KR20010043524A - Reworkable thermosetting resin compositions - Google Patents

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KR20010043524A
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composition
methylimidazole
bis
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semiconductor device
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KR1020007012625A
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Korean (ko)
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토레스-필호아프라니오
크레인로렌스엔.
코나르스키마크엠.
스체파니악즈비그뉴에이.
Original Assignee
유진 에프. 밀러
록타이트 코오포레이션
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Abstract

본 발명은 각각 캐리어 기판 상에 고밀도 집적회로(“LSI”)같은 반도체 칩을 구비하는 칩 사이즈 또는 칩 스케일 패키지(“CSPs”), 볼 그리드 어레이 (“BGAs”) 등의 반도체 디바이스를 회로 기판 상에 실장하는데 유용한 열경화성 수지 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 조성물은 적당한 조건하에서 재작업가능하다.The present invention relates to a chip size or chip scale package (“CSPs”), a ball grid array (“BGAs”), and the like, each having a semiconductor chip such as a high density integrated circuit (“LSI”) on a carrier substrate. A thermosetting resin composition useful for mounting in the present invention. The compositions of the present invention are reworkable under suitable conditions.

Description

재작업 가능한 열경화성 수지 조성물{REWORKABLE THERMOSETTING RESIN COMPOSITIONS}Reworkable thermosetting resin composition {REWORKABLE THERMOSETTING RESIN COMPOSITIONS}

최근에, 카메라 통합 비데오 테이프 레코더(“VTR”)와 휴대용 전화기 세트 같은 소형 전자제품의 인기는 바람직한 고밀도 집적회로 디바이스의 사이즈를 감소시켜왔다. 그 결과, CSPs 및 BGAs가 패키지의 사이즈를 실질적으로 나칩(bare chip)의 사이즈로 줄이는 데 사용되고 있다. 그러한 CSPs 및 BGAs는 전자 디바이스의 특성을 개선하고 그 작동 특징의 대부분을 유지하므로써, 고밀도 집적회로같은 반도체 나칩을 보호하고 그 테스트를 용이하도록 한다.Recently, the popularity of small electronics such as camera integrated video tape recorders (“VTRs”) and portable telephone sets has reduced the size of desirable high density integrated circuit devices. As a result, CSPs and BGAs are being used to substantially reduce the size of packages to the size of bare chips. Such CSPs and BGAs improve the characteristics of electronic devices and retain most of their operating characteristics, thereby protecting and facilitating the testing of semiconductors or chips such as high density integrated circuits.

대개, CSP/BGA 조립체는 땜납접속 등의 사용에 의해 회로기판상의 전기적 도체에 접속된다. 하지만, 그 CSP/BGA/회로기판 구조가 열사이클에 노출되었을 때, 회로기판과 CSP/BGA사이의 땜납접속의 신뢰성이 종종 의심스러워진다. 최근에는, CSP/BGA 조립체가 회로기판에 실장된 후에, CSP/BGA 조립체과 회로기판사이의 공간을 종종 이제 밀봉수지로 채워(종종 충진불량부 밀봉이라고 함) 열순환에 의해 야기된 스트레스를 경감시키므로써, 열충격 특성을 개선하고 구조의 신뢰성을 향상시킨다.Usually, a CSP / BGA assembly is connected to an electrical conductor on a circuit board by the use of solder connection or the like. However, when the CSP / BGA / circuit board structure is exposed to thermal cycles, the reliability of the solder connection between the circuit board and the CSP / BGA is often questioned. Recently, after the CSP / BGA assembly has been mounted on the circuit board, the space between the CSP / BGA assembly and the circuit board is often filled with a sealing resin (often referred to as poor filling) to reduce the stress caused by thermal cycling. To improve the thermal shock characteristics and improve the reliability of the structure.

하지만, 열경화성 수지가 통상 충진불량부 밀봉재로 사용되기 때문에, CSP/BGA 조립체가 회로기판상에 실장된 후에 실패할 경우, 완전히 그 구조를 파괴하거나 부서뜨리지 않고 CSP/BGA 조립체를 교환하기가 매우 어렵다.However, since thermosetting resins are commonly used as poor fill seals, it is very difficult to replace a CSP / BGA assembly without completely destroying or breaking its structure if the CSP / BGA assembly fails after being mounted on a circuit board. .

그 목적으로, 회로기판상에 나칩을 실장하는 기술이 회로기판상에 CSP/BGA 조립체를 실장하는 것과 실질적으로 유사하게 받아들여진다. 일본 특허공보 제102343/93호에 개시된 그러한 한 기술은 나칩이 광경화성 접착제의 사용에 의해 회로기판에 고정되고 접속되고 이때 실패한 경우, 이 나칩이 제거되는 실장방법을 포함한다. 하지만, 이 기술은 회로기판이 후면으로부터의 빛에 노출을 허용하는 투명 기판(예컨대 유리)을 포함하는 경우에 한정되고 그 결과 구조는 불량한 열충격 특성을 나타낸다.For that purpose, the technique of mounting NaChip on a circuit board is accepted substantially similar to mounting a CSP / BGA assembly on a circuit board. One such technique disclosed in Japanese Patent Publication No. 102343/93 includes a mounting method in which the nachip is removed when the nachip is fixed and connected to the circuit board by the use of a photocurable adhesive and fails at this time. However, this technique is limited to cases where the circuit board includes a transparent substrate (eg glass) that allows exposure to light from the back side and the resulting structure exhibits poor thermal shock characteristics.

일본 특허공보 제69280/94호는 나칩이, 예정된 온도에서 경화될 수 있는 수지의 사용에 의해 기판에 고정·접속되는 방법을 개시한다. 실패한 경우에, 이 나칩은 예정된 온도보다 높은 온도에서 수지를 연화시켜 기판으로부터 제거된다. 하지만, 특정 수지가 개시되지 않고, 기판에 잔존하는 수지를 처리하는 것에 관하여 개시가 없다. 따라서, 개시된 방법은 기껏해야 불완전하다.Japanese Patent Publication No. 69280/94 discloses a method in which a nachip is fixed and connected to a substrate by use of a resin that can be cured at a predetermined temperature. In the event of a failure, this nachip is removed from the substrate by softening the resin at temperatures above the predetermined temperature. However, no specific resin is disclosed and there is no disclosure regarding processing of the resin remaining on the substrate. Thus, the disclosed method is at most incomplete.

