KR20010070228A - 광학적 배열 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 62
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 65
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 48
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 48
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 13
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 claims description 9
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 6
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 13
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 22
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MARDFMMXBWIRTK-UHFFFAOYSA-N [F].[Ar] Chemical compound [F].[Ar] MARDFMMXBWIRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- ISQINHMJILFLAQ-UHFFFAOYSA-N argon hydrofluoride Chemical compound F.[Ar] ISQINHMJILFLAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
- G03F7/70891—Temperature
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Abstract
광학적 배열은, 특히 마이크로리소그래픽 프로젝션 프린팅 장치에서, 특히 슬롯형태의 이미지 영역 또는 회전 비대칭 조명을 가진다. 굴절 광학 부재, 예를 들어 렌즈 (2), 는 광원의 회전 비대칭 복사충격 (3) 에 의해 가열된다. 하나 이상의 전기 가열 부재는 광학 부재에 결합되어 있다. 상기 가열 부재는 광학 부재에 의해 운반되는 저항가열 코팅을 포함한다. 광원의 복사 작용에 의한 광학 부재의 표면 (3) 영역에서, 저항가열 코팅은 실제적으로 광학적으로 투명하다. 저항가열 코팅은 복수 개의 평행하고 전기적으로 상호 절연된 코팅스트립들 (5 내지 10) 을 포함한다. 가열전류 소스 (17 내지 19) 는 가열 부재의 부가적인 부분이다. 복사충격 (3) 및 저항가열에 의한 광학 부재의 결합된 가열에 의해서, 대칭적 및/또는 균질한 온도 및 굴절률 분포를 수단으로 광학 부재에서 조명에 의해 야기되는 이미지 결함들의 수정을 획득한다.
Description
본 발명은 광학적 배열에 관한 것으로, 특히 마이크로리소그래픽 (microlithographic) 프로젝션 프린팅 (projection printing) 장치에 관한 것으로,특히, 슬롯 모양의 이미지 영역 또는 회전 비대칭적인 조명을 가지고, 복사선을 방출하는 광원 및 굴절력이 있는 광학 부재를 포함하며, 광학 부재는 복사의 작용에 의해 회전 비대칭적 방식으로 가열되며, 1 개 이상의 전기 가열 부재가 광학 부재와 결합한다.
그러한 광학적 배열의 이미지 품질은 회전 비대칭적 이미지 결함들에 의해 빈번히 저하된다. 예를들어, 그러한 이미지 결함들은 광학 부재를 광의 작용에 의해 회전 비대칭적으로 가열한 결과로서 뿐 만 아니라, 광에 의해 기인되는 다른 효과들, 예컨대 압축 (compaction) 등, 에 의해서도 발생하며, 이것은 상응하는 광학 부재의 회전 비대칭적 팽창 및/또는 굴절률 분포를 유발한다.
높은 이미지 품질이 요구될 때, 특히 마이크로리소그래픽 프로젝션 프린팅 과정에서는, 광에 의해 야기되는 이미지 결함들은 용인될 수 없다. 유럽특허 제 0 678 768 A2 호 에서는, 대칭 및/또는 균질의 온도 분포를 얻기위해 추가적으로 가열함으로써, 이미지 특성들의 향상을 추구하는 것이 알려져 있다. 상기 목적을 위해, 복수 개의 가열 부재들이 열적으로 렌즈의 주변부와 연결되어 있으므로, 모서리 방향으로부터 렌즈를 가열한다.
그러한 렌즈의 가열은 - 이미지 특성을 위해 - 주로 관련된 렌즈의 중앙부 표면에서의 그러한 대칭적 및/또는 균질한 온도분포를 얻기위해, 일반적으로 렌즈 물질이 낮은 열전도율의 특성을 가짐에도 불구하고, 렌즈의 주변부 표면이 상대적으로 높은 수준으로 가열되어야 한다는 점에서 단점이 있다. 그러나, 렌즈 주변부에 대하여 강하게 가열하면, 렌즈 및/또는 렌즈 마운팅 (mounting) 이열적 스트레스에 의해 손상될 위험이 있다.
