KR20010068371A - 형광 물질을 이용한 복합 파장의 빛을 내는 발광 반도체소자 - Google Patents

형광 물질을 이용한 복합 파장의 빛을 내는 발광 반도체소자 Download PDF

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Abstract

본 발명은 하나의 발광 소자 칩으로 백색 파장의 빛을 내기 위해 형광 물질을 이용한 복합 파장의 빛을 내는 발광 반도체 소자에 관한 것이다. 상기 복합 파장의 빛을 내는 발광 반도체 소자는 제1 파장의 광을 발생시키는 다층 구조의 반도체 칩 및 상기 제 1파장보다 장파장인 제2 파장 및 제3 파장의 광을 발생시키기 위하여 상기 제1 파장의 광이 발생되는 영역을 덮도록 도포(coating)된 형광 물질을 포함한다. 상기 다층 구조의 반도체 칩에서 발생되는 제1 파장은 청색광의 파장인 450nm 내지 470nm 파장이 바람직하고, 상기 형광 물질은 이트륨(yttrium), 가돌라늄(gadolinium) 및 산화 알루미늄으로 이루어진 혼합물에 세륨(cerium)을 첨가한 화학 물질이 바람직하다. 상기 형광 물질은 상기 다층 구조의 반도체 칩이 형성된 웨이퍼를 다이싱(Dicing) 하기 전에 도포(coating)될 수도 있고, 다이싱(Dicing) 한 이후에 도포(coating)될 수도 있다.
본 발명은 하나의 발광 소자 칩만으로 백색의 광원을 얻을 수 있으므로 필요한 소자의 개수를 줄일 수 있고, 값비싼 제조 원가의 획기적인 절감이 가능하다.

Description

형광 물질을 이용한 복합 파장의 빛을 내는 발광 반도체 소자{Light emitting semiconductor device for emitting lights having complex wavelengths through fluorescent material thereof}
본 발명은 형광 물질을 이용한 복합 파장의 빛을 내는 발광 반도체 소자에 관한 것으로, 특히 하나의 발광소자 칩으로 백색 파장의 빛을 내기 위해 형광 물질을 이용한 복합 파장의 빛을 내는 발광 반도체 소자에 관한 것이다.
화합물 발광 반도체 소자는 반도체라는 특성으로 인해 처리 속도, 전력 소모, 수명 등의 제반 사항에서 큰 장점을 보여 각종 전자 제품의 전자 표시 부품으로 각광받고 있다. 즉, 발광 반도체 소자는 기존 전구 램프처럼 눈이 부시거나 엘리먼트가 단락되는 경우가 없고 소형으로 제작돼 각종 표시소자로 폭넓게 사용되고 있으며 반영구적인 수명(약 1백만 시간)을 가지고 있으므로 그 활용도가 높다.
상기 화합물 반도체 발광 소자는 적외선 발광소자(IRED; Infrared EmittingDiode)와 가시 광선 발광 소자로 크게 구분된다.
화합물 반도체 발광 소자는 반도체라는 특성으로 인해 낮은 소비 전력과 저전압 동작, 빠른 응답 속도, 반영구적인 수명(약 1백만 시간) 등의 장점으로 인하여, 발열 광원(예를 들어, 텅스텐 전구)을 대체하여 폭 넓은 활용이 되고 있고 수요가 급증하고 있다. 전자의 적외선 발광소자는 각종 광 센서의 광원으로 이용되고 있다. 후자의 가시 광선 발광소자는 기존 전구 램프처럼 눈이 부시거나 엘리멘트가 단락되는 경우가 없고 소형으로 제작돼 각종 전자제품의 전자 표시용 전자 소자로 폭 넓게 이용되고 있다.
종래의 일반적 구조의 발광 반도체 소자는 도 1과 같이 리드(Lead)선(110a, 110b), 에폭시(Epoxy) 수지(120), 발광소자 칩(130), 금선(Au wire)(140)으로 구성된다.
