KR20010107064A - 형광 물질을 이용한 복합 파장의 광을 발생시키는 발광반도체 소자 - Google Patents

형광 물질을 이용한 복합 파장의 광을 발생시키는 발광반도체 소자 Download PDF

Info

Publication number
KR20010107064A
KR20010107064A KR1020000028249A KR20000028249A KR20010107064A KR 20010107064 A KR20010107064 A KR 20010107064A KR 1020000028249 A KR1020000028249 A KR 1020000028249A KR 20000028249 A KR20000028249 A KR 20000028249A KR 20010107064 A KR20010107064 A KR 20010107064A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
light
wavelength
fluorescent material
emitting device
Prior art date
Application number
KR1020000028249A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100372834B1 (ko
Inventor
임경룡
Original Assignee
박종만
에이프로시스템즈 (주)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 박종만, 에이프로시스템즈 (주) filed Critical 박종만
Priority to KR10-2000-0028249A priority Critical patent/KR100372834B1/ko
Publication of KR20010107064A publication Critical patent/KR20010107064A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100372834B1 publication Critical patent/KR100372834B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

본 발명은 하나의 발광 소자 칩으로 핑크(pink)색 광을 발생하기 위해 형광 물질을 이용한 복합 파장의 광을 발생시키는 발광 반도체 소자에 관한 것이다. 상기 복합 파장의 광을 내는 발광 반도체 소자는 제1 파장의 광을 발생시키는 다층 구조의 발광 소자 칩 및 상기 제 1파장보다 장파장인 제2 파장의 광을 발생시키기 위하여 상기 발광 소자 칩의 양측면 및 상부면을 덮도록 도포(coating)된 형광 물질을 포함한다. 상기 다층 구조의 발광 소자 칩에서 발생되는 제1 파장은 청색광의 파장인 450nm 내지 470nm 파장이 바람직하고, 상기 형광 물질은 망간(manganese)을 첨가한 마그네슘·플루오르·게르마늄(Mg3F2GeO4:Mn)으로 이루어는 것이 바람직하다. 상기 형광 물질은 상기 다층 구조의 발광 소자 칩이 형성된 웨이퍼를 다이싱(Dicing) 하기 전에 도포(coating)될 수도 있고, 다이싱(Dicing) 한 이후에 도포(coating)될 수도 있다.
본 발명은 하나의 발광 소자 칩만으로 핑크(pink)색의 광원을 얻을 수 있으므로 필요한 소자의 개수를 줄일 수 있고, 값비싼 제조 원가의 획기적인 절감이 가능하다.

