KR20020002969A - Field emission display - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A field emission display is provided to minimize power consumption and improve resolution by forming an emitter near a crossing portion between a cathode electrode and a gate electrode. CONSTITUTION: A gate electrode(46) and a cathode electrode(48) cross each other. An emitter(50) is formed on the cathode electrode(48) near a crossing portion(70) between the gate electrode(46) and the cathode electrode(48). The emitter(50) is formed by a rectangular shape along a longitudinal direction of the cathode electrode(48). A negative cathode voltage is applied to the cathode electrode(48). A positive anode voltage is applied to an anode electrode. A positive anode voltage is applied to the gate electrode(46). Electrons emitted from the emitter(50) are accelerated to the anode electrode. A red, a blue, and a green fluorescent material are excited by the accelerated electrons. A visible ray is emitted from the excited fluorescent material.

Description

전계 방출 표시소자{Field Emission Display}Field emission display device {Field Emission Display}

본 발명은 전계 방출 표시소자에 관한 것으로 특히, 소비전력을 최소화함과 아울러 고해상도의 화질을 구현할 수 있도록 한 전계 방출 표시소자에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a field emission display device, and more particularly, to a field emission display device capable of minimizing power consumption and realizing high resolution image quality.

최근, 음극선관(Cathode Ray Tube : CRT)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 이러한 평판 표시장치에는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display : 이하 "LCD"라 함), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display : 이하 "FED"라 함) 및 플라즈마 표시장치(Plasma Display Panel : 이하 "PDP"라 함), 일렉트로 루미네센스(Electro-luminescence : 이하 "EL"이라 함) 등이 있다. 표시품질을 개선하기 위하여, 평판 표시장치의 휘도, 콘트라스트 및 색순도를 높이기 위한 연구개발이 활발히 진행되고 있다.Recently, various flat panel displays have been developed to reduce weight and volume, which are disadvantages of cathode ray tubes (CRTs). Such flat panel displays include liquid crystal displays (hereinafter referred to as "LCD"), field emission displays (hereinafter referred to as "FED"), and plasma display panels (hereinafter referred to as "PDP"). And electroluminescence (hereinafter referred to as "EL"). In order to improve the display quality, research and development have been actively conducted to increase the brightness, contrast and color purity of flat panel displays.

FED는 첨예한 음극(에미터)에 고전계를 집중해 양자역학적인 터널(Tunnel) 효과에 의하여 전자를 방출하고, 방출된 전자를 이용하여 형광체를 여기시킴으로써 화상을 표시하게 된다.The FED concentrates a high field on a sharp cathode (emitter), emits electrons by a quantum mechanical tunnel effect, and displays an image by exciting the phosphor using the emitted electrons.

도 1 및 도 2는 종래의 전계 방출 표시소자를 나타내는 도면이다.1 and 2 illustrate a conventional field emission display device.

도 1 및 도 2를 참조하면, 애노드 전극(4) 및 형광체(6)가 적층된 상부 유리기판(2)과, 하부 유리기판(8) 상에 형성되는 전계방출 어레이(32)를 구비한 FED가 도시되어 있다. 전계방출 어레이(32)는 하부 유리기판(8) 상에 형성되는 캐소드 전극(10) 및 저항층(12)과, 저항층(12)상에 형성되는 게이트 절연층(14) 및 에미터(22)와, 게이트 절연층(14) 상에 형성되는 게이트 전극(16)을 구비한다. 캐소드 전극(10)은 에미터(22)에 전류를 공급하게 되며, 저항층(12)은 캐소드 전극(10)으로부터 에미터(22) 쪽으로 인가되는 과전류를 제한하여 에미터(22)에 균일한 전류를 공급하는 역할을 하게 된다. 게이트 절연층(14)은 캐소드 전극(10)과 게이트 전극(16) 사이를 절연하게 된다. 게이트 전극(16)은 전자를 인출시키기 위한 인출전극으로 이용된다. 상부 유리기판(2)과 하부 유리기판(8) 사이에는 스페이서(40)가 설치된다. 스페이서(40)는 상부 유리기판(2)과 하부 유리기판(8) 사이의 고진공 상태를 유지할 수 있도록 상부 유리기판(2)과 하부 유리기판(8)을 지지한다.1 and 2, an FED having an upper glass substrate 2 on which an anode electrode 4 and a phosphor 6 are stacked, and a field emission array 32 formed on the lower glass substrate 8. Is shown. The field emission array 32 includes the cathode electrode 10 and the resistive layer 12 formed on the lower glass substrate 8, and the gate insulating layer 14 and the emitter 22 formed on the resistive layer 12. ) And a gate electrode 16 formed on the gate insulating layer 14. The cathode electrode 10 supplies a current to the emitter 22, and the resistive layer 12 limits the overcurrent applied from the cathode electrode 10 toward the emitter 22, thereby making it uniform to the emitter 22. It serves to supply current. The gate insulating layer 14 insulates between the cathode electrode 10 and the gate electrode 16. The gate electrode 16 is used as an extraction electrode for drawing electrons. A spacer 40 is installed between the upper glass substrate 2 and the lower glass substrate 8. The spacer 40 supports the upper glass substrate 2 and the lower glass substrate 8 so as to maintain a high vacuum state between the upper glass substrate 2 and the lower glass substrate 8.