상기 발광소자 칩(130)의 동작을 도 2를 참조하여 설명하면 다음과 같다. 상기 발광소자 칩의 P층 전극(131)에 직류 전원의 + 극을 연결하고, N층 전극(136)에 - 전극을 연결하여 순 바이어스(forward bias)를 인가한다. 상기 순 바이어스(forward bias)를 인가하면 P층 전극(131)에서 양전하가 P층 영역(132)을 거쳐 활성층(133)에 도달하고, N층 전극(136)에서는 음전하가 N층 기판(135)과 N층 영역(134)을 거쳐 활성층(133)에 도달한다. 활성층(133)에서는 양전하와 음전하가 N층 영역(134)과 P층 영역(132)의 에너지 차이에 상당하는 파장의 빛을 방출한다. 이때 상기 발광소자 칩에 사용되는 활성층의 재료 및 첨가하는 불순물의 함량에 따라 방출되는 빛의 파장이 다르고, 이 파장에 따라 빛의 색깔이 결정된다. 즉, 활성층 재료의 특성에 따라 하나의 발광 반도체 소자는 한 가지 색, 즉 일정한 파장의 빛을 방출한다.
발광 반도체 소자는 종래 반도체 재료의 특성으로 인하여 적색(Red), 녹색(Green), 노랑(Yellow), 오렌지색(Orange) 및 청색(Blue)의 소자만이 개발되어 사용되고 있다. 청색(Blue)은 인간의 가시광선 영역인 450 나노미터(nm)에서 470 나노미터(nm) 사이이며, 적색(Red)은 700 나노미터(nm)대, 녹색(Green)은 565 나노미터(nm), 노랑(Yellow)은 585 나노미터(nm), 오렌지색(Orange)은 635 나노미터(nm)의 파장을 형성하고 있다.
종래의 하나의 발광소자 칩을 가진 발광 반도체 소자는 상기에서 설명한 바와 같이 발광소자 칩의 활성층 재료에 따라 일정한 파장의 즉, 한 가지 색의 빛을 방출하므로 적색(Red), 녹색(Green) 및 청색(Blue)이 혼합된 백색의 광원은 만들 수 없었다. 따라서, 백색의 광원을 얻기 위해서 도 3과 같이 적색(Red), 녹색(Green) 및 청색(Blue) 각각의 발광 소자 칩을 가진 3개의 발광 반도체 소자를 조합하여 사용해 왔다. 즉, 백색의 광원을 얻기 위해서는 적색(Red), 녹색(Green) 및 청색(Blue) 발광 소자 칩을 3개를 필요하므로, 크기, 생산비용, 응용 면에서 제약이 있어 왔다.
따라서, 본 발명의 목적은 백색광을 낼 수 있는 발광 반도체 소자를 제공하는 것이다. 즉, 하나의 발광 소자 칩으로도 여러 가지 파장이 포함된 백색의 광을발하는 발광 반도체 소자를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 백색의 광을 발하는 백색광 발생 장치를 제공하는 것이다.
도 1은 종래의 일반적 구조의 발광 반도체 소자의 단면을 나타낸 도면.
도 2는 종래의 발광 반도체 소자 칩의 구성을 나타내기 위하여 횡단면을 나타낸 도면.
도 3은 종래의 빨강, 녹색, 청색 각각의 발광 반도체 소자를 조합하여 백색 광원을 만드는 일 예를 나타낸 도면.
도 4는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 형광 물질을 이용한 복합 파장의 빛을 내는 발광 반도체 소자의 단면을 나타낸 도면.
