KR20010103419A - 박막 트랜지스터 어레이 기판 - Google Patents

Abstract

가. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 분야 :

리페어 배선이 형성된 액정 표시장치.

나. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제 :

게이트 배선 또는 데이터 배선의 형성공정에서 공정불량에 의한 게이트 배선의 단선 또는 게이트 배선과 데이터 배선의 단락 등의 불량은 리페어(repair) 배선이 없기 때문에 그 불량을 수리할 수 없다. 따라서, 제품의 생산수율이 저감되는 등의 문제가 있다.

다. 그 발명의 해결방법의 요지 :

게이트 배선을 형성할 때, 그와 평행한 리페어 배선과 상기의 게이트 배선과 상기의 리페어 배선과 동시에 접촉하는 보조배선을 동시에 형성함으로써 게이트 배선의 단선이나 데이터 배선과 게이트 배선간의 단락 불량을 화소단위로 수리할 수 있다.

Description

박막 트랜지스터 어레이 기판{TFT array panel}

본 발명은 화상 표시장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor : TFT)를 포함하는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display : LCD)에 관한 것이다. 특히, 이물질에 의해 발생하는 게이트 배선과 데이터 배선의 단락불량 및 공정 중 발생할 수 있는 게이트 배선의 단선불량을 동시에 수리할 수 있는 액정 표시장치에 관한 것이다.

액정 표시장치의 구동원리는 액정의 광학적 이방성과 분극성질을 이용한다. 상기 액정은 구조가 가늘고 길기 때문에 분자의 배열에 방향성을 갖고 있으며, 인위적으로 액정에 전기장을 인가하여 분자배열의 방향을 제어할 수 있다.

따라서, 상기 액정의 분자배열 방향을 임의로 조절하면, 액정의 분자배열이 변하게 되고, 광학적 이방성에 의하여 상기 액정의 분자 배열 방향으로 빛이 굴절하여 화상정보를 표현할 수 있다.

현재는 전술한 바 있는 박막 트랜지스터와 상기 박막 트랜지스터에 연결된 화소전극이 행렬 방식으로 배열된 능동행렬 액정 표시장치(Active Matrix LCD : AM-LCD)가 해상도 및 동영상 구현능력이 우수하여 가장 주목받고 있다.

일반적으로 액정 표시장치를 구성하는 기본적인 부품인 액정 패널의 구조를 살펴보면 다음과 같다.

도 1은 일반적인 액정 패널의 단면을 도시한 단면도이다.

액정 패널(20)은 여러 종류의 소자들이 형성된 두 장의 기판(2, 4)이 서로 대응되게 형성되어 있고, 상기 두 장의 기판(2, 4) 사이에 액정층(10)이 개재된 형태로 위치하고 있다.

상기 액정 패널(20)에는 색상을 표현하는 컬러필터가 형성된 상부 기판(4)과 상기 액정층(10)의 분자 배열방향을 변환시킬 수 있는 스위칭 회로가 내장된 하부 기판(2)으로 구성된다.

상기 상부 기판(4)에는 색을 구현하는 컬러필터층(8)과, 상기 컬러필터층(8)을 덮는 공통전극(12)이 형성되어 있다. 상기 공통전극(12)은 액정(10)에 전압을 인가하는 한쪽전극의 역할을 한다. 상기 하부 기판(2)은 스위칭 역할을 하는 박막 트랜지스터(S)와, 상기 박막 트랜지스터(S)로부터 신호를 인가 받고 상기 액정(10)으로 전압을 인가하는 다른 한쪽의 전극역할을 하는 화소전극(14)으로 구성된다.

상기 화소전극(14)이 형성된 부분을 화소부(P)라고 한다.

그리고, 상기 상부 기판(4)과 하부 기판(2)의 사이에 주입되는 액정(10)의누설을 방지하기 위해, 상기 상부 기판(4)과 하부 기판(2)의 가장자리에는 실란트(sealant : 6)로 봉인되어 있다.

상기 도 1에 도시된 하부 기판(2)의 평면도를 나타내는 도 2를 참조하여 하부 기판(2)의 작용과 구성을 상세히 설명하면 다음과 같다.

하부 기판(2)에는 화소전극(14)이 형성되어 있고, 상기 화소전극(14)의 수직 및 수평 배열 방향에 따라 각각 데이터 배선(24) 및 게이트 배선(22)이 형성되어 있다.

