KR20010056073A - 가변 저전압 레벨 검출 회로 - Google Patents

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    • G05F3/10Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
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Abstract

본 발명은 가변 저전압 레벨 검출 회로에 관한 것으로, 종래의 기술에 있어서는 기준전압을 저전압 검출레벨 설정부의 어떤 레벨 검출 회로부에 연결하여 입력할 것인지 또는 어떤 레벨 검출 회로부에서 출력할 것인지에 따라 메탈 옵션등과 같은 방법을 사용하므로 저전압 검출레벨 설정부의 레벨 검출 회로부의 개수에 따라 각각의 다른 마스크가 필요하게 되는 문제점이 있었다. 따라서, 본 발명은 레지스터의 세팅값에 의해 기준전압을 설정하는 기준전압 세팅부와; 상기 기준전압 세팅부의 설정 값에 의한 기준전압을 출력하는 가변 기준전압 발생부와; 상기 가변 기준전압 발생부에서 출력된 값을 공통으로 입력받아 각기 다른 저전압 레벨을 검출하도록 설정하는 저전압 검출레벨 설정부와; 상기 저전압 검출레벨 설정부에서 출력되는 검출신호를 입력받아 레지스터 세팅값에 의해 그 중 하나를 선택하여 출력하는 멀티플렉서와; 상기 멀티플렉서에서 출력할 저전압 검출레벨 설정부의 값을 세팅해주는 레지스터부를 포함하여 구성함으로써 기준전압(Vref)과 저전압 검출레벨을 조절하기 위해 다른 마스크를 준비할 필요성이 없음으로써 마이크로프로세서 제작 비용이 절감되며, 레지스터 세팅에 의해 마이크로프로세서의 정확한 동작을 위해 요구되는 최소한의 저전압 레벨을 간단하게 조절할 수 있는 효과가 있다.

Description

가변 저전압 레벨 검출 회로{VARIABLE LOW VOLTAGE LEVEL DETECTION CIRCUIT}
본 발명은 가변 저전압 검출 회로에 관한 것으로, 특히 마이크로프로세서의 소스 전압이 어느 특정 레벨 이하로 떨어졌을 때, 마이크로프로세서가 오동작하는 것을 방지하기 위한 전원 모니터링 회로에 있어서, 마이크로프로세서의 정확한 동작을 위해 요구되는 최소한의 저전압 레벨을 레지스터 세팅값에 의해 조정 가능하게 하는 가변 저전압 레벨 검출 회로에 관한 것이다.
도1은 종래의 저전압 레벨 검출 회로도로서, 이에 도시된 바와 같이 기준전압을 발생하는 기준전압 발생부(1)와; 상기 기준전압을 입력받아 저전압 레벨인지를 검출하여 저전압 검출신호를 출력하는 저전압 검출레벨 설정부(2)로 구성되어 있다.
이때 상기 저전압 검출레벨 설정부(2)는 복수개의 레벨 검출 회로부로 구성되어 각 레벨 검출 회로부에서 설정된 저전압을 검출하여 그 검출신호(LDV_out)를 출력한다.
여기서, 상기 저전압 검출레벨 설정부(2)에 인가하기 위한 기준전압은 메탈 옵션등과 같은 다양한 마스크의 선택에 의해 레벨 1,2,3중 한가지를 최소한의 저전압 레벨로 설정할 수 있다.
한편, 상기 기준전압 발생부(1)는 두 저항(R1,R2)비에 의해 나뉘어진 전압 소스가 기준전압(Vref)이 된다.
그러나, 상기 종래의 기술에 있어서는 기준전압을 저전압 검출레벨 설정부의 어떤 레벨 검출 회로부에 연결하여 입력할 것인지 또는 어떤 레벨 검출 회로부에서 출력할 것인지에 따라 메탈 옵션등과 같은 방법을 사용하므로 저전압 검출레벨 설정부의 레벨 검출 회로부의 개수에 따라 각각의 다른 마스크가 필요하게 되는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 창출한 것으로, 메탈 마스크에 의하지 않고 마이크로프로세서에 의한 레지스터 세팅값에 의해 저전압 검출 레벨을 설정할 수 있도록 하는 가변 저전압 레벨 검출 회로를 제공함에 그 목적이 있다.
도 1은 종래의 저전압 레벨 검출 회로도.
도 2는 본 발명에 의한 가변 저전압 레벨 검출 회로의 제1 실시예의 구성도.
도 3은 본 발명에 의한 가변 저전압 레벨 검출 회로의 제2 실시예의 구성도.
도 4는 본 발명에 의한 가변 저전압 레벨 검출 회로의 제3 실시예의 구성도.
***도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명***
10 : 기준전압 발생부 11,33 : 저전압 검출레벨 설정부
12,34 : 멀티플렉서 13,35 : 레지스터부
21,31 : 가변 기준전압 발생부 22,32 : 기준전압 세팅부
23 : 저전압 검출부
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 레지스터의 세팅값에 의해 기준전압을 설정하는 기준전압 세팅부와; 상기 기준전압 세팅부의 설정 값에 의한 기준전압을 출력하는 가변 기준전압 발생부와; 상기 가변 기준전압 발생부에서 출력된 값을 공통으로 입력받아 각기 다른 저전압 레벨을 검출하도록 설정하는 저전압 검출레벨 설정부와; 상기 저전압 검출레벨 설정부에서 출력되는 검출신호를 입력받아 레지스터 세팅값에 의해 그 중 하나를 선택하여 출력하는 멀티플렉서와; 상기 멀티플렉서에서 출력할 저전압 검출레벨 설정부의 값을 세팅해주는 레지스터부로 구성한 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명에 따른 일실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도2는 본 발명에 의한 가변 저전압 레벨 검출 회로의 제1 실시예의 구성도로서, 이에 도시한 바와 같이 기준전압을 발생하는 기준전압 발생부(10)와; 상기 기준전압을 공통으로 입력받아 각기 다른 저전압 레벨을 검출하도록 설정하는 저전압 검출레벨 설정부(11)와; 상기 저전압 검출레벨 설정부(11)에서 출력되는 검출신호를 입력받아 레지스터 세팅값에 의해 그 중 하나를 선택하여 출력하는 멀티플렉서(12)와; 상기 멀티플렉서(12)에서 출력할 저전압 검출레벨 설정부의 값을 세팅해주는 레지스터부(13)로 구성한다.
도3은 본 발명에 의한 가변 저전압 레벨 검출 회로의 제2 실시예의 구성도로서, 이에 도시한 바와 같이 레지스터의 세팅값에 의해 기준전압을 설정하는 기준전압 세팅부(22)와; 상기 기준전압 세팅부(22)의 설정 값에 의한 기준전압을 출력하는 가변 기준전압 발생부(21)와; 상기 가변 기준전압 발생부(21)에서 출력된 값을 입력받아 저전압을 검출하는 저전압 검출부(23)로 구성한다.
도4는 본 발명에 의한 가변 저전압 레벨 검출 회로의 제3 실시예의 구성도로서, 이에 도시한 바와 같이 레지스터의 세팅값에 의해 기준전압을 설정하는 기준전압 세팅부(32)와; 상기 기준전압 세팅부(32)의 설정 값에 의한 기준전압을 출력하는 가변 기준전압 발생부(31)와; 상기 가변 기준전압 발생부(31)에서 출력된 값을 공통으로 입력받아 각기 다른 저전압 레벨을 검출하도록 설정하는 저전압 검출레벨 설정부(33)와; 상기 저전압 검출레벨 설정부(33)에서 출력되는 검출신호를 입력받아 레지스터 세팅값에 의해 그 중 하나를 선택하여 출력하는 멀티플렉서(34)와; 상기 멀티플렉서(34)에서 출력할 저전압 검출레벨 설정부의 값을 세팅해주는레지스터부(35)로 구성한다.
이하 상기와 같이 구성한 본 발명의 동작 및 작용을 설명하면 다음과 같다.
일단, 기준전압 세팅부(32)의 레지스터(reg1)의 출력(E1)이 '하이'이면 엔모스 트랜지스터(N1)가 턴온되어 저항(R2)에 의한 기준전압(Vref)이 출력되며 '로우'일 경우면 턴오프되어 기준전압(Vref)는 출력되지 않는다.
다음, 레지스터(reg2)의 출력(E2)은 엔모스 트랜지스터(N2)를, 레지스터(reg3)의 출력(E3)는 엔모스 트랜지스터(N3)를 상기와 마찬가지 방법으로 제어하여 저항(R3,R4)에 의한 기준전압(Vref)을 출력하게 된다.
다음 저전압 검출레벨 설정부(33)의 각각의 출력(LDV_out1∼LDV_out4)은 멀티플렉서(34)의 입력신호가 되어 레지스터부(35)의 각 레지스터(reg4,reg5)의 세팅값에 의해 멀티플렉서(34)를 통해 상기 입력신호중 하나를 출력하게 된다.
다시 말해, 도2에서 기준전압(Vref)은 고정되고, 레지스터부(13)의 세팅값에 의해 여러 출력 중(LDV_out1∼LDV_out4) 하나의 출력을 사용하거나, 도3과 같이 멀티플렉서를 사용하지 않고, 기준전압 세팅부(22)에 의해 저전압 검출레벨은 변화가 없으면서 기준전압(Vref)을 조정하는 방법이 있다.
다음, 도4는 상기 두가지 방법을 모두 조합한 것으로 기준전압 세팅부(32)의 설정값에 따라 기준전압(Vref)을 설정하기 위한 저항(R2∼R4)를 선택적으로 저항(R1)에 연결함으로써, 입력전압(VDD)에 대한 출력 기준전압(Vref)을 조정하여 저전압 검출레벨 설정부(33)의 검출 범위를 세밀하게 조절할 수 있게 된다.
또한, 상기 저전압 검출레벨 설정부(33)의 출력(LDV_out1∼LDV_out4)을레지스터(reg4,reg5) 세팅값에 의해 제어되는 멀티플렉서(34)에 의해 하나를 출력하게 된다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명 가변 저전압 레벨 검출 회로는 기준전압(Vref)과 저전압 검출레벨을 조절하기 위해 다른 마스크를 준비할 필요성이 없음으로써 마이크로프로세서 제작 비용이 절감되며, 레지스터 세팅에 의해 마이크로프로세서의 정확한 동작을 위해 요구되는 최소한의 저전압 레벨을 간단하게 조절할 수 있는 효과가 있다.

Claims (2)

  1. 레지스터의 세팅값에 의해 기준전압을 설정하는 기준전압 세팅부와; 상기 기준전압 세팅부의 설정 값에 의한 기준전압을 출력하는 가변 기준전압 발생부와; 상기 가변 기준전압 발생부에서 출력된 값을 공통으로 입력받아 각기 다른 저전압 레벨을 검출하도록 설정하는 저전압 검출레벨 설정부와; 상기 저전압 검출레벨 설정부에서 출력되는 검출신호를 입력받아 레지스터 세팅값에 의해 그 중 하나를 선택하여 출력하는 멀티플렉서와; 상기 멀티플렉서에서 출력할 저전압 검출레벨 설정부의 값을 세팅해주는 레지스터부를 포함하여 구성한 것을 특징으로 하는 가변 저전압 레벨 검출 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 가변 기준전압 발생부는 일측에 전원전압을 입력받는 저항의 다른 일측에 스위칭 수단과 함께 직렬 접속된 저항값이 다른 복수개의 저항을 병렬 접속하여 구성한 것을 특징으로 하는 가변 저전압 레벨 검출 회로.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100351990B1 (ko) * 2000-09-29 2002-09-12 주식회사 하이닉스반도체 저전압 검출회로
KR100877882B1 (ko) * 2002-06-22 2009-01-12 매그나칩 반도체 유한회사 저전압 감지 회로
KR100882426B1 (ko) * 2002-06-24 2009-02-05 매그나칩 반도체 유한회사 전원전압 검출회로

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