화상을 표시하기 위하여, 캐소드 전극(10)에 부극성(-)의 캐소드전압이 인가되고 애노드 전극(4)에 정극성(+)의 애노드전압이 인가된다. 그리고 게이트 전극(16)에는 정극성(+)의 애노드전압이 인가된다. 그러면, 에미터(22)로부터 방출된 전자빔(30)이 애노드 전극(4) 쪽으로 가속된다. 이 전자빔(30)이 적색·녹색·청색의 형광체(6)에 충돌하여 형광체(6)를 여기시키게 된다. 이때, 형광체(6)에 따라 적색·녹색·청색 중 어느 한 색의 가시광이 발생된다.In order to display an image, a negative (-) cathode voltage is applied to the cathode electrode 10 and a positive (+) anode voltage is applied to the anode electrode 4. A positive anode voltage is applied to the gate electrode 16. Then, the electron beam 30 emitted from the emitter 22 is accelerated toward the anode electrode 4. The electron beam 30 collides with the red, green, and blue phosphors 6 to excite the phosphors 6. At this time, visible light of any one of red, green, and blue colors is generated according to the phosphor 6.

도 3은 종래의 게이트 전극과 캐소드 전극을 상세히 나타내는 도면이다.3 is a view illustrating in detail a conventional gate electrode and a cathode electrode.

도 3을 참조하면, 게이트 전극(16)과 캐소드 전극(10)은 서로 교차되는 방향으로 형성된다. 게이트 전극(16)과 캐소드 전극(10)의 교차부(44)에서 게이트 전극(16)에는 다수의 홀(42)이 형성된다. 다수의 홀(42) 각각에는 에미터(22)가 형성되며 에미터(22)로부터 방출된 전자는 홀(42)을 통해 애노드 전극(4)으로 가속되게 된다. 이와 같은 FED에서 고휘도를 구현하기 위해서는 많은 전자가 애노드 전극(4)으로 방출되어야 한다. 즉, 게이트 전극(16)에 많은 홀(42)이 형성되어야 한다. 이를 위해서 교차부(44)는 소정이상의 넓은 면적으로 형성되어야 한다.Referring to FIG. 3, the gate electrode 16 and the cathode electrode 10 are formed to cross each other. A plurality of holes 42 are formed in the gate electrode 16 at the intersection 44 of the gate electrode 16 and the cathode electrode 10. An emitter 22 is formed in each of the plurality of holes 42, and electrons emitted from the emitter 22 are accelerated to the anode electrode 4 through the hole 42. In order to achieve high luminance in such an FED, many electrons must be emitted to the anode electrode 4. That is, many holes 42 must be formed in the gate electrode 16. To this end, the cross section 44 should be formed in a wide area of more than a predetermined.

