KR200163026Y1 - Probe station for testing the electrical properties of wafers - Google Patents
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Abstract
반도체소자를 웨이퍼 표면에 형성하는 FAB 공정 완료된 후, 웨이퍼 상에 형성된 반도체소자에 대한 적기적 특성 검사를 프로브 장비를 이용하여 수행할 경우, 하나의 프로브 스테이션으로 다른 규격의 웨이퍼 또한 검사할 수 있도록하여 장비의 효율성을 향상시킨 것이다.After the FAB process of forming the semiconductor device on the wafer surface is completed, if a timely characteristic test of the semiconductor device formed on the wafer is performed by using a probe device, one probe station can also inspect wafers of different specifications. The efficiency of the equipment is improved.
이를 위해, 본 고안은 프로브 스테이션(1) 일측에 장착된 제1센터링 가이드(2)와 상기 프로브 스테이션(1)을 가로지르는 반송용 벨트(3)위에 로딩된 웨이퍼(4)를 흡착하여 플랫존 정렬을 실시하도록 설치된 스핀들(5) 사이에, 상기 제1센터링 가이드(2)와는 다른 곡률반경을 가진 제2센터링 가이드(6)가 상기 제1센터링 가이드(2)의 높이를 선택적으로 벗어나도록 승강가능하게 설치되는 웨이퍼의 전기 특성 검사용 프로브 스테이션이다.To this end, the present invention adsorbs the first centering guide (2) mounted on one side of the probe station (1) and the wafer (4) loaded on the conveying belt (3) across the probe station (1) flat zone Between the spindles 5 installed to align, the second centering guide 6 having a radius of curvature different from the first centering guide 2 is elevated so as to selectively deviate from the height of the first centering guide 2. A probe station for inspecting electrical characteristics of a wafer that is possibly installed.
Description
본 고안은 웨이퍼의 전기 특성 검사용 프로브 스테이션에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼에 형성된 반도체소자의 전기적 특성 검사시, 하나의 프로브 스테이션(Probe station)으로 서로 다른 규격의 웨이퍼를 검사할 수 있도록하여 장비의 가동 효율을 향상시킨 것이다.The present invention relates to a probe station for inspecting electrical properties of wafers, and more particularly, to inspect wafers of different specifications with one probe station when inspecting electrical properties of semiconductor devices formed on the wafer. The operation efficiency of the equipment is improved.
일반적으로, FAB(Fabrication) 공정이 완료된 후, 단위 반도체소자들이 그 표면에 형성된 웨이퍼는 프로브 장비에 의해 전기적 특성 검사가 이루어지게 된다.In general, after the FAB (Fabrication) process is completed, the wafer formed on the surface of the unit semiconductor device is subjected to the electrical property inspection by the probe equipment.
한편, 프로브 장비의 일부를 구성하는 프로브 스테이션(1a)은 검사 대상 웨이퍼(4)를 웨이퍼(4)척으로 보내는 역할을 수행하는 센드유니트(Send unit)(18)와, 상기 웨이퍼척에 로딩되어 검사가 완료된 웨이퍼(4)를 언로딩시키는데 사용되는 리시브유니트(Receive unit)(19)로 구성된다.On the other hand, the probe station (1a) constituting a part of the probe equipment is a send unit (18) which serves to send the inspection target wafer 4 to the wafer 4 chuck, and is loaded on the wafer chuck It consists of a receive unit 19 which is used to unload the inspected wafer 4.
또한, 상기 프로브 스테이션(1a)은 웨이퍼(4) 규격(예 : 5인치 웨이퍼, 6인치 웨이퍼)에 따라 분류되는데, 그에 따른 차이점은 센드유니트(18)에서 웨이퍼(4)의 센터를 맞추기 위해 웨이퍼(4)를 홀딩해주는 초승달 형상의 센터링 가이드(2)(Centering crescent)에 있다.In addition, the probe station 1a is classified according to the wafer 4 specifications (eg, 5 inch wafer, 6 inch wafer), and the difference is that the wafer is centered in the send unit 18 to center the wafer 4. It is in the crescent shaped centering guide (2) that holds (4).
