KR200165016Y1 - Apparatus of controlling a reaction gas of photo resist striper for manufacturing a semiconductor - Google Patents
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Abstract
본 고안은 반도체 제조용 포토레지스트 스트리퍼의 반응 가스 속도 조절장치를 개시한다. 개시된 본 고안은, 쳄버(1)의 저면에 포토레지스트가 형성된 웨이퍼(2)가 안치되고, 상기 쳄버(1)의 상부에는 반응 가스가 주입되는 주입구가 형성되며, 상기 주입구를 통해 주입된 반응 가스를 플라즈마화시키기 위한 전력 공급기가 쳄버(1)에 구비되고, 상기 쳄버(1)에 다수의 통과공(31,41)이 형성된 상하부 배플 플레이트(3,4)가 상하 소정간격을 두고 배치된 구성을 갖는 반도체 제조용 포토레지스터스트리퍼에서, 상기 플라즈마 가스의 웨이퍼(1) 도달시간이 동일하도록 조절하는 장치로서, 상기 상하부 배플 플레이트(3,4) 사이에 망사형 전극(5)이 배치되고, 상기 망사형 전극(5)은 플라즈마 가스가 대전된 극과 동일한 극으로 대전되어, 상기 플라즈마 가스에 반발력을 가해 속도를 저감시키도록 구성된 것을 특징으로 한다.The present invention discloses a reaction gas velocity control apparatus for a photoresist stripper for semiconductor manufacturing. According to the present invention, a wafer (2) having a photoresist formed on the bottom surface of the chamber (1) is placed, and an injection hole into which a reaction gas is injected is formed in an upper portion of the chamber (1), and a reaction gas injected through the injection hole is formed. Is provided in the chamber 1, and the upper and lower baffle plates 3 and 4, in which a plurality of through holes 31 and 41 are formed in the chamber 1, are disposed at predetermined intervals up and down. In the photoresist stripper for semiconductor manufacturing having a device, a device for adjusting the arrival time of the wafer (1) of the plasma gas is the same, the mesh electrode (5) is disposed between the upper and lower baffle plates (3, 4), the mesh The type electrode 5 is characterized in that it is configured to be charged to the same pole as the pole to which the plasma gas is charged, and to reduce the speed by applying a repulsive force to the plasma gas.
Description
본 고안은 반도체 제조용 포토레지스트(Photo Resist) 스트리퍼(striper)의 반응가스 속도 조절장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 웨이퍼 표면의 PR을 낱장 단위로 스트립하여 제거하는 스트리퍼에서, 반응가스인 산소 플라즈마가 웨이퍼 표면에 도달하는 속도를 균일하게 조절하는 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a reaction gas velocity control apparatus for a photoresist stripper for semiconductor manufacturing, and more particularly, in a stripper that strips and removes PR on a wafer surface by sheet, an oxygen plasma as a reaction gas is used. An apparatus for uniformly controlling the speed of reaching the wafer surface.
일반적으로, 포트레지스트는 웨이퍼상에 소정의 패턴을 형성시키기 위해 사용되는 막으로서 패턴 형성이 완료되면 제거장비를 이용해서 제거되어야 하고, 이때 사용되는 장비가 포토레지스트를 낱장 단위로 벗겨 제거하는 스트리퍼이다.In general, the photoresist is a film used to form a predetermined pattern on the wafer, and when the pattern formation is completed, the photoresist should be removed using a removal device. The equipment used is a stripper that peels off the photoresist in sheets. .
스트리퍼는 반응 가스인 산소를 플라즈마 형태로 전환시켜 이 산소 플라즈마를 웨이퍼 표면에 형성된 포토레지스트에 분사시키므로써, 포토레지스트를 제거하는 장치로서, 제1도에 종래의 스트리퍼가 단면도로 도시되어 있다.The stripper is a device for removing the photoresist by converting oxygen, which is a reaction gas, into a plasma form and injecting the oxygen plasma into a photoresist formed on the wafer surface. FIG. 1 shows a conventional stripper in cross section.
