KR20020004274A - Growing Method for Nitride Semiconductor Film - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 DVD(Digital Versatile Disc) 시스템의 광원으로 주목받고 있는 질화물 반도체 레이저를 제작하기 위해 필요한 반도체 박막의 성능 향상을 위한 결정 성장 방법에 관한 것으로, 특히 결함 밀도를 감소시켜 안정적이고 우수한 성능을 갖는 질화물 반도체 박막의 성장 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a crystal growth method for improving the performance of a semiconductor thin film required for manufacturing a nitride semiconductor laser that is attracting attention as a light source of a digital versatile disc (DVD) system. A method for growing a nitride semiconductor thin film.
질화물 반도체 레이저를 제작하기 위한 반도체 박막을 성장할 때 울쓰광(Wurtzite) 구조의 성장에 적합한 이종 물질인 사파이어 기판 위에 직접 성장을 하는 것이 일반적이었다. 이는 사파이어 기판이 다른 기판에 비해 구하기 쉽고 기판 전처리 과정이 간단하며 질화물 반도체 박막 성장시의 고온에서 안정하다는 장점을 가지고 있기 때문이다. 하지만 질화물 반도체 박막과 열팽창 계수와 격자 상수에 있어 큰 차이를 가지고 있기 때문에 결정 결함을 감소시켜 고품위의 박막을 얻는 데는 근본적인 한계가 있다.When growing a semiconductor thin film for fabricating a nitride semiconductor laser, it was common to grow directly on a sapphire substrate, which is a heterogeneous material suitable for growth of a wurtzite structure. This is because the sapphire substrate has advantages of being easier to obtain than other substrates, simple substrate pretreatment process, and stable at high temperature during nitride semiconductor thin film growth. However, there is a fundamental limitation in obtaining a high quality thin film by reducing crystal defects because of the large difference in the nitride semiconductor thin film and the coefficient of thermal expansion and lattice constant.
일반적으로 이종 기판 위에 박막을 성장할 때 기판과 박막간의 열팽창 계수와 격자 상수에 있어서 차이가 나기 때문에 부정합 전위(misfit dislocation) 등의 결함이 많이 발생한다. 이러한 결함들이 상위층 성장시 전달되지 않도록 하는 것이 중요하므로 이를 위해서 완충막을 도입하기도 한다. 완충막에 의해 응력을 차단함으로써 상위층으로 전위가 이동 및 전파되는 구동력을 줄이는 방법이 있고, 완충막에 큰 응력을 건 다음 열처리 과정을 통해 전위 등의 결함을 외부로 제거해버리는 방법이 있지만 결함을 줄이는데 한계가 있다.In general, when a thin film is grown on a heterogeneous substrate, a difference in thermal expansion coefficient and lattice constant between the substrate and the thin film causes a large number of defects such as misfit dislocation. It is important to prevent these defects from propagating during the growth of the upper layer, so a buffer layer may be introduced for this purpose. There is a method of reducing the driving force in which dislocations are transferred and propagated to the upper layer by blocking stress by the buffer film, and there is a method in which a large stress is applied to the buffer film and the defects such as dislocations are removed to the outside through a heat treatment process. There is a limit.
이와 같이 사파이어 기판 위에 직접적으로 GaN 박막 등의 반도체 박막을 성장하는 것이 아닌 레이저 다이오드 구조의 후속 성장을 위한 모재로서의 일차적인 GaN 기판을 성장하는 것에 대한 연구가 많이 이루어지고 있다. 이는 두꺼운 GaN 막이 사파이어 기판 위에 성장되어 있는 형태로서 GaN 만의 후막에 GaN 박막을 성장하는 것은 아니라는 측면에서 진정한 의미의 호모에피텍시(homoepitaxy)라고 할 수는 없다.Thus, many studies have been made on growing a primary GaN substrate as a base material for subsequent growth of a laser diode structure, rather than directly growing a semiconductor thin film such as a GaN thin film directly on a sapphire substrate. This is a form in which a thick GaN film is grown on a sapphire substrate and is not a true homoepitaxy since it does not grow a GaN thin film on a GaN-only thick film.