즉, 센터링 가이드(2) 내측면의 곡률반경의 크기에 따라 프로브 스테이션(1)이 분류된다.That is, the probe station 1 is classified according to the size of the radius of curvature of the inner surface of the centering guide 2.
한편, 이와 같이 구성된 프로브 스테이션(1)을 이용하여 웨이퍼(4)에 대한 전기적 특성 검사를 행할 경우, 프로브 스테이션(1) 및 그 주변 장치의 동작은 다음과 같이 이루어진다.On the other hand, when the electrical characteristic inspection is performed on the wafer 4 using the probe station 1 configured as described above, the operation of the probe station 1 and its peripheral device is performed as follows.
먼저, 작업자가 제어용 키보드의 로드 버튼을 누르면 웨이퍼 인덱스부의 캐리어 반송시스템이 작동하여 캐리어가 하강하게 된다.First, when the operator presses the load button of the control keyboard, the carrier conveying system of the wafer index portion is operated to lower the carrier.
이때, 하강하는 캐리어의 정지 위치는 캐리어에 수납된 웨이퍼중 최하층의 웨이퍼(4)가 벨트(3)에 의해 떠받쳐져 벨트(3)에 안착되는 위치이다.At this time, the stationary position of the carrier which descends is a position where the wafer 4 of the lowest layer among the wafers accommodated in the carrier is supported by the belt 3 and seated on the belt 3.
또한, 상기와 같이 벨트(3) 상면에 안착된 웨이퍼(4)는 벨트롤러(11)의 회전에 따른 벨트(3)의 이송작용에 의해 센터링 가이드(2)의 내주면에 접하는 위치까지 이동하게 된다.In addition, the wafer 4 seated on the upper surface of the belt 3 as described above is moved to a position in contact with the inner circumferential surface of the centering guide 2 by the conveying action of the belt 3 according to the rotation of the belt roller 11. .
이어, 벨트(3)가 정지하면 진공홀(12)이 형성된 스핀들(5)이 상승하여 벨트(3) 상에 안착된 웨이퍼(4) 뒷면에 밀착되며, 진공홀(12)을 통해 유기된 진공압에 의해 웨이퍼(4)가 스핀들(5) 상면에 흡착된 상태에서 스핀들(5)은 웨이퍼(4) 저면이 센터링 가이드(2) 상면을 벗어나는 위치까지 상승하게 된다.Subsequently, when the belt 3 stops, the spindle 5 on which the vacuum hole 12 is formed rises to be in close contact with the back side of the wafer 4 seated on the belt 3, and the vacuum is discharged through the vacuum hole 12. In the state where the wafer 4 is attracted to the upper surface of the spindle 5 by pneumatic pressure, the spindle 5 is raised to a position where the bottom surface of the wafer 4 is out of the upper surface of the centering guide 2.
또한, 이 때 스핀들(5)은 상승 작용과 더불어 회전하여 웨이퍼(4)의 플랫존이 일정 방향을 향하도록 웨이퍼(4)의 위치를 정렬시키게 된다.At this time, the spindle 5 rotates along with the synergistic action to align the position of the wafer 4 so that the flat zone of the wafer 4 faces a certain direction.
한편, 상기한 동작들이 완료된 후에는 트랜스퍼 아암(13)이 힌지핀(14)을 중심으로 회동하여(도면상 시계방향) 웨이퍼(4) 저면으로 진입하여 웨이퍼(4)를 떠받친 다음, 도면상 반시계 방향으로 회동하여 웨이퍼(4)를 웨이퍼척(도시는 생략됨) 위에 안착시키게 된다.On the other hand, after the above-described operations are completed, the transfer arm 13 rotates about the hinge pin 14 (clockwise in the drawing) to enter the bottom of the wafer 4 to support the wafer 4, and then the The wafer 4 is rotated counterclockwise to rest on the wafer chuck (not shown).
