KR20010082657A - 퍼지링용 결속장치 - Google Patents

퍼지링용 결속장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20010082657A
KR20010082657A KR1020010007507A KR20010007507A KR20010082657A KR 20010082657 A KR20010082657 A KR 20010082657A KR 1020010007507 A KR1020010007507 A KR 1020010007507A KR 20010007507 A KR20010007507 A KR 20010007507A KR 20010082657 A KR20010082657 A KR 20010082657A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
purge
support member
substrate
clamp
substrate support
Prior art date
Application number
KR1020010007507A
Other languages
English (en)
Inventor
요셉 유도프스키
살바도르 오모토이
로렌스씨. 레이
로날드 로즈
Original Assignee
조셉 제이. 스위니
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 조셉 제이. 스위니, 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 조셉 제이. 스위니
Publication of KR20010082657A publication Critical patent/KR20010082657A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Cleaning In General (AREA)

Abstract

결속장치는 퍼지링에서 배출하는 퍼지가스 또는 다른 처리조건에 의해 일어난 퍼지링의 회전 및 연직변위를 방지한다. 결속장치는 웨이퍼 지지부재와 퍼지링을 탈거가능하게 결착시키는 클램프가 포함된다. 핀은 퍼지링, 웨이퍼 지지부재 그리고 클램프를 통해 보어 내측으로 끼워져 클램프를 제위치에 탈거가능하게 고정시킨다. 슬롯이 퍼지링에 형성될 수 있어 클램프의 위치를 안내한다.