이와 같이 형성된 FED에서, 전자를 방출하기 위하여 캐소드 전극(10)과 게이트전극(16)에 일정전압이 인가될 때 캐소드 전극(10)과 게이트 전극(16) 간에 패널 커패시턴스가 발생된다. 이와 같은 패널 커패시턴스의 값은 s/d(s:면적,d:거리)이므로 교차부(44)의 면적을 넓을수록 크게 나타난다. 이와 같은 패널 커패시턴스에 의해 전자가 방출될 때 캐소드 전극(10) 및 게이트전극(16)간에 많은 소비전력이 소모됨과 아울러 전자 방출효율이 저하된다. 또한, 캐소드 전극(10) 상에 형성되는 에미터(22)는 진공 증착법으로 형성된다. 진공 증착법으로 형성된 에미터들(22)은 패널 내에서 균일성이 저하된다. 즉, 에미터들(22)의 전자 방출 효율이 상이하여 휘도가 저하되는 문제점이 있다.In the FED formed as described above, a panel capacitance is generated between the cathode electrode 10 and the gate electrode 16 when a constant voltage is applied to the cathode electrode 10 and the gate electrode 16 to emit electrons. Since the value of the panel capacitance is s / d (s: area, d: distance), the larger the area of the intersection 44 is, the larger the value appears. When electrons are emitted by the panel capacitance, a large amount of power is consumed between the cathode electrode 10 and the gate electrode 16 and the electron emission efficiency is lowered. In addition, the emitter 22 formed on the cathode electrode 10 is formed by a vacuum deposition method. Emitters 22 formed by the vacuum deposition method are less uniform in the panel. That is, there is a problem that the luminance is lowered because the electron emission efficiency of the emitters 22 is different.

따라서, 본 발명의 목적은 소비전력을 최소화함과 아울러 고해상도의 화질을 구현할 수 있도록 한 전계 방출 표시소자에 관한 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a field emission display device capable of minimizing power consumption and realizing high resolution image quality.

도 1은 종래의 전계 방출 표시소자를 나타내는 사시도.1 is a perspective view showing a conventional field emission display device.

도 2는 도 1에 도시된 전계 방출 표시소자를 나타내는 단면도.FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating the field emission display device illustrated in FIG. 1. FIG.

도 3은 도 1에 도시된 캐소드 전극 및 게이트 전극을 나타내는 평면도.3 is a plan view of the cathode electrode and the gate electrode shown in FIG.

도 4는 본 발명의 캐소드 전극 및 게이트 전극을 나타내는 평면도.4 is a plan view showing a cathode electrode and a gate electrode of the present invention.

도 5a 및 도 5e는 도 4의 캐소드 전극에 형성되는 에미터를 나타내는 평면도.5A and 5E are plan views illustrating emitters formed on the cathode electrode of FIG. 4.

도 6은 도 4에 도시된 캐소드 전극 및 게이트 전극을 나타내는 단면도.FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating the cathode electrode and the gate electrode shown in FIG. 4. FIG.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

2 : 상부 유리기판 4 : 애노드전극2: upper glass substrate 4: anode electrode

6 : 형광체 8,60 : 하부 유리기판6: phosphor 8,60: lower glass substrate

10,48 : 캐소드전극 12,62 : 저항층10,48 cathode electrode 12,62 resistive layer

14,64 : 게이트 절연층 16,46 : 게이트 전극14,64: gate insulating layer 16,46: gate electrode

22,50,52a,52b,52c,52d : 에미터 30 : 전자빔22, 50, 52a, 52b, 52c, 52d: emitter 30: electron beam

32,58 : 전계방출 어레이 42 : 홀32,58: field emission array 42: hole

44,70 : 교차부44,70: intersection

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 전계 방출 표시소자는 캐소드 전극과, 캐소드 전극과 교차되는 방향으로 형성되는 게이트 전극과, 캐소드 전극에 형성되며 캐소드 전극과 게이트 전극의 교차부에 인접되게 형성되는 에미터를 구비한다.In order to achieve the above object, the field emission display device according to the present invention includes an electrode, a gate electrode formed in a direction crossing the cathode electrode, an emission electrode formed on the cathode electrode, and formed adjacent to the intersection of the cathode electrode and the gate electrode. It is provided with a foundation.

상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부도면을 참조한 실시예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.Other objects and features of the present invention in addition to the above objects will become apparent from the description of the embodiments with reference to the accompanying drawings.

이하, 도 4 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 4 to 6.