일본 특허공보 제77264/94호에서 지적한 대로, 회로기판으로부터 잔존수지를 제거하기 위해 용매를 사용하는 것이 통상적이다. 하지만, 용매로 수지를 팽창시키는 것은 시간소비방법이고 용매로서 통상 사용되는 부식성 유기산은 회로기판의 신뢰성을 감소시킬 수도 있다. 대신, 그 개시는 전자기 방사에 의한 방사로 잔존 수지를 제거하는 방법에 대하여 이야기 한다.As pointed out in Japanese Patent No. 77264/94, it is common to use a solvent to remove the remaining resin from the circuit board. However, expanding the resin with a solvent is a time consuming method and corrosive organic acids commonly used as solvents may reduce the reliability of the circuit board. Instead, the disclosure talks about how to remove residual resin by radiation by electromagnetic radiation.

일본 특허공보발행 제251516/93호는 또한 비스페놀 A형 에폭시 수지(CV5183 또는 CV5183S; 마쓰시타 전기공업 주식회사 제조)을 사용한 실장방법을 개시한다. 하지만, 그렇게 개시된 제거방법은 칩의 용이한 제거를 일관되게 허용하지 않으며, 경화단계는 상승온도에서 오래걸리고, 그 방법은 대체로 불량한 생산성을 나타낸다.Japanese Patent Publication No. 251516/93 also discloses a mounting method using bisphenol A epoxy resin (CV5183 or CV5183S; manufactured by Matsushita Electric Industries, Ltd.). However, the removal method so disclosed does not consistently allow easy removal of the chip, the curing step takes longer at elevated temperatures, and the method generally exhibits poor productivity.

물론, 칩을 잘라 제거/교체하는 것과 같은 기판으로부터/상에 반도체 칩을 제거/교체하는 기계적인 방법이 공지되어 있다. 미국 특허 제5,355,580호 (Tsukada) 참조.Of course, mechanical methods are known for removing / replacing semiconductor chips from / on a substrate such as cutting and removing chips. See US Pat. No. 5,355,580 (Tsukada).

반도체 칩 부착용 열가소성 충진불량부 밀봉수지가 공지되어 있다. 미국 특허 제5,783,867호(Belke, Jr.) 참조. 하지만, 그러한 열가소성 수지는 비교적 중간온도 조건하에서 누설되는 경향이 있다. 대조적으로 열경화성 수지는 매트릭스내에서 경화되어 최종 사용 조작 온도하에서 통상적으로 더 큰 열적 안정성을 갖는다.BACKGROUND ART Thermoplastic defect filling resins for attaching semiconductor chips are known. See, US Pat. No. 5,783,867 to Belke, Jr. However, such thermoplastic resins tend to leak under relatively intermediate temperature conditions. Thermosetting resins, in contrast, are cured in a matrix and typically have greater thermal stability under end use operating temperatures.

미국 특허 제5,512,613호(Afzali-Ardakani) 및 제5,560,934호(Afzali-Ardakani)는 디에폭시드의 2개의 에폭시기를 연결하는 유기 결합 부분이 산분해성 비고리형 아세트기를 포함하는 디에폭시드 성분 기제의 재작업 가능한 열경화성수지 조성물을 각각 언급한다. 재작업 가능한 조성물의 기초를 형성하는 그러한 산 분해성 비고리형 아세트기와 함께, 경화된 열경화성수지는 그 접착성의 완화 및 상당한 감소를 달성하기 위해 산성 환경에 단지 도입될 필요가 있다.U.S. Pat.Nos. 5,512,613 (Afzali-Ardakani) and 5,560,934 (Afzali-Ardakani) describe the rework of diepoxide component bases in which the organic bonding moiety connecting two epoxy groups of the diepoxide comprises an acid decomposable acyclic acet group. Each of the possible thermosetting resin compositions is mentioned. With such acid decomposable acyclic acetyl groups forming the basis of the reworkable composition, the cured thermoset resin only needs to be introduced into an acidic environment to achieve a reduction in its adhesion and a significant reduction.

미국 특허 제5,872,158호(Kuczynski)는 화학선 방사선에 노출되어 경화될 수 있는, 아세탈 디아크릴레이트 기제의 열경화성 조성물과 희석산에서 가용성이라고 보고되는 반응 생성물을 언급한다.U.S. Patent 5,872,158 to Kuczynski refers to reaction products reported to be soluble in acetal diacrylate based thermosetting compositions and dilute acids that can be cured by exposure to actinic radiation.

미국 특허 제5,760,337호(Iyer)는 반도체 디바이스와 부착되는 기판사이에 형성되는 갭을 채우기 위한 열적으로 재작업 가능한 교차결합 수지를 언급한다. 이들 수지는 2.5-디알킬 치환 푸란 함유 중합체와 디에노필(1보다 큰 기능도를 갖는)을 반응시켜 생성된다.U. S. Patent No. 5,760, 337 (Iyer) mentions a thermally reworkable crosslinking resin to fill a gap formed between a semiconductor device and a substrate to which it is attached. These resins are produced by reacting a 2.5-dialkyl substituted furan containing polymer with dienophiles (having a functional degree greater than 1).