Description

퍼지링용 결속장치{FASTENING DEVICE FOR A PURGE RING}
본 발명은 반도체 기판 처리장치에 관한 것으로, 특히 퍼지링 및 그와 관련된 결속장치에 관한 것이다.
화학적 증기증착(Chemical Vapor Deposition 이하, CVD라 칭함)은 기판 상에 박막증착을 하는 반도체 제조에 사용되는 방법이다. CVD는 선구가스를 진공챔버 및 가스가 반응하는 기판 상에 공급하여 박막을 형성하게 된다. 기판의 상부표면에 재료의 CVD시 수반하는 한가지 문제는 증착물질이 기판의 엣지와 후측면에도 증착된다는 것이다. 이러한 기판의 엣지와 후측면 표면은 매끄러운 상부표면보다 거칠기 때문에, 이런 표면상의 증착물질은 시스템 내에서 잘게 부서져 입자로 형성되는 경향이 있어 챔버와 그 내부에서 처리되는 기판에 손상을 줄 수있다. 더불어, 이러한 표면상의 증착물질은 지지부재와 기판의 응착을 초래함에 따라 고순도의 기판을 손상시킬 수 있다.
퍼지가스는, 전형적으로 지지부재를 경유하여 기판의 엣지에 공급하므로 엣지부와 후측방의 증착을 방지하는데 사용되었다. 예를 들어, 퍼지링은 기판의 둘레에 연접하여 지지부재상에 위치된다. 상기 퍼지링은, 지지부재와 함께 퍼지가스를 기판의 엣지부로 유도하는 환형채널을 형성한다. 상기 퍼지가스는 기판 외면의 주변에 정압을 가하여 처리상의 가스가 기판의 엣지와 후측표면에 도달하게 될 가능성을 감소시킨다.
상기 퍼지링은 용접결합(welding), 볼트결합(bolting), 납땜결합(brazing) 또는 나사결합(screwing) 같은 방법에 의해 지지부재에 부착, 고정될 수 있다. 그러나, 물질이 퍼지링과 환형채널 내에 증착되므로, 신속하고 빠르게 세척되거나 교체될 수 있는 제거 가능한 퍼지링이 바람직하다. 퍼지링은 통상적으로 중력 또는 마찰력으로 지지부재에 결착된다. 이러한 이유로 제거 가능한 퍼지링은 지지부재에 고정적으로 부착되지 못하여, 상기 퍼지가스 또는 기타 처리 조건들은 퍼지링을 연직선 또는 회전 변위를 초래하므로 엣지/후측방 증착, 입자발생, 그리고 기판의 엣지 손상을 가져온다.
퍼지링의 운동은 퍼지링이 세라믹 받침대와 함께 사용되는 경우 중요한 문제이다. 알루미늄 받침대는 고온에서 침식(corrode), 백스퍼터(backsputter), 워프(warp)가 가능하기 때문에 세라믹 받침대를 고온에서 적용하여 사용한다. 그러나, 세라믹이 가지는 문제는 금속보다 부서지기 쉬우며 균열이 쉽다는 것이다. 그리하여, 퍼지링의 운동은 세라믹 받침대를 손상시키며 시스템 내에서 입자를 생성할 수 있다. 더불어, 상기 퍼지링은 세라믹 요소의 균열 및 세라믹 요소의 작동과 연계되는 난점들이 발생 가능하게 때문에 통상의 장치에 의한 용접결합(welding), 볼트결합(bolting), 납땜결합(brazing) 또는 나사결합(screwing)으로 세라믹 받침대에 부착될 수 없다.
그리하여, 받침대나 기타의 시스템 요소에 손상없이 퍼지링을 연직선상운동과 회전운동을 제한하는 제거 가능한 어셈블리와 퍼지링이 필요하다.
본 발명은 일반적으로 퍼지링을 안전하게 제거하기 위한 퍼지링과 결속장치를 가지는 기판 지지부재를 구비한다. 본 발명의 일 실시예에서, 상기 결속장치는 퍼지링을 기판 지지부재로 안전하게 탈거가능하도록 결착시키는 클램프를 포함한다. 상기 결속장치는 상기 클램프를 상기 기판지지부재로 탈거가능하게 고정시키는 핀을 추가로 포함할 수 있다. 상기 핀은 퍼지링, 웨이퍼 지지부 및 상기 클램프를 통해 보어에 삽입된다. 상기 퍼지링은 상기 클램프의 위치를 안내하는 슬롯을 가질 수 있다.
도 1은 본 발명에 의한 장치의 사시도,
도 2는 도 1의 결속장치에 대한 분해사시도,
도 3은 도 1의 3-3선을 따라 절개된 결속장치의 측단면도.
간략하게 요약하여 전술된 본 발명의 특징, 장점과 목적의 상세한 이해를 위하여 실시예가 도시된 첨부도면을 참조한 좀더 특정한 설명의 방법으로부터 본 발명의 목적을 달성할 수 있도록 한다.
그러나, 상기 첨부된 도면은, 본 발명의 범주를 제한하지 않는 전형적 실시예를 도시한 것으로, 본 발명에 관한 동등한 효과를 갖는 실시예로 인정하기를 주지시키는 바이다.
