KR20010077627A - 카본 나노튜브 - 전계방사 디스플레이의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 탄소 나노튜브 - 전계방사 디스플레이(CNT-FED)의 제조방법에 관한 것으로서, 실리콘 또는 유리로 된 기판의 상측면에 절연층을 형성하는 한편, 이 절연층의 상측면에 게이트 물질을 증착시켜 게이트 전극을 형성한 다음, 상기 게이트 전극 및 절연층에 포토 레지스트 층을 형성하는 한편 게이트 홀과 캐소드 전극을 각각 형성한 후, 촉매금속으로 니켈이나 코발트를 증착시킨 후 게이트 홀에 선택적으로 금속막을 남겨 제조하거나, 실리콘 또는 유리로 된 기판위에 촉매금속으로 니켈 또는 코발트를 증착한 다음, 그 위에 게이트 산화막과 게이트 물질을 증착한 후 포토 레지스트막을 식각 마스크로 하여 형성된 멀티-레이어를 직접 에칭하여 제조하는 것으로서, 휘도와 가속전압 및 컬러 구현도 등이 향상된 삼극관 구조의 탄소 나노튜브 - 전계방사 디스플레이를 손쉽고 간단히 제조할 수 있다.
Description
카본 나노튜브를 이용한 전계방사 디스플레이(CNT-FED)의 제조방법에 관한 것이다.
정보의 시각적 디스플레이의 중요성은 날로 증가하고 있으며, 음극선관(cathode ray tube ; CRT )이 개발된 이후, 전계방사 디스플레이(field emission display ; FED)를 포함하여 발광 다이오드(light emitting diode ; LED), 액정표시장치(liquid crystal display ; LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(plasma display panel ; PDP), 진공 형광 디스플레이(vacuum fluorescent display ; VFD)등이 개발되어 있다.
현재 가장 일반적으로 사용되고 있는 음극선관(CRT)은 고휘도, 넓은 시야각, 높은 공간 해상도 등으로 성능 자체는 매우 우수하지만 스크린의 크기가 증가될수록 부피나 무게가 비선형적으로 엄청나게 증가하게 된다. 또한, 액정표시장치(LCD)는 음극선관(CRT)의 성능에 비하여 시야각이 좁고 휘도가 낮으며, 플라스마 디스플레이 판넬(PDP)은 가격이 비싸며 소비전력이 많이 들고 표시장치가 뜨거워지는 등의 문제가 있다. 따라서 종래의 칼라 음극선관의 모든 장점을 살리면서도 부피가 크지 않고 무게가 가벼운 전계방사 디스플레이(FED)는 차세대 디스플레이 장치로 주목을 받고 있다.
전계방사 디스플레이(FED)는 음극 전자원(cold cathode electron source)인 전계 방출 에미터 어레이(field emission array ; FEA)를 행렬로 선택하여 화면을 구성하는 평판 디스플레이이다.
그러나, 상기 전계방사 디스플레이(FED)는 그 전자원으로 실리콘(Si) 혹은 금속 팁(metal tip)이 사용하는데, 잔류 가스들에 의한 화학적 반응과 스퍼터링으로 인한 방사 안정성(emission stability)의 저하 및 팁(tip)의 수명 단축 등의 문제가 대두되었고, 이를 해결하고자 물리·화학적으로 매우 안정한 물질인 탄소 나노튜브(carbon nanotube ; CNT)가 차세대 전계방사 디스플레이(FED)의 전자원으로 개발되고 있다.