그리고, 능동행렬 액정 표시장치의 경우, 화소전극(14)의 한쪽 부분에는 상기 화소전극(14)에 전압을 인가하는 스위칭 소자인 박막 트랜지스터(S)가 형성되어 있다. 상기 박막 트랜지스터(S)는 게이트 전극(26), 소스 및 드레인 전극(28, 30)으로 구성되며, 상기 게이트 전극(26)은 상기 게이트 배선(22)에 연결되어 있고, 상기 소스 전극(28)은 상기 데이터 배선(24)에 연결되어 있다.

그리고, 상기 드레인 전극(30)은 상기 화소전극(14)에 통상적으로 콘택홀(미도시)을 통해 전기적으로 연결되어 있다.

상술한 능동행렬 액정 표시장치의 동작을 살펴보면 다음과 같다.

스위칭 박막 트랜지스터의 게이트 전극(26)에 전압이 인가되면, 데이터 신호가 화소전극(14)으로 인가되고, 게이트 전극(26)에 신호가 인가되지 않는 경우에는 화소전극(14)에 데이터 신호가 인가되지 않는다.

일반적으로 하부 기판의 제조공정은 만들고자 하는 각 소자에 어떤 물질을 사용하는가 혹은 어떤 사양에 맞추어 설계하는가에 따라 결정되는 경우가 많다.

예를 들어, 과거 소형 액정 표시장치의 경우는 별로 문제시되지 않았지만, 18인치 이상의 대면적, 고해상도(예를 들어 SXGA, UXGA 등) 액정 표시장치의 경우에는 게이트 배선 및 데이터 배선에 사용되는 재질의 고유 저항값이 화질의 우수성을 결정하는 중요한 요소가 된다. 따라서, 대면적/고해상도의 액정 표시소자의 경우에는 게이트 배선 및 데이터 배선의 재질로 알루미늄 또는 알루미늄 합금과 같은 저항이 낮은 금속을 사용하는 것이 바람직하다.

이하, 종래의 능동행렬 액정 표시장치의 제조공정을 도 3a 내지 도 3d를 참조하여 상세히 설명한다.

일반적으로 액정 표시장치에 사용되는 박막 트랜지스터의 구조는 역 스태거드(Inverted Staggered)형 구조가 많이 사용된다. 이는 구조가 가장 간단하면서도 성능이 우수하기 때문이다.

또한, 상기 역 스태거드형 박막 트랜지스터는 채널부의 형성 방법에 따라 백 채널 에치형(back channel etch : EB)과 에치 스타퍼형(etch stopper : ES)으로 나뉘며, 그 제조 공정이 간단한 백 채널 에치형 구조가 적용되는 액정 표시소자 제조공정에 관해 설명한다.

먼저, 기판(1)에 이물질이나 유기성 물질의 제거와 증착될 게이트 물질의 금속 박막과 유리기판의 접촉성(adhesion)을 좋게하기 위하여 세정을 실시한 후, 스퍼터링(sputtering)에 의하여 금속막을 증착한다.

도 3a는 상기 금속막 증착 후에, 마스크로 패터닝하여 게이트 배선(22)과 게이트 전극(26)과 스토리지 전극(32)를 형성하는 단계를 도시한 도면이다.

능동 행렬 액정 표시장치의 동작에 중요한 게이트 전극(26)에 사용되는 금속은 RC 딜레이(delay)를 작게 하기 위하여 저항이 작은 알루미늄이 주류를 이루고 있으나, 순수 알루미늄은 화학적으로 내식성이 약하고, 후속의 고온 공정에서 힐락(hillock) 형성에 의한 배선 결함문제를 야기 시키므로, 알루미늄 배선의 경우는 합금의 형태로 쓰이거나 적층구조가 적용되기도 한다.

상기 게이트 배선(22)과 게이트 전극(26) 및 스토리지 전극(32) 형성 후, 그 상부 및 노출된 기판 전면에 걸쳐 게이트 절연막(34)을 증착한다. 또한, 상기 게이트 절연막(34) 상에 연속으로 반도체 물질인 비정질 실리콘(a-Si:H)과 불순물이 함유된 비정질 실리콘(n⁺a-Si:H)을 증착한다.

상기 반도체 물질 증착후에, 패터닝하여 액티브층(36)과 상기 액티브층(36)과 동일 크기의 오믹 접촉층(ohmic contact layer : 38)을 형성한다(도 3b).