본 발명은 일반적으로 퍼지링이 지지되어 있고 결속장치를 사용하여 장착되어 있는 기판 지지부재를 구비한다. 도 1과 도 2는 일반적인 본 발명의 일실시예에 대하여 도시하였다. 도 1에 나타난 바와 같이, 상기 기판 지지부재는 연직방향으로 가동하는 스템(12)에 지지되는 메인바디(11)가 구비된 히터 받침대(10)를 포함하여 구성된다. 메인바디(11)는 기판 지지면(14)으로 형성되는 상면부(13)를 갖는다. 히터 받침대(10)의 상면부(13)와 기판사이의 원활한 열전달을 위하여, 상기 기판은 진공상태중인 상면부(13)에 척킹되거나 부착됨이 바람직하다. 일반적으로, 진공상태를 배분하기 위해, 히터 받침대(10)의 상면부(13)상에는 기판을 지지하기에 적합한 돌설영역(15)과, 진공포트(17)를 통해 유입되는 진공과 진공원과의 유체연통에 의해 저압구역을 유지하기에 적합한 함몰영역(16)을 포함한다. 상기 히터 받침대(10)는, 요부(27)를 더 포함할 수 있으며, 요부(27)에서는 가동 액츄에이팅 어셈블리(도시안됨)의 작용하에서 연직상으로 운동하는 리프트 핀(18)이 기판을 히터 받침대(10)의 상면부로부터 상승시킨다. 퍼지부재(19)는 히터 받침대(10)상에서 기판 지지면(14)의 외주면에 연접하여 위치한다. 퍼지가스 채널은 이하 설명될 도 3의 퍼지부재(19)에 의해 형성된다.
결속장치는 퍼지부재(19) 상면에 탈거가능하게 위치되는 C-클램프(20)와, 상기 퍼지부재(19)의 연직상 변위를 방지하기 위한 히터 받침대(10)의 메인바디(11)를 포함하여 구성된다. 핀(21)은 상기 클램프(20), 퍼지부재(19), 그리고 메인바디(11)에 탈거가능하게 끼워져 상기 클램프(20)를 지지부재상에서 탈거가능하게 고정시킨다. 핀(21)은 클램프(20)와 퍼지부재(19)를 쉽게 제거할 수 있게 하여 퍼지부재(19)와 히터 받침대(10)의 세척이나 교체를 용이하게 하므로 시스템의 생산성을 향상시키게 된다. 더불어, 세라믹 요소를 갖는 클램프(20)와 핀(21)의 사용은 히터 받침대(10)와 퍼지부재(19)의 손상 등을 감소시킨다. 바람직하게는, 퍼지부재(19)는 3개의 클램프(20)와 3개의 핀(21)을 사용한 메인바디에 고정된다. 부가적으로, 도 2에 도시된 바와 같이, 슬롯(22)은 클램프(20)의 위치에 맞게 퍼지부재(19)내에 형성 가능하다. 슬롯(22)은 클램프(20)를 정렬시키고, 또한 지지부재에 대하여 퍼지부재(19)의 회전변위를 방지한다.
도 3은 히터 받침대(10)의 엣지부 단면도이다. 히터 받침대(10)의 퍼지부재(19)와 메인바디(11)는 배출간극(31)을 경유하여 기판 지지면(14)의 주변부로 퍼지가스를 안내하는 플리넘(30)을 형성한다. 메인바디(11), 퍼지부재(19), 그리고 클램프(20)는 보어(32)를 가지게 되며 내측에 탈거가능하게 핀(21)을 수용하므로 퍼지부재(19)의 회전변위를 방지한다. 슬롯(22)은 클램프(20)의 위치에 맞게 퍼지부재(19)에 형성 가능하다. 또한 슬롯은 메인바디(11)와 퍼지부재(19) 양쪽에 형성되거나 혹은 메인바디(11)에만 형성할 수 있어 퍼지부재(19)의 회전변위 방지와 위치배열을 돕게 된다.
히터 받침대(10), 퍼지부재(19), 클램프(20) 및 핀(21)은 알루미나 또는 알루미늄 질화물같은 세라믹재질로 형성됨이 바람직하다. 상기 전술된 요소들은 동일한 세라믹재질로 형성하지 않아도 되지만 열팽창율이 유사한 세라믹재질들로 형성되어야 한다. 세라믹재질은 고온에서 사용되기에 가장 적합하다. CVD시스템에서 일반적으로 사용되는 알루미늄 재질의 몇가지 문제는 알루미늄 부식, 온도제한, 그리고 불필요한 증착 등이다. 플라즈마 가스는 장치내에서의 금속오염에 대한 프로세싱 열화를 유발하는 알루미늄 부식을 초래할 수 있다. 알루미늄은, 약 480°보다 더 높은 온도에서 연화를 거쳐 뒤틀림을 초래할 수 있으므로 고온에서 사용되기에는 부적절한 재질이다. 알루미늄이 약 480°이상의 플라즈마 상에서 사용되는 경우, 알루미늄은 백스퍼터를 일으켜 상기 기판과 챔버 요소를 오염시킬 수 있다. 그리하여, 본 발명에 이상적으로 알맞는 한가지 응용예는 고온 상에서 텅스텐의 강화 플라즈마 CVD이다.
본 발명은 받침대, 퍼지링 또는 기판에 손상을 주지않고 퍼지링의 움직임을 방지하는데, 신뢰성이 있으며 사용이 쉬운 장치를 제공한다. 전술된 설명은 본 발명의 바람직한 실시예를 나타낸 것으로, 본 발명의 다른 실시예는 변형되어 클램프를 포함하는 결속장치 또는 핀을 포함하는 결속장치를 포함할 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다. 또한 본 발명의 기본 범주 내에서 또 다른 실시예가 변형될 수 있으며, 본 발명의 범주는 청구범위에 의해 결정되어진다.

