KR20010106470A - 소자층의 기계적 형상화 - Google Patents

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KR20010106470A
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종 첸
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Abstract

본 발명은, 원하는 형상을 보유하는 스탬프를 이용하여 소자층을 기계적으로 형상화하는 단계를 포함하는 소자를 제조하는 방법에 관한 것이다. 비형상화 영역은 균열되지 않고 소자층을 형상화시키는 하중 하에서 기판을 대항하여 상기 스탬프가 가압된다.

Description

소자층의 기계적 형상화{MECHANICAL PATTERNING OF A DEVICE LAYER}
소자를 제조할 때, 기판 상에 하나 이상의 소자층이 형성된다. 이러한 층은 기판의 표면 상에 피쳐(features)를 형성하도록 연속적으로 증착되어 형상화된다. 이들 층은 요구되는 피쳐를 형성하도록 개별적 및/또는 층들의 결합으로서 형상화될 수 있다. 피쳐는 요구되는 기능을 실행하는 부품으로서 기능하며 소자를 형성한다.
특히 주목받는 한 가지 유형의 소자는 발광 다이오드(light emitting diode: LED)이다. 전형적으로, 발광 다이오드 셀(cell) 또는 픽셀(pixel)은, 기능적 스택(stack)을 형성하도록 2개의 전극 사이에 개재(sandwich)되는 하나 이상의 기능적 층을 포함한다. 전하 캐리어(charge carriers)는 2개의 전극으로부터 주사된다. 이들 전하 캐리어는 기능적 층(들)에서 재결합되어 가시광선이 방출되게 한다. 최근에, 괄목할 만한 발전은, 유기 발광 다이오드(OLED)를 형성하도록 유기 기능적 층을 이용해 오고 있다. 이러한 소자는 약 0.3 내지 1.1mm의 두께를 가지는 강성 유리 기판 상에 제조된다.
전형적으로, 유기 발광 다이오드 소자는 평면 디스플레이(FPD)와 같은 디스플레이를 형성하도록 배열된 복수의 유기 발광 다이오드 픽셀을 포함한다. 픽셀화된 유기 발광 다이오드 소자는 예컨대, 기판 상에 형성된 복수의 제 1 전극 스트립을 포함한다. 이들 제 1 전극 스트립은 제 1 방향으로 배열된다. 제 1 전극 스트립 상에는 하나 이상의 유기층이 형성된다. 이러한 유기층 위에 제 2 방향으로 복수의 제 2 전극 스트립이 형성된다. 전형적으로, 제 1 전극 스트립 및 제 2 전극 스트립은 서로 직교한다. 제 1 전극 스트립과 제 2 전극 스트립의 교차점이 발광 다이오드 픽셀을 형성한다.
전극층을 형상화하므로써 기판 상에 제 1 전극 스트립이 생성된다. 종래에는 포토리소그래피(photolithographic) 및 에칭 공정(etching process)에 의해 전극층을 형상화한다. 예컨대, 이러한 전극 상에는 감광성 레지스트층(photosensitive resist layer)이 증착된다. 이러한 레지스트층은, 마스크에 의해 형성된 원하는 형상을 가지는 방사선(radiation)에 의해 노출된다. 전개된 후, 전극 아래의 부분을 노출하도록 원하는 않는 레이지스가 제거된다. 노출된 부분은 습윤 에칭(wet etching)에 의해 제거되며, 전극층 상에 원하는 형상이 남는다. 따라서, 전극을 형상화하는 종래의 기술은 다수의 단계를 요구하며, 원료 가공 시간을 증가시키고 제조 비용이 부담이 된다.
상술한 설명에 의해 증명되었듯이, 소자층을 형상화하는 단순화된 공정을 제공하는 것이 바람직하다.
본 발명은 소자의 제조에 관한 것이다. 보다 구체적으로 본 발명은 기판 상에 소자를 형상화하는 것에 관한 것이다.
도 1은 유기 픽셀 발광 다이오드를 도시한다.
도 2 내지 도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 소자층을 형상화하는 공정을 도시한다.
도 5는 소자층을 형상화하는 다른 공정을 도시한다.
