KR20010112512A - Apparatus for treating surface of boards - Google Patents
Apparatus for treating surface of boards Download PDFInfo
- Publication number
- KR20010112512A KR20010112512A KR1020000030874A KR20000030874A KR20010112512A KR 20010112512 A KR20010112512 A KR 20010112512A KR 1020000030874 A KR1020000030874 A KR 1020000030874A KR 20000030874 A KR20000030874 A KR 20000030874A KR 20010112512 A KR20010112512 A KR 20010112512A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- liquid
- waste liquid
- substrate surface
- substrate
- processing
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
Abstract
처리액의 순환 사용이 가능하며, 또한, 순환을 반복하여도 처리액 자체의 성능을 계속 보지할 수 있는 기판 표면 처리장치를 제공한다.Provided is a substrate surface treatment apparatus capable of circulating and using a processing liquid, and capable of continuously holding the performance of the processing liquid itself even after repeated circulation.
처리대 위에 배치된 기판에 처리액과 린스 액을 순차로 부여하여 기판 표면을 처리하는 처리 수단; 처리 폐액을 린스 폐액과는 별도로 회수하는 액 회수 수단; 그 처리 폐액을 저류하며, 처리 폐액 중의 적어도 1 개의 성분의 농도를 도전률계 30 및 / 흡광 광도계 32 에 의하여 검출하고, 검출 치에 의하여 처리 조정액을 보급하여, 처리액을 조정하는 폐액 저류 농도 검출 액 보급 수단; 및 조정된 처리액을 상기 처리 수단에 공급하는 처리액 공급 수단; 을 구비한다.Processing means for sequentially applying the processing liquid and the rinse liquid to the substrate disposed on the processing table to treat the substrate surface; Liquid recovery means for recovering the treatment waste liquid separately from the rinse waste liquid; The waste liquid is stored in the waste liquid, the concentration of at least one component in the treated waste liquid is detected by the conductivity meter 30 and the absorbance photometer 32, the treatment liquid is supplied by the detection value, and the waste liquid storage concentration detection liquid is used to adjust the treatment liquid. Diffusion means; Processing liquid supply means for supplying the adjusted processing liquid to the processing means; It is provided.
Description
본 발명은 기판의 표면을 처리하기 위한 장치에 관한 것이며, 더욱 상세하게는, 기판 표면을 처리한 후의 처리 폐액과 린스 폐액을 완전히 분리하며, 또한, 회수한 처리 폐액을 처리액으로 까지 재조정하여 처리액의 순환 사용을 가능하게 하는, 기판 표면의 처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for treating a surface of a substrate, and more particularly, to completely separate the treatment waste liquid and the rinse waste liquid after treating the substrate surface, and to further treat the recovered treatment waste liquid to the treatment liquid. A treatment apparatus for a substrate surface, which enables circulation use of a liquid.
반도체 소자, 액정 표시소자 등 여러 가지 종류의 전자 소자의 제조에 있어서는, 우선, 기판의 표면에 절연체 층, 반도체 층, 도전체 층 등의 박막이 형성된다. 뒤이어, 형성된 박막 위에 리지스트 층을 도포한 후에, 포토 마스크에 의한 노광(露光) 처리가 시행되며, 현상액 및 에칭 액에 의하여 패터닝 된다. 거기에, 리지스터 박리액을 도포함으로써, 기판 표면에 잔존하는 리지스트가 제거된다. 또, 거기에, 기판 표면에는 린스 액 (예컨대, 이소프로필알코올 등의 알코올 류, 순수 등)이 부여되며, 표면에 아직 잔존하는 미세한 리지스트 입자, 처리액 등이 제거된다. 이와 같이 전자 소자의 제조에 있어서는, 복수의 처리액 및 린스 액을 사용한 습식 처리가 시행된다.In the production of various kinds of electronic devices such as semiconductor devices and liquid crystal display devices, first, thin films such as an insulator layer, a semiconductor layer, and a conductor layer are formed on the surface of the substrate. Subsequently, after applying a resist layer on the formed thin film, the exposure process by a photomask is performed and patterned by the developing solution and the etching liquid. The resist which remains on the surface of a board | substrate is removed by apply | coating a resist peeling liquid there. Moreover, the rinse liquid (for example, alcohols, such as isopropyl alcohol, pure water, etc.) is given to the surface of a board | substrate, and the fine resist particle which remains on the surface, processing liquid, etc. are removed. Thus, in manufacture of an electronic element, the wet process using several process liquid and rinse liquid is performed.
상기 습식 처리에 있어서, 웨이퍼 등의 기판은, (1) 처리액을 함유하는 처리조 내와 린스 액을 함유하는 린스 조 내에 직접 침지되는 수법으로 처리되거나, (2) 회전이 자재한 웨이퍼 척에 고정되어, 기판 표면에 처리액과 린스 액을 스프레이 노즐 또는 스트레이트 노즐로 순차로 부여하고, 웨이퍼 척의 회전을 이용하여 기판 전체를 처리하는 스피너를 이용한 수법, (3) 롤러 컨베이어 위에 기판을 배치하고, 기판의 처리 방향에 처리액과 린스 액을 순차로 도포하는 수법, 또는, (4)카세트에 다수의 기판을 배치하고, 기판 표면에 처리액과 린스 액을 스프레이 노즐로 순차로 부여하는 수법이 이용된다.In the wet treatment, a substrate such as a wafer is processed by a method of directly immersing in a processing tank containing a processing liquid and a rinsing tank containing a rinsing liquid, or (2) a wafer chuck provided with rotation. It is fixed, and a process liquid and a rinse liquid are sequentially given to a surface of a board | substrate with a spray nozzle or a straight nozzle, The method using the spinner which processes the whole board | substrate using the rotation of a wafer chuck, (3) Placing a board | substrate on a roller conveyor, The method of sequentially applying a processing liquid and a rinse liquid to the processing direction of a board | substrate, or (4) The method of arrange | positioning many board | substrates to a cassette and giving a process liquid and a rinse liquid to a surface of a board | substrate sequentially with a spray nozzle is used. do.
그러나, 상기의 침지를 이용한 수법으로는, 다수의 웨이퍼를 처리함에 따라처리액 중의 성분의 농도가 변화하여, 안정된 표면처리를 할 수 없다는 문제가 있었다. 또 한편으로 보면, 스피너 또는 롤러 컨베이어를 사용한 경우는, 처리액의 폐액(처리 폐액)과 린스 액의 폐액(린스 폐액)이 혼합된 방대한 폐액을 발생하는 문제가 있었다. 이와 같은 기판 처리에 의하여 발생하는 폐액을 처리폐액과 린스 폐액으로 분리하기 위한 여러 가지의 스피너가 제안되고 있다.However, the method using the above immersion has a problem that the concentration of components in the treatment liquid changes as the plurality of wafers are processed, and thus stable surface treatment cannot be performed. On the other hand, in the case of using a spinner or roller conveyor, there was a problem of generating a large amount of waste liquid in which the waste liquid of the treatment liquid (treatment waste liquid) and the rinse liquid waste (rinse waste liquid) were mixed. Various spinners have been proposed for separating waste liquid generated by such a substrate treatment into a treatment waste liquid and a rinse waste liquid.
예컨대, 일본 특개평 5-190442 호 공보에는, 웨이퍼 척의 주위에, 외측 컵과 내측 컵의 2 중 구조의 컵을 설치한 스피너가 개시되어 있다.For example, Japanese Patent Laid-Open No. 5-190442 discloses a spinner in which a cup having a double structure of an outer cup and an inner cup is provided around a wafer chuck.
이 스피너는, 내측 컵이 승강이 자재이며, 내측 컵의 상하 동에 의하여 복수의 처리액을 분리 회수할 수가 있다. 분리 회수된 처리 폐액은 한결 용이하게 폐액처리 되거나, 또는 재 이용된다.In this spinner, the inner cup is a lifting material, and the plurality of processing liquids can be separated and recovered by vertical movement of the inner cup. Separated and recovered treatment wastes can be easily disposed of or recycled.
특개평 8-88168 호 공보에는, 웨이퍼 척의 주위에 승강이 자재한 이너 링을 설치하고, 이너 링이 상부에 위치한 경우에는 그 하단이 칸막이 벽의 안쪽이 되며, 이너 링이 하부에 위치하는 경우에는 그 하단이 칸막이 벽의 바깥쪽이 되도록한 구성의 스피너가 개시되어 있다.In Japanese Unexamined Patent Publication No. 8-88168, an inner ring is provided around the wafer chuck, and when the inner ring is located at the upper part, the lower end thereof becomes the inside of the partition wall, and when the inner ring is located at the lower part thereof, A spinner is disclosed in which the lower end is outside of the partition wall.
다른 한편으로, 특개평 5-283395 호 공보에는, 회전이 자재한 지지기(支持器) 상에 고정된 기판에, 스톡 용기를 통하여 처리액을 부여하고, 그 처리폐액을 회수하여 스톡 용기에 되 보내는 박재(薄材)의 청정화 장치가 개시되어 있다. 이청정화 장치는 처리액을 순환 사용하게 할 수 있다.On the other hand, Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-283395 discloses a processing liquid through a stock container to a substrate fixed on a supporter on which rotation is provided, and recovers the processing waste liquid to return to the stock container. A purifying apparatus for sending thin materials is disclosed. The cleansing device can make the processing liquid circulate.
또, 일본 특허 제 2602179 호 공보에는, 처리액에 알카놀아민과 유기 용매를 이용하여, 처리 폐액 (리지스트 박리 폐액) 내의 알카놀아민 농도를 흡광 광도게로 검출하며, 또한, 부족한 성분을 보급하여 처리액을 재생하는 리지스트 박리액 관리 장치가 개시되어 있다. 거기에, 특개평 10 - 22261 호 공보에는, 처리액에 알카놀아민과 유기 용매와 순수를 이용하여, 처리 폐액(리지스트 박리 폐액) 내의 순수 농도를 흡광 광도계로 검출하며, 또한, 부족한 성분을 보급하여 처리액을 재생하는 리지스트 박리액 관리 장치가 개시되어 있다. 이들 관리 장치는, 처리액 내의 특정 성분을 검출하여 보급함으로, 처리액을 열화시킴이 없이, 끊임없이 일정한 처리 성능을 가지는 처리액을 조정할 수 있다.In Japanese Patent No. 2602179, using an alkanolamine and an organic solvent in a treatment liquid, the concentration of alkanolamine in the treatment waste liquid (resist stripping waste liquid) is detected by absorbance photograms, and further, insufficient components are supplied. The resist peeling liquid management apparatus which recycles a process liquid is disclosed. In Japanese Patent Laid-Open No. 10-22261, there is used an alkanolamine, an organic solvent, and pure water as a treatment liquid to detect a pure water concentration in a treatment waste liquid (resist stripping waste liquid) by using an absorbance photometer. A resist peeling liquid management apparatus for replenishing and regenerating a treatment liquid is disclosed. By detecting and replenishing specific components in the processing liquid, these management devices can adjust the processing liquid having a constant processing performance without deteriorating the processing liquid.
상술한 특개평 5-190442 호 공보에 기재된 스피너는, 처리 폐액을 분리 회수하는 것뿐이며, 처리액 또는 처리 폐액의 순환을 반복하는 중에 처리액 중의 성분 농도가 변화하여, 기판에 대한 처리 능력이 저하하는 문제가 있다.The spinner described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-190442 is merely for separating and recovering the treatment waste liquid, and the concentration of components in the treatment liquid changes during the circulation of the treatment liquid or the treatment waste liquid, and the treatment capacity with respect to the substrate decreases. There is a problem.
또, 특개평 5-283395 호 공보에 기재된 장치는, 단순히 처리 폐액을 스톡 용기에 되 보내기 위하여, 처리액 또는 처리 폐액의 순환을 반복하는 중에 처리액 중의 성분 농도가 변화하여, 기판에 대한 처리 능력이 저하하는 문제가 있다.In addition, the apparatus described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-283395 simply changes the concentration of components in the processing liquid during the circulation of the processing liquid or the processing waste liquid in order to return the processing waste liquid back to the stock container, thereby treating the substrate. There is a problem of this deterioration.