국제특허공보 제PCT/US98/00858호는 캐리어 기판상에 실장된 반도체 칩을 포함하는 반도체 디바이스와 상기 반도체 디바이스가 전기적으로 접속된 회로기판사이의 충진불량부 밀봉이 가능한 열경화성 수지 조성물을 언급한다. 조성물은 에폭시 수지 약 100 중량부, 경화제 약 3 내지 60 중량부, 그리고 가소제 약 1 내지 약 90 중량부를 포함한다. 여기서, 경화된 열경화성수지 주변 영역은 약 10 초에서 약 1 분의 시간동안 약 190 내지 약 260℃의 온도로 가열되게 되어 있어 그 접착의 연화 및 상당한 감소를 달성하도록 한다.International Patent Publication No. PCT / US98 / 00858 refers to a thermosetting resin composition capable of sealing a filling gap between a semiconductor device including a semiconductor chip mounted on a carrier substrate and a circuit board to which the semiconductor device is electrically connected. The composition comprises about 100 parts by weight of epoxy resin, about 3 to 60 parts by weight of the curing agent, and about 1 to about 90 parts by weight of the plasticizer. Here, the region around the cured thermosetting resin is intended to be heated to a temperature of about 190 to about 260 ° C. for a time of about 10 seconds to about 1 minute to achieve softening and significant reduction of its adhesion.

당해 기술 수준에도 불구하고, 양호한 생산성과 열충격 특성을 제공하는 반면, 기판상에 존재하는 반도체 디바이스 또는 기판자체의 완전함과 타협할 수 있는 산성 매질의 이용 또는 상승 온도 조건없이 기판이 반도체 디바이스로부터 용이하게 처리되고 용이하게 분리되도록 사용되는 충진불량부 밀봉재가 바람직할 것이다.Despite the state of the art, substrates are easily removed from semiconductor devices without the use of elevated temperature conditions or the use of acidic media that can compromise the integrity of the semiconductor device or substrate itself present on the substrate while providing good productivity and thermal shock properties. It would be desirable for a poor fill seal to be processed and used to facilitate separation.

본 발명은 각각 캐리어 기판상에 고밀도 집적회로(“LSI”) 등의 반도체 칩을 구비하는 칩 사이즈 또는 칩 스케일 패키지(“CSPs”), 볼 그리드 어레이(“BGAs”) 등의 반도체 디바이스를 회로 기판상에 실장하는데 유용한 열경화성 수지 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 조성물은 적당한 조건하에서 재작업가능하다.The present invention relates to a chip size or chip scale package (“CSPs”), a ball grid array (“BGAs”), and a semiconductor device each having a semiconductor chip such as a high density integrated circuit (“LSI”) on a carrier substrate. A thermosetting resin composition useful for mounting on a phase. The compositions of the present invention are reworkable under suitable conditions.

도 1은 본 발명의 열경화성 수지 조성물이 사용되는 실장 구조의 예를 도시하는 단면도를 나타낸다.1 is a cross-sectional view showing an example of a mounting structure in which the thermosetting resin composition of the present invention is used.

도 2는 접착된 회로기판으로부터 반도체 디바이스를 제거하도록 본 발명에 따른 경화된 열경화성 수지 조성물을 재작업하는 데 유용한 절차의 플로우 다이어그램을 나타낸다.2 shows a flow diagram of a procedure useful for reworking a cured thermosetting resin composition according to the present invention to remove semiconductor devices from bonded circuit boards.

본 발명의 개요Summary of the invention

반도체 디바이스와 반도체 디바이스가 전기적으로 접속되는 회로 기판 사이의 충진불량부 밀봉재로 사용되는 열경화성 수지 조성물은, 일부가 적어도 하나의 열분해성 결합을 갖는 에폭시 화합물인 에폭시 수지 성분, 임의의 무기 충전재 성분 및 무수 성분, 아민 화합물, 아미드 화합물, 및/또는 이미다졸 화합물과 같은 질소함유 성분, 및 그 조합을 포함하는 경화제 성분을 대체로 포함한다.The thermosetting resin composition used as the filling portion sealing material between the semiconductor device and the circuit board to which the semiconductor device is electrically connected includes an epoxy resin component, an optional inorganic filler component, and anhydrous, a part of which is an epoxy compound having at least one thermally decomposable bond. And curing agent components, including nitrogen-containing components such as components, amine compounds, amide compounds, and / or imidazole compounds, and combinations thereof.

이들 조성물의 반응 생성물은 조성물을 경화하는데 사용된 온도를 초과하는 것과 같이 상승 온도 조건까지의 노출하에 연화가 가능하다. 적어도 하나의 열분해성 결합을 갖는 에폭시 화합물과 조합된 그러한 고열 노출은 본 발명의 재작업 가능한 측면을 제공한다. 이하에서 설명되는 잔존 성분은 본 조성물을 상업적 사용, 특히 마이크로 전자공학 산업을 위해 흥미있게 하는 본 조성물에 대한 물리적 특성 및 특징을 제공한다.The reaction products of these compositions are capable of softening under exposure to elevated temperature conditions, such as above the temperature used to cure the composition. Such high heat exposure in combination with an epoxy compound having at least one pyrolytic bond provides a reworkable aspect of the present invention. The remaining components described below provide the physical properties and characteristics of the compositions that make them attractive for commercial use, especially for the microelectronics industry.

적어도 하나의 열분해성 결합을 갖는 에폭시 화합물은 다음 화학식:Epoxy compounds having at least one thermally decomposable bond are of the formula:

의 범위내에서 선택될 수 있으며, 여기서 각각의 R은 수소, 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 이소부틸, t-부틸, C1-4알콕시, 할로겐, 시아노 및 니트로 중에서 독립적으로 선택되고, 각각의 R3는 수소, 메틸, 에틸, 프로필, 및 이소프로필 중에서 독립적으로 선택되고, R1및 R2는 수소, 메틸, 에틸, 프로필, 페닐, 톨일, 및 벤질 중에서 각각 독립적으로 선택되며, 단 R1및 R2양쪽 모두가 수소일 수 없으며, m은 0이거나 1이다. 특히 바람직한 화학식 1의 에폭시 화합물이 후술되는 “발명의 상세한 설명”이라고 표제를 붙인 절에서 주어진다.And each R is independently selected from hydrogen, methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, t-butyl, C 1-4 alkoxy, halogen, cyano and nitro Each R 3 is independently selected from hydrogen, methyl, ethyl, propyl, and isopropyl, and R 1 and R 2 are each independently selected from hydrogen, methyl, ethyl, propyl, phenyl, tolyl, and benzyl; Provided that neither R 1 nor R 2 can be hydrogen, and m is zero or one. Particularly preferred epoxy compounds of formula (1) are given in the section entitled “Detailed Description of the Invention” below.

