KR200177069Y1 - Heater block for fabricating small die pad package - Google Patents
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Abstract
본 고안은 리드 프레임의 다이패드를 흡착하는 대신 칩을 직접 흡착하여 고정시키므로써 볼 본딩이 원활하게 이루어지도록 한 것이다.The present invention is intended to smooth ball bonding by directly adsorbing and fixing the chip instead of the die pad of the lead frame.
이를 위해, 본 고안은 리드 프레임(1)을 로딩시켜 칩의 본딩패드와 상기 리드 프레임의 인너리드(9) 사이를 와이어 본딩을 하는데 쓰이는 반도체 패키지 제조용 히터블록(2)에 있어서; 상기 히터블록(2)에, 상기 리드 프레임(1)의 다이패드(3)가 안착되는 가장 깊은 요입면인 1차 다운셋면(4)과, 상기 다이패드(3) 상부에 접착된 칩(5)의 저면이 안착되는 1차 다운셋면(4) 상부의 요입면인 2차 다운셋면(6)과, 상기 다이패드(3)를 지지하는 타이바(7)가 위치하도록 상기 2차 다운셋면(6)에 형성되는 타이바 안내홈(8)과, 상기 리드 프레임(1)의 인너리드(9)가 위치하는 2차 다운셋면(6) 상부의 요입면인 3차 다운셋면(10)과, 상기 2차 다운셋면(6) 상에 형성되는 복수개의 진공홀(11)이 구비됨을 특징으로 하는 스몰 다이패드 패키지 제조용 히터블록이 제공된다.To this end, the present invention is a heater block (2) for manufacturing a semiconductor package used for wire bonding between the lead pad (1) of the chip and the bonding pad of the chip and the inner lead (9) of the lead frame; On the heater block 2, the primary downset surface 4, which is the deepest recessed surface on which the die pad 3 of the lead frame 1 is seated, and the chip 5 adhered on the die pad 3. The secondary downset surface 6, the secondary downset surface 6, which is an indentation surface on the upper side of the primary downset surface 4, and the tie bar 7 supporting the die pad 3 are positioned. A tie bar guide groove 8 formed at 6), a tertiary downset surface 10 which is a recessed surface on the upper side of the secondary downset surface 6 on which the inner lead 9 of the lead frame 1 is located; A heater block for manufacturing a small die pad package is provided, characterized in that a plurality of vacuum holes 11 are formed on the secondary downset surface 6.
Description
본 고안은 스몰 다이패드 패키지 제조용 히터블록에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 스몰 다이패드 패키지의 와이어 본딩 공정에 알맞는 히터블록(heater block) 구조에 관한 것이다.The present invention relates to a heater block for manufacturing a small die pad package, and more particularly, to a heater block structure suitable for the wire bonding process of the small die pad package.
일반적으로, 리드 프레임(1a)은 도 1에 나타낸 바와 같이 상·하부 양측에 전체 구조를 스스로 지지하며, 자동으로 이송시킬 때 안내 역할을 하는 가이드 레일부를 구비하고 있다.Generally, as shown in FIG. 1, the lead frame 1a supports the whole structure by itself and is provided with the guide rail part which acts as a guide when it conveys automatically.
또한, 상기 리드 프레임(1a)은 중심부에 반도체 칩이 본딩되는 다이패드(3)를 구비하고 있으며, 상기 다이패드(3)는 패들(paddle)이라고도 불리워진다.In addition, the lead frame 1a includes a die pad 3 in which a semiconductor chip is bonded at a central portion thereof, and the die pad 3 is also called a paddle.
이 때, 리드 프레임(1a)의 다이패드(3)는 칩 사이즈보다 크게 제작되어지며, 칩은 상기 다이패드(3)위에 에폭시에 의해 접착 고정되어진다.At this time, the die pad 3 of the lead frame 1a is made larger than the chip size, and the chip is adhesively fixed on the die pad 3 by epoxy.
또한, 상기 다이패드(3)는 리드 프레임(1a)의 모서리 부분으로부터 연장 형성된 타이바(7)에 연결되어 지지되며, 리드 프레임(1a)의 나머지 영역에 비해 낮은 위치에 자리잡고 있다.In addition, the die pad 3 is connected to and supported by a tie bar 7 extending from an edge portion of the lead frame 1a, and is positioned at a lower position than the rest of the lead frame 1a.