마찬가지로, 특개평 8-88168 호 공보에 기재된 스피너는, 처리 폐액을 분리 회수하는 것 뿐이며, 처리액 또는 처리 폐액의 순환을 반복하는 중에 처리액 중의성분 농도가 변화하여, 기판에 대한 처리 능력이 저하하는 문제가 있다.Similarly, the spinner described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-88168 merely collects and recovers the treatment waste liquid, and the concentration of the components in the treatment liquid changes during the circulation of the treatment liquid or the treatment waste liquid, and thus the treatment capacity with respect to the substrate decreases. There is a problem.
또, 상술한 특허 제 2602179 호 공보 및 특개평 10-22261 호 공보에 기재된 기재된 관리 장치는, 스피너를 이용한 기판 표면 처리장치에 적용하는 경우, 린스 액은 처리액과 동등 또는 그 이상의 양으로 사용되는 경우가 많고, 처리 폐액이 분리 회수 되지 않으므로, 희석에 의하여 유효 성분의 농도가 대폭으로 저하하여 재생 효율 상의 관점에서 낭비가 많게 되는 문제가 있다.In addition, when the management apparatus described in the above-mentioned patent publication 2602179 and Unexamined-Japanese-Patent No. 10-22261 is applied to the board | substrate surface treatment apparatus using a spinner, a rinse liquid is used in the quantity equivalent to or more than a process liquid. In many cases, since the treatment waste liquid is not separated and recovered, there is a problem that the concentration of the active ingredient is greatly reduced by dilution, resulting in a lot of waste from the viewpoint of regeneration efficiency.
반도체와 액정 기판의 리지스트 박리 공정에 있어서는, 산소 플라스마에 의한 드라이 애싱(Ashing) 공정과 리지스트 박리액에 의한 습식 박리 공정의병용이 실시되고 있다. 산소 플라스마에 의한 드라이 애싱 공정을 거친 기판에는, 강고한 리지스트 변질물과 실리콘 산화물 등의 금속 산화물이 잔존해 있기 때문에, 그 후의 리지스트 박리 공정에서는, 이들을 완전히 박리하여 제거하는 것이 곤란하게 되어 있다. 이 때문에, 처리액의 온도를 올리고, 처리 시간을 길게 하는 연구도 되고 있으나, 안전상의 문제도 있으며, 또, 생산 효율의 관점에서도 문제로 되고 있다. 또, 물리적인 처리 능력을 높이기 위하여, 스피너를 이용하여, 그 표면상에 0.5∼5kg/㎠ G정도의 압력을 걸어 처리액의 도포를 시행하는 것이 고안되어 있으나, 그것은, 회전이 자재한 스피너와 압력 도포의 상승 효과에 의하여, 처리 능력이 향상한다고 생각되기 때문이다.In the resist peeling process of a semiconductor and a liquid crystal substrate, combined use of the dry ashing process by an oxygen plasma and the wet peeling process by a resist peeling liquid is performed. Since strong resist modified substances and metal oxides such as silicon oxide remain on the substrate which has been subjected to the dry ashing process by oxygen plasma, it is difficult to completely remove and remove these in the subsequent resist peeling process. . For this reason, although the research which raises the temperature of a process liquid and lengthens a process time is also being made, there exists also a safety problem and also becomes a problem from a viewpoint of production efficiency. In addition, in order to increase the physical treatment capacity, it is designed to apply the treatment liquid by applying a spinner at a pressure of about 0.5 to 5 kg / cm 2 G on the surface thereof. It is because it is thought that processing ability improves by the synergistic effect of pressure application.
또, 복수 대의 스피너를 이용함으로써, 처리액과 린스 액을 각각의 스피너로 따로 처리하는 연구도 하고 있으나, 기판 표면 처리장치의 치수가 크게 되는 문제가 있어서 현실적이지 못하다.Moreover, although the research which processes a process liquid and a rinse liquid separately with each spinner by using a plurality of spinners is also performed, there is a problem that the dimension of a substrate surface treatment apparatus becomes large, and it is not realistic.
한편, 처리액과 린스 액을 동일 스피너로 처리한 경우, 상술한 바와 같이 관리 장치가 사용될 수 없는 우려가 있으며, 실제 문제로서 제품이 생산될 수 없는 사태로 되고 있다.On the other hand, when the treatment liquid and the rinse liquid are treated with the same spinner, there is a concern that the management apparatus cannot be used as described above, and as a matter of fact, there is a situation in which a product cannot be produced.
이들 사실에서, 기판 표면 처리장치와 관리 장치는 되도록 작게 하고 싶다, 처리액은 충분히 사용하고 싶다, 또한, 그 처리액은 유효하게 재 이용하고 싶다, 린스 액은 처리액에 의한 처리 후 바로 도포하고 싶다, 처리 폐액은 작게 하고 싶다, 라고 하는 요구가 강하게 되고 있다.In these facts, the substrate surface treatment apparatus and the management apparatus are desired to be as small as possible, the treatment liquid is sufficiently used, and the treatment liquid is effectively reused. The rinse liquid is applied immediately after treatment with the treatment liquid. The demand that wants to make process waste liquid small becomes strong.
본 발명은, 상기 과제를 해결하기 위하여 된 것이며, 그 목적으로 하는 바는, 기판 표면을 처리한 후의 처리 폐액을 린스 액과는 완전히 분리하여 회수하고, 회수한 처리 폐액에 액 중의 성분 농도의 변화에 응한 처리 조정액을 보급하여 처리액을 재조정함으로써, 처리액의 순환 사용이 가능하며, 또한, 순환을 반복해도 처리액 자체의 성능을 계속 보지할 수 있는 기판 표면 처리장치를 제공함에 있다.This invention is made | formed in order to solve the said subject, The objective is to collect | recover the process waste liquid after processing the surface of a board | substrate completely with a rinse liquid, and collect | recover the change of the component concentration in a liquid to the recovered process waste liquid. The present invention provides a substrate surface treatment apparatus capable of circulating and using a processing liquid by replenishing the processing adjustment liquid in accordance with the process liquid and maintaining the performance of the processing liquid itself even if the circulation is repeated.
도 1 은 본 발명의 실시의 제 1 형태에 의한 기판 표면 처리장치를 보여주는 계통적 개략 구성도이다.1 is a schematic schematic configuration diagram showing a substrate surface treatment apparatus according to a first embodiment of the present invention.
도 2 는 도 1 에 도시한 기판 표면 처리장치에 있어서의 농도 검출ㆍ액 보급의 상세를 보여주는 계통적 설명도이다.FIG. 2 is a systematic explanatory diagram showing details of concentration detection and liquid supply in the substrate surface treatment apparatus shown in FIG. 1.
도 3 은 본 발명의 실시의 제 2 형태에 의한 기판 표면 처리장치를 보여주는 계통적 개략 구성도이다.3 is a schematic structural diagram showing a substrate surface treatment apparatus according to a second embodiment of the present invention.
도 4 는 본 발명의 실시의 제 3 형태에 의한 기판 표면 처리장치를 보여주는 계통적 개략 구성도이다.4 is a schematic schematic configuration diagram showing a substrate surface treatment apparatus according to a third embodiment of the present invention.
도 5 는 본 발명의 실시의 제 4 형태에 의한 기판 표면 처리장치를 보여주는 계통적 개략 구성도이다.5 is a schematic schematic configuration diagram showing a substrate surface treatment apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.
*부호의 설명** Description of the sign *
10 : 롤러 컨베이어 12 : 기판10 roller conveyor 12 substrate
14 : 처리액 공급 장치 16, 22, 88 : 하우징14: treatment liquid supply device 16, 22, 88: housing
18, 24, 44, 76, 78 : 스프레이 노즐18, 24, 44, 76, 78: spray nozzle
20 : 린스 액 공급장치 26, 52 : 폐액 모임 부20: rinse liquid supply device 26, 52: waste liquid collection unit
28 : 폐액회수ㆍ액 보급 장치28: waste liquid collection and liquid supply apparatus
30 : 도전률계 32 : 흡광 광도계30: conductivity meter 32: absorbance photometer
34, 35 : 처리 조정액 탱크 36 : 히터34, 35: treatment adjustment liquid tank 36: heater
38 : 액면 센서 40, 54 : 펌프38: liquid level sensor 40, 54: pump
42, 56 : 여과 필터 43 : 처리액 반송관42, 56: Filtration filter 43: Treatment liquid return pipe
46 : 처리 폐액 탱크 48, 50, 58, 60 : 압력계46: treatment waste tank 48, 50, 58, 60: pressure gauge
62 : 제어기62: controller
64, 65, 68, 89, 90, 92 : 제어변64, 65, 68, 89, 90, 92: control valve
66 : 질소 가스 탱크 70, 70a : 처리장치(스피너)66: nitrogen gas tank 70, 70a: treatment device (spinner)
72 : 구동 모터 74 : 웨이퍼 척72: drive motor 74: wafer chuck
80 : 린스 액 탱크 82 : 컵 (트로프)80: rinse liquid tank 82: cup (trough)
84 : 내벽 86 : 외벽84: inner wall 86: outer wall
94 : 제 1 린스 폐액 탱크 96 : 제 2 린스 폐액 탱크94: first rinse waste tank 96: second rinse waste tank
98 : 이너 컵 (가이드 부) 100 : 내 스커트 부98: inner cup (guide part) 100: inside the skirt
102 : 외 스커트 부 104 : 칸막이 벽102: outer skirt part 104: partition wall
106 : 카세트106: cassette
상기의 과제를 해결하기 위하여, 본발명의 기판 표면 처리장치는, 처리대 위에 배치된 기판에 처리액과 린스 액을 순차로 부여(공급)하여 기판 표면을 처리하는 처리 수단; 처리 폐액을 린스 폐액과는 별도로 회수하는 액 회수 수단; 그 처리 폐액을 저류하는 폐액 저류 수단; 그 처리 폐액 중의 적어도 1 개의 성분의 농도를 도전률계 및 / 또는 흡광 광도계에 의하여 검출하고, 검출치에 의하여 처리 조정액을 보급하여, 처리액을 조정하는 농도 검출ㆍ액 보급 수단; 및 조정된 처리액을 상기 처리 수단에 공급하는 처리액 공급 수단; 을 구비하도록 구성되어 있다.In order to solve the above problems, the substrate surface treatment apparatus of the present invention comprises: processing means for treating (subjecting) a substrate surface by sequentially applying (supplying) a treatment liquid and a rinse liquid to a substrate disposed on a treatment table; Liquid recovery means for recovering the treatment waste liquid separately from the rinse waste liquid; Waste liquid storage means for storing the treated waste liquid; Concentration detection / liquid replenishment means for detecting the concentration of at least one component in the treatment waste liquid by a conductivity meter and / or an absorbance photometer, replenishing the treatment adjustment liquid by the detected value, and adjusting the treatment liquid; Processing liquid supply means for supplying the adjusted processing liquid to the processing means; It is configured to have.
또, 본 발명의 기판 표면 처리장치는, 처리대 위에 배치된 기판에 처리액과 린스 액을 순차 부여(공급)하여 기판 표면을 처리하는 처리 수단; 처리 폐액을 린스 폐액과는 별도로 회수하는 액 회수 수단; 그 처리 폐액을 저류하고, 처리 폐액 중의 적어도 1 개의 성분의 농도를 도전률계 및 / 또는 흡광 광도계에 의하여 검출하여, 검출치에 의하여 처리 조정액을 보급하며 처리액을 조정하는 폐액 저류ㆍ농도 검출ㆍ액 보급 수단; 및 조정된 처리액을 상기 처리 수단에 공급하는 처리액 공급 수단; 을 구비한 것을 특징으로 하고 있다(도 1∼도 5 참조).Moreover, the substrate surface treatment apparatus of this invention is processing means which processes (subjects) a surface of a board | substrate by supplying (supplying) a processing liquid and a rinse liquid to the board | substrate arrange | positioned on a processing table; Liquid recovery means for recovering the treatment waste liquid separately from the rinse waste liquid; The waste liquid is stored, and the concentration of at least one component in the treatment waste liquid is detected by a conductivity meter and / or an absorbance photometer, and the treatment liquid is supplied according to the detected value to adjust the treatment liquid. Diffusion means; Processing liquid supply means for supplying the adjusted processing liquid to the processing means; It is characterized by including (see FIGS. 1 to 5).
