KR20010084011A - Gas supply system - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 가스공급시스템에 관한 것으로, 특히 다수의 실린더캐비넷과 주설비를 연결하는 다수의 프로세스라인을 상통시킴으로써 대용량 가스실린더 및 실린더캐비넷 컴포넌트의 교체 및 보수에 따른 주설비의 다운을 방지하여 가스를 연속적으로 공급할 수 있는 반도체장치 제조설비의 가스공급시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a gas supply system, and in particular, by communicating a plurality of process lines connecting a plurality of cylinder cabinets and main equipment to prevent the downtime of the main equipment due to replacement and maintenance of large-capacity gas cylinders and cylinder cabinet components. It relates to a gas supply system of a semiconductor device manufacturing equipment that can be continuously supplied.
통상적으로 웨이퍼는 사진, 확산, 식각, 증착 등의 공정들이 반복 수행되어 반도체소자로 제작된다. 이러한 각 공정이 수행되는 반도체소자의 제조설비에는 웨이퍼 상에 요구되는 가스를 공급하기 위한 가스공급시스템이 필수적으로 설치되어 있다.In general, a wafer is fabricated as a semiconductor device by repeatedly performing processes such as photographing, diffusion, etching, and deposition. A gas supply system for supplying a gas required on a wafer is essentially provided in a manufacturing apparatus of a semiconductor device in which each of these processes is performed.
상기한 반도체소자의 제조설비는 일반적으로 주설비라하고, 가스공급시스템을 보조설비라 하는데, 상기 보조설비인 가스공급시스템은, MFC(Mass Flow Controller), 각종 밸브 및 가스 공급관 등으로 구성되어 있다.The manufacturing equipment of the semiconductor device is generally referred to as a main equipment, and the gas supply system is referred to as an auxiliary equipment. The gas supply system, which is the auxiliary equipment, includes a mass flow controller (MFC), various valves, and a gas supply pipe. .
그리고, 상기한 가스는, 예컨대 건식식각에 사용되는 HBr, HF, 및 HCl 가스나 CVD(chemical vapor deposition) 공정에 사용되는 CF4, SF6, 및 PF5등의 가스는 대부분 부식성 가스(corrosive gas)로서 순도가 매우 높다. 그리고, 이를 통상 봄베(Bombe) 또는 기타 가스실린더인 용기(Bottle)에 보관한다.In addition, the above-described gas, for example, HBr, HF, and HCl gas used for dry etching, or gases such as CF 4 , SF 6 , and PF 5 used in a chemical vapor deposition (CVD) process are mostly corrosive gases. ) Purity is very high. And it is usually stored in a container (Bombe) or other gas cylinder (Bottle).
그런데, 요즘 웨이퍼가 대구경화 및 고집적화되면서 상대적으로 소용량의 가스실린더의 교체가 잦아지게 되고, 이로 인해 반응챔버로 가스를 공급하는 절차에서 침투한 수분 성분과 가스실린더에 저장된 부식성 가스가 반응하여 산(acid), 불순한 미세 입자, 혹은 기체 상태의 불순물이 발생하는 문제가 야기된다. 특히, MFC의 오동작을 초래하거나 공정상의 결함(defect)을 야기시키므로 이의 세심한 관리가 요구되고 있다. 결국, 웨이퍼의 대구경화 및 고집적화에 따라 가스실린더의 교체횟수의 감소, 가스공급시스템수 감소 및 가스공급시스템의 공간감소가 가능한 대형용기의 사용이 불가피하게 되었다.However, as wafers have been large-sized and highly integrated these days, the replacement of relatively small-capacity gas cylinders has become more frequent. As a result, the moisture component infiltrated in the procedure of supplying gas to the reaction chamber and the corrosive gas stored in the gas cylinders react with acid ( acid), impure fine particles, or gaseous impurities are generated. In particular, careful management of the MFC is required because it causes a malfunction of the MFC or a process defect. As a result, large diameters and high integration of wafers have made it necessary to use large containers capable of reducing the number of gas cylinder replacements, reducing the number of gas supply systems, and reducing the space of the gas supply system.