도 5는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 형광 물질을 이용한 복합 파장의 빛을 내는 발광 반도체 소자로부터 방출되는 빛의 파장에 따른 상대적 강도(relative intensity)를 나타내는 그래프.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
110a, 410a…제2 리드(Lead)선 110b, 410b…제1 리드(Lead)선
120, 440…에폭시(Epoxy) 수지 130…발광소자 칩
131…P층 전극 132…P층 영역(P-Epi)
133…활성층 134…N층 영역(N-Epi)
135…N층 기판(P-sub) 136… N층 전극
140, 430…금선(Au wire) 310…청색(Blue) 발광소자
320…녹색(Green) 발광소자 330…적색(Blue) 발광소자
450…형광 물질 420…청색 발광소자 칩
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 형광 물질을 이용한 복합 파장의 빛을 내는 발광 반도체 소자는 제1 파장의 광을 발생시키는 다층 구조의 반도체 칩 및 상기 제 1파장보다 장파장인 제2 파장 및 제3 파장의 광을 발생시키기 위하여 상기 제1 파장의 광이 발생되는 영역을 덮도록 도포(coating)된 형광 물질을 포함한다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 형광 물질을 이용한 복합 파장의 빛을 내는 발광 반도체 소자는 다층 구조의 반도체 칩(420), 형광 물질(450), 와이어(wire)(430), 제2 리드(Lead)선(410a), 제1 리드(Lead)선(410b) 및 에폭시 수지(440)가 제공된다. 상기 다층 구조의 반도체 칩(420)은 제1 파장의 광을 발생시킨다. 상기 형광 물질(450)은 상기 제 1파장보다 장파장인 제2 파장 및 제3 파장의 광을 발생시키기 위하여 상기 제1 파장의 광이 발생되는 영역을 덮도록 도포(coating)된다. 상기 와이어(wire)(430)는 제1 단부가 상기 반도체 칩의 제2 전극에 연결되고 제2 단부가 상기 반도체 칩의 외부로 돌출 되어 나온다. 바람직하게는, 상기 와이어(wire)(430)는 금 와이어(Au wire)이고, 상기 제2 전극은 P층 전극이다. 상기 제2 리드선(410a)의 한 쪽 단부는 상기 와이어(wire)(430)의 제2단부에 전기적으로 연결되고 다른 쪽 부분은 외부의 제2 전원과 연결되도록 돌출 되어 나온다. 바람직하게는 상기 제2 전원은 +전원이다. 상기 제1 리드선(410b)의 한 쪽 단부는 상기 반도체 칩(420)의 제1 전극에 전기적으로 연결되고 다른 쪽 부분은 외부의 제1 전원과 연결되도록 돌출 되어 나온다. 바람직하게는, 상기 제1 전극은 N층 전극이고, 상기 제1 전원은 -전원이다. 상기 에폭시 수지(440)는 상기 반도체 칩(420), 형광 물질(450), 와이어(430)를 내부에 포함하고 상기 제1 리드(Lead)선(410b) 및 제2 리드(Lead)선(410a) 중 상기 다층 구조의 반도체 칩의 전극 부분에 연결되어 있는 부분을 내부에 포함한다.
바람직한 실시예에서, 상기 다층 구조의 반도체 칩(420)에서 발생되는 제1 파장은 청색광의 파장인 450nm 내지 470nm 파장 또는 청색광보다 단파장이 될 수 있다. 또한, 바람직한 실시예에서, 상기 형광 물질은 이트륨(yttrium), 가돌라늄(gadolinium) 및 산화 알루미늄으로 이루어진 혼합물에 세륨(cerium)을 첨가한 화학 물질이 될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 형광 물질을 이용한 복합 파장의 빛을 내는 발광 반도체 소자를 제조하는 방법은 웨이퍼 상에 제1 파장의 광을 발생시키는 활성층을 포함하는 다층 구조를 형성하는 단계; 상기 다층 구조가 형성된 웨이퍼 상부면 및 하부면 상에 제1 전극과 제2 전극을 형성하는 단계 및 상기 제 1파장보다 장파장인 제2 파장 및 제3 파장의 광을 발생시키기 위하여 상기 제1 파장의 광이 발생되는 영역을 덮도록 형광 물질을 도포(coating)하는 단계를 포함한다. 바람직한 실시예에서는, 상기 형광 물질을 도포(coating)하는 단계는 상기 다층 구조의 반도체 칩이 형성된 웨이퍼를 다이싱(Dicing) 하기 전에 반도체 칩의 상기 제1 파장의 광이 발생되는 상기 활성층의 상부면을 덮도록 도포(coating)한다. 바람직한 실시예에서, 상기 다층 구조의 반도체 칩에서 발생되는 제1 파장은 청색광의 파장인 450nm 내지 470nm 파장 또는 청색광보다 단파장이 될 수 있다. 또한, 바람직한 실시예에서, 상기 형광 물질은 이트륨(yttrium), 가돌라늄(gadolinium) 및 산화 알루미늄으로 이루어진 혼합물에 세륨(cerium)을 첨가한 화학 물질이 될 수 있다. 또한, 바람직한 실시예에서는, 상기 형광 물질을 도포(coating)하는 단계는 상기 다층 구조의 반도체 칩(420)이 형성된 웨이퍼를 다이싱(Dicing) 한 이후에 상기 반도체 칩의 상기 제1 파장의 광이 발생되는 양 측면 및 상층면을 덮도록 도포(coating)한다. 또한, 바람직한 실시예에서는, 상기 형광 물질을 도포(coating)하는 단계의 형광 물질은 이트륨(yttrium), 가돌라늄(gadolinium) 및 산화 알루미늄으로 이루어진 혼합물에 세륨(cerium)을 첨가한 화학 물질이 될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 인쇄 회로 기판; 상기 인쇄 회로 기판 상에 탑재되며, 제1 파장의 광을 발생시키는 적어도 하나의 발광 반도체 소자; 상기 제 1파장보다 장파장인 제2 파장 및 제3 파장의 광을 발생시키기 위하여 상기 발광 반도체 소자를 덮도록 도포(coating)된 형광 물질을 포함하는 백생광 발생 장치가 제공된다.
