KR200152539Y1 - 반도체 제조장비의 스퍼터링 증착용 척 - Google Patents

Abstract

본 고안은 반도체 제조장비의 스퍼터링 증착용 척에 관한 것으로, 종래의 풀 페이스에 의한 증착방법은 히팅이 불가능하여 웨이퍼의 히팅은 별도의 히팅 챔버에서 실시한 후, 가열된 웨이퍼를 증착위치로 이동시켜 증착됨에 따라 작업시간의 손실을 가져오고, 이동 중에 웨이퍼의 온도가 저하(약 20℃)되는 문제가 있는 바, 낮은 압력의 아르곤 가스를 공급하는 가스공급로(12a)가 형성되고 웨이퍼(W)가 안착되는 히터 테이블(12)과, 상기 히터 테이블(12)의 상면 외주연에 설치되어 히터 테이블(12)에 안착되는 웨이퍼(W)를 가열하는 히터 링(13)으로 구성된 본 고안을 제공하여 풀 페이스 증착을 실시함과 동시에 아르곤 가스를 이용한 컨덕션 히팅이 가능하도록 하여 작업생산성이 향상되도록 한 것이다.

Description

반도체 제조장비의 스퍼터링 증착용 척

제1도 및 제2도는 종래 기술에 의한 반도체 제조장비의 스퍼터링 증착기술을 보인 것으로,

제1도는 풀 페이스(full face)가 불가능하고, 아르곤 컨덕션(Ar conduction)스퍼터링이 가능한 스퍼터링 테이블의 개략 구성도.

제2도는 풀 페이스가 가능하고 아르콘 컨덕션 스퍼터링이 불가능한 스퍼터링 테이블의 개략 구성도.

제3도는 본 고안에 의한 스퍼터링 증착용 척 테이블의 개략 구성도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

11 : 척 12 : 히터 테이블

12a : 가스 공급로 14 : 히터 링

W : 웨이퍼

본 고안은 반도체 제조장비의 스퍼터링 증착용 척에 관한 것으로, 특히 낮은 압력의 아르곤 가스를 공급하는 가스공급로가 형성되고 웨이퍼가 안착되는 히터 테이블과, 상기 히터 테이블의 상면 외부연에 설치되어 히터 테이블에 안측되는 웨이퍼를 가열하는 히터 링으로 구성되어 풀 페이스 증착을 실시함과 동시에 아르곤 가스를 이용한 컨덕션 히팅이 가능하도록 하여 작업생산성을 향상하도록 한 반도체 제조장비의 스퍼터링 증착용 척에 관한 것이다.

일반적으로 스퍼터링 척 테이블은 크게 두가지 유형으로 구분할 수 있는 바, 그 하나가 제2도에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 가장자리 부위까지 모두 증착가능하도록 한 풀 페이스(Full Face)증착방법이며, 다른 하나의 방법은 제1도와 같이, 웨이퍼(W)의 가장자리를 클램프(3)로 감싼 상태에서 증착시키는 클램핑 증착방법이다.

이때, 상기 스퍼터링 웨이퍼의 가열방식에서는 웨이퍼의 후면 즉, 척 테이블(4)의 표면과 맞닿아 있는 부위는 아르곤(Ar)공급에 의한 컨덕션 히팅(conduction heating)은 불가능한 단점이 있다.

도면 중 미설명 후보 1은 타켓(target)이고, 2는 히팅 척 테이블, 2a는 아르곤 가스 공급로를 나타낸 것이다.

이와같이 종래의 풀 페이스에 의한 증착방법은 히팅이 불가능하다. 이는 아르곤 컨덕션 없이 히터 테이블 만으로도 가열은 가능하지만, 가열효과가 미약하므로 실제 사용은 하지 않고 있기 때문이다.

따라서 웨이퍼의 히팅은 별도의 히팅 챔버에서 실시한 후, 가열된 웨이퍼를 증착위치로 이동시켜 증착됨에 따라 작업시간의 손실을 가져오고, 이동 중에 웨이퍼의 온도가 저하(약 20℃)되는 문제가 있다.

이와 같은 문제점을 감안하여 안출한 본 고안의 목적은 웨이퍼의 증착과 더불어 가열이 가능해지도록 한 반도체 제조장비의 스퍼터링 증착용 척을 제공함에 있다.

이러한 본 고안의 목적을 달성하기 위하여, 웨이퍼의 하중에 의한 접촉 압력보다 낮은 압력의 아르곤 가스를 공급하는 가스공급로가 형성되고 웨이퍼가 안착되는 히터 테이블과, 상기 히터 테이블의 상면 외주연에서 이격된 위치에 설치되어 히터 테이블에 안착되는 웨이퍼를 가열하는 히터 링으로 구성함을 특징으로 하는 반도체 제조장비의 스퍼터링 증착용 척이 제공된다.

이하, 상기한 바와 같은 본 고안을 첨부도면에 도시한 일실시예에 의거하여 보다 상세하게 설명한다.

제3도는 본 고안에 의한 스퍼터링 증착용 척 테이블의 개략 구성도로서, 이에 도시한 바와 같이, 본 고안에 의한 반도체 제조장비의 스퍼터링 증착용 척은 낮은 압력의 아르곤 가스를 공급하는 가스공급로(12a)가 형성되고 웨이퍼(W)가 안착되는 히터 테이블(12)과, 상기 히터 테이블(12)의 상면 외주연에 설치되어 히터 테이블(12)에 안착되는 웨이퍼(W)를 가열하는 히터 링(14)으로 구성되어 있다.

도면 중 13은 타켓(11)에서 떨어져 나온 이온이 웨이퍼(W)의 상면에 증착되도록 포집하기 위한 포집 링이다.

이와 같이 구성되어 있는 본 고안 스퍼터링 척에 의하면, 웨이퍼(W)가 히터 테이블(12)에 올려 놓여진 상태에서 히터 테이블(12)의 가스공급로(12a)를 통해 히팅용 아르곤 가스가 웨이퍼(W)의 하중에 의한 웨이퍼와 히터 테이블(12)간의 접촉 압력보다 낮아서 웨이퍼(W)가 떨어지지 않을 정도의 낮은 압력으로 분사되어 컨덕션 히팅이 이루어지면서 동시에 타켓(11)에서는 이온들이 분리되어 포집 링(13)에 의하여 웨이퍼(W)의 상면으로 유도되면서 증착이 이루어지게 되고, 이때 웨이퍼(W)의 상면 에지부분과 포집 링(13)의 사이에는 어느 정도 공간이 있어서 증착되는 이온들이 웨이퍼(W)의 에지부분까지 풀 페이스증착이 이루어진다.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 고안에 의한 반도체 제조장비의 스퍼터링 증착용 척은 반도체 제조 공정 중 금속 박막 증착 공정시 스퍼터링 증착에서의 웨이퍼 테이블의 지지구조를 변경하여 종래에 풀 페이스 증착시 가열 히터를 사용하지 못하는 단점을 보완하도록 한 것으로, 풀 페이스 증착을 실시함과 동시에 아르곤 가스를 이용한 컨덕션 히팅이 가능하도록 하여 작업생산성이 향상되도록 한 것이다.

Claims (1)

1. 웨이퍼의 하중에 의한 접촉 압력보다 낮은 압력의 아르곤 가스를 공급하는 가스공급로가 형성되고 웨이퍼가 안착되는 히터 테이블과, 상기 히터 테이블의 상면 외주연에서 이격된 위치에 설치되어 히터 테이블에 안착되는 웨이퍼를 가열하는 히터 링으로 구성함을 특징으로 하는 반도체 제조장비의 스퍼터링 증착용 척.