Description

형광 물질을 이용한 복합 파장의 광을 발생시키는 발광 반도체 소자{Light emitting semiconductor device for emitting lights having complex wavelengths through fluorescent material thereof}
본 발명은 형광 물질을 이용한 복합 파장의 광을 발생시키는 발광 반도체 소자에 관한 것으로, 특히 하나의 발광 소자 칩으로 핑크(pink)색 파장의 광을 발생시키기 위해 형광 물질을 이용한 복합 파장의 광을 발생시키는 발광 반도체 소자에 관한 것이다.
화합물 발광 반도체 소자는 반도체라는 특성으로 인해 처리 속도, 전력 소모, 수명 등의 제반 사항에서 큰 장점을 보여 각종 전자 제품의 전자 표시 부품으로 각광받고 있다. 즉, 발광 반도체 소자는 기존 전구 램프처럼 눈이 부시거나 엘리먼트(element)가 단락되는 경우가 없고 소형으로 제작돼 각종 표시소자로 폭넓게 사용되고 있으며 반영구적인 수명(약 1백만 시간)을 가지고 있으므로 그 활용도가높다.
상기 화합물 반도체 발광 소자는 적외선 발광 소자(IRED; Infrared Emitting Diode)와 가시 광선 발광 소자로 크게 구분된다.
화합물 반도체 발광 소자는 반도체라는 특성으로 인해 낮은 소비 전력과 저전압 동작, 빠른 응답 속도, 반영구적인 수명(약 1백만 시간) 등의 장점으로 인하여, 발열 광원(예를 들어, 텅스텐 전구)을 대체하여 폭 넓은 활용이 되고 있고 수요가 급증하고 있다. 전자의 적외선 발광 소자는 각종 광 센서의 광원으로 이용되고 있다. 후자의 가시 광선 발광 소자는 기존 전구 램프처럼 눈이 부시거나 엘리먼트가 단락되는 경우가 없고 소형으로 제작돼 각종 전자제품의 전자 표시용 전자 소자로 폭 넓게 이용되고 있다.
종래의 일반적 구조의 발광 반도체 소자는 도 1과 같이 리드(Lead)선(110a, 110b), 에폭시(Epoxy) 수지(120), 발광 소자 칩(130), 금선(Au wire)(140)으로 구성된다.
상기 발광 소자 칩(130)의 동작을 도 2를 참조하여 설명하면 다음과 같다. 상기 발광 소자 칩의 P층 전극(131)에 직류 전원의 + 극을 연결하고, N층 전극(136)에 - 전극을 연결하여 순 바이어스(forward bias)를 인가한다. 상기 순 바이어스(forward bias)를 인가하면 P층 전극(131)에서 양전하가 P층 영역(132)을 거쳐 활성층(133)에 도달하고, N층 전극(136)에서는 음전하가 N층 기판(135)과 N층 영역(134)을 거쳐 활성층(133)에 도달한다. 활성층(133)에서는 양전하와 음전하가 N층 영역(134)과 P층 영역(132)의 에너지 차이에 상당하는 파장의 광을 방출한다.이때 상기 발광 소자 칩에 사용되는 활성층의 재료 및 첨가하는 불순물의 함량에 따라 방출되는 광의 파장이 다르고, 이 파장에 따라 광의 색깔이 결정된다. 즉, 활성층 재료의 특성에 따라 하나의 발광 반도체 소자는 한 가지 색, 즉 일정한 파장의 광을 방출한다.
발광 반도체 소자는 종래 반도체 재료의 특성으로 인하여 적색(Red), 녹색(Green), 노랑(Yellow), 오렌지색(Orange) 및 청색(Blue)등의 단색 소자만이 개발되어 사용되고 있다. 청색(Blue)은 인간의 가시광선 영역인 450 나노미터(nm)에서 470 나노미터(nm) 사이이며, 적색(Red)은 660 나노미터(nm)대, 녹색(Green)은 560 나노미터(nm), 노랑(Yellow)은 585 나노미터(nm), 오렌지색(Orange)은 620 나노미터(nm)의 파장을 형성하고 있다.
종래의 하나의 발광 소자 칩을 가진 발광 반도체 소자는 상기에서 설명한 바와 같이 발광 소자 칩의 활성층 재료에 따라 일정한 파장의 즉, 한 가지 색의 광을 방출하므로 적색(Red)과 청색(Blue)이 혼합된 핑크(pink)색의 광원은 만들 수 없었다. 따라서, 핑크(pink)색의 광원을 얻기 위해서 도 3과 같이 청색 및 적색 각각의 발광 소자 칩을 가진 2개의 발광 반도체 소자를 조합하여 사용해 왔다. 즉, 핑크(pink)색의 광원을 얻기 위해서는 청색 및 적색 발광 소자 칩을 2개를 필요하므로, 크기, 생산비용, 응용 면에서 제약이 있어 왔다.