이어, 상기 웨이퍼척 위에 안착된 웨이퍼(4)가 웨이퍼척에 의해 클램핑되면 웨이퍼(4)상에 형성된 각 단위 반도체소자(칩)의 본딩패드에 대해 인터페이스(Interface)가 이루어져 각 단위 반도체소자에 대한 전기적 특성 검사가 진행된다.Subsequently, when the wafer 4 seated on the wafer chuck is clamped by the wafer chuck, an interface is formed with respect to a bonding pad of each unit semiconductor element (chip) formed on the wafer 4, and thus, for each unit semiconductor element. An electrical property test is carried out.
한편, 이와 같이 웨이퍼(4)에 형성된 단위 반도체소자 대한 전기적 특성 검사를 위한 프로브 장비를 구성하는 종래의 프로브 스테이션(1)은 웨이퍼(4)의 규격(직경)이 달라질 경우, 프로브 스테이션 자체를 바꾸거나, 프로브 스테이션(1)에 체결된 센터링 가이드(2)를 해체한 다음, 다른 규격의 센터링 가이드로 교체해야 하는 문제점이 있었다On the other hand, the conventional probe station 1 constituting the probe equipment for inspecting the electrical characteristics of the unit semiconductor device formed on the wafer 4 as described above, when the standard (diameter) of the wafer 4 is changed, the probe station itself is changed. Alternatively, the centering guide 2 fastened to the probe station 1 may be dismantled and then replaced with a centering guide of another standard.
즉, 규격이 다른 웨이퍼(4)에 대한 공용화가 이루어지지 않은 상태이므로 검사 대상인 웨이퍼(4)의 규격이 변경될 때 마다 센터링 가이드의 교환 작업이 이루어져야 하는 번거러움이 있으며, 이러한 센터링 가이드의 교환 작업에서 오는 번거러움 및 시간 소요를 해소하기 위해 별도의 프로브 스테이션(1)을 마련할 경우에는 비용이 많이 소요되는 등의 문제점이 있었다.That is, since the standardization of the wafer 4 with different specifications is not made, there is a hassle that the centering guide needs to be replaced whenever the size of the wafer 4 to be inspected is changed. In case of providing a separate probe station (1) to solve the hassle and time required, there was a problem such as high cost.
본 고안은 상기한 제반 문제점을 해결하기 위한 것으로서, FAB 공정 완료후 반도체소자가 형성된 웨이퍼를 프로브 장비를 이용하여 소팅할 경우, 검사를 위한 프로브 장비의 프로브 스테이션 구조를 개선하여 규격이 다른 웨이퍼를 검사할 경우에도 프로브 스테이션 또는 센터링 가이드의 교체없이 신속히 검사할 수 있도록하여 장비의 효율성을 향상시킨 웨이퍼의 전기 특성 검사용 프로브 스테이션을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention is to solve the above-mentioned problems, and when the wafer formed semiconductor device after the FAB process is sorted by using the probe equipment, to improve the probe station structure of the probe equipment for inspection to inspect the wafer with different specifications In this case, an object of the present invention is to provide a probe station for inspecting electrical characteristics of a wafer, which can be quickly inspected without replacing the probe station or the centering guide, thereby improving the efficiency of the equipment.
도 1은 종래 프로브 스테이션의 일부를 나타낸 평면도1 is a plan view showing a part of a conventional probe station
도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ선을 나타낸 단면도FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a line I-I of FIG. 1.
도 3은 본 고안에 따른 프로브 스테이션의 일부를 나타낸 평면도3 is a plan view showing a part of a probe station according to the present invention;
도 4는 도 3의 Ⅱ-Ⅱ선을 나타낸 단면도4 is a cross-sectional view taken along the line II-II of FIG.
도 5는 본 고안의 다른 실시예를 나타낸 평면도5 is a plan view showing another embodiment of the present invention
도 6은 도 5의 Ⅲ-Ⅲ선을 나타낸 단면도6 is a cross-sectional view taken along the line III-III of FIG.
