 웨이퍼를 향해 에어를 분사하여 웨이퍼에 묻어있는 이물질을 상기 웨이퍼로부터 이탈시키는 에어 분사수단; 및Air ejection means for ejecting air toward the wafer transported to the wafer transport stage of the stepper consisting of a wafer transport stage, a wafer pre-alignment stage, and a wafer stage to release foreign matters from the wafer from the wafer; And 상기 에어 분사수단에 의해 이탈된 이물질을 흡입하여 외부로 배출시키는 이물질 흡입수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.And a foreign material suction means for sucking foreign substances separated by the air injection means and discharging them to the outside. 제1항에 있어서, 상기 에어 분사수단은 에어 공급원에 연결되어 상기 에어 공급원으로부터 공급되는 에어의 압력을 조절하는 레귤레이터, 상기 에어 공급원과 레귤레이터 사이에 배치되어 에어의 유입을 개폐하는 제1 솔레노이드 밸브, 상기 레귤레이터를 통과한 에어에 포함된 불순물을 여과시키는 필터 및 상기 웨이퍼의 저부에 배치되어 상기 웨이퍼의 저면을 향해 에어를 분사하는 에어 샤워부를 구비하며, 상기 이물질 흡입수단은 진공 공급원에 연결되어 있으며, 상기 에어 샤워부에 인접 배치되어 웨이퍼로부터 이탈된 이물질을 흡입하는 진공 덕트 및 상기 진공 공급원을 개폐시키기 위한 제2 솔레노이드 밸브를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.According to claim 1, The air injection means is connected to an air source regulator for regulating the pressure of the air supplied from the air source, a first solenoid valve disposed between the air source and the regulator to open and close the inflow of air, A filter for filtering impurities contained in the air passing through the regulator and an air shower disposed at the bottom of the wafer to inject air toward the bottom of the wafer, and the foreign matter suction means is connected to a vacuum source, And a vacuum duct disposed adjacent to the air shower to suck foreign matter separated from the wafer, and a second solenoid valve for opening and closing the vacuum supply. 레티클 세척 스테이지로 이송된 레티클을 향해 에어를 분사하여 상기 레티클에 묻어있는 이물질을 상기 레티클부터 이탈시키며, 에어 공급원에 연결되어 상기에어 공급원으로부터 공급되는 에어의 압력을 조절하는 레귤레이터, 상기 에어 공급원과 레귤레이터 사이에 배치되어 에어의 유입을 개폐하는 제1 솔레노이드 밸브, 상기 레귤레이터를 통과한 에어에 포함된 불순물을 여과시키는 필터 및 상기 레티클의 저부에 배치되어 상기 레티클의 저면을 향해 에어를 분사하는 에어 샤워부를 포함하는 에어 분사수단; 및A regulator for ejecting air toward the reticle to be transferred to the reticle cleaning stage to remove foreign substances from the reticle from the reticle, a regulator connected to an air source to regulate the pressure of air supplied from the air source, the air source and the regulator A first solenoid valve disposed between opening and closing the inflow of air, a filter for filtering impurities contained in the air passing through the regulator, and an air shower unit disposed at a bottom of the reticle to inject air toward the bottom of the reticle Air injection means comprising; And 상기 에어 분사수단에 의해 이탈된 이물질을 흡입하여 외부로 배출시키며, 상기 에어 샤워부에 인접 배치되어 웨이퍼로부터 이탈된 이물질을 흡입하는 진공 덕트 및 상기 진공 공급원을 개폐시키기 위한 제2 솔레노이드 밸브를 포함하는 이물질 흡입수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.And a vacuum duct disposed to adsorb and discharge the foreign matter separated by the air jetting means to the outside, the vacuum duct disposed adjacent to the air shower to suck foreign matter separated from the wafer, and a second solenoid valve for opening and closing the vacuum source. A semiconductor manufacturing apparatus comprising: a foreign material suction means.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100396378B1 (en) * 2001-05-08 2003-09-02 아남반도체 주식회사 Device for cleaning particle on reticle
KR100580943B1 (en) * 2004-08-07 2006-05-17 유원테크 주식회사 a cleaning system for light guide panel of back light

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0964000A (en) * 1995-08-18 1997-03-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd Dry cleaning device
KR970030423A (en) * 1995-11-22 1997-06-26 문정환 Foreign material removal device on the back of wafer
KR100256299B1 (en) * 1997-06-30 2000-05-15 김영환 Particle removing device
KR200198459Y1 (en) * 1997-12-29 2000-10-02 김영환 Particle removing apparatus of semiconductor wafer

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100396378B1 (en) * 2001-05-08 2003-09-02 아남반도체 주식회사 Device for cleaning particle on reticle
KR100580943B1 (en) * 2004-08-07 2006-05-17 유원테크 주식회사 a cleaning system for light guide panel of back light

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