즉, 타이바(7)의 일부분이 소정의 경사각을 가지도록 절곡된 부분을 가지므므로써 상기 타이바(7)에 연결되어 지지되는 다이패드(3)는 인너리드(9)에 비해 다운셋(down set)된 상태이다.That is, since a portion of the tie bar 7 has a bent portion to have a predetermined inclination angle, the die pad 3 connected to and supported by the tie bar 7 is downset compared to the inner lead 9. down set).
그리고, 상기 리드 프레임(1a)은 다이패드(3) 주위에 그 선단이 위치하는 복수개의 인너리드(9)를 가지고 있으며, 상기 인너리드(9)들의 반대편으로는 상기 인너리드(9)에 각각 일대일 대응하도록 형성된 복수개의 아웃터리드(12)를 가지고 있다.In addition, the lead frame 1a has a plurality of inner leads 9 whose ends are positioned around the die pad 3, and opposite to the inner leads 9, respectively, on the inner leads 9. It has a plurality of outrights 12 formed so as to correspond one-to-one.
또한, 상기 각 인너리드(9)와 아웃터리드(12) 사이에는 댐바(13)가 위치하며, 상기 댐바(13)는 몰딩부재인 EMC(Epoxy Molding Compound)로 몰딩 완료 후, 트리밍(Triming) 작업시 제거된다.In addition, a dam bar 13 is positioned between each of the inner leads 9 and the outer leads 12, and the dam bars 13 are trimmed after completion of molding with an epoxy molding compound (EMC), which is a molding member. Will be removed.
한편, 히터블록(2a)은 반도체 패키지의 와이어 본딩에 사용되는 것으로서, 히터블록(2a)의 구조는 실제로 히터블록(2a) 상면에 안착되는 리드 프레임(1a)의 구조에 따라 바뀌게 된다.Meanwhile, the heater block 2a is used for wire bonding of the semiconductor package, and the structure of the heater block 2a is actually changed according to the structure of the lead frame 1a that is seated on the top surface of the heater block 2a.
즉, 종래의 히터블록(2a)은 도 2에 나타낸 바와 같이, 리드 프레임(1a)의 다이패드(3)를 안착시키기 위한 1차 다운셋면(4a)과, 리드 프레임(1a)의 인너리드(9) 클램프를 용이하게 하기 위한 2차 다운셋면(6a)을 구비하도록 설계되어진다.That is, the conventional heater block 2a has a primary downset surface 4a for seating the die pad 3 of the lead frame 1a and an inner lead of the lead frame 1a as shown in FIG. 9) It is designed to have a secondary downset surface 6a to facilitate the clamp.
이 때, 상기 1차 다운셋면(4a)에는 히터블록(2a)을 관통하여 형성된 진공홀(11)이 형성되어 있으며, 상기 진공홀(11)을 통해 유기된 진공압에 의해 1차 다운셋면(4a)에 안착된 리드 프레임(1a)의 다이패드(3)를 흡착하게 된다.In this case, a vacuum hole 11 formed through the heater block 2a is formed in the primary downset surface 4a, and the primary downset surface is formed by the vacuum pressure induced through the vacuum hole 11. The die pad 3 of the lead frame 1a seated on 4a is attracted.
즉, 상기 진공홀(11)을 통해 유기되는 진공압은 와이어 본딩시 리드 프레임(1a)의 다이패드(3)를 히터블록(2a)에 확실히 밀착되도록 하므로써 칩(5)상에서 이루어지는 1차 본딩인 볼 본딩(ball bonding)의 신뢰성을 증가시키는 작용을 하게된다.That is, the vacuum pressure induced through the vacuum hole 11 is the primary bonding formed on the chip 5 by ensuring that the die pad 3 of the lead frame 1a is in close contact with the heater block 2a during wire bonding. It serves to increase the reliability of ball bonding.
그리고, 상기에서 히터블록(2a)의 1차 다운셋면(4a)은 리드 프레임의 다이패드(3) 사이즈 및 모양에 따라 다르게 설계되어진다.The primary downset surface 4a of the heater block 2a is designed differently according to the size and shape of the die pad 3 of the lead frame.
따라서, 사각형의 다이패드(3)를 갖는 QFP형 리드 프레임에 알맞은 종래의 히터블록(2a)은 도 5에 나타낸 바와 같이 새로운 SDP(Small Diepad)형 리드 프레임(1a)에 적용시킬 경우, 여러 가지 문제점이 나타나게 된다.Therefore, the conventional heater block 2a suitable for the QFP type lead frame having the square die pad 3 is applied to the new small die pad type lead frame 1a as shown in FIG. The problem appears.
