KR20010037602A - Gas supply system - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체소자 제조장치에 관한 것으로, 특히 웨이퍼의 대구경화와 고집적화에 따라 대용량·고순도의 가스를 안정적으로 공급할 수 있는 가스 공급시스템에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device manufacturing apparatus, and more particularly, to a gas supply system capable of stably supplying a large-capacity and high-purity gas in accordance with large diameter and high integration of a wafer.
통상적으로 웨이퍼는 사진, 확산, 식각, 증착 등의 공정들이 반복 수행되어 반도체소자로 제작된다. 이러한 각 공정이 수행되는 반도체소자의 제조설비에는 웨이퍼 상에 요구되는 가스를 공급하기 위한 가스 공급시스템이 필수적으로 설치되어 있다.In general, a wafer is fabricated as a semiconductor device by repeatedly performing processes such as photographing, diffusion, etching, and deposition. A gas supply system for supplying a gas required on a wafer is essentially provided in a manufacturing apparatus of a semiconductor device in which each of these processes is performed.
상기한 반도체소자의 제조설비는 일반적으로 주설비라하고, 가스 공급시스템을 보조설비라 하는데, 상기 보조설비인 가스 공급시스템은, MFC(Mass Flow Controller), 각종 밸브 및 가스 공급관 등으로 구성되어 있다.The manufacturing equipment of the semiconductor device is generally referred to as a main equipment, and the gas supply system is referred to as an auxiliary equipment. The gas supply system, which is the auxiliary equipment, is composed of a mass flow controller (MFC), various valves, and a gas supply pipe. .
그리고, 가스는, 예컨대 건식식각에 사용되는 HBr, HF, 및 HCl 가스나 CVD(chemical vapor deposition) 공정에 사용되는 CF4, SF6, 및 PF5등의 가스는 대부분 부식성 가스(corrosive gas)로서 순도가 매우 높다. 그리고, 이를 통상 봄베(Bombe) 또는 기타 가스실린더인 용기(Bottle)에 보관한다.In addition, the gas is, for example, HBr, HF, and HCl gas used for dry etching, and gases such as CF 4 , SF 6 , and PF 5 used in chemical vapor deposition (CVD) processes are mostly corrosive gases. Purity is very high. And it is usually stored in a container (Bombe) or other gas cylinder (Bottle).
그런데, 요즘 웨이퍼가 대구경화 및 고집적화되면서 상대적으로 소용량의 가스실린더의 교체가 잦아지게 되고, 이로 인해 반응챔버로 가스를 공급하는 절차에서 침투한 수분 성분과 가스실린더에 저장된 부식성 가스가 반응하여 산(acid), 불순한 미세 입자, 혹은 기체 상태의 불순물이 발생하는 문제가 야기된다. 특히, MFC의 오동작을 초래하거나 공정상의 결함(defect)을 야기시키므로 이의 세심한 관리가 요구되고 있다. 결국, 웨이퍼의 대구경화 및 고집적화됨에 따라 가스실린더의 교체횟수의 감소, 가스 공급시스템수 감소 및 가스 공급시스템의 공간감소가 가능한 대형용기의 사용이 고려되고 있다.However, as wafers have been large-sized and highly integrated these days, the replacement of relatively small-capacity gas cylinders has become more frequent. As a result, the moisture component infiltrated in the procedure of supplying gas to the reaction chamber and the corrosive gas stored in the gas cylinders react with acid ( acid), impure fine particles, or gaseous impurities are generated. In particular, careful management of the MFC is required because it causes a malfunction of the MFC or a process defect. As a result, as the wafer size and size are increased, the use of a large container capable of reducing the number of gas cylinder replacements, reducing the number of gas supply systems, and reducing the space of the gas supply system is being considered.
그러면, 종래기술에 의한 가스 공급시스템에 대해 도면을 참조하여 설명하기로 한다.Next, a gas supply system according to the prior art will be described with reference to the drawings.
도 2는 종래의 가스 공급시스템을 나타낸 구성도이다. 도 2를 참조하면, 가스 공급시스템은 반응챔버로 가스를 공급하는 두 개의 공급관 즉, A가스 공급관(100, 100')과 B가스 공급관(200, 200')으로 구성되어 있다.2 is a configuration diagram showing a conventional gas supply system. Referring to FIG. 2, the gas supply system includes two supply pipes for supplying gas to the reaction chamber, that is, A gas supply pipes 100 and 100 'and B gas supply pipes 200 and 200'.