상기 본 발명의 장치에 있어서, 하나의 실시 태양(態樣)에 있어서는, 폐액 저류 수단은, 처리 폐액을 교반하며, 또한 여과하는 교반ㆍ여과 부를 구비한다.In the apparatus of the present invention, in one embodiment, the waste liquid storage unit includes a stirring / filtration unit that stirs the processing waste liquid and filters the waste.
상기의 본 발명의 장치에 있어서, 하나의 실시 태양에서는, 폐액 저류ㆍ농도 검출ㆍ액 보급 수단은, 조정된 처리액을 교반하며, 또한 여과하는 교반ㆍ여과 부를 구비한다.In the above apparatus of the present invention, in one embodiment, the waste liquid storage, the concentration detection, the liquid replenishment means is provided with a stirring / filtration section for stirring and filtering the adjusted treatment liquid.
상기 본 발명의 장치에 있어서, 하나의 실시 태양에서는, 거기에, 상기 린스 페액을 회수하고, 그 린스 폐액의 회수 개시로부터의 시간의 경과에 응하여, 회수 개시 직후의 이물 함유 린스 폐액과 회수 개시로부터 일정 시간 경과 후의(이물을 함유하지 않은) 제 2 린스 폐액으로 분리하는 린스 폐액 분리 수단이 액 회수 수단에 접속된다(도 3, 도 4, 도 5 참조).In the embodiment of the present invention, in one embodiment, the rinse waste liquid is collected therein, and in response to the passage of time from the start of recovery of the rinse waste liquid, from the foreign matter-containing rinse waste liquid immediately after the start of recovery and the start of recovery. Rinse waste liquid separation means for separating the second rinse waste liquid after a certain time (without foreign matter) is connected to the liquid recovery means (see Figs. 3, 4 and 5).
상기의 본 발명의 장치에 있어서, 하나의 실시 태양에서는, 상기 기판은, 프린트 기판, 액정 기판, 반도체 기판 또는 플라스마 기판이다.In the above apparatus of the present invention, in one embodiment, the substrate is a printed circuit board, a liquid crystal substrate, a semiconductor substrate, or a plasma substrate.
상기 본 발명의 장치에 있어서, 새로운 실시 태양에서는, 상기 처리대는, 회전이 자재한 웨이퍼 척(도3, 도 4 참조), 롤러 컨베이어(도 1,도 2 참조) 및 카세트(도 5 참조)의 어느 하나이다.In the apparatus of the present invention, in a new embodiment, the treatment table is a wafer chuck (see FIGS. 3 and 4), a roller conveyor (see FIGS. 1 and 2), and a cassette (see FIG. 5), which are freely rotated. Which one.
새로운 실시 태양에서는, 상기 처리대는 웨이퍼 척이며, 그리고 상기 액 회수 수단은, 내벽과 외벽을 구비한 승강 가능한 컵과, 그 컵을 포위하는 하우징을 가진다. 즉, 이들 본 발명의 장치에 있어서, 상기 처리대는, 기판을 실어놓고 회전이 자재한 웨이퍼 척이며, 상기 액 회수 수단은, 기판의 주위를 차폐하는 위치와 기판의 주위를 노출시키는 위치에서 승강이 가능한 내벽과, 그 내벽의 외주에 일체로 연설(連設)되어 승강이 가능한 컵을 형성하는 외벽과, 내벽과 외벽으로 형성되는 승강 가능한 그 컵을 포위하는 하우징을 가진 구성이다(도 3 참조).In a new embodiment, the treatment table is a wafer chuck, and the liquid recovery means has a liftable cup having an inner wall and an outer wall, and a housing surrounding the cup. That is, in these apparatuses of the present invention, the treatment table is a wafer chuck on which a substrate is rotated, and the liquid collecting means is capable of lifting up and down at a position to shield the periphery of the substrate and to expose the periphery of the substrate. It has a structure which has an inner wall, the outer wall which is integrated in the outer periphery of the inner wall, and forms the cup which can be lifted up and down, and the housing which surrounds the liftable cup formed from an inner wall and an outer wall (refer FIG. 3).
새로운 실시 태양에서는, 상기 처리대는 웨이퍼 척이며, 그리고 상기 액 회수 수단은, 그 웨이퍼 척의 주위에 고정된 칸막이 벽과, 내 스커트 부 및 외 스커트 부를 구비한 이너 컵과, 그 칸막이 벽 및 그 이너 컵을 포위하는 하우징을 가지며, 그 이너 컵이, 그 웨이퍼 척보다도 위쪽에 위치하는 경우, 그 내 스커트 부는 그 칸막이 벽의 내측에 배치되며, 그리고 그 웨이퍼 척보다도 아래쪽에 위치하는 경우, 그 스커트 부는 그 칸막이 벽의 외측에 배치된다. 즉, 이들 본 발명의 장치에 있어서, 상기 처리대는, 기판을 실어놓고 회전이 자재한 웨이퍼 척이며, 상기 액 회수 수단은, 기판을 주회 상(周回狀)으로 포위하도록 설치된 내 스커트 부 및 외 스커트 부를 구비한 승강 가능한 이너 컵과, 그 이너 컵을 포위하는 하우징과, 그 하우징의 밑 면에 고정된 내 스커트 부의 아래쪽과 외 스커트 부의 아래쪽과의사이에 위치하는 칸막이 벽을 가지며, 그 이너 컵이 기판의 위쪽에 위치하는 경우에 기판으로부터의 폐액이내 스커트 부에 의하여 그 칸막이 벽의 내측으로 유도되어, 그 이너 컵이 기판의 아래쪽에 위치하는 경우에 기판으로부터의 폐액이 외 스커트 부에 의하여 그 칸막이 벽의 외측으로 유도되는 구성으로 되어 있다(도 4 참조).In a new embodiment, the treatment table is a wafer chuck, and the liquid recovery means includes an inner cup having a partition wall fixed around the wafer chuck, an inner skirt portion and an outer skirt portion, the partition wall and the inner cup. Has a housing surrounding the inner cup, when the inner cup is positioned above the wafer chuck, the inner skirt portion is disposed inside the partition wall, and when positioned below the wafer chuck, the skirt portion is It is arranged on the outside of the partition wall. That is, in these apparatuses of the present invention, the processing table is a wafer chuck on which a substrate is placed and rotated, and the liquid recovery means includes an inner skirt portion and an outer skirt provided to surround the substrate in a circumferential image. An inner cup having an elevable portion, a housing surrounding the inner cup, and a partition wall located between the lower portion of the inner skirt and the lower portion of the outer skirt fixed to the underside of the housing. When located above the substrate, the waste fluid from the substrate is led to the inside of the partition wall by the inner skirt portion, and the waste liquid from the substrate is separated by the outer skirt portion when the inner cup is positioned below the substrate. The structure is guided to the outside of the wall (see FIG. 4).
상기 본 발명의 장치에 있어서, 하나의 실시 태양에서는, 상기 처리액은 현상액(現像液)이다.In the apparatus of the present invention, in one embodiment, the treatment solution is a developer.
상기 본 발명의 장치에 있어서, 새로운 실시 태양에서는, 상기 현상액은, 알칼리 성 물질과, 그 알칼리 성 물질 1000 중량 부에 대하여, 0.04 중량 부∼25 중량 부의 순수를 함유하는 액이다.In the apparatus of the present invention, in a new embodiment, the developing solution is a liquid containing 0.04 parts by weight to 25 parts by weight of pure water with respect to 1000 parts by weight of the alkaline material.
이 경우, 도전률계 및 / 또는 흡광 광도계로 검출되는 성분은, 현상액 중의 알칼리 성 물질 및 용해 리지스트의 적어도 하나이다.In this case, the component detected by the conductivity meter and / or absorbance photometer is at least one of an alkaline substance and a dissolution resist in the developer.
또, 현상액에 포함되는 알칼리 성 물질로서는, 수산화 칼리움, 수산화 나트륨, 탄산 나트륨, 탄산 수소 나트륨, 인산 나트륨, 규산 나트륨, 테트라메틸암모늄하이드로옥사이드 및 트리메틸모노에타놀암모늄하이드로옥사이드로 된 군에서 선택되는 적어도 1 종을 들 수 있다.The alkaline substance contained in the developer may be at least one selected from the group consisting of kalium hydroxide, sodium hydroxide, sodium carbonate, sodium hydrogen carbonate, sodium phosphate, sodium silicate, tetramethylammonium hydrooxide and trimethyl monoethanol ammonium hydrooxide. 1 type is mentioned.
상기 본 발명의 장치에 있어서, 하나의 실시 태양에서는, 상기 처리액은 투명 도전막 용 에칭 액이다.In the apparatus of the present invention, in one embodiment, the processing liquid is an etching liquid for a transparent conductive film.
상기 본 발명의 장치에 있어서, 새로운 실시 태양에서는, 상기 에칭 액은, 염산과 질산의 혼합 수용액, 염산과 염화 제 2 철의 혼합 수용액, 취화 수소산 수용액, 취화 수소산과 염화 제 2 철의 혼합 수용액, 옥화 수소산과 염화 제2철의 혼합 수용액 및 수산 수용액의 적어도 1 종이다.In the apparatus of the present invention, in a new embodiment, the etching liquid is a mixed aqueous solution of hydrochloric acid and nitric acid, a mixed aqueous solution of hydrochloric acid and ferric chloride, aqueous hydrocracked acid solution, mixed aqueous solution of hydrocracked hydrochloric acid and ferric chloride, At least one of a mixed aqueous solution of hydrofluoric acid and ferric chloride and an aqueous solution of hydroxide.
이 경우, 도전률계 및 / 또는 흡광 광도계로 검출되는 성분은, 투명 도전막용 에칭 액 중의 산 및 용해 인듐의 적어도 하나이다.In this case, the component detected by a conductivity meter and / or a light absorption photometer is at least one of the acid and dissolved indium in the etching liquid for transparent conductive films.
상기 본 발명의 장치에 있어서, 하나의 실시 태양에서는, 상기 처리액은 리지스트 박리액이다.In the apparatus of the present invention, in one embodiment, the treatment liquid is a resist stripping liquid.
상기의 본 발명의 장치에 있어서, 새로운 태양에서는, 상기 리지스트 박리액은, 알카놀아민과, 그 알카놀아민 100 중량 부에 대하여 20 중량 부 ∼ 800 중량 부의 유기 용매를 함유하는 액이다.In the apparatus of the present invention described above, in a new aspect, the resist stripper is a liquid containing an alkanolamine and an organic solvent of 20 parts by weight to 800 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the alkanolamine.
이 경우, 도전률계 및 / 또는 흡광 광도계로 검출되는 성분은, 리지스트 박리액 중의 용해 리지스트, 알카놀아민 및 순수의 적어도 1 개이다.In this case, the component detected by a conductivity meter and / or an absorbance photometer is at least 1 of the dissolution resist, the alkanolamine, and the pure water in a resist stripping liquid.
또, 상기 본 발명의 장치에 있어서, 새로운 태양에서는, 상기 리지스트 박리액은, 알카놀아민과 그 알카놀아민 100 중량 부에 대하여 20 중량 부∼800 중량 부의 유기 용매와, 5 중량 부∼900 중량 부의 순수와, 1중량 부∼300 중량 부의 하이드록실아민을 함유하는 액이다.Moreover, in the apparatus of the said invention, in a new aspect, the said resist stripping liquid is 20 weight part-800 weight part organic solvent, 5 weight part-900 weight part with respect to 100 weight part of alkanolamine and its alkanolamine. It is a liquid containing a weight part pure water and 1 weight part-300 weight part hydroxylamine.
이 경우, 도전률계 및 / 또는 흡광 광도계로 검출되는 성분은, 리지스트 박리액 중의 용해 리지스트, 알카놀아민, 순수 및 하이드록실아민의 적어도 하나이다.In this case, the component detected by a conductivity meter and / or an absorbance photometer is at least one of the dissolution resist, the alkanolamine, the pure water, and the hydroxylamine in a resist stripping solution.