도 1a 내지 도 1c 는 종래 기술에 따른 측면 성장 방법(LEO : lateral epitaxial overgrowth)을 이용한 질화물 반도체 박막 제조 공정 단면도로서, 질화물 반도체막의 결정 결함 밀도를 크게 줄였다.1A to 1C are cross-sectional views of a nitride semiconductor thin film fabrication process using a lateral epitaxial overgrowth (LEO) method according to the prior art, which greatly reduces the crystal defect density of the nitride semiconductor film.
도 1a 에 도시된 바와 같이 사파이어 기판(1) 위에 제 1 질화물 박막층(2)을 형성한다. 그후 제 1 질화물 박막층(2)의 소정 영역이 노출되도록 소정 패턴을 갖는 유전막 마스크(3)를 형성한다.As shown in FIG. 1A, a first nitride thin film layer 2 is formed on the sapphire substrate 1. Thereafter, a dielectric film mask 3 having a predetermined pattern is formed to expose a predetermined region of the first nitride thin film layer 2.
이어 도 1b 및 도 1c 에 도시된 바와 같이 노출된 제 1 질화물 박막층(윈도우 : 2)을 통해 자라 올라온 제 2 질화물 박막층(4)이 측면 성장을 하도록 하여 유전막 마스크(3)의 위 부분도 덮도록 하여 전면에 제 2 질화물 박막층(4)이 성장되도록 한다.Subsequently, as shown in FIGS. 1B and 1C, the second nitride thin film layer 4 grown through the exposed first nitride thin film layer (Window 2) is allowed to grow sideways so as to cover the upper portion of the dielectric mask mask 3. Thus, the second nitride thin film layer 4 is grown on the front surface.
유전체 마스크(3)로 가려진 부분 위에 측면 성장된 부분은 결함 밀도가 감소하나 유전체 마스크(3)로 가려지지 않은 부분의 제 1 질화물 박막층(윈도우 : 2) 위에 성장되는 제 2 질화물 박막층(4)은 하부 모재인 GaN 박막 등의 제 1 질화물 박막층(2)의 결함이 그대로 전달되어 결정성이 우수하지 못하다.The laterally grown portion over the portion covered by the dielectric mask 3 reduces the defect density but the second nitride thin film layer 4 grown over the first nitride thin film layer (Window: 2) of the portion not covered by the dielectric mask 3 Defects of the first nitride thin film layer 2, such as a GaN thin film, which is a lower base material, are transferred as they are, so that crystallinity is not excellent.
즉 평균적으로는 결함 밀도가 감소하나 국부적으로 결함 밀도가 높은 부분과 낮은 부분이 일정한 주기를 가지고 존재하게 된다. 이것은 이후 공정에서 레이저 다이오드의 리지(ridge)부분을 결함 밀도가 낮은 부분인 상기 유전체 마스크(3)와 같은 유전체 산화막 위에 성장된 결정 위에 정렬해야 하는 등의 제약을 가져오며 결함 밀도의 평균적 감소에 있어서도 어느 정도 한계를 가지게 된다.That is, on the average, the defect density decreases, but the parts with high defect density and the parts with local defect density exist at regular intervals. This imposes constraints such that the ridge portion of the laser diode must be aligned on a crystal grown on a dielectric oxide film such as the dielectric mask 3 where the defect density is low in a subsequent process, and also in the average decrease in defect density. There will be some limits.
도 2a 내지 도 2c 는 종래 기술에 따른 팬디오에피텍시(pendeoepitaxy) 성장 방법을 이용한 질화물 반도체막 제조 공정 단면도이다.2A to 2C are cross-sectional views of a nitride semiconductor film fabrication process using a peneoepitaxy growth method according to the prior art.
먼저 도 2a 에 도시된 바와 같이 사파이어 기판(11) 위에 제 1 질화물 박막층을 형성한다. 이어, 도 2b 에 도시된 바와 같이 사파이어 기판(11) 위에 제 1 질화물 박막층(12)을 주기적인 스트라이프 형태로 형성한 후 후속 성장시 이 부분을 모재로 측면 성장이 일어나도록 한다.First, as shown in FIG. 2A, a first nitride thin film layer is formed on the sapphire substrate 11. Subsequently, as shown in FIG. 2B, the first nitride thin film layer 12 is formed on the sapphire substrate 11 in the form of a periodic stripe, and later side growth is performed using this portion as a base material during subsequent growth.
