KR20010085707A - 단면반사형 탄성표면파 필터 - Google Patents

단면반사형 탄성표면파 필터 Download PDF

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KR20010085707A
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Abstract

본 발명에 따른 단면반사형 탄성표면파 필터는,
두개의 대향하는 단면을 가진 압전기판; 및
전극지쌍들로 구성된 스플릿 전극에 의해 구성되며, 또한 SH형 탄성표면파가 압전기판상에서 여기되어 두 대향 단면 사이에서 반사되도록, 상기 압전기판상에 형성되는 적어도 하나의 인터디지탈트랜스듀서;를 포함하며,
상기 압전기판상에 여기되는 상기 SH형 탄성표면파의 파장을 λ라 할때, 상기 각 단면은 인터디지탈트랜스듀서의 탄성표면파 전파방향의 최외측 부분에 위치하는 등전위 전극지쌍의 중심으로부터 대략 λ/2 - 5λ/128 이상 이면서 등전위 전극지쌍의 중심으로부터 약 λ/2 이하인 영역에 위치하는 것을 특징으로 한다.

Description

단면반사형 탄성표면파 필터{Edge reflection type surface acoustic wave filter}
본 발명은, 예를 들어 이동통신기기의 대역필터로 사용되는 표면파 필터에 관한 것으로, 특히, BGS(Bleustein-Gulyaev-Shimizu)파 또는 Love파와 같은 SH(shear horizontal wave type) 표면파를 이용하는 단면반사형 탄성표면파 필터에 관한 것이다.
SH형 단면반사형 탄성표면파 필터는 리플렉터(reflectors)를 필요로 하지 않는다. 따라서, 필터가 소형화될 수 있기 때문에, 다양한 단면반사형 탄성표면파 필터가 제안되어 왔다(예를 들어, 미국 특허 5,977,686호).
단면반사형 탄성표면파 필터에는, 적어도 하나의 인터디지탈트랜스듀서(이하, IDT라 함)가 형성되어 있다. 이 IDT에 의해서 여기되는 SH형 탄성표면파는, 압전기판의 대향하는 두개의 단면사이에서 반사되어, 정재파(standing wave)가 발생하고, 이 정재파에 기초한 공진특성을 이용하여 대역필터가 구현된다. 상기 IDT는 서로 인터디지탈화되어 있는 전극지를 포함한다. 다른 전위에 접속된 전극지가 번갈아 배치되는 이른바 단일 전극을 사용한 IDT 외에, 하나의 단일 전극을 한 쌍의 전극지로 분할한, 소위 스플릿 전극을 이용한 IDT도 알려져 있다.
상술한 단면반사형 탄성표면파 필터에서, 삽입손실은 사용되는 압전 기판의 유형에 따라 달라진다. 따라서, 동일한 압전 기판이 사용되는 경우, 실제로 손실을 줄이는 것이 어렵다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 횡결합형 공진기필터를 구성하는, 단면반사형 탄성표면파 필터의 모식적상면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 바람직한 실시형태의 단면반사형 탄성표면파 필터와 동일하게 구성된 단면반사형 탄성표면파 필터의 주파수 특성을 도시한 도이다.
도 3은 도 1에 도시된 단면반사형 탄성표면파 필터에 있어서, 단면의 위치 및 표면파 전파방향의 최외측에 형성된 스플릿(split)전극의 전극지들(electrode fingers)의 중심간의 위치관계를 설명하는 모식적 부분확대상면도이다.
도 4는 단면의 위치를 달리하여 제작된 단면반사형 탄성표면파 필터의 주파수 특성을 도시한 도이다.
도 5는 단면반사형 탄성표면파 필터에 있어서, 단면의 위치와 삽입손실간의 관계를 도시한 도이다.
도 6은 단면의 위치를 달리하는 경우에 있어서, 단면반사형 탄성표면파 필터의 공진기의 임피던스-주파수 특성을 도시한 도이다.
도 7은 본발명의 바람직한 실시형태를 적용한 종결합형 공진기필터를 설명하기 위한 모식적상면도이다.
도 8은 도 7에 도시된 종결합형 공진기필터의 주파수 특성을 도시한 도이다.
도 9는 본발명의 바람직한 실시형태를 적용한 래더형 필터의 한 예를 도시한 모식적상면도이다.
도 10은 본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 단면반사형 탄성표면파 필터를 이용하여 구성된 듀플렉서를 설명하기 위한 회로도이다.