그러나, 대형용기의 사용으로 가스실린더의 교체횟수가 감소되는 효과는 있으나 다수의 주설비에 연결되어 사용하므로 대형공급장치의 이상발생 및 수리 등으로 많은 주설비가 다운될 수 있다는 문제점을 안고 있다. 또한, 초기 셋업시 대형용기에 연결되어 있는 첫번째 설비가 셋업된 후 다른 설비를 셋업할 경우에 대형용기가 더 필요하게 되어 비효율적인 운영이 이루어진다는 문제점이 있다.However, the use of a large container has the effect of reducing the number of replacement of the gas cylinder, but has a problem that many main equipment can be down due to abnormal occurrence and repair of a large supply device because it is used to connect to a number of main equipment. In addition, there is a problem in that inefficient operation is performed when a large container is required when setting up another facility after the first facility connected to the large container is set up in the initial setup.
그러면, 종래기술에 의한 반도체장치 제조설비의 가스공급시스템에 대해 도면을 참조하여 설명하기로 한다.Next, a gas supply system of a semiconductor device manufacturing apparatus according to the prior art will be described with reference to the drawings.
도 4는 종래의 가스공급시스템을 나타낸 구성도이다. 도 4를 참조하면, 다수의 밸브, 압력조절기, 레귤레이터 및 필터 등으로 구성되어 가스의 흐름을 제어하는 제1 실린더캐비넷(10)이 마련되어 있다.4 is a configuration diagram showing a conventional gas supply system. Referring to FIG. 4, a first cylinder cabinet 10 including a plurality of valves, pressure regulators, regulators, filters, and the like for controlling the flow of gas is provided.
이 제1 실린더캐비넷에(10)는 제1 및 제2 대용량 가스실린더(11A, 11B)가 연결되는데, 상기 제1 실린더캐비넷(10)과 제1 및 제2 대용량 가스실린더(11A, 11B)는 제1 및 제2 프로세스라인(12A, 12B)으로 연결되어 있다.The first cylinder cabinet 10 is connected to the first and second large-capacity gas cylinders 11A and 11B, and the first cylinder cabinet 10 and the first and second large-capacity gas cylinders 11A and 11B are connected to each other. It is connected to the first and second process lines 12A and 12B.
또한, 이 제1 실린더캐비넷(10)에는 제1 밸브 매니폴드 박스(Valve Manifold Box ; 이하, VMB 함, 13)가 연결되는데, 상기 제1 실린더캐비넷(10)과 제1 VMB(13)는 제3 프로세스라인(14)으로 연결되어 있다.In addition, a first valve manifold box (hereinafter referred to as VMB box 13) is connected to the first cylinder cabinet 10, wherein the first cylinder cabinet 10 and the first VMB 13 are formed of a first valve manifold box. Three process lines 14 are connected.
한편, 상기한 첫 번째 가스공급시스템을 셋팅한 후, 추가로 다른 가스공급시스템을 설치할 경우에는 상기한 첫 번째 가스공급시스템과 같은 구성으로 두 번째 가스공급시스템을 구성한다. 즉, 두 번째 가스공급시스템은, 제2 실린더캐비넷(20), 제3 및 제4 대용량 가스실린더(21A, 21B), 제2 실린더캐비넷(20)과 제3 및 제4 대용량 가스실린더(21A, 21B)를 연결하는 제4 및 제5 프로세스라인(22A, 22B), 제2 VMB(23), 제2 실린더캐비넷(20)과 제2 VMB(23)를 연결하는 제6 프로세스라인(24)으로 구성되어 있다.On the other hand, after setting the first gas supply system described above, in the case of installing another gas supply system further comprises a second gas supply system having the same configuration as the first gas supply system described above. That is, the second gas supply system, the second cylinder cabinet 20, the third and fourth large-capacity gas cylinder 21A, 21B, the second cylinder cabinet 20 and the third and fourth large-capacity gas cylinder 21A, The fourth and fifth process lines 22A and 22B connecting the 21B), the second VMB 23, and the sixth process line 24 connecting the second cylinder cabinet 20 and the second VMB 23; Consists of.