본 발명의 열경화성 수지 조성물은 충진불량부 밀봉 수지로서 유용하고, 캐리어 기판상에 실장된 반도체 칩을 포함하는 CSP/BGA 조립체같은 반도체 디바이스가 단시간 가열 경화에 의해 양호한 생산성을 가지며 회로기판에 확실히 접속될 수 있게 한다. 본 발명의 조성물의 반응 생성물은 우수한 열충격 특성(또는 열사이클 특성)을 나타내고, 반도체 디바이스의 고장 또는 접속 실패의 경우에 국지적 가열에 의해 반도체 디바이스가 회로기판으로부터 용이하게 제거되도록 한다. 이는 회로기판(잔존하는 작동 반도체 디바이스가 여전히 전기적으로 부속된)을 재사용할 수 있게 하므로써 제조 공정의 양품률의 향상 및 생산원가의 감소를 달성할 수 있게 한다.The thermosetting resin composition of the present invention is useful as a filling defect sealing resin, and a semiconductor device such as a CSP / BGA assembly including a semiconductor chip mounted on a carrier substrate can be surely connected to a circuit board with good productivity by short-time heat curing. To be able. The reaction product of the composition of the present invention exhibits excellent thermal shock characteristics (or heat cycle characteristics) and allows the semiconductor device to be easily removed from the circuit board by local heating in case of failure or connection failure of the semiconductor device. This makes it possible to reuse the circuit board (the remaining working semiconductor device is still electrically attached), thereby achieving an improvement in the yield of the manufacturing process and a reduction in the production cost.

본 발명의 조성물은 글롭 톱(GLOB TOP), 다이접착, 및 급속경화시간 및 연장된 유효작동 수명이 바람직한 열경화성 조성물을 위한 다른 이용과 같이 충진불량부 밀봉의 범위를 넘어서 마이크로전자공학적 이용에 또한 사용될 수 있다.The compositions of the present invention may also be used for microelectronic applications beyond the range of poor packing, such as GLOB TOP, die bonding, and other uses for thermoset compositions where rapid cure times and extended service life are desirable. Can be.

본 발명의 다른 이점 및 장점은 도면과 함께 "상세한 설명"을 읽고난 후 더욱 쉽게 명백해질 것이다.Other advantages and advantages of the present invention will become more readily apparent after reading the "detailed description" in conjunction with the drawings.

본 발명의 상세한 설명Detailed description of the invention

상기한 바와 같이, 반도체 디바이스와 반도체 디바이스가 전기적으로 접속되는 회로 기판 사이에 충진불량부 밀봉재로서 유용한 열경화성 수지 조성물은 (a)일부가 적어도 하나의 열분해성 결합을 갖는 에폭시 화합물인 에폭시 수지 성분, (b)임의의 무기 충전재 성분 및 (c) 무수 성분, 아민 화합물, 아미드 화합물, 및/또는 이미다졸 화합물과 같은 질소 함유 성분, 및/또는 그 조합을 포함하는 경화제 성분을 대체로 포함한다. 이들 조성물의 반응 생성물은 조성물을 경화하기 위해 선택된 온도를 초과하는 것과 같은 상승 온도 조건에 대한 노출하에 연화가 가능하다. 기판에 대한 접착성의 상실은 조성물을 경화하는 데 사용되었던 것보다 높은 온도에서 일어난다. 예를 들어, 기판에 대한 접착성의 약 50%는 약 200℃를 넘는 온도에서 통상 상실된다.As described above, the thermosetting resin composition useful as a sealing portion sealing material between a semiconductor device and a circuit board to which the semiconductor device is electrically connected includes (a) an epoxy resin component which is an epoxy compound in which a part has at least one thermally decomposable bond, ( b) any inorganic filler component and a curing agent component comprising (c) nitrogen-containing components such as anhydrous components, amine compounds, amide compounds, and / or imidazole compounds, and / or combinations thereof. The reaction products of these compositions are capable of softening under exposure to elevated temperature conditions, such as above the temperature selected to cure the composition. Loss of adhesion to the substrate occurs at temperatures higher than those used to cure the composition. For example, about 50% of the adhesion to the substrate is usually lost at temperatures above about 200 ° C.

통상적으로, 조성물은 총 조성물 중량 대비 에폭시 수지 약 10 내지 약 60 중량 퍼센트를 포함하며, 여기서 그것의 약 25 내지 약 75 중량 퍼센트는 적어도 하나의 열분해성 결합을 갖는 에폭시 화합물; 약 0 내지 약 60 중량 퍼센트의 무기충전재 성분; 및 0.01 내지 약 60 중량 퍼센트의 경화제성분으로 구성되고, 그것의 약 0 내지 약 60 중량 퍼센트는 무수화합물로 구성되고, 그것의 0 내지 약 5 중량 퍼센트는 디시안드아미드와 같이 시아노 작용화 아미드같은 아미드 화합물로 이루어지고, 그리고 그것의 0 내지 약 2 중량 퍼센트는 이미다졸 화합물로 구성된다.Typically, the composition comprises about 10 to about 60 weight percent of the epoxy resin relative to the total composition weight, wherein about 25 to about 75 weight percent thereof is an epoxy compound having at least one pyrolytic bond; About 0 to about 60 weight percent of an inorganic filler component; And from 0.01 to about 60 weight percent of the curing agent component, from about 0 to about 60 weight percent of the anhydride, from 0 to about 5 weight percent of the cyano functionalized amide, such as dicyandiamide. Amide compound, and 0 to about 2 weight percent thereof consists of imidazole compound.