도 11은 본발명의 듀플렉서를 이용한 통신 시스템의 개략블록도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1 단면반사형 탄성표면파 필터 2 압전기판
2b, 2c 단면 3, 4 IDT
3a, 3b, 4a, 4b 전극지
4a1, 4b1 최외측의 서로 대향하는 전극지
(X) 최외측의 대향 전극지들의 중심
21 종결합형 공진기필터 22 압전기판
22a, 22b 단면 23, 24 IDT
31 래더형 필터 32 압전기판
32a, 32b 단면
33∼37 단면반사형 표면파공진기
상술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해서, 본 발명의 바람직한 실시형태는, 동일 압전 기판이 사용된 경우라도 손실이 크게 감소되는 단면반사형 탄성표면파 필터를 제공한다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 의하면, 단면반사형 탄성표면파 필터는 두 개의 대향하는 단면을 갖는 압전기판과, 적어도 하나의 인터디지탈트랜스듀서를 포함한다. 인터디지탈트랜스듀서는 SH형 탄성표면파가 압전체 기판 위에서 여기되고 두 개의 대향 단면 사이에서 반사되도록, 상술한 압전기판상에 배치된 전극지쌍으로 이루어진 스플릿 전극을 포함한다. 상기 각 단면은 인터디지탈트랜스듀서의 탄성표면파 전파방향의 최외측 부분에 위치하는 등전위 전극지쌍의 중심으로부터 대략 λ/2 - 5λ/128 이상이면서 등전위 전극지쌍의 중심으로부터 약 λ/2 이하인 영역에 위치한다. 여기서, λ는 압전기팡상에서 여기되는 SH형 탄성표면파의 파장이다.
상술한 압전 기판의 각 단면들은 각 최외측 등전위 전극지쌍의 중심으로부터 약 λ/2 - λ/32 와 λ/2 - λ/64 사이에 위치하는 것이 바람직하다.
바람직한 실시형태에 있어서, 본 발명에 따른 반사형 탄성표면파 필터는 횡결합형 공진기필터, 종결합형 공진기필터, 또는 래더형(ladder-type)필터 또는 다른 적절한 필터를 구성한다.
본 발명의 다른 바람직한 실시형태에서는, 본 발명에 따른 단면반사형 탄성표면필터를 포함하는 안테나 듀플렉서가 제공되어 있다.
또한, 본 발명의 또다른 바람직한 실시형태에 있어서는, 상술한 안테나 듀플렉서를 가진 통신기기가 제공되어 있다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 의하면, 압전 기판의 단면들을 상술한 특정 위치에 위치시킴으로써, 삽입손실이 크게 감소된다. 더욱이, 상술한 단면의 위치조절에 의해서 주파수가 조절된다.
횡결합형 공진기필터, 종결합형 공진기필터, 또는 래더형(ladder-type)필터가 본 발명의 다양한 바람직한 실시형태에 따라 구현되면, 스플릿 전극을 사용하여 저손실의 횡결합형 공진기필터, 종결합형 공진기필터 및 적은 손실을 갖는 래더형(ladder-type)필터가 구현된다.
본 발명의 다양한 바람직한 실시형태에 따른 단면반사형 탄성표면파 필터를 사용하여 구현되는 안테나 듀플렉서에 있어서, 안테나 듀플렉서의 손실은 크게 감소된다.
더욱이, 본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 안테나 듀플렉서를 포함하는 통신기기에 있어서, 적은 손실을 갖는 안테나 듀플렉서가 상술한 바와 같이 구현되면, 통신기기 전체의 손실이 크게 감소된다.
본 발명을 설명하기 위해서, 몇몇 바람직한 실시형태가 도면에 도시되어 있다. 그러나 본 발명은 도시된 배열 및 구성요소에 국한시켜 이해되어서는 안된다.
본 발명의 다른 특징, 구성요소, 이점 및 특징은 첨부된 도면을 참조하여 바람직한 실시형태의 상세한 설명으로부터 명백히 이해될 것이다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 단면반사형 탄성표면파 필터의 예를 도면을 참조하여 설명하겠다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 단면반사형 탄성표면파 필터의 모식적상면도이다.