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for main parts of the drawings
1:프로브 스테이션2:제1센터링 가이드1: Probe station 2: 1st centering guide
3:벨트4:웨이퍼3: belt 4: wafer
5:스핀들6:제2센터링 가이드5: Spindle 6: 2nd Centering Guide
7:플런저8:공압실린더7: Plunger 8: Pneumatic Cylinder
9:요입홈10:안착홈9: recessed groove 10: seating groove
15:볼스크류 블록16:볼스크류15: Ball screw block 16: Ball screw
17:구동모터17: drive motor
상기한 목적을 달성하기 위해 본 고안은, 프로브 스테이션 일측에 장착된 제1센터링 가이드와 상기 프로브 스테이션을 가로지르는 반송용 벨트위에 로딩된 웨이퍼를 흡착하여 플랫존 정렬을 실시하도록 설치된 스핀들 사이에, 상기 제1센터링 가이드와는 다른 곡률반경을 가진 제2센터링 가이드가 상기 제1센터링 가이드의 높이를 선택적으로 벗어나도록 승강가능하게 설치되는 웨이퍼의 전기 특성 검사용 프로브 스테이션이다.In order to achieve the above object, the present invention, between the first centering guide mounted on one side of the probe station and the spindle installed to suck the wafer loaded on the conveying belt across the probe station to perform a flat zone alignment, A second centering guide having a radius of curvature different from that of the first centering guide is a probe station for inspecting electrical characteristics of a wafer, which is installed to be liftable so as to selectively deviate from the height of the first centering guide.
이하, 본 고안의 일실시예를 첨부도면 도 3 및 도 4를 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 3 and 4.
도 3은 본 고안에 따른 프로브 스테이션의 일부를 나타낸 평면도이고, 도 4는 도 2의 Ⅱ-Ⅱ선을 나타낸 단면도이다.3 is a plan view showing a part of a probe station according to the present invention, Figure 4 is a cross-sectional view showing a line II-II of FIG.
본 고안은 프로브 스테이션(1) 일측에 장착된 제1센터링 가이드(2)와 상기 프로브 스테이션(1)을 가로지르는 반송용 벨트(3)위에 로딩된 웨이퍼(4)를 흡착하여 플랫존 정렬을 실시하도록 설치된 스핀들(5) 사이에, 상기 제1센터링 가이드(2)와는 다른 곡률반경을 가진 제2센터링 가이드(6)가 상기 제1센터링 가이드(2)의 높이를 선택적으로 벗어나도록 승강가능하게 설치된다.The present invention adsorbs the first centering guide (2) mounted on one side of the probe station (1) and the wafer (4) loaded on the conveying belt (3) across the probe station (1) to perform flat zone alignment. Between the spindle 5 is installed so that the second centering guide (6) having a radius of curvature different from the first centering guide (2) is installed so as to elevate selectively out of the height of the first centering guide (2) do.
이 때, 상기 제2센터링 가이드(6)를 승강시키기 위해 마련되는 승강수단은 상기 제2센터링 가이드(6) 하부에 연결되는 플런저(7)와, 상기 플런저(7)에 연결되며 상기 제2센터링 가이드(6)를 승강시키도록 상기 플런저(7)에 공압을 전달하여 상기 플런저(7)를 전·후진시키기 위한 공압실린더(8)로 구성된다.At this time, the elevating means provided for elevating the second centering guide 6 is a plunger 7 connected to the lower portion of the second centering guide 6, the plunger 7 is connected to the second center ring It consists of a pneumatic cylinder (8) for conveying pneumatic pressure to the plunger (7) to move the guide (6) up and down to move forward and backward.