도 4는 본 발명의 실시예에 의한 게이트 전극과 캐소드 전극을 상세히 나타내는 도면이다.4 is a view showing in detail the gate electrode and the cathode electrode according to an embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 게이트 전극(46)과 캐소드 전극(48)은 서로 교차되는 방향으로 형성된다. 에미터(50)는 게이트 전극(46)과 캐소드 전극(48)이 교차되는 교차부(70)에 인접되게 캐소드 전극(48) 상에 형성된다. 이를 종래의 기술과 대비해 보면, 본 발명에서는 에미터(50)가 교차부(70) 내에 형성되지 않고 교차부(70)에 인접되게 형성된다. 에미터(50)는 캐소드 전극(48)의 길이방향을 따라 사각형으로 형성된다.Referring to FIG. 4, the gate electrode 46 and the cathode electrode 48 are formed in a direction crossing each other. Emitter 50 is formed on cathode electrode 48 adjacent to intersection 70 where gate electrode 46 and cathode electrode 48 intersect. In contrast to the prior art, the emitter 50 is formed in the present invention adjacent to the intersection 70 without being formed in the intersection 70. The emitter 50 is formed in a rectangle along the longitudinal direction of the cathode electrode 48.

화상을 표시하기 위하여, 캐소드 전극(48)에 부극성(-)의 캐소드전압이 인가되고 도시되지 않은 애노드 전극에 정극성(+)의 애노드 전압이 인가된다. 그리고 게이트 전극(46)에는 정극성(+)의 애노드전압이 인가된다. 그러면, 에미터(50)로부터 방출된 전자들이 애노드 전극 쪽으로 가속된다. 이 전자들은 도시되지 않은 적색·녹색·청색의 형광체에 충돌하여 형광체를 여기시키게 된다. 이때, 형광체에 따라 적색·녹색·청색 중 어느 한 색의 가시광이 발생된다. 에미터(50)로부터 방출되는 전자들은 계면을 따라 넓게 분포된다. 즉, 에미터(50)로부터 많은 전자들이 방출되어 고휘도를 구현할 수 있다. 또한, 교차부(70)에 에미터(50)가 형성되지 않으므로 교차부(70)의 면적을 최소로 할 수 있다. 즉, 전자가 방출될 때 캐소드 전극(48)과 게이트 전극(46) 간에 발생되는 패널 커패시턴스를 최소화 할 수 있다. 본 발명에서 캐소드 전극(48)은 ITO(Indium-Tin-Oxide) 및 금속 중 어느 하나로 형성된다. 캐소드 전극(48)이 ITO 및 금속 중 어느 하나로 형성되어도 본 발명의 실시예와 동일한 효과를 얻을 수 있다. 또한, 본 발명에서는 에미터(50)를 게이트 전극(46)과 근접되게 위치시켜 구동전압을 낮출 수 있다.In order to display an image, a negative (-) cathode voltage is applied to the cathode electrode 48 and a positive (+) anode voltage is applied to an anode electrode not shown. A positive anode voltage is applied to the gate electrode 46. Then, the electrons emitted from the emitter 50 are accelerated toward the anode electrode. These electrons collide with red, green and blue phosphors, which are not shown, to excite the phosphors. At this time, visible light of any one of red, green, and blue colors is generated depending on the phosphor. Electrons emitted from emitter 50 are widely distributed along the interface. That is, many electrons are emitted from the emitter 50 to realize high brightness. In addition, since the emitter 50 is not formed at the intersection 70, the area of the intersection 70 can be minimized. That is, the panel capacitance generated between the cathode electrode 48 and the gate electrode 46 can be minimized when electrons are emitted. In the present invention, the cathode electrode 48 is formed of any one of indium-tin-oxide (ITO) and a metal. Even if the cathode electrode 48 is formed of either ITO or metal, the same effects as in the embodiment of the present invention can be obtained. In addition, in the present invention, the emitter 50 may be positioned to be close to the gate electrode 46 to lower the driving voltage.

본 발명에서 에미터(50)의 형태는 도 5a 내지 5e와 같이 다양하게 변형될 수 있다.In the present invention, the shape of the emitter 50 may be variously modified as shown in FIGS. 5A to 5E.