본 발명은 소자를 제조하는 동안 기판 상에 소자층을 형상화하는 것에 관한 것이다. 본 발명에 따라서, 상부에 형상을 가지는 스탬프(stamp)를 이용하여 소자층의 형상화를 달성한다. 소자층을 형상화하도록 소자층의 두께보다 큰 높이를 가지는 돌출부에 의해 이러한 형상을 형성한다. 소자층을 형상화하는 하중 하에서 기판의 표면에 대하여 스탬프가 가압된다. 이러한 하중은, 형상화된 영역의 에지(edges)를 균열시키지만 비형상화 영역은 균열시키지 않게 정밀하게 제어하도록 선택된다.
본 발명은 일반적으로 소자를 제조하는 것에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 기판 상에 소자층을 형상화하는 공정을 설명하며, 보다 구체적으로 연성 또는 가요성 기판 상에 형성되는 소자층에 관한 것이다. 본 발명에 의해 다양한 형태의 소자가 형성된다. 예컨대, 전기적, 기계적 또는 전기 기계적 소자가 형성될 수 있다. 또한, 본 발명은 마이크로 전기 기계적 시스템(microelectromechanical system: MEMS)를 제조하는 데에 유용할 수 있다. 일실시예에서, 픽셀화된 유기 발광 다이오드를 형성하는 공정이 제공된다.
도 1은 유기 발광 다이오드 픽셀의 단면을 도시한다. 도시한 바와 같이, 기판(101)은 발광 다이오드 픽셀을 지지한다. 도전층(110)과 도전층(150) 사이에 형성된 하나 이상의 기능적 층을 포함하는 기능적 스택(105)이 기판 상에 형성되며, 발광 다이오드 픽셀을 생성한다. 도전층(110)은 양극(anode)으로서 작용하며, 도전층(150)은 음극(cathode)으로서 작용한다.
평면 디스플레이를 형성하도록 기판 상에 복수의 발광 다이오드 픽셀이 배열된다. 셀방식 폰(cellular phones), 셀방식 스마트 폰(cellular smart phones), 퍼스널 오거나이저(personal organizers), 휴대용 소형 무선 호출기(pagers), 광고 패널(advertising panel), 터치 스크린 디스플레이(touch screen displays), 화상회의 소자(teleconferencing equipment), 멀티미디어 소자(multimedia equipment), 가상 실물 제품 및 디스플레이 키오스크(display kiosks)를 포함하는 다양한 소비자 전자 제품에 평면 디스플레이를 사용하고 있다.
도 2 내지 도 5는 소자를 제조할 때 기판 상에 소자층을 형상화하는 공정을 도시한다. 일실시예에서, 제조되는 소자는 픽셀화된 유기 발광 다이오드 소자를 포함한다. 센서 어래이(sensor arrays)를 포함하는 전기 및/또는 기계적 소자와 같은 다른 유형의 소자도 유용하다.
도 2를 참조하면, 위에 소자의 능동 부품이 형성되는 기판(201)이 제공된다. 이러한 기판은 플라스틱 또는 폴리머 물질을 포함한다. 일실시예에서, 가요성 소자를 형성하기 위해 기판이, 폴리(에틸렌 테레프탈레이트)(PET) 또는 폴리에스테르와 같은 가요성 기판을 포함한다. 예컨대, 유기 발광 다이오드 디스플레이용 디스플레이 표면으로서 기능하도록 기판은 투명 기판을 포함할 수 있다. 가요성 디스플레이를 형성하기 위해 가요성 투명 기판을 이용하는 것도 유용하다. 폴리(에틸렌 테레프탈레이트)(PET), 폴리(부틸렌 테레프탈레이트)(PBT), 폴리(엔틸렌 나프탈레이트)(PEN), 폴리카보네이트(PC), 폴리이미드(PI), 폴리설폰(PSO), 및 폴리(p-페닐렌 에테르 설폰)(PES)과 같은 다양한 형태의 플라스틱 기판이 유용하다. 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 폴리(비닐 클로라이드)(PVC), 폴리스틸렌(PS) 및 폴리(메틸 아크릴산메틸)(PMMA)와 같은 다른 기판도 이용할 수 있다.
일실시예에서, 능동 부품을 지지하기 위한 제조 공정 동안 충분한 기계적 완전성을 제공하면서, 박막 소자가 되도록 기판이 얇아야 한다. 제조 공정 동안 충분한 기계적 완전성을 제공하면서 기판이 가능한 얇은 것이 바람직하다. 기판 두께는 예컨대 약 20 내지 200 ㎛이다. 보다 두꺼운 기판도 유용하다. 예컨대, 보다 두꺼운 기판은 소자의 두께 또는 가요성이 문제되지 않는 곳에 이용할 수 있다.