단면반사형 탄성표면파 필터(1)은 압전기판(2) 및 이 압전기판(2)상에 형성된, 두 개의 IDT (3) 및 (4)를 포함한다. 본 실시형태에서는 IDT (3) 및(4)가 탄성표면파 전파방향에 실질적으로 직교한 방향으로 정렬되어, 횡결합형 공진기필터가 구성되어 있다.
압전기판(2)는 예를 들어 LiTaO3, LiNbO3, 수정, 또는 다른 적절한 압전성 단결정등의 압전성단결정, 티탄산지르콘산납 계열의 세라믹 또는 다른 적절한 압전세라믹을 사용하여 형성된다. 압전기판(2)가 압전성 세라믹에 의해서 구현되면, 도시된 화살표 P의 방향으로 분극처리가 행해진다. 즉, 상술한 방향은 탄성표면파 전파방향(후에 설명될 것임)과 실질적으로 직교하며, 분극처리는 압전기판(2)의 상부면(2a)에 실질적으로 평행한 방향으로 행해진다.
IDT (3)과(4)는 서로 삽입되도록 구성된 스플릿 전극으로 이루어진 한 쌍의 빗형상 전극들(comb electrodes)을 가지고 있다. 각 스플릿 전극은 상기 전극지쌍 (3a), (3b), (4a) 및 (4b)에 의해 구성된다.
IDT (3) 및(4)는 알루미늄, 알루미늄을 주성분으로 함유하는 합금, 또는 다른 적절한 도전성 물질등의 적당한 도전성 재료로 구성되어 있다.
전극지 (3a), (3b), (4a) 및 (4b)는 탄성표면파의 전파방향에 실질적으로 직교한 방향으로 연장되어 있다.
본 실시형태의 단면반사형 탄성표면파 필터 (1)에서, IDT(3)의 한쪽 빗형상 전극의 버스바와 IDT(4)의 한쪽 빗형상 전극의 버스바는 공통버스바 (5)를 구성한다.
IDT(3)의 공통버스바의 반대편상에 위치한 버스바(6)은 입력 단자 IN에 연결되어 있고, 공통버스바는 접지되고, 입력전압을 인가하면 IDT(4)의 공통버스바의 반대편에 있는 버스바(7)에 접속된 출력 단자 OUT을 통해 출력이 나온다.
본 실시형태의 단면반사형 탄성표면파 필터(1)의 특징중의 하나는, 탄성표면파가 반사되는 단면(2b), (2c)의 위치가, IDT(3),(4)의 탄성표면파 전파방향의 최외측에 위치해 있는 등전위 상의 전극지쌍, 예를 들어 전극지(4a1), (4b1)의 중심으로부터 탄성표면파 전파방향외측에 λ/2의 위치의 이하이면서 λ/2 - 5λ/128의 위치의 이상에 존재한다는 점이다. 이는 도 2∼6을 참조하여 설명될 것이다.
횡결합형 공진기필터를 구성하는 단면반사형 탄성표면파 필터(1)이 다음과 같이 구성된다.
압전기판(2)로서 약 1.5×2.0×0.5 mm 크기를 가진 PZT 기판을 사용하여, 4단 횡결합형 공진기필터를 형성하였다. 각 횡결합형 공진기필터 IDT(3) 및 (4)의 34 쌍의 전극지들은 약 1.3λ의 전극지 교차폭을 갖는다. 단면반사형 탄성표면파 필터 (1)에서, 단면(2b) 및 (2c)의 위치는, 최외측의 등전위 전극지쌍들의 중심으로부터 탄성표면파의 전파방향 외측으로 약 λ/2 - λ/32이다. 이 단면반사형 탄성표면파 필터의 주파수 특성은 도 2에 도시되어 있다. 도 2에서 명백히 이해되듯이,중심주파수는 약 71 MHz이고, 대역폭은 약 290 kHz로 좁은, 저손실의 단면반사형 탄성표면파 필터를 구성하는 것이 가능하다.
본 실시형태에서, 단면 (2b) 및 (2c)는 상술한 범위에 있므으로, 손실이 크게 감소될 수 있다.
즉, 본 발명자들은 스플릿 전극을 사용하는 단면반사형 탄성표면파 필터(1)에 있어서, 단면 (2a) 및 (2b)가 상술한 특정 범위에 위치하게 되면 손실이 크게 감소될 수 있다는 것을 발견하고, 본 발명을 완성하기에 이르렀다. 이것은 본 발명의 바람직한 실시형태의 구체적인 예에 의거하여 설명할 것이다.