도 5a를 참조하면, 에미터(52a)가 평면상에서 다각형의 형태로 형성된다. 즉, 에미터(52a)는 교차부(70)와 인접된 변이 돌출 되도록 5각형의 모양으로 형성된다. 또한, 도 5b에 도시된 바와 같이 에미터(52b)는 교차부(70)와 인접된 변 및 이와 반대되는 변이 돌출 되도록 평면상에서 6각형의 모양으로 형성될 수 있다. 나아가, 도 5c에 도시된 바와 같이 에미터(52c)는 교차부(70)와 인접된 변이 평면상에서 톱니 형태로 형성될 수 있다. 또한, 도 5d에 도시된 바와 같이 에미터(52d)는 교차부(70)와 인접된 변 및 이와 반대되는 변이 평면상에서 톱니 형태로 형성될 수 있다. 더불어, 도 5e와 같이 교차부(70)와 인접된 변이 돌출 되도록 평면상에서 5각형의 모양으로 다수의 에미터들(52e)이 형성될 수 있다.Referring to FIG. 5A, the emitter 52a is formed in a polygonal shape on a plane. That is, the emitter 52a is formed in the shape of a pentagon such that the side adjacent to the intersection 70 protrudes. In addition, as illustrated in FIG. 5B, the emitter 52b may be formed in a hexagonal shape on a plane such that the sides adjacent to the intersection portion 70 and the opposite sides thereof protrude. Furthermore, as shown in FIG. 5C, the emitter 52c may be formed in a sawtooth shape on the plane of the side adjacent to the intersection 70. In addition, as illustrated in FIG. 5D, the emitter 52d may have a sawtooth shape on the side adjacent to the intersection 70 and the opposite side thereof. In addition, as shown in FIG. 5E, a plurality of emitters 52e may be formed in a pentagonal shape on a plane such that the side adjacent to the intersection 70 protrudes.

도 5a 내지 5e에 도시된 에미터들(52a,52b,52c,52d,52e) 중 어느 하나의 형태로 에미터(52a,52b,52c,52d,52e)가 형성되면, 에미터(52a,52b,52c,52d,52e)의 돌출부로부터 많은 전자가 방출된다. 이와 같은 에미터(52a,52b,52c,52d,52e)는 인쇄법 등으로 형성된다.When the emitters 52a, 52b, 52c, 52d, 52e are formed in any one of the emitters 52a, 52b, 52c, 52d, 52e shown in Figs. 5A to 5E, the emitters 52a, 52b, Many electrons are emitted from the protrusions of 52c, 52d, and 52e. Such emitters 52a, 52b, 52c, 52d, 52e are formed by a printing method or the like.