도시된 바와 같이, 스트리퍼의 쳄버(1)는 그 저면에 웨이퍼(2)가 안치되도록되어 있고, 상부에는 반응 가스인 산소가 주입되는 주입구(미도시)가 형성된 구조로 이루어져 있다. 또한, 산소가 플라즈마 형태로 전환되도록, 소정의 전력을 가하는 전력 공급기(미도시)가 쳄버(1)에 구비되어 있다.As shown, the chamber 1 of the stripper has a structure in which a wafer 2 is settled on its bottom surface, and an injection hole (not shown) is formed thereon in which oxygen, which is a reactive gas, is injected. In addition, the chamber 1 is provided with a power supply (not shown) for applying a predetermined power so that oxygen is converted into a plasma form.
한편, 플라즈마 형태로 전환된 산소 가스가 웨이퍼(2)의 전체 표면에 균일하게 분사되도록 하기 위해서, 쳄버(1)의 중간부에는 한 쌍의 상하부 배플 플레이트(3,4)가 상하 소정간격을 두고 배치되어 있다. 각 배플 플레이트(3,4)에는 산소 플라즈마가 통과되는 다수의 통과공(31,41)들이 형성되어 있다.On the other hand, in order to ensure that the oxygen gas converted into the plasma form is uniformly sprayed on the entire surface of the wafer 2, a pair of upper and lower baffle plates 3, 4 are arranged in the middle of the chamber 1 at predetermined intervals. It is arranged. Each of the baffle plates 3 and 4 has a plurality of through holes 31 and 41 through which oxygen plasma passes.
상기와 같이 구성되어서, 산소가 주입구를 통해 쳄버(1)내로 주입되면, 전력공급기로부터 가해진 전력에 의해 (+)로 대전된 산소 플라즈마가 생성된다. 이 산소 플라즈마는 상하부 배플 플레이트(3,4)의 각 통과공(31,41)을 통과하면서, 웨이퍼(2)상의 포토레지스트에 균일하게 분사되므로써, 포토레지스틀 낱장 단위로 벗겨 제거하게 된다.With the above configuration, when oxygen is injected into the chamber 1 through the injection port, a positively charged oxygen plasma is generated by the power applied from the power supply. The oxygen plasma is uniformly sprayed onto the photoresist on the wafer 2 while passing through the through holes 31 and 41 of the upper and lower baffle plates 3 and 4, thereby peeling off and removing the sheet by the photoresist sheet.
그러나 제1도에 도시된 화살표처럼, 산소 플라즈마는 각 통과공(31,41)을 통과하면서 속도의 차이가 발생될 수 밖에 없게 된다. 이로 인하여 포토레지스트의 특정한 부분에 산소 플라즈마의 분사가 집중되어 다수의 구멍이 형성되는 문제점이 있었다.However, as shown by the arrow shown in FIG. 1, the oxygen plasma is forced to pass through each of the through holes 31 and 41, so that a difference in velocity may occur. As a result, the injection of oxygen plasma is concentrated on a specific portion of the photoresist, thereby forming a plurality of holes.
상기와 같이, 포토레지스트에 구멍이 형성되어 평탄화가 이루어지지 않게 되면, 평탄화된 상태에서 실시되어야 할 후속 공정을 진행할 수가 없게 되고, 따라서 별도의 평탄화 공정을 추가로 실시해야 되는 문제점이 있었다.As described above, when holes are formed in the photoresist to prevent planarization, subsequent processes to be performed in the planarized state cannot be performed, and thus, a separate planarization process has to be performed.
따라서, 본 고안은 종래의 스트리퍼로 인해 야기되는 문제점을 해소하기 위해 안출된 것으로서, 배플 플레이트의 각 통과공을 통과하는 산소 플라즈마간에 속도의 차이가 발생되지 않도록 하여, 포트레지스트의 제거가 균일해질 수 있는 반도체 제조용 포토레지스트 스트리퍼의 반응 가스 속도 조절장치를 제공하는데 목적이 있다.Therefore, the present invention has been devised to solve the problems caused by the conventional stripper, so that the difference in speed does not occur between the oxygen plasma passing through each through hole of the baffle plate, so that the removal of the port resist can be made uniform. An object of the present invention is to provide a reaction gas velocity control apparatus for a photoresist stripper for semiconductor manufacturing.