그런데, 상기 탄소 나노튜브 - 전계방사 디스플레이로 캐소드와 아노드만이 존재하는 이극관 구조가 개발되어 있으나 휘도와 가속전압이 낮고 컬러 구현도가 낮으며, 삼극관 구조로 개발된 탄소 나노튜브 - 전계방사 디스플레이는 수백 ㎛ 의 스페이서를 사용해야 하는 등의 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명은 휘도와 가속전압 및 컬러 구현도 등이 향상된 삼극관 구조의 탄소 나노튜브 - 전계방사 디스플레이의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
도1은 본 발명에 의해 제조된 탄소 나노튜브 - 전계방사 디스플레이의 개략적인 구성도,
도2는 본 발명에 사용되는 마스크를 나타내는 평면도,
도3은 본 발명의 제1실시예에 의한 카본 나노튜브 - 전계방사 디스플레이(CNT-FED)의 제조방법을 나타내는 공정도,
도4는 폴리 실리콘 식각 후 폴리머가 형성된 게이트 홀의 광학 현미경 사진,
도5는 폴리머를 제거한 후의 게이트 홀의 광학 현미경 사진,
도6은 리프트 오프(Lift-off)용 포토 레지스트를 형성한 후의 게이트 홀의 광학 현미경 사진,
도7은 금속막 증착 후의 게이트 홀의 광학 현미경 사진,
도8은 포토 레지스트를 리프트 오프(Lift-off)한 후 게이트 홀의 광학 현미경 사진,
도9는 본 발명의 제조방법으로 제조된 카본 나노튜브 - 전계방사 디스플레이 소자의 SEM 사진,
도10은 도9의 게이트 홀의 FESEM 사진,
도11은 본 발명의 제2실시예에 의한 카본 나노튜브 - 전계방사 디스플레이(CNT-FED)의 제조방법을 나타내는 공정도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
12 : 기판 14 : 절연층
16 : 게이트 전극 18 : 게이트 홀
20 : 캐소드 전극
본 발명에 의한 탄소 나노튜브 - 전계방사 디스플레이는, 실리콘 또는 유리로 된 기판의 상측면에 절연층을 형성하는 한편, 이 절연층의 상측면에 게이트 물질을 증착시켜 게이트 전극을 형성한 다음, 상기 절연층 및 게이트 전극용 박막층에 포토 레지스트 층을 형성한 후 선택적 건식 식각으로 홀을 형성한 다음, 촉매금속으로 니켈이나 코발트를 증착시킨 후 게이트 홀에 선택적으로 금속막을 남겨 제조하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 의한 탄소 나노튜브 - 전계방사 디스플레이는, 실리콘 또는 유리로 된 기판 위에 촉매금속으로 니켈 또는 코발트를 증착한 다음, 그 위에 게이트 산화막과 게이트 물질을 증착한 후 포토 레지스트막을 식각 마스크로 하여 형성된 멀티-레이어를 직접 에칭하여 제조할 수도 있다.
이하, 본 발명의 실시예에 관하여 첨부도면을 참조하면서 상세히 설명한다.
도1은 본 발명에 의해 제조된 탄소 나노튜브 - 전계방사 디스플레이의 개략적인 구성도이다. 도시한 바와 같이, 실리콘이나 유리로 된 기판(12)의 상측에는 산화 실리콘(SiO2)으로 된 절연층(14)이 형성되고, 상기 절연층(14)의 상측에는 N+폴리 실리콘으로 된 게이트 전극(16)이 형성되고, 상기 게이트 전극(16)에는 게이트 홀(18)이 형성되며, 상기 게이트 전극(16)의 양측에는 캐소드 전극(20)이 형성된 구조로 되어 있다. 상기 절연층(14)의 두께는 1.5㎛ 이고, 상기 게이트 전극(16)의 두께는 0.5㎛ 이며, 상기 게이트 홀(18)의 크기는 10-100㎛로서, 배열(array)로 이루어져 있다.
본 발명의 탄소 나노튜브 - 전계방사 디스플레이의 제작에는 두개의 마스크가 사용된다. 즉, 상기 게이트 전극(16)을 형성하기 위한 도2의 (a)에 도시한 제1마스크(M1)와, 게이트 홀(18) 및 캐소드 전극(20)을 형성하기 위한 도2의 (b)에 도시한 제2마스크(M2)가 사용된다.
그리고, 상기 절연층(14) 및 게이트 전극(16)용 박막층에는 포토 레지스트 층을 형성한 후 선택적 건식 식각으로 홀을 형성하게 된다.
도3은 본 발명의 제1실시예에 의한 카본 나노튜브 - 전계방사 디스플레이(CNT-FED)의 제조방법을 나타내는 공정도이다.
도3의 (a)에 도시한 바와 같이 기판에 산화 실리콘 막과 폴리 실리콘 막을 형성한 다음, 도3의 (b)에 도시한 바와 같이 게이트 전극을 형성하기 위해 포토 레지스트로 모형을 떠서 마스크 한 후, 도3의 (c) 및 (d)에 도시한 바와 같이 게이트 전극을 형성하기 위한 폴리 실리콘의 에칭을 하는 한편 및 포토 레지스트를 제거한다.