여기에, 상기 제1, 제2, 제4, 및 제5 프로세스라인(12A, 12B, 22A, 22B) 상에는 소정구간에서 가열이 가능하도록 히터(30)가 설치되어 있다. 또한, 상기 제1 VMB(13)와 제2 VMB(23)는 주설비(40)로 연결되어 있다.Here, the heater 30 is provided on the first, second, fourth, and fifth process lines 12A, 12B, 22A, and 22B to enable heating in a predetermined section. In addition, the first VMB 13 and the second VMB 23 are connected to the main facility 40.
상기와 같이 구성된 종래의 가스공급시스템은, 예를들어 제1 대용량 가스실린더의 교체나 제1 실린더 캐비넷의 수리가 있을 경우에 제3 프로세스라인을 통해 주설비로 가스를 공급할 수 없으므로 일부 설비가 다운되는 문제점이 있었다.The conventional gas supply system configured as described above cannot supply gas to the main facility through the third process line, for example, when the first large-capacity gas cylinder is replaced or the first cylinder cabinet is repaired. There was a problem.
따라서, 본 발명의 목적은 다수의 실린더캐비넷과 주설비를 연결하는 다수의 프로세스라인을 상통시킴으로써 대용량 가스실린더 및 실린더캐비넷 컴포넌트의 교체 및 보수에 따른 주설비의 다운을 방지하여 가스를 연속적으로 공급할 수 있는 반도체장치 제조설비의 가스공급시스템을 제공하는데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to allow the supply of gas continuously by preventing the downtime of the main equipment due to the replacement and maintenance of the large-capacity gas cylinder and the cylinder cabinet components by making the multiple process lines connecting the plurality of cylinder cabinets and the main equipment to be in communication with each other. The present invention provides a gas supply system for a semiconductor device manufacturing facility.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스공급시스템의 개략적인 구성을 나타낸 도면,1 is a view showing a schematic configuration of a gas supply system according to an embodiment of the present invention,
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 프로세스라인의 상통된 상태를 나타낸 도면,2 is a view showing an interface state of a process line according to an embodiment of the present invention;
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 실린더캐비넷의 구성을 개략적으로 나타낸 도면,3 is a view schematically showing the configuration of a cylinder cabinet according to an embodiment of the present invention;
도 4는 종래의 가스공급시스템을 나타낸 구성도이다.4 is a configuration diagram showing a conventional gas supply system.
**도면의 주요부분에 대한 부호의 설명**** Description of the symbols for the main parts of the drawings **
10 : 제1 실린더캐비넷 11A, 11B : 제1 , 제2 대용량 가스실린더10: 1st cylinder cabinet 11A, 11B: 1st, 2nd large capacity gas cylinder
12A, 12B : 제1 , 제2 프로세스라인 14 : 제3 프로세스라인12A, 12B: first and second process lines 14: third process line
15 : 제1 연결관 20 : 제2 실린더캐비넷15: first connector 20: second cylinder cabinet
21A, 21B : 제3 , 제4 대용량 가스실린더21A, 21B: 3rd, 4th large-capacity gas cylinder
22A, 22B : 제4 , 제5 프로세스라인 24 : 제6 프로세스라인22A, 22B: 4th, 5th process line 24: 6th process line
25 : 제2 연결관 30 : 히터25: second connector 30: heater
40 : 주설비40: main equipment
상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명은 가스를 저장하는 다수의 가스실린더와, 상기 가스 흐름을 제어하는 가스컴포넌트를 포함하는 다수의 실린더캐비넷과, 상기 제어된 가스를 주설비로 공급하기 위해 상기 실린더캐비넷과 주설비를 연결하는 다수의 프로세스라인을 포함하여 이루어진 반도체장치 제조설비의 가스공급시스템에 적용되는데, 본 발명의 가스공급시스템은 상기 주설비의 다운을 방지하기 위해 상기 다수의 프로세스라인을 상통시키는 연결관을 형성시켜서 이루어진 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a plurality of gas cylinders for storing gas, a plurality of cylinder cabinets including a gas component for controlling the gas flow, and the cylinder for supplying the controlled gas to the main equipment. Applied to the gas supply system of a semiconductor device manufacturing facility comprising a plurality of process lines connecting the cabinet and the main equipment, the gas supply system of the present invention is in communication with the plurality of process lines to prevent the main equipment down. Characterized in that formed by forming a connecting tube.