제1도는 종래의 포토레지스트 스트리퍼의 내부 구조를 나타낸 도면.1 is a view showing the internal structure of a conventional photoresist stripper.
제2도는 본 고안에 따른 반응 가스 속도 조절장치가 구비된 포토레지스트 스트리퍼의 내부 구조를 나타낸 도면.2 is a view showing the internal structure of a photoresist stripper equipped with a reaction gas speed control apparatus according to the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
1 : 쳄버 2 : 웨이퍼1: Chamber 2: Wafer
3 : 상부 배플 플레이트 4 : 하부 배플 플레이트3: upper baffle plate 4: lower baffle plate
5 : 망사형 전극 31, 41 : 통과공5: mesh type electrode 31, 41: through hole
상기와 같은 목적을 달성하기 위해 본 고안은, 쳄버의 저면에 포토레지스트가 형성된 웨이퍼가 안치되고, 상기 쳄버의 상부에는 반응 가스가 주입되는 주입구가 형성되며, 상기 구입구를 통해 주입된 반응 가스를 플라즈마화시키기 위한 전력공급기가 쳄버에 구비되고, 상기 쳄버에 다수의 통과공이 형성된 상하부 배플 플레이트가 상하 소정간격을 두고 배치된 구성을 갖는 반도체 제조용 포토레지스터 스트리퍼에서 상기 플라즈마 가스의 웨이퍼 도달시간이 동일하도록 조절하는 장치로서, 상기 상하부 배플 플레이트 사이에 망사형 전극이 배치되고, 상기 망사형 전극은 플라즈마 가스가 대전된 극과 동일한 극으로 대전되어, 상기 플라즈마 가스에 반발력을 가해 속도를 저감시키도록 구성된 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a wafer in which a photoresist is formed on a bottom surface of a chamber, and an injection hole into which a reaction gas is injected is formed in an upper portion of the chamber, and a reaction gas injected through the purchase port is used. In the photoresist stripper for semiconductor manufacturing, in which a power supply for plasma formation is provided in a chamber, and upper and lower baffle plates in which a plurality of through holes are formed in the chamber are arranged at predetermined intervals, the wafer arrival time of the plasma gas is the same. A device for adjusting, wherein a mesh type electrode is disposed between the upper and lower baffle plates, and the mesh type electrode is configured to be charged to the same pole as the pole to which the plasma gas is charged, thereby reducing the speed by applying a repulsive force to the plasma gas. It features.
상기된 본 고안의 구성에 의하면, 배플 플레이트의 각 통과공을 통과하는 산소 플라즈마가 동일한 극으로 대전된 망사형 전극에 의해 밀려지게 되므로써, 산소 플라즈마의 전체적인 속도가 둔화되어 웨이퍼 표면의 포토레지스트에 도달하는 시간차를 최대한 줄일 수가 있게 된다.According to the configuration of the present invention described above, the oxygen plasma passing through each through hole of the baffle plate is pushed by the mesh electrode charged to the same pole, so that the overall speed of the oxygen plasma is slowed down to reach the photoresist on the wafer surface. The time difference can be reduced as much as possible.
[실시예]EXAMPLE
이하, 본 고안의 바람직한 실시예를 첨부도면에 의거하여 상세히 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
제2도는 본 고안에 따른 반응 가스 속도 조절장치가 구비된 포토레지스트 스트리퍼를 나타낸 도면이다.2 is a view showing a photoresist stripper equipped with a reaction gas rate adjusting device according to the present invention.
참고로, 본 실시예의 구성을 설명함에 있어, 명세서의 서두에서 설명된 종래의 기술과 동일한 부분에 대해서는 설명의 중복을 피하기 위하여 반복설명은 생략하고 개선된 부분만을 주로하여 설명하며, 또한 동일부번을 사용한다.For reference, in the description of the configuration of the present embodiment, the same parts as in the prior art described at the beginning of the specification are omitted and repeated descriptions are mainly described in order to avoid duplication of description. use.