측면 성장이 일어난 부분의 결함 밀도는 낮으나 측면 성장의 모재가 되는 부분의 결함 밀도는 변화시킬 수 없다. 따라서 전체적인 평균 결함 밀도를 어느 이상 줄일 수 없다. 또한 모재의 결함이 많을 경우 측면 성장되는 부분의 결정성도 우수하지 못하게 된다. 그리고 공정에서 레이저 다이오드의 리지(ridge)부분을 결함 밀도가 낮은 부분 위에 정렬해야 하는 등의 제약이 존재한다.Although the defect density of the side where the lateral growth occurred is low, the defect density of the part which is the base material of the lateral growth cannot be changed. Therefore, the overall average defect density cannot be reduced any more. In addition, when there are many defects of the base material, the crystallinity of the side-grown part is not excellent. In the process, there are limitations such that the ridge portion of the laser diode must be aligned on the low defect density portion.
우수한 특성의 레이저 다이오드를 제작하기 위해서는 상위층에 전달되는 결함을 줄이는 것이 필요하다. 따라서 상위층에 전달되는 결함을 줄여 안정적이고 우수한 성능의 소자를 제작할 수 있도록 고품위 박막을 얻는 방법이 모색되어야 한다. 즉, 박막의 결정성은 소자의 전체 성능을 크게 좌우하기 때문에 고품위의 박막을 얻는 것은 안정적이고 우수한 성능의 반도체 레이저 제작에 필수적이라고 할 수 있다.In order to fabricate laser diodes with good characteristics, it is necessary to reduce the defects transmitted to the upper layer. Therefore, a method of obtaining a high quality thin film to reduce the defects transmitted to the upper layer and to manufacture a stable and excellent performance should be sought. That is, since the crystallinity of the thin film greatly influences the overall performance of the device, it can be said that obtaining a high quality thin film is essential for producing a stable and excellent semiconductor laser.
이상에서 설명한 종래 기술에 따른 질화물 반도체막 성장 방법은 다음과 같은 문제점이 있다.The nitride semiconductor film growth method according to the related art described above has the following problems.
종래 기술에 따른 울쓰광(wurzite) 구조의 성장에 적합한 이종 물질인 사파이어 기판 위에 직접 성장하는 방법은 열팽창 계수와 격자 상수의 차이로 전위밀도를 줄이지 못한다.The method of directly growing on a sapphire substrate, which is a heterogeneous material suitable for growth of a wurtzite structure according to the prior art, does not reduce the dislocation density due to the difference between the coefficient of thermal expansion and the lattice constant.
종래 기술에 따른 LEO(lateral epitaxial overgrowth) 성장 방법은 결정성이 떨어지고 국부적 전위밀도가 증가하여 평균적 전위밀도 감소의 한계가 있다.The lateral epitaxial overgrowth (LEO) growth method according to the prior art has a limit of decrease in average dislocation density due to poor crystallinity and increased local dislocation density.
종래 기술에 따른 팬디오에피텍시(pendeoepitaxy) 성장법은 측면 성장부분의 전위밀도는 감소시킬 수 있으나 모재의 전위 밀도를 감소시킬 수 없다.According to the prior art peneoepitaxy growth method can reduce the dislocation density of the side growth portion, but can not reduce the dislocation density of the base material.
따라서 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, LEO 시행후 결함이 높은 부분을 제거하여 모재의 전위 밀도를 감소시킨 후, 팬디오에피텍시(pendeoepitaxy)를 행하여 이후 성장하게 되는 레이저 다이오드의 소자 성능을 향상시키는 질화물 반도체막 성장 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.Therefore, the present invention has been made to solve the above problems, and after removing the high defects after the LEO implementation to reduce the dislocation density of the base material, the laser to be grown later by performing a peneoepitaxy (pendeoepitaxy) It is an object of the present invention to provide a nitride semiconductor film growth method for improving device performance of a diode.
도 1a 내지 도 1c 는 종래 기술에 따른 측면 성장 방법(LEO : lateral epitaxial overgrowth)을 이용한 질화물 반도체 박막 제조 공정 단면도1A to 1C are cross-sectional views of a nitride semiconductor thin film manufacturing process using a lateral epitaxial overgrowth (LEO) method according to the prior art.