물론, 특정 목적을 위해 예정된 조성물에 바람직한 특성의 특정한 세트에 따라 이들 값은 다소 변할 수 있다. 그러한 변화는 당업자에 의해 과도한 실험없이 달성될 수 있고, 따라서 본 발명의 영역내에서 예측된다.Of course, these values may vary somewhat depending on the particular set of properties desired for the composition intended for a particular purpose. Such changes can be accomplished by one of ordinary skill in the art without undue experimentation and are therefore anticipated within the scope of the present invention.

본 발명의 에폭시 수지 성분은 다작용기 에폭시 수지같은 임의의 보통의 에폭시 수지를 포함할 수 있다. 대개, 다작용기 에폭시 수지는 에폭시 수지 성분 전체의 약 15 중량 퍼센트 내지 약 75 중량 퍼센트 범위내의 양을 포함해야 한다. 비스페놀 F형 에폭시 수지의 경우, 바람직하게는 그 양이 에폭시 수지 성분 전체의 약 40 내지 약 50 중량 퍼센트와 같이 약 35 내지 약 65 중량 퍼센트의 범위내이어야 한다.The epoxy resin component of the present invention may include any common epoxy resin, such as a multifunctional epoxy resin. In general, the multifunctional epoxy resin should include an amount in the range of about 15 weight percent to about 75 weight percent of the total epoxy resin component. For bisphenol F type epoxy resins, the amount should preferably be in the range of about 35 to about 65 weight percent, such as about 40 to about 50 weight percent of the total epoxy resin component.

다작용기 에폭시 수지의 예는 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지(예: RE-404-S, 일본 Nippon Kayaku사제), 페놀 노보락형 에폭시 수지, 및 크레졸 노보락형 에폭시 수지(예: “ARALDITE”ECN 1871, Ciba Specialty Chemicals, Hawthorne, New York)를 포함한다.Examples of multifunctional epoxy resins include bisphenol A type epoxy resins, bisphenol F type epoxy resins (e.g. RE-404-S, manufactured by Nippon Kayaku, Japan), phenol novolak type epoxy resins, and cresol novolak type epoxy resins (e.g., “ARALDITE ”ECN 1871, Ciba Specialty Chemicals, Hawthorne, New York.

다른 적당한 에폭시 수지는 N,N,N′, N′-테트라글리시딜-4,4′-디아미노디페닐 메탄, N-디글리시딜-4-아미노페닐 글리시딜 에테르 및 N,N,N′,N′-테트라글리시딜-1,3-프로필렌 비스-4-아미노벤조에이트와 같은 방향족 아민 및 에피클로로히드린 기제의 폴리에폭시 화합물을 포함한다.Other suitable epoxy resins include N, N, N ', N'-tetraglycidyl-4,4'-diaminodiphenyl methane, N-diglycidyl-4-aminophenyl glycidyl ether and N, N Aromatic epoxy amines such as, N ', N'-tetraglycidyl-1,3-propylene bis-4-aminobenzoate and polyepoxy compounds based on epichlorohydrin.

여기서의 사용에 적당한 에폭시 수지 중에는 상표“EPON”828, “EPON”1001, “EPON”1009 및 “EPON”1031과 같은 “EPON”(Shell Chemical사제), “DER”331, “DER”332, “DER”334, 및 “DER”542(Dow Chemical사제) 및 BREN-S(Nippon Kayaku사제)하에 상업적으로 입수가능한 것들과 같은 페놀 화합물의 폴리글리시딜 유도체를 또한 포함한다. 다른 적당한 에폭시 수지는 폴리올 등으로부터 제조되는 폴리에폭시드 및 페놀-포름알데히드 노보락의 폴리글리시딜 유도체를 포함하며, 후자는 “DEN”431, “DEN”438, 및 “DEN”439와 같이 상표“DEN”(Dow Chemical사제)하에 상업적으로 입수가능하다. 크레졸 유사체는 또한 “ARALDITE”ECN 1235, “ARALDITE”ECN 1273, 및 “ARALDITE”ECN 1299(Ciba Specialty Chemicals Corporation사제)와 같은 상표 “ARALDITE”하에 상업적으로 입수가능하다. SU-8은 비스페놀 A형 에폭시 노보락(Interez Inc사제)이다. 아민, 아미노알콜및 폴리카르복실산의 폴리글리시딜 부가물이 또한 본 발명에 유용하며, 상업적으로 입수가능한 수지는 “GLYAMINE”135,“GLYAMINE”125 및“GLYAMINE”115(F.I.C사제), “ARALDITE”MY-720, “ARALDITE”0500 및“ARALDITE”0510(Ciba Specialty Chemicals사제) 그리고 PGA-X 및 PGA-C(Sherwin-Williams사제)를 포함한다.Among the epoxy resins suitable for use herein are EPON, manufactured by Shell Chemical, such as the trademarks “EPON” 828, “EPON” 1001, “EPON” 1009 and “EPON” 1031, “DER” 331, “DER” 332, “ Polyglycidyl derivatives of phenolic compounds such as DER ”334, and“ DER ”542 (manufactured by Dow Chemical) and BREN-S (manufactured by Nippon Kayaku). Other suitable epoxy resins include polyepoxides and polyglycidyl derivatives of phenol-formaldehyde novolacs prepared from polyols and the like, the latter being trademarked as "DEN" 431, "DEN" 438, and "DEN" 439. Commercially available under “DEN” (manufactured by Dow Chemical). Cresol analogs are also commercially available under the trademark “ARALDITE” such as “ARALDITE” ECN 1235, “ARALDITE” ECN 1273, and “ARALDITE” ECN 1299 (manufactured by Ciba Specialty Chemicals Corporation). SU-8 is a bisphenol A epoxy novolak (made by Interez Inc.). Polyglycidyl adducts of amines, aminoalcohols and polycarboxylic acids are also useful in the present invention, and commercially available resins include "GLYAMINE" 135, "GLYAMINE" 125 and "GLYAMINE" 115 (manufactured by FIC), ARALDITE ”MY-720,“ ARALDITE ”0500 and“ ARALDITE ”0510 (manufactured by Ciba Specialty Chemicals) and PGA-X and PGA-C (manufactured by Sherwin-Williams).