즉, 칩(5)의 본딩패드 부위에 와이어(14)를 1차적으로 본딩하는 볼 본딩시, 종래의 히터블록(2a)은 도 6에 나타낸 바와 같이, 칩(5)의 가장자리를 지지하지 못하므로 칩(5)의 상·하 방향으로의 바운싱(bouncing)을 야기시키게 된다.That is, in the ball bonding in which the wire 14 is primarily bonded to the bonding pad portion of the chip 5, the conventional heater block 2a does not support the edge of the chip 5, as shown in FIG. 6. Therefore, bouncing of chips 5 in the up and down direction is caused.
따라서, 심각한 본딩 불량이 발생될 뿐만 아니라, 본딩에 대한 신뢰성을 저하시키게 된다.Therefore, not only serious bonding failures occur, but also the reliability of the bonding is degraded.
요컨데, 종래의 히터블록(2a)은 볼 들뜸 및, 본딩볼과 본딩패드와의 융합불량을 유발하게 되는 등 스몰 다이패드 패키지용 리드 프레임(1a)에는 적합하지 않아 새로운 구조의 히터블록이 요구되었다.In short, the conventional heater block 2a is not suitable for the lead frame 1a for the small die pad package, such as causing a ball lifting and a poor fusion of the bonding ball and the bonding pad. .
본 고안은 상기한 제반 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 리드 프레임의 다이패드를 흡착하는 대신 칩을 직접 흡착하여 고정시키므로써 와이어 본딩이 원활하게 이루어지도록 한 스몰 다이패드 패키지 제조용 히터블록을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention is to solve the above problems, and to provide a heater block for manufacturing a small die pad package to facilitate wire bonding by directly adsorbing and fixing the chip instead of the die pad of the lead frame. There is this.
도 1은 일반적인 QFP 타입의 리드 프레임을 나타낸 평면도1 is a plan view showing a lead frame of a typical QFP type
도 2는 도 1의 리드 프레임이 적용되는 종래의 히터블록을 나타낸 종단면도Figure 2 is a longitudinal sectional view showing a conventional heater block to which the lead frame of Figure 1 is applied
도 3는 도 2의 평면도3 is a plan view of FIG. 2
도 4는 도 1의 리드 프레임이 도 2의 히터블록에 로딩된 상태를 나타낸 요부 종단면도4 is a longitudinal sectional view showing main parts of a state in which the lead frame of FIG. 1 is loaded in the heater block of FIG.
도 5는 원형의 다이패드를 갖는 스몰 다이패드용 리드 프레임을 나타낸 평면도5 is a plan view showing a lead frame for a small die pad having a circular die pad;
도 6은 도 5의 스몰 다이패드 패키지용 리드 프레임이 종래의 히터블록에 로딩된 경우에 발생하는 문제점을 나타낸 종단면도6 is a longitudinal cross-sectional view illustrating a problem that occurs when the lead frame for the small die pad package of FIG. 5 is loaded in a conventional heater block.
도 7은 본 고안의 히터블록을 나타낸 종단면도Figure 7 is a longitudinal cross-sectional view showing a heater block of the present invention
도 8은 도 7의 평면도8 is a plan view of FIG.
