KR200167736Y1 - Exhausting duct in which phase separation is performed for semiconductor device fabrication line - Google Patents
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Abstract
본 고안은 반도체 생산라인 중의 웨트스테이션에서 발생하는 배출물을 액체와 기체로 구분하여 배출토록 하기 위한 반도체 생산라인용의 상분리가 가능한 배기덕트에 관한 것이다.The present invention relates to an exhaust duct capable of phase separation for a semiconductor production line for discharging the emissions generated from the wet station in the semiconductor production line into liquid and gas.
본 고안에 따른 반도체 생산라인용의 상분리가 가능한 배기덕트는, 측벽에 인입관(7)이 일체로 고정되고, 상단부를 폐쇄하기 위한 상부벽(8)과 하단부를 폐쇄하기 위한 하부벽(9)을 갖는 원통형의 외통(6)과 상기 외통(6)의 하부벽(9)을 통하여 상기 외통(6)내로 연장되는 내통(10)으로 이루어지며, 상기 외통(6)내로 연장된 상기 내통(10)의 단부가 개방되어 있으며, 상기 내통(10)내에 기체상의 증기의 흐름을 단속하기 위한 원판형의 배기댐퍼(3)가 가변가능하게 취부되어 이루어진다.In the phase separation exhaust duct for the semiconductor production line according to the present invention, the inlet pipe (7) is integrally fixed to the side wall, the upper wall (8) for closing the upper end and the lower wall (9) for closing the lower end It consists of a cylindrical outer cylinder 6 having an inner cylinder 10 extending into the outer cylinder 6 through the lower wall 9 of the outer cylinder 6, the inner cylinder 10 extending into the outer cylinder 6 Is open, and a disk-shaped exhaust damper 3 for controlling the flow of gaseous vapor in the inner cylinder 10 is variably mounted.
따라서, 기체상의 증기의 배출시에 동시에 빨려나갈 수 있는 액체상의 배출물을 기체상의 증기와는 분리하여 별도로 액체배출관(11)을 통하여 수거될 수 있도록 함으로써 액체상의 배출물에 의한 주배기관(2)의 내벽의 부식이나 연결관(5)과 주배기관(2)의 연결부의 부식을 방지하여 액체상의 배출물이 누출되지 않도록 한다.Accordingly, the inner wall of the main exhaust pipe 2 by the liquid discharge by separating the liquid discharge that can be sucked at the same time when the discharge of the gaseous vapor can be collected through the liquid discharge pipe 11 separately from the gaseous vapor This prevents the leakage of liquid phase by preventing corrosion of the connector or the connection of the connecting pipe (5) and the main exhaust pipe (2).
Description
본 고안은 반도체 생산라인용의 상분리가 가능한 배기덕트에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 생산라인 중의 웨트스테이션에서 발생하는 배출물을 액체와 기체로 구분하여 배출토록 하기 위한 반도체 생산라인용의 상분리가 가능한 배기덕트에 관한 것이다.The present invention relates to an exhaust duct capable of phase separation for a semiconductor production line. More specifically, the phase separation for a semiconductor production line for dividing the discharge generated from the wet station in the semiconductor production line into liquid and gas is possible. It relates to an exhaust duct.
반도체 제조공정에 있어서 수소가스, 헬륨가스 및 질소가스 등의 각종 기체들과 실란, 산류, 염기류 및 비소화합물 등의 화학물질들이 필수적으로 사용되고 있으며, 이들 기체들이나 화학물질들을 사용할 때나 사용하고 난 후에 증기를 적절하게 배출시키지 못하는 경우에는 그 증기에 의해 설비가 부식될 수 있으며, 또한 설비취급자들이나 반도체 생산라인내의 작업자들에 호흡이나 피부접촉 등에 의하여 체내로 흡수되어 건강에 영향을 미칠 수 있다.In the semiconductor manufacturing process, various gases such as hydrogen gas, helium gas and nitrogen gas, and chemicals such as silanes, acids, bases, and arsenic compounds are inevitably used. If not properly discharged, the steam can corrode the equipment and can be absorbed into the body by breathing or skin contact with equipment handlers or workers in the semiconductor production line and affect health.