따라서, 본 발명의 목적은 핑크(pink)색을 발생시킬 수 있는 발광 반도체 소자를 제공하는 것이다. 즉, 하나의 발광 소자 칩으로도 두 종류의 파장이 포함된 핑크(pink)색 광을 발생시키는 발광 반도체 소자를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 핑크(pink)색 광을 발생시키는 핑크(pink)색 발생 장치를 제공하는 것이다.
도 1은 종래의 일반적 구조의 발광 반도체 소자의 단면을 나타낸 도면.
도 2는 종래의 발광 반도체 소자 칩의 구성을 나타내기 위하여 횡단면을 나타낸 도면.
도 3은 종래의 청색 및 적색 각각의 발광 반도체 소자를 조합하여 핑크(pink)색 광원을 만드는 일 예를 나타낸 도면.
도 4는 본 발명의 바람직한 일 실시 예에 따른 형광 물질을 이용한 복합 파장의 광을 발생시키는 발광 반도체 소자의 단면을 나타낸 도면.
도 5는 본 발명의 바람직한 일 실시 예에 따른 형광 물질을 이용한 복합 파장의 광을 발생시키는 발광 반도체 소자로부터 방출되는 광의 파장에 따른 상대적 강도(relative intensity)를 나타내는 그래프.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
110a, 410a…제2 리드(Lead)선 110b, 410b…제1 리드(Lead)선
120, 440…에폭시(Epoxy) 수지 130…발광 소자 칩
131…P층 전극 132…P층 영역(P-Epi)
133…활성층 134…N층 영역(N-Epi)
135…N층 기판(P-sub) 136… N층 전극
140, 430…금선(Au wire) 310…청색(Blue) 발광 소자
330…적색(Blue) 발광 소자 450…형광 물질
420…청색 발광 소자 칩
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 제1 파장의 광을 발생시키는 다층 구조의 발광 소자 칩 및 상기 제 1파장보다 장파장인 제2 파장의 광을 발생시키기 위하여 상기 발광 소자 칩의 양측면 및 상부면을 덮도록 도포(coating)된 형광 물질을 포함하는 핑크색 발광 반도체 소자가 제공될 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 다층 구조의 발광 소자 칩, 형광 물질, 와이어(wire), 제2 리드(Lead)선, 제1 리드(Lead)선 및 에폭시 수지를 포함하는 형광 물질을 이용한 복합 파장의 광을 발생시키는 발광 반도체 소자가 제공된다.
상기 다층 구조의 발광 소자 칩은 제1 파장의 광을 발생시킨다. 상기 형광 물질은 상기 제 1파장보다 장파장인 제2 파장의 광을 발생시키기 위하여 상기 발광 소자 칩의 양측면 및 상부면을 덮도록 도포(coating)된다. 상기 와이어(wire)는 제1 단부가 상기 발광 소자 칩의 P층 전극에 연결되고 제2 단부가 제2 리드선의 일측 단부에 연결된다. 바람직하게는, 상기 와이어(wire)는 금 와이어(Au wire)이다. 상기 제2 리드선의 일측 단부는 상기 와이어(wire)의 단부에 전기적으로 연결되고 타측 단부는 외부의 (+) 전원선과 연결되도록 돌출 되어 나온다. 상기 제1 리드선의 일측 단부는 상기 발광 소자 칩의 N층 전극에 전기적으로 연결되고 타측 단부는 외부의 (-) 전원선과 연결되도록 돌출 되어 나온다. 상기 에폭시 수지는 상기 발광 소자 칩, 형광 물질, 와이어를 내부에 포함하고 상기 제1 리드(Lead)선 및 제2 리드(Lead)선 중 상기 다층 구조의 발광 소자 칩의 전극 부분에 연결되어 있는 단부를 내부에 포함한다. 바람직한 실시 예에서, 상기 다층 구조의 발광 소자 칩에서 발생되는 제1 파장은 청색광의 파장인 450nm 내지 470nm 파장 또는 청색광보다 단파장이 될 수 있다. 또한, 바람직한 실시 예에서, 상기 형광 물질은 망간(manganese)을 첨가한 마그네슘·플루오르·게르마늄(Mg3F2GeO4:Mn)으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시 예에 따르면, 제1 파장을 발생시키는 발광 소자 칩을 제1 리드선 및 제2 리드선과 결선하는 단계 및 상기 제 1파장보다 장파장인 제2 파장의 광을 발생시키기 위하여 상기 발광 소자 칩을 덮도록 형광 물질을 도포(coating)하는 단계를 포함하는 형광 물질을 이용한 복합 파장의 광을 발생시키는 발광 반도체 소자를 제조하는 방법이 제공될 수 있다. 바람직한 실시예에서는, 상기 형광 물질을 도포(coating)하는 단계는 상기 다층 구조의 발광 소자 칩이 형성된 웨이퍼를 다이싱(Dicing) 하기 전에 발광 소자 칩의 상기 제1 파장의 광이 발생되는 상기 활성층의 상부면을 덮도록 도포(coating)한다. 