먼저, A가스가 저장된 A가스실린더(300)가 마련되며, 상기 A가스실린더(300)에서 반응챔버로 상기 A가스를 선택적으로 공급할 수 있도록 A가스 공급관(100, 100')이 각각 연결되어 있다. 상기 A가스 공급관(100, 100') 상에는 밸브, 압력조절기, 레귤레이터 및 필터를 포함하는 A가스 제어부(400)가 설치되어 있다.First, an A gas cylinder 300 in which A gas is stored is provided, and A gas supply pipes 100 and 100 ′ are connected to the A gas cylinder 300 so as to selectively supply the A gas to the reaction chamber. . The A gas control unit 400 including a valve, a pressure regulator, a regulator, and a filter is installed on the A gas supply pipes 100 and 100 ′.
이 A가스 제어부(400)는 제1 제어부(410)와 제2 제어부(420)가 순차적으로 구성되고, 제1 제어부(410)와 제2 제어부(420)의 각각에서 제3 제어부(430)로 합류되도록 구성되며, 그들의 각각에는 A가스 공급을 분기시키는 2개씩의 밸브가 설치되어 있다.The A gas control unit 400 includes a first control unit 410 and a second control unit 420 sequentially and each of the first control unit 410 and the second control unit 420 from the first control unit 410 to the third control unit 430. It is configured to join, and each of them is provided with two valves for branching the A gas supply.
상기 제1 제어부(410)는 제1 밸브(411)와 제2 밸브(412)로 구성되며, 제2 제어부(420)는 제3 밸브(421)와 제4 밸브(422)로 구성되며, 제3 제어부(430)는 제5 밸브(431)와 제6 밸브(432)로 구성되어 있다.The first control unit 410 is composed of a first valve 411 and a second valve 412, the second control unit 420 is composed of a third valve 421 and the fourth valve 422, The third control unit 430 is composed of a fifth valve 431 and a sixth valve 432.
그리고, 제1 제어부(410)와 제2 제어부(420) 사이에는 A가스 공급량을 제어하는 레귤레이터(440)가 설치되어 있다. 그리고, 제2 제어부(420)와 제3 제어부(430) 사이에는 공급되는 가스의 역류를 방지하는 제1 체크밸브(450)가 설치되어 있다.A regulator 440 for controlling the A gas supply amount is provided between the first control unit 410 and the second control unit 420. In addition, a first check valve 450 is installed between the second control unit 420 and the third control unit 430 to prevent a backflow of the supplied gas.
또한, B가스가 저장된 B가스실린더(500)가 마련되며, 상기 B가스실린더(500)에서 다수의 반응챔버로 상기 B가스를 선택적으로 공급할 수 있도록 B가스 공급관(200, 200')이 각각 연결되어 있다. 상기 B가스 공급관(200, 200') 상에는 밸브, 압력조절기, 레귤레이터 및 필터를 포함하는 B가스 제어부(600)가 설치되어 있다.In addition, a B gas cylinder 500 in which the B gas is stored is provided, and the B gas supply pipes 200 and 200 'are connected to the B gas cylinder 500 to selectively supply the B gas to the plurality of reaction chambers. It is. The B gas control unit 600 including a valve, a pressure regulator, a regulator, and a filter is installed on the B gas supply pipes 200 and 200 ′.
이 B가스 제어부(600)는 제4 제어부(610)와 제5 제어부(620)가 순차적으로 구성되고, 제4 제어부(610)와 제5 제어부(620)의 각각에서 A가스 공급관(100)으로 합류되도록 구성되며, 그들의 각각에는 B가스 공급을 분기시키는 2개씩의 밸브가 설치되어 있다. 제4 제어부(610)는 제7 밸브(611)와 제8 밸브(612)로 구성되며, 제5 제어부(620)는 제9 밸브(621)와 제10 밸브(622)로 구성되어 있다.The B gas control unit 600 includes a fourth control unit 610 and a fifth control unit 620 sequentially, and each of the fourth control unit 610 and the fifth control unit 620 to the A gas supply pipe 100. It is configured to join, and each of them is provided with two valves for branching the B gas supply. The fourth control unit 610 includes a seventh valve 611 and an eighth valve 612, and the fifth control unit 620 includes a ninth valve 621 and a tenth valve 622.