이러한 문제를 해결하기 위하여 각 화학물질들 및 기체들을 각각 적절한 배기를 실시하여 반도체 생산라인으로부터 배출시켜야 하며, 주로 일반배기, 산류배기, 염기류배기, 열배기 및 비소화합물배기 등으로 대별되어 배기된다.In order to solve this problem, each chemical and gas must be exhausted from the semiconductor production line by appropriate exhaust, and are mainly exhausted into general exhaust, acid exhaust, base exhaust, heat exhaust, and arsenic exhaust.
도1에 웨트스테이션(1)으로부터 주배기관(2)으로 화학물질들의 증기가 배출되도록 구성된 종래의 반도체 생산라인용의 배기덕트를 예로 도시하였다.1 shows an example of an exhaust duct for a conventional semiconductor production line configured to discharge vapors of chemicals from the wet station 1 to the main exhaust pipe 2.
반도체 제조용의 웨이퍼를 습식처리하는 웨트스테이션(1)(wet station)과 같은 반도체 제조설비의 경우에서는 설비내에서 사용되는 각종의 화학물질들의 증기만을 배출시키도록 되어 있으며, 탈이온수나 사용되고 난 후의 액체상의 화학물질 등은 웨트스테이션(1)내에서 정상적으로 제거되도록 되어 있으나, 종래의 반도체 생산라인용의 배기덕트는 굴곡된 원통형의 댐퍼하우징(4)내에 단순히 기체상의 증기의 흐름을 단속하기 위한 원판형의 배기댐퍼(3)가 가변가능하게 취부되어 있으며, 상기 댐퍼하우징(4)의 일측단부가 웨트스테이션(1)에 연결되고, 그 타측단부가 연결관(5)을 통하여 주배기관(2)에 연결되어 있어 웨트스테이션(1)으로부터 발생되는 증기를 연결관(5)을 통하여 주배기관(2)으로 배출할 수 있도록 구성되어 있으며, 주배기관(2)은 반도체 생산라인이 설치된 청정실의 외부에까지 연장되어 웨트스테이션(1)으로부터 방출되는 배출물들을 완전히 청정실외로 배출토록 한다.In the case of a semiconductor manufacturing facility such as a wet station for wet processing a wafer for semiconductor manufacturing, only the vapor of various chemical substances used in the facility is discharged, and the deionized water or the liquid phase after use is used. The chemicals and the like are normally removed in the wet station 1, but the exhaust duct for the conventional semiconductor production line is a disk type for simply controlling the flow of gaseous vapor in the curved cylindrical damper housing 4. Exhaust damper (3) is variably mounted, one end of the damper housing (4) is connected to the wet station (1), the other end is connected to the main exhaust pipe (2) via a connecting pipe (5) Connected to exhaust steam from the wet station (1) to the main exhaust pipe (2) through the connection pipe (5) The main exhaust pipe 2 extends to the outside of the clean room in which the semiconductor production line is installed to completely discharge the discharges from the wet station 1 to the outside of the clean room.
그러나, 이러한 종래의 반도체 생산라인용의 배기덕트의 경우에서는 대개 웨트스테이션(1)으로부터 방출되는 기체상의 증기와 함께 반도체 처리후의 탈이온수 또는 액체상의 화학물질들도 함께 배출되는 경우가 많으며, 액체상의 배출물이 특히 강산성의 화학물질인 경우 주배기관(2)의 내벽은 물론 연결관(5)과 주배기관(2)의 접합부 등에서 누출을 일으켜 청정실외로 완전히 배출되지 못함은 물론 청정실을 오염시키는 오염원으로 작용하는 문제점이 있었다.However, in the case of such a conventional exhaust duct for a semiconductor production line, deionized water or liquid chemicals after semiconductor treatment are often discharged together with gaseous vapor emitted from the wet station 1, and liquid phase In particular, when the discharge is a strong acid chemical, it leaks not only from the inner wall of the main exhaust pipe (2) but also from the junction of the connecting pipe (5) and the main exhaust pipe (2). There was a functioning problem.