리지스트 박리 액에 함유되는 알카놀아민으로는, 모노에타놀아민, 디에타놀아민, 트리에타놀아민, N, N-디메틸에타놀아민, N, N-디에틸에타놀아민, 아미노에틸에타놀아민, N-메틸-N, N-디에타놀아민, N, N-디부틸에타놀아민, N-메틸에타놀아민 및 3-아미노-1-프로파놀로 된 군에서 선택되는 적어도 1 종의 아민을 들 수 있다.As the alkanolamine contained in the resist stripping liquid, monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, N, N-dimethylethanolamine, N, N-diethylethanolamine, aminoethylethanolamine, N-methyl And at least one amine selected from the group consisting of -N, N-diethanolamine, N, N-dibutylethanolamine, N-methylethanolamine, and 3-amino-1-propanol.
아래에, 본 발명의 실시형태에 관하여 상세히 설명하지만, 본 발명은 하기 실시 형태에 하등 한정되는 것은 아니며, 적당히 변경하여 실시 할 수 있는 것이다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Although embodiment of this invention is described in detail below, this invention is not limited to the following embodiment at all, It can change suitably and can implement.
도 1 은, 본 발명의 실시의 제 1 형태에 의한 기판 표면 처리장치를 보여주고 있다. 본실시 형태는, 롤러 컨베이어 상에 기판을 배치하고, 기판의 처리 방향에 처리액과 린스 액을 순차로 부여(공급)해 가는 것이다.1 shows a substrate surface treatment apparatus according to a first embodiment of the present invention. This embodiment arrange | positions a board | substrate on a roller conveyor, and supplies (supplies) a process liquid and a rinse liquid in order to the process direction of a board | substrate.
도 1 에 도시하는 바와 같이, 롤러 컨베이어 10 위에 배치된 기판 12 는, 그림 안의 화살표의 방향으로 이동하여, 우선 처리액 공급장치 14 에 도입된다. 처리액 공급장치 14 의 하우징 16 내에 도입된 기판 12 에는, 스프레이 노즐 18 에서 처리액이 공급된다.As shown in FIG. 1, the board | substrate 12 arrange | positioned on the roller conveyor 10 moves to the direction of the arrow in a figure, and is introduce | transduced into the process liquid supply apparatus 14 first. The processing liquid is supplied from the spray nozzle 18 to the substrate 12 introduced into the housing 16 of the processing liquid supply device 14.
처리액에 의하여 표면 처리된 기판 12 는, 계속하여 린스 액 공급장치 20 에 도입된다. 린스 액 공급장치 20 의 하우징 22 내로 도입된 기판 12 에는, 스프레이 노즐 24 에서 린스 액이 공급된다. 린스 액으로는, 알코올 류(예컨대, 이소프로필알코올)와 순수 등이 사용된다.Substrate 12 surface-treated with the processing liquid is subsequently introduced into the rinse liquid supply device 20. The rinse liquid is supplied from the spray nozzle 24 to the substrate 12 introduced into the housing 22 of the rinse liquid supply device 20. Alcohols (for example, isopropyl alcohol), pure water, etc. are used as a rinse liquid.
역시, 스프레이 노즐 18, 24 의 대신에 스트레이트 노즐이나 기타의 노즐을 사용해도 좋다. 거기에, 기판 12 가 처리액 공급장치 14 에서 린스 액 공급장치 20에 도입되기 전에, 기판 12 의 표면 및 이면에는, 송풍기(도시 않음) 등에 의하여에어 나이프 또는 질소 나이프에서 공기 또는 질소가스가 내뿜어져서, 기판에 부착되어 있는 처리액이 제거되는 것이 바람직하다. 이로 하여, 기판에 의하여 묻어 나오는 처리액 및 처리액 공급장치 14 에서 발생하는 처리액의 미스트가 린스 액 공급장치 20 내로 진입하는 것을 방지할 수 있다. 본 실시형태에서는, 처리액 공급장치 14 및 린스 액 공급장치 20 이 처리 수단이 된다.Again, straight nozzles or other nozzles may be used in place of spray nozzles 18 and 24. Before the substrate 12 is introduced into the rinse liquid supply device 20 from the processing liquid supply device 14, air or nitrogen gas is blown out of the air knife or the nitrogen knife by a blower (not shown) on the front and rear surfaces of the substrate 12. It is preferable that the processing liquid adhering to the substrate is removed. Thereby, mist of the process liquid buried by the board | substrate and the process liquid generate | occur | produced by the process liquid supply apparatus 14 can be prevented from entering into the rinse liquid supply apparatus 20. FIG. In this embodiment, the processing liquid supply device 14 and the rinse liquid supply device 20 serve as processing means.
처리액 공급장치 14 에 있어서, 기판 표면에 부여된 후의 처리액(처리 폐액)은, 폐액 모임 부 26 의 밑 부에서 배출되어 폐액 회수ㆍ액 보급 장치 28로 이송된다. 폐액 회수ㆍ액 보급 장치 28 에 저류된 처리 폐액은, 도전률계 30 및 / 또는 흡광 광도계 32 에 의하여 도전률 및 / 또는 흡광도가 측정되어, 그 측정치가 제어기 62 에 입력되어, 처리 폐액 중의 1 개 또는 그 이상의 성분의 농도가 검출된다. 그 검출 농도에 응하여 제어기 62 로부터의 신호에 의하여 제어변 64 및 / 또는 제어변 65 가 개도가 조절되어, 처리 폐액에 처리 조정액 탱크 34 / 또는 처리 조정액 탱크 35 에서 조정이 필요한 성분을 함유하는 소정량의 처리 조정액이 보급되어 처리액이 조정된다. 36 은 온도 조절 용 히터이며 처리액의 온도를 일정하게 보지하기 위하여 설비되어 있다. 38 은 액면 센서이며, 처리액의 액면 레벨을 제어하기 위하여 설비되어 있다.In the processing liquid supply device 14, the processing liquid (processing waste liquid) after being applied to the substrate surface is discharged from the bottom of the waste liquid collecting part 26 and transferred to the waste liquid recovery / liquid supply device 28. The treated waste liquid stored in the waste liquid collection / liquid dispensing apparatus 28 has conductivity and / or absorbance measured by a conductivity meter 30 and / or an absorbance photometer 32, and the measured value is inputted to the controller 62, and one of the treated waste liquids or The concentration of further components is detected. In response to the detected concentration, the control valve 64 and / or the control valve 65 are opened in accordance with a signal from the controller 62, and the treatment waste liquid contains a predetermined amount containing a component to be adjusted in the treatment control tank 34 and / or the treatment control tank 35. Processing adjustment liquid is supplied and the processing liquid is adjusted. 36 is a temperature control heater and is equipped to hold the temperature of the treatment liquid constantly. 38 is a liquid level sensor, and is equipped to control the liquid level of the processing liquid.
조정된 처리액은, 펌프 40 에 의하여 여과 필터 42 에 이송되고, 여과 필터 42 에 의하여 여과된 후, 스프레이 노즐 18 에 공급되어 처리액 공급장치 14 에서 기판 표면에 부여하도록 순환 사용된다. 이 경우, 도 1에 도시하는 바와 같이, 여과 필터 42 에서 여과된 처리액의 일부를 폐액 회수ㆍ액 보급 장치 28 에 돌려보내는 것이 바람직하며, 처리액 조정 시의 교반 효과를 높이기 위하여, 예를 들면, 스프레이 노즐 44 를 이용하여 폐액 회수ㆍ액 보급 장치 28 로 돌려보내는 구성으로 할 수 있다. 역시, 보급된 처리 조정액의 양에 대응하여, 혹은 오버 플로에 의하여 처리액의 일부는 처리액 탱크 46 으로 배출된다. 48, 50 은 압력계이다.The adjusted treatment liquid is transferred to the filtration filter 42 by the pump 40, filtered by the filtration filter 42, and then circulated and supplied to the spray nozzle 18 to impart to the substrate surface in the treatment liquid supply device 14. In this case, as shown in FIG. 1, it is preferable to return a part of the process liquid filtered by the filtration filter 42 to the waste liquid collection | recovery / liquid supply apparatus 28, for example, in order to improve the stirring effect at the time of process liquid adjustment, For example The spray nozzle 44 can be used to return to the waste liquid recovery / liquid replenishment device 28. Also, a part of the processing liquid is discharged to the processing liquid tank 46 in correspondence with the amount of the processing adjustment liquid replenished, or by overflow. 48 and 50 are pressure gauges.
본 실시형태에 있어서, 처리 폐액을 저류하는 폐액 저류조를 폐액 모임 부 26 과 폐액 회수ㆍ액 보급 장치 28 과의 사이에 설치하는 경우도 있다.In this embodiment, the waste liquid storage tank which stores a process waste liquid may be provided between the waste liquid collection part 26 and the waste liquid collection | recovery liquid supply apparatus 28.
한편, 린스 액 공급장치 20 에 있어서, 린스 액의 폐액(린스 폐액)은, 폐액 모임 부 52의 밑 부에서 배출되며, 처리 폐액과는 별도로 회수 되거나, 또는 폐기된다(도시 않음). 54 는 펌프, 56 은 린스 액을 여과하기 위한 여과 필터, 58, 60 은 압력계이다.On the other hand, in the rinse liquid supply device 20, the waste liquid (rinse waste liquid) of the rinse liquid is discharged from the bottom of the waste liquid collection unit 52, and is recovered or disposed separately from the treated waste liquid (not shown). 54 is a pump, 56 is a filtration filter for filtering the rinse liquid, and 58 and 60 are pressure gauges.
다음으로, 도 2 에 근거하여 폐액 회수ㆍ액 보급 자치 28 에 있어서의 농도 검출ㆍ액 보급의 구체 예에 대하여 설명한다. 폐액 회수ㆍ액 보급 자치 28 에 저류된 처리 폐액은, 도전률계 30 및 / 또는 흡광 광도계 32 에 의하여 도전률 및 / 또는 흡 광도가 측정되고, 그 측정치가 제어기 62 에 입력되어, 처리 폐액 중의 1 개 또는 그 이상의 성분의 농도가 검출된다. 그 검출 농도에 응하여 제어기 62 로부터의 나온 신호에 의하여 제어변 64 및 / 또는 제어변 65 가 개도가 조절되며, 처리 폐액에 처리 조정액 탱크 34/ 또는 처리 조정액 탱크 35 에서 조정이 필요한 성분을 함유하는 소정량의 처리 조정액이 보급되어 처리액이 조정된다. 이 경우, 처리 조정기판에 대한 처리 능력이 저하하는 문제가 있다. 액 탱크 34로부터의 처리 조정액은, 예컨대, 질소 가스 탱크 66 으로부터의 가압 질소 가스에 의하여 압송되어처리 폐액에 보급된다. 68 은 제어변이다. 역시, 처리 조정액 탱크 35 에 관하여도, 상세한 도시를 생략하고 있으나, 처리 조정액 탱크 34 의 경우와 마찬가지이다.Next, based on FIG. 2, the specific example of the density | concentration detection and liquid supply in waste liquid collection and liquid supply autonomy 28 is demonstrated. The treated waste liquid stored in the waste liquid recovery and liquid replenishment autonomous 28 has conductivity and / or absorbance measured by a conductivity meter 30 and / or an absorbance photometer 32, and the measured value is inputted to the controller 62, whereby one of the treated waste liquid is treated. Or concentrations of more components are detected. The opening of the control valve 64 and / or the control valve 65 is controlled by the signal from the controller 62 in response to the detected concentration, and the treated waste liquid contains a component that needs to be adjusted in the treatment control tank 34 / or the treatment control tank 35. A fixed amount of treatment adjustment liquid is supplied to adjust the treatment liquid. In this case, there is a problem that the processing capacity of the processing adjusting substrate is lowered. The treatment adjustment liquid from the liquid tank 34 is for example pressurized by pressurized nitrogen gas from the nitrogen gas tank 66 and supplied to the treatment waste liquid. 68 is a control valve. Also, the detailed description of the treatment adjustment liquid tank 35 is omitted, but the same as in the case of the treatment adjustment liquid tank 34.
여기서, 처리 폐액 중의 성분 농도의 검출 방법 및 조정 방법에 관하여, 구체 예를 말한다.Here, a specific example is mentioned about the detection method and adjustment method of the component concentration in a process waste liquid.