그리고, 제4 제어부(610)와 제5 제어부(620) 사이에는 B가스 공급량을 제어하는 레귤레이터(441)가 설치되어 있다. 제5 제어부(420)와 B가스 공급관(200') 사이에는 공급되는 가스의 역류를 방지하는 제2 체크밸브(451)가 설치되어 있다.A regulator 441 is provided between the fourth controller 610 and the fifth controller 620 to control the B gas supply amount. A second check valve 451 is installed between the fifth control unit 420 and the B gas supply pipe 200 ′ to prevent backflow of the supplied gas.
한편, 제3 밸브(421)와 B가스 공급관(200) 사이를 A가스 공급관(100')으로 연결하며, 제8 밸브(612)와 제10 밸브(622)의 각각에서 A가스 공급관(100)으로 합류될 수 있도록 B가스 공급관(200')이 설치되어 있다.Meanwhile, the A gas supply pipe 100 is connected between the third valve 421 and the B gas supply pipe 200 by the A gas supply pipe 100 ′, and each of the eighth valve 612 and the tenth valve 622 is used. B gas supply pipe 200 'is installed to be joined to the.
또한, A가스 공급관(100)과 B가스 공급관(200)의 각각에는, 누설을 체크하기 위한 누설체크관(700)이 각 가스실린더(300, 500)와 각 가스 제어부(400, 600) 사이에 연결되어 있다. 그리고, 이 누설체크관(700) 상에는 누설가스 제어부(710)에서 제3 및 제4 체크밸브(720, 721), 제11 및 제12 밸브(730, 731)로 각각 분리되어 순차적으로 형성되어 있다.In each of the A gas supply pipe 100 and the B gas supply pipe 200, a leak check pipe 700 for checking for leakage is provided between each gas cylinder 300 and 500 and each gas control unit 400 and 600. It is connected. The leak check tube 700 is separated from the leak gas control unit 710 into third and fourth check valves 720 and 721 and eleventh and twelfth valves 730 and 731, respectively, and are sequentially formed. .
그리고, 상기 가스 공급시스템의 전체적인 제어를 담당하는 프로그래머블 로직 컨트롤러(Programmable Logic Controller; 이하 PLC라 함)가 상기 가스 공급시스템에 포함되어 있다.In addition, a programmable logic controller (hereinafter, referred to as a PLC) that is responsible for overall control of the gas supply system is included in the gas supply system.
상기와 같이 구성된 가스 공급시스템은, 각 가스실린더(300, 500)에서 공급되는 가스가 각 가스 공급관(100, 100', 200, 200')을 통해 반응챔버로 공급되어 수행하고자 하는 공정을 수행하게 되는데, 상기 가스실린더(300, 500)에 용량에 비해 상대적으로 웨이퍼가 대구경화되면서 가스실린더의 교환 회수가 빈번하게 발생하여 이에 따른 안전사고 가능성이 커지게 되었고, 가스 공급시스템의 수량이 증가하게 되어 시스템이 차지하는 공간도 넓어지게 되어 가스교환 회수의 증가, 시스템수의 증가, 시스템 공간 증가된다는 문제점이 있었다.In the gas supply system configured as described above, the gas supplied from each gas cylinder 300, 500 is supplied to the reaction chamber through each gas supply pipe 100, 100 ′, 200, 200 ′ to perform a process to be performed. As the wafer is relatively large in diameter compared to the capacity of the gas cylinders 300 and 500, the number of replacements of the gas cylinders frequently occurs, thereby increasing the possibility of a safety accident and increasing the number of gas supply systems. The space occupied by the system is also widened, and there is a problem in that the number of gas exchanges is increased, the number of systems, and system space are increased.
따라서, 본 발명의 목적은 웨이퍼의 대구경화와 고집적화에 따라 대용량·고순도의 가스를 안정적으로 공급할 수 있는 가스 공급시스템을 제공하는데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a gas supply system capable of stably supplying a large-capacity and high-purity gas in accordance with large diameter and high integration of a wafer.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 공급시스템을 나타낸 구성도,1 is a block diagram showing a gas supply system according to an embodiment of the present invention,
도 2는 종래의 가스 공급시스템을 나타낸 구성도이다.2 is a configuration diagram showing a conventional gas supply system.