한편, 상기 승강수단에 의해 구동하는 제2센터링 가이드(6) 상면에는 상기 제2센터링 가이드(6)의 상승시 벨트(3)가 홈내로 들어가 상기 벨트(3)와 제2센터링 가이드(6)와의 간섭을 방지하게 되는 요입홈(9)이 형성되고, 상기 프로브 스테이션(1)에는 상기 숭강수단의 작용에 의한 제2센터링 가이드(6)의 하강시 상기 제2센터링 가이드(6)가 격납되어 제1센터링 가이드(2) 쪽으로 이동하는 웨이퍼(4)를 간섭하지 않도록 하기 위한 안착홈(10)이 함몰 형성되어 구성된다.On the other hand, on the upper surface of the second centering guide 6 driven by the elevating means, the belt 3 enters into the groove when the second centering guide 6 is raised, and the belt 3 and the second centering guide 6 are raised. A recess 9 is formed to prevent interference with the second centering guide 6, and the second centering guide 6 is stored in the probe station 1 when the second centering guide 6 is lowered by the action of the lowering means. The recessed groove 10 for recessing the wafer 4 moving toward the first centering guide 2 is recessed.
이와 같이 구성된 본 고안의 작용은 후술하는 바와 같다.The operation of the present invention configured as described above is as described below.
프로브 스테이션(1)을 이용하여 웨이퍼(4)를 웨이퍼(4)척에 로딩시켜 웨이퍼(4)에 대한 전기적 특성 검사를 행할 경우, 먼저, 작업자가 제어용 키보드(도시는 생략함)의 로드 버튼을 누르면 웨이퍼(4) 인덱스부의 캐리어 반송시스템(도시는 생략함)이 작동하여 캐리어가 하강하게 된다.When the wafer 4 is loaded onto the wafer 4 chuck using the probe station 1 to perform electrical property inspection on the wafer 4, first, an operator presses a load button of a control keyboard (not shown). When pressed, the carrier conveying system (not shown) of the index portion of the wafer 4 is operated to lower the carrier.
이때, 하강하는 캐리어의 정지 위치는 캐리어에 수납된 웨이퍼(4)중 최하층의 웨이퍼(4)가 벨트(3)에 의해 떠받쳐져 벨트(3)에 안착되는 위치이다.At this time, the stationary position of the carrier which descends is a position where the wafer 4 of the lowest layer among the wafers 4 accommodated in the carrier is supported by the belt 3, and is seated on the belt 3.
이상의 동작은 전술한 종래의 기술 장치와 동일한 순서로 이루어진다.The above operation is performed in the same order as the above-described prior art apparatus.
한편, 상기와 같이 벨트(3) 상면에 안착된 웨이퍼(4)는 벨트롤러(11)의 회전에 따른 벨트(3)의 이송작용에 의해 제1센터링 가이드(2) 또는 제2센터링 가이드(6)의 내주면에 접하는 위치까지 이동하게 된다.On the other hand, the wafer 4 seated on the upper surface of the belt 3 as described above, the first centering guide 2 or the second centering guide 6 by the conveying action of the belt 3 in accordance with the rotation of the belt roller (11). ) Will move to the position in contact with the inner circumferential surface.
여기서, 제1센터링 가이드(2)의 내주면에 접하느냐, 제2센터링 가이드(6)의 내주면에 접하느냐 하는 것은 전기적 특성 검사를 받게 되는 웨이퍼(4)의 규격에 따라 결정된다.Here, the contact with the inner circumferential surface of the first centering guide 2 or the inner circumferential surface of the second centering guide 6 is determined according to the specification of the wafer 4 subjected to the electrical property inspection.