물론 다른 에폭시 수지의 조합이 또한 여기서의 사용에 바람직하다.Of course other combinations of epoxy resins are also preferred for use herein.

적어도 하나의 열분해성 결합을 갖는 에폭시 화합물은 다음 화학식:Epoxy compounds having at least one thermally decomposable bond are of the formula:

(화학식 1)(Formula 1)

의 범위내에서 선택될 수 있으며, 여기서 각각의 R은 수소, 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 이소부틸, t-부틸, C1-4알콕시, 할로겐, 시아노 및 니트로 중에서 독립적으로 선택되고, 각각의 R3는 수소, 메틸, 에틸, 프로필, 및 이소프로필 중에서 독립적으로 선택되고, R1및 R2는 수소, 메틸, 에틸, 프로필, 페닐, 톨일, 및 벤질 중에서 각각 독립적으로 선택되며, 단 R1및 R2모두 수소일 수 없으며, m은 0이거나 1이다.And each R is independently selected from hydrogen, methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, t-butyl, C 1-4 alkoxy, halogen, cyano and nitro Each R 3 is independently selected from hydrogen, methyl, ethyl, propyl, and isopropyl, and R 1 and R 2 are each independently selected from hydrogen, methyl, ethyl, propyl, phenyl, tolyl, and benzyl; Provided that neither R 1 nor R 2 can be hydrogen, and m is zero or one.

특히 바람직한 화학식 1의 범위내의 에폭시 화합물은Particularly preferred epoxy compounds within the range of formula (1) are

을 포함한다.It includes.

적어도 하나의 열분해성 결합을 갖는 에폭시 화합물의 에폭시 수지 성분의 존재는 적어도 부분적으로 비작동 조립체로부터 작동 전자부품의 수리, 교체, 회수 및/또는 재작업을 고려한다.The presence of an epoxy resin component of an epoxy compound having at least one thermally decomposable contemplates repair, replacement, recovery and / or rework of the operating electronics at least partially from the non-operating assembly.

이들 에폭시 화합물은 다음의 화학식These epoxy compounds are represented by the formula

(여기서 R, R1, R2, R3및 m은 상기에서 주어진 바와 같음)을 갖는 지방족고리 디엔 에스테르로부터 조제될 수 있으며, 그 자체는 하기의 화학식 A:Wherein R, R 1 , R 2 , R 3 and m are as given above, and may be prepared from an alicyclic ring diene ester, which is per se

(여기서 R, R1, R2, R3및 m은 상기에서 주어진 바와 같음)의 알코올과 화학식 B:Alcohols of formula B, wherein R, R 1 , R 2 , R 3 and m are as given above:

(여기서 R과 R3는 상기에서 주어진 바와 같음)의 범위내의 산 염화물의 축합 생성물이다. 축합반응은 보통 6 내지 18 시간의 기간동안 0 내지 20℃의 범위의 온도에서 무수 극성 용매 중에서 실행된다.Condensation product of an acid chloride in the range where R and R 3 are as given above. The condensation reaction is usually carried out in an anhydrous polar solvent at a temperature in the range of 0 to 20 ° C. for a period of 6 to 18 hours.

디엔 에스테르를 에폭시드화하기 위해서, 과산(과아세트산, 과벤조산, 메타-클로로페르벤조산 등과 같은)이 사용될 수도 있으며, 반응은 디엔 에스테르의 에폭시드화가 일어날때까지 실행되는 데 통상 2 내지 18 시간내이다.In order to epoxidize the diene ester, peracids (such as peracetic acid, perbenzoic acid, meta-chloroperbenzoic acid, etc.) may be used and the reaction is usually carried out within 2 to 18 hours until epoxidation of the diene ester takes place. .

무기 충전재 성분으로서, 많은 재료가 잠재적으로 유용하다. 예를 들어, 무기 충전재 성분은 융해실리카와 같은 보강용 실리카를 종종 포함할 수 있으며, 그 표면의 화학적 성질을 변경시키기 위해 미처리 또는 처리될 수도 있다. 실질적으로 어떤 보강용 융해실리카도 사용될 수도 있다.As an inorganic filler component, many materials are potentially useful. For example, the inorganic filler component may often include reinforcing silica, such as fused silica, and may be untreated or treated to alter the chemical properties of its surface. Virtually any reinforcing fusion silica may be used.

특히 바람직한 하나는 SO-E5(Admatechs사제, 일본)의 상표하에 상업적으로 입수가능한 실리카와 같이 저이온 농도를 가지고 비교적 입자크기(예컨대 약 2 마이크론의 오더와 같이 약 2-10 마이크론의 범위내)가 작다.One particularly preferred one is a low ion concentration, such as silica commercially available under the trademark SO-E5 (manufactured by Admatechs, Japan) and has a relatively particle size (in the range of about 2-10 microns, such as an order of about 2 microns). small.

무기 충전재 성분으로서 사용을 위한 다른 바람직한 재료는 산화 알루미늄, 질화규소, 질화알루미늄, 실리카코팅 질화알루미늄, 질화붕소 및 그 조합으로 구성되거나 함유하는 것들을 포함한다.Other preferred materials for use as inorganic filler components include those consisting or containing aluminum oxide, silicon nitride, aluminum nitride, silica coated aluminum nitride, boron nitride, and combinations thereof.

경화제 성분은 본 발명의 조성물의 에폭시 수지성분의 중합화를 촉진할 수 있는 재료를 포함해야 한다. 본 발명에 사용하기에 바람직한 경화제는 무수성분, 아민 화합물, 아미드 화합물 및 이미다졸 화합물과 같은 질소함유 성분, 그리고 그 조합을 포함한다.The curing agent component should include a material capable of promoting polymerization of the epoxy resin component of the composition of the present invention. Preferred curing agents for use in the present invention include nitrogen-containing components such as anhydrides, amine compounds, amide compounds and imidazole compounds, and combinations thereof.