상기 오믹 접촉층(38)은 추후 생성될 금속층과 상기 액티브층(36)과의 접촉저항을 줄이기 위한 목적이다.

이후, 도 3c에 도시된 바와 같이 금속층을 증착하고, 패터닝하여 데이터 배선(24)과 소스 전극(42) 및 드레인 전극(44)을 형성한다.

상기 소스 및 드레인 전극(42, 44)은 크롬(Cr) 또는 몰리브덴(Mo) 등의 단일 금속을 사용한다.

그리고, 상기 소스 및 드레인 전극(42, 44)을 마스크로 하여 상기 소스 전극(42)과 상기 드레인 전극(44) 사이에 존재하는 오믹 접촉층을 제거한다. 만약,상기 소스 전극(42)과 상기 드레인 전극(44) 사이에 존재하는 오믹 접촉층을 제거하지 않으면 박막 트랜지스터(S)의 전기적 특성에 심각한 문제를 발생시킬 수 있으며, 성능에서도 큰 문제가 생긴다.

상기 오믹 접촉층(38)의 제거에는 신중한 주의가 요구된다. 실제 오믹 접촉층(38)의 식각시에는 그 하부에 형성된 액티브층(36)과 식각 선택비가 없으므로 액티브층(36)을 약 50 ∼ 100 nm 정도 과식각을 시키는데, 식각 균일도(etching uniformity)는 박막 트랜지스터(S)의 특성에 직접적인 영향을 미친다.

최종적으로 도 3d에 도시된 바와 같이 절연막을 증착하고 제 5 마스크로 패터닝하여 액티브층(36)을 보호하기 위해 보호막(46)을 형성한다.

상기 보호막(46)은 액티브층(36)의 불안정한 에너지 상태 및 식각시 발생하는 잔류물질에 의해 박막 트랜지스터 특성에 나쁜 영향을 끼칠 수 있으므로, 무기질의 실리콘 질화막(SiN_x) 내지는 실리콘 산화막(SiO₂)이나 유기질의 BCB(BenzoCycloButene) 등으로 형성한다.

상기 드레인 전극(44) 상부 상기 보호막(46)에는 상기 드레인 전극의 일부가 노출되도록 드레인 콘택홀(45)이 형성되며, 상기 드레인 콘택홀(45)을 통해 상기 드레인 전극(44)과 접촉하는 화소전극(40)을 형성한다.

상기 화소전극(40)은 광 투과성이 우수한 ITO(Indium Tin Oxide)가 주로 쓰인다.

상기 화소전극(40)은 스토리지 전극(32)과 겹쳐지는 형태로 구성되며, 이는상기 스토리지 전극(32)과 함께 스토리지 캐패시터를 형성하기 위함이다.

상술한 바와 같이 능동행렬 액정 표시장치의 스위칭 소자로 쓰이는 박막 트랜지스터는 게이트 전극(26), 게이트 절연막(34), 액티브층(36), 소스 및 드레인 전극(42, 44)으로 구성된다.

여기서, 상기 게이트 절연막(34)은 상기 게이트 전극(26)과 상기 액티브층(36)의 절연을 위해 형성하며, 주로 화학 기상 증착법(chemical vapor deposition ; CVD)으로 형성한다. 그러나, 상기 CVD 장비로 게이트 절연막을 형성할 때는 동시에 여러 종류의 가스를 혼합하고, 그 혼합가스를 분해하는 과정에서 이물질이 생성될 수 있는 단점이 있다.

즉, 도 3d의 H 부분을 확대한 단면도인 도 4를 참조하여 설명하면 다음과 같다. 여기서, 도 3d의 H 부분은 도 2의 H 부분과 같은 부분으로, 게이트 배선(22)과 데이터 배선(24)이 서로 교차하는 부분이 된다.

도 4에서 상기 게이트 배선(22)과 상기 데이터 배선(24) 사이에는 이 두 개의 배선(22, 24)을 절연하기 위한 게이트 절연막(34)이 형성되는데, 상기 게이트 절연막(34)을 상기 게이트 배선(22) 상에 형성할 때, CVD 장비에서 이물질(P)이 떨어질 수 있는 가능성이 있다.