상술한 단면반사형 탄성표면파 필터를 구현하는 경우, 단면 (2b), (2c)의 위치를 다양하게 바꿈으로써, 복수 종류의 단면반사형 탄성표면파 필터를 구성하고, 그 특성을 평가하였다. 즉, 도 3의 모식적확대상면도로 나타낸 바와 같이, IDT(4)의 탄성표면파 전파방향 최외측 전극의 전극지 (4a1), (4b1)의 중심으로부터, 탄성표면파 전파방향 외측에, 도 3의 A∼F에 의해 도시된 위치에서 각각 압전기판을 절단하여, 단면 (2c)를 형성하였다. 더욱이, 최외측의 등전위 전극지쌍은, 최외측의 전극지쌍 (4a1), (4b1)이며, 도 3의 전극지 (4a2)는, 단면의 위치가 도 3의 A∼E에 있는 경우, 전극지(4a2)와 함께 한쌍의 전극지를 구성하는 다른 전극지를 포함하지 않으며, 따라서, 전극지(4a2)는 최외측 전극지쌍을 구성하지 않는다. 도 3의 C로 표시된 위치는 점 (X)로부터 탄성표면파 전파방향 외측에 λ/2 떨어진 위치에 해당한다.
또한, A∼E는, 각각 (X)로부터 A=λ/2-λ/16, B=λ/2-λ/32, C=λ/2, D=λ/2+λ/32, E=λ/2+λ/16, F=λ/2+λ/8 외측의 위치에 해당한다. 도 3에서 압전기판(2)의 단면(2c)는 최외측의 전극지 (4a1) 및 (4b1)의 중심 (X)로부터 B위치, 즉 λ/2 - λ/32 떨어져서 위치한다.
도 4는 상술한 바와 같이하여 얻어진 단면반사형 탄성표면파 필터의 주파수 특성을 도시하고 있다.
도 4의 A∼F는, 상술한 단면의 위치가 도 3의 A∼F에 있는 단면반사형 탄성표면파 필터의 주파수 특성을 도시하고 있다. 도 4의 A∼F에 도시된 특성의 삽입손실은 다음과 같다. 즉 A: 15.7 dB, B: 14.3 dB, C: 14.2 dB, D: 15.4 dB, E: 15.7 dB, F: 21.6 dB이다. 따라서, 단면의 위치를 바꿈으로써 중심주파수뿐 아니라 삽입손실도 변화시킬 수 있다.
도 4의 결과를 기초하여, 상기단면의 위치 및 삽입손실의 관계를 플롯한 것이 도 5에 도시되어 있다.
도 5로부터 명백히 알 수 있듯이, 단면의 위치가 상기 점 ((X))로부터 탄성표면파 전파방향 외측에 약 λ/2 위치의 내측에 있고, 약 λ/2 - 5λ/128 위치에 있을때, 삽입손실은 약 λ/2 외측의 위치에 비하여 작게된다. 즉, 단면을 점 ((X))로부터 탄성표면파 전파방향 외측에 약 λ/2 떨어진 곳의 내측 및 약 λ/2 - 5λ/128 떨어진 곳의 외측에 위치함으로써, 삽입손실을 저감할 수 있다. 더욱 바람직한 것은, 점 ((X))로부터 탄성표면파 전파방향 외측에 약 λ/2-λ/64 떨어진 곳의 내측의 위치이면서 약 λ/2 - λ/32 떨어진 곳의 외측의 위치에 단면을 배치함으로써, 삽입손실을 더욱 저감시킬 수 있다.
또한, 도 6은 상기단면의 위치가, ((X))로부터 탄성표면파 운반방향 외측에 약 λ/2에 있는 경우, 약 λ/2 - λ/16에 있는 경우, 약 λ/2 - λ/8에 있는 경우, 및 약 λ/2 - λ/4에 있는 경우의 임피던스-주파수 특성을 도시하고 있다. 도 6으로부터 명백히 알 수 있듯이, 상기 단면의 위치가 상술한 특정범위에 있더라도, 임피던스-주파수 특성상에 있어 산과 골의 비 및 대역비폭은 거의 영향을 받지 않고 커다란 스퓨리어스 신호에 의해 실질적으로 영향을 받지도 않는다.
따라서, 본 발명의 바람직한 실시형태에 의하면, 단면반사형 탄성표면파 필터(1)의 단면의 위치를 상기 특정의 범위로 하는 경우에, 삽입손실은 작아지고, 양호한 필터링 특성을 얻을 수 있다.