또한, 렌즈의 중앙부와 렌즈의 주변부가 상대적으로 큰 거리만큼 떨어져 있기 때문에, 중앙부 근처에서의 온도 분포에 대한 의도하는 구조적 영향력은 실제적으로 불가능하다.
따라서, 본 발명의 목적은, 광학 부재에서의 온도분포가 더 대칭적 및/또는 균질적으로 될 수 있는 방법으로, 서두에 언급한 형태의 광학적 배열을 개발하는데 있다.
상술한 목적은, 본 발명에 따라서 성취되며, 본 발명에서 저항가열 부재는 가열전류 소스 뿐 만 아니라 저항가열 코팅을 구비하며, 저항가열 코팅은 광학부재에 장착되고 광원의 복사가 작용하는 광학 부재의 표면영역에서 실제적으로 광학적으로 투명하며, 복수 개의 평행하고 전기적으로 상호 절연체인 코팅스트립들을 포함한다.
이와 같은 방식으로 배열된 코팅스트립들을 가지는 가열 부재는, 추가적인 가열로 렌즈 본체에서 발생하는 전체적인 온도분포를 통하여 이미지 특성을 적합하게 할 수 있다. 특히, 렌즈 본체의 중앙부 및 그것을 둘러싸는 영역 (이러한 영역의 회전 비대칭 가열은 광원의 복사선의 잔류흡수 결과로서 렌즈의 이미지 결함의 주요한 원인이다) 은 직접적으로 가열될 수 있다. 코팅스트립들은 광학적으로 투명하므로, 그들은 불필요하게 렌즈의 개구 (aperture) 를 한정하지 않는다. 그러므로, 광원의 복사가 작용하는 렌즈 본체의 표면들이변할 때에도, 동일한 가열 부재가 사용될 수 있다.
특히, 광원의 복사가 작용하는 표면을 둘러싼 영역에서, 코팅스트립들은 광학 부재를 실제적으로 덮는 막을 형성할 수 있고, 개별적인 코팅스트립들 사이에는 단지 작은 갭들 만이 유지된다. 그러한 코팅스트립들의 배열은 특히 광원의 복사가 작용하는 표면을 둘러싼 영역에서 실제적으로 렌즈 표면을 전체적으로 가열할 수 있게 한다. 따라서, 가열을 통해 조정 가능한 광학 부재의 온도 분포 결과로서, 이미지 특성들을 바람직하게 제어할 수 있다. 코팅스트립들 사이의 좁은 갭들은 코팅스트립들 사이의 전기적 절연체로 이용된다.
코팅스트립들은 광학 부재의 먼거리에 이격된 면에 반사방지 코팅을 가질 수 있다. 상기 반사방지 코팅은 동시에 코팅스트립들에 대한 보호막이다. 특히, 코팅스트립들이 광학 부재를 제조하는데 사용되는 물질의 굴절률보다 더 큰 굴절률을 갖는 물질로 만들어진 경우, 광학 부재의 먼거리에 이격된 코팅스트립의 경계막에서는 증가되는 반사 손실을 피할 수 있다.
바람직하게는, 반사방지 코팅은 광학 부재 상의 연속적인 막이다. 그러므로, 예컨대 코팅스트립들과 반사방지 코팅 모두는 2 개의 연속적인 기상증착 (vapour deposition) 또는 다른 코팅처리에 의한 간단한 방법을 적용할 수 있다.
코팅스트립들은 바람직하게는 복사선의 파장영역에서 실제적으로 광학 부재의 물질과 동일한 굴절률을 가지는 물질로 이루어져 있다. 상기 수단들에의해, 코팅스트립들과 렌즈 본체 사이의 경계막에서 반사손실들을 피할 수 있다.