이 때, 상기 연결관에는 가스의 선택적 공급을 위해 매뉴얼 밸브 및 공압밸브를 선택적으로 형성시키는 것이 바람직하다.At this time, it is preferable to selectively form a manual valve and a pneumatic valve in the connecting pipe for the selective supply of gas.
또한, 상기 실린더캐비넷에는, 상기 가스실린더의 교체에 따른 주설비의 다운을 방지하기 위해, 상기 가스컴포넌트와 프로세스라인 사이에 바이패스관을 연결하여서 이루어진 것도 바람직하다.In addition, the cylinder cabinet is preferably made by connecting a bypass pipe between the gas component and the process line in order to prevent the down of the main equipment due to the replacement of the gas cylinder.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described a preferred embodiment of the present invention.
본 발명의 도면에 있어서, 종래기술에 의한 도 2의 가스공급시스템에 적용되는 것이므로 같은 구성요소에 대해서는 동일 참조번호를 사용하고, 본 발명의 특징부를 중심으로 설명하기로 한다.In the drawings of the present invention, since the same components are applied to the gas supply system of FIG. 2 according to the prior art, the same reference numerals are used for the same components, and the features of the present invention will be described.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스공급시스템의 개략적인 구성을 나타낸 도면이다. 도 1을 참조하면, 다수의 밸브, 압력조절기, 레귤레이터 및 필터 등으로 구성되어 가스의 흐름을 제어하는 제1 실린더캐비넷(10)이 마련되어 있다.1 is a view showing a schematic configuration of a gas supply system according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, a first cylinder cabinet 10 including a plurality of valves, a pressure regulator, a regulator, a filter, and the like for controlling the flow of gas is provided.
이 제1 실린더캐비넷에(10)는 제1 및 제2 대용량 가스실린더(11A, 11B)가 연결되는데, 상기 제1 실린더캐비넷(10)과 제1 및 제2 대용량 가스실린더(11A, 11B)는 제1 및 제2 프로세스라인(12A, 12B)으로 연결되어 있다.The first cylinder cabinet 10 is connected to the first and second large-capacity gas cylinders 11A and 11B. The first cylinder cabinet 10 and the first and second large-capacity gas cylinders 11A and 11B are connected to each other. It is connected to the first and second process lines 12A and 12B.
또한, 이 제1 실린더캐비넷(10)에는 제1 밸브 매니폴드 박스(Valve Manifold Box ; 이하, VMB 함, 13)가 연결되는데, 상기 제1 실린더캐비넷(10)과 제1 VMB(13)는 제3 프로세스라인(14)으로 연결되어 있다.In addition, a first valve manifold box (hereinafter referred to as VMB box 13) is connected to the first cylinder cabinet 10, wherein the first cylinder cabinet 10 and the first VMB 13 are formed of a first valve manifold box. Three process lines 14 are connected.
한편, 상기한 첫 번째 가스공급시스템을 셋팅한 후, 추가로 다른 가스공급시스템을 설치할 경우에는 상기한 첫 번째 가스공급시스템과 같은 구성으로 두 번째 가스공급시스템을 구성한다. 즉, 두 번째 가스공급시스템은, 제2 실린더캐비넷(20), 제3 및 제4 대용량 가스실린더(21A, 21B), 제2 실린더캐비넷(20)과 제3 및 제4 대용량 가스실린더(21A, 21B)를 연결하는 제4 및 제5 프로세스라인(22A, 22B), 제2 VMB(23), 제2 실린더캐비넷(20)과 제2 VMB(23)를 연결하는 제6 프로세스라인(24)으로 구성되어 있다.On the other hand, after setting the first gas supply system described above, in the case of installing another gas supply system further comprises a second gas supply system having the same configuration as the first gas supply system described above. That is, the second gas supply system, the second cylinder cabinet 20, the third and fourth large-capacity gas cylinder 21A, 21B, the second cylinder cabinet 20 and the third and fourth large-capacity gas cylinder 21A, The fourth and fifth process lines 22A and 22B connecting the 21B), the second VMB 23, and the sixth process line 24 connecting the second cylinder cabinet 20 and the second VMB 23; Consists of.