즉, 웨이퍼(4)가 제1센터링 가이드(2)에 홀딩되어야 하는 규격인 경우에는 제2센터링 가이드(6)를 하강시켜 프로브 스테이션(1)의 안착홈(10) 내로 삽입시키므로써 이동하는 웨이퍼(4)와 제2센터링 가이드(6)와의 간섭이 일어나지 않도록 하고, 이와 반대로 웨이퍼(4)가 제2센터링 가이드(6)에 홀딩되어야 하는 규격인 경우에는 제2센터링 가이드(6)를 안착홈(10) 밖으로 돌출되도록 승강시켜 벨트(3)를 타고 이동하는 웨이퍼(4)가 제2센터링 가이드(6)의 내주면에 접하도록 한다.That is, when the wafer 4 is a standard that is to be held in the first centering guide 2, the second moving centering guide 6 is lowered and inserted into the seating groove 10 of the probe station 1 to move the wafer. In order to prevent interference between the second centering guide 6 and the second centering guide 6, on the contrary, when the wafer 4 is a standard that must be held in the second centering guide 6, the second centering guide 6 is seated in the recess. (10) The wafer 4 moving up and down by the belt 3 is brought into contact with the inner circumferential surface of the second centering guide 6 so as to protrude outward.
이 때, 상기 제2센터링 가이드(6)의 상승운동은 공압실린더(8)의 구동에 따라 작동하는 플런저(7)의 전진 작용에 의해 이루어지며, 제2센터링 가이드(6)의 하강 운동은 공압실린더(8)의 구동에 따른 플런저(7)의 후진 작용에 의해 이루어지게 된다.At this time, the upward movement of the second centering guide (6) is made by the forward action of the plunger (7) operating in accordance with the drive of the pneumatic cylinder (8), the downward movement of the second centering guide (6) is pneumatic This is achieved by the reverse action of the plunger 7 according to the driving of the cylinder 8.
한편, 상기에서 웨이퍼(4)가 제1센터링 가이드(2) 또는 제2센터링 가이드(6)의 내주면에 접하게 됨에 따라 벨트(3)가 정지하면 진공홀(12)이 형성된 스핀들(5)이 상승하여 벨트(3) 상에 안착된 웨이퍼(4) 뒷면에 밀착되며, 진공홀(12)을 통해 유기된 진공압에 의해 웨이퍼(4)가 스핀들(5) 상면에 흡착된 상태에서 스핀들(5)은 웨이퍼(4) 저면이 제1 또는 제2센터링 가이드 상면을 벗어나는 위치까지 상승하게 된다.Meanwhile, when the belt 3 stops as the wafer 4 contacts the inner circumferential surface of the first centering guide 2 or the second centering guide 6, the spindle 5 on which the vacuum hole 12 is formed rises. The wafer 4 is adhered to the back of the wafer 4 seated on the belt 3, and the wafer 5 is attracted to the upper surface of the spindle 5 by the vacuum pressure induced through the vacuum hole 12. The lower surface of the silver wafer 4 is raised to a position beyond the upper surface of the first or second centering guide.
또한, 이 때 스핀들(5)은 상승 작용과 더불어 회전하여 웨이퍼(4)의 플랫존이 일정 방향을 향하도록 웨이퍼(4)의 위치를 정렬시키게 된다.At this time, the spindle 5 rotates along with the synergistic action to align the position of the wafer 4 so that the flat zone of the wafer 4 faces a certain direction.
한편, 상기한 동작들이 완료된 후에는 트랜스퍼 아암(13)이 힌지핀(14)을 중심으로 회동하여(도면상 시계방향) 웨이퍼(4) 저면으로 진입하여 웨이퍼(4)를 떠받친 다음, 도면상 반시계 방향으로 회동하여 웨이퍼(4)를 웨이퍼척(도시는 생략됨) 위에 안착시키게 된다.On the other hand, after the above-described operations are completed, the transfer arm 13 rotates about the hinge pin 14 (clockwise in the drawing) to enter the bottom of the wafer 4 to support the wafer 4, and then the The wafer 4 is rotated counterclockwise to rest on the wafer chuck (not shown).
이어, 상기 웨이퍼척 위에 안착된 웨이퍼(4)가 웨이퍼척에 의해 클램핑되면 웨이퍼(4)상에 형성된 각 단위 반도체소자(칩)의 본딩패드에 대해 인터페이스가 이루어져 각 단위 반도체소자에 대한 전기적 특성 검사가 진행된다.Subsequently, when the wafer 4 seated on the wafer chuck is clamped by the wafer chuck, the bonding pads of the unit semiconductor elements (chips) formed on the wafer 4 are interfaced to inspect the electrical characteristics of each unit semiconductor element. Proceeds.