다음에, 도3의 (e)에 도시한 바와 같이 게이트 홀을 형성하기 위해 포토 레지스트로 모형을 떠서 마스크 한 후, 도3의 (f) 및 (g)에 도시한 바와 같이 게이트 홀을 형성하기 위한 폴리 실리콘 및 산화 실리콘의 에칭을 하는 한편 포토 레지스트를 제거한다.
다음에, 도3의 (h)에 도시한 바와 같이 게이트 홀 안에 금속을 증착시키기 위해 다시 포토 레지스트로 모형을 떠서 마스크 한 다음, 도3의 (i) 및 (j)에 순차적으로 도시한 바와 같이 금속을 증착하고 포토 레지스트를 제거하면, 도3의 (k)에 도시한 바와 같은 삼극관 구조의 탄소 나노튜브 - 전계방사 디스플레이가 완성된다.
이하에서 상기 제1실시예의 제조공정을 더욱 상세히 설명한다.
탄소 나노튜브 - 전계방사 디스플레이의 소자 제작을 위한 기판은 비저항이 1∼5 Ω·cm인 P형 실리콘(Si)(100 ; 결정방향) 웨이퍼를 사용하고, 그 위에 게이트 절연막으로는 로(furnace)를 이용하여 1000℃에서 산소(O2)와 수소(H2)가스를 사용하여 1.6㎛의 열 산화막을 증착하며, 게이트 물질로는 저압 화학 기상 증착(Low Pressure Chemical Vapor Deposition ; LPCVD)을 이용하여 비정질 실리콘을 5000 Å 증착한 후, 950 ℃에서 염화산화인(POCl3) 소스를 이용하여 N+폴리 실리콘으로 만든다.
박막들을 증착시킨 후, 상기 제1마스크(M1)을 이용한 사진묘화공정(photolithography)과 폴리 실리콘의 활성 이온 식각(reactive ion etching)으로 게이트 전극를 형성시킨다. 그리고, 상기 제2마스크(M2)를 이용한 사진묘화공정과 폴리 실리콘 및 실리콘 산화막의 활성 이온 식각으로 게이트 홀과 캐소드 전극를 형성한다. 여기서 0.5㎛의 폴리 실리콘은 반응이온 식각장치(reactive ion etcher ; RIE)로 염소(Cl2)(58 standard cc/min ; sccm)와 헬륨(He) (100 sccm)가스를 사용하여 압력 200 mtorr, RF(radio-frequency) power 300 W의 조건으로 식각하고, 1.6㎛의 실리콘 산화막은 자기강화 반응이온 식각(Magnetically Enhanced Reactive Ion Etching ; MERIE) 방식으로 CHF3(25 sccm)와 CF4(5 sccm), Ar(70 sccm) 가스를 사용하여 압력 100 mtorr, RF 400 W의 조건으로 식각한다. 식각이 종료된 후, 식각마스크로 사용한 포토 레지스트(PR)는 산소 플라즈마(O2plasma)를 이용하여 에싱(ashing) 한 후 포토 레지스트 제거용액으로 제거한다. 본 실시예에서는 상기 포토 레지스트 제거용액은 40℃의 AZ 700 (물질상표명)을 사용했다.
다음에, 게이트 홀 안에 CNT 성장에 필요한 촉매 물질로서 Ni을 선택적으로 증착시키기 위하여 포토 레지스트(PR) 막을 형성시킨다. 즉, 제2마스크(M2)를 재사용하여 사진묘화공정을 행함으로서 홀 부분을 제외한 부분에 다시 제거용 PR막이 형성되도록 한다. 형성된 PR 막 위에 촉매 금속막으로 전자 빔 증착(E-beam evaporator)을 사용하여 800Å 두께의 Ni 박막을 증착하고 아세톤으로 PR 막을 제거함으로서 선택적으로 게이트 홀 밑면에 촉매 금속막을 형성시킨다.
도4는 제1마스크(M1)를 사용하여 게이트 전극을 형성한 후, 제2마스크를 사용한 사진묘화공정으로 게이트 홀의 PR 식각 마스크를 형성하여 폴리 실리콘을 식각한 후의 광학 현미경 사진이다. 캐소드 전극 패턴은 깨끗하게 폴리 실리콘이 식각되었으나 게이트 홀 패턴에서는 폴리머가 생성되었다.
도5은 게이트 홀의 폴리 실리콘 식각시 형성된 폴리머를 제거한 후의 광학현미경 사진이다. 생성된 폴리머는 SF6가스를 사용하여 25 sccm, 300 mtorr, 200 W의조건에서 60sec 동안 식각하여 제거하였고, 가스의 등방적 식각 특성으로 인하여 게이트 홀의 크기가 약 1-2 ㎛ 정도 넓어졌다.