본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 제1 파장의 광을 발하는 적어도 하나의 발광 반도체 소자를 인쇄 회로 기판에 탑재하는 단계; 상기 제1 파장보다 장파장인 제2 파장 및 제3 파장의 광을 발생시키기 위하여, 상기 적어도 하나의 발광 반도체 소자를 덮도록 형광 물질을 도포(coating)하는 단계를 포함하는 백색광 발생 장치의 제조 방법이 제공된다.
이어서, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 4는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 형광 물질을 이용한 복합 파장의 빛(즉 백색광)을 내는 발광 반도체 소자(400)의 단면을 나타낸 것이다.
도 4를 참조하면, 상기 형광 물질을 이용한 복합 파장의 빛을 내는 발광 반도체 소자(400)는 리드(Lead)선(410a, 410b), 에폭시(Epoxy) 수지(440), 발광소자 칩(420), 금선(Au wire)(430) 및 형광 물질(450)을 포함한다.
상기 리드(Lead)선(410a)은 한 쪽 단부가 외부의 + 전원 선에 연결되고, 반대쪽 단부는 상기 금선(Au wire)(430)과 연결되어 상기 금선(Au wire)(430)을 통해 상기 발광소자 칩(420)의 P층 전극(131)에 + 전원을 공급한다. 상기 리드(Lead)선(410b)은 한 쪽 단부가 외부의 - 전원 선에 연결되고, 반대쪽 단부는 상기 발광소자 칩(420)의 N층 전극(136)에 - 전원을 공급해주는 역할을 한다.
상기 발광소자 칩(420)의 동작을 설명하면 다음과 같다. 상기 리드(Lead)선(410a)에 직류 전원의 + 극을 연결하면 금선(Au wire)(430)을 통하여 상기 발광소자 칩(420)의 P층 전극(131)에 + 전원이 공급된다. 상기 리드(Lead)선(410b)에 직류 전원의 - 극( 또는 접지선)을 연결하면 N층 전극(136)에 - 전원이 공급된다. 상기와 같이 순 바이어스(forward bias)를 인가하면 P층전극(131)에서 양전하가 P층 영역(132)을 거쳐 활성층(133)에 도달하고, N층 전극(136)에서는 음전하가 N층 기판(135)과 N층 영역(134)을 거쳐 활성층(133)에 도달한다. 활성층(133)에서는 양전하와 음전하가 N층 영역(134)과 P층 영역(132)의 에너지 차이에 상당하는 파장의 빛을 방출한다. 이때 상기 발광소자 칩에 사용되는 활성층의 재료 및 첨가하는 불순물의 함량에 따라 방출되는 빛의 파장이 다르고, 이 파장에 따라 빛의 색깔이 결정됨은 이미 설명한 바와 같다. 바람직한 실시예에서는 청색(Blue) 파장의 빛을 내는 발광 소자 칩을 사용한다. 따라서, 청색 발광소자 칩에 순 바이어스(forward bias)를 인가하면 450 내지 470nm 파장의 청색(Blue) 광이 방출된다.