여기에서의 사용에 적절한 무수 화합물은 헥사히드로프탈 무수물(“HHPA”) 및 메틸 헥사히드로프탈 무수물(“MHHPA”)(Columbia, South Carolina소재의 Lindau Chemicals, Inc.로부터 상업적으로 입수가능하며, 개별적으로 또는 조합으로 사용되며, 그 조합은 상품명 “LINDRIDE”62C로 입수가능함) 및 5-(2,5-디옥소테트라히드롤)-3-메틸-3-시클로헥센-1,2-디카르복실 무수물(Leewood, Kansas 소재의 ChrisKev Co.로부터 상품명 B-4400하에 상업적으로 입수가능함)과 같은 모노- 및 폴리-무수물을 포함한다.Anhydrous compounds suitable for use herein are commercially available from hexahydrophthal anhydride (“HHPA”) and methyl hexahydrophthal anhydride (“MHHPA”) (Lindau Chemicals, Inc., Columbia, South Carolina, individually). Or in combination, which combinations are available under the trade names “LINDRIDE” 62C) and 5- (2,5-dioxotetrahydro) -3-methyl-3-cyclohexene-1,2-dicarboxylic anhydride Mono- and poly-anhydrides (commercially available under the trade name B-4400 from ChrisKev Co., Leewood, Kansas).

물론, 이들 무수 화합물의 조합은 또한 본 발명의 조성물에서의 사용에 바람직하다.Of course, combinations of these anhydride compounds are also preferred for use in the compositions of the present invention.

아민화합물의 예는 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌테트라아민 및 디에틸아미노프로필아민과 같은 지방족 폴리아민, m-크실렌디아민 및 디아미노디페닐아민과 같은 지방족 폴리아민, 그리고 이소포론디아민 및 멘텐디아민과 같은 지방족고리 폴리아민을 포함한다.Examples of amine compounds are aliphatic polyamines such as diethylenetriamine, triethylenetetraamine and diethylaminopropylamine, aliphatic polyamines such as m-xylenediamine and diaminodiphenylamine, and aliphatic such as isophoronediamine and mentendiamine Cyclic polyamines.

물론 이들 아민 화합물의 조합 역시 본 발명의 조성물에서의 사용에 바람직하다.Combinations of these amine compounds are of course also preferred for use in the compositions of the present invention.

아미드 화합물의 예는 디시안디아미드와 같은 시아노작용기화 아미드를 포함한다.Examples of amide compounds include cyanofunctionalized amides such as dicyandiamide.

이미다졸 화합물은 이미다졸, 이소이미다졸 및 알킬치환 이미다졸(예컨대 2-메틸 이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2,4-디메틸이미다졸, 부틸이미다졸, 2-헵타데세닐-4-메틸이미다졸, 2-메틸이미다졸, 2-운데세닐이미다졸, 1-비닐-2-메틸이미다졸, 2-n-헵타데실이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-프로필-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-구안아미노에틸-2-메틸이미다졸 그리고 이미다졸 및 트리멜리틴산의 부가 생성물인 2-n-헵타데실-4-메틸이미다졸 등으로, 대체로 각각의 알킬치환기는 약 17 탄소원자까지 바람직하게는 약 6 탄소원자까지 함유한다)과 아릴치환 이미다졸[예컨대 페닐이미다졸, 벤질이미다졸, 2-메틸-4,5-디페닐이미다졸, 2,3,5-트리페닐이미다졸, 2-스티릴이미다졸, 1-(도데실 벤질)-2-메틸이미다졸, 2-(2-히드록실-4-t-부틸페닐)-4,5-디페닐이미다졸, 2-(2-메톡시페닐)-4,5-디페닐이미다졸, 2-(3-히드록시페닐)-4,5-디페닐이미다졸, 2-(p-디메틸아미노페닐)-4,5-디페닐이미다졸, 2-(2-히드록시페닐)-4,5-디페닐이미다졸, 디(4,5-디페닐-2-이미다졸)-벤젠-1,4,2-나프틸-4,5-디페닐이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 2-p-메톡시스티릴이미다졸 등이며, 대체로 각각의 아릴 치환기는 약 10 탄소원자까지 그리고 바람직하게는 약 8 탄소원자까지 함유한다]과 같은 치환 이미다졸 중에서 선택될 수 있다.Imidazole compounds include imidazoles, isimidazoles and alkylsubstituted imidazoles (eg 2-methyl imidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2,4-dimethylimidazole, butylimidazole, 2- Heptadecenyl-4-methylimidazole, 2-methylimidazole, 2-undecenylimidazole, 1-vinyl-2-methylimidazole, 2-n-heptadecylimidazole, 2-unde Silimidazole, 2-heptadecylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-propyl-2-methylimidazole, 1-cyano Ethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenyl Midiazole, 1-guanaminoethyl-2-methylimidazole and 2-n-heptadecyl-4-methylimidazole, which is an addition product of imidazole and trimellitic acid, generally each alkyl substituent is about 17 Up to carbon atoms, preferably up to about 6 carbon atoms) and aryl-substituted imidazoles (eg, Nilimimidazole, benzylimidazole, 2-methyl-4,5-diphenylimidazole, 2,3,5-triphenylimidazole, 2-styrylimidazole, 1- (dodecyl benzyl ) -2-methylimidazole, 2- (2-hydroxy-4-t-butylphenyl) -4,5-diphenylimidazole, 2- (2-methoxyphenyl) -4,5-di Phenylimidazole, 2- (3-hydroxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole, 2- (p-dimethylaminophenyl) -4,5-diphenylimidazole, 2- (2- Hydroxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole, di (4,5-diphenyl-2-imidazole) -benzene-1,4,2-naphthyl-4,5-diphenylimidazole , 1-benzyl-2-methylimidazole, 2-p-methoxystyrylimidazole, etc., and generally each aryl substituent contains up to about 10 carbon atoms and preferably up to about 8 carbon atoms. The same substituted imidazole.

상업적인 이미다졸 화합물의 예는 상표명 "CUREZOL" 1B2MZ(펜실베니아주 알렌타운 소재 Air Products사제) 및 상표명 "ACTIRON" NXJ-60(노스캐롤라이나 모르간톤 소재 Synthron사제)으로 입수가능하다.Examples of commercial imidazole compounds are available under the trade name "CUREZOL" 1B2MZ (available from Air Products, Allentown, Pennsylvania) and under the trade name "ACTIRON" NXJ-60 (from Synthron, Morganton, NC).