도 2a 내지 도 2c 는 종래 기술에 따른 팬디오에피텍시(pendeoepitaxy) 성장 방법을 이용한 질화물 반도체막 제조 공정 단면도2A through 2C are cross-sectional views of a nitride semiconductor film fabrication process using a peneoepitaxy growth method according to the related art.
도 3a 내지 도 3e 는 본 발명에 따른 질화물 반도체 박막 제조 공정 단면도3A to 3E are cross-sectional views of a nitride semiconductor thin film manufacturing process according to the present invention.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
1, 11, 21 : 사파이어 기판 2, 12, 22 : 제 1 질화물 박막층1, 11, 21: sapphire substrate 2, 12, 22: first nitride thin film layer
3, 23, 25 : 유전막 마스크 4, 13, 24 : 제 2 질화물 박막층3, 23, 25: dielectric film mask 4, 13, 24: the second nitride thin film layer
26, 27 : 제 3 질화물 박막층26, 27: third nitride thin film layer
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 질화물 반도체막 성장 방법의 특징은 기판 위에 제 1 질화물박막을 형성하는 단계와, 상기 제 1 질화물박막 위에 다수 개의 띠 형태를 갖는 제 1 유전막을 형성하는 단계와, 상기 전면에 상기 제 1 유전막이 덮히도록 제 2 질화물 박막을 형성하고, 상기 제 2 질화물 박막 위에 상기 제 1 유전막과 수직 방향으로 평행하도록 다수 개의 띠 형태를 갖는 제 2 유전막을 형성하는 단계와, 상기 기판이 노출되도록 상기 제 1 및 제 2 유전막 양측에 형성된 상기 제 1 및 제 2 질화물 박막을 제거하는 단계와, 상기 제 2 유전막을 제거하고 상기 제 1 및 제 2 질화물 박막이 제거된 부분에 제 3 질화물 박막을형성하는 단계를 포함하여 이루어지는데 있다.Features of the nitride semiconductor film growth method according to the present invention for achieving the above object is the step of forming a first nitride thin film on the substrate, and forming a first dielectric film having a plurality of bands on the first nitride thin film Forming a second nitride thin film so as to cover the first dielectric film on the front surface, and forming a second dielectric film having a plurality of band shapes parallel to the first dielectric film in a vertical direction on the second nitride thin film; And removing the first and second nitride thin films formed on both sides of the first and second dielectric layers so that the substrate is exposed, and removing the second dielectric layer and removing the first and second nitride thin films. Forming a third nitride thin film.
상기 제 1 및 제 2 유전막은 SiO2,Si3N4중 어느 하나로 형성되고, 상기 제 1 및 제 2 유전막의 폭 및 상기 제 1 및 제 2 유전막이 형성되지 않은 부분의 폭은 1㎛∼30㎛으로 형성된다.The first and second dielectric layers are formed of any one of SiO 2 and Si 3 N 4 , and the widths of the first and second dielectric layers and the widths of portions where the first and second dielectric layers are not formed are 1 μm to 30 μm. It is formed in 탆.
본 발명의 특징에 따른 작용은 측면 성장 방법(LEO)과 팬디오에피텍시(pendeoepitaxy) 방법을 혼합하여 사용함으로써 LEO 시행후 결함이 높은 부분을 제거함으로써 결함을 감소시켜 결함이 적은 부분을 이용하여 팬디오에피텍시를 행하는 방법을 통해 전체적으로 결함이 적은 질화물 박막을 성장시킬 수 있다.According to the characteristics of the present invention, the side growth method (LEO) and the pandeo epitaxy (pendeoepitaxy) method is used in combination to remove the high defects after the LEO to reduce the defects by using the less defects Through the Pdio epitaxy, it is possible to grow a nitride film with few defects as a whole.
본 발명의 다른 목적, 특성 및 잇점들은 첨부한 도면을 참조한 실시예들의 상세한 설명을 통해 명백해질 것이다.Other objects, features and advantages of the present invention will become apparent from the following detailed description of embodiments taken in conjunction with the accompanying drawings.