도 6은 본 발명의 실시예에 의한 전계 방출 표시소자의 하부기판에 형성된 캐소드 전극 및 애노드전극을 나타내는 단면도이다.6 is a cross-sectional view illustrating a cathode electrode and an anode electrode formed on a lower substrate of the field emission display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 하부 유리기판(60) 상에 형성되는 전계방출 어레이(58)가 도시되어 있다. 전계방출 어레이(58)는 하부 유리기판(60) 상에 형성되는 캐소드 전극(48) 및 저항층(62)과, 저항층(62) 상에 형성되는 게이트 절연층(64) 및 에미터(50)와, 게이트 절연층(64) 상에 형성되는 게이트 전극(46)으로 구성된다. 캐소드 전극(48)은 에미터(50)에 전류를 공급하게 되며, 저항층(62)은 캐소드 전극(48)으로부터 에미터(50) 쪽으로 인가되는 과전류를 제한하여 에미터(50)에 균일한 전류를 공급하는 역할을 하게 된다. 게이트 절연층(64)은 캐소드 전극(48)과 게이트 전극(46) 사이를 절연하게 된다. 에미터(50)는 게이트 전극(46) 보다 낮은 위치에 형성된다. 이와 같이 에미터(50)가 게이트 전극(46) 보다 낮은 위치에 형성되면 도시되지 않은 애노드 전극 쪽으로 전자를 인출시킬 수 있게 된다. 따라서, 전하의 집적도를 높일 수 있다.Referring to FIG. 6, the field emission array 58 formed on the lower glass substrate 60 is illustrated. The field emission array 58 includes a cathode electrode 48 and a resistance layer 62 formed on the lower glass substrate 60, a gate insulating layer 64 and an emitter 50 formed on the resistance layer 62. ) And a gate electrode 46 formed on the gate insulating layer 64. The cathode electrode 48 supplies current to the emitter 50, and the resistive layer 62 restricts the overcurrent applied from the cathode electrode 48 toward the emitter 50, thus making the emitter 50 uniform. It serves to supply current. The gate insulating layer 64 insulates between the cathode electrode 48 and the gate electrode 46. Emitter 50 is formed at a lower position than gate electrode 46. As such, when the emitter 50 is formed at a position lower than the gate electrode 46, electrons can be drawn toward the anode electrode (not shown). Therefore, the degree of charge integration can be increased.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 전계 방출 표시소자에 의하면 에미터는 캐소드 전극 상에 형성됨과 아울러 게이트 전극 및 캐소드 전극의 교차부에 인접되게 형성된다. 따라서, 캐소드 전극 및 게이트 전극의 폭 방향의 넓이를 얇게 형성할 수 있다. 즉, 캐소드 전극 및 게이트 전극의 교차부의 면적을 작게 하여 패널 커패시턴를 줄일 수 있다. 따라서, 소비전력을 최소화함과 아울러 방전효율을 극대화 할 수 있다. 또한, 인쇄법 등을 통해 에미터를 형성할 수 있으므로 에미터의 균일성을 향상시킬 수 있다. 나아가, 에미터가 게이트전극보다 낮은 위치에 형성되기 때문에 전하의 집적도를 높일 수 있다. 또한, 에미터와 게이트전극을 근접되게 형성함으로써 구동전력의 소모를 최소화 할 수 있다.As described above, according to the field emission display device according to the present invention, the emitter is formed on the cathode electrode and is formed adjacent to the intersection of the gate electrode and the cathode electrode. Therefore, the width | variety of the width direction of a cathode electrode and a gate electrode can be formed thin. In other words, the panel capacitance can be reduced by reducing the area of the intersection of the cathode electrode and the gate electrode. Therefore, it is possible to minimize the power consumption and to maximize the discharge efficiency. In addition, since the emitter can be formed through a printing method or the like, the uniformity of the emitter can be improved. Furthermore, since the emitter is formed at a lower position than the gate electrode, the degree of charge integration can be increased. In addition, by forming the emitter and the gate electrode in close proximity, it is possible to minimize the consumption of driving power.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the technical spirit of the present invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification but should be defined by the claims.

Claims (7)

캐소드 전극과,Cathode electrode, 상기 캐소드 전극과 교차되는 방향으로 형성되는 게이트 전극과,A gate electrode formed in a direction crossing the cathode electrode; 상기 캐소드 전극에 형성되며 상기 캐소드 전극과 게이트 전극의 교차부에 인접되게 형성되는 적어도 하나이상의 에미터를 구비하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시소자.And at least one emitter formed on the cathode electrode and adjacent to the intersection of the cathode electrode and the gate electrode. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 에미터는 상기 게이트 전극의 양측에 형성되는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시소자.And the emitters are formed on both sides of the gate electrode. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 에미터는 4각형의 평면으로 형성되는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시소자.The emitter is a field emission display device, characterized in that formed in the plane of a quadrilateral. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 에미터는 상기 교차부와 인접되는 측변으로 돌출되는 적어도 하나 이상의 제 1 돌출부와 상기 제 1 돌출부가 형성된 측변과 반대되는 측변에 돌출되는 적어도 하나 이상의 제 2 돌출부 중 적어도 하나 이상을 구비하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시소자.The emitter may include at least one of at least one first protrusion protruding to a side adjacent to the intersection and at least one of at least one second protrusion protruding to a side opposite to the side at which the first protrusion is formed. Field emission display device. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 에미터는 상기 교차부와 인접되는 측변과 상기 인접되는 측변과 반대되는 측변 중 적어도 하나 이상의 측변이 톱니 형상으로 패터닝 된 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시소자.The emitter is a field emission display device characterized in that at least one side of the side adjacent to the intersection and the side opposite to the adjacent side is patterned in a sawtooth shape. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 에미터는 상기 게이트 전극보다 낮은 높이로 형성되는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시소자.And the emitter is formed at a height lower than that of the gate electrode. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 캐소드 전극은 인듐 틴 옥사이드와 금속 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 전계 방출 표시소자.And the cathode is formed of one of indium tin oxide and a metal.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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