알칼리 계 현상액에 있어서는, 알칼리 농도와 도전률의 관계를 실험에 의하여 검토하고, 도전률에 대하여 알칼리 농도가 지배적으로 고도한 직선 상관으로써 측정할 수 있음을 확인하였으므로, 알칼리 농도가 감소한 것을 도전률계에 의하여 검출하고, 처리액 보다도 알칼리 농도가 큰 알칼리 계 현상 원액이 보급되어 조정된다.In the alkaline developer, the relationship between the alkali concentration and the conductivity was examined through experiments, and it was confirmed that the alkali concentration was dominantly determined by linear correlation with respect to the conductivity. Is detected, and the alkali-based developing stock solution having a larger alkali concentration than the treatment liquid is supplied and adjusted.
또, 리지스트 농도와 흡 광도의 관계를 실험에 의하여 검토하고, 가시(可視) 부의 파장(예컨대, 480 nm)의 흡 광도에 대하여 리지스트 농도가 지배적으로 직선 상관으로써 측정할 수 있음을 확인하였으므로, 리지스트 농도가 증가한 것을 흡광 광도계에 의하여 검출하여, 리지스트가 함유되지 않은 알칼리 계 현상 신액이 보급되어 조정된다.In addition, the relationship between the resist concentration and the absorbance was examined through experiments, and it was confirmed that the resist concentration can be measured predominantly by linear correlation with respect to the absorbance at the visible wavelength (for example, 480 nm). The increase in the resist concentration is detected by an absorbance photometer, and the alkali-based developing solution containing no resist is supplied and adjusted.
투명 도전막 용 에칭 액에 있어서는, 취화수소산 농도와 도전률의 관계를 실험에 의하여 검토하고, 도전률에 대하여 취화수소산 농도가 지배적으로 직선 상관으로써 측정할 수 있는 것을 확인했으므로, 취화수소산 농도가 감소한 것을 도전률계에 의하여 검출하고, 처리액 보다도 취화수소산 농도가 큰 에칭 원액이 보급되어 조정된다.In the etching solution for transparent conductive films, the relationship between the hydrofluoric acid concentration and the electrical conductivity was examined by experiment, and it was confirmed that the hydrofluoric acid concentration can be measured as a dominant linear correlation with respect to the electrical conductivity. This is detected by the conductivity meter, and the etching stock solution having a larger concentration of hydrochloric acid than the treatment liquid is supplied and adjusted.
또, 용해 인듐 농도와 흡 광도의 관계를 실험에 의하여 검토하고, 자외 부 또는 가시 부의 파장(예컨대, 342 nm)의 흡광도에 대하여 용해 인듐 농도가 지배적으로 직선 관계로써 측정 할 수 있는 것을 확인하였으므로, 용해 인듐 농도가 증대한 것을 흡광 광도계에 의하여 검출하고, 인듐이 함유되지 않은 에칭 신액이 보급되어 조정된다.In addition, since the relationship between the dissolved indium concentration and the absorbance was examined by experiments, it was confirmed that the dissolved indium concentration can be measured predominantly in a linear relationship with respect to the absorbance of the ultraviolet portion or the visible portion (eg, 342 nm). The increase in the dissolved indium concentration is detected by a light absorption photometer, and the etching new liquid containing no indium is supplied and adjusted.
알카놀아민과 유기 용제를 함유하는 리지스트 박리액에 있어서는, 모노 에타놀 아민 농도와 흡광도의 관계를 실험에 의하여 검토하고, 근 적외부의 파장(예컨대, 1048 nm)의 흡 광도에 대하여 모노에타놀아민 농도가 지배적으로 고도한 직선 관계로써 측정할 수 있는 것을 확인하였으므로, 모노에타놀아민 농도가 감소한 것을 흡광 광도계에 의하여 검출하고, 처리액보다도 모노에타놀아민 농도가 큰 리지스트 박리 원액이 보급되어 조정된다.In the resist stripping solution containing an alkanolamine and an organic solvent, the relationship between the monoethanolamine concentration and the absorbance was examined by experiment, and the monoethanolamine with respect to the absorbance of the near infrared wavelength (for example, 1048 nm). Since it was confirmed that the concentration can be measured in a highly linear relationship, the absorbance photometer detected that the monoethanolamine concentration had decreased, and the resist stripping stock solution having a higher monoethanolamine concentration than the treatment liquid was supplied and adjusted.
또, 리지스트 농도와 흡광도의 관계를 실험에 의하여 검토하고, 가시 부의 파장(예컨대, 550 nm)의 흡 광도에 대하여 리지스트 농도가 지배적으로 직선 관계로써 측정할 수 있는 것을 확인하였으므로, 리지스트 농도가 증대한 것을 확인하였으므로, 리지스트 농도가 증대한 것을 흡광 광도계에 의하여 검출하고, 리지스트가 함유되지 않은 리지스트 박리 신액이 보급되어 조정된다.In addition, the relationship between the resist concentration and the absorbance was examined by experiment, and it was confirmed that the resist concentration can be measured dominantly in a linear relationship with respect to the absorbance of the visible wavelength (for example, 550 nm). Since it was confirmed that increased, the absorbance photometer detected that the resist concentration was increased, and the resist peeling liquid containing no resist was supplied and adjusted.
알카놀아민과 유기 용매와 순수를 함유하는 리지스트 박리액에 있어서는, 수분 농도와 흡 광도의 관계를 실험에 의하여 검토하고, 근 적외 부의 파장(예컨대, 976 nm)의 흡 광도에 대하여 수분 농도가 지배적으로 고도한 직선 관계로써 측정할 수 있는 것을 확인하였으므로, 수분 농도가 감소한 것을 흡광 광도계에 의하여 검출하고, 순수가 보급되어 조정된다.In a resist stripping solution containing an alkanolamine, an organic solvent, and pure water, the relationship between moisture concentration and absorbance was examined by experiment, and the moisture concentration was measured with respect to the absorbance at a near infrared wavelength (for example, 976 nm). Since it was confirmed that it can measure by a dominantly high linear relationship, it has detected by the absorbance photometer that the moisture concentration decreased, and the pure water spreads and is adjusted.
또, 리지스터 농도와 흡 강도의 관계를 실험에 의하여 검토하고, 가시 부의 파장(예컨대, 550 nm)의 흡 광도에 대하여 리지스트 농도가 지배적으로 직선 관계로써 측정할 수 있는 것을 확인하였으므로, 리지스트 농도가 증대한 것을 확인하였으므로, 리지스트 농도가 증대한 것을 흡광 광도계에 의하여 검출하고, 리지스트가 함유되지 않은 리지스트 박리 신액이 보급되어 조정된다.In addition, since the relationship between the resister concentration and the absorbance was examined by experiment, it was confirmed that the resist concentration can be measured dominantly in a linear relationship with respect to the absorbance of the visible wavelength (for example, 550 nm). Since it confirmed that the density | concentration increased, the absorbance photometer detects that the resist concentration increased and the resist peeling liquid which does not contain a resist is spread | diffused and adjusted.
알카놀아민과 유기 용매와 순수와 하이드록실아민을 함유하는 리지스트 박리액에 있어서는, 수분 농도와 흡 강도의 관계를 실험에 의하여 검토하고, 근 적외 부의 파장(예컨대, 976 nm)의 흡 광도에 대하여 수분 농도가 지배적으로 고도한 직선 관계로써 측정할 수 있는 것을 확인하였으므로, 수분 농도가 감소한 것을 흡광 광도계에 의하여 검출하고, 순수가 보급되어 조정된다.In the resist stripping solution containing an alkanolamine, an organic solvent, pure water and hydroxylamine, the relationship between the water concentration and the absorbance was examined by experiment, and the absorbance of the near infrared wavelength (for example, 976 nm) was measured. Since it was confirmed that the water concentration can be measured in a linear relationship with high dominance, the absorbance photometer detects that the water concentration has decreased, and the pure water is supplied and adjusted.
또, 하이드록실아민 농도와 흡 광도의 관계를 실험에 의하여 검토하고, 근 적외 부의 파장 (예컨대, 1074 nm)의 흡 광도에 대하여 하이도록실아민 농도가 지배적으로 고도한 직선 관계로써 측정할 수 있는 것을 확인하였으므로, 하이드록실아민 농도가 감소한 것을 흡광 광도계에 의하여 검출하고, 하이드록실아민 용액이 보급되어 조정된다.In addition, the relationship between the hydroxylamine concentration and the absorbance can be examined by experiments, and the hyalinylamine concentration can be measured in a linear relationship with a high degree of predominance with respect to the absorbance of the near infrared wavelength (eg, 1074 nm). Since it confirmed that the hydroxylamine density | concentration was reduced by the light absorption photometer, a hydroxylamine solution is replenished and adjusted.
그 위에, 리지스터 농도와 흡 강도의 관계를 실험에 의하여 검토하고, 가시 부의 파장(예컨대, 550 nm)의 흡 광도에 대하여 리지스트 농도가 지배적으로 직선 관계로써 측정할 수 있는 것을 확인하였으므로, 리지스트 농도가 증대한 것을 흡광 광도계에 의하여 검출하고, 리지스트가 함유되지 않은 리지스트 박리 신액이 보급되어 조정된다.Since the relationship between the resister concentration and the absorbance was examined by experiment, it was confirmed that the resist concentration can be measured predominantly in a linear relationship with respect to the absorbance of the visible wavelength (for example, 550 nm). The increase in the test concentration is detected by an absorbance photometer, and the resist stripping fresh liquid containing no resist is supplied and adjusted.
또, 처리 폐액 중의 주성분의 농도와 용해 리지스트 농도(또는 용해 인듐 농도)가 일정하게 되도록 동시에 정도(精度) 좋게 제어하는 것은, 처리액이 일정한 처리 성능을 유지하기 위하여 극히 중요하다.In addition, it is extremely important for the treatment liquid to maintain a constant treatment performance at the same time so that the concentration of the main component and the dissolution resist concentration (or dissolution indium concentration) in the treatment waste liquid are constant.
도 3 은, 본 발명의 실시의 제 2 형태에 의한 기판 표면 처리장치를 보여주고 있다. 본 실시형태는, 기판을 회전이 자재한 웨이퍼 척에 고정하고, 기판 표면에 처리액과 린스 액을 순차로 부여하는 것이며, 외벽과 내벽을 구비한 승강 가능한 컵에 의하여, 처리 폐액을 린스 폐액과는 별도로 회수하는 것이다.3 shows a substrate surface treatment apparatus according to a second embodiment of the present invention. In this embodiment, the substrate is fixed to a wafer chuck with rotation, and the treatment liquid and the rinse liquid are sequentially applied to the substrate surface. The elevating cup having the outer wall and the inner wall enables the treatment waste liquid to be rinsed with the rinse waste liquid. Is to be recovered separately.
도 3 에 도시하는 바와 같이, 처리 장치 (스피너) 70 에 있어서, 구동 모터 72 에 의하여 회전이 자재한 웨이퍼 척 74 의 위에 기판 12 가, 예컨대, 공지의 정전적(靜電的) 수단 또는 흡인적 수단에 의하여 고정(실어 놓음)되고, 기판 12 가 회전하고 있는 상태에서, 스프레이 노즐 76 에서 처리액이 공급되어 기판 표면에 처리액이 부여되며, 잇따라, 스프레이 노즐 78 에서 린스 액이 기판 표면에 부여된다. 80 은 린스 액 탱크이다. 또, 스프레이 노즐 76, 78 대신에 스트레이트 노즐이나 기타 노즐 등을 사용해도 좋다. 본 실시형태에서는, 처리 장치(스피너) 70 이 처리수단이 된다.As shown in FIG. 3, in the processing apparatus (spinner) 70, the board | substrate 12 is mounted on the wafer chuck 74 which rotation was stopped by the drive motor 72, for example, a known electrostatic means or a suction means. By the spray nozzle 76, the treatment liquid is supplied to the substrate surface, and the rinse liquid is subsequently applied to the substrate surface in the state where the substrate 12 is being rotated. . 80 is a rinse liquid tank. Instead of the spray nozzles 76 and 78, a straight nozzle or other nozzles may be used. In this embodiment, the processing apparatus (spinner) 70 becomes a processing means.