도 9는 본 고안의 히터블록에 스몰 다이패드용 리드 프레임이 로딩된 상태를 나타낸 종단면도Figure 9 is a longitudinal cross-sectional view showing a state in which the lead frame for the small die pad is loaded on the heater block of the present invention
도면의 주요부분에 대한 부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for parts of main parts of the drawings
1:리드 프레임 2:히터블록1: Lead frame 2: Heater block
3:다이패드 4:1차 다운셋면3: the die 4: the first downset side
5:칩 6:2차 다운셋면5: chip 6: secondary downset
7:타이바 8:타이바 안내홈7: Taiba 8: Taiba Information Home
9:인너리드 10:3차 다운셋면9: inner lead 10: 3rd downset
11:진공홀11: Vacuum hole
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 고안은 리드 프레임을 로딩시켜 와이어 본딩을 하는데 쓰이는 반도체 패키지 제조용 히터블록에 있어서; 상기 히터블록에, 상기 리드 프레임의 다이패드가 안착되는 가장 깊은 요입면인 1차 다운셋면과, 상기 다이패드 상부에 접착된 칩의 저면이 안착되는 1차 다운셋면 상부의 요입면인 2차 다운셋면과, 상기 다이패드를 지지하는 타이바가 위치하도록 상기 2차 다운셋면에 형성되는 타이바 안내홈과, 상기 리드 프레임의 인너리드가 위치하는 2차 다운셋면 상부의 요입면인 3차 다운셋면과, 상기 2차 다운셋면 상에 형성되는 복수개의 진공홀이 구비됨을 특징으로 하는 스몰 다이패드 패키지 제조용 히터블록이 제공된다.In order to achieve the above object, the present invention is a heater block for manufacturing a semiconductor package used for wire bonding by loading a lead frame; The first downset surface, which is the deepest recessed surface on which the die pad of the lead frame is seated on the heater block, and the second down, which is the recessed surface of the upper surface of the first downset surface, on which the bottom surface of the chip adhered to the die pad is seated. A tie bar guide groove formed on the secondary downset surface so that a set surface, a tie bar supporting the die pad, and a tertiary down surface which is a recessed surface on an upper side of the secondary downset surface on which the inner lead of the lead frame is located; A heater block for manufacturing a small die pad package is provided, characterized in that a plurality of vacuum holes are formed on the secondary downset surface.
이하, 본 고안의 일실시예를 첨부도면 도 7 내지 도 9를 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 7 to 9.
도 7은 본 고안의 히터블록을 나타낸 종단면도이고, 도 8은 도 7의 평면도이며, 도 9는 본 고안의 히터블록에 스몰 다이패드용 리드 프레임이 로딩된 상태를 나타낸 종단면도이다.7 is a longitudinal sectional view showing a heater block of the present invention, Figure 8 is a plan view of Figure 7, Figure 9 is a longitudinal sectional view showing a state in which the lead frame for the small die pad is loaded on the heater block of the present invention.
본 고안은 스몰 다이패드 패키지용 리드 프레임(1)을 로딩시켜 와이어 본딩을 하는데 쓰이는 히터블록(2)의 면에 상기 리드 프레임(1)의 다이패드(3)가 안착되는 가장 깊은 요입면인 1차 다운셋면(4)과, 1차 다운셋면(4) 상부에 형성되며 상기 다이패드(3) 상부에 접착된 칩(5)의 저면이 안착되는 요입면인 2차 다운셋면(6)과, 상기 다이패드(3)를 지지하는 타이바(7)가 위치하도록 상기 2차 다운셋면(6)에 형성되는 타이바 안내홈(8)과, 상기 리드 프레임(1)의 인너리드(9)가 위치하는 2차 다운셋면(6) 상부의 요입면인 3차 다운셋면(10)과, 상기 2차 다운셋면(6) 상에 형성되는 복수개의 진공홀(11)이 구비된다.The present invention 1 is the deepest recessed surface where the die pad 3 of the lead frame 1 is seated on the surface of the heater block 2 used for wire bonding by loading the lead frame 1 for the small die pad package. A secondary downset surface 6 which is formed on the primary downset surface 4 and the primary downset surface 4 and is a recessed surface on which the bottom surface of the chip 5 adhered to the die pad 3 is seated; A tie bar guide groove 8 formed in the secondary downset surface 6 so that the tie bar 7 supporting the die pad 3 is positioned, and an inner lead 9 of the lead frame 1 The tertiary downset surface 10, which is a recessed surface on the secondary downset surface 6 located above, and a plurality of vacuum holes 11 formed on the secondary downset surface 6 are provided.
이 때, 상기 스몰 다이패드 패키지용 리드 프레임(1)의 다이패드(3)가 원형인 경우에는, 상기 다이패드(3)가 형합하는 히터블록(2)의 1차 다운셋면(4)도 원형을 이루도록 형성된다.At this time, when the die pad 3 of the lead frame 1 for the small die pad package is circular, the primary downset surface 4 of the heater block 2 to which the die pad 3 matches is also circular. It is formed to achieve.
그리고, 상기 히터블록(2)의 다운셋된 면의 폭과 깊이는 리드 프레임(1)의 다이패드(3) 및 타이바(7)의 다운셋된 면의 폭과 깊이보다 크다.The width and depth of the downset surface of the heater block 2 are greater than the width and depth of the downset surface of the die pad 3 and tie bar 7 of the lead frame 1.
이와 같이 구성된 본 고안의 작용은 다음과 같다.The operation of the present invention configured as described above is as follows.