Claims (20)

  1. 기판 수용면을 형성하는 기판 지지부재;
    상기 기판 지지부재상에 배치되는 퍼지부재;
    상기 퍼지부재와 기판 지지부재사이에 형성되어 가스원으로부터 퍼지가스를 수용하며 기판의 엣지로 퍼지가스를 안내하는 플리넘; 그리고,
    상기 퍼지부재와 기판 지지부재를 탈거가능하게 결착시키는 결속기를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 엣지에 퍼지가스를 안내하는 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 결속기는:
    적어도 하나의 클램프; 그리고,
    상기 클램프 각각에 대한 핀을 포함하며,
    상기 적어도 하나의 클램프, 상기 지지부재, 그리고 상기 퍼지부재내에는 핀을 탈거가능하게 수용하는 보어가 형성되어 있으며,
    상기 핀은 상기 적어도 하나의 클램프, 상기 지지부재, 그리고 상기 퍼지부재를 통해 상기 보어에 탈거가능하게 끼워져 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 결속기는:
    적어도 하나의 핀을 포함하며,
    상기 지지부재와 상기 퍼지부재내에는 상기 적어도 하나의 핀을 탈거가능하게 수용하는 보어가 형성되어 있으며,
    상기 적어도 하나의 핀은 상기 지지부재와 상기 퍼지부재를 통해 상기 보어에 탈거가능하게 끼워져 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 결속기는 적어도 하나의 클램프를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 장치.
  5. 제 2 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 클램프 각각의 위치에 맞게 상기 퍼지부재 내에 슬롯이 형성되며, 상기 슬롯은 적어도 하나의 클램프를 탈거가능하게 수용하는 것을 특징으로 하는 장치.
  6. 제 2 항에 있어서, 상기 기판 지지부재, 상기 퍼지부재, 상기 적어도 하나의 클램프, 그리고 상기 핀은 세라믹재질인 것을 특징으로 하는 장치.
  7. 제 2 항에 있어서, 상기 기판 지지부재는 리프트 핀을 추가로 구비하며, 상기 리프트 핀은 상기 기판을 상기 기판 지지부재의 상부면으로부터 상승시키는 것을 특징으로 하는 장치.
  8. 제 2 항에 있어서, 상기 퍼지부재는 새도우링을 탈거가능하게 수용하는 적어도 하나의 홀을 갖는 것을 특징으로 하는 장치.
  9. 제 2 항에 있어서, 상기 기판 지지부재의 내측에는 히터요소를 추가로 포함하며, 상기 기판 지지부재는 히터판으로 작용하여 상기 기판을 소정의 희망온도로 유지하는 것을 특징으로 하는 장치.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 기판 지지부재에는 그 상면부상에 형성되는 진공포트를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 기판 지지부재는:
    상기 기판의 상면상의 돌설영역; 그리고,
    상기 기판 지지부재의 상면상의 함몰영역을 추가로 포함하며,
    상기 돌설영역은 상기 기판을 지지하며, 상기 함몰영역은 상기 진공포트와 연통하는 것을 특징으로 하는 장치.
  12. 기판 수용면을 형성하는 기판 지지부재;
    상기 기판 지지부재상에 배치되는 퍼지부재;
    상기 퍼지부재와 상기 기판 지지부재사이에 형성되어 가스원으로부터 퍼지가스를 수용하며 기판의 엣지로 퍼지가스를 안내하는 플리넘;
    세개의 클램프;
    세개의 핀;
    상기 클램프, 상기 지지부재, 그리고 상기 퍼지부재내에는 상기 세개의 핀을 탈거가능하게 수용하는 보어가 형성되어 있으며,
    상기 세개의 핀은 상기 세개의 클램프, 상기 지지부재, 상기 퍼지부재를 통해 상기 보어에 탈거가능하게 끼워져 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  13. 기판 수용면을 형성하는 기판 지지부재;
    상기 기판 지지부재상에 배치되는 퍼지부재;
    상기 퍼지부재와 기판 지지부재사이에 형성되어 가스원으로부터 퍼지가스를 수용하며 기판의 엣지로 퍼지가스를 안내하는 플리넘; 그리고,
    상기 퍼지부재와 기판 지지부재를 탈거가능하게 결착시키는 결속기를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리용 챔버.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 결속기는:
    적어도 하나의 클램프;
    상기 클램프 각각에 대한 핀;
    상기 적어도 하나의 클램프, 상기 지지부재, 그리고 상기 퍼지부재내에는 핀을 탈거가능하게 수용하는 보어가 형성되어 있으며,
    상기 핀은 상기 적어도 하나의 클램프, 상기 지지부재, 그리고 상기 퍼지부재를 통해 상기 보어에 탈거가능하게 끼워지며; 그리고,
    상기 적어도 하나의 클램프 각각의 위치에 맞게 퍼지부재에 형성되며, 적어도 하나의 클램프를 탈거가능하게 수용하는 슬롯을 포함하는 것을 특징으로 하는 챔버.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 기판 지지부재는 히터 받침대인 것을 특징으로 하는 챔버.
  16. 제 15 항에 있어서, 상기 챔버는 화학적 진공증착기인 것을 특징으로 하는 챔버.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 챔버는 고주파 소스(RF source)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 챔버.
  18. 제 17 항에 있어서, 상기 히터 받침대, 상기 퍼지부재, 상기 적어도 하나의 클램프, 그리고 상기 핀은 세라믹재로 형성되는 것을 특징으로 하는 챔버.
  19. 제 18 항에 있어서, 상기 챔버는 텅스텐을 증착하는 것을 특징으로 하는 챔버.
  20. 제 14 항에 있어서, 상기 퍼지부재는 새도우링이 탈거가능하게 수용되는 적어도 하나의 홀을 가지는 것을 특징으로 하는 챔버.
KR1020010007507A 2000-02-15 2001-02-15 퍼지링용 결속장치 KR20010082657A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/504,288 US6223447B1 (en) 2000-02-15 2000-02-15 Fastening device for a purge ring
US09/504,288 2000-02-15