바람직한 실시예에서, 상기 다층 구조의 발광 소자 칩에서 발생되는 제1 파장은 청색광의 파장인 450nm 내지 470nm 파장 또는 청색광보다 단파장이 될 수 있다. 또한, 바람직한 실시예에서, 상기 형광 물질은 망간(manganese)을 첨가한 마그네슘·플루오르·게르마늄(Mg3F2GeO4:Mn)으로 이루어질 수 있다. 또한, 바람직한 실시 예에서는, 상기 형광 물질을 도포(coating)하는 단계는 상기 다층 구조의 발광 소자 칩이 형성된 웨이퍼를 다이싱(Dicing) 한 이후에 상기 발광 소자 칩의 상기 제1 파장의 광이 발생되는 양 측면 및 상층면을 덮도록 도포(coating)한다. 또한, 바람직한 실시 예에서는, 상기 형광 물질을 도포(coating)하는 단계의 상기 형광 물질은 망간(manganese)을 첨가한 마그네슘·플루오르·게르마늄(Mg3F2GeO4:Mn)으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시 예에 따르면, 인쇄 회로 기판, 상기 인쇄 회로 기판 상에 탑재되며, 제1 파장의 광을 발생시키는 적어도 하나의 발광 소자 칩; 상기 제1 파장보다 장파장인 제2 파장의 광을 발생시키기 위하여 상기 발광 소자 칩을 덮도록 도포(coating)된 형광 물질을 포함하는 핑크(pink)광 발생 장치가 제공될 수 있다.
본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 제1 파장의 광을 발생시키는 적어도 하나의 발광 소자 칩을 인쇄 회로 기판에 탑재하는 단계; 상기 제1 파장보다 장파장인 제2 파장의 광을 발생시키기 위하여, 상기 적어도 하나의 발광 소자 칩을 덮도록 형광 물질을 도포(coating)하는 단계를 포함하는 핑크(pink)색 광 발생 장치의 제조 방법이 제공될 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명하기로 한다.
먼저, 형광 물질을 이용하여 백색광을 발생시키는 기술은 특허 출원 NO. 10-2000-0000275로 기출원된 '형광 물질을 이용한 복합 파장의 광을 내는 발광 반도체 소자'에 언급된 바 있다.
본 발명은 상기 출원 NO. 10-2000-0000275의 형광 물질을 바꾸어 줌으로써, 핑크(pink)색 광을 발생시키는 발광 반도체 소자에 관한 것이다.
도 4는 본 발명의 바람직한 일 실시 예에 따른 형광 물질을 이용한 복합 파장의 광(즉 핑크광)을 발생시키는 발광 반도체 소자(400)의 단면을 나타낸 것이다.
도 4를 참조하면, 상기 형광 물질을 이용한 복합 파장의 광을 발생시키는 발광 반도체 소자(400)는 리드(Lead)선(410a, 410b), 에폭시(Epoxy) 수지(440), 발광 소자 칩(420), 금선(Au wire)(430) 및 형광 물질(450)을 포함한다.
상기 제1 리드(Lead)선(410b)은 한 쪽 단부가 외부의 - 전원 선에 연결되고, 반대쪽 단부는 상기 발광 소자 칩(420)의 N층 전극(136)에 - 전원을 공급해주는 역할을 한다. 상기 제2 리드(Lead)선(410a)은 한 쪽 단부가 외부의 + 전원 선에 연결되고, 반대쪽 단부는 상기 금선(Au wire)(430)과 연결되어 상기 금선(Au wire)(430)을 통해 상기 발광 소자 칩(420)의 P층 전극(131)에 + 전원을 공급한다.
상기 발광 소자 칩(420)의 동작을 설명하면 다음과 같다. 상기 제1 리드(Lead)선(410b)에 직류 전원의 - 극( 또는 접지선)을 연결하면 N층 전극(136)에 - 전원이 공급된다. 상기 제2 리드(Lead)선(410a)에 직류 전원의 + 극을 연결하면 금선(Au wire)(430)을 통하여 상기 발광 소자 칩(420)의 P층 전극(131)에 + 전원이 공급된다. 상기와 같이 순 바이어스(forward bias)를 인가하면 P층 전극(131)에서 양전하가 P층 영역(132)을 거쳐 활성층(133)에 도달하고, N층 전극(136)에서는 음전하가 N층 기판(135)과 N층 영역(134)을 거쳐 활성층(133)에 도달한다. 활성층(133)에서는 양전하와 음전하가 N층 영역(134)과 P층 영역(132)의 에너지 차이에 상당하는 파장의 광을 방출한다. 이때 상기 발광 소자 칩에 사용되는 활성층의 재료 및 첨가하는 불순물의 함량에 따라 방출되는 광의 파장이 다르고, 이 파장에 따라 광의 색깔이 결정됨은 이미 설명한 바와 같다. 바람직한 실시 예에서는 청색(Blue) 파장의 광을 발생시키는 발광 소자 칩을 사용한다. 따라서, 청색 발광 소자 칩에 순 바이어스(forward bias)를 인가하면 450 내지 470nm 파장의 청색(Blue) 광이 방출된다.