상기 바람직한 실시형태에서, 본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 단면반사형 탄성표면파 필터를 횡결합형공진기필터에 적용한 예를 나타내었으나, 도 7에 도시한 종결합형 공진기필터에도 적용되는 것이 가능하다. 도 7에 도시된 종결합형 공진기필터(21)에는, 두개의 IDT (23), (24)가 탄성표면파 전파방향을 따라 정렬되어 있다. 단면반사형 탄성표면파 필터 (21)에 있어서, 압전기판(22)의 단면 (22a), (22b)의 위치를 상기 실시형태와 같이 위치설정을 함으로써 삽입손실을 크게 저감하는것이 가능하다. 도 8에는, 단면반사형 탄성표면파 필터(21)의 주파수 특성의 한 예가 도시되어 있다.
또한, 본 실시형태의 단면반사형 탄성표면파 필터는, 복수의 병렬암공진기및 직렬암공진기를 포함하는 래더형(ladder type)필터에도 적용하는 것이 가능하다. 도 9는, 본 발명에 따라 구성된 래더형 필터의 한 바람직한 실시형태를 설명하는 모식적상면도이다. 래더형 필터(31)에서, 복수의 단면반사형 탄성표면파 필터 (33)∼(37)이 압전기판(32)상에 구성되어 있다. 각 필터 (33)∼(37)은, 스플릿 전극을 사용하는 IDT를 함유하고 있다. 단면반사형 탄성표면파 필터 (33), (35) 및 (37)은 병렬암공진기를 구성하고, 단면반사형 탄성표면파 필터 (34), (36)은 직렬암공진기를 구성하고 있다. 래더형 필터 (31)에 있어서도, 압전기판 (32)상에 대향하는 두개의 단면 (32a), (32b)를 제 1 실시형태와 같이 상기 특정의 범위에서 설정함으로써, 삽입손실을 크게 저감하는 것이 가능하다.
더욱이, 본발명의 바람직한 실시형태에 있어서, 상술한 압전기판 외에 ZnO 박막같은 압전성박막 또는 다른 적절한 압전성박막을 사용할 수 있다.
다음으로, 본 발명에 따른 단면반사형 탄성표면파 필터를 사용하여 구성된 안테나 듀플렉서의 실시형태를 도 10을 참조하여 설명한다.
도 10은 본 실시형태의 안테나 듀플렉서를 설명하기 위한 회로도이다. 본 실시형태의 안테나 듀플렉서(70)은, 본 발명의 단면반사형 탄성표면파 필터 한쌍을 사용하여 구성되었다. 즉, 래더형 필터(61)의 각각의 입력단자(62)는 공통접속되어, 제 1 포트(71)을 구성한다. 다른 한편, 래더형 필터(61)의 각각의 출력단자(63)을 사용하여, 각각 본 실시형태의 안테나 듀플렉서의 제 2, 제 3의 포트를 구성하고 있다.
따라서, 안테나 듀플렉서가 한 쌍의 래더형 필터(61)을 사용하여 구성된다.
또한, 상기 안테나 듀플렉서를 사용하여 통신기기를 구성하는것이 가능하고, 이러한 통신기기의 하나의 실시형태가 도 11에 도시되어 있다.
본 실시형태의 통신기기(81)는, 안테나 듀플렉서(70), 송신 또는 수신회로(82), (83)를 포함하고 있다. 안테나 듀플렉서(70)의 제 1 포트(71)은 안테나(84)에 접속되며, 제 2, 제 3의 포트를 구성하는 출력단자들(63)이 각각 송신 또는 수신회로(82), (83)에 접속되어 있다.
이러한 안테나 듀플렉서(70)에 있어서, 한 쌍의 래더형 필터(61)은 통과대역이 다르도록 조정되며, 이로써 안테나(84)는 송신안테나 또는 수신안테나로 사용된다.
본 발명은 바람직한 실시형태를 참조하여 구체적으로 설명하였으나, 본 기술분야에 있어서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 요지와 범위를 벗어나지 않는 여러가지 변화가 가능하다는 것을 알 것이다.