또한, 상기 제1, 제2, 제4, 및 제5 프로세스라인(12A, 12B, 22A, 22B) 상에는 소정구간에서 가열이 가능하도록 히터(30)가 설치되어 있다. 또한, 상기 제1 VMB(13)와 제2 VMB(23)는 주설비(40)로 연결되어 있다.In addition, a heater 30 is provided on the first, second, fourth, and fifth process lines 12A, 12B, 22A, and 22B to enable heating in a predetermined section. In addition, the first VMB 13 and the second VMB 23 are connected to the main facility 40.
여기에 본 발명의 특징부로서, 상기 제3 프로세스라인(14)과 제6 프로세스라인(24)을 상통시키는 제1 연결관(15) 및 제2 연결관(25)을 더 형성시키고 있다. 이 때, 제1 연결관(15)과 제2 연결관(25)에는 가스의 선택적 공급을 위해 매뉴얼밸브 또는 공압밸브를 설치하는 것이 좋다. 이는 도 2에 잘 도시되어 있다.In addition, as a feature of the present invention, a first connector 15 and a second connector 25 are further formed to allow the third process line 14 and the sixth process line 24 to communicate with each other. At this time, it is preferable to install a manual valve or a pneumatic valve in the first connecting pipe 15 and the second connecting pipe 25 for the selective supply of gas. This is illustrated well in FIG.
또한, 상기 실린더캐비넷은 대용량 가스실린더의 교체에 따른 주설비의 다운을 방지하기 위해, 가스컴포너트와 제3 프로세스라인 및 제6 프로세스라인 사이에 바이패스관을 연결하고 있다. 이는 도 3에 잘 도시되어 있다.In addition, the cylinder cabinet is connected to the bypass pipe between the gas component and the third process line and the sixth process line in order to prevent the down of the main equipment according to the replacement of the large-capacity gas cylinder. This is illustrated well in FIG. 3.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 프로세스라인의 상통된 상태를 나타낸 도면이다. 구체적으로 도 1의 P지점을 확대한 도면이다. 도 2를 참조하면, 상기한 바와 같이 제3 프로세스라인(14)에서 분기된 제1 연결관(15)이 제6 프로세스라인(24)으로 연결되어 있으며, 제6 프로세스라인(24)에서 분기된 제2 연결관(25)이 제3 프로세스라인(14)으로 연결되어 있다.2 is a view showing a communication state of a process line according to an exemplary embodiment of the present invention. Specifically, the P point of FIG. 1 is enlarged. Referring to FIG. 2, as described above, the first connector 15 branched from the third process line 14 is connected to the sixth process line 24, and branched from the sixth process line 24. The second connector 25 is connected to the third process line 14.
이 때, 제3 프로세스라인(14), 제1 연결관(15), 제6 프로세스라인(24) 및 제2 연결관(25) 상에는 제1, 제2, 제3, 및 제4 매뉴얼밸브(51, 52, 53, 54)가 각각 설치되어 있다. 물론 여기에 매뉴얼밸브를 대신하여 공압밸브를 사용할 수도 있다.At this time, the first, second, third, and fourth manual valves may be disposed on the third process line 14, the first connection pipe 15, the sixth process line 24, and the second connection pipe 25. 51, 52, 53, and 54 are provided, respectively. Of course, a pneumatic valve may be used instead of the manual valve.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 실린더캐비넷의 구성을 개략적으로 나타낸 도면이다. 상기한 제1 실린더캐비넷과 제2 실린더캐비넷의 구성은 동일하므로본 실시예에서는 제1 실린더캐비넷에 대해서만 설명한다. 도 3을 참조하면, 제1 실린더캐비넷은 제1 프로세스라인(12A)과 제3 프로세스라인(14) 사이에 A가스공급관(100, 100')을 형성시키기 있으며, 제2 프로세스라인(12B)과 제3 프로세스라인(14) 사이에 B가스공급관(200, 200')을 형성시키고 있다.3 is a view schematically showing the configuration of a cylinder cabinet according to an embodiment of the present invention. Since the configurations of the first cylinder cabinet and the second cylinder cabinet described above are the same, only the first cylinder cabinet will be described in this embodiment. Referring to FIG. 3, the first cylinder cabinet forms A gas supply pipes 100 and 100 ′ between the first process line 12A and the third process line 14, and the second process line 12B. B gas supply pipes 200 and 200 'are formed between the third process lines 14.