상기 형광 물질(450)은 상기 발광 소자 칩(420)에서 방출된 광을 흡수하여 흡수된 광 보다 장파장의 광을 발생시킬 수 있도록 상기 발광 소자 칩(420)의 광의 방출되는 영역(이하 발광 영역)을 덮도록 도포(coating)된다. 바람직한 실시 예에서는 상기 형광 물질은 상기 발광 소자 칩(420)의 외부를 도포(coating) 하도록 제작된다. 상기 발광 소자 칩(420)에서 방출된 청색광의 일부는 형광 물질(450)에 흡수되지 않고 그대로 통과하고 청색광의 다른 일부는 형광 물질(450)에 흡수되어 파장의 전이로 인하여 청색 광 보다 파장이 긴 적색(Red) 광으로 바뀌게 된다. 이렇게 바뀐 적색(Red) 광과 상기 형광 물질(450)에 흡수되지 않은 청색(Blue)광이 합쳐져 단일의 발광 소자로 핑크(pink)색의 광원을 만들 수 있다. 바람직한 실시 예에서는, 상기 형광 물질은 상기 청색 발광 소자 칩에서 발생된 청색광보다 장파장인 적색 파장의 광을 만들도록 마그네슘·플루오르·게르마늄(Mg3F2GeO4:Mn)으로 이루어진 화합물에 망간(manganese)을 첨가하여 제조될 수 있다.
상기 에폭시(Epoxy) 수지(440)는 발광 소자 칩(420), 형광 물질(450), 금선(Au wire)(430), 제1 리드(Lead)선(410b) 및 제2 리드(Lead)선(410a)의 일부를 둘러싸도록 되어 있다. 상기 에폭시(Epoxy) 수지(440)는 발광 소자 칩(420) 및 형광 물질(450)을 통해 방출된 적색(Red) 및 청색(Blue)이 혼합된 핑크(pink)색의 광을 외부로 통과시켜주도록 투명체의 물질로 이루어질 수 있다.
도 5는 본 발명의 바람직한 일 실시 예에 따른 형광 물질을 이용한 복합 파장의 광을 발생시키는 발광 반도체 소자로부터 방출되는 광의 파장에 따른 상대적 강도(relative intensity)를 나타내는 그래프이다.
도 5를 참조하면, 상기 발광 반도체 소자로부터 방출되는 핑크(pink)색에 포함되어있는 청색(Blue) 및 적색(Red)의 상대적 강도(relative intensity)가 파장별로 도시되어 있다. 450 나노미터(nm)에서 470 나노미터(nm) 사이의 청색광이 가장 강도가 강하고, 5백90 나노미터(nm)부터 6백60 나노미터(nm)의 광이 일정 강도로 포함되어 있다.
또한, 본 발명에 따른 핑크(pink)광 발생 장치는 인쇄 회로 기판, 적어도 하나의 단색광 발광 소자, 형광 물질을 포함한다. 여기서, 형광 물질은 위에서 설명한 바와 같은 형광 물질을 사용하는 것이 바람직하며, 단색광 발광 소자는 예를 들어 청색광 발광 소자 또는 그 보다 더 단파장의 광을 발생하는 발광 소자가 바람직하다.
이러한, 핑크(pink)광 발생 장치의 제조 방법은 다음과 같다. 먼저, 인쇄 회로 기판을 마련한다. 인쇄 회로 기판 상에, 예를 들어 청색광 발광 다이오드와 같은 단색광 발광 소자를 하나 이상 탑재한다. 이와 같이, 발광 소자를 탑재한 다음, 기판 전면에, 위에서 언급한 바와 같은 형광 물질을 도포한다. 그리하여, 발광 소자로부터 발생되는 청색광의 일부는 형광 물질을 그대로 통과하고, 상기 형광 물질의 다른 일부는 형광 물질의 작용으로 인하여 적색 파장의 광으로 변환된다.
본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 많은 변형이 본 발명의 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 가능함은 물론이다.
상술한 바와 같이 본 발명의 상기 복합 파장의 광을 발생시키는 발광 반도체 소자는 하나의 발광 소자만으로 핑크(pink)색의 광원을 얻을 수 있으므로 소형화에 적합하다는 이점이 있다. 또한, 소자의 개수를 줄일 수 있으므로 회로가 단순화되며, 제조 비용을 획기적으로 줄이는 것이 가능하다. 또한, 소형화에 수반하여 응용할 수 있는 제품의 범위가 크게 넓어진다는 이점이 있다.
또한, 본 발명에 따른 핑크(pink)색 광 발생 장치는 공정이 간단하여, 중, 대형 핑크(pink)색 광 발생 장치를 용이하게 제조할 수 있다는 이점이 있다.