본 발명에 따른 질화물 반도체막 성장 방법의 바람직한 실시예에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.A preferred embodiment of the nitride semiconductor film growth method according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 3a 내지 도 3e 는 본 발명에 따른 질화물 반도체막 제조 공정 단면도이다.3A to 3E are cross-sectional views of a nitride semiconductor film production process according to the present invention.
먼저, 도 3a 에 도시된 바와 같이 사파이어 기판(21) 위에 제 1 질화물 박막층(22)을 형성한다. 그 위에 SiO2나Si3N4같은 유전막 마스크(23)로 스트라이프 패턴을 형성한다. 패턴의 폭 W1, W2 은 1㎛<W1<30㎛, 1㎛<W2<30㎛ 의 범위를 갖도록 형성한다.First, as shown in FIG. 3A, the first nitride thin film layer 22 is formed on the sapphire substrate 21. A stripe pattern is formed thereon with a dielectric film mask 23 such as SiO 2 or Si 3 N 4 . The widths W1 and W2 of the pattern are formed to have a range of 1 µm <W1 <30 µm and 1 µm <W2 <30 µm.
이어 도 3b 에 도시된 바와 같이, 제 2 질화물 박막층(24)을 형성한다. 측면 성장이 일어난 부분인 유전막 마스크(23) 위에 성장된 부분은 유전막 마스크(23)에 의해 하부에서 전달되는 결함이 차단된 상태에서 성장되었기 때문에 상대적으로 결함 밀도가 낮다.Subsequently, as shown in FIG. 3B, a second nitride thin film layer 24 is formed. The portion grown on the dielectric mask 23, which is a side lateral growth, is relatively low in density because it is grown in a state in which defects transmitted from the lower side by the dielectric mask 23 are blocked.
한편 유전막 마스크(23)로 가려지지 않은 부분은 관통 전위(threading dislocation)등의 아래의 결함이 그대로 전달되기 때문에 결함 밀도가 높다. 이리하여 일차적으로 상기와 같은 LEO(lateral epitaxial overgrowth) 방법을 통해 결함 밀도가 높은 부분과 낮은 부분이 주기적으로 존재하는 형태의 GaN 막 등의 제 2 질화물 박막층(24)을 형성한다.On the other hand, the portion not covered by the dielectric film mask 23 has a high defect density because defects such as threading dislocation are transmitted as they are. Thus, a second nitride thin film layer 24 such as a GaN film having a high defect density part and a low defect part periodically is formed through the lateral epitaxial overgrowth (LEO) method as described above.
이어 도 3c 에 도시된 바와 같이 결함 밀도가 낮은 부분인 측면 성장이 이루어진 부분 위에 다시 SiO2나Si3N4같은 제 2 유전막 마스크(25)로 스트라이프 패턴을 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 3C, a stripe pattern is formed again with the second dielectric film mask 25 such as SiO 2 or Si 3 N 4 on the side-growth where the defect density is low.
이어 도 3d 에 도시된 바와 같이, 유전막 마스크(23, 25)로 가려지지 않은 부분인 결함 밀도가 높은 부분을 식각 마스크 패턴 형성 공정과 식각 공정을 통해 제거한다. 이 공정을 통해 결함 밀도가 낮은 부분인 측면 성장을 통해 얻어진 부분이 남게 된다.Subsequently, as illustrated in FIG. 3D, portions having a high defect density, which are not covered by the dielectric masks 23 and 25, are removed through an etching mask pattern forming process and an etching process. This process leaves parts obtained through lateral growth, which are parts with low defect density.
이어 도 3e 에 도시된 바와 같이, 팬디오에피텍시를 이용하여 유전막 마스크(25)를 제거한 다음 측면 성장을 통해 얻어진 부분인 유전막 마스크(23) 위에 형성된 제 2 질화물 박막층(24)으로부터 측면 성장이 일어나도록 하여 전면에GaN 등의 제 3 질화물 박막층(26, 27)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 3E, the sidewall growth is removed from the second nitride thin film layer 24 formed on the dielectric film mask 23, which is a portion obtained through side growth by removing the dielectric film mask 25 using PANDIO epitaxy. The third nitride thin film layers 26 and 27, such as GaN, are formed on the front surface.