상기 A가스공급관(100, 100') 상에는 밸브, 압력조절기, 레귤레이터 및 필터를 포함하는 A가스제어부(400)가 설치되어 있다.The A gas control unit 400 including a valve, a pressure regulator, a regulator, and a filter is installed on the A gas supply pipes 100 and 100 ′.
이 A가스제어부(400)는 제1 제어부(410)와 제2 제어부(420)가 순차적으로 구성되고, 제1 제어부(410)와 제2 제어부(420)의 각각에서 제3 제어부(430)로 합류되도록 구성되며, 그들의 각각에는 A가스 공급을 분기시키는 2개씩의 밸브가 설치되어 있다.The A gas control unit 400 includes a first control unit 410 and a second control unit 420 sequentially and each of the first control unit 410 and the second control unit 420 from the first control unit 410 to the third control unit 430. It is configured to join, and each of them is provided with two valves for branching the A gas supply.
상기 제1 제어부(410)는 제1 밸브(411)와 제2 밸브(412)로 구성되며, 제2 제어부(420)는 제3 밸브(421)와 제4 밸브(422)로 구성되며, 제3 제어부(430)는 제5 밸브(431)와 제6 밸브(432)로 구성되어 있다.The first control unit 410 is composed of a first valve 411 and a second valve 412, the second control unit 420 is composed of a third valve 421 and the fourth valve 422, The third control unit 430 is composed of a fifth valve 431 and a sixth valve 432.
그리고, 가스 최대 공급량에 따른 압력저하를 방지하기 위해 제1 제어부(410)와 제2 제어부(420) 사이에 A가스 공급량을 제어하는 제1 및 제2 레귤레이터(440, 442)가 분기되어 병렬로 설치되어 있다. 이는 하나의 가스공급시스템에 여러 반도체 제조설비가 연결되어 사용되므로 피크유량에 따른 압력저하를 방지하기 위하여 이중 레귤레이터 공급시스템을 구축하는 것이다.In addition, the first and second regulators 440 and 442 for controlling the A gas supply amount are branched in parallel between the first control part 410 and the second control part 420 to prevent a pressure drop according to the maximum gas supply amount. It is installed. Since several semiconductor manufacturing facilities are connected to one gas supply system, a dual regulator supply system is constructed to prevent pressure drop due to peak flow rate.
그리고, 제2 제어부(420)와 제3 제어부(430) 사이에는 공급되는 가스의 역류를 방지하는 제1 체크밸브(450)가 설치되어 있다.In addition, a first check valve 450 is installed between the second control unit 420 and the third control unit 430 to prevent a backflow of the supplied gas.
한편, 상기 B가스공급관(200, 200') 상에는 밸브, 압력조절기, 레귤레이터 및 필터를 포함하는 B가스제어부(600)가 설치되어 있다.On the other hand, on the B gas supply pipe (200, 200 ') is provided a B gas control unit 600 including a valve, a pressure regulator, a regulator and a filter.
이 B가스제어부(600)는 제4 제어부(610)와 제5 제어부(620)가 순차적으로 구성되고, 제4 제어부(610)와 제5 제어부(620)의 각각에서 A가스공급관(100)으로 합류되도록 구성되며, 그들의 각각에는 B가스 공급을 분기시키는 2개씩의 밸브가 설치되어 있다. 제4 제어부(610)는 제7 밸브(611)와 제8 밸브(612)로 구성되며, 제5 제어부(620)는 제9 밸브(621)와 제10 밸브(622)로 구성되어 있다.The B gas controller 600 includes a fourth control unit 610 and a fifth control unit 620 sequentially, and each of the fourth control unit 610 and the fifth control unit 620 to the A gas supply pipe 100. It is configured to join, and each of them is provided with two valves for branching the B gas supply. The fourth control unit 610 includes a seventh valve 611 and an eighth valve 612, and the fifth control unit 620 includes a ninth valve 621 and a tenth valve 622.