기판 상에 소자층(210)이 형성된다. 소자층은 예컨대 도전층을 포함한다. 유전체 또는 반도체와 같은 다른 유형의 소자층도 유용하다. 일실시예에서, 소자층은 발광 다이오드 소자에 대한 전극으로서 기능하는 투명 도전층을 포함한다. 투명 도전층은 예컨대 산화인듐주석(indium-tin-oxide: ITP)을 포함한다. 산화인듐주석은 발광 다이오드 소자의 투명 양극을 형성하는데 유용하다. 산화아연 또는 산화인듐주석을 포함하는 다른 투명 도전층도 유용하다. 소자층을 형성하는데 있어서, 화학 기상 증착(CVD), 물리 기상 증착(PVD) 및 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD)와 같은 다양한 기술을 채용할 수 있다. 예컨대 약 100 nm의 두께로 기판 상에 소자층을 증착한다. 물론 이러한 두께는 설계 요건에 따라 변경될 수 있다.
표면(231) 상에 원하는 형상을 포함하는 스탬프(280)가 제공된다. 이러한 형상은 표면(231) 상의 돌출부(285)에 의해 형성된다. 스탬프는 강(steel), 실리콘 또는 세라믹과 같은 경질 재료(hard material)로 이루어진다. 충분히 경질인 다른 재료도 스탬프를 형성하는데 이용할 수 있다.
일실시예에서, 형상은 소자층의 두께 보다 깊다. 이것은 소자층의 적절한 형상화를 보장한다. 그러나, 돌출부의 높이는 기판의 지지 기능을 손상시키는 높이보다 작아야 한다. 일실시예에서, 돌출부의 높이는 소자층 두께의 적어도 2 내지 10배이며, 바람직하게 소자층 두께의 5-10배이다. 예컨대, 100㎜ 두께의 소자층에 대해 돌출부의 높이는 약 0.5 내지 1㎛이다. 돌출부의 높이는 기판의 기계적 특성 및 두께에 따라 최적화될 수 있다.
도 3을 참조하면, 스탬프(280) 상에 하중이 인가되어 기판(201)에 대해 스탬프를 가압한다. 이로 인해 스탬프 상의 형상이 기판에 옮겨진다. 스탬프 상에 인가된 하중은, 소자층(210)이 형상화되면서 능동 또는 비형상화 영역에서 소자층(210)이 균열되는 것을 방지하기에 충분하다. 일실시예에서, 하중의 순압력(net pressure)은 종래의 폴리머 기판에 대해 약 200 내지 400 MPa이다. 대체로, 요구되는 순압력은 기판 물질의 수율 강도(yield strength)에 약 1.1배를 초과해야 한다.
도 4를 참조하면, 스탬프는 기판으로부터 상승된다. 도시한 바와 같이, 스탬프 상의 형상은 소자층 위에 전달된다. 일실시예에서, 소자층은 기판 상에 전극스트립을 형성하도록 형상화된다. 종래의 공정이 계속되어 소자를 형성한다.
일실시예에서, 유기 발광 다이오드 소자의 유기 발광 다이오드 픽셀을 제조하도록 공정이 계속된다. 예컨대, 미국특허 제 4,720,432 호 및 버로프(Burroughs) 등의 Nature 347 (1990) 539에는 유기 발광 다이오드 픽셀의 제조에 대해 설명이 되어 있으며, 이들은 모든 목적을 위해 참조로 여기에 사용되어 진다.
상술한 미국특허 제 4,720,432 호 및 Nature 347 (1990) 539에서 설명된 유기 발광 다이오드 픽셀의 제조는, 공중합체(conjugated polymer) 또는 Alq3와 같은 하나 이상의 유기적 기능적 층을 증착하는 단계를 포함한다. 다른 유형의 유기층도 유용할 수 있다. 전극 상에 복수의 기능적 층이 형성되는 것이 바람직하다. 알루미늄 또는 다른 도전성 물질과 같은 금속을 포함하는 제 2 전극 스트립이 기능적 층 위로 형성된다. 전형적으로 이러한 제 2 전극 스트립은 바닥 전극 스트립과 직교한다. 바닥 전극 스트립과 대각선인 제 2 전극 스트립을 제공하는 것도 유용하다. 정상 및 바닥 전극 스트립의 교차점은 유기 발광 다이오드 픽셀을 형성한다. 전극 스트립을 형성하도록 다양한 기술을 이용할 수 있다. 예컨대, 제 2 전극 스트립은 선택적인 증착 기술에 의해 형성될 수 있다. 선택적으로, 전극 스트립은 스트립을 형성하도록 정상 전극층을 선택적으로 형상화하므로써 형성될 수 있다.