상기 형광 물질(450)은 상기 발광소자 칩(420)에서 방출된 빛을 흡수하여 흡수된 빛 보다 장파장의 빛을 발생시킬 수 있도록 상기 발광소자 칩(420)의 빛이 방출되는 영역(이하 발광 영역)을 덮도록 도포(coating)된다. 바람직한 실시예에서는 상기 형광 물질은 상기 발광 소자 칩(420)의 외부를 도포(coating) 하도록 제작된다. 상기 발광소자 칩(420)에서 방출된 청색광의 일부는 그대로 통과하고 나머지는 형광 물질(450)에 작용하여 청색 광 보다 파장이 긴 적색(Red) 광 및 녹색(Green) 광을 발생시킨다. 이렇게 발생된 적색(Red) 광 및 녹색(Green) 광과 상기 형광 물질(450)과 반응하지 않은 청색(Blue)광이 합쳐져 단일의 발광 소자로 백색의 광원을 만들 수 있다. 바람직한 실시예에서는, 상기 형광 물질은 상기 청색 발광 소자 칩에서 발생된 청색광보다 장파장인 빨강 및 녹색의 파장의 빛을 만들도록 이트륨(yttrium), 가돌라늄(gadolinium) 및 산화 알루미늄으로 이루어진 혼합물에 세륨(cerium)을 첨가하여 제조될 수 있다. 바람직하게는 상기 형광 물질은 (Y,Gd)3Al5O12:Ce 가 사용될 수 있다.
상기 에폭시(Epoxy) 수지(440)는 발광소자 칩(420), 형광 물질(450), 금선(Au wire)(430), 제1 리드(Lead)선(410b) 및 제2 리드(Lead)선(410a)의 일부를 둘러싸도록 되어 있다. 상기 에폭시(Epoxy) 수지(440)는 발광소자 칩(420) 및 형광 물질(450)을 통해 방출된 적색(Red), 녹색(Green) 및 청색(Blue)이 혼합된 백색의 광원을 외부로 통과시켜주도록 투명체의 물질로 이루어질 수 있다.
도 5는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 형광 물질을 이용한 복합 파장의 빛을 내는 발광 반도체 소자로부터 방출되는 빛의 파장에 따른 상대적 강도(relative intensity)를 나타내는 그래프이다.
도 5를 참조하면, 상기 발광 반도체 소자로부터 방출되는 백색 광에 포함되어있는 청색(Blue), 녹색(Green) 및 적색(Red)의 상대적 강도(relative intensity)가 파장별로 도시되어 있다. 450 나노미터(nm)에서 470 나노미터(nm) 사이의 청색광이 가장 강도가 강하고, 5백65 나노미터(nm)의 녹색 광 및 5백65 나노미터(nm)부터 6백 나노미터(nm)의 광이 일정 강도로 포함되어 있다.
또한, 본 발명에 따른 백색광 발생 장치는 인쇄 회로 기판, 적어도 하나의 단색광 발광 소자, 형광 물질을 포함한다. 여기서, 형광 물질은 위에서 설명한 바와 같은 형광 물질을 사용하는 것이 바람직하며, 단색광 발광 소자는 예를 들어 청색광 발광 소자 또는 그 보다 더 단파장의 광을 발생하는 발광 소자가 바람직하다.
이러한, 백색광 발생 장치의 제조 방법은 다음과 같다. 먼저, 인쇄 회로 기판을 마련한다. 인쇄 회로 기판 상에, 예를 들어 청색광 발광 다이오드와 같은 단색광 발광 소자를 하나 이상 탑재한다. 이와 같이, 발광 소자를 탑재한 다음, 기판 전면에, 위에서 언급한 바와 같은 형광 물질을 도포한다. 그리하여, 발광 소자로부터 발생되는 청색광의 일부는 형광 물질을 그대로 통과하고, 나머지 일부는 형광 물질에 작용하여 적색 또는 녹색 등과 같은 다양한 파장의 광으로 변환된다.
본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 많은 변형이 본 발명의 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 가능함은 물론이다.
상술한 바와 같이 본 발명의 상기 복합 파장의 빛을 내는 발광 반도체 소자는 하나의 발광 소자만으로 백색의 광원을 얻을 수 있으므로 소형화에 적합하다는 이점이 있다. 또한, 소자의 개수를 줄일 수 있으므로 회로가 단순화되며, 제조 비용을 획기적으로 줄이는 것이 가능하다. 또한, 소형화에 수반하여 응용할 수 있는 제품의 범위가 크게 넓어진다는 이점이 있다.