또한, 제4 제어부(610)와 제5 제어부(620) 사이에 B가스 공급량을 제어하는 제3 및 제4 레귤레이터(441, 443)가 분기되어 병렬로 설치되어 있다In addition, the third and fourth regulators 441 and 443 for controlling the B gas supply amount are branched and provided in parallel between the fourth control unit 610 and the fifth control unit 620.
그리고, 제5 제어부(420)와 B가스공급관(200') 사이에는 공급되는 가스의 역류를 방지하는 제2 체크밸브(451)가 설치되어 있다.A second check valve 451 is installed between the fifth control unit 420 and the B gas supply pipe 200 ′ to prevent backflow of the supplied gas.
한편, 제3 밸브(421)와 B가스공급관(200) 사이를 A가스공급관(100')으로 연결하며, 제8 밸브(612)와 제10 밸브(622)의 각각에서 A가스공급관(100)으로 합류될 수 있도록 B가스공급관(200')이 설치되어 있다.Meanwhile, the A gas supply pipe 100 is connected between the third valve 421 and the B gas supply pipe 200 by the A gas supply pipe 100 ′, and each of the eighth valve 612 and the tenth valve 622 is used. B gas supply pipe 200 'is installed to be joined to the.
또한, A가스공급관(100)과 B가스공급관(200)의 각각에는, 누설을 체크하기 위한 누설체크관(700)이 각 가스실린더(300, 500)와 각 가스제어부(400, 600) 사이에 연결되어 있다. 그리고, 이 누설체크관(700) 상에는 누설가스 제어부(710)에서 제3 및 제4 체크밸브(720, 721), 제11 및 제12 밸브(730, 731)로 각각 분리되어 순차적으로 형성되어 있다.Further, in each of the A gas supply pipe 100 and the B gas supply pipe 200, a leak check pipe 700 for checking leakage is provided between each gas cylinder 300 and 500 and each gas control unit 400 and 600. It is connected. The leak check tube 700 is separated from the leak gas control unit 710 into third and fourth check valves 720 and 721 and eleventh and twelfth valves 730 and 731, respectively, and are sequentially formed. .
그리고, A가스공급관(100)과 B가스공급관(200) 사이에 바이패스관(150)이 설치되며, 상기 바이패스관(150) 상에는 A가스 및 B가스를 선택적으로 공급하기 위한 제1 매뉴얼밸브(151)와 제2 매뉴얼밸브(152)가 설치되어 있다. 또한 상기 제1 매뉴얼밸브(151)와 제2 매뉴얼밸브(152) 사이의 일점과 A가스공급관(100') 사이에는 선택적으로 공급되어지는 가스의 공급량을 조절하는 제5 레귤레이터(153)가 설치되어 있다. 이는 가스 혼합물의 누수 및 비상사태에 대비하여 공급관 이외에 바이패스관을 설치하여 논스톱(nonstop)으로 공급하는 시스템을 구축하기 위한 것이다.In addition, a bypass pipe 150 is installed between the A gas supply pipe 100 and the B gas supply pipe 200, and a first manual valve for selectively supplying A gas and B gas on the bypass pipe 150. 151 and the second manual valve 152 are provided. In addition, a fifth regulator 153 is provided between one point between the first manual valve 151 and the second manual valve 152 and the A gas supply pipe 100 ′ to adjust the supply amount of gas selectively supplied. have. This is to build a non-stop supply system by installing a bypass pipe in addition to the supply pipe in preparation for leakage and emergency of the gas mixture.
여기에 상기 가스공급시스템의 전체적인 제어를 담당하는 프로그래머블 로직 컨트롤러(Programmable Logic Controller; 이하 PLC라 함)가 상기 가스공급시스템에 포함되어 있다.In addition, a programmable logic controller (hereinafter referred to as a PLC) that is responsible for overall control of the gas supply system is included in the gas supply system.