이와 같이, 본 고안에서는 웨이퍼(4)에 형성된 단위 반도체소자 대한 전기적 특성 검사를 위한 프로브 장비를 구성하는 프로브 스테이션(1)을 웨이퍼(4)의 규격(직경)이 달라질 경우에도 사용할 수 있게 된다.As described above, according to the present invention, the probe station 1 constituting the probe equipment for inspecting electrical characteristics of the unit semiconductor device formed on the wafer 4 may be used even when the specifications (diameter) of the wafer 4 are different.
즉, 규격이 다른 웨이퍼(4)에 대한 공용화가 이루어져 있으므로 웨이퍼(4)의 규격이 변경되더라도 센터링 가이드의 교환 작업이 필요없으므로 작업자에게 편리함을 제공할 뿐만 아니라, 프로브 스테이션(1)을 별도로 마련할 경우에 소요되는 비용을 절감할 수 있게 된다.That is, since the common use is made for wafers of different sizes, even if the size of the wafer 4 is changed, the centering guide is not required to be replaced, thereby providing convenience to the operator and providing a probe station 1 separately. In this case, the cost can be reduced.
한편, 도 5는 본 고안의 다른 실시예를 나타낸 평면도이고, 도 6은 도 5의 Ⅲ-Ⅲ선을 나타낸 단면도로서, 상기 제2센터링 가이드(6)에 대한 승강수단을 달리 구성하여 된다.On the other hand, Figure 5 is a plan view showing another embodiment of the present invention, Figure 6 is a cross-sectional view of the line III-III of Figure 5, the lifting means for the second centering guide (6) is configured differently.
즉, 상기 제2센터링 가이드(6) 승강수단의 구성은 상기 제2센터링 가이드(6) 일측 하부에 볼을 내장한 볼스크류 블록(15)을 장착하고, 상기 볼스크류 블록(15)을 관통하도록 볼스크류(16)를 설치하는 한편, 상기 볼스크류(16)에는 볼스크류(16)를 회전시키는 구동모터(17)의 구동축이 연결되도록 설치하므로써 구성되며, 이에 따라 볼스크류(16)와 제2센터링 가이드(6)와의 상대운동에 의해 전술한 바와 동일하게 제2센터링 가이드(6)를 승강시키는 목적을 달성할 수 있게 된다.That is, the configuration of the lifting means of the second centering guide (6) is mounted to the lower side of the second centering guide 6, the ball screw block (15) with the ball, so as to pass through the ball screw block (15) While installing the ball screw 16, the ball screw 16 is configured to be connected to the drive shaft of the drive motor 17 for rotating the ball screw 16, accordingly, the ball screw 16 and the second By the relative movement with the centering guide 6, it is possible to achieve the purpose of elevating the second centering guide 6 as described above.
즉, 구동모터(17)의 회전에 따라 볼스크류(16)가 회전하면 볼스크류(16)에 결합된 제2센터링 가이드(6)는 볼스크류(16)의 회전방향에 따라 상승 또는 하강하게 되므로, 이를 이용하여 웨이퍼(4)의 규격에 따른 정지 위치를 결정짓게 된다.That is, when the ball screw 16 rotates as the drive motor 17 rotates, the second centering guide 6 coupled to the ball screw 16 is raised or lowered according to the rotation direction of the ball screw 16. By using this, the stop position according to the specification of the wafer 4 is determined.