본 고안의 목적은, 반도체 제조공정에 사용되는 웨트스테이션으로부터 방출되는 배출물을 기체상과 액체상으로 분리하여 개별적으로 배출되도록 하는 반도체 생산라인용의 상분리가 가능한 배기덕트를 제공하는 데 있다.It is an object of the present invention to provide an exhaust duct capable of phase separation for a semiconductor production line that separates the discharge from the wet station used in the semiconductor manufacturing process into a gas phase and a liquid phase so as to be discharged separately.
도1은 종래의 반도체 생산라인용의 배기덕트가 웨트스테이션에 취부된 상태를 개략적으로 도시한 측단면도이다.1 is a side cross-sectional view schematically showing a state where an exhaust duct for a conventional semiconductor production line is attached to a wet station.
도2는 본 고안에 따른 상분리가 가능한 배기덕트만을 분리하여 상세하게 도시한 사시도이다.Figure 2 is a perspective view showing in detail separated only the exhaust duct capable of phase separation according to the present invention.
도3은 본 고안에 따른 상분리가 가능한 배기덕트가 웨트스테이션에 취부된 상태를 개략적으로 도시한 측단면도이다.3 is a side cross-sectional view schematically showing a state in which a phase-separable exhaust duct is mounted on the wet station according to the present invention.
※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명※ Explanation of symbols for main parts of drawing
1 : 웨트스테이션 2 : 주배기관1: wet station 2: main exhaust pipe
3 : 배기댐퍼 4 : 댐퍼하우징3: exhaust damper 4: damper housing
5 : 연결관 6 : 외통5: connector 6: outer cylinder
7 : 인입관 8 : 상부벽7: inlet pipe 8: upper wall
9 : 하부벽 10 : 내통9: lower wall 10: inner cylinder
11 : 액체배출관11: liquid discharge pipe
상기 목적을 달성하기 위한 본 고안에 따른 반도체 생산라인용의 상분리가 가능한 배기덕트는, 굴곡된 원통형의 댐퍼하우징내에 기체상의 증기의 흐름을 단속하기 위한 원판형의 배기댐퍼가 가변가능하게 취부되어 있는 반도체 생산라인용의 배기덕트에 있어서, 측벽에 인입관이 일체로 고정되고, 상단부를 폐쇄하기 위한 상부벽과 하단부를 폐쇄하기 위한 하부벽을 갖는 원통형의 외통과 상기 외통의 하부벽을 통하여 상기 외통내로 연장되는 내통으로 이루어지며, 상기 외통내로 연장된 상기 내통의 단부가 개방되어 있으며, 상기 내통내에 기체상의 증기의 흐름을 단속하기 위한 원판형의 배기댐퍼가 가변가능하게 취부되어 이루어진다.The phase separation exhaust duct for the semiconductor production line according to the present invention for achieving the above object, the disk-shaped exhaust damper for controlling the flow of gas vapor in the curved cylindrical damper housing is variably mounted In an exhaust duct for a semiconductor production line, an inlet pipe is integrally fixed to a side wall, and has a cylindrical outer cylinder having an upper wall for closing the upper end and a lower wall for closing the lower end, and the outer cylinder through the lower wall of the outer cylinder. An inner cylinder extending into the inner cylinder, an end portion of the inner cylinder extending into the outer cylinder is open, and a disk-shaped exhaust damper for controlling the flow of gaseous vapor in the inner cylinder is variably mounted.