Claims (18)

  1. 두개의 대향하는 단면을 가진 압전기판; 및
    전극지쌍들로 구성된 스플릿 전극(split electrodes)에 의해 구성되며, 또한 SH형 탄성표면파가 압전기판상에서 여기되어 상기 두 대향 단면 사이에서 반사되도록, 상기 압전기판상에 형성되는 적어도 하나의 인터디지탈트랜스듀서(interdigital transducer);를 포함하며,
    상기 압전기판상에 여기되는 상기 SH형 탄성표면파의 파장을 λ라 할때, 상기 각 단면은 상기 인터디지탈트랜스듀서의 탄성표면파 전파방향의 최외측 부분에 위치하는 등전위(equipotential) 전극지쌍의 중심으로부터 대략 λ/2 - 5λ/128 이상이면서 등전위 전극지쌍의 중심으로부터 약 λ/2 이하에 위치하는 것을 특징으로 하는 단면반사형 탄성표면파 필터.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 단면반사형 탄성표면파 필터가 횡결합형 공진기필터를 구성하는 것을 특징으로 하는 단면반사형 탄성표면파 필터.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 단면반사형 탄성표면파 필터가 종결합형 공진기필터를 구성하는 것을 특징으로 하는 단면반사형 탄성표면파 필터.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 단면반사형 탄성표면파 필터가 래더형 필터를 구성하는 것을 특징으로 하는 단면반사형 탄성표면파 필터.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 각 단면은 상기 인터디지탈트랜스듀서의 탄성표면파 전파방향의 최외측 부분에 위치하는 등전위 전극지쌍의 중심으로부터 대략 λ/2 - λ/32 이상이면서 등전위 전극지쌍의 중심으로부터 약 λ/2-λ/64 이하에 위치하는 것을 특징으로 하는 단면반사형 탄성표면파 필터.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 단면반사형 탄성표면파 필터가 횡결합형 공진기필터를 구성하는 것을 특징으로 하는 단면반사형 탄성표면파 필터.
  7. 제 5항에 있어서, 상기 단면반사형 탄성표면파 필터가 종결합형 공진기필터를 구성하는 것을 특징으로 하는 단면반사형 탄성표면파 필터.
  8. 제 5항에 있어서, 상기 단면반사형 탄성표면파 필터가 래더형 필터를 구성하는 것을 특징으로 하는 단면반사형 탄성표면파 필터.
  9. 제 1항에 있어서, 상기 압전기판은 압전 단결정으로 구성되는 것을 특징으로 하는 단면반사형 탄성표면파 필터.
  10. 제 1항에 있어서, 상기 압전기판은 압전 세라믹으로 구성되는 것을 특징으로하는 단면반사형 탄성표면파 필터.
  11. 제 1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 상기 인터디지탈트랜스듀서는 알루미늄 또는 알루미늄을 주성분으로 하는 합금으로 구성되는 것을 특징으로 하는 단면반사형 탄성표면파 필터.
  12. 제 1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 상기 인터디지탈트랜스듀서는 상기 탄성표면파 전파방향과 실질적으로 직교하는 방향으로 정렬된 두 개의 인터디지탈트랜스듀서를 포함하는 것을 특징으로 하는 단면반사형 탄성표면파 필터.
  13. 제 1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 상기 인터디지탈트랜스듀서는 상기 탄성표면파 전파방향을 따라 정렬된 두 개의 인터디지탈트랜스듀서를 포함하는 것을 특징으로 하는 단면반사형 탄성표면파 필터.
  14. 제 1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 상기 인터디지탈트랜스듀서는 복수의 인터디지탈트랜스듀서로 구성되며, 상기 복수의 인터디지탈트랜스듀서들 중 적어도 두개의 상기 인터디지탈트랜스듀서들이 병렬암공진기를 구성하며, 다른 적어도 두개의 상기 인터디지탈트랜스듀서들이 직렬암공진기를 구성하는 것을 특징으로 하는 단면반사형 탄성표면파 필터.
  15. 제 1항에 있어서, 상기 압전기판이 압전박막으로 구성되는 것을 특징으로 하는 단면반사형 탄성표면파 필터.
  16. 제 15항에 있어서, 상기 압전박막은 ZnO 박막인 것을 특징으로 하는 단면반사형 탄성표면파 필터.
  17. 제 1항에 기재된 단면반사형 탄성표면파 필터를 사용하는 것을 특징으로 하는 안테나 듀플렉서.
  18. 제 17항에 기재된 안테나 듀플렉서를 포함하는 것을 특징으로 하는 통신기기.
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