웨이퍼 척 74 의 주위에는, 고정(실어 놓음)된 기판 12 를 주회하는 것 같은 슈트 형 컵(트로프) 82 가 설치되어 있으며, 이 컵(트로프) 82 는 승강 장치(도시 않음)에 의하여 하우징 88 의 밑 부에 대하여 연직 방향으로 승강이 가능하게 구성되어 있다. 구체적으로는, 컵 82 의 내벽 84 가, 기판 12 의 주위를 차폐하는 위치와 기판 12 의 주위를 노출시키는 위치와의 사이에서 상하로 이동하며, 컵 82 의 외벽 86 이, 내벽 84 보다 높은 위치에서 하강 시에도 기판 12 의 높이보다 낮게 되지 않도록 설치되어 있다. 즉, 컵 82 의 외벽 86 의 상부는, 컵(트로프) 82 가 가장 하강한 경우에도, 항상 기판 12 의 처리 표면보다도 위쪽에 위치하도록 설비되어 있다. 88 은, 컵(트로프) 82 를 포위하는 하우징이다.In the periphery of the wafer chuck 74, a chute-shaped cup (trough) 82 is formed to circulate around a fixed (loaded) substrate 12, and the cup (trough) 82 is provided by a lifting device (not shown). Lifting in the vertical direction with respect to the base is configured to be possible. Specifically, the inner wall 84 of the cup 82 moves up and down between the position which shields the periphery of the board | substrate 12, and the position which exposes the periphery of the board | substrate 12, and the outer wall 86 of the cup 82 is higher than the inner wall 84 at the position. It is provided so that it may not become lower than the height of the board | substrate 12 at the time of descent. That is, the upper part of the outer wall 86 of the cup 82 is always provided so that it may always be located above the process surface of the board | substrate 12, even when the cup (trough) 82 is the lowest. 88 is a housing surrounding the cup (trough) 82.
도 3 에 있어서, 스프레이 노즐 76 에서 처리액이 공급될 때, 컵(트로프) 82는 하우징 88 내에 있어서 가장 하강한 상태에 위치한다. 공급된 처리액은, 웨이퍼 척 74 와 함께 회전하는 기판 12 의 표면에 부여된다. 표면에 부여된 처리액은, 기판 12 의 회전(원심력)에 의하여, 외주를 향하여 균일하게 퍼진다. 그리고, 기판 12 에서 튀어나간 처리 폐액은, 내벽 84 와 외벽 86 의 사이, 즉, 컵(트로프) 82 의 안으로 배출된다. 한편, 스프레이 노즐 78 에서 린스 액이 공급될 때에, 컵(트로프) 82 는 하우징 88 내에 있어서 가장 상승한 상태에 위치한다. 공급된 린스 액은, 웨이퍼 척 74 와 함께 회전하는 기판 12 의 표면에 부여된다. 표면에 부여된 린스 액은, 기판 12 의 회전(원심력)에 의하여, 외주를 향하여 균일하게 퍼진다. 그리고, 기판 12 에서 튀어나간 린스 폐액은, 내벽 84 의 내측, 즉, 하우징 88 내로 배출된다.In FIG. 3, when the processing liquid is supplied from the spray nozzle 76, the cup (trough) 82 is located in the lowest state in the housing 88. The supplied processing liquid is applied to the surface of the substrate 12 that rotates together with the wafer chuck 74. The processing liquid applied to the surface spreads uniformly toward the outer circumference by the rotation (centrifugal force) of the substrate 12. The treatment waste liquid protruding from the substrate 12 is discharged between the inner wall 84 and the outer wall 86, that is, into the cup (trough) 82. On the other hand, when the rinse liquid is supplied from the spray nozzle 78, the cup (trough) 82 is located in the highest state in the housing 88. The supplied rinse liquid is applied to the surface of the substrate 12 that rotates together with the wafer chuck 74. The rinse liquid applied to the surface spreads uniformly toward the outer circumference by the rotation (centrifugal force) of the substrate 12. The rinse waste liquid protruding from the substrate 12 is discharged into the inner wall 84, that is, into the housing 88.
컵(트로프) 82 내의 처리 폐액은, 폐액 회수ㆍ액 보급 장치 28 에 보내어진다. 폐액 회수ㆍ액 보급 장치 28 에 저류된 처리 폐액은, 도전률계 30 및 / 또는 흡광 광도계 32 에 의하여 도전률 및 / 또는 흡 광도가 측정되어, 그 측정치가 제어기 62 에 입력되어, 처리 폐액 중의 1 개 또는 그 이상의 성분의 농도가 검출된다. 그 검출 농도에 응하여 제어기 62 로부터의 신호에 의하여 제어변 64 및 / 또는 제어변 65 가 개도가 조절되어, 처리 폐액에 처리 조정액 탱크 34 및 / 또는 처리 조정액 탱크 35 에서 조정이 필요한 성분을 함유하는 소정량의 처리 조정액이 보급되어 처리액이 조정된다. 도면 중의 1 점 쇄선으로 둘러싸인 도전률계 30 및 / 또는 흡광 광도계 32 를 포함하는 구성이 농도 검출 부이다.The processing waste liquid in the cup (trope) 82 is sent to the waste liquid collection | recovery liquid supply apparatus 28. As shown in FIG. The treated waste liquid stored in the waste liquid collection / liquid dispensing apparatus 28 has a conductivity and / or absorbance measured by a conductivity meter 30 and / or an absorbance photometer 32, and the measured value is inputted to the controller 62, whereby one of the treated waste liquid is treated. Or concentrations of more components are detected. In response to the detected concentration, the control valve 64 and / or the control valve 65 are opened in accordance with a signal from the controller 62, and the treated waste liquid contains a component that needs to be adjusted in the treatment control tank 34 and / or the treatment control tank 35. A fixed amount of treatment adjustment liquid is supplied to adjust the treatment liquid. The density | concentration detection part is the structure containing the conductivity meter 30 and / or the light absorption photometer 32 enclosed by the dashed-dotted line in the figure.
조정된 처리액은, 펌프 40 에 의하여 여과 필터 42 에 보내어지고, 여과 필터 42에 의하여 여과된 후, 스프레이 노즐 76 에 공급되어 처리장치(스피너) 70 에서 기판 표면에 부여되기 위하여 순환 사용되다. 이 경우, 도 3 에 도시하는 바와 같이, 여과 필터 42 로 여과된 처리액의 일부를 처리액 반송관 43 을 거쳐 폐액 회수ㆍ액 보급 장치 28 로 돌려보내는 것이 바람직하며, 처리액 조정 시의 교반 효과를 높이기 위하여, 예컨대, 스프레이 노즐 44 를 이용하여 폐액 회수ㆍ액 보급 장치 28 에 돌려보내는 구성으로 할 수 있다. 도면 중의 1 점 쇄선으로 둘러싸인 펌프 40, 여과 필터 42 및 처리액 반송관 43 을 포함하는 구성이 교반ㆍ여과 부이다.The adjusted treatment liquid is sent to the filtration filter 42 by the pump 40, filtered by the filtration filter 42, and then supplied to the spray nozzle 76 and circulated to be applied to the substrate surface in the treatment apparatus (spinner) 70. In this case, as shown in FIG. 3, it is preferable to return a part of the processing liquid filtered by the filtration filter 42 to the waste liquid collection | recovery and liquid supply apparatus 28 through the processing liquid return pipe 43, and the stirring effect at the time of processing liquid adjustment For example, the spray nozzle 44 can be used to return the waste liquid recovery / liquid replenishment device 28 to increase the pressure. In the figure, the structure containing the pump 40, the filtration filter 42, and the process liquid return pipe 43 enclosed by the dashed-dotted line is a stirring / filtration part.
한편, 하우징 88 내의 린스 폐액은, 하우징 88의 밑 부에서 빼내어져, 처리 폐액과는 별도로 회수된다. 이 경우, 린스 폐액의 회수 개시에서 너무 시간이 경과되지 않은 때에( 예컨대, 최초의 15초간 정도)는 린스 페액에 처리 폐액과 기타 이물이 혼입되어 있는 일이 있으므로, 제어변 90 을 열고 제어변 92 를 닫아, 이물 함유 린스 폐액을 회수하기 위한 제 1 린스 폐액 탱크 94 에 린스 폐액을 배출한다. 또, 린스 폐액의 회수 개시에서 일정시간이 경과한 후(예컨대, 약 15 초간 경과 후)는, 린스 폐액에 처리 폐액과 기타 이물이 혼입되어 있지 않거나, 또는 혼입되어 있더라도 그것들이 극히 미량이므로, 거꾸로 제어변 92 를 열고 제어변 90 을 닫아서, 제 2 린스 폐액 탱크 96 에 린스 폐액을 배출한다. 제 2 린스 폐액 탱크 96 에서 회수된 린스 폐액은 별도로 재조정되지 않고 재이용할 수 있다.On the other hand, the rinse waste liquid in the housing 88 is withdrawn from the bottom of the housing 88, and is recovered separately from the treatment waste liquid. In this case, when too much time has elapsed from the start of recovery of the rinse waste liquid (for example, for about the first 15 seconds), the treatment waste liquid and other foreign substances may be mixed in the rinse waste liquid. The rinse waste liquid is discharged to the first rinse waste liquid tank 94 for collecting the foreign matter-containing rinse waste liquid. In addition, after a predetermined time has elapsed from the start of recovery of the rinse waste liquid (for example, after about 15 seconds), the treated waste liquid and other foreign substances are not mixed in the rinse waste liquid, or they are extremely small even if mixed. The rinse waste liquid is discharged to the second rinse waste liquid tank 96 by opening the control valve 92 and closing the control valve 90. The rinse waste liquid recovered from the second rinse waste tank 96 can be reused without being readjusted separately.
더욱이, 본 실시형태에 있어서는, 처리 폐액을 하우징 88 의 밑 부에서 회수하고, 린스 폐액을 컵 82 에서 회수해도 좋다. 이때, 폐액 회수ㆍ액 보급 장치 28은, 하우징 88 의 밑 부와 접속된다.Furthermore, in this embodiment, the treatment waste liquid may be recovered from the bottom of the housing 88 and the rinse waste liquid may be recovered from the cup 82. At this time, the waste liquid collection and liquid supply apparatus 28 is connected to the bottom of the housing 88.
다른 구성 및 작용은, 실시의 제 1 형태의 경우와 마찬가지이다.Other configurations and operations are the same as those in the first embodiment of the embodiment.
도 4 는, 본 발명의 실시의 제 3 형태에 의한 기판 표면 처리장치를 보여주고 있다. 본 실시의 형태는, 기판을 회전이 자재한 웨이퍼 척에 고정하고, 기판 표면에 처리액과 린스 액을 순차로 부여하는 것이며, 내 스커트 부 및 외 스커트 부를 구비한 승강이 가능한 이너 컵과 하우징 밑 부에 설치된 칸막이 벽에 의하여, 처리 폐액을 린스 폐액과는 별도로 회수하는 것이다.4 shows a substrate surface treatment apparatus according to a third embodiment of the present invention. In this embodiment, the substrate is fixed to a wafer chuck with rotation, and the processing liquid and the rinse liquid are sequentially applied to the surface of the substrate, and the inner cup and housing bottom capable of lifting with an inner skirt portion and an outer skirt portion are provided. By the partition wall provided in the wall, the treatment waste liquid is collected separately from the rinse waste liquid.
도 4 에 도시하는 바와 같이, 처리 장치(스피너) 70a 에 있어서, 구동 모터 72 에 의하여 회전이 자재한 웨이퍼 척 74 의 위에 기판 12 가, 예컨대, 공지의 정전적 수단 또는 흡인적 수단에 의하여 고정(실어 놓음)되어, 기판 12 가 회전하고 있는 상태에서, 스프레이 노즐 76 에서 처리액이 공급되어 기판 표면에 처리액이 부여되며, 뒤이어, 스프레이 노즐 78 에서 린스 액이 기판 표면에 부여된다. 본 실시형태의 처리장치 70a 에 있어서도, 스프레이 노즐 76, 78 의 대신에, 스트레이트 노즐, 기타 노즐 등이 사용되어도 좋다.As shown in Fig. 4, in the processing apparatus (spinner) 70a, the substrate 12 is fixed on the wafer chuck 74 whose rotation is stopped by the drive motor 72, for example, by a known electrostatic or suction means. In the state where the substrate 12 is being rotated, the processing liquid is supplied from the spray nozzle 76 to provide the processing liquid to the substrate surface, and then the rinse liquid is applied to the substrate surface from the spray nozzle 78. Also in the processing apparatus 70a of this embodiment, a straight nozzle, another nozzle, etc. may be used instead of the spray nozzles 76, 78. FIG.
웨이퍼 척 74 의 주위에는, 실어 놓은 기판 12 를 주회하는 것 같은 스커트형상의 이너 컵(가이드 부)98 이 설치되어 있고, 이 이너 컵(가이드 부) 98 은 승강장치(도시 않음)에 의하여 하우징 88 의 밑 부에 대하여 연직 방향으로 승강이 가능하게 구성되어 있다. 그리고, 이 이너 컵( 가이드 부) 98 은 내 스커트 부 100 과 외 스커트 부 102 로 구성되어 있으며, 하우징 88 의 밑 부에 설치된 칸막이 벽 104 가 내 스커트 부 100 의 아래쪽과 외 스커트 부 102 의 아래쪽과의 사이에 위치하도록 주회 상으로 설치되어 있다. 구체적으로는, 이너 컵(가이드) 98 이 기판 12 의 위쪽에 위치하는 경우( 도면 중의 2 점 쇄선)에, 내 스커트 부 100 이 기판 12 로부터의 폐액 (린스 폐액)을 칸막이 벽 104 의 내측으로 유도하도록 되어 있으며, 이너 컵(가이드 부) 98 이 기판 12 의 아래쪽에 위치하는 경우(도면 중의 실선)에, 외 스커트 부 102 가 기판 12 로부터의 폐액(처리 폐액)을 칸막이 벽 104의 외측에 유도하도록 되어 있다.In the periphery of the wafer chuck 74, a skirt-shaped inner cup (guide portion) 98 is formed, which looks around the loaded substrate 12, and the inner cup (guide portion) 98 is provided with a housing 88 by a lifting device (not shown). Lifting in the vertical direction with respect to the bottom of the structure is possible. The inner cup (guide section) 98 is composed of an inner skirt section 100 and an outer skirt section 102. The partition wall 104 provided at the bottom of the housing 88 has a lower side of the inner skirt section 100 and a lower section of the outer skirt section 102. It is installed on a circumference so as to be located between. Specifically, when the inner cup (guide) 98 is positioned above the substrate 12 (two dashed lines in the figure), the inner skirt portion 100 guides the waste liquid (rinse waste liquid) from the substrate 12 to the inside of the partition wall 104. When the inner cup (guide part) 98 is positioned below the substrate 12 (solid line in the drawing), the outer skirt section 102 causes the waste liquid (processing waste liquid) from the substrate 12 to be directed to the outside of the partition wall 104. It is.
도 4 에 있어서, 스프레이 노즐 76 에서 처리액이 공급될 때에, 이너 컵(가이드 부) 98 은 하우징 88 내에 있어서 가장 하강한 상태에 위치한다. 공급된 처리액은, 웨이퍼 척 74 와 함께 회전하는 기판 12 의 표면에 부여된다. 표면에 부여한 처리액은, 기판 12 의 회전(원심력)에 의하여, 외주를 향하여 균일하게 퍼진다. 그리고, 기판 12 에서 튀어나간 처리 폐액은, 외 스커트 부 102 의 상면(외면)에 의하여 칸막이 벽 104 의 외측에 배출된다. 한편, 스프레이 노즐 78 에서 린스 액이 공급될 때에, 이너 컵(가이드 부) 98 은 하우징 88 내에 있어서 가장 상승한 상태에 위치한다. 공급된 린스 액은, 웨이퍼 척 74 와 함께 회전하는 기판 12 의 표면에 부여된다. 표면에 부여한 린스 액은, 기판 12 의 회전(원심력)에 의하여, 외주를 향하여 균일하게 퍼진다. 그리고, 기판 12 에서 튀어나간 린스 폐액은, 내 스커트 부 100 의 하면(내면)에 의하여 칸막이 벽 104 의 내측에 배출된다.In FIG. 4, when a process liquid is supplied from the spray nozzle 76, the inner cup (guide part) 98 is located in the lowest state in the housing 88. In FIG. The supplied processing liquid is applied to the surface of the substrate 12 that rotates together with the wafer chuck 74. The processing liquid applied to the surface spreads uniformly toward the outer circumference by the rotation (centrifugal force) of the substrate 12. And the processing waste liquid which protruded from the board | substrate 12 is discharged to the outer side of the partition wall 104 by the upper surface (outer surface) of the outer skirt part 102. On the other hand, when the rinse liquid is supplied from the spray nozzle 78, the inner cup (guide portion) 98 is located in the highest state in the housing 88. The supplied rinse liquid is applied to the surface of the substrate 12 that rotates together with the wafer chuck 74. The rinse liquid applied to the surface spreads uniformly toward the outer circumference by the rotation (centrifugal force) of the substrate 12. And the rinse waste liquid protruding from the board | substrate 12 is discharged inside the partition wall 104 by the lower surface (inner surface) of the inner skirt part 100.
칸막이 벽 104 의 외측 의 처리 폐액은, 하우징 88 의 밑 부에서 빼내어, 폐액 회수ㆍ액 보급 장치 28 에 이송된다. 폐액 회수ㆍ액 보급 장치 28 에 저류된 처리 폐액은, 도전률계 30 및 / 또는 흡광 광도계 32 에 의하여 도전률 및 / 또는 흡 광도가 측정되고, 그 측정치가 제어기 62 에 입력되어, 처리 폐액 중의 1 개 또는 그 이상의 성분의 농도가 검출된다. 그 검출 농도에 응하여 제어기 62 로부터의 신호에 의하여 제어변 64 및 / 또는 제어변 65 가 개도가 조절되어, 처리 폐액에 처리 조정액 탱크 34 및 / 또는 처리 조정액 탱크 35 에서 조정이 필요한 성분을 함유하는 소정량의 처리 조정액이 보급되어 처리액이 조정된다. 도면 중의 1 점 쇄선으로 둘러싸인 도전률계 30 및 / 또는 흡광 광도계 32 를 포함하는 구성이 농도 검출부이다.The processing waste liquid outside the partition wall 104 is taken out from the bottom of the housing 88 and transferred to the waste liquid recovery / liquid supply device 28. The treated waste liquid stored in the waste liquid collection / liquid dispensing apparatus 28 has conductivity and / or absorbance measured by a conductivity meter 30 and / or an absorbance photometer 32, and the measured value is inputted to the controller 62, whereby one of the treated waste liquid is treated. Or concentrations of more components are detected. In response to the detected concentration, the control valve 64 and / or the control valve 65 are opened in accordance with a signal from the controller 62, and the treated waste liquid contains a component that needs to be adjusted in the treatment control tank 34 and / or the treatment control tank 35. A fixed amount of treatment adjustment liquid is supplied to adjust the treatment liquid. The density | concentration detection part is the structure containing the conductivity meter 30 and / or the light absorption photometer 32 enclosed with the dashed-dotted line in the figure.
조정된 처리액은, 펌프 40 에 의하여 여과 필터 42 에 이송되고, 여과 필터 42 에 의하여 여과된 후, 스프레이 노즐 76 에 공급되어 처리장치(스피너) 70a 에서 기판 표면에 부여하기 위하여 순환 사용된다. 이 경우, 도 4 에 도시하는 바와 같이, 필터 42 에서 여과된 처리액의 일부를 처리액 반송관 43 을 거쳐서 폐액 회수ㆍ액 보급 장치 28 에 반송하는 것이 바람직하며, 처리액 조정 시의 교반 효과를 높이기 위하여, 예컨대, 스프레이 노즐 44 를 이용하여 폐액 회수ㆍ액 보급 장치 28 로 반송하는 구성으로 할 수있다. 도면 중의 1 점 쇄선으로 둘러 싸인 펌프 40, 필터 42, 및 처리액 반송관 43 을 포함하는 구성이 교반 여과 부이다.The adjusted treatment liquid is transferred to the filtration filter 42 by the pump 40, filtered by the filtration filter 42, and then supplied to the spray nozzle 76, and circulated for use on the substrate surface by the treatment apparatus (spinner) 70a. In this case, as shown in FIG. 4, it is preferable to convey a part of the process liquid filtered by the filter 42 to the waste liquid collection | recovery / liquid supply apparatus 28 through the process liquid conveying pipe 43, and, as for the stirring effect at the time of process liquid adjustment, In order to increase, it can be set as the structure conveyed to the waste liquid collection | recovery liquid supply apparatus 28 using the spray nozzle 44, for example. The stirring filter part is the structure containing the pump 40, the filter 42, and the process liquid return pipe 43 enclosed by the dashed-dotted line in the figure.
한편, 칸막이 벽 104 의 내측의 린스 폐액은, 하우징 88 의 밑 부에서 빼내어져, 처리 폐액과는 별도로 회수된다. 이 경우, 린스 폐액의 회수 개시로부터 너무 시간이 경과하지 않았을 때에( 예컨대, 최초의 15 초간 정도)는, 린스 폐액에 처리 폐액과 기타 이물이 혼입되어 있는 일이 있으므로, 제아판 90 을 열고 제어변 92를 닫아서, 이물 함유 린스 폐액을 회수하기 위한 제 1 린스 폐액 탱크 94 에 린스 폐액을 배출한다. 또, 린스 폐액의 회수 개시에서 일정 시간이 경과한 후(예컨대, 약 15 초간 경과후)에는, 린스 폐액에 처리 폐액과 기타 이물이 혼입되어 있지 않거나, 또는 혼입되어 있더라도 그것들이 극히 미량이므로, 거꾸로 제어변 92 를 열고 제어변 90 을 닫아서, 제 2 린스 폐액 탱크 96 에 린스 폐액을 배출한다. 제 2 린스 폐액 탱크 96 에서 회수된 린스 폐액은 별도로 재조정됨이 없이 재이용할 수 있다.On the other hand, the rinse waste liquid inside the partition wall 104 is withdrawn from the bottom of the housing 88, and is recovered separately from the treatment waste liquid. In this case, when too much time has elapsed from the start of recovery of the rinse waste liquid (for example, about the first 15 seconds), the treatment waste liquid and other foreign substances may be mixed in the rinse waste liquid, so that the control plate is opened and the control valve is opened. 92 is closed, and the rinse waste liquid is discharged to the first rinse waste liquid tank 94 for recovering the foreign matter-containing rinse waste liquid. In addition, after a certain time has elapsed from the start of recovery of the rinse waste liquid (for example, after about 15 seconds), the treated waste liquid and other foreign substances are not mixed in the rinse waste liquid, or they are extremely small even if mixed. The rinse waste liquid is discharged to the second rinse waste liquid tank 96 by opening the control valve 92 and closing the control valve 90. The rinse waste liquid recovered from the second rinse waste tank 96 can be reused without being readjusted separately.
역시, 본 실시형태에 있어서는, 처리 폐액을 하우징 88 밑 부에 있어서의 칸막이 벽 104 의 내측에서 회수하며, 린스 폐액을 하우징 88 의 밑 부에 있어서의 칸막이 벽 104 의 외측에서 회수해도 좋다. 이때, 폐액 회수ㆍ액 보급 장치 28은, 칸막이 벽 104 의 내측의 하우징 88 의 밑 부와 접속된다.Moreover, in this embodiment, a process waste liquid may be collect | recovered inside the partition wall 104 in the lower part of the housing 88, and a rinse waste liquid may be collect | recovered outside the partition wall 104 in the lower part of the housing 88. At this time, the waste liquid collection / liquid supply device 28 is connected to the bottom of the housing 88 inside the partition wall 104.
다른 구성 및 작용은, 실시의 제 1 형태의 경우와 마찬가지이다.Other configurations and operations are the same as those in the first embodiment of the embodiment.
도 5 는 본 발명의 실시의 제 4 형태에 의한 기판 표면 처리장치를 보여 주고 있다. 본 실시의 형태는, 카세트 처리 방식이며, 로더에 의하여 카세트 106 의 반입ㆍ반출을 행하며, 카세트 106 에는 기판 12(예컨대, 반도체 제조 용 실리콘웨이퍼가 20 매)가 배열되어 있다.Fig. 5 shows a substrate surface treatment apparatus according to a fourth embodiment of the present invention. This embodiment is a cassette processing system, and the cassette 106 is loaded and unloaded by a loader, and a substrate 12 (for example, 20 silicon wafers for semiconductor production) is arranged in the cassette 106.