또한, 상기 외통의 내벽과 상기 내통의 외벽 사이의 외통의 하부벽에 액체상의 배출물을 배출시키기 위한 액체배출관이 연결될 수 있다.In addition, a liquid discharge pipe for discharging liquid discharges may be connected to a lower wall of the outer cylinder between the inner wall of the outer cylinder and the outer wall of the inner cylinder.
이하, 본 고안의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, a specific embodiment of the present invention will be described in detail.
도2 및 도3에 구체적으로 도시한 바와 같이, 본 고안에 따른 반도체 생산라인용의 상분리가 가능한 배기덕트는, 굴곡된 원통형의 댐퍼하우징(4)내에 기체상의 증기의 흐름을 단속하기 위한 원판형의 배기댐퍼(3)가 가변가능하게 취부되어 있는 배기댐퍼(3)가 취부된 반도체 생산라인용의 배기덕트에 있어서, 굴곡된 원통형의 댐퍼하우징(4)을 측벽에 인입관(7)이 일체로 고정되고, 상단부를 폐쇄하기 위한 상부벽(8)과 하단부를 폐쇄하기 위한 하부벽(9)을 갖는 원통형의 외통(6)으로 대체하고, 상기 외통(6)의 하부벽(9)을 통하여 상기 외통(6)내로 연장되는 내통(10)을 일체로 고정시키며, 상기 내통(10)내에 기체상의 증기의 흐름을 단속하기 위한 원판형의 배기댐퍼(3)를 상기 내통(10)에 대하여 가변가능하게 취부시켜서 구성함을 특징으로 한다.As specifically shown in Fig. 2 and Fig. 3, the phase separation exhaust duct for the semiconductor production line according to the present invention is a disk-shaped for controlling the flow of gaseous vapor in the curved cylindrical damper housing (4) In an exhaust duct for a semiconductor production line in which an exhaust damper 3 of which is mounted variably is mounted, an inlet pipe 7 is integrated on a side wall of a curved cylindrical damper housing 4. Is replaced by a cylindrical outer cylinder 6 having an upper wall 8 for closing the upper end and a lower wall 9 for closing the lower end, and through the lower wall 9 of the outer cylinder 6. The inner cylinder 10 extending into the outer cylinder 6 is integrally fixed, and a disk-shaped exhaust damper 3 for controlling the flow of gaseous vapor in the inner cylinder 10 is variable with respect to the inner cylinder 10. possible Characterized in that the crab configuration by mounting.
상기에서 굴곡된 원통형의 댐퍼하우징(4)내에 기체상의 증기의 흐름을 단속하기 위한 원판형의 배기댐퍼(3)가 가변가능하게 취부되어 있는 배기댐퍼(3)가 취부된 반도체 생산라인용의 배기덕트는 종래의 반도체 제조설비에서 특히 웨트스테이션(1)과 같이 화학물질의 증기를 발생시키는 설비에 연결되어 웨트스테이션(1)으로부터 배출되는 기체상의 증기를 반도체가 생산되는 청정실의 외부로 배출시키기 위하여 사용되어왔던 것으로서 당해 기술분야에서 통상의 지식을 갖는 자에게는 용이하게 이해될 수 있는 것이다.Exhaust for a semiconductor production line equipped with an exhaust damper 3 having a variably mounted disk-shaped exhaust damper 3 for controlling the flow of gaseous vapor in the bent cylindrical damper housing 4 described above. The duct is connected to a device for generating chemical vapors, such as the wet station 1, in a conventional semiconductor manufacturing facility, in order to discharge the gaseous vapor from the wet station 1 to the outside of the clean room where the semiconductor is produced. As it has been used, it can be easily understood by those skilled in the art.
본 고안에서는 상기한 바와 같은 종래의 반도체 생산라인용의 배기덕트의 문제점 특히 기체상의 화학물질의 증기의 배출시에 액체상의 탈이온수나 기타 화학물질들이 동시에 빨려나가면서 이 액체상의 배출물이 주배기관(2) 기타 주배기관(2)과 연결관(5)의 연결부 등을 침식시켜 누출되어 청정실을 오염시키는 것을 방지하기 위한 것으로서, 배기댐퍼(3)를 개선시킨 점에 특징이 있는 것이다.In the present invention, the problem of the exhaust duct for the conventional semiconductor production line as described above, in particular, the liquid deionized water or other chemicals are sucked at the same time during the discharge of the vapor of the gaseous chemicals, the liquid discharges to the main exhaust pipe ( 2) In order to prevent leakage by polluting the clean room by eroding the connection part of the main exhaust pipe (2) and the connection pipe (5), it is characterized in that the exhaust damper (3) is improved.
상기 원통형의 외통(6)은 그 측벽에 인입관(7)이 일체로 고정되고, 상단부를 폐쇄하기 위한 상부벽(8)과 하단부를 폐쇄하기 위한 하부벽(9)을 갖는 것으로서, 상기 외통(6)의 하부벽(9)을 통하여 상기 외통(6)내로 연장되는 내통(10)을 일체로 고정시키는 역할을 하며, 동시에 상기 외통(6)내로 연장된 상기 내통(10)의 개방된 단부와 함께 상기 외통(6)내에서 굴곡된 유로를 형성토록 한다.The cylindrical outer cylinder 6 has an upper wall 8 for closing the upper end portion and a lower wall 9 for closing the lower end portion in which the inlet pipe 7 is integrally fixed to the side wall thereof. And an open end of the inner cylinder 10 extending into the outer cylinder 6 and integrally fixing the inner cylinder 10 extending into the outer cylinder 6 through the lower wall 9 of 6). Together to form a bent flow path in the outer cylinder (6).
상기에서 인입관(7)은 상부벽(8)과 하부벽(9)에 의하여 폐쇄된 상기 외통(6)내로 배출시키고자 하는 화학물질의 증기가 유입될 수 있도록 하기 위한 관으로서, 이 인입관(7)의 타측은 웨트스테이션(1)과 같은 반도체 제조설비에 연결될 수 있다.The inlet pipe (7) is a tube for allowing the vapor of the chemical to be discharged into the outer cylinder (6) closed by the upper wall (8) and the lower wall (9), the inlet pipe The other side of (7) can be connected to a semiconductor manufacturing facility such as the wet station (1).
또한, 상기 외통(6)의 상단부와 하단부를 폐쇄하기 위한 상기 상부벽(8)과 하부벽(9)은 상기 인입관(7)을 통하여 유입된 화학물질의 증기가 상기 내통(10)으로만 유입될 수 있도록 하며, 청정실내로 화학물질의 증기가 방출되는 것을 방지하기 위한 것으로서, 상기 외통(6)을 완전히 밀폐한다.In addition, the upper wall (8) and the lower wall (9) for closing the upper and lower ends of the outer cylinder (6) is the vapor of the chemical introduced through the inlet pipe (7) to the inner cylinder (10) only It is possible to enter, and to prevent the release of chemical vapor into the clean room, the outer cylinder 6 is completely sealed.
상기 내통(10)은 상기 외통(6)의 내부로 연장되어 있는 관이 될 수 있으며, 이는 상기 외통(6)내로 연장된 단부가 개방되어 있기 때문에 상기 인입관(7)을 통하여 유입된 증기가 배출될 수 있는 통로의 역할을 한다.The inner cylinder 10 may be a tube extending into the outer cylinder 6, and since the end portion extending into the outer cylinder 6 is open, steam introduced through the inlet pipe 7 It acts as a passageway that can be discharged.
특히, 상기 내통(10)내에는 기체상의 증기의 흐름을 단속하기 위한 원판형의 배기댐퍼(3)가 가변가능하게 취부될 수 있으며, 이 배기댐퍼(3)는 종래의 배기댐퍼(3)와 동일 또는 유사한 역할을 하는 것으로서, 화학물질의 증기의 흐름을 단속하며, 개방시에는 상기 외통(6)내로 유입된 화학물질의 증기가 주배기관(2)을 통하여 청정실의 외부로 방출되도록 한다.In particular, a disc-shaped exhaust damper 3 for intermittently controlling the flow of gaseous vapor in the inner cylinder 10 may be variably mounted. The exhaust damper 3 may be connected to a conventional exhaust damper 3. As playing the same or similar role, the flow of chemical vapors is regulated, and when opened, the chemical vapors introduced into the outer cylinder 6 are discharged to the outside of the clean room through the main exhaust pipe 2.
상기 내통(10)의 타측단부에는 종래의 반도체 생산라인용의 배기덕트에서 사용되던 연결관(5)이 그대로 연결되어 사용될 수 있다.The other end of the inner cylinder 10 may be connected to the connection pipe 5 used in the exhaust duct for the conventional semiconductor production line as it is.
특히, 도2에 명백하게 나타난 바와 같이, 상기 내통(10)의 개방된 단부의 높이는 상기 인입관(7)이 취부된 높이보다 더 높이 위치될 수 있으며, 이는 상당히 높은 압력으로 화학물질의 증기가 방출됨으로써 탈이온수나 액체상의 화학물질과 같은 액체상의 배출물들이 빠른 속도로 상기 외통(6)내로 유입되는 경우에도 액체상의 배출물들의 입자들이 상기 내통(10)의 외벽에 부딪쳐 감속되도록 함으로써 상기 내통(10)을 통하여 직접 주배기관(2)으로 배출되지 못하도록 할 수 있다. 따라서, 상기 내통(10)의 외벽에 부딪쳐 감속된 액체상의 배출물들의 입자들은 곧바로 중력에 의하여 하강하여 상기 외통(6)의 내벽과 상기 내통(10)의 외벽 사이의 하부벽(9)에 고이게 되며, 상기 내통(10)을 통하여 주배기관(2)으로 유입되지는 못하게 된다.In particular, as is clearly shown in FIG. 2, the height of the open end of the inner cylinder 10 can be positioned higher than the height at which the inlet pipe 7 is mounted, which releases the vapor of the chemical at a significantly high pressure. The inner cylinder 10 by causing particles of liquid discharges to collide with the outer wall of the inner cylinder 10 to be decelerated even when liquid discharges such as deionized water or liquid chemicals are introduced into the outer cylinder 6 at a high speed. Through it can be prevented from being discharged directly to the main exhaust pipe (2). Accordingly, the particles of the liquid discharges that are decelerated by the external wall of the inner cylinder 10 are immediately lowered by gravity and collect on the lower wall 9 between the inner wall of the outer cylinder 6 and the outer wall of the inner cylinder 10. It is not possible to flow into the main exhaust pipe (2) through the inner cylinder (10).
상기 외통(6)의 내벽과 상기 내통(10)의 외벽 사이의 하부벽(9)에 고이게 되는 상기 액체상의 배출물은 상기 외통(6)의 내벽과 상기 내통(10)의 외벽 사이의 외통(6)의 하부벽(9)에 액체상의 배출물을 배출시키기 위한 별도의 내식성의 액체배출관(11)을 통하여 수거될 수 있다.The liquid discharge accumulated on the lower wall 9 between the inner wall of the outer cylinder 6 and the outer wall of the inner cylinder 10 is the outer cylinder 6 between the inner wall of the outer cylinder 6 and the outer wall of the inner cylinder 10. It can be collected through a separate corrosion-resistant liquid discharge pipe (11) for discharging the liquid discharge on the lower wall (9).
특히, 상기 내통(10)의 개방된 단부는 기체상의 증기의 원활한 배출을 위하여 경사진 단부가 될 수 있으며, 상기 단부의 경사방향은 상기 인입관(7)이 취부된 방향에 대하여 반대방향으로 낮아지도록 경사지게 형성될 수 있다. 즉, 경사진 단부에 의하여 상기 외통(6)의 상부벽(8)과 상기 내통(10)의 단부가 충분히 이격되도록 하여 기체상의 증기가 통과할 수 있는 유로의 단면적을 상대적으로 증가시켜 증기의 원활한 배출이 가능하도록 할 수 있다.In particular, the open end of the inner cylinder 10 may be an inclined end for smooth discharge of gaseous vapor, the inclination direction of the end is lower in the opposite direction to the direction in which the inlet pipe 7 is mounted It can be formed to be inclined. That is, the upper wall 8 of the outer cylinder 6 and the end of the inner cylinder 10 are sufficiently spaced apart by the inclined end so that the cross-sectional area of the flow path through which gaseous vapor can pass is relatively increased to smooth the steam. Emissions can be made possible.
더욱 바람직하게는, 상기 외통(6)의 상부벽(8)이 투명한 합성수지로 성형된 상부벽(8)이 될 수 있으며, 이 투명한 상부벽(8)을 통하여 기체상의 증기의 원활한 배출의 여부 및 액체상의 배출물의 발생여부를 관리자가 육안으로 용이하게 파악하여 반도체 제조설비를 적절히 운전할 수 있도록 할 수 있다.More preferably, the upper wall 8 of the outer cylinder 6 may be an upper wall 8 formed of a transparent synthetic resin, and whether or not the smooth discharge of gaseous vapor through the transparent upper wall 8 and Administrators can easily determine whether liquid discharges are generated and allow the semiconductor manufacturing equipment to operate properly.
따라서, 본 고안에 의하면 기체상의 증기의 배출시에 동시에 빨려나갈 수 있는 액체상의 배출물을 기체상의 증기와는 분리하여 별도로 액체배출관(11)을 통하여 수거될 수 있도록 함으로써 액체상의 배출물에 의한 주배기관(2)의 내벽의 부식이나 연결관(5)과 주배기관(2)의 연결부의 부식을 방지하여 액체상의 배출물이 누출되지 않도록 하는 효과가 있다.Therefore, according to the present invention, the liquid discharge which can be sucked at the same time when the vapor of the vapor is discharged from the gaseous vapor can be collected separately through the liquid discharge pipe 11 so that the main exhaust pipe by the liquid discharge ( It prevents corrosion of the inner wall of 2) and corrosion of the connection part of the connection pipe 5 and the main exhaust pipe 2, so that liquid discharges do not leak.
또한, 본 고안에 의하면 액체상의 배출물을 완전히 분리하여 수거토록 함으로써 청정실내로의 액체상의 배출물이 누설되어 오염되지 않도록 하는 효과가 있다.Further, according to the present invention, the liquid phase discharge is completely separated and collected so that the liquid phase discharge into the clean room is not leaked and contaminated.
이상에서 본 고안은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 고안의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 실용신안등록청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the present invention has been described in detail only with respect to the embodiments described, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and changes are possible within the technical spirit of the present invention, and such modifications and modifications belong to the appended utility model claims. will be.
Claims (7)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019960029073U KR200167736Y1 (en) | 1996-09-12 | 1996-09-12 | Exhausting duct in which phase separation is performed for semiconductor device fabrication line |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019960029073U KR200167736Y1 (en) | 1996-09-12 | 1996-09-12 | Exhausting duct in which phase separation is performed for semiconductor device fabrication line |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19980015804U KR19980015804U (en) | 1998-06-25 |
| KR200167736Y1 true KR200167736Y1 (en) | 2000-02-01 |
Family
ID=19466703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2019960029073U KR200167736Y1 (en) | 1996-09-12 | 1996-09-12 | Exhausting duct in which phase separation is performed for semiconductor device fabrication line |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR200167736Y1 (en) |
-
1996
- 1996-09-12 KR KR2019960029073U patent/KR200167736Y1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19980015804U (en) | 1998-06-25 |
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