예를 들어, 웨이퍼(4)가 제1센터링 가이드(2)에 홀딩되어야 하는 규격인 경우에는 제2센터링 가이드(6)를 프로브 스테이션(1)의 안착홈(10) 내로 하강시켜 웨이퍼(4)와 제1센터링 가이드(2)와의 간섭이 일어나지 않도록 하고, 이와 반대로 웨이퍼(4)가 제2센터링 가이드(6)에 홀딩되어야 하는 규격인 경우에는 제2센터링 가이드(6)를 안착홈(10) 밖으로 돌출되도록 승강시켜 벨트(3)를 타고 이동하는 웨이퍼(4)가 제2센터링 가이드(6)의 내주면에 홀딩되도록 한다.For example, when the wafer 4 has a size that is to be held in the first centering guide 2, the second centering guide 6 is lowered into the seating groove 10 of the probe station 1 so that the wafer 4 can be held. And interference with the first centering guide 2, and in contrast, when the wafer 4 is of a size that is to be held in the second centering guide 6, the second centering guide 6 is mounted in the seating groove 10. The wafer 4 moving on and off the belt 3 is held on the inner circumferential surface of the second centering guide 6 so as to protrude outward.
한편, 상기 제2센터링 가이드(6)는 한 번 누름에 따라 하강하여 안착홈(10) 내로 삽입되고, 그 상태에서 다시 한 번 누름에 따라 승강하여 안착홈(10) 밖으로 돌출되도록 원터치버튼식으로 설치할 수도 있다.On the other hand, the second centering guide (6) is lowered by pressing once and inserted into the seating groove (10), in that state by pressing once again to raise and lower as the one-touch button type so as to project out of the seating groove (10). You can also install.
그리고, 본 고안의 실시예에서는 제2센터링 가이드(6)가 승강하는 구조의 예를 설명하였지만, 제2센터링 가이드(6) 대신 제1센터링 가이드(2)가 승강하는 구조로 할 수 있음도 물론이다.And, in the embodiment of the present invention has been described an example of the structure in which the second centering guide (6) is lifted, but instead of the second centering guide (6) can also be configured to the structure in which the first centering guide (2). to be.
이상에서와 같이, 본 고안은 FAB 공정 완료되어 반도체소자가 형성된 웨이퍼(4)를 프로브 장비를 이용하여 전기적 특성 검사시, 하나의 프로브 스테이션(1)으로 서로 다른 규격의 웨이퍼(4)를 검사할 수 있으므로 인해, 장비의 가동 효율성을 향상시키는 한편, 웨이퍼(4) 검사 준비에 소요되는 시간을 줄여 생산성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.As described above, the present invention is to inspect the wafer (4) of different specifications with one probe station (1) when the electrical characteristics of the wafer 4, the FAB process is completed, the semiconductor device is formed by using a probe equipment As a result, it is possible to improve the operating efficiency of the equipment and to improve productivity by reducing the time required for preparing the wafer 4 for inspection.
즉, 예를 들어 직경이 5인치인 웨이퍼(4) 및 6인치인 웨이퍼(4)에 대해 공용되므로 공정 처리시간(TAT) 단축 및 생산성 향상에 도움을 줄 뿐만 아니라 작업자들의 번거로움을 해소시킬 수 있게 된다.That is, for example, it is common for wafers 4 of 5 inches in diameter and wafers 4 of 6 inches in diameter, which not only helps to shorten the processing time (TAT) and improve productivity, but also eliminates workers' troubles. Will be.
Claims (5)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019970003183U KR200163026Y1 (en) | 1997-02-26 | 1997-02-26 | Probe station for testing the electrical properties of wafers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019970003183U KR200163026Y1 (en) | 1997-02-26 | 1997-02-26 | Probe station for testing the electrical properties of wafers |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19980058732U KR19980058732U (en) | 1998-10-26 |
| KR200163026Y1 true KR200163026Y1 (en) | 1999-12-15 |
Family
ID=19496238
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2019970003183U KR200163026Y1 (en) | 1997-02-26 | 1997-02-26 | Probe station for testing the electrical properties of wafers |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR200163026Y1 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6914423B2 (en) * | 2000-09-05 | 2005-07-05 | Cascade Microtech, Inc. | Probe station |
-
1997
- 1997-02-26 KR KR2019970003183U patent/KR200163026Y1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19980058732U (en) | 1998-10-26 |
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