**도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명**** Description of the symbols for the main parts of the drawings **
100" : A가스 대구경공급관 150 : 바이패스관100 ": A gas large diameter supply pipe 150: bypass pipe
200" : B가스 대구경공급관 300' : A가스 대용량실린더200 ": B gas large diameter supply pipe 300 ': A gas large cylinder
500' : B가스 대용량실린더 800 : 정제기500 ': B gas cylinder 800: refiner
900 : H2O 분석기900: H 2 O Analyzer
상기 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 반응챔버로 공급되는 가스를 저장하는 적어도 하나 이상의 가스 저장조와: 상기 반응챔버와 가스 저장조를 연결하는 가스 공급관과; 상기 가스 공급관 상에 형성되며 가스 최대 공급량에 따른 압력저하를 방지하기 위해 상기 가스 공급관 상에 분기되어 이중으로 형성된 레귤레이터와, 반도체 제조설비의 계속공정을 위해 가스 공급관에서 분기되어 상기 반응챔버로 바이패스되는 바이패스관으로 형성된 가스 제어부;로 이루어진 가스 공급제어부와: 상기 가스 공급제어부의 제어를 담당하는 주제어기와, 상기 주제어기의 다운을 방지하기 위해 발생된 버그신호를 받아서 계속공정이 가능하도록 복구작업을 수행하는 복구제어기로 형성된 제어수단:을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.The present invention for achieving the object of the present invention, at least one gas storage tank for storing the gas supplied to the reaction chamber and: a gas supply pipe connecting the reaction chamber and the gas storage tank; A regulator formed on the gas supply pipe and branched on the gas supply pipe to prevent a pressure drop according to the maximum gas supply amount, and a branch formed on the gas supply pipe and branched from the gas supply pipe for the continuous process of the semiconductor manufacturing equipment to bypass the reaction chamber. Gas supply control unit consisting of: a main controller responsible for the control of the gas supply control unit, and receiving a bug signal generated in order to prevent the main controller down, the recovery operation to enable the continuous process Control means formed by a recovery controller to perform: characterized in that comprises a.
이 때, 상기 가스 공급제어부로의 플로우율을 향상시키기 위해 상기 가스 저장조와 가스 공급제어부 사이에 0.2인치 ∼ 2인치의 범위 내에서 설정된 대구경 공급관을 설치하는 것이 바람직하다.At this time, in order to improve the flow rate to the gas supply control unit, it is preferable to provide a large diameter supply pipe set within a range of 0.2 inches to 2 inches between the gas reservoir and the gas supply control unit.
또한, 상기 가스 공급제어부로 초고순도 가스를 공급하기 위해 상기 가스 저장조와 가스 공급제어부 사이에 정제기와 H2O 분석기를 설치하는 것도 더욱 바람직하다.In addition, it is more preferable to provide a purifier and an H 2 O analyzer between the gas reservoir and the gas supply control unit to supply ultra-high purity gas to the gas supply control unit.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described a preferred embodiment of the present invention.
본 발명의 도면에 있어서, 종래기술에 의한 도 2의 가스 공급시스템에 적용되는 것이므로 같은 구성요소에 대한 반복적인 설명은 피하며, 종래와 같은 기능을 수행하는 구성요소에 대해서는 동일 참조번호를 사용하였고, 본 발명의 특징부를 중심으로 설명하기로 한다.In the drawings of the present invention, since it is applied to the gas supply system of FIG. 2 according to the prior art, repeated descriptions of the same components are avoided, and the same reference numerals are used for components that perform the same functions as the prior art. It will be described based on the features of the present invention.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 공급시스템을 나타낸 구성도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 가스 공급시스템은 크게 반응챔버로 공급되는 가스를 저장하는 가스 저장조와, 가스의 선택적 공급 및 제어를 수행하는 가스 공급제어부와, 상기 가스 공급제어부를 제어하는 제어수단으로 이루어져 있다.1 is a block diagram showing a gas supply system according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, a gas supply system includes a gas storage tank for storing a gas supplied to a reaction chamber, a gas supply control unit for selectively supplying and controlling gas, and a control means for controlling the gas supply control unit. consist of.
상기 가스 저장조는 웨이퍼의 대구경화 및 고집적화에 따라 대용량인 Y-실린더 형태의 A가스 대용량실린더(300')와 B가스 대용량실린더(500)로 구성되어 있다.The gas storage tank is composed of a large-capacity Y-cylinder-type A gas large-capacity cylinder 300 'and a B gas large-capacity cylinder 500 according to a large diameter and high integration of the wafer.
또한, 상기 가스 공급제어부는 상기 반응챔버와 가스 저장조를 연결하는 가스 공급관(100, 100', 200, 200')과, 상기 가스 공급관(100, 100', 200, 200') 상에 형성되어 가스의 공급을 제어하는 가스 제어부(400', 600')로 이루어져 있다.In addition, the gas supply control unit is formed on the gas supply pipe (100, 100 ', 200, 200') and the gas supply pipe (100, 100 ', 200, 200') connecting the reaction chamber and the gas reservoir, the gas Gas control unit 400 ', 600' for controlling the supply of the.
이 때, 가스 공급관은 두 개의 공급관 즉, A가스 공급관(100, 100')과 B가스 공급관(200, 200')으로 구성되어 있다. 특히, 가스 저장조에서 가스 공급제어부까지의 공급관은 대용량 가스의 플로우율을 향상시키기 위해 A가스 및 B가스 대구경공급관(100", 200")으로 구성되어 있다. 본 실시예에서는 0.5인치의 대구경공급관을 사용하고 있다.At this time, the gas supply pipe is composed of two supply pipes, that is, the A gas supply pipes 100 and 100 'and the B gas supply pipes 200 and 200'. In particular, the supply pipe from the gas storage tank to the gas supply control unit is composed of A gas and B gas large diameter supply pipes 100 ", 200" in order to improve the flow rate of the large-capacity gas. In the present embodiment, a 0.5 inch large diameter supply pipe is used.
또한, 이 A가스 및 B가스 대구경공급관(100", 200") 상에는 초고순도(Ultra High Purity)의 가스를 공급하기 위해 정제기(Purifier, 800)가 각 대구경공급관(100", 200")에 설치되고, 공정전에 H2O 레벨의 분석이 가능한 H2O 분석기(900)가 설치되어 있다.In addition, purifier 800 is installed in each large diameter supply pipe 100 ", 200" to supply ultra high purity gas on the A and B gas large diameter supply pipes 100 "and 200". In addition, an H 2 O analyzer 900 capable of analyzing the H 2 O level is provided before the process.
한편, 가스 제어부에 있어서 기본 구성은 종래와 동일하고, 종래와 다른점은, 상기 A가스 공급관(100) 상에 형성되며 가스 최대 공급량에 따른 압력저하를 방지하기 위해 제1 제어부(410)와 제2 제어부(420) 사이에 A가스 공급량을 제어하는 제1 및 제2 레귤레이터(440, 442)가 분기되어 병렬로 설치되어 있다는 것이다.On the other hand, the basic configuration of the gas control unit is the same as in the prior art, the difference from the conventional, is formed on the A gas supply pipe 100 and the first control unit 410 and the first to prevent the pressure drop according to the maximum gas supply amount The first and second regulators 440 and 442 for controlling the A gas supply amount are branched and installed in parallel between the two control units 420.
이는 하나의 가스 공급시스템에 여러 반도체 제조설비가 연결되어 사용되므로 피크유량에 따른 압력저하를 방지하기 위하여 이중 레귤레이터 공급시스템을 구축한 것이다.Since multiple semiconductor manufacturing facilities are connected to one gas supply system, a dual regulator supply system is constructed to prevent pressure drop due to peak flow rate.
또한, 제4 제어부(610)와 제5 제어부(620) 사이에 B가스 공급량을 제어하는 제3 및 제4 레귤레이터(441, 443)가 분기되어 병렬로 설치되어 있다는 것이다.In addition, the third and fourth regulators 441 and 443 for controlling the B gas supply amount are branched and provided in parallel between the fourth control unit 610 and the fifth control unit 620.
그리고, A가스 공급관(100)과 B가스 공급관(200) 사이에 바이패스관(150)이 설치되며, 상기 바이패스관(150) 상에는 A가스 및 B가스를 선택적으로 공급하기 위한 제1 매뉴얼밸브(151)와 제2 매뉴얼밸브(152)가 설치되어 있다. 또한 상기 제1 매뉴얼밸브(151)와 제2 매뉴얼밸브(152) 사이의 일점과 A가스 공급관(100') 사이에는 선택적으로 공급되어지는 가스의 공급량을 조절하는 제5 레귤레이터(153)가 설치되어 있다. 이는 가스 혼합물의 누수 및 비상사태에 대비하여 공급관 이외에 바이패스관을 설치하여 논스톱(nonstop)으로 공급하는 시스템을 구축하기 위한 것이다.In addition, a bypass pipe 150 is installed between the A gas supply pipe 100 and the B gas supply pipe 200, and a first manual valve for selectively supplying A gas and B gas on the bypass pipe 150. 151 and the second manual valve 152 are provided. In addition, a fifth regulator 153 is provided between one point between the first manual valve 151 and the second manual valve 152 and an A gas supply pipe 100 ′ to selectively adjust a supply amount of gas. have. This is to build a non-stop supply system by installing a bypass pipe in addition to the supply pipe in preparation for leakage and emergency of the gas mixture.
한편, 상기 가스 공급시스템의 전체적인 제어를 담당하는 PLC(미도시)가 상기 가스 공급시스템에 포함되어 있다. 또한, PLC의 버그로 인한 시스템 다운을 방지하기 위해 별도의 PLC를 설치하여 메인 PLC의 버그시그널(bug signal)을 받아서 계속적으로 시스템을 유지가능하게 하여 안정적인 가스공급을 가능토록 자동복구시스템(Auto Recover System, 미도시)을 구비하고 있다.On the other hand, a PLC (not shown) in charge of the overall control of the gas supply system is included in the gas supply system. In addition, in order to prevent system down due to a bug in PLC, a separate PLC is installed to receive a bug signal of the main PLC and to continuously maintain the system so that a stable gas supply is possible. System, not shown).
상기와 같이 구성된 본 발명의 가스 공급시스템은 대용량실린더에 저장된 가스를 대구경공급관을 통해 공급하여 가스의 플로우율을 향상시킨다. 이후, 대용량실린더로부터 공급되는 가스를 정제하고, H2O 레벨을 공정진행 공급전에 사전 확인하여 초고순도의 가스를 공급한다. 이 때, 하나의 가스 공급시스템에 여러 반도체 제조설비가 연결되어 사용될 경우에 피크유량에 따른 압력저하를 방지하기 위해 이중 레귤레이터를 거쳐 반응챔버로 공급된다.The gas supply system of the present invention configured as described above improves the flow rate of the gas by supplying the gas stored in the large-capacity cylinder through the large-diameter supply pipe. Thereafter, the gas supplied from the large-capacity cylinder is purified, and H 2 O level is checked before supplying the process to supply ultra-pure gas. At this time, when several semiconductor manufacturing equipment is connected to one gas supply system and used, it is supplied to the reaction chamber via a double regulator to prevent a pressure drop according to the peak flow rate.
한편, 가스 혼합물의 누수 및 비상사태가 발생하면, 바이패스관을 통해 반응챔버로 가스를 공급한다.On the other hand, when leakage and emergency of the gas mixture occurs, the gas is supplied to the reaction chamber through the bypass pipe.
이상, 본 실시예에서는 두 개의 가스공급관에 대해 적용하였으나, 다수개의 공급관을 구비하는 경우에도 적용할 수 있다.As described above, the present invention is applied to two gas supply pipes, but may also be applied to a case where a plurality of supply pipes are provided.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 가스 공급시스템은, 대용량·고순도의 가스를 안정적으로 공급하여 잦은 교체로 인한 작업로스와 안전사고 및 설비의 다운을 방지함으로써 반도체소자의 생산성을 향상시킬 수 있다.As described above, the gas supply system according to the present invention can improve the productivity of the semiconductor device by stably supplying a large-capacity and high-purity gas to prevent work loss, safety accidents and downtime due to frequent replacement.
본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 많은 변형이 가능함은 명백하다.The present invention is not limited to the above-described embodiment, and it is apparent that many modifications are possible by those skilled in the art within the technical spirit of the present invention.
Claims (3)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019990045216A KR20010037602A (en) | 1999-10-19 | 1999-10-19 | Gas supply system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019990045216A KR20010037602A (en) | 1999-10-19 | 1999-10-19 | Gas supply system |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20010037602A true KR20010037602A (en) | 2001-05-15 |
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ID=19615852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019990045216A KR20010037602A (en) | 1999-10-19 | 1999-10-19 | Gas supply system |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020049146A (en) * | 2000-12-19 | 2002-06-26 | 박종섭 | A gas supply cabinet for fabricating semiconductor |
| KR100481794B1 (en) * | 2002-05-02 | 2005-04-11 | 주성엔지니어링(주) | Gas providing system of ALD process module |
| KR102040641B1 (en) * | 2019-02-20 | 2019-11-06 | (주)쎌텍 | Automatic apparatus for transfering supply of gas for process |
| KR102132492B1 (en) * | 2019-08-28 | 2020-07-09 | 주식회사 명성시스템 | Gas supply system of gas supply device |
| KR102213005B1 (en) * | 2020-07-09 | 2021-02-05 | 주식회사 명성시스템 | Gas supply method of gas supply device |
-
1999
- 1999-10-19 KR KR1019990045216A patent/KR20010037602A/en not_active Application Discontinuation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR102132492B1 (en) * | 2019-08-28 | 2020-07-09 | 주식회사 명성시스템 | Gas supply system of gas supply device |
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