에스피디 패키지 제조를 위한 와이어 본딩 공정 진행시, 먼저 전단계의 공정에서 다이패드(3)상에 칩(5)이 본딩되어진 리드 프레임(1)이 히터블록(2)에 로딩된다.In the wire bonding process for manufacturing the SPD package, the lead frame 1 in which the chip 5 is bonded on the die pad 3 is loaded in the heater block 2 in the previous step.
이 때, 칩(5)이 상면에 본딩된 다이패드(3)는 히터블록(2)의 1차 다운셋면(4)에 정확히 안착되고, 상기 다이패드(3)에 본딩된 칩(5)은 2차 다운셋면(6)에 정확히 안착되며, 리드 프레임(1)의 인너리드(9)는 3차 다운셋면(10) 상에 안착된다.At this time, the die pad 3 bonded to the top surface of the chip 5 is correctly seated on the primary downset surface 4 of the heater block 2, and the chip 5 bonded to the die pad 3 is It is seated exactly on the secondary downset surface 6, and the inner lead 9 of the lead frame 1 is seated on the tertiary downset surface 10.
이에 따라, 본 고안의 히터블록(2)을 사용한 와이어 본딩공정에서는 도 7 내지 도 9에 나타낸 바와 같이, 종래의 히터블록(2)처럼 리드 프레임(1)의 다이패드(3)를 진공압으로 흡착하여 히터블록(2)에 밀착되시키는 대신, 다이패드(3) 보다 사이즈가 큰 칩(5)을 4방향에서 흡착하여 히터블록(2)에 밀착시키게 된다.Accordingly, in the wire bonding process using the heater block 2 of the present invention, as shown in FIGS. 7 to 9, the die pad 3 of the lead frame 1 is vacuum-pressured as in the conventional heater block 2. Instead of being adsorbed and brought into close contact with the heater block 2, the chip 5 having a larger size than the die pad 3 is adsorbed in four directions to be brought into close contact with the heater block 2.
즉, 종래와 같이 다이패드(3)를 흡착하는 대신, 2차 다운셋면(6)에 안착된 칩(5)을 흡착하여 히터블록(2)의 2차 다운셋면(6)에 밀착시키므로써, 와이어 본딩 공정의 볼 본딩시 발생하는 칩(5)의 바운싱(bouncing) 현상을 방지할 수 있게 된다.That is, instead of adsorbing the die pad 3 as in the related art, by adsorbing the chip 5 seated on the secondary downset surface 6 and bringing it into close contact with the secondary downset surface 6 of the heater block 2, It is possible to prevent the bouncing phenomenon of the chip 5 generated during ball bonding in the wire bonding process.
이상에서와 같이, 본 고안은 리드 프레임의 다이패드(3)를 흡착하는 대신 칩(5)을 직접 흡착하여 고정시키므로써 볼 본딩이 원활하게 이루어지도록 한 것이다.As described above, the present invention is to facilitate the ball bonding by directly adsorbing and fixing the chip (5) instead of the die pad (3) of the lead frame.
즉, 본딩을 위해 다이패드(3)를 고정시키는 대신 칩(5)을 아래쪽에서 진공압을 이용하여 홀딩하므로써 칩(5)이 2차 다운셋면(6) 상에 직접 밀착되도록 하므로써 밀착효과를 극대화하여 신뢰성 있는 볼 본딩을 유도할 수 있게 된다.In other words, instead of fixing the die pad 3 for bonding, the chip 5 is held in close contact with the secondary downset surface 6 by holding the chip 5 using a vacuum pressure from the bottom to maximize the adhesion effect. Thus, reliable ball bonding can be induced.
Claims (2)
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019970034153U KR200177069Y1 (en) | 1997-11-27 | 1997-11-27 | Heater block for fabricating small die pad package |
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| KR2019970034153U KR200177069Y1 (en) | 1997-11-27 | 1997-11-27 | Heater block for fabricating small die pad package |
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Family Applications (1)
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Country Status (1)
| Country | Link |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100401143B1 (en) * | 1999-12-31 | 2003-10-10 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | Heat block for manufacturing semiconductor package |
-
1997
- 1997-11-27 KR KR2019970034153U patent/KR200177069Y1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100401143B1 (en) * | 1999-12-31 | 2003-10-10 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | Heat block for manufacturing semiconductor package |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19990020657U (en) | 1999-06-15 |
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| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| REGI | Registration of establishment | ||
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Payment date: 20051223 Year of fee payment: 7 |
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| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |