KR20010053363A

KR20010053363A - 인쇄 회로 기판 상의 구리 후처리 방법

Info

Publication number: KR20010053363A
Application number: KR1020017000009A
Authority: KR
Inventors: 맥그래스피터티.; 오웨이아베요미; 사더사이드; 야콥슨에릭
Original assignee: 알파 메탈즈, 인크.
Priority date: 1998-07-01
Filing date: 1999-07-01
Publication date: 2001-06-25
Also published as: DE69906301D1; DE69906301T2; JP4242566B2; ATE235796T1; EP1097618B1; EP1097618A1; KR100592746B1; JP2002520827A; CA2335816A1; WO2000002426A1

Abstract

본 발명은 인쇄 회로 기판 상의 구리에 대한 후처리 방법에 대하여 개시한다. 본 발명의 방법은 제2 구리계 유기 금속 변환 피복을 인쇄 회로 기판의 구리 표면 상에 형성시키는 단계와, 제2 구리계 유기 금속 변환 피복을 제1 구리계 유기 금속 변환 피복으로 변환시키는 단계를 포함한다. 결과로 나온 제1 구리계 유기 금속 변환 피복은 구리대 유전체의 접합 보전성을 바람직하도록 향상시켰다.

Description

인쇄 회로 기판 상의 구리 후처리 방법{POST-TREATMENT FOR COPPER ON PRINTED CIRCUIT BOARDS}

다중 레이어의 회로 보드(MLBs)는 통상적으로 함께 적층된 구리 및 유전체 재료의 교대층을 구성된다. 현재 시장에는 다수의 MLBs들이 나와 있다. 이들 재품들은 견고하거나(예컨대, 유리 강화 에폭시 수지, BT, CE, PTFE 등의 견고한 재료로 형성되는 경우), 탄력이 있으며(예컨대, 폴리에스터 또는 폴리이미드와 같은 탄성 재료로 형성되는 경우) 또는 서로 조합할 수 있도록 제조될 수 있다(예컨대, "견고 탄력 재료"). 구리 및 유전체의 교대층은 하나의 패키지에 동시에 적층되는 것이 아니라 순차적인 공정에서 서로의 위에 하나씩 도포되므로, 이 보드는 순차 조립(SBU) 보드(Sequential Build-Up Board)로 분류된다. MLB의 보전성은 구리와 유전체 사이에 형성된 접합제에 좌우된다는 것이 확실하다. 종래의 MLB 제조 공정에서는 구리층은 처리 용액에 기초한 산화 수소/아염소산염을 사용하여 처리된다. 소위 "블랙 산화 공정(Black Oxide Process)"으로 불리우는 이 공정은 구리 대 유전체 접합을 향상시킨다. 블랙 산화 공정은, 예컨대 미국 특허 제4,358,479호, 제4,409,037호, 제4,512,818호, 제4,844,981호 및 제4,969,958호에 개시되어 있다. 그러나, 블랙 산화 공정은 다음과 같은 다수의 제약을 갖는다. 이들 제약은 다음과 같다.

1. 이 공정은 대략 160-170℉의 활성 강 알카리성 용액에서만 수행된 수 있다.

2. 이 공정은 오랜 시간을 필요로하므로, 최종적인 제품을 제조하는 데에 있어서 병목 현상이 발생한다.

3. 블랙 산화 피복은 점착적으로 산성에 용해되어 순차적인 처리 공정에서 산성의 공격을 수용하게 된다. 이는 "핑크 링(pink ring)"으로 불리는 바람직하지 못한 현상을 종종 발생시켜 간혹 "웨지 공극(wedge voids)"을 발생시키고 궁극적으로는 구리와 인접한 유전층 사이에 박리가 발생시키게 된다.

4. 블랙 산화물 피복 구리와 유전체 재료 사이에 발생하는 높은 접합력은 MLB가 제조 및 조립 공정 동안의 순차적인 열 편위를 통과하면서 일반적으로 급격하게 열화된다.