Claims (22)

  1. 제1 파장의 광을 발생시키는 다층 구조의 발광 소자 칩;
    상기 제1 파장보다 장파장인 제2 파장의 광을 발생시키기 위하여 상기 발광 소자 칩의 양측면 및 상부면을 덮도록 도포(coating)된 형광 물질
    을 포함하는 핑크색 발광 반도체 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 다층 구조의 발광 소자 칩에서 발생되는 제1 파장은,
    450nm 내지 470nm인 청색광의 파장 범위인 것을 특징으로 하는 핑크색 발광 반도체 소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 다층 구조의 발광 소자 칩에서 발생되는 제1 파장은,
    청색광보다 단 파장인 것을 특징으로 하는 핑크색 발광 반도체 소자.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 형광 물질은,
    망간(manganese)을 첨가한 마그네슘·플루오르·게르마늄(Mg3F2GeO4:Mn)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 핑크색 발광 반도체 소자.
  5. 제1 파장의 광을 발생시키는 다층 구조의 발광 소자 칩;
    상기 제1 파장보다 장파장인 제2 파장의 광을 발생시키기 위하여 상기 발광 소자 칩의 양측면 및 상부면을 덮도록 도포(coating)된 형광 물질;
    제1 단부가 상기 발광 소자 칩의 P층 전극에 연결되고 제2 단부가 제2 리드선의 일측 단부에 연결되는 와이어(wire);
    일측 단부는 상기 와이어(wire)의 단부에 전기적으로 연결되고 타측 단부는 외부의 (+) 전원선과 연결되도록 돌출 되어 나온 제2 리드(Lead)선;
    일측 단부는 상기 발광 소자 칩의 N층 전극에 전기적으로 연결되고 타측 단부는 외부의 (-) 전원선과 연결되도록 돌출 되어 나온 제1 리드(Lead)선;
    상기 발광 소자 칩, 형광 물질, 와이어를 내부에 포함하고 상기 제1 리드(Lead)선 및 제2 리드(Lead)선 중 상기 다층 구조의 발광 소자 칩의 전극 부분에 연결되어 있는 단부를 내부에 포함하는 에폭시 수지
    를 포함하는 형광 물질을 이용한 복합 파장의 광을 내는 발광 반도체 소자.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 발광 소자 칩은,
    450nm 내지 470nm 파장 범위의 청색광을 발생시키는 것을 특징으로 하는 형광 물질을 이용한 복합 파장의 광을 발생시키는 발광 반도체 소자.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 발광 소자 칩은,
    청색광보다 단 파장범위의 광을 발생시키는 것을 특징으로 하는 형광 물질을 이용한 복합 파장의 광을 발생시키는 핑크색 발광 반도체 소자.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 형광 물질은,
    망간(manganese)을 첨가한 마그네슘·플루오르·게르마늄(Mg3F2GeO4:Mn)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 형광 물질을 이용한 복합 파장의 광을 발생시키는 발광 반도체 소자.
  9. 제1 파장을 발생시키는 발광 소자 칩을 제1 리드선 및 제2 리드선과 결선하는 단계 및
    상기 제1 파장보다 장파장인 제2 파장의 광을 발생시키기 위하여 상기 발광 소자 칩을 덮도록 형광 물질을 도포(coating)하는 단계
    를 포함하는 형광 물질을 이용한 복합 파장의 광을 발생시키는 발광 반도체 소자를 제조하는 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 형광 물질을 도포(coating)하는 단계는,
    상기 다층 구조의 발광 소자 칩이 형성된 웨이퍼를 다이싱(Dicing) 하기 전에 상기 발광 소자 칩의 상부면을 덮도록 도포(coating)하는 단계인 것을 특징으로 하는 형광 물질을 이용한 복합 파장의 광을 발생시키는 발광 반도체 소자를 제조하는 방법.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 형광 물질을 도포(coating)하는 단계는,