측면 성장되는 부분도 결함 밀도가 높은 종래의 팬디오에피텍시 방법만에 의해 성장되었을 때보다 우수한 결정성을 가지게 되며, 식각되지 않은 부분인 유전막 마스크(23) 위에 형성된 제 2 질화물 박막층(24) 자체도 낮은 결함 밀도를 가지고 있기 때문에 전체적으로 결함 밀도가 크게 감소된 GaN 막등의 제 3 질화물 박막층(26, 27)을 얻을 수 있게 된다.The second nitride thin film layer 24 formed on the dielectric film mask 23, which is a non-etched portion, also has a better crystallinity than when grown by a conventional Pdio epitaxy method having a high defect density. Since it also has a low defect density, it is possible to obtain third nitride thin film layers 26 and 27 such as GaN films whose defect density is greatly reduced as a whole.
여기서 유의하여야 할 것은 도 3e 에 도시된 바와 같이 B층뿐만 아니라 A층도 측면 성장에 의해 형성된다는 사실이다. 하지만 A층의 경우 B층이 유착됨에 따라 기체 공급이 줄어들어 도면에는 유착된 것으로 보이지만 B층만큼 유착되지 않는다. 유착되는 정도는 B층의 특성에 영향을 주지 않는다. A층과 B층의 공간도 성장 조건에 따라 달라지나 궁극적으로 맨 위에 남게 되는 B층의 특성에 큰 영향을 주지 않는다. B층을 모재로 하여 소자를 형성하므로 결과적으로 결함 밀도가 크게 감소된 막위에 소자가 형성될 수 있다It should be noted here that the A layer as well as the B layer is formed by lateral growth, as shown in FIG. 3E. However, in the case of layer A, the gas supply decreases as the layer B coalesces, which may appear to be coalesced in the drawing but is not coalesced as much as the layer B. The degree of coalescence does not affect the properties of the B layer. The space between layer A and layer B also depends on growth conditions, but ultimately does not significantly affect the properties of layer B, which remain on top. Since the device is formed using the B layer as a base material, the device can be formed on the film with a significant decrease in defect density.
이상에서 설명한 바와 같은 본 발명에 따른 질화물 반도체막 성장 방법은 다음과 같은 효과가 있다.The nitride semiconductor film growth method according to the present invention as described above has the following effects.
사파이어 기판 위에 직접 질화물 반도체막을 성장시키는 것은 열팽창 계수와 격자 상수의 차이로 인해 전위밀도를 어느 이상 줄이지 못한다.Growing a nitride semiconductor film directly on the sapphire substrate does not reduce the dislocation density any more because of the difference between the coefficient of thermal expansion and the lattice constant.
결함이 적은 질화물 반도체막과 결정성이 좋지 않고 결함이 많은 질화물 반도체막이 동시에 형성되는 LEO 성장법을 이용하여 결함이 많은 질화물 반도체막 부분을 제거하여 전위 밀도를 감소한 뒤, 팬디오에피텍시 성장법을 이용하여 전위 밀도가 감소된 부분을 모재로 하여 측면 성장을 행하기 때문에 전반적으로 전위 밀도가 감소된 질화물 반도체 박막을 얻을 수 있다.By using the LEO growth method, in which a nitride semiconductor film with low defects and a nitride semiconductor film with poor crystallinity and many defects are formed at the same time, a portion of the nitride semiconductor film with many defects is removed to decrease the dislocation density. Since the lateral growth is performed by using the portion where the dislocation density is reduced as a base material, a nitride semiconductor thin film having a reduced dislocation density as a whole can be obtained.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 이탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 실시예에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의하여 정해져야 한다.Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the embodiments, but should be defined by the claims.
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Cited By (1)
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| KR100427689B1 (en) * | 2002-02-21 | 2004-04-28 | 엘지전자 주식회사 | Method for manufacturing Nitride semiconductor substrate |
Family Cites Families (1)
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| JP4028635B2 (en) * | 1997-07-22 | 2007-12-26 | 日亜化学工業株式会社 | Nitride semiconductor light emitting device |
-
2000
- 2000-07-04 KR KR1020000038011A patent/KR100720537B1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100427689B1 (en) * | 2002-02-21 | 2004-04-28 | 엘지전자 주식회사 | Method for manufacturing Nitride semiconductor substrate |
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