2 개 이상의 코팅스트립들은 서로 다른 단위길이당 전기적 저항을 가질 수 있다. 주어진 가열전류에서 열출력은 가열저항에 따라 증가한다. 단위길이당 적당한 저항의 사전선택 (preselection) 을 통해, 렌즈 본체에서 우수한 대칭 및/또는 균질한 온도 분포를 가능하게 하는, 일정한 가열 전류가 주어지면, 렌즈 표면에 걸친 열출력 분포를 획득하는 것도 가능하다. 그러므로, 가열전류의 전류제어를 필요없게 하는 것도 가능하다.
코팅스트립들이 단위길이당 전기적 저항을 달리하는 복수 개의 영역을 포함할 때는, 상기 목적을 위해 요구되는 가열전류의 변동없이, 렌즈 본체의 표면에 걸친 열출력 분포 채택에 대한 추가적인 자유도 (degree of freedom) 가 제공된다.
코팅스트립들을 따라서, 단위길이당 전기적 저항의 연속적인 변화가 만들어 질 수 있다. 그러한 연속적인 변화는 코팅스트립의 길이에 걸쳐 전달된 가열 에너지에 대응하는 연속적인 변화를 일으킨다. 그러므로, 온도분포의 바람직하지 않은 불연속성을 피할 수 있다.
구성의 바람직한 형태에서는, 코팅스트립들은 코팅스트립에 대해 평행하게 놓인 대칭의 자오선 평면에 대해 거울대칭 (mirror symmetry) 으로 위치한다. 그 결과, 똑같이 거울대칭을 갖는 광원에 의한 작용의 복사 전력분포가 주어지면, 대칭적 및/또는 균질한 온도분포를 이루기 위한 열출력의 적합화가 쉬워진다.
대칭의 자오선 평면에 의해 거울대칭으로 서로 관련되는 코팅스트립들이 동일한 전기적 저항을 가질 때, 가열 부재의 제작은 단순화된다.
본 발명의 구성의 바람직한 형태에서, 가열전류 소스는 적어도 2 개의 전력장치들을 포함하고, 대칭의 자오선 평면에 의해 거울대칭으로 서로 관련되는 코팅스트립들은 동일한 전기 공급장치에 의해 가열된다. 이것은 가열 부재의 제어를 간단히 한다.
가열전류 소스는 가열전류 제어회로에 통신링크를 가질 수 있으며, 가열전류 제어회로는 전기 공급장치들에 의해 전달될 출력을 사전선택한다. 이것은 열출력 분포를 자동적으로 프로젝션 프린팅 장치의 외부 동작변수들의 변화에 적합하도록 할 수 있게 한다.
가열전류 제어회로는 바람직하게는 센서와 통신링크를 가지고, 센서는 광학 부재 및/또는 광학적 배열의 이미지 특성들을 측정하며, 전기 공급장치들에 전달된 출력들의 사전선택은 센서의 측정결과에 의존하여 영향을 받는다. 그러한 배열은, 센서에 의해 획득되는 광학 부재 및/또는 전체 광학적 배열의 이미지 특성들을 최적화하기 위해, 열출력 분포를 자동적으로 적합화 할 수 있게 한다.
상기 센서들은 위치감광 (position-sensitive) 센서일 수 있으며, 이러한 센서는 광학 부재 및/또는 광학적 배열의 초점평면에 위치한다. 그러한 센서를 가지고, 광학 부재 및/또는 광학적 배열의 이미지 특성들을 정확하게 얻을 수 있다. 위치감광 센서는 CCD 검출기일 수 있다. 그러한 센서는높은 광학적 감광도와 좋은 선형성을 가진다.
도 1 은 본 발명에 따른 가열 가능한 렌즈 면의 평면도와 전기적 열공급 회로, 열 제어회로의 블럭 다이어그램.
도 2 는 도 1 의 선 Ⅱ-Ⅱ 에 따른 가열 가능한 렌즈를 통과하는 단면도.