확실한 구리 대 유전체 접합제는 특히 플랙스 및 SBU 회로 보드에 중요하다. 탄성 보드에 사용되는 폴리이미드 및 SBU 보드에 사용되는 광 결상 가능한 유전체들은 종래의 에폭시 유리 기반의 견고 회로 보드 보다 낮은 구리 대 유전체 접합력을 나타내는 것으로 알려져 있다.

블랙 산화물 피복은 제1 구리 및 제2 구리 산화물의 혼합물을 포함한다. 이들 피복은 제2 구리 산화물로 형성된 혼합물에 기반으로 하는 경우 불량한 화학적 저항을 나타낸다. 산성에 의해 쉽게 공격 받는 제2 구리와는 달리, 제1 구리 산화물(적색 또는 갈색)은 상대적으로 화학적으로 불할성이다.

"핑크 링"을 제거하기 위하여 그리고 접합력이 저하되는 것을 방지하기 위한 시도에서, 2 가지 형태의 블랙 산화 공정용 후처리가 개발되어 오고 있다. 첫 번째 형태는, 예컨대 미국 특허 제4,642,161호, 제4,902,551호, 제5,006,200호, 제5,076,864호, 제5,147,492호, 제5,382,333호, 제5,492,595호, 제5,556,532호 및 제5,721,014호에 개시되어 있는 바와 같이 환원 공정에 기초한다. 두 번째 블랙 산화물 후처리 공정 형태는 예컨대 미국 특허 제4,717,439호, 제4,775,444호, 제5,106,454호, 제5,261,154호, 제5,289,630호 및 제5,501,350호에 개시되어 있는 바와 같이 산화물 코팅을 부분적으로 용해하는 것에 기초한다. 이들 기술이 상이한 화학적 메카니즘을 통해 수행되었지만, 이들 기술 모두는 유사한 결과를 얻어 낸다. 제1 메카니즘은 제2 구리 산화물을 부분적으로 제1 구리 산화물 및 금속 구리의 혼합물로 변환시키는 환원 공정이다. 두 번째 메카니즘은 제2 구리 산화물을 선택적으로 용해시켜 표면 상에 제1 구리 산화물이 남아 있도록 하는 용해 공정이다. 이 2개의 공정은 블랙 옥사이드(대체로 제2 구리)를 표면에 다량 있는 제1 구리 산화물로 변환시키는 것이다. 그러나, 불행하게도 블랙 산화물 환원 공정 및 용해 후 처리는 "핑크링"을 제거하여 어느 정도는 피복의 산성 저항율을 향상시키지만, 이들 2개의 공정은 블랙 산화물 동작과 관련하여 전술한 문제들 모두를 해결하지는 못한다.

또한, 환원된 블랙 산화물은 적층 단계 이전에 유전체로부터 흡수된 수분을 제거하기 위하여 MLB 제조 공정 동안 사용되는 굽는 단계 동안 표면이 빠르게 재산화된다는 것이 발견되어 왔다. 표면의 재산화는 굽는 단계 이후에 피복을 인지가능할 정도로 어둡게 하는 징조로 나타난다. 피복의 더 어두워진 색은 한번 더 피복이 연속되는 단계 동안 화학적인 침식을 보다 쉽게 받을 수 있는 제1 산화물이 다시 재생되었음을 나타낸다.

부분적으로 용해된 블랙 산화물은 가루로 형성되기 쉬우며, 불행히도 표면 상에 형성된 제2 구리 산화물의 점착층은 용해에 사용되는 화학조(chemical bath)의 언더커팅 동작에 기인한다. 피복의 가루 부분은 강력한 구리 대 유전체 접합의 형성을 방지한다. 또한, 이 공정은 가루의 표면에서 발생할 수 있는 롤러 표시의 형성으로 인하여 수평 콘베이어 밸드가 설치된 모드에서 이 공정을 사용하는 것을 불가능하게 한다.