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20010082657A true KR20010082657A (ko) 2001-08-30

Family

ID=24005627

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020010007507A KR20010082657A (ko) 2000-02-15 2001-02-15 퍼지링용 결속장치

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6223447B1 (ko)
EP (1) EP1126047A1 (ko)
JP (1) JP5048185B2 (ko)
KR (1) KR20010082657A (ko)
SG (1) SG86457A1 (ko)
TW (1) TW480327B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190056904A (ko) * 2017-11-17 2019-05-27 삼성전자주식회사 스핀 코터 및 이를 구비하는 기판처리 장치와 기판처리 시스템

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6521292B1 (en) 2000-08-04 2003-02-18 Applied Materials, Inc. Substrate support including purge ring having inner edge aligned to wafer edge
US20030121898A1 (en) * 2001-11-26 2003-07-03 Tom Kane Heated vacuum support apparatus
US6730175B2 (en) 2002-01-22 2004-05-04 Applied Materials, Inc. Ceramic substrate support
TWI297908B (en) * 2005-03-16 2008-06-11 Ngk Insulators Ltd Processing device
JP4590363B2 (ja) * 2005-03-16 2010-12-01 日本碍子株式会社 ガス供給部材及びそれを用いた処理装置
JP4783213B2 (ja) * 2005-06-09 2011-09-28 日本碍子株式会社 静電チャック
JP2007046141A (ja) * 2005-08-12 2007-02-22 Ngk Insulators Ltd 加熱装置
JP2007051317A (ja) * 2005-08-16 2007-03-01 Ngk Insulators Ltd 加熱装置
US7826724B2 (en) * 2006-04-24 2010-11-02 Nordson Corporation Electronic substrate non-contact heating system and method
JP5069452B2 (ja) * 2006-04-27 2012-11-07 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 二重温度帯を有する静電チャックをもつ基板支持体
US8226769B2 (en) * 2006-04-27 2012-07-24 Applied Materials, Inc. Substrate support with electrostatic chuck having dual temperature zones
JP5109376B2 (ja) * 2007-01-22 2012-12-26 東京エレクトロン株式会社 加熱装置、加熱方法及び記憶媒体
US8377207B2 (en) * 2007-05-09 2013-02-19 Ulvac, Inc. Purge gas assembly
KR101840322B1 (ko) 2009-12-31 2018-03-20 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 웨이퍼 엣지 및 경사면 증착을 수정하기 위한 쉐도우 링
US9490150B2 (en) * 2012-07-03 2016-11-08 Applied Materials, Inc. Substrate support for substrate backside contamination control
US20160002778A1 (en) * 2014-07-03 2016-01-07 Applied Materials, Inc. Substrate support with more uniform edge purge
US9460915B2 (en) 2014-09-12 2016-10-04 Lam Research Corporation Systems and methods for reducing backside deposition and mitigating thickness changes at substrate edges
US9738975B2 (en) 2015-05-12 2017-08-22 Lam Research Corporation Substrate pedestal module including backside gas delivery tube and method of making
US10177024B2 (en) 2015-05-12 2019-01-08 Lam Research Corporation High temperature substrate pedestal module and components thereof
KR20230141940A (ko) * 2016-10-12 2023-10-10 램 리써치 코포레이션 반도체 프로세싱용 웨이퍼 포지셔닝 페데스탈의 패드 상승 메커니즘
US20190287835A1 (en) * 2018-02-01 2019-09-19 Yield Engineering Systems, Inc. Interchangeable Edge Rings For Stabilizing Wafer Placement And System Using Same
KR102411272B1 (ko) 2018-03-26 2022-06-22 엔지케이 인슐레이터 엘티디 정전척 히터
KR20210111354A (ko) * 2019-01-31 2021-09-10 램 리써치 코포레이션 설정가능한 (configurable) 가스 유출구들을 갖는 샤워헤드
CN115461856A (zh) * 2020-04-29 2022-12-09 应用材料公司 用于均匀性改善的加热器盖板
CN111477576A (zh) * 2020-06-02 2020-07-31 深圳市石金科技股份有限公司 一种改进型承载盘及承载装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5238499A (en) 1990-07-16 1993-08-24 Novellus Systems, Inc. Gas-based substrate protection during processing
US5855687A (en) * 1990-12-05 1999-01-05 Applied Materials, Inc. Substrate support shield in wafer processing reactors
US5534072A (en) * 1992-06-24 1996-07-09 Anelva Corporation Integrated module multi-chamber CVD processing system and its method for processing subtrates
US5800686A (en) * 1993-04-05 1998-09-01 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition chamber with substrate edge protection
DE69432383D1 (de) * 1993-05-27 2003-05-08 Applied Materials Inc Verbesserungen betreffend Substrathalter geeignet für den Gebrauch in Vorrichtungen für die chemische Abscheidung aus der Dampfphase
EP0668607A1 (en) * 1994-02-22 1995-08-23 Applied Materials, Inc. Erosion resistant electrostatic chuck
US5556476A (en) 1994-02-23 1996-09-17 Applied Materials, Inc. Controlling edge deposition on semiconductor substrates
US5888304A (en) 1996-04-02 1999-03-30 Applied Materials, Inc. Heater with shadow ring and purge above wafer surface
US5766365A (en) 1994-02-23 1998-06-16 Applied Materials, Inc. Removable ring for controlling edge deposition in substrate processing apparatus
US5423558A (en) * 1994-03-24 1995-06-13 Ipec/Westech Systems, Inc. Semiconductor wafer carrier and method
JP3553204B2 (ja) * 1995-04-28 2004-08-11 アネルバ株式会社 Ｃｖｄ装置
US5994678A (en) * 1997-02-12 1999-11-30 Applied Materials, Inc. Apparatus for ceramic pedestal and metal shaft assembly
JPH10303286A (ja) * 1997-02-25 1998-11-13 Applied Materials Inc 静電チャック及び半導体製造装置
US5985033A (en) 1997-07-11 1999-11-16 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for delivering a gas
US6179924B1 (en) * 1998-04-28 2001-01-30 Applied Materials, Inc. Heater for use in substrate processing apparatus to deposit tungsten
US6040011A (en) * 1998-06-24 2000-03-21 Applied Materials, Inc. Substrate support member with a purge gas channel and pumping system