도 5 에 도시하는 바와 같이, 하우징 88 내에 반입된 기판 12 에, 스프레이 노즐 76 에서 처리액이 공급되어 기판 표면에 처리액이 부여되며, 뒤이어, 스프레이 노즐 78 에서 린스 액이 부여된다.As shown in FIG. 5, the processing liquid is supplied to the substrate 12 carried in the housing 88 by the spray nozzle 76, and the processing liquid is applied to the substrate surface, followed by the rinse liquid by the spray nozzle 78.
처리 폐액은, 하우징 88 의 밑 부에서 빼내어져, 제어변 89 를 열고 제어변 90, 92 를 닫아, 폐액 회수ㆍ액 보급 장치 28 로 이송된다. 폐액 회수ㆍ액 보급 장치 28 에 저류된 처리 폐액은, 도전률계 30 및 / 또는 흡광 광도계 32 에 의하여 도전률 및 / 또는 흡광도가 측정되고, 그 측정치가 제어기 62 에 입력되어, 처리 폐액 중의 1 개 또는 그 이상의 성분의 농도가 검출된다. 그 검출 농도에 응하여, 제어기 62 로부터의 신호에 의하여 제어변 64 및 / 또는 제어변 65가 개도가 조절되고, 처리 폐액에 처리 조정액 탱크 34 및 / 또는 처리 조정액 탱크 35 에서 조정이 필요한 성분을 함유하는 소정량의 처리 조정액이 보급되어 처리액이 조정된다. 도면 중의 1 점 쇄선으로 둘러싸인 도전률계 30 및 / 또는 흡광 광도계 32 를 포함하는 구성이 농도 검출 부이다.The processing waste liquid is taken out from the bottom of the housing 88, the control valve 89 is opened, the control valves 90 and 92 are closed, and the waste liquid is transferred to the waste liquid collection / liquid supply device 28. The treated waste liquid stored in the waste liquid collection / liquid dispensing apparatus 28 has conductivity and / or absorbance measured by a conductivity meter 30 and / or an absorbance photometer 32, and the measured value is input to the controller 62, so that one or The concentration of further components is detected. In response to the detected concentration, the opening of the control valve 64 and / or the control valve 65 is adjusted by the signal from the controller 62, and the treatment waste liquid contains a component that needs to be adjusted in the treatment adjustment tank 34 and / or the treatment adjustment tank 35. A predetermined amount of processing adjustment liquid is supplied to adjust the processing liquid. The density | concentration detection part is the structure containing the conductivity meter 30 and / or the light absorption photometer 32 enclosed by the dashed-dotted line in the figure.
조정된 처리액은, 펌프 40 에 의하여 여과 필터 42 에 이송되고, 여과 필터 42 에 의하여 여과된 후, 스프레이 노즐 76 에 공급되어 하우징 88 내에서 기판 표면에 부여하기 위하여 순환 사용된다. 이 경우, 도 5 에 도시하는 바와 같이, 여과 필터 42 에서 여과된 처리액의 일부를 처리액 반송관 43 을 거쳐 폐액 회수ㆍ액 보급 장치 28 로 반송하는 것이 바람직하며, 처리액 조정 시의 교반 효과를 높이기 위하여, 예컨대, 스프레이 노즐 44 를 이용하여, 폐액 회수ㆍ액 보급 장치 28 로 반송하는 구성으로 할 수 있다. 도면 중의 1 점 쇄선으로 둘러싸인 펌프 40, 여과필터 42 및 처리액 반송관 43 을 포함하는 구성이 교반ㆍ여과 부이다.The adjusted treatment liquid is transferred to the filtration filter 42 by the pump 40, filtered by the filtration filter 42, and then supplied to the spray nozzle 76 to be circulated and used to impart to the substrate surface in the housing 88. In this case, as shown in FIG. 5, it is preferable to convey a part of the process liquid filtered by the filtration filter 42 to the waste liquid collection | recovery / liquid supply apparatus 28 through the process liquid return pipe 43, and the stirring effect at the time of process liquid adjustment For example, the spray nozzle 44 can be used to convey the waste liquid recovery / liquid replenishment device 28 in order to increase the pressure. In the figure, the structure containing the pump 40, the filtration filter 42, and the process liquid return pipe 43 enclosed by the dashed-dotted line is a stirring / filtration part.
한편, 린스 폐액은, 하우징 88 의 밑 부에서 빼내어져, 제어변 89 를 닫어서 처리 폐액과는 별도로 회수된다. 이 경우, 린스 폐액의 회수 개시에서 너무 시간이 경과하지 않았을 때(예컨대, 최초의 15 초간 정도)에는, 린스 폐액에 처리 폐액과 기타 이물이 혼입되어 있는 일이 있으므로, 제어변 90 을 열고 제어변 92 를 닫아서, 이물 함유 린스 폐액을 회수하기 위한 제 1 린스 폐액 탱크 94 에 린스 폐액을 배출한다. 또, 린스 폐액의 회수 개시에서 일정 시간이 경과한 후(예컨대, 약 15 초간 경과 후)에는, 린스 폐액에 처리 폐액과 기타 이물이 혼입되어 있지 않거나, 또는 혼입되어 있더라도 그것들이 극히 미량이므로, 거꾸로 제어변 92 를 열고 제어변 90 을 닫아서, 제 2 린스 폐액 탱크 96에 린스 폐액을 배출한다. 제 2 린스 폐액 탱크 96 으로 회수된 린스 폐액은 별도로 재조정됨이 없이 재이용할 수 있다.On the other hand, the rinse waste liquid is withdrawn from the bottom of the housing 88 and is closed separately from the treatment waste liquid by closing the control valve 89. In this case, when too much time has elapsed from the start of recovery of the rinse waste liquid (for example, about the first 15 seconds), the treatment waste liquid and other foreign substances may be mixed in the rinse waste liquid, so that the control valve 90 is opened. 92 is closed to drain the rinse waste liquid into the first rinse waste liquid tank 94 for recovering the foreign matter-containing rinse waste liquid. In addition, after a certain time has elapsed from the start of recovery of the rinse waste liquid (for example, after about 15 seconds), the treated waste liquid and other foreign substances are not mixed in the rinse waste liquid, or they are extremely small even if mixed. The rinse waste liquid is discharged to the second rinse waste liquid tank 96 by opening the control valve 92 and closing the control valve 90. The rinse waste liquid recovered to the second rinse waste tank 96 can be reused without being readjusted separately.
다른 구성 및 작용은 실시의 제 1 형태의 경우와 마찬가지이다.Other configurations and operations are the same as those in the first embodiment of the embodiment.
본 발명은, 상기와 같이 구성되어 있으므로, 다음과 같은 효과를 이룬다.Since this invention is comprised as mentioned above, it produces the following effects.
(1) 처리액의 순환 사용이 효율이 좋고 가능하게 되었으며, 또한, 순환을 반복하여도 처리액 자체의 성능을 계속하여 보지할 수 있는 기판 표면 처리장치를 제공할 수 있다.(1) It is possible to provide a substrate surface treatment apparatus capable of continually retaining the performance of the treatment liquid itself even after repeated circulation.
(2) 처리액의 폐액(처리 폐액)을 린스 액의 폐액(린스 폐액)과는 별도로 회수할 수 있으며 동시에, 회수한 처리 폐액에 처리 조정액을 보급하여 처리액의 처리 성능을 유지할 수 있으므로, 기판 처리의 일련의 공정에 있어서 필요로 하는 처리액의 양을 저감시키며, 또한, 그 처리액을 유효하게 재이용 한다고 하는 목적이 달성된다. 또, 폐기하는 처리 폐액의 양이 적게 된다.(2) The waste liquid of the treatment liquid (treatment waste liquid) can be recovered separately from the waste liquid of the rinse liquid (rinse waste liquid), and at the same time, the treatment adjustment liquid can be supplied to the recovered treatment waste liquid to maintain the processing performance of the treatment liquid. The objective of reducing the quantity of the process liquid required in a series of processes of a process, and reusing this process liquid effectively is achieved. In addition, the amount of the treatment waste liquid to be discarded becomes small.
(3) 처리액과 린스 액으로 따로 따로 스피너를 설치할 필요가 없으므로, 기판 처리장치의 소형화가 된다. 또, 린스 액을 처리액에 의한 처리 후 즉시 도포할 수가 있다.(3) Since the spinner does not need to be separately provided as the processing liquid and the rinse liquid, the substrate processing apparatus can be miniaturized. In addition, the rinse liquid can be applied immediately after the treatment with the treatment liquid.
Claims (24)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2000-0030874A KR100367991B1 (en) | 2000-06-05 | 2000-06-05 | Apparatus for treating surface of boards |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2000-0030874A KR100367991B1 (en) | 2000-06-05 | 2000-06-05 | Apparatus for treating surface of boards |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20010112512A true KR20010112512A (en) | 2001-12-20 |
| KR100367991B1 KR100367991B1 (en) | 2003-01-14 |
Family
ID=49515790
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2000-0030874A KR100367991B1 (en) | 2000-06-05 | 2000-06-05 | Apparatus for treating surface of boards |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100367991B1 (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100598914B1 (en) * | 2004-09-02 | 2006-07-10 | 세메스 주식회사 | System and method for recycling chemical, and apparatus for treating a substrate using the system |
| KR100673395B1 (en) * | 2005-03-10 | 2007-01-24 | 세메스 주식회사 | Method and system for processing waste liquid |
| KR100772825B1 (en) * | 2006-12-12 | 2007-11-01 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Cleaning solution recycling system and method of recycling cleaning solution using the system |
| KR101403510B1 (en) * | 2013-01-25 | 2014-06-09 | 주식회사 디엠에스 | Apparatus for wet process |
-
2000
- 2000-06-05 KR KR10-2000-0030874A patent/KR100367991B1/en active IP Right Grant
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100598914B1 (en) * | 2004-09-02 | 2006-07-10 | 세메스 주식회사 | System and method for recycling chemical, and apparatus for treating a substrate using the system |
| KR100673395B1 (en) * | 2005-03-10 | 2007-01-24 | 세메스 주식회사 | Method and system for processing waste liquid |
| KR100772825B1 (en) * | 2006-12-12 | 2007-11-01 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Cleaning solution recycling system and method of recycling cleaning solution using the system |
| KR101403510B1 (en) * | 2013-01-25 | 2014-06-09 | 주식회사 디엠에스 | Apparatus for wet process |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100367991B1 (en) | 2003-01-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6302600B1 (en) | Apparatus for treating surface of boards | |
| KR100891062B1 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
| US6517999B1 (en) | Method of removing photoresist film | |
| US5884640A (en) | Method and apparatus for drying substrates | |
| JP3093975B2 (en) | Resist stripper management system | |
| KR20010053300A (en) | Method and apparatus for immersion treatment of semiconductor and other devices | |
| KR20010039947A (en) | Method of removing contamination adhered to surfaces and apparatus used therefor | |
| KR100700180B1 (en) | Slit coater having pre-spreading unit and method of coating using thereof | |
| KR100367991B1 (en) | Apparatus for treating surface of boards | |
| KR102103629B1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| JP3914722B2 (en) | Water-based resist stripping solution management apparatus and water-based resist stripping solution management method | |
| US6715944B2 (en) | Apparatus for removing photoresist film | |
| JP3126690B2 (en) | Resist stripper management system | |
| EP0739252B2 (en) | Process and apparatus for the treatment of semiconductor wafers in a fluid | |
| CN113228233A (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| JP3225452B2 (en) | Processing equipment | |
| JP2006024793A (en) | Chemical solution recovering method and board processing device | |
| TW447026B (en) | Substrate surface treating apparatus | |
| JP2004146414A (en) | Substrate processing apparatus | |
| KR100772825B1 (en) | Cleaning solution recycling system and method of recycling cleaning solution using the system | |
| KR20190042186A (en) | Apparatus and method for washing mask | |
| KR19980015080A (en) | Wafer cleaning apparatus and cleaning liquid supply method and wafer cleaning method using same | |
| JP2005166847A (en) | Method and device for treating substrate | |
| CN209747470U (en) | Substrate cleaning system | |
| JP2010044233A (en) | Coating and developing method, and coating and developing device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121130 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131218 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141205 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151201 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161129 Year of fee payment: 15 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181129 Year of fee payment: 17 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191127 Year of fee payment: 18 |