최근 전술한 블랙 산화물 공정에 대한 새로운 대안이 도입되었다. 이는 제2 구리 산화물을 형성하는 대신에, 구리 표면 상에 유기 금속 변환 피복(OMCC)을 형성시키는 것이다. 일반적으로, 유기 금속 변환 피복의 목적은 하부의 금속 표면 상에 장벽층을 형성하여 하부의 금속층을 산화 및 부식을 방지하며/또는, 유전체 재료의 접착력을 증가시킨다. OMCC는 (단원자 또는 다원자 상태의) 금속 이온과 유기 합성물 사이의 화학적 반응의 부산물이다. 이와 같이, 이들 OMCC는 비유기체인 블랙 산화물과는 쉽게 구별된다. OMCC는 복합 재료 또는 하나 이상의 유기체 재료로 묶여 있는 금속 이온의 박막을 포함한다. OMCC를 생성시키는 이들 공정은 미국 특허 제5,800,850호 및 제5,869,130호에 개시되어 있다.

이 공정 동안 생성된 유기 금속 변환 코팅은 블랙 산화물 피복보다 산저항성이 강하다. 그러나, OMCC는 일부분의 제1 구리계 유기 금속 화합물을 이의 합성물에 포함하고 있기 때문에, 화학적 침식이 완벽하게 침투할 수 없는 것은 아니다.

하기에서 논의될 "웨지 공극" 형성의 메카니즘은 본 발명의 이후 처리 단계의 중요성을 나타낼 것이다.

적층 이후에 MLB 패널에 구멍이 뚫려진다. 구멍 뚫기 동작 동안 드릴 비트의 진동이 구리/유전체의 계면 상에 소형 분열을 만들어 낼 수 있다. 용매 조절 장치는 구리와 유전체 사이의 소형 틉새에 흡수 되어 버릴 수 있다. 이어지는 처리는 과망간산염 용액이 산화, 즉 웨지를 만들어 내는 이미 팽창된 수지를 제거하게 된다. 마이크로 에칭 용액은 구리를 부식시켜 틈새를 넓히게 될 것이다. 통상적으로 사전 침지 및 활성자 용액은 매우 농축된 염화수소의 산에 기반한 용액으로서, 구리 처리층을 더 제거하게 될 것이다. 만약 전자가 없는 구리가 "웨지"를 완전히 밀봉시키는 데에 실패하면, 제품이 산성 제거제, 마이크로 에칭 용액, 산성 침지 및 산성 구리 내에 침지되는 경우 화학적 침식은 계속될 것이다. "웨지"가 상대적으로 작은 경우, 산성 구리는 완전히 틈새를 채워 통상적인 "핑크 링" 모양이 될 것이다. 틈새가 충분히 큰 경우, 틈새는 "웨지 공극" 결함을 만들어 내는 브릿지일 수 있거나, 또는 브릿지가 전혀 아닐 수도 있다. 대부분의 악조건의 경우에서의 결과는 박리이다.

전술한 사항들에도 불구하고, MLB에서의 구리 대 유전체 접합을 향상시키는 방법을 개선시킨 방법에 대한 필요성은 여전히 상존하는 있는 동시에, 최종적인 제품에 대한 향상된 화학적인 저항력을 제공할 필요성 또한 상존하고 있다.

본 발명은 인쇄 회로 기판 상의 구리 표면 처리 해법 및 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게, 본 발명은 구리 표면 상에 형성시키고 유기 금속 변환 피복의 화학적인 저항성을 향상시킴으로써 구리 대 유전체의 접합제의 보전성을 향상시키고 인쇄 회로 기판에 인쇄하는 해법 및 방법에 관한 것이다.

본 발명은 MLB를 제조하는 동안 구리 대 유전체 접합을 향상시키는 주지의 방법과 관련한 문제를 극복할 수 있는 처리 용액 및 공정에 관한 것이다. 보다 상세하게, 본 발명은 접착 촉진 구리 피복의 화학적인 저항성을 향상시키고, 구리 표면 상의 제2 구리계 유기 금속 합성물을 제1 구리계 유기 금속 변환 피복으로 변환시켜 접합의 보전성을 향상시키는 방법에 관한 것이다. 이는 유기 금속 변환 피복을 환원 및/또는 부분적인 용해에 의하여, 그리고 선택적으로 구리 산화 방지제를 사용함으로써 성취된다.

본 발명의 원리는 유기 금속 변환 피복(OMCC)의 화학적인 저항성을 상당히 향상시켜 얼룩 제거, 무전자 구리 및 산성 구리 전기 도금 공정 동안 화학적인 침식에 저항하도록 함으로써, "핑크 링", "웨지 공극" 및 화학적 침식에 기인하는 박리에 대한 경향을 제거하여 접합 보전성을 향상시킨다. 향상된 화학적 저항력은 표면 상의 제2 구리계 유기 금속 합성물을 제1 구리계 유기 금속 변환 피복으로 변환시킴으로써 성취될 수 있다. 이 변환은 환원 및/또는 용해에 의해서 획득될 수 있다. 후 처리된 OMCC는 환원된 또는 부분적으로 용해된 블랙 산화물들과는 쉽게 구별될수 있다. 후자는 주로 금속 구리를 구성하도록 특허 청구되었다. 환원된 OMCC는 대부분의 2가의 구리가 1가의 구리로 환원되는 동안 유기 금속 복합물로 남게된다. 유사하게, 부분적으로 용해된 블랙 산화물은 여전히 제1 구리와 제2 구리 산화물의 혼합물로 남게되는 반면에, 부분적으로 용해된 OMCC는 주로 1가의 구리계의 유기 금속 혼합물로 남게 된다. 선택적으로 합성물은 연속되는 처리 단계에서의 OMCC의 재산화를 방지하기 위하여 구리 산화 방지기 또는 몇몇 방지기의 조합을 포함할 수 있다. 결과로 나온 제1 구리계 OMCC는 실질적으로 후처리 블랙 산화물 또는 처리되지 않은 OMCC보다 탄력적이며, 연속되는 MLB 처리 단계에 대하여 저항력을 갖는다.

매우 많은 수의 재료들이 OMCC의 환원 또는 용해 공정에 사용될 수 있다. 다른 아미노보레인(예컨대, 디에틸라미노보레레인, 모르폴린 보레인 등)이 사용될 수 있지만, 가장 효과적인 환원기들 중의 하나는 DMAB(디에틸라미노보레인)이다. 본 발명에 사용될 수 있는 다른 환원기들은 암모니움, 알카리 또는 알카리성 토양 금속 보로하이드로라이드, 하이포포스파이트, 설파이드, 하이드로설파이드, 메타비설파이드, 디티오네이트, 테트라티오네이트, 티오설파이드, 티오우레아, 하이드로진, 하이드록시라민, 알데하이드, 글리옥실릭 산, 환원 당 및 전류도 환원 공정에 사용될 수 있다.

용해 작용제가 사용되는 경우, 어떤 주지의 제2 구리 이온 셀레이터(복합물)유기체 또는 무기산 및/또는 이들의 염분, (또는 이들의 조합)이 본 발명에 사용될 수 있다. 이들은 EDTA, HEEDTA, NTA, DTPA, DCTA, 쿼드롤, 유기 포스포네이트(디쿼스트), 유기산(사이트릭, 타타릭, 글리코닉, 글루타민, 설파민, 글루콜민, 글리신, 말, 마레, 살리실, 아스코빅, 포믹 등), 무기산(염화수소, 불화수소, 부롬화수소, 나이트릭, 크로믹 산 등) 및/또는 이들의 암모니움, 알카리, 알카리성 토양 금속 및/또는 아민 염분, 아민(MEA, DEA, TEA, TMAH, EDA, DETA, TETA, TEPA 등) 암모니움 산화수소, 파이로포스포레이트 등을 포함한다. 쿼드롤, EDTA 및 포스포네이트가 바람직하게 사용된다. 또한, 하나 이상의 환원 작용제와 함께 용해 작용제를 사용하는 것이 바람직할 수 있다.

전술한 바와 같이, 구리 산화물 방지제도 선택적으로 사용될 수 있다. 따라서, 예컨대 하나 이상의 다음의 구리 산화물 방지제가 다음과 같은 혼합물에 첨가될 수 있으며, 이들 혼합물은 이름 그대로 알킬-, 아릴-, 및/또는 (이들의 할로겐 대체 유도체를 포함하는) 알킬아릴을 대체하는 아졸 유도체, 예컨대 밴조트리아졸(BTA), 토릴트리아졸(TTA), 5-메틸벤지미다졸, 2-브로모벤질 벤지미다졸, 2-클로로벤질 벤지미다졸, 2-브로모페닐 벤지미다졸, 2-클로로페닐 벤지미다졸, 2-브로모에틸페닐 벤지미다졸, 2-클로로에틸페닐 벤지미다졸 및 2-언데실-4-메틸리미다졸 등이다. 벤조트리아졸 및 토릴트리아졸이 가장 바람직하다. 캐트리오닉, 암포테릭, 애니오닉 및/또는 이온형태가 아닌 계면활성제도 후처리 용액의 효율성을 향상시키는 데에 사용될 수 있다.

용재 작용제(또는 소정의 수의 용해 작용제)를 갖는 환원제의 조합(또는 소정의 수의 환원제)도 사용될 수 있다. pH, 온도, 농도 및 처리 시간은 제2 구리 이온이 효과적으로 환원되고 용해되도록 하기 위하여 적절하게 조절되여야 한다. 선택적으로 이들 용액은 산화물 방지제 또는 몇몇 방지제의 조합을 포함할 수도 있다.

후처리 이후 이어지는 유기 금속 변환 피복의 형성만큼 전술한 재료들은 유용하지만, 이들 재료들은 후처리에 사용되는 데에 제한되는 것은 아니다. 또한, 이들 재료들을 직접 초기 유기 금속 변환 피복을 형성하는 데에 사용도는 용액 속에 첨가하여 처리한다.

(실시예)

실시예 1

1 온스의 (폴리클라드 라미네이트로부터 얻을 수 있는) DST포일 및 양측에 DST포일(폴리클라드 라미네이트)을 갖는 에폭시 유리 라미네이트 패널 클라드는 다음의 일련의 단계를 거쳐 처리된다.

1. PC 7036 마이크로 에칭(알파 PC 팹으로부터 얻을 수 있는) 90℉, 1분

2. 세척 실온, 1분

3. PC 7086 알카리성 세척제(알파 PC 팹) 130℉, 1분

4. DI 세척 실온, 1분

5. 사전 침지(5% PC-7023) 105℉, 30초

6. PC 7023 접착 촉진제(알파 PC 팹) 105℉, 1분

7. DI 세척 실온, 1분

8. 고온 공기 건조 160℉, 1분

연속하여 이 포일은 폴리클라드 1080 B-단계 사전 플랙(폴리클라드 라이네이트로부터 얻을 수 있는 2 개의 층과 함께 놓이며, 처리층은 1080 사전 프랙에 대향한다. 이 DST포일은 구리/에폭시 유리 라미네이트는 양면 상에 폴리클라드 2313의 2개의 층과 함께 덮혀진다. 2개의 폴리클라드 2313은 370℉온도에서 350프시 압력으로 60분간 압력이 가해진다.