    상기 다층 구조의 발광 소자 칩이 형성된 웨이퍼를 다이싱(Dicing) 한 이후에 상기 발광 소자 칩의 양 측면 및 상부면을 덮도록 도포(Coating)하는 단계인 것을 특징으로 하는 형광 물질을 이용한 복합 파장의 광을 발생시키는 발광 반도체 소자를 제조하는 방법.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 제1 파장은,
    450nm 내지 470nm인 청색광의 파장 범위인 것을 특징으로 하는 형광 물질을 이용한 복합 파장의 광을 발생시키는 발광 반도체 소자를 제조하는 방법.
  13. 제9항에 있어서,
    상기 제1 파장은,
    청색광보다 단 파장인 것을 특징으로 하는 형광 물질을 이용한 복합 파장의 광을 발생시키는 발광 반도체 소자를 제조하는 방법.
  14. 제9항에 있어서,
    상기 형광 물질은,
    망간(manganese)을 첨가한 마그네슘·플루오르·게르마늄(Mg3F2GeO4:Mn)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 형광 물질을 이용한 복합 파장의 광을 발생시키는 발광 반도체 소자를 제조하는 방법.
  15. 인쇄 회로 기판, 상기 인쇄 회로 기판 상에 탑재되며, 제1 파장의 광을 발생시키는 적어도 하나의 발광 소자 칩;
    상기 제1 파장보다 장파장인 제2 파장의 광을 발생시키기 위하여 상기 발광 소자 칩을 덮도록 도포(coating)된 형광 물질
    을 포함하는 핑크색 광 발생 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제1 파장은,
    450nm 내지 470nm인 청색광의 파장 범위인 것을 특징으로 하는 핑크색 광 발생 장치.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 제1 파장은,
    청색광보다 단파장인 것을 특징으로 핑크색 광 발생 장치.
  18. 제15항에 있어서,
    상기 형광 물질은,
    망간(manganese)을 첨가한 마그네슘·플루오르·게르마늄(Mg3F2GeO4:Mn)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 핑크(pink)색 광 발생 장치.
  19. 제1 파장의 광을 발생시키는 적어도 하나의 발광 소자 칩을 인쇄 회로 기판에 탑재하는 단계;
    상기 제1 파장보다 장파장인 제2 파장의 광을 발생시키기 위하여, 상기 적어도 하나의 발광 소자 칩을 덮도록 형광 물질을 도포(coating)하는 단계
    를 포함하는 핑크(pink)색 광 발생 장치의 제조 방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 제1 파장은,
    450nm 내지 470nm인 청색광의 파장 범위인 것을 특징으로 하는 핑크(pink)색 광 발생 장치의 제조 방법.
  21. 제19항에 있어서,
    상기 제1 파장은,
    청색광보다 단파장인 것을 특징으로 하는 핑크(pink)색 광 발생 장치의 제조 방법.
  22. 제19항에 있어서,
    상기 형광 물질은,
    망간(manganese)을 첨가한 마그네슘·플루오르·게르마늄(Mg3F2GeO4:Mn)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 핑크(pink)색 광 발생 장치의 제조 방법.
KR10-2000-0028249A 2000-05-25 2000-05-25 형광 물질을 이용한 복합 파장의 광을 발생시키는 발광반도체 소자 KR100372834B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2000-0028249A KR100372834B1 (ko) 2000-05-25 2000-05-25 형광 물질을 이용한 복합 파장의 광을 발생시키는 발광반도체 소자

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2000-0028249A KR100372834B1 (ko) 2000-05-25 2000-05-25 형광 물질을 이용한 복합 파장의 광을 발생시키는 발광반도체 소자

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20010107064A true KR20010107064A (ko) 2001-12-07
KR100372834B1 KR100372834B1 (ko) 2003-02-19

Family

ID=19670182

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2000-0028249A KR100372834B1 (ko) 2000-05-25 2000-05-25 형광 물질을 이용한 복합 파장의 광을 발생시키는 발광반도체 소자

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100372834B1 (ko)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030083452A (ko) * 2002-04-23 2003-10-30 서울반도체 주식회사 고휘도 발광 다이오드 및 그 제조 방법
KR100587126B1 (ko) * 2000-12-22 2006-06-07 산켄덴키 가부시키가이샤 발광다이오드용 투광성 형광커버
KR100691143B1 (ko) * 2003-04-30 2007-03-09 삼성전기주식회사 다층 형광층을 가진 발광 다이오드 소자
KR100694943B1 (ko) * 2002-07-30 2007-03-14 솔리드라이트 코퍼레이션 퍼플리시 핑크색 광 방출 다이오드

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3327170B2 (ja) * 1997-05-17 2002-09-24 日亜化学工業株式会社 発光ダイオードの製造方法
JP2998696B2 (ja) * 1997-05-17 2000-01-11 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
JPH11121808A (ja) * 1997-10-15 1999-04-30 Idec Izumi Corp Ｌｅｄ表示用デバイス
JP3618221B2 (ja) * 1998-04-13 2005-02-09 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2000208822A (ja) * 1999-01-11 2000-07-28 Matsushita Electronics Industry Corp 半導体発光装置
KR200181326Y1 (ko) * 1999-12-24 2000-05-15 서울반도체주식회사 색변환 발광다이오드

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100587126B1 (ko) * 2000-12-22 2006-06-07 산켄덴키 가부시키가이샤 발광다이오드용 투광성 형광커버
KR20030083452A (ko) * 2002-04-23 2003-10-30 서울반도체 주식회사 고휘도 발광 다이오드 및 그 제조 방법
KR100694943B1 (ko) * 2002-07-30 2007-03-14 솔리드라이트 코퍼레이션 퍼플리시 핑크색 광 방출 다이오드
KR100691143B1 (ko) * 2003-04-30 2007-03-09 삼성전기주식회사 다층 형광층을 가진 발광 다이오드 소자

Also Published As

Publication number Publication date
KR100372834B1 (ko) 2003-02-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6909234B2 (en) Package structure of a composite LED
US7278760B2 (en) Light-emitting electronic component
US7922352B2 (en) Device and method for emitting output light using multiple light sources with photoluminescent material
KR100867970B1 (ko) 발광 장치 및 그것을 이용한 조명 기구 또는 액정표시장치
US7781783B2 (en) White light LED device
KR100586731B1 (ko) 발광 다이오드와 전류구동형 집적회로를 구비하며 패키지화된 발광 반도체소자
US6744194B2 (en) Light emitting diode
US20110037081A1 (en) White light-emitting diode packages with tunable color temperature
WO2006028312A1 (en) Semiconductor device for emitting light and method for fabricating the same
KR20060117210A (ko) 교류 발광 소자
US20080315217A1 (en) Semiconductor Light Source and Method of Producing Light of a Desired Color Point
KR20040062374A (ko) 혼색 발광 다이오드
US8714778B2 (en) Light-emitting diode (LED) module with light sensor configurations for optical feedback
US6642545B2 (en) Semiconductor light emitting device
KR100606550B1 (ko) 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법
US20230068569A1 (en) Method for soldering electronic component and method for manufacturing led display
US8872419B2 (en) Light emitting device
US20060006396A1 (en) Phosphor mixture of organge/red ZnSe0.5S0.5:Cu,Cl and green BaSrGa4S7:Eu for white phosphor-converted led
KR100372834B1 (ko) 형광 물질을 이용한 복합 파장의 광을 발생시키는 발광반도체 소자
US20070045648A1 (en) Package structure of light emitting diode
KR20010068371A (ko) 형광 물질을 이용한 복합 파장의 빛을 내는 발광 반도체소자
KR100609970B1 (ko) 발광 소자 실장용 기판 및 그의 제조 방법, 그를 이용한패키지
US20070075346A1 (en) Light emitting diode and the package structure thereof
KR102397909B1 (ko) 기판 및 이를 포함하는 광원 모듈
US20090078953A1 (en) Light emitting diode package structure

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130205

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140206

Year of fee payment: 12

LAPS Lapse due to unpaid annual fee