※ 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명
1 : 렌즈 2 : 렌즈 본체
3 : 투사광선 단면적 4 : 기본 본체
5~10 : 저항스트립 11 : 절연 갭
12 : 자오선 평면 13 : 갭
14~16 : 저항영역 17~19 : 전기적 전력공급부
20 : 가열전류 제어회로 21 : 프린팅 제어회로
22 : CCD 배열 23 : 반사방지 코팅
이하, 본 발명의 실시예를 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도면에 도시된 가열 가능한 렌즈 (1) 는 마이크로리소그래픽 프로젝션 프린팅 장치의 광학적 배열 장치의 부분으로, 다른 구성요소들은 도면에 도시되어 있지 않다. 이 경우, 렌즈 본체 (2) 는 예를들어 아르곤-불소 (argon-fluoride) 엑시머 레이저의 UV 광선과 같은 광원의 투사광선에 의해 영향을 받는다. 렌즈 본체 (2) 를 관통하는 지점에서, 투사광선은 도 1 의 점선 사각형 (3) 에 의해 표시된 바와 같이 사각형의 단면적을 나타낸다. 그러한 프린팅의 기하학적 구조는 프로젝션 프린팅 장치의 슬롯형 이미지 영역이 된다.
렌즈 본체 (2) 는 둥글고, 바이컨벡스한 (biconvex) (도 2 참조) 기본 본체 (4) 를 포함하고, 본체의 위쪽 방향 표면은 6 개의 저항스트립들 (5 내지 10) 전체로 코팅되어 있다. 기본 본체 (4) 는 투사광선에 대해서 매우 투명한 물질로 만들어 지는데, UV 광선의 경우 석영유리 또는 CaF2로 만들어진다.
저항스트립들 (5 내지 10) 은 3 개의 저항스트립들 (5, 6, 7 및 8, 9,10) 을 포함하는 각각 2 개의 그룹으로 서로가 평행하게 배치되며, 좁은 절연 갭 (11) 은 하나의 그룹 (5, 6, 7 또는 8, 9, 10) 내부에 개별적인 저항스트립들 사이에 각각 유지된다.
2 개의 저항스트립들 (5, 6, 7 및 8, 9, 10) 의 그룹들은 그들 사이에서 평행하게 뻗은 렌즈 본체 (2) 의 자오선 평면 (12) 에 대해 대칭적으로 배치된다. 절연 갭들 (11) 보다 더 크고 거기에서는 기본 본체 (4) 가 가열코팅을 가지지 않는 갭 (13) 은 자오선 평면 (12) 에 인접한 저항스트립들 (7, 8) 사이에 위치한다.
저항스트립들 (5 내지 10) 은 광원의 파장 (아르곤- 불소 엑시머 레이저의 경우는 193.3 nm) 에 대해 실제적으로 손실없이 광학적 투명하고 전기적 도전체로 형성된다. 그들의 세로 방향의 길이는 렌즈 본체 (2) 의 둥근 모양에 의해 한정되고, 그 결과, 가장 내부에 있는 스트립들 (7, 8) 이 가장 길고 가장 바깥에 있는 스트립들 (5, 19) 은 가장 짧다.
2 개의 가장 내부의 저항스트립들 (7, 8) 은 각각이 그들의 세로의 길이에 직각인 3 개의 저항 영역들 (14 내지 16) 로 나뉘어져 있다. 중앙부의 저항 영역 (15) 은, 그것을 둘러싸고 있는 외부의 저항 영역 (14 및 16) 에 비해, 저항스트립들 (7, 8) 을 따라서 단위길이당 더 낮은 전기 저항을 갖는다.
저항 영역 (15) 에 비해, 저항영역들 (14 및 16) 의 더 낮은 단위길이당 저항은, 저항 영역 (15) 에서의 저항 스트립 (7) 의 층 두께를 저항영역들 (14 및 16) 보다 작게하여 얻어질 수 있다. 다른 방법으로는, 저항 영역들 (14 내지 16) 에서의 적당한 물질의 선택에 의해, (예를 들어, 영역 (15) 에서 보다 저항영역 (14 및 15) 에서 도전적 물질을 더 많이 도핑함으로써) 이러한 것을 달성할 수 있다. 저항스트립들 (5, 6 및 9, 10) 의 단위길이당 저항은 저항영역들 (14, 16) 의 저항에 대응한다.
자오선 평면 (12) 에 대한 상기 저항스트립들 (5 내지 10) 의 배열은 저항스트립들의 3 개의 짝들 (7, 8; 6, 9; 5, 10) 을 이루고 그 각각은 서로에 대해 대칭적으로 배치된 2 개의 저항스트립을 포함한다. 저항스트립들 (5 내지 10) 은 렌즈 본체 (2) 의 모서리에 인접한 좁은 측면들에서 컨택 지점들을 갖고 이 지점들을 통해 전기적 배선들은 저항스트립들 (5 내지 10) 에 연결된다. 그러한 짝들 (7, 8; 6, 9; 5, 10) 은 평행하게 전기적으로 접속된다. 각각의 짝 (7, 8; 6, 9; 5, 10) 은 분리된 전기적 전력공급부 (17, 18, 19) 에 접속된다. 전기 전력공급부는 가열목적으로 전기 에너지를 적절한 저항스트립들 (5 내지 10) 에 공급한다.
전력공급부 (17 내지 19) 의 전기적 전력출력은 상기 전력공급부들에 통신 링크를 갖는 가열전류 제어회로 (20) 에 의해 제어할 수 있다. 전력공급부 (17 내지 19) 에 대한 셋포인트 (setpoint) 출력은 가열전류 제어회로 (20) 에 통신 링크를 가지는 프린팅 제어회로 (21) 에 의해 가열전류 제어회로 (20) 내부로 인가된다. 2 차원의 CCD 배열 (22) 은 프린팅 제어신호 (21) 에 차례대로 연결되고, 프로젝션 프린팅 장치의 광학적 배열의 초점평면은 적절한 광학 부재 (도시되지 않음) 에 의해 CCD 배열 (22) 위에 영상으로 나타난다.
도 2 로부터, 렌즈 본체 (2) 의 기본 본체 (4) 는 저항스트립 (5 내지 10) 들을 장착한 면이 반사방지 코팅 (23) 으로 코팅되는 것은 명확하다. 반사방지 코팅은 (무엇보다도 저항스트립들 (5 내지 10) 위 및 절연 갭들 (11) 및 갭 (13) 의 영역 에서의 두께에 관한 한) 오직 도시적으로 표현되어 있다. 또한, 저항스트립들 (5 내지 10) 로부터 먼거리에 이격된 렌즈 본체 (2) 의 면은 반사방지 코팅을 가진다 (도시되지 않음).
가열 가능한 렌즈들은 다음과 같이 동작한다.
렌즈 본체 (2) 의 물질이 투사광선의 파장 영역에서 일으키는 잔류 (residual) 흡수 때문에 투사 광선은 렌즈 본체 (2) 를 가열한다. 상기 초기 가열은 렌즈 본체 (2) 에서 투사광선의 빛 채널 대칭성을 가진다. 그러한 가열은 굴절률의 변화뿐 아니라 물질의 열적 팽창도 유발하고 따라서 렌즈 본체 (2) 의 이미지 특성들을 변화시킨다.
렌즈 본체 (2) 를 저항스트립들 (5 내지 10) 로 가열하는 목적은 렌즈 본체 (2) 의 온도분포를 대칭적으로 하거나 상기 온도 분포의 프리셋 (preset) 형태를 획득하는데 있다. 그 결과, 렌즈 본체 (2) 에서의 공간적으로 일정한 굴절률 뿐 만 아니라 열적팽창의 정의된 분포가 이미지 특성들을 제어가능 하게 한다.
제 1 단계에서는, 가열전류 제어회로 (20) 는 전력공급부 (17 내지 19) 들에 의한 저항스트립들 (5 내지 10) 로의 전력출력을 제어하기 위해 사용되며, 저항스트립들은 렌즈 본체 (2), 특히 기본 본체 (4), 를 투사 광선에 의한 가열이 일어나지 않는 지점들에 특히 많이 가열하는 방식으로 가열된다. 도 1 에 도시된 상황에서, 투사광선의 단면적 (3) 이 오직 저항스트립들 (7, 8) 을 부분적으로 관통하는 상기 지점들은 저항스트립들 (5, 6 및 9, 10) 이다.
한편으로는, 투사광선의 작용에 의해 렌즈 본체 (2) 의 결합된 가열 그리고다른 한편으로는, 저항스트립들 (5, 6, 9, 10) 의 전기적 가열은, 오직 투사광선의 잔류흡수에 의해서만 가열되는 미가열 렌즈 본체 (2) 의 경우보다 광축에 대해 회전 대칭에 더 근접한 렌즈 본체 (2) 의 온도 분포에 이른다. 상기 향상된 대칭적 온도 분포는 렌즈 본체 (2) 의 이미지 결함을 감소시킨다. 상기 감소된 이미지 결함들은 프로젝션 프린팅 장치의 향상된 이미지를 유도하고, 이러한 이미지는 이어서 CCD 배열 (22) 에 의해 획득되고, 기존의 이미지 포착 알고리즘을 이용하여 프린팅 제어회로 (21) 의 도움으로 평가된다.
CCD 배열 (22) 에 의해 획득되고 동시에 프로젝션 프린팅 장치에 의해 영상으로 표현되는 이러한 구조와 프린팅 제어회로 (21) 내부로 인가되는 셋포인트 구조의 비교를 통하여, 프린팅 제어회로 (21) 는 전력공급부들 (17 내지 19) 의 전력 출력에 대한 새로운 셋포인트 값들을 결정하며, 이들은 전력공급부들 (17 내지 19) 의 제어를 위해 가열전류 제어회로 (20) 에 인가된다. 그러므로 가열 가능한 렌즈 (1) 의 표면의 선택적 가열의 결과로서, 광학적 배열의 이미지 품질은 최소의 이미지 결함들을 가진 최적의 조건에 반복적으로 (iteratively) 도달한다.
CCD 배열 (22) 에 의해 모니터되는 초점평면에 의존하여, 렌즈 (1) 단독 또는 렌즈 (1) 가 포함되는 렌즈 그룹, 예컨대 투사렌즈 시스템, 의 이미지 특성들의 최적화가 가능하다. 마지막 두 경우에는, 하나의 가열 가능한 렌즈 (1) 를 가열하여 그 렌즈의 결과적인 이미지 특성들이 렌즈 그룹의 나머지 렌즈들의 이미지 결함들을 단지 보정한다는 점에서, 이미지 결함들의 과도한 보정이 초래된다.
상기 반복적인 (iterative) 처리 경로에서, 가열전류가 전력공급부 (17) 에 의해 또한 가열스트립들 (7, 8) 에 인가되면, 인접한 저항영역들 (14, 16) 과 비교하여 중앙부 저항영역들 (15) 의 단위길이당 더 낮은 저항은, 광축에 인접하고 일반적으로 거기에서 가장 강렬한 투사광선에 의해 대부분 가열되는 렌즈 본체 (2) 의 영역이, 저항가열에 의해 추가적으로 더 강렬한 가열이 일어나지 않도록 보장한다.
도 1 의 저항 영역들 (14 내지 16) 의 배열은 단지 일 예이다. 실제적으로, 저항스트립들 (5 내지 10) 은 렌즈 본체 (2) 의 양쪽면에 교대로 배치되거나, 덧붙여, 가열저항을 달리하는 복수 개의 저항영역으로 세분화될 수 있다. 상기 경우에, 열출력을 광충격의 기하구조에 적합하도록 하기위해 저항스트립들 (5 내지 10) 의 단위길이당 저항뿐 만 아니라 절대저항 모두가 서로 다를 수 있다 . 개별적인 저항영역들 사이의 단위길이당 저항의 변화들은 급격할 필요는 없고, 대신에 유동적일 수 있다.
본 발명에 따라서, 광학 부재에서의 온도분포가 더 대칭적 및/또는 균질적으로 될 수 있는 광학적 배열이 가능하며, 코팅스트립들을 가지는 가열 부재는 추가적인 가열때문에 렌즈 본체에서 발생하는 전체적인 온도분포를 통하여 좋은 이미지 특성들의 적합화를 가능하게 한다. 특히, 렌즈 본체의 중앙부 및 그것을 둘러싸는 영역은 직접적으로 가열될 수 있다. 또한, 코팅스트립들은광학적으로 투명하므로, 그들은 불필요하게 렌즈의 개구 (aperture) 를 한정하지 않는다.
이러한 저항 가열에 의해서, 잔류흡수에 기인한 이미지 결함들의 보정이 가능할 뿐아니라, 다른 이미지 결함들 (예컨대 비점수차 또는 광학 부재들에 있는 물질적 불규칙성에 의해 유발되는 결함들) 도 저항스트립들을 통한 적당한 가열에 의해 보정할 수 있다.
Claims (15)
- 마이크로리소그래픽 프로젝션 프린팅 장치에서, 특히, 슬롯형태의 이미지 영역 또는 회전 비대칭적 조명을 가지는 광학적 배열에 있어서,복사선을 방출하는 광원 및 굴절 광학 부재를 포함하며, 상기 광학 부재는 복사선의 작용에 의해 회전 비대칭적 방식으로 가열되고, 하나 이상의 전기 가열 부재가 상기 광학 부재에 연결되며,상기 가열 부재는, 가열 전류 소스 (17 내지 19) 뿐 만 아니라, 저항가열 코팅을 구비하며, 상기 저항가열 코팅은 상기 광학 부재 (4) 에 장착되고, 광원의 복사에 의해 영향을 받는 상기 광학 부재 (4) 의 표면 (3) 영역에서 실제적으로 광학적으로 투명하며, 복수개의 평행하고 전기적으로 상호 절연된 코팅스트립들 (5 내지 10) 을 포함하는 것을 특징으로 하는 광학적 배열.
- 제 1 항에 있어서,상기 코팅스트립들 (5 내지 10) 은, 특히 광원의 복사에 의해 작용되는 표면 (3) 을 둘러싼 영역에서, 상기 광학 부재 (4) 를 실제적으로 커버하는 막을 형성하고, 상기 각 코팅스트립들 (5 내지 10) 사이에는 단지 좁은 갭들 (11) 만이 존재하는 것을 특징으로 하는 광학적 배열.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 코팅스트립들 (5 내지 10) 은 상기 광학 부재 (4) 의 먼거리에 이격된 면에 반사방지 코팅 (23) 을 가지는 것을 특징으로 하는 광학적 배열.
- 제 3 항에 있어서,상기 반사방지 코팅 (23) 은 상기 광학 부재 (4) 상에 연속적으로 코팅되어 있는 것을 특징으로 하는 광학적 배열.
- 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 코팅스트립들 (5 내지 10) 은 복사선의 파장영역에서 상기 광학 부재 (4) 의 물질과 실질적으로 동일한 굴절률을 가지는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광학적 배열.
- 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,2 개 이상의 코팅스트립들 (5 내지 10) 은 서로 다른 단위길이당 전기 저항을 가지는 것을 특징으로 하는 광학적 배열.
- 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 코팅스트립들 (7, 8) 은 단위길이당 전기 저항을 달리하는 복수 개의 영역들 (14, 15, 16) 을 포함하는 것을 특징으로 하는 광학적 배열.
- 제 7 항에 있어서,상기 코팅스트립들 (5 내지 10) 을 따라서 영역들 (14, 15, 16) 사이에서, 단위길이당 전기 저항은 연속적인 변화를 갖는 것을 특징으로 하는 광학적 배열.
- 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 코팅스트립들 (5 내지 10) 은 그 코팅스트립 (5 내지 10) 에 평행하게 놓인 대칭의 자오선 평면 (12) 에 대하여 거울대칭으로 위치하는 것을 특징으로 하는 광학적 배열.
- 제 9 항에 있어서,상기 대칭의 자오선 평면 (12) 의 결과로 서로 거울대칭으로 관련되는 상기 코팅스트립들 (7, 8; 6, 9; 5, 10) 은 동일한 전기 저항들을 가지는 것을 특징으로 하는 광학적 배열.
- 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 가열전류 소스는 2 개 이상의 전기 공급장치들 (17 내지 19)을 포함하고, 상기 대칭의 자오선 평면 (12) 의 결과로 서로 거울대칭으로 관련된 상기 코팅스트립들 (7, 8; 6, 9; 5, 10) 은 동일한 전기 공급장치 (17; 18; 19) 에 의해 가열되는 것을 특징으로 하는 광학적 배열.
- 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 가열전류 소스 (17 내지 19) 는 가열전류 제어회로 (20) 와 통신링크를 가지며, 상기 가열전류 제어회로 (20) 는 상기 전기 공급장치 (17; 18; 19) 에 의해 전달될 출력들을 사전선택하는 것을 특징으로 하는 광학적 배열.
- 제 12 항에 있어서,상기 가열전류 제어회로 (20, 21) 는 센서 (22) 와 통신링크를 가지고, 상기 센서는 상기 광학 부재 (4) 및/또는 광학적 배열의 이미지 특성들을 측정하며, 상기 전기 공급장치들 (17, 18, 19) 에 의해 전달된 상기 출력들의 사전선택은 센서 (22) 의 측정결과에 의존하여 영향를 받는 것을 특징으로 하는 광학적 배열.
- 제 13 항에 있어서,상기 센서 (22) 는 위치감광 센서이며, 상기 광학 부재 (4) 및/또는 광학적 배열의 초점평면에 배치되는 것을 특징으로 하는 광학적 배열.
- 제 14 항에 있어서,상기 위치감광 센서 (22) 는 CCD 검출기인 것을 특징으로 하는 광학적 배열.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19956353.5 | 1999-11-24 | ||
| DE19956353A DE19956353C1 (de) | 1999-11-24 | 1999-11-24 | Optische Anordnung |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20010070228A true KR20010070228A (ko) | 2001-07-25 |
| KR100753621B1 KR100753621B1 (ko) | 2007-08-29 |
Family
ID=7930056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020000069201A KR100753621B1 (ko) | 1999-11-24 | 2000-11-21 | 광학 장치 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6521877B1 (ko) |
| EP (1) | EP1103857B1 (ko) |
| JP (1) | JP2001185483A (ko) |
| KR (1) | KR100753621B1 (ko) |
| DE (2) | DE19956353C1 (ko) |
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- 1999-11-24 DE DE19956353A patent/DE19956353C1/de not_active Expired - Fee Related
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2000
- 2000-10-27 DE DE50013492T patent/DE50013492D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-10-27 EP EP00123292A patent/EP1103857B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-11-21 KR KR1020000069201A patent/KR100753621B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-11-21 JP JP2000354003A patent/JP2001185483A/ja active Pending
- 2000-11-22 US US09/721,451 patent/US6521877B1/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001185483A (ja) | 2001-07-06 |
| EP1103857B1 (de) | 2006-09-20 |
| DE19956353C1 (de) | 2001-08-09 |
| DE50013492D1 (de) | 2006-11-02 |
| EP1103857A2 (de) | 2001-05-30 |
| US6521877B1 (en) | 2003-02-18 |
| KR100753621B1 (ko) | 2007-08-29 |
| EP1103857A3 (de) | 2005-03-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120813 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130816 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140814 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150813 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |