KR20010049038A

KR20010049038A - method of removing photoresist semiconductor device

Info

Publication number: KR20010049038A
Application number: KR1019990053956A
Authority: KR
Inventors: 한은수; 김정홍
Original assignee: 윤종용; 삼성전자 주식회사
Priority date: 1999-11-30
Filing date: 1999-11-30
Publication date: 2001-06-15

Abstract

PURPOSE: A method for eliminating a photoresist layer of a semiconductor device is provided to improve an operating characteristic of the device, by drying the photoresist layer for about 6 seconds and at 2500 revolutions per minute(RPM) after a photolithography process, and by eliminating the photoresist layer on a wafer. CONSTITUTION: After a photoresist layer for forming a pattern is coated, the photoresist layer is dried to prevent the photoresist layer from being diffused. After the photoresist layer is dried, a cleaning process is performed regarding the back surface of a wafer where the pattern is not formed and a wafer edge.

Description

Method of removing photoresist semiconductor device

본 발명은 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 장치의 제조시 사용되는 감광막 제거 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to a method of removing a photosensitive film used in the manufacture of a semiconductor device.

반도체 장치를 제조하는 과정에 있어서, 사진식각 공정은 반도체 기판에 활성 영역과 비활성 영역을 구분하기 위해 필드 산화막을 제조하는 과정에서부터 게이트 패턴, 비트라인, 캐패시터 및 소자 영역들간을 서로 접촉시키기 위한 콘택 제조과정에 이르기까지 매우 빈번히 실시되고 있는 주요 단위 공정중의 하나이다. 이러한 사진식각 공정을 실시하기 위해서는 통상적으로 I-라인이 사용되고 있으나, 최근 반도체 장치의 급격한 고집화에 따라 해상도가 우수하여 상기 I-라인에 비해 미세 패턴 형성에 보다 유리한 DUV(Deep Ultra Violet) 또한 빈번히 사용되고 있다.In the process of manufacturing a semiconductor device, a photolithography process is performed to fabricate contact oxides to contact gate patterns, bit lines, capacitors, and device regions with each other from fabricating a field oxide layer to distinguish active and inactive regions from a semiconductor substrate. It is one of the main unit processes that are carried out very frequently up to the process. In order to perform the photolithography process, I-line is generally used, but DUV (Deep Ultra Violet), which is more advantageous in forming fine patterns than the I-line, is frequently frequently used due to the rapid high integration of semiconductor devices. It is used.

이러한 사진식각 공정은 통상적으로 포토레지스트를 분사하는 단계, 반도체 칩 패턴이 형성되지 않는 웨이퍼의 뒷면을 클리닝하는 단계, 웨이퍼의 엣지를 클리닝하는 단계, 그리고 씨너를 이용하여 웨이퍼 엣지부분의 포토레지스트를 제거하는 단계로 이루어진다. 그러나, 상기 씨너(thinner)를 이용하여 웨이퍼 엣지에 있는 포토레지스트를 스트립하는데 종전의 레씨피로 진행시 감광막의 두께(TPR)가 두꺼운 경우 포토레지스트가 깨끗이 제거되지 못하는 문제점이 있다. 또한, 이처럼 잔류하는 포토레지스트에 파티클이 부착되거나 포토레지스트 자체로 인해 후속의 단위공정시 불량 유발된다. 특히, 감광막의 농도가 진할수록 이러한 문제는 더욱 심각해지며, 도 1 내지 도 3에는 이처럼 웨이퍼 엣지에 감광막이 잔류하는 상태가 나타나 있다.This photolithography process typically involves spraying a photoresist, cleaning the back side of the wafer on which the semiconductor chip pattern is not formed, cleaning the edges of the wafer, and removing the photoresist at the edge of the wafer using thinners. It consists of steps. However, the thinner is used to strip the photoresist on the wafer edge. However, when the photoresist film has a thick TPR, the photoresist may not be removed. In addition, particles are attached to the remaining photoresist or the photoresist itself causes defects in subsequent unit processes. In particular, as the concentration of the photoresist film increases, the problem becomes more serious. FIGS. 1 to 3 show a state in which the photoresist film remains on the wafer edge.

도시된 바와 같이, 감광막 도포한 후 씨너액을 이용하여 웨이퍼의 엣지를 클리닝할 경우 감광막과 씨너액이 닿은 경계면에서 건조되지 않은 감광막이 웨이퍼의 엣지로 흘러내리게 되며, 이는 사이드 린스 후 EEW(Edge Expose Wafer)를 하여도 일부 감광막은 계속해서 잔류하여 파티클로 남겨진다.As shown in the figure, when the edge of the wafer is cleaned using the thinner liquid after application of the photosensitive film, an undried photosensitive film flows to the edge of the wafer at the interface between the photosensitive film and the thinner liquid, which is EEW (Edge Expose) after side rinse. Even with wafers, some photoresists remain and remain as particles.

따라서, 본 분야에서는 상기와 같은 문제점을 방지하고자, 더블 사이드 린스 또는 하이 알피엠 시간을 변경하는 방법을 적용하였으나, 웨이퍼 코팅부의 처리 시간이 지나치게 길어져 전체 공정시간이 연장되어 생산성이 저하되는 단점이 있다.Therefore, in the present invention, in order to prevent the above problems, the method of changing the double side rinse or high AlpM time was applied, but the processing time of the wafer coating part is too long, so that the overall process time is extended and the productivity is lowered.

따라서 본 발명의 목적은, 패턴 형성을 완료한 후, 감광막이 웨이퍼 엣지로 흐르는 것을 방지하기 위한 반도체 장치의 감광막 제거 방법을 제공함에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a method of removing a photosensitive film of a semiconductor device for preventing the photosensitive film from flowing to the wafer edge after completing pattern formation.

본 발명의 다른 목적은, 패턴 형성에 적용된 감광막이 웨이퍼에 잔류하여 파티클로 남겨지는 문제점을 해소할 수 있는 반도체 장치의 감광막 제거 방법을 제공함에 있다.Another object of the present invention is to provide a method for removing a photosensitive film of a semiconductor device which can solve the problem that the photosensitive film applied for pattern formation remains on the wafer and remains as particles.

상기의 목적들을 달성하기 위해서 본 발명에서는, 반도체 장치의 감광막 제거 방법에 있어서: 패턴 형성을 위한 감광막을 코팅한 후, 상기 감광막이 다른 영역으로 번지는 것을 방지하기 위하여 건조시키는 단계와; 상기 감광막을 건조시킨 후에 패턴이 형성되지 않은 웨이퍼 이면 및 웨이퍼 엣지를 클리닝하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 반도체 장치의 감광막 제거 방법을 제공한다.In order to achieve the above objects, the present invention provides a method of removing a photoresist of a semiconductor device, comprising: coating a photoresist for forming a pattern, and then drying the photoresist to prevent smearing of the photoresist; And cleaning the back surface and the wafer edge of the wafer on which the pattern is not formed after the photoresist film is dried.

바람직하게는, 상기 감광막은 2500RPM으로 약 6초간 건조시킨다.Preferably, the photoresist is dried at 2500 RPM for about 6 seconds.

바람직하게는, 상기 웨이퍼 이면은 1200RPM으로 약 3초간 클리닝하고, 웨이퍼 엣지는 1200RPM으로 약 1.8초간 클리닝한다.Preferably, the wafer backside is cleaned at 1200 RPM for about 3 seconds and the wafer edge is cleaned at 1200 RPM for about 1.8 seconds.

또한, 바람직하게는, 상기 웨이퍼의 이면 및 엣지를 클리닝한 후, 2500PRM으로 약 6초간 감광막을 건조시킨다.Further, preferably, after cleaning the back and edges of the wafer, the photoresist film is dried for about 6 seconds at 2500PRM.

도 1 내지 도 3은 웨이퍼 엣지에 감광막이 잔류하는 상태가 나타내는 사진들이다.1 to 3 are photographs showing a state in which a photosensitive film remains on the wafer edge.

도 4 내지 도 6는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 감광막 처리 공정을 실시한 결과를 나타내는 사진들이다.4 to 6 are photographs showing the results of the photoresist treatment process according to the preferred embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하고자 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 4 내지 도 6는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 감광막 처리 공정을 실시한 결과를 나타내는 도면들이다.4 to 6 are views showing the results of the photosensitive film treatment process according to a preferred embodiment of the present invention.

상기 도면들을 참조하면, 감광막 제거후 웨이퍼 엣지부위로 감광막이 번져나가지 않음을 알 수 있는데, 이는 하기의 공정단계를 거쳐 이루어진 결과이다.Referring to the drawings, it can be seen that the photoresist film does not spread to the wafer edge after removing the photoresist film, which is a result of the following process steps.

먼저, 약 1초간 감광막을 웨이퍼 전면에 분사하는 단계, 약 2초간 약 200RPM으로 감광막을 웨이퍼 전면에 분사하는 단계, 그리고 본 발명의 핵심적 단계로서 약 6초간 2500RPM으로 분사된 감광막을 건조시키는 단계, 약 3초간 1200RPM으로 웨이퍼 이면을 클리닝하는 단계, 약 1.8초간 1200RPM으로 웨이퍼 엣지를 클리닝하는 단계, 그리고 약 6초간 2500PRM으로 씨너를 이용하여 감광막을 건조하는 단계로 이루어진다.First, spraying the photoresist film on the front surface of the wafer for about 1 second, spraying the photoresist film on the front surface of the wafer at about 200 RPM for about 2 seconds, and drying the photoresist film sprayed at 2500 RPM for about 6 seconds as a key step of the present invention. Cleaning the back surface of the wafer at 1200 RPM for 3 seconds, cleaning the wafer edge at 1200 RPM for about 1.8 seconds, and drying the photoresist using a thinner at 2500 PRM for about 6 seconds.

이와 같이, 본 발명에서는 감광막 도포 후 3∼6초간 2500PRM으로 회전시켜 감광막을 건조시킨다. 그리고 나서, 씨너액을 이용하여 웨이퍼 엣지를 클리닝하면 높은 점도에서 나타나는 현상으로 사이드 린스 후 엣지부위에 감광막이 남는 현상을 깨끗이 제거할 수 있다.As described above, in the present invention, the photosensitive film is dried by rotating at 2500PRM for 3 to 6 seconds after applying the photosensitive film. Then, the cleaning of the wafer edge using thinner liquid is a phenomenon that appears at a high viscosity to remove the phenomenon that the photoresist film remains on the edge portion after the side rinse.

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.As described above, although described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be variously modified without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below. And can be changed.

상술한 바와 같이, 본 발명에서는 사진공정을 실시한 후 약 6초간 2500RPM으로 감광막을 건조시킨 뒤, 웨이퍼 상부의 감광막을 제거함으로써 반도체 장치의 동작특성을 향상시킴은 물론 별도의 공정이 불필요하므로 생산성 또한 증가시킬 수 있는 효과가 있다.As described above, in the present invention, after drying the photoresist film at 2500 RPM for about 6 seconds after performing the photolithography process, by removing the photoresist film on the wafer, the operation characteristics of the semiconductor device are improved as well as a separate process is not required, thereby increasing productivity. It can be effected.

Claims

In the photosensitive film removal method of a semiconductor device:

After coating the photoresist for pattern formation, drying to prevent the photoresist from spreading to other areas;

And cleaning the back surface and the wafer edges of the wafer on which the pattern is not formed after the photoresist film is dried.

The method of claim 1, wherein the photoresist is dried at 2500 RPM for about 6 seconds.

The method of claim 1, wherein the back surface of the wafer is cleaned at 1200 RPM for about 3 seconds.

The method of claim 1, wherein the wafer edge is cleaned at 1200 RPM for about 1.8 seconds.

2. The method of claim 1, further comprising drying the photoresist for about 6 seconds at 2500PRM after cleaning the back and edges of the wafer.