도6은 게이트 홀의 폴리 실리콘과 산화 실리콘 막을 식각한 후 식각 마스크에 사용된 PR을 제거하고, 제2마스크(M2)를 사용하여 다시 사진묘화공정을 함으로써 리프트 오프(lift-off)용 PR을 형성한 후의 광학현미경 사진이다. 홀 부분을 제외한 부분에 PR 막이 증착하게 되는데 정렬장비의 분해능과 정렬시 사용되는 현미경의 해상도에 의해 약간의 정렬 오차(miss align)가 있었다. 도면의 (a),(b)는 게이트 홀의 크기가 10㎛, 도면의 (c),(d)는 게이트 홀의 크기가 50㎛이다.
도7은 리프트 오프(lift-off)용 PR 막 위에 촉매 금속으로서 Ni을 증착시킨 게이트 홀의 광학 현미경 사진이다.
도8은 금속막을 증착한 후에 아세톤으로 리프트 오프(lift-off)용 PR 을 제거한 후의 게이트 홀의 광학 현미경 사진이다. 따라서 PR 막 위에 증착되었던 금속막은 모두 제거되고, CNT가 증착될 게이트 홀 안에는 금속막이 남아 있게 된다. 도8의 (a)는 10㎛ 게이트 홀 패턴이고, 도8의 (b)는 50 ㎛ 게이트 홀 패턴이다.
도9의 (a)는 제작된 소자의 전체적인 구조를 나타낸다. 도9의 (b)는 게이트 홀 부분을 확대한 사진이다.
도10은 제작된 소자의 게이트 홀 구조를 나타내는 FESEM(field emission scanning electron microscopy) 사진이다. 리프트 오프(Lift-off) 용 PR 막을 형성하는 과정에서 장비 분해능의 한계로 인한 약간의 정렬 오차로 인하여 게이트 홀의 지름이 30 ㎛ 이하의 패턴에서는 게이트 절연막 위에 부분적으로 금속막이 증착되기도 하나 그 이상의 크기에서는 게이트 홀 밑면에만 금속막이 증착되었다. 도면의 (a),(b),(c)는 게이트 홀의 크기가 10㎛, 도면의 (d),(e),(f)는 게이트 홀의 크기가 50 ㎛이다.
도11은 본 발명의 제2실시예에 의한 카본 나노튜브 - 전계방사 디스플레이(CNT-FED)의 제조방법을 나타내는 공정도이다.
본 제2실시예는 실리콘 또는 유리로 된 기판 위에 촉매금속으로 니켈 또는 코발트를 증착한 다음, 그 위에 게이트 산화막과 게이트 물질을 증착한 후 포토 레지스트막을 식각 마스크로 하여 형성된 멀티-레이어를 직접 에칭하여 제조하는 방법이다.
즉, 도11의 (a)에 도시한 바와 같이 기판에 금속 막을 증착한 다음, 도11의 (b)에 도시한 바와 같이 상기 금속 막의 상측에는 산화 실리콘 및 폴리 실리콘(N형)을 증착한 후, 도11의 (c)에 도시한 바와 같이 게이트 전극을 형성하기 위해 포토 레지스트로 모형을 떠서 마스크 한 후, 도11의 (d)에 도시한 바와 같이 게이트 전극을 형성하기 위한 폴리 실리콘의 에칭을 하는 한편 및 포토 레지스트를 제거한다.
다음에, 도11의 (e)에 도시한 바와 같이 게이트 홀을 형성하기 위해 포토 레지스트로 모형을 떠서 마스크 한 후, 도11의 (f) 및 (g)에 도시한 바와 같이 게이트 홀을 형성하기 위한 폴리 실리콘 및 산화 실리콘의 에칭을 하는 한편 포토 레지스트를 제거하면, 게이트 홀 밑면에 촉매금속이 드러나게 된다.
본 발명의 제2실시예의 금속막은 이 제1실시예의 방법과 동일하게 전자빔 증착(E-beam evaporator)를 사용하여 Ni 이나 Co를 증착할 수 있으나, 게이트 산화막과 게이트 물질을 형성할 때에는 이미 금속막이 증착된 것을 감안하여 높은 온도를 이용하는 방법은 피해야 한다. 따라서 게이트 산화막은 TEOS(Tetra-Ethyl-Oxy-Silane) 소스를 이용한 플라스마 보강 기상증착(plasma enhanced chemical vapor deposition ; PECVD)을 사용하여 약 1.5㎛를 증착하고, 게이트 물질로는 n+ 도핑된 폴리 실리콘을 플라즈마 CVD 방법으로 약 0.5㎛ 증착한다.
사용되는 박막들을 모두 증착시킨 후, 제1마스크를 사용한 사진묘화공정과 폴리실리콘의 활성 이온식각으로 게이트 전극을 형성한 후, 제2마스크를 사용한 사진묘화공정으로 게이트 홀과 캐소드 전극의 PR 식각 마스크를 형성시킨다. 형성된 PR막을 마스크로 하여 폴리 실리콘과 실리콘 산화막을 순차적으로 플라즈마 식각을 하는데 식각 조건은 제1실시예의 방법과 동일하며, 식각 후 게이트 홀 밑면에 촉매 금속이 드러나게 된다.
이와같이 구성된 본 발명에 의하면, 휘도와 가속전압 및 컬러 구현도 등이 향상된 삼극관 구조의 탄소 나노튜브 - 전계방사 디스플레이를 손쉽고 간단히 제조할 수 있다.
Claims (2)
- 실리콘 또는 유리로 된 기판의 상측면에 절연층을 형성하는 한편, 이 절연층의 상측면에 게이트 물질을 증착시켜 게이트 전극을 형성한 다음,상기 절연층 및 게이트 전극용 박막층에 포토 레지스트 층을 형성한 후 선택적 건식 식각으로 홀을 형성한 다음,촉매금속으로 니켈이나 코발트를 증착시킨 후, 게이트 홀에 선택적으로 금속막을 남겨 제조하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브 - 전계방사 디스플레이의 제조방법
- 실리콘 또는 유리로 된 기판 위에 촉매금속으로 니켈 또는 코발트를 증착한 다음,그 위에 게이트 산화막과 게이트 물질을 증착한 후, 포토 레지스트막을 식각 마스크로 하여 형성된 멀티-레이어를 직접 에칭하여 게이트 홀 밑면에 촉매금속이 드러나게 하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브 - 전계방사 디스플레이의 제조방법.
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| KR100442840B1 (ko) * | 2001-01-05 | 2004-08-02 | 삼성에스디아이 주식회사 | 삼극관 탄소나노튜브 전계방출 어레이의 제조 방법 |
| KR100819446B1 (ko) * | 2006-04-05 | 2008-04-07 | 경희대학교 산학협력단 | 전자방출 소자의 선택적 위치 제어를 이용한 전자방출디스플레이 및 그 제조방법 |
| KR100873800B1 (ko) * | 2002-07-19 | 2008-12-15 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 탄소나노튜브를 이용한 반도체 소자의 실리사이드 형성방법 |
| CN107591299A (zh) * | 2016-07-07 | 2018-01-16 | 泰勒斯公司 | 具有基于纳米管或纳米线的平面阴极的真空电子管 |
| CN113514388A (zh) * | 2021-07-15 | 2021-10-19 | 帕孚(上海)电气设备有限公司 | 一种电化学腐蚀传感器及其制备方法 |
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100442840B1 (ko) * | 2001-01-05 | 2004-08-02 | 삼성에스디아이 주식회사 | 삼극관 탄소나노튜브 전계방출 어레이의 제조 방법 |
| KR100873800B1 (ko) * | 2002-07-19 | 2008-12-15 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 탄소나노튜브를 이용한 반도체 소자의 실리사이드 형성방법 |
| KR100819446B1 (ko) * | 2006-04-05 | 2008-04-07 | 경희대학교 산학협력단 | 전자방출 소자의 선택적 위치 제어를 이용한 전자방출디스플레이 및 그 제조방법 |
| CN107591299A (zh) * | 2016-07-07 | 2018-01-16 | 泰勒斯公司 | 具有基于纳米管或纳米线的平面阴极的真空电子管 |
| CN107591299B (zh) * | 2016-07-07 | 2021-07-27 | 泰勒斯公司 | 具有基于纳米管或纳米线的平面阴极的真空电子管 |
| CN113514388A (zh) * | 2021-07-15 | 2021-10-19 | 帕孚(上海)电气设备有限公司 | 一种电化学腐蚀传感器及其制备方法 |
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