도시된 바와 같이, 스트리퍼의 쳄버(1)의 저면에는 웨이퍼(2)가 안치되는 캐소우드(미도시)가 설치되고, 상부에는 애노우드(미도시)가 설치되어, 전력을 인가해 주면 쳄버(1)의 저면은 음극으로 대전되고, 상부는 양곡으로 대전된다. 쳄버(1)의 상부에는 반응 가스인 산소가 주입되는 주입구(미도시)가 형성되며, 중간부에는 상하소정간격으로 배치된 상하부 배플 플레이트(3,4)가 횡으로 놓여지고, 각 배플 플레이트(3,4)에는 산소 플라즈마가 통과되는 다수의 통과공(31,41)들이 형성된다.As shown, a cathode (not shown) on which the wafer 2 is placed is installed at the bottom of the chamber 1 of the stripper, and an anode (not shown) is installed at the top of the stripper 1 to apply the power to the chamber. The bottom of 1) is charged with a cathode, and the top with a grain. In the upper part of the chamber 1, an injection hole (not shown) for injecting oxygen, which is a reaction gas, is formed, and in the middle part, upper and lower baffle plates 3 and 4 disposed at upper and lower predetermined intervals are placed horizontally, and each baffle plate ( A plurality of through holes 31 and 41 through which oxygen plasma passes is formed in 3 and 4.
여기서, 양극으로 대전되는 산소 플라즈마의 속도를 둔화시키기 위해, 본 고안에서 제시되는 반응 가스 속도 조절장치가 상하부 배플 플레이트(3,4) 사이에 배치된다. 즉, 산소 플라즈마가 통과되도록 망사형으로 이루어진 전극(5)이 상하부 배플 플레이트(3,4) 사이에 배치되고, 이 망사형 전극(5)은 애노우드에 전력을 공급하는 전력 공급기에 같이 연결되어, 공정중에는 양극으로 대전되어진다.Here, in order to slow down the speed of the oxygen plasma charged to the anode, the reaction gas rate adjusting device proposed in the present invention is disposed between the upper and lower baffle plates 3 and 4. That is, a mesh electrode 5 is arranged between the upper and lower baffle plates 3 and 4 so that the oxygen plasma passes, and the mesh electrode 5 is connected to a power supply for supplying power to the anode. During the process, the anode is charged.
이하, 상기와 같이 구성된 본 실시예의 동작을 상세히 설명한다.Hereinafter, the operation of this embodiment configured as described above will be described in detail.
포토레지스트가 표면에 형성된 웨이퍼(2)가 캐소우드상에 안치된 후, 전력을 캐소우드와 애노우드에 가해주면, 캐소우드는 음극으로 대전되고 애노우드는 양극으로 대전된다. 그리고, 주입구를 통해서 반응 가스인 산소가 구입되고, 이 산소는 쳄버(1)에 형성된 전기장에 의해 양극으로 플라즈마화되어, 음극으르 대전된 캐소우드를 향해 빠른 속도로 분사된다.After the wafer 2 having the photoresist formed on the surface is placed on the cathode, when power is applied to the cathode and the anode, the cathode is charged to the cathode and the anode is charged to the anode. Oxygen, which is a reaction gas, is purchased through the injection port, and the oxygen is plasma-formed to the anode by an electric field formed in the chamber 1, and is injected at a high speed toward the cathode charged by the cathode.
산소 플라즈마는 웨이퍼상에 도달하기에 앞서, 상하부 배플 플레이트(3,4)를 통과하게 된다. 이때, 상부 플레이트(3)의 통과공(31)을 통과한 산소 플라즈마는 동일한 양극으로 대전된 망사형 전극(5)에 의해 상향으로 밀리게 되면서 속도가 둔화된다. 그러나, 캐소우드에 대전된 음극의 전기력이 망사형 전극보다는 크므로, 산소 플라즈마는 망사형 전극(5) 사이로 천천히 통과하게 된다.The oxygen plasma passes through the upper and lower baffle plates 3 and 4 before reaching the wafer. At this time, the oxygen plasma passing through the through hole 31 of the upper plate 3 is pushed upward by the mesh type electrode 5 charged with the same anode, and the speed is slowed down. However, since the electric force of the cathode charged to the cathode is larger than that of the mesh type electrode, the oxygen plasma slowly passes between the mesh type electrodes 5.
망사형 전극(5)을 통과한 산소 플라즈마는, 이번에는 망사형 전극(5)에 의해 하향으로 동일한 전기력에 의해 밀리게 되면서, 하부 배플 플레이트(4)의 각 통과공(41)을 통과하게 된다.The oxygen plasma passing through the mesh electrode 5 is pushed downward by the same electric force downward by the mesh electrode 5, and then passes through each through hole 41 of the lower baffle plate 4. .
이러한 망사형 전극(5)의 작용에 의해 산소 플라즈마는 그 속도가 둔화된 상태로, 웨이퍼(2)상의 포토레지스트에 도달하게 된다. 따라서, 산소 플라즈마의 전체적인 속도가 둔화되었기 때문에, 포토레지스트상에 도달되는 산소 플라즈마의 시간차이를 최대한 줄일 수가 있게 된다.By the action of the mesh type electrode 5, the oxygen plasma reaches the photoresist on the wafer 2 in a state where the velocity is slowed down. Therefore, since the overall velocity of the oxygen plasma is slowed down, the time difference of the oxygen plasma reaching the photoresist can be minimized.
상기된 바와 같이 본 고안에 의하면, 산소 플라즈마와 동일한 극으로 대전된 망사형 전극(5)을 이용해서 산소 플라즈마의 속도를 둔화시켜 포토레지트트에 도달하게 하므로써, 산소 플라즈마가 포토레지스트상에 도달하는 시간 차이를 최대한 줄일 수가 있게 된다.According to the present invention as described above, the oxygen plasma reaches the photoresist by slowing the speed of the oxygen plasma to reach the photoresist by using the mesh electrode 5 charged to the same pole as the oxygen plasma. This can minimize the time difference.
따라서, 포토레지스트의 특정한 부분에 산소 플라즈마가 집중분사되는 것에 의해, 구멍이 형성되는 것을 방지할 수가 있게 되어, 포토레지스트를 균일하게 벗겨 제거할 수가 있게 된다. 결과적으로, 포토레지스트는 평탄화된 상태로 유지되어 있기 때문에, 평탄화를 위한 추가 공정없이 후속 공정을 바로 실시할 수가 있게 된다.Therefore, by intensively spraying the oxygen plasma on a specific portion of the photoresist, it is possible to prevent the formation of holes, thereby making it possible to peel off and remove the photoresist uniformly. As a result, since the photoresist is kept in a flattened state, it is possible to immediately perform a subsequent process without further processing for flattening.
한편, 본 고안은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 고안의 요지를 벗어남이 없이 당해 고인이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능할 것이다.On the other hand, the present invention is not limited to the above-described specific preferred embodiment, any person having ordinary knowledge in the field belonging to the deceased without departing from the gist of the present invention claimed in the claims may be variously modified. will be.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019970004752U KR200165016Y1 (en) | 1997-03-14 | 1997-03-14 | Apparatus of controlling a reaction gas of photo resist striper for manufacturing a semiconductor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019970004752U KR200165016Y1 (en) | 1997-03-14 | 1997-03-14 | Apparatus of controlling a reaction gas of photo resist striper for manufacturing a semiconductor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19980060652U KR19980060652U (en) | 1998-11-05 |
| KR200165016Y1 true KR200165016Y1 (en) | 2000-01-15 |
Family
ID=19497242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2019970004752U KR200165016Y1 (en) | 1997-03-14 | 1997-03-14 | Apparatus of controlling a reaction gas of photo resist striper for manufacturing a semiconductor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR200165016Y1 (en) |
-
1997
- 1997-03-14 KR KR2019970004752U patent/KR200165016Y1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19980060652U (en) | 1998-11-05 |
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