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190056904A (ko) * 2017-11-17 2019-05-27 삼성전자주식회사 스핀 코터 및 이를 구비하는 기판처리 장치와 기판처리 시스템

Also Published As

Publication number Publication date
JP5048185B2 (ja) 2012-10-17
EP1126047A1 (en) 2001-08-22
US6223447B1 (en) 2001-05-01
TW480327B (en) 2002-03-21
JP2001351967A (ja) 2001-12-21
SG86457A1 (en) 2002-02-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20010082657A (ko) 퍼지링용 결속장치
US6375748B1 (en) Method and apparatus for preventing edge deposition
US6521292B1 (en) Substrate support including purge ring having inner edge aligned to wafer edge
US6368450B2 (en) Processing apparatus
US8342119B2 (en) Self aligning non contact shadow ring process kit
US5935338A (en) Chemical vapor deposition chamber
US9978569B2 (en) Adjustable process spacing, centering, and improved gas conductance
US6827815B2 (en) Showerhead assembly for a processing chamber
JP4361614B2 (ja) 半導体基板のエッジ成膜の制御
KR101110934B1 (ko) 플라즈마 에칭용 고온 캐쏘오드
US7589950B2 (en) Detachable electrostatic chuck having sealing assembly
US5656093A (en) Wafer spacing mask for a substrate support chuck and method of fabricating same
US6506291B2 (en) Substrate support with multilevel heat transfer mechanism
US6162336A (en) Clamping ring design to reduce wafer sticking problem in metal deposition
KR20030051645A (ko) 정전기력에 의하여 고정되는 플라즈마 공정용 에지 링
US7115169B2 (en) Replaceable shielding apparatus
US5431737A (en) Interchangeable CVD chuck surface
JP2021533560A (ja) 取り外し可能なサーマルレベラー
TW202209400A (zh) 具有改進的選擇性和流導性的金屬氧化物預清潔腔室

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid