KR20010066949A - 가스 적하방식의 솔더볼 제조장치 - Google Patents
가스 적하방식의 솔더볼 제조장치Info
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Abstract
Description
Claims (6)
- 비지에이(BGA) 패키지, 시에스피(CSP), 플립칩에 사용되는 솔더볼의 제조장치에 있어서,분리대(39)가 설치된 상부챔버(38a)의 하측에 하부챔버(38b)가 설치되어 챔버(30)를 구성하고,상기 분리대(39) 중앙부에는 높은 진폭의 진동으로 파쇄된 용융금속의 액적을 적하하고, 유입된 용융금속의 수위를 일정레벨로 유지하여 균일한 액적을 형성하는 액적형성장치(20)가 설치되고,상기 액적형성장치(20)의 상측에는 투입되는 합금을 용융 혼합하여 상기 액적형성장치(20)에 공급하고 상기 액적형성장치(20)에 공급된 용융금속이 적정 레벨을 유지하도록 용융금속의 배출량을 조절하는 용융금속 공급장치(10)가 설치되고,상기 액적형성장치(20)의 하측에는 상기 액적형성장치(20)로부터 적하되는 용융금속을 분위기가스로서 냉각하여 진구도가 높은 솔더볼을 형성하는 하부챔버 (38a)가 설치되고,상기 하부챔버(38a)의 하측에는 낙하되는 솔더볼의 샘플을 채취하는 샘플채취기(50)가 설치며 작업의 중단 없이 연속적으로 솔더볼의 포집이 가능한 포집부 (60)가 설치되고,상기 상.하부챔버(38a)(38b)의 일측에는 불활성가스를 공급하여 내부의 압력차를 동일하게 유지시키기 위한 압력차유지장치(70)가 설치되고,상기 하부챔버(38b)의 타측에는 액적을 냉각하기 위한 분위기가스인 산소를 일정한 농도로 유지시키는 산소농도 조절장치(40)가 설치된 것을 특징으로 하는 가스 적하방식의 솔더볼 제조장치.
- 제 1항에 있어서 상기 액적형성장치(20)는,외주면에 히터(22)가 설치되며 통공(28a)이 형성된 격벽(28b)에 의해 제 1, 제 2 저장조(29a)(29b)로 구분되는 턴디쉬(21b)와,상기 턴디쉬(21b) 상측에 설치되어 이를 커버하고 있는 요크(21a)와,상기 제 1 저장조(29a) 내부에 설치되며 외주면에 히터(26a)가 설치되어 상기 용융금속 공급장치(10)로부터 배출되는 용융금속을 상기 제 1 저장조(29a)로 공급하는 용탕공급관(26)과,상기 제 1 저장조(29a) 내부에 설치되며 상기 턴디쉬(21b) 내부에 공급된 용융금속의 상.하한 수위를 감지하는 제 1, 제 2 레벨감지센서(27a)(27b)와,상기 제 2 저장조(29b)의 하측 중앙부에 형성되어 액적을 배출하는 노즐(25)과,상기 제 2 저장조(29b)의 중앙부에 설치되어 300~5,000㎐ 주파수로 플란져(24)의 수직방향 진동에 의한 융융금속을 파쇄하여 직경 100~ 1500㎛ 범위의 액적을 형성시키는 진동발생장치(23)로 구성된 것을 특징으로 하는 가스 적하방식의 솔더볼 제조장치.
- 제 1 항에 있어서 상기 용융금속 공급장치(10)는,원통형의 용해로(11) 외주면에 설치되어 납땜용 금속을 용융시키는 가열부(12)와,상기 용해로(11)의 하측에 설치되고 외주면에 히터(19)가 설치되어 용융금속을 액적형성장치(20)로 공급하는 배출관(18)과,상기 용해로(11) 상부 일측에 설치되어 용융된 금속을 고르게 혼합시키는 교반기(10a)와,상기 용해로(11)의 상부 타측에 설치되어 상기 액적형성장치(20)의 제 1, 제 2 레벨감지센서(27a)(27b)의 수위레벨에 따라 용융금속을 공급 및 차단하는 배출조절기(10b)와,상기 용해로(11) 내부 일측에 설치되어 용융금속의 온도를 센싱하여 상기 배출조절기(10b)를 제어하는 온도감지센서(TH)로 구성된 것을 특징으로 하는 가스 적하방식의 솔더볼 제조장치.
- 제 1 항에 있어서 상기 상.하부챔버(38a)(38b)의 내부 진공도는 1×10-2∼ 10-3torr, 내부압력은 550∼1500torr로 유지하고, 하부챔버(38b)의 산소농도는 20∼50ppm 범위를 유지하도록 한 것을 특징으로 하는 가스 적하방식의 솔더볼 제조장치
- 제 1항에 있어서 상기 샘플채취기(50)는,출몰이 가능한 샤프트(52)의 양측에 노브(51a)(51b)가 설치되고,상기 샤트트(52)의 중앙부에 분위기가스(36)에 의해 냉각되어진 솔더볼(37)이 안치되는 요홈부(55)가 형성되며,상기 샤프트(52)와 챔버(30) 사이에 부싱(53)과 오링(54)으로 밀폐되어 구성된 것을 특징으로 하는 가스 적하방식의 솔더볼 제조장치.
- 제 1 항에 있어서 상기 용융금속 공급장치(10)는,케이스(81) 내부에 솔더와이어(80)가 권선된 보빈(82)이 설치되고,상기 솔더와이어(80)가 와이어피더(83)에 의해 용탕공급관(26)으로 강제 이송되도록 한 것을 특징으로 하는 가스 적하방식의 솔더볼 제조장치.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020000041949A KR100337154B1 (ko) | 1999-07-28 | 2000-07-21 | 가스 적하방식의 솔더볼 제조장치 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR19990030950 | 1999-07-28 | ||
KR1019990030950 | 1999-07-28 | ||
KR1020000041949A KR100337154B1 (ko) | 1999-07-28 | 2000-07-21 | 가스 적하방식의 솔더볼 제조장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20010066949A true KR20010066949A (ko) | 2001-07-11 |
KR100337154B1 KR100337154B1 (ko) | 2002-05-18 |
Family
ID=26635968
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020000041949A KR100337154B1 (ko) | 1999-07-28 | 2000-07-21 | 가스 적하방식의 솔더볼 제조장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100337154B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170010467A (ko) | 2015-07-20 | 2017-02-01 | (주)명인이노 | 역방향 냉각구조를 갖는 서버 시스템 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101522687B1 (ko) * | 2013-12-31 | 2015-05-22 | 주식회사 에스디에스 | 마이크로 솔더볼 제조 장치 |
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---|---|---|---|---|
KR20170010467A (ko) | 2015-07-20 | 2017-02-01 | (주)명인이노 | 역방향 냉각구조를 갖는 서버 시스템 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR100337154B1 (ko) | 2002-05-18 |
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