적층된 포일판은 1/8인치 폭의 테이프로 마스킹되며, 노출된 구리는 500g/L 철화 염산 용액에서 130℉에서 에칭되어 없어진다. 이 패널은 세척되고 건조되며, 마스킹 테이프는 제거된다. 건조된 에폭시 수지에 대한 구리 포일의 접착력은 CECO TA 620-30 필 테스터를 사용하여 구리 스트립의 후면을 1/8인지 벗겨냄으로소 시험될 수 있다. 접착력은 6.76Lb/in.로 밝혀졌다.

적층된 구리 클라드 패널은 2인치 폭의 스트립으로 잘려지고, 이어서, (알파 PC 팹으로부터 추출된) PC 7457 HASL 플럭스에 침지시키며, 다시 500℉에서 녹여진 땜납에 침지시킨다. 매분 스트립은 땜납으로부터 빼내어 박리의 표시가 있는 지 체크한다.

실시예 2

PC 7023 접합 촉진제에서의 처리 이후에, 105℉에서 2분 동안 6 g/L DMAB 및 7.5 g/L KOH로 이루어진 용액에 침지되어 있는 DST포일 및 구리 클래드가 적층되는 것을 제외하고는 실시예 1이 반복된다. 이 접합은 7.36Lb/in.였으며, 시간 대 박리는 9분 30초였다.

실시예 3

표준 1 온스의 포일은 코스트즈-ASI 수평 콘베이어 벨트 습식 처리 스프레이 장치에서의 실시예 1과 같은 동일한 단계를 사용하여 회로 보드 패널에 대하여 테이핑되어 처리된다. 이 테이프는 제거되고 포일은 적층된어 실시예 1에서와 같이 접합에 대한 시험된다. 이 접합은 4.6 Lb/in.였다.

실시예 4

수평 장치에서의 처리 이후에 포일이 2분 동안 5%(부피)의 HCL에 침되된다는 것을 제외하고는 실시예 3이 반복된다. 이 접합은 5.1 Lb/in.였다.

실시예 5

38 g/L Na₂EDTA 용액이 130℉온도에서 pH4.1로 6분 동안 후처리로서 사용된다는 것을 제외하고는 실시예 4가 반복된다. 이 접합은 6.2 Lb/in.였다.

실시예 6

76 g/L Na₂EDTA 용액이 130℉온도에서 pH4.1로 1분 동안 후처리로서 사용된다는 것을 제외하고는 실시예 4가 반복된다. 이 접합은 6.6 Lb/in.였다.

실시예 7

10% (부피)의 베르센 100(다우 케미컬로부터 얻을 수 있는 EDTA 용액) 용액이 130℉온도에서 pH10으로 1분 동안 후처리로서 사용된다는 것을 제외하고는 실시예 4가 반복된다. 이 접합은 6.8 Lb/in.였다.

실시예 8

10% (부피)의 베르센 100(다우 케미컬로부터 얻을 수 있는 EDTA 용액) 용액이 130℉온도에서 pH13으로 1분 동안 후처리로서 사용된다는 것을 제외하고는 실시예 4가 반복된다. 이 접합은 6.9 Lb/in.였다.

실시예 9

10% (부피)의 쿼드롤(BASF사에서 나온 에톡시레이티드/프로프록시레이티드 에틸렌 디아민 유도체) 용액이 130℉온도에서 pH10으로 1분 동안 후처리로서 사용된다는 것을 제외하고는 실시예 4가 반복된다. 이 접합은 6.9 Lb/in.였다.

실시예 10

10% (부피)의 쿼드롤 용액이 130℉온도에서 pH13으로 1분 동안 후처리로서 사용된다는 것을 제외하고는 실시예 4가 반복된다. 이 접합은 6.9 Lb/in.였다.

동일 실시예

본 발명의 특정 실시예에 대한 전술한 상세한 설명에서는 제2 구리계 유기 금속 변환 피복을 제1 구리계 유기 금속 변환 피복으로 변환하는 특정 과정이 기술되었다. 특정 실시예가 본 명세서에 상세하게 기술되어 있을 지라도, 이는 나타냄이 목적인 실시예에 의해 수행되었을 뿐이며, 후술하는 첨부된 특허청구범위의 범위를 한정할 의도가 아니라는 것을 쉽게 알 수 있을 것이다. 특히, 본 발명자에 의해서 다수의 대용 실시예, 대체 실시예 및 변형 실시예가 본 발명의 특허청구범위에 한정된 바와 같이 본 발명의 사상 및 범주를 벗어나지 않도록 의도되었음을 쉽게 알 수 있을 것이다.

Claims

인쇄 회로 기판 상의 구리 표면 처리 방법으로서,

a) 위에 구리 표면을 갖는 인쇄 회로 기판을 제공하는 단계와;

b) 적어도 일부분의 상기 구리 표면 상에 제2 구리계 유기 금속 변환 피복을 형성하는 단계와;

c) 제2 구리계 유기 금속 변환 피복을 제2 구리계 유기 금속 변화 피복에서 환원 반응, 용해 반응 또는 이들 모두를 발생시키는 처리 용액에 접촉시켜서, 실질적으로 제2 구리계 유기 금속 변환 피복을 제1 구리계 유기 금속 변환 피복으로 변환시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 구리 표면 처리 방법.
제1항에 있어서, 구리 산화 방지제를 상기 제2 구리계 유기 금속 변환 피복에 첨가하는 단계를 더 포함하는 것인 구리 표면 처리 방법.
제2항에 있어서, 상기 구리 산화 방지제는 처리 용액과 동시에 사용되는 것인 구리 표면 처리 방법.
제3항에 있어서, 상기 구리 산화 방지제는 상기 처리 용액에 첨가되어 있는 것인 구리 표면 처리 방법.
제1항에 있어서, 상기 처리 용액은 제2 구리계 유기 금속 변환 피복을 아미노보레인과 접촉시킴으로써 발생하는 환원 공정을 발생시키는 것인 구리 표면 처리 방법.
제5항에 있어서, 상기 아미노보레인은 디메틸아미노보레인, 디에틸아미노보레인 및 모폴린 보렌인으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 것인 구리 표면 처리 방법.
제1항에 있어서, 상기 처리 용액은 제2 구리계 유기 금속 변환 피복을 암모니움, 알카리 및/또는 알카리성 토양 금속 보로하이드라이드, 하이포포스파이트, 설파이드, 비설파이드, 하이드로설파이드, 메타비설파이드, 디티오네이트, 테트라아티오네이트, 티오설파이드, 티오우레아, 하이드로진, 하이드록시라민, 알데하이드, 글리옥실릭 산, 및 환원 당으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 환원 작용제와 접촉시킴으로써 발생하는 환원 공정을 발생시키는 것인 구리 표면 처리 방법.
제1항에 있어서, 상기 처리 용액은 제2 구리계 유기 금속 변환 피복을 제2 구리 이온 실레이터와 접촉시킴으로써 발생하는 용해 반응을 발생시키는 것인 구리 표면 처리 방법.
제1항에 있어서, 상기 처리 용액은 제2 구리계 유기 금속 변환 피복을 유기 또는 무기산 및/또는 염분 또는 유기 또는 무기산과 접촉시킴으로써 발생하는 용해 반응을 발생시키는 것인 구리 표면 처리 방법.
제1항에 있어서, 상기 처리 용액은 제2 구리계 유기 금속 변화 코팅을 형성하는 데에 사용되는 용액에 첨가되어 있는 것인 구리 표면 처리 방법.
제1항에 있어서, 상기 처리 용액은 제2 구리계 유기 금속 변환 피복을 EDTA, HEEDTA, NTA, DTPA, DCTA, 쿼드롤, 유기 포스포네이트로 이루어진 그룹으로부터 선택된 재료와 접촉시킴으로써 발생하는 용해 반응을 발생시키는 것인 구리 표면 처리 방법.
제9항에 있어서, 상기 유기산은 사이트릭산, 타타릭산, 글리코닉산, 글루타민산, 설파민산, 글루콜민, 글리신산, 말산, 마레산, 살리실산, 아스코빅산, 포믹산 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것인 구리 표면 처리 방법.
제9항에 있어서, 상기 무기산은 염화수소산, 불화수소산, 부롬화수소산, 나이트릭산, 크롬산 및 이의 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것인 구리 표면 처리 방법.
제1항에 있어서, 상기 처리 용액은 제2 구리계 유기 금속 변환 피복을 아민과 접촉시킴으로써 발생하는 용해 반응을 발생시키는 것인 구리 표면 처리 방법.
제14항에 있어서, 상기 아민은 MEA, DEA, TEA, TMAH, EDA, DETA, TETA 및 TEPA로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것인 구리 표면 처리 방법.
제1항에 있어서, 상기 처리 용액은 제2 구리계 유기 금속 변환 피복을 암모니움 산화수소 또는 파이로포스파이트와 접촉시킴으로써 발생하는 용해 반응을 발생시키는 것인 구리 표면 처리 방법.
제2항에 있어서, 상기 구리 산화 방지제는 치환할 수 없는 아졸 유도체, 알킬아릴을 대체하는 아졸 유도체 및 이들의 조합 및 할로겐 대체된 유도체로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것인 구리 표면 처리 방법.
제17항에 있어서, 상기 구리 산화 방지제는 벤조트리아졸(BTA), 토릴트리아졸(TTA), 5-메틸벤지미다졸, 2-브로모벤질 벤지미다졸, 2-클로로벤질 벤지미다졸, 2-브로모페닐 벤지미다졸, 2-클로로페닐 벤지미다졸, 2-브로모에틸페닐 벤지미다졸, 2-클로로에틸페닐 벤지미다졸, 2-언데실-4-메틸리미다졸 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것인 구리 표면 처리 방법.
제2항에 있어서, 상기 처리 용액은 계면 활성제를 더 포함하는 것인 구리 표면 처리 방법.
제19항에 있어서, 상기 계면 활성제는 이온 계면 활성제들로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 것인 구리 표면 처리 방법.
제19항에 있어서, 상기 계면 활성제는 이온형이 아닌 계면 활성재들로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 것인 구리 표면 처리 방법.
인쇄 회로 기판 상의 구리 표면 처리 방법으로서,