또한, 본 발명에 따른 백색광 발생 장치는 공정이 간단하여, 중, 대형 백색광 발생 장치를 용이하게 제조할 수 있다는 이점이 있다.

Claims (22)

  1. 제1 파장의 광을 발생시키는 다층 구조의 반도체 칩 및
    상기 제 1파장보다 장파장인 제2 파장 및 제3 파장의 광을 발생시키기 위하여 상기 제1 파장의 광이 발생되는 영역을 덮도록 도포(coating)된 형광 물질
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 반도체 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 다층 구조의 반도체 칩에서 발생되는 제1 파장은 청색광의 파장인 450nm 내지 470nm 파장인 것을 특징으로 하는 발광 반도체 소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 다층 구조의 반도체 칩에서 발생되는 제1 파장은 청색광보다 단 파장인 것을 특징으로 하는 발광 반도체 소자.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 형광 물질은,
    이트륨(yttrium), 가돌라늄(gadolinium) 및 산화 알루미늄으로 이루어진 혼합물에 세륨(cerium)을 첨가한 화학 물질로 되는 것을 특징으로 하는 발광 반도체 소자.
  5. 제1 파장의 광을 발생시키는 다층 구조의 반도체 칩;
    상기 제 1파장보다 장파장인 제2 파장 및 제3 파장의 광을 발생시키기 위하여 상기 제1 파장의 광이 발생되는 영역을 덮도록 도포(coating)된 형광 물질;
    제1 단부가 상기 반도체 칩의 제2 전극에 연결되고 제2 단부가 상기 반도체 칩의 외부로 돌출 되어 나온 와이어(wire);
    한 쪽 단부는 상기 와이어(wire)의 제2 단부에 전기적으로 연결되고 다른 쪽 부분은 외부의 제2 전원과 연결되도록 돌출 되어 나온 제2 리드(Lead)선;
    한 쪽 단부는 상기 반도체 칩의 제1 전극에 전기적으로 연결되고 다른 쪽 부분은 외부의 제1 전원과 연결되도록 돌출 되어 나온 제1 리드(Lead)선 및
    상기 반도체 칩, 형광 물질, 와이어를 내부에 포함하고 상기 제1 리드(Lead)선 및 제2 리드(Lead)선 중 상기 다층 구조의 반도체 칩의 전극 부분에 연결되어 있는 부분을 내부에 포함하는 에폭시 수지
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 형광 물질을 이용한 복합 파장의 빛을 내는 발광 반도체 소자.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 반도체 칩은,
    450nm 내지 470nm 파장의 청색광을 발생시키는 것을 특징으로 하는 형광 물질을 이용한 복합 파장의 빛을 내는 발광 반도체 소자.
  7. 제5항 또는 제6항에 있어서,
    상기 형광 물질은,
    이트륨(yttrium), 가돌라늄(gadolinium) 및 산화 알루미늄으로 이루어진 혼합물에 세륨(cerium)을 첨가한 화학 물질로 되는 것을 특징으로 하는 형광 물질을 이용한 복합 파장의 빛을 내는 발광 반도체 소자.
  8. 웨이퍼 상에 제1 파장의 광을 발생시키는 활성층을 포함하는 다층 구조를 형성하는 단계;
    상기 다층 구조가 형성된 웨이퍼 상부면 및 하부면 상에 제1 전극과 제2 전극을 형성하는 단계 및
    상기 제 1파장보다 장파장인 제2 파장 및 제3 파장의 광을 발생시키기 위하여 상기 제1 파장의 광이 발생되는 영역을 덮도록 형광 물질을 도포(coating)하는단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 형광 물질을 이용한 복합 파장의 빛을 내는 발광 반도체 소자를 제조하는 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1 파장은 450nm 내지 470nm 인 것을 특징으로 하는 형광 물질을 이용한 복합 파장의 빛을 내는 발광 반도체 소자를 제조하는 방법.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 제1 파장은 청색광보다 단파장인 것을 특징으로 하는 형광 물질을 이용한 복합 파장의 빛을 내는 발광 반도체 소자를 제조하는 방법.
  11. 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    형광 물질을 도포(coating)하는 단계는,
    상기 다층 구조의 반도체 칩이 형성된 웨이퍼를 다이싱(Dicing) 하기 전에 반도체 칩의 상기 제1 파장의 광이 발생되는 영역의 상부면을 덮도록 도포(coating)하는 단계인 것을 특징으로 하는 형광 물질을 이용한 복합 파장의 빛을 내는 발광 반도체 소자를 제조하는 방법.
  12. 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    형광 물질을 도포(coating)하는 단계는,
    상기 다층 구조의 반도체 칩이 형성된 웨이퍼를 다이싱(Dicing) 한 이후에 상기 반도체 칩의 상기 제1 파장의 광이 발생되는 영역의 양 측면 및 상부면을 덮도록 도포(coating)하는 단계인 것을 특징으로 하는 형광 물질을 이용한 복합 파장의 빛을 내는 발광 반도체 소자를 제조하는 방법.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 형광 물질을 도포(coating)하는 단계의 형광 물질은,
    이트륨(yttrium), 가돌라늄(gadolinium) 및 산화 알루미늄으로 이루어진 혼합물에 세륨(cerium)을 첨가한 화학 물질로 되는 것을 특징으로 하는 형광 물질을 이용한 복합 파장의 빛을 내는 발광 반도체 소자를 제조하는 방법.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 형광 물질을 도포(coating)하는 단계의 형광 물질은,
    이트륨(yttrium), 가돌라늄(gadolinium) 및 산화 알루미늄으로 이루어진 혼합물에 세륨(cerium)을 첨가한 화학 물질로 되는 것을 특징으로 하는 형광 물질을 이용한 복합 파장의 빛을 내는 발광 반도체 소자를 제조하는 방법.
  15. 인쇄 회로 기판;
    상기 인쇄 회로 기판 상에 탑재되며, 제1 파장의 광을 발생시키는 적어도 하나의 발광 반도체 소자;
    상기 제 1파장보다 장파장인 제2 파장 및 제3 파장의 광을 발생시키기 위하여 상기 발광 반도체 소자를 덮도록 도포(coating)된 형광 물질
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 백색광 발생 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제1 파장은 450nm 내지 470nm 인 것을 특징으로 하는 백색광 발생 장치.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 제1 파장은 청색광보다 단파장인 것을 특징으로 백색광 발생 장치.
  18. 제15항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 형광 물질은,
    이트륨(yttrium), 가돌라늄(gadolinium) 및 산화 알루미늄으로 이루어진 혼합물에 세륨(cerium)을 첨가한 화학 물질로 되는 것을 특징으로 하는 백색광 발생 장치.
  19. 제1 파장의 광을 발하는 적어도 하나의 발광 반도체 소자를 인쇄 회로 기판에 탑재하는 단계;
    상기 제1 파장보다 장파장인 제2 파장 및 제3 파장의 광을 발생시키기 위하여, 상기 적어도 하나의 발광 반도체 소자를 덮도록 형광 물질을 도포(coating)하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 백색광 발생 장치의 제조 방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 제1 파장은 450nm 내지 470nm 의 청색광인 것을 특징으로 하는 백색광 발생 장치의 제조 방법.
  21. 제19항에 있어서,
    상기 제1 파장은 청색광보다 단파장인 것을 특징으로 하는 백색광 발생 장치의 제조 방법.
  22. 제19항에 있어서,
    상기 형광 물질은, 이트륨(yttrium), 가돌라늄(gadolinium) 및 산화 알루미늄으로 이루어진 혼합물에 세륨(cerium)을 첨가한 화학 물질로 되는 것을 특징으로 하는 백색광 발생 장치의 제조 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100449140B1 (ko) * 2002-01-24 2004-09-22 서울반도체 주식회사 백색 발광 다이오드 및 그 제조 방법
KR100576892B1 (ko) * 2001-03-30 2006-05-03 스미토모덴키고교가부시키가이샤 발광장치
KR100691143B1 (ko) * 2003-04-30 2007-03-09 삼성전기주식회사 다층 형광층을 가진 발광 다이오드 소자

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