만약, 상기 이물질(P)이 상기 H 부분 즉, 게이트 배선(22)과 데이터 배선(24)이 교차하는 부분의 상기 게이트 배선(22) 상에 떨어지게 되면, 상기 게이트 절연막(34)의 형성시 상기 이물질(P)이 떨어진 부분에서는 이상 성장하게 된다.

이상 성장된 게이트 절연막(34) 상에 데이터 배선(24)을 형성하게 되면, 상기 게이트 배선(22)과 상기 데이터 배선(24)은 서로 단락(short)된다.

게이트 배선(22)과 상기 데이터 배선(24)이 교차하는 부분(H)에서의 이물질(P)이 중요한 이유는 리페어(repair)가 불가능하기 때문이다.

또한, H 부분에서 리페어가 불가능하기 때문에 상기 단락된 H 부분과 관계되는 게이트 배선(22)과 데이터 배선(24)은 선결함으로 나타나게 되고, 이는 액정 표시장치에서 치명적인 불량을 유발하게 된다.

그리고, 상기 게이트 배선(22)의 형성공정에서 상기 게이트 배선이 현상, 식각 등의 불량에 의해 단선되는 경우에는 리페어 배선이 없기 때문에 불량의 수리를 할 수 없게 된다.

상술한 문제점을 해결하기 위해 본 발명에서는 게이트 배선과 데이터 배선이 교차하는 부분에서 단락 및 게이트 배선의 단선을 동시에 수리할 수 있는 액정 표시장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

도 1은 일반적인 액정 표시장치의 단면을 도시한 단면도.

도 2는 일반적인 액정 표시장치의 한 화소부에 해당하는 평면을 도시한 평면도.

도 3a 내지 도 3d는 도 2의 절단선 Ⅲ-Ⅲ으로 자른 단면의 제작공정을 도시한 공정도.

도 4는 도 2와 도 3d의 게이트 배선과 데이터 배선이 교차하는 부분인 H 부분을 확대한 단면도.

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시장치의 한 화소부분에 해당하는 평면을 도시한 평면도.

도 6은 본 발명에 따른 액정 표시장치에서 게이트 배선의 단선불량을 리페어 하는 방법을 도시한 도면.

도 7은 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시장치에서 게이트 배선과 데이터 배선의 단락불량 발생시 리페어 하는 방법을 도시한 도면.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

50 : 게이트 배선 52 : 게이트 전극

60 : 데이터 배선 62 : 소스 전극

64 : 드레인 전극 66 : 드레인 콘택홀

80 : 리페어 배선 82 : 보조배선

84 : 화소전극

상기와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명에서는 화소영역과, 상기 화소영역의 한쪽 구석에 스위칭 영역이 정의된 기판과; 상기 기판 상에 형성되고, 상기 각 화소영역을 경계로 일 방향으로 형성되고, 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선 및 상기 게이트 배선과 소정 간격을 두고 평행하게 연장되는 리페어 배선과; 상기기판 상에 형성되고, 상기 게이트 배선과 절연층을 사이에 두고 교차하는 데이터 배선과; 상기 리페어 배선 및 상기 게이트 배선과 동시에 접촉하는 보조배선과; 상기 스위칭 영역에 형성되고, 상기 게이트 전극과 데이터 배선에서 신호를 인가 받는 박막 트랜지스터와; 상기 화소영역에 형성되고, 상기 박막 트랜지스터에서 신호를 인가 받는 화소전극을 포함하는 박막 트랜지스터 어레이 기판을 제공한다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구성을 상세히 설명한다.

도 5는 본 발명에 따른 액정 표시장치의 한 화소부에 해당하는 평면도로서, 가로 방향으로 게이트 배선(50)과, 이와 연결된 게이트 전극(52)이 형성되고, 세로 방향으로 데이터 배선(60)이 형성된다.

한편, 상기 게이트 배선(50)이 형성된 방향으로 상기 게이트 배선(50)과 소정간격 이격되게 리페어 배선(80)이 평행하게 형성되며, 상기 리페어 배선(80)과 상기 게이트 전극(52)과 공통적으로 접촉하게 보조배선(82)이 상기 데이터 배선(60)이 형성된 방향과 평행하게 형성된다.

여기서, 바람직하게 상기 리페어 배선(80) 및 보조배선(82)과 상기 게이트 전극(52) 및 상기 게이트 배선(50)은 동일 패턴 즉, 하나의 패턴으로 형성된다. 즉, 상기 리페어 배선(80)과, 보조배선(82)과, 게이트 전극(52) 및 게이트 배선(50)은 동일금속의 일체로 형성된다.

상기 게이트 전극(52)이 형성된 부근의 상기 데이터 배선에는 소스 전극(62)이 형성된다. 그리고, 상기 소스 전극(62)과 대응되는 방향으로 드레인 전극(64)이형성된다.

여기서, 상기 게이트 전극(52)과 소스 및 드레인 전극(62, 64)을 포함해서 박막 트랜지스터가 형성되며, 도시되지는 않았지만, 상기 박막 트랜지스터는 게이트 절연막과 액티브층을 더욱 포함하고 있다.

또한, 상기 데이터 배선(60)과 동일 물질로 형성되며, 스토리지 캐패시터(P)의 타 전극으로 캐패시터 전극(72)이 전단 게이트 배선(50)과 겹치도록 형성된다.

여기서, 상기 캐패시터 전극(72)은 상기 전단 게이트 배선과 절연물질(즉, 박막 트랜지스터의 게이트 절연막)을 통해 절연된다.

또한, 화소전극(84)은 드레인 전극(64)의 일부가 노출된 드레인 콘택홀(66)을 통해 상기 드레인 전극(64)과 접촉하게 된다.

여기서, 상기 화소전극(84)은 캐패시터 전극(72)과 접촉하게 되는데, 이 때, 접촉은 상기 캐패시터 전극(72)의 일부가 노출된 캐패시터 콘택홀(74)을 통해 이루어진다.

상기와 같이 본 발명에 따른 액정 표시장치는 일반적인 액정 표시장치에서 상기 게이트 배선(50)과 소정간격 이격되며 평행하게 형성되는 리페어 배선(80)과, 상기 리페어 배선(80)과 상기 게이트 배선(50)에 형성된 게이트 전극(52)과 연결되는 보조배선(82)을 더욱 포함한다.

상기 리페어 배선(80)은 추후 공정에서 상기 게이트 배선(50)의 단락에 의한 선결함(line defect)을 수리하는 기능을 하게 된다.

또한, 본 발명에 따른 액정 표시장치는 데이터 배선(60)과 게이트 배선(50)간에 이물질에 의한 단락불량을 리페어 할 수 있는 기능도 가지고 있다.

상술한 바와 같이 본 발명에 따른 액정 표시장치는 게이트 배선(50)에서 연장된 게이트 전극(52)과 상기 게이트 배선(50)과 소정간격 이격되며, 상기 게이트 배선(50)과 평행하게 연장되는 리페어 배선(80)과 동시에 접촉하는 보조배선(82)을 갖는 것을 특징으로 한다.

한편, 도 5에 도시된 도면에서는 상기 보조배선(82)은 상기 게이트 전극(52)에서 연장되어 상기 리페어 배선(80)과 접촉하는 형태로 되어있으나, 상기 게이트 배선(50)에서 연장되어 상기 리페어 배선(80)과 직접 접촉되게 형성할 수 있을 것이다.

여기서, 본 발명에 따른 액정 표시장치의 공정을 설명하지는 않았지만, 게이트 배선(50)을 패터닝할 때, 상기 리페어 배선(80)과 보조배선(82)을 동시에 패터닝하는 것에 특징이 있고 이후의 공정은 종래의 액정 표시장치 제조방법과 동일하기 때문에 본 발명에 따른 액정 표시장치의 제조공정의 설명은 생략한다.

도 6은 본 발명에 따른 액정 표시장치에서 게이트 배선(50)의 단선에 의한 선결함을 수리하는 방법을 도시한 도면이다.

도시된 도면에서와 같이 제 1, 2 화소부(P₁, P₂)와 연관되는 게이트 배선(50)에 제 1, 2 단선부에 의해 단선 불량이 발생하더라도, 상기 게이트 배선(50)과 각 화소부(P₁, P₂)를 이루며, 상기 게이트 배선(50)에서 각각 연장된 게이트 전극(52)과 접촉하는 보조배선(82)이 리페어 배선(80)과 접촉하고 있기 때문에, 상기 게이트 배선(50)에 인가되는 게이트 신호는 상기 리페어 배선(80)에도 동일하게 인가된다.

따라서, 동일한 게이트 배선(50)에 다수개의 단선부가 존재해도 별도의 리페어 공정이 필요치 않다.