a) 그 위에 구리 표면을 갖는 인쇄 회로 기판을 제공하는 단계와;

b) 적어도 일부분의 상기 구리 표면 상에 제2 구리계 유기 금속 변환 피복을 형성하는 단계와;

c) 실질적으로 제2 구리계 유기 금속 변환 피복을 제1 구리계 유기 금속 변환 피복으로 변환시키기에 충분한 상태하에서 제2 구리계 유기 금속 변환 피복을 전류에 노출시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 구리 표면 처리 방법.
제22항에 있어서, 구리 산화 방지제를 상기 제2 구리계 유기 금속 변환 피복에 첨가하는 단계를 더 포함하는 것인 구리 표면 처리 방법.
제23항에 있어서, 상기 구리 산화 방지제는 전류에 노출되는 단계 동안 사용되는 것인 구리 표면 처리 방법.
인쇄 회로 기판 상의 구리 표면 처리 방법으로서,

a) 그 위에 구리 표면을 갖는 인쇄 회로 기판을 제공하는 단계와;

b) 적어도 일부분의 상기 구리 표면 상에 제2 구리계 유기 금속 변환 피복을 형성하는 단계와;

c) 제2 구리계 유기 금속 변환 피복을 구리 산화 방지제 및 디메틸아미노보레인 방지제를 포함하는 처리 용액에 접촉시키고, 실질적으로 제2 구리계 유기 금속 변환 피복을 제1 구리계 유기 금속 변환 피복으로 변환시키기에 충분한 상태하에서 사용되는 단계를 포함하는 것인 구리 표면 처리 방법.