다른 실시예에서, 스탬프 상의 형상은 병행 공정을 위한 복수의 소자를 포함하며, 이에 의해 소자 각각에 대한 공정 시간을 감소시키다. 스탬프 형상은 다양한 기술로 형성될 수 있다. 이러한 기술은 예컨대 그라인딩(grinding) 또는 포토리소그래피(photolithography) 및 에칭 공정을 포함한다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예를 도시한다. 도시한 바와 같이, 위에 원하는 형상을 가지는 드럼(drum)(580)을 포함하는 스탬프가 제공되어 있다. 드럼 스탬프는 오픈 릴식(reel-to-reel)에 이용된다. 위에 소자층(510)이 형성된 긴 가요성 기판(501)이 제공된다. 기판은 드럼의 회전에 의한 가압을 받는 동안 드럼을 통하여 변형된다. 도시한 바와 같이, 기판은 우측부터 좌측 방향으로 변형되며, 드럼 스탬프는 시계방향으로 회전한다. 기판이 변형되는 방향이 반대인 경우도 유용하다. 오픈 릴식 공정은 소자의 병행 공정을 가능하게 한다.
다양한 실시예를 참조하여 본 발명을 구체적으로 도시하여 설명하였지만, 본 발명의 개념과 권리범위를 벗어나지 않는 범위에서 본 발명을 변경 또는 변화시킬 수 있음을 당업자는 인지할 것이다. 따라서, 본 발명의 권리범위는 상술한 상세한 설명에 관련되어 결정되는 것이 아나라 균등이론의 전체 권리범위에 따라 첨부 청구범위에 관련되어 결정되어야 한다.

Claims (61)

  1. 소자를 제조할 때 소자층을 형상화하는 방법으로서:
    표면 위에 상기 소자층을 포함하는 기판을 제공하는 단계; 및
    상기 기판에 대하여 형상을 갖춘 스탬프를 가압하므로써 상기 소자층을 형상화하는 단계를 포함하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 소자는 유기 발광 다이오드 소자를 포함하는 방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 기판은 폴리머 기판을 포함하는 방법.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 기판은 가요성 또는 연성 기판을 포함하는 방법.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 기판은 투명 기판을 포함하는 방법.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 소자층은 투명 도전성 층을 포함하는 방법.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 투명 도전성 층은 도전성 산화물을 포함하는 방법.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 도전성 산화물은 산화인듐주석을 포함하는 방법.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 형상은 상기 스탬프의 표면 상의 돌출부에 의해 생성되는 방법.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 소자를 형상화하는 단계는 상기 기판 상에 하부 전극을 형성시키는 방법.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 돌출부는 상기 소자층의 두께보다 큰 높이를 포함하는 방법.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 돌출부의 높이는 상기 소자층의 두께보다 적어도 약 2 내지 10배인 방법.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 스탬프는, 상기 소자층의 비형상화 영역에 균열이 발생하지 않는 하중 하에서 상기 기판 표면에 대하여 가압되는 방법.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 하중은 상기 기판의 수율 강도보다 약 1.1배 큰 순압력을 포함하는 방법.
  15. 제 14 항에 있어서, 복수의 유기 발광 다이오드 픽셀을 형성시키도록 처리하는 단계를 더 포함하는 방법.
  16. 제 15 항에 있어서, 상기 복수의 유기 발광 다이오드 픽셀을 형성시키도록 처리하는 단계는:
    하부 전극 상에 하나 이상의 유기 기능적 층을 형성시키는 단계; 및
    상기 유기 기능적 층 상에 상부 전극을 형성시키는 단계를 포함하며,
    상기 복수의 유기 발광 다이오드 픽셀은 상기 상부 전극과 상기 하부 전극 사이에 유기 기능적 층이 개재되는 곳에 형성되는 방법.
  17. 제 3 항에 있어서, 상기 기판은 투명 기판을 포함하는 방법.
  18. 제 17 항에 있어서, 상기 소자층은 투명 도전성 층을 포함하는 방법.
  19. 제 18 항에 있어서, 상기 형상은 상기 스탬프의 표면 상의 돌출부에 의해 생성되는 방법.
  20. 제 19 항에 있어서, 상기 소자층을 형상화하는 단계는 상기 기판 상에 하부 전극을 형성시키는 방법.
  21. 제 20 항에 있어서, 상기 돌출부는 상기 소자층의 두께보다 큰 높이를 포함하는 방법.
  22. 제 21 항에 있어서, 상기 스탬프는, 상기 소자층의 비형상화 영역에 균열이 발생하지 않는 하중 하에서 상기 기판 표면에 대하여 가압되는 방법.
  23. 제 22 항에 있어서, 복수의 유기 발광 다이오드 픽셀을 형성시키도록 처리하는 단계를 더 포함하는 방법.
  24. 제 23 항에 있어서, 상기 복수의 유기 발광 다이오드 픽셀을 형성시키도록 처리하는 단계는:
    하부 전극 상에 하나 이상의 유기 기능적 층을 형성시키는 단계; 및
    상기 유기 기능적 층 상에 상부 전극을 형성시키는 단계를 포함하며,
    상기 복수의 유기 발광 다이오드 픽셀은 상기 상부 전극과 상기 하부 전극 사이에 유기 기능적 층이 개재되는 곳에 형성되는 방법.
  25. 제 3 항에 있어서, 상기 소자층은 도전성 층을 포함하는 방법.
  26. 제 25 항에 있어서, 상기 형상은 상기 스탬프의 표면 상의 돌출부에 의해 생성되는 방법.
  27. 제 26 항에 있어서, 상기 소자층을 형상화하는 단계는 상기 기판 상에 하부 전극을 형성시키는 방법.
  28. 제 27 항에 있어서, 상기 돌출부는 상기 소자층의 두께보다 큰 높이를 포함하는 방법.
  29. 제 28 항에 있어서, 상기 스탬프는, 상기 소자층의 비형상화 영역에 균열이 발생하지 않는 하중 하에서 상기 기판 표면에 대하여 가압되는 방법.
  30. 제 29 항에 있어서, 복수의 유기 발광 다이오드 픽셀을 형성시키도록 처리하는 단계를 더 포함하는 방법.
  31. 제 30 항에 있어서, 상기 복수의 유기 발광 다이오드 픽셀을 형성시키도록 처리하는 단계는:
    하부 전극 상에 하나 이상의 유기 기능적 층을 형성시키는 단계; 및
    상기 유기 기능적 층 상에 상부 전극을 형성시키는 단계를 포함하며,
    상기 복수의 유기 발광 다이오드 픽셀은 상기 상부 전극과 상기 하부 전극 사이에 유기 기능적 층이 개재되는 곳에 형성되는 방법.
  32. 제 2 항에 있어서, 상기 기판은, 폴리에스테르, 폴리(에틸렌 테레프탈레이트), 폴리(부틸렌 테레프탈레이트), 폴리(엔틸렌 나프탈레이트), 폴리에틸렌에스테레프탈레이트, 폴리카르보네이트, 폴리이미드, 폴리설폰, 폴리(ρ-페닐렌 에테르 설폰), 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리(비닐 클로라이드), 폴리스틸렌, 및 폴리(메틸 아크릴산메틸)로 이루어지는 군(group)으로부터 선택된 물질을 포함하는 방법.
  33. 제 32 항에 있어서, 상기 소자층은 도전성 층을 포함하는 방법.
  34. 제 33 항에 있어서, 상기 형상은 상기 스탬프의 표면 상의 돌출부에 의해 생성되며 상기 기판 상에 하부 전극을 형성시키도록 이용되는 방법.
  35. 제 34 항에 있어서, 상기 돌출부는 상기 소자층을 형상화하기 위해 상기 소자층의 두께보다 큰 높이를 포함하는 방법.
  36. 제 35 항에 있어서, 상기 스탬프는, 상기 소자층의 비형상화 영역에 균열이 발생하지 않는 하중 하에서 상기 기판 표면에 대하여 가압되는 방법.
  37. 제 36 항에 있어서, 상기 복수의 유기 발광 다이오드 픽셀을 형성시키도록 처리하는 단계는:
    하부 전극 상에 하나 이상의 유기 기능적 층을 형성시키는 단계; 및
    상기 유기 기능적 층 상에 상부 전극을 형성시키는 단계를 포함하며,
    상기 복수의 유기 발광 다이오드 픽셀은 상기 상부 전극과 상기 하부 전극 사이에 유기 기능적 층이 개재되는 곳에 형성되는 방법.
  38. 제 1 항에 있어서, 상기 기판은 폴리머 기판을 포함하는 방법.
  39. 제 38 항에 있어서, 상기 형상은 스탬프의 표면 상의 돌출부에 의해 생성되는 방법.
  40. 제 39 항에 있어서, 상기 돌출부는 상기 소자층의 두께보다 큰 높이를 포함하는 방법.
  41. 제 40 항에 있어서, 상기 돌출부의 높이는 상기 소자층의 두께보다 적어도 5 내지 10배 큰 방법.
  42. 제 41 항에 있어서, 상기 스탬프는, 상기 소자층의 비형상화 영역에 균열이 발생하지 않는 하중 하에서 상기 기판 표면에 대하여 가압되는 방법.
  43. 제 42 항에 있어서, 상기 하중은 상기 기판의 수율 강도보다 약 1.1배 큰 순압력을 포함하는 방법.
  44. 제 43 항에 있어서, 상기 소자를 형성시키도록 처리하는 단계를 더 포함하는 방법.
  45. 제 44 항에 있어서, 상기 소자는, 전기 소자, 기계 소자, 전자 기계적 소자, 및 마이크로 전자 기계적 시스템으로 이루어지는 군으로부터 선택된 소자를 포함하는 방법.
  46. 제 40 항에 있어서, 상기 스탬프는, 상기 소자층의 비형상화 영역에 균열이 발생하지 않는 하중 하에서 상기 기판 표면에 대하여 가압되는 방법.
  47. 제 46 항에 있어서, 상기 소자를 형성시키도록 처리하는 단계를 더 포함하는 방법.
  48. 제 47 항에 있어서, 상기 소자는 전기 소자, 기계 소자, 전자 기계적 소자, 및 마이크로 전자 기계적 시스템으로 이루어지는 군으로부터 선택된 소자를 포함하는 방법.
  49. 제 1 항에 있어서, 상기 기판은, 폴리에스테르, 폴리(에틸렌 테레프탈레이트), 폴리(부틸렌 테레프탈레이트), 폴리(엔틸렌 나프탈레이트), 폴리에틸렌에스테레프탈레이트, 폴리카르보네이트, 폴리이미드, 폴리설폰, 폴리(ρ-페닐렌 에테르 설폰), 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리(비닐 클로라이드), 폴리스틸렌, 및 폴리(메틸 아크릴산메틸)로 이루어지는 군(group)으로부터 선택된 물질을 포함하는 방법.
  50. 제 49 항에 있어서, 상기 형상은 상기 스탬프의 표면 상의 돌출부에 의해 생성되는 방법.
  51. 제 50 항에 있어서, 상기 돌출부는 상기 소자층을 형상화하기 위해 상기 소자층의 두께보다 큰 높이를 포함하는 방법.
  52. 제 51 항에 있어서, 상기 스탬프는, 상기 소자층의 비형상화 영역에 균열이 발생하지 않는 하중 하에서 상기 기판 표면에 대하여 가압되는 방법.
  53. 제 52 항에 있어서, 상기 소자를 형성하도록 처리하는 단계를 더 포함하는 방법.
  54. 형상화하는 방법으로서:
    형상을 갖춘 드럼을 포함하는 스탬프를 회전시키는 단계; 및
    상기 소자를 형상화하도록 상기 스탬프를 회전시킴에 따라 상기 소자층과 함께 상기 기판을 변형시키는 단계를 포함하는 방법.
  55. 제 1 항에 있어서, 상기 기판은 폴리머 기판을 포함하는 방법.
  56. 제 55 항에 있어서, 상기 형상은 상기 스탬프의 표면 상의 돌출부에 의해 생성되는 방법.
  57. 제 56 항에 있어서, 상기 돌출부는 상기 소자층을 형상화하기 위해 상기 소자층의 두께보다 큰 높이를 포함하는 방법.
  58. 제 57 항에 있어서, 상기 스탬프는, 상기 소자층의 비형상화 영역에 균열이 발생하지 않는 하중 하에서 상기 기판 표면에 대하여 가압되는 방법.
  59. 제 58 항에 있어서, 상기 소자를 형성시키도록 처리하는 단계를 더 포함하는 방법.
  60. 제 59 항에 있어서, 상기 소자는 전기 소자, 기계 소자, 전자 기계적 소자, 및 마이크로 전자 기계적 시스템으로 이루어지는 군으로부터 선택된 소자를 포함하는 방법.
  61. 제 59 항에 있어서, 상기 소자는 유기 발광 다이오드 소자를 포함하는 방법.
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