상기와 같이 구성된 본 발명에 따른 가스공급시스템의 동작효과를 간단히 설명한다.The operation effect of the gas supply system according to the present invention configured as described above will be briefly described.
가스공급에 따른 공정을 수행하다가 대용량 가스실린더를 교체할 경우, 예를들어 제1 대용량 가스실린더를 교체할 경우에, 제2 대용량 가스실린더로부터 공급되는 가스를 제2 프로세스라인, 바이패스관, 제3 프로세스라인을 통해 주설비로 공급함으로써 주설비의 다운을 1차적으로 방지한다.When the large-capacity gas cylinder is replaced during the process according to the gas supply, for example, when the first large-capacity gas cylinder is replaced, the gas supplied from the second large-capacity gas cylinder is transferred to the second process line, the bypass pipe, and the first. 3 Mainly prevent down of main equipment by supplying it to main equipment through process line.
한편, 제1 실린더캐비넷의 가스컨포넌트를 교체할 경우에, 제3 대용량 가스실린더 또는 제4 대용량 가스실린더로부터 공급되는 가스는 제6 프로세스라인에서 분기된 제2 연결관을 통해 주설비로 가스를 계속 공급함으로써 주설비의 다운을 2차적으로 방지한다. 이 때, 제1 매뉴얼밸브와 제2 매뉴얼밸브는 폐쇄되고, 제3 매뉴얼밸브와 제4 매뉴얼밸브가 개방된 상태에 있게 된다.On the other hand, when the gas component of the first cylinder cabinet is replaced, the gas supplied from the third large-capacity gas cylinder or the fourth large-capacity gas cylinder continues to flow to the main facility through the second connection pipe branched from the sixth process line. The supply prevents the downtime of the main equipment. At this time, the first manual valve and the second manual valve are closed, and the third manual valve and the fourth manual valve are in an open state.
이와 같이 주설비의 다운을 방지하기 위해 가스공급시스템에 바이패스관 및 제1 연결관과 제2 연결관을 형성시킴으로써 공정의 계속 진행이 가능함을 알 수 있다.As such, it can be seen that the process can be continued by forming a bypass pipe and a first connection pipe and a second connection pipe in the gas supply system to prevent the down of the main equipment.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체장치 제조설비의 가스공급시스템은, 다수의 프로세스라인을 상통시켜 주설비의 다운을 방지함으로써 반도체 제조공정의 계속 공정이 가능하므로 반도체소자의 수율을 향상시킬 수 있다.As described above, the gas supply system of the semiconductor device manufacturing equipment according to the present invention can improve the yield of semiconductor devices because the process of the semiconductor manufacturing process can be continued by preventing the down of the main equipment by allowing a plurality of process lines to communicate with each other. have.
또한, 신규 라인 초기 셋업 적용시, 소수의 설치비용으로 가스공급시스템을 이룰 수 있으므로 초기투자비용을 절감할 수 있다.In addition, when the new line initial setup is applied, the gas supply system can be achieved with a small installation cost, thereby reducing the initial investment cost.
본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 많은 변형이 가능함은 명백하다.The present invention is not limited to the above-described embodiment, and it is apparent that many modifications are possible by those skilled in the art within the technical spirit of the present invention.
Claims (3)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020000008744A KR20010084011A (en) | 2000-02-23 | 2000-02-23 | Gas supply system |
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| KR1020000008744A KR20010084011A (en) | 2000-02-23 | 2000-02-23 | Gas supply system |
Publications (1)
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|---|---|
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ID=19649135
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| KR (1) | KR20010084011A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020049146A (en) * | 2000-12-19 | 2002-06-26 | 박종섭 | A gas supply cabinet for fabricating semiconductor |
| KR20180133977A (en) | 2017-06-07 | 2018-12-18 | 주식회사 명성시스템 | Redundant gas supply control apparatus |
-
2000
- 2000-02-23 KR KR1020000008744A patent/KR20010084011A/en not_active Application Discontinuation
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|---|---|---|---|---|
| KR20020049146A (en) * | 2000-12-19 | 2002-06-26 | 박종섭 | A gas supply cabinet for fabricating semiconductor |
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