즉, 다시 설명하면, 본 발명에 따른 액정 표시장치의 구조에서는 게이트 배선(50)의 단선불량은 별도의 리페어가 필요치 않으며, 이로 인해 제품의 수율이 향상되는 장점이 있다.

도 7은 데이터 배선(60)과 게이트 배선(50)이 교차하는 부분에 이물질에 의해 단락불량이 발생할 경우 리페어하는 방법을 도시한 도면이다.

도 7에 도시한 도면에서와 같이 게이트 배선(50)과 데이터 배선(60)이 교차하는 부분에서 이물질에 의해 상기 두 배선이 단락되게 되면, 단락부위를 중심으로 십자가 형태의 선결함이 발생하게 된다.

상기와 같이 선결함은 액정 표시장치에서 치명적인 악영향을 미치게 되며, 종래에는 상기 선결함이 발생하면 바로 불량처리하여 제품의 생산수율이 하락하게 된다.

그러나, 본 발명에서는 상기와 같이 게이트 및 데이터(50, 60)의 단락불량을 리페어하기 위해 레이저나 기타 고 에너지원을 사용하여 단락과 관련된 게이트 배선(50)을 절단하여 임의로 단선부위(L₁, L₂)를 형성하고, 상기 단락과 직접 관련되는 화소부(P₂)의 보조배선(82)도 단선(L₃) 시킴으로서 선결함을 점결함으로 리페어한다.

즉, 게이트 배선(50)과 데이터 배선(60)의 단락에 의해 선결함이 발생하면, 본 발명에 따른 액정 표시장치의 구조에서는 이를 리페어하기 위해, 임의적으로 단락부위를 중심으로 일 방향으로 연장되는 게이트 배선(50)의 P₁화소부와 P₂화소부에 관계되는 게이트 배선을 단선 시키고, 단락에 연관되는 화소부의 보조배선을 단선 시킴으로써, 선결함을 점결함으로 리페어 할 수 있다.

상술한 바와 같이 본 발명에 따른 액정 표시장치에서는 게이트 배선과 평행하게 별도의 리페어 배선을 형성하고, 상기 리페어 배선을 게이트 전극과 연결되는 보조배선을 형성함으로써, 상기 리페어 배선과 상기 게이트 배선에는 동일한 신호가 인가되게 된다.

본 발명의 실시예에 따른 액정 표시장치는 데이터 배선과 게이트 배선이 교차하는 부분에 이물질에 의한 단락불량과, 공정 중 발생할 수 있는 게이트 배선의 단선불량을 동시에 수리할 수 있기 때문에 수율을 향상할 수 있는 장점이 있다.

여기서, 상기 게이트 배선의 단선불량은 별도의 리페어 공정이 필요치 않기 때문에 제품의 생산수율이 증가하는 장점이 있다.

Claims (5)

1. 화소영역과, 상기 화소영역의 한쪽 구석에 스위칭 영역이 정의된 기판과;

   상기 기판 상에 형성되고, 상기 각 화소영역을 경계로 일 방향으로 형성되고, 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선 및 상기 게이트 배선과 소정 간격을 두고 평행하게 연장되는 리페어 배선과;

   상기 기판 상에 형성되고, 상기 게이트 배선과 절연층을 사이에 두고 교차하는 데이터 배선과;

   상기 리페어 배선 및 상기 게이트 배선과 동시에 접촉하는 보조배선과;

   상기 스위칭 영역에 형성되고, 상기 게이트 전극과 데이터 배선에서 신호를 인가 받는 박막 트랜지스터와;

   상기 화소영역에 형성되고, 상기 박막 트랜지스터에서 신호를 인가 받는 화소전극

   을 포함하는 박막 트랜지스터 어레이 기판.
2. 청구항 1에 있어서,

   상기 보조배선은 상기 게이트 전극의 끝단에서 연장되는 박막 트랜지스터 어레이 기판.
3. 청구항 1에 있어서,

   상기 리페어 배선과, 보조배선과, 게이트 배선은 동일금속으로 일체화된 박막 트랜지스터 어레이 기판.
4. 청구항 1에 있어서,

   상기 절연층은 화학 기상 증착법(CVD)에 의해 형성되는 무기절연막인 액정 표시장치.
5. 청구항 4에 있어서,

   상기 절연층은 실리콘 질화막(SiN_x), 실리콘 산화막(SiO₂)으로 구성된 집단에서 선택된 물질인 박막 트랜지스터 어레이 기판.