물론, 이들 이미다졸 화합물의 조합 또한 본 발명의 조성물에서의 사용에 바람직하다.Of course, combinations of these imidazole compounds are also preferred for use in the compositions of the present invention.

경화제 성분은 에폭시 수지 100 부 당 약 5 내지 약 40 중량부와 같이 에폭시 수지 100 부 당 약 5 내지 약 40 중량부의 양으로 사용될 수 있다.The curing agent component may be used in an amount of about 5 to about 40 parts by weight per 100 parts of epoxy resin, such as about 5 to about 40 parts by weight per 100 parts of epoxy resin.

그 밖에, 조성물은 실란 및/또는 티탄산염과 같은 유동화제를 또한 포함할 수도 있다.In addition, the composition may also include a glidant such as silane and / or titanate.

여기에서의 사용에 적당한 실란은 옥틸 트리메톡시 실란(상품명 A-137,Danbury, Connecticut소재 OSI Specialties Co.로부터 상업적으로 입수가능함) 및 메타크릴옥시 프로필 트리메톡시 실란(상품명 A-174로 OSI로부터 상업적으로 입수가능함)을 포함한다.Suitable silanes for use herein are octyl trimethoxy silane (commercially available from OSI Specialties Co., Danbury, Connecticut) and methacryloxy propyl trimethoxy silane (trade name A-174 from OSI). Commercially available).

여기에서의 사용에 적당한 티탄산염은 티타늄 IV 테트라키스 [2,2-비스[(2-프로페닐옥시)메틸]-1-부탄올아토-0] [비스(디트리데실포스피토-0), 이수소]2(Bayonne, New Jersey소재 Kenrich Petrochemical Inc.제의 상품명 KR-55로 상업적으로 입수가능함)을 포함한다.Suitable titanates for use herein include titanium IV tetrakis [2,2-bis [(2-propenyloxy) methyl] -1-butanolato--0] [bis (ditridecylphosphito-0), Hydrogen] 2 (commercially available under the trade name KR-55 from Kenrich Petrochemical Inc. of Bayonne, New Jersey).

사용될 때, 유동화제는 에폭시 수지의 100 부 당 0 내지 약 2 중량부의 양으로 사용될 수 있다.When used, the glidant may be used in an amount of from 0 to about 2 parts by weight per 100 parts of epoxy resin.

그 밖에, 실란, 글리시딜 트리메톡시실란 (OSI사의 상품명 A-187으로 상업적으로 입수가능함) 또는 감마-아미노 프로필 트리에톡시실란(OSI사의 상품명 A-1100으로 상업적으로 입수가능함)같은 부착증진제가 사용될 수도 있다.In addition, enhanced adhesion such as silane, glycidyl trimethoxysilane (commercially available under the trade name A-187 from OSI) or gamma-amino propyl triethoxysilane (commercially available under the trade name A-1100 from OSI) I can also be used.

시안산염 에스테르가 또한 본 발명의 조성물에 사용될 수 있다. 본 발명의 조성물의 성분으로서 유용한 시안산염 에스테르는 디시아나토벤젠, 트리시아나토벤젠, 디시아나토나프탈렌, 트리시아나토나프탈렌, 디시아나토비페닐, 비스(시아나토페닐)메탄 및 그 알킬 유도체, 비스(디할로시아나토페닐)프로판, 비스(시아나토페닐)에테르, 황화 비스(시아나토페닐), 비스(시아나토페닐)프로판, 아인산 트리스(시아나토페닐), 인산 트리스(시아나토페닐), 비스(할로시아나토페닐)메탄, 시안산화 노보락, 비스[시아나토페닐(메틸에틸리덴)]벤젠, 시안산화 비스페놀종결 열가소성 올리고머 및 그 조합 중에서 선택될 수 있다.Cyanate esters may also be used in the compositions of the present invention. Cyanate esters useful as components of the compositions of the present invention include dicyanatobenzene, tricyanatobenzene, dicyanatonaphthalene, tricyanatonaphthalene, dicyanatobiphenyl, bis (cyanatophenyl) methane and alkyl derivatives thereof, bis (dihal Rocyanatophenyl) propane, bis (cyanatophenyl) ether, bis (cyanatophenyl) sulfide, bis (cyanatophenyl) propane, tris phosphoric acid (cyanatophenyl), tris phosphoric acid (cyanatophenyl), bis (halo Cyanatophenyl) methane, cyanated novolak, bis [cyanatophenyl (methylethylidene)] benzene, cyanated bisphenol terminated thermoplastic oligomer and combinations thereof.

더욱 구체적으로, 각 분자상 적어도 하나의 시안산염 에스테르기를 가지고 대체로 화학식 Ar(OCN)m로 표시되는 아릴화합물이다(여기서 Ar은 방향족 라디칼이고 m은 2 내지 5의 정수임). 방향족 라디칼 Ar은 적어도 6 탄소원자를 포함해야 하며, 예컨대 벤젠, 비페닐, 나프탈렌, 안트라센, 피렌 등과 같은 방향족 탄화수소로부터 유도될 수 있다. 방향족 라디칼 Ar은 또한 적어도 2 방향족 고리가 다리원자단을 통해 서로 부착된 다핵 방향족 탄화수소로부터 유도될 수 있다. 또한 노보락타입 페놀 수지로부터 유도된 방향족 라디칼, 즉 이들 페놀수지의 시안산염 에스테르가 포함된다. 방향족 라디칼 Ar은 또한 고리부착, 비반응성 치환기를 더 함유할 수 있다.More specifically, it is an aryl compound having at least one cyanate ester group on each molecule and generally represented by the formula Ar (OCN) m (where Ar is an aromatic radical and m is an integer of 2 to 5). The aromatic radical Ar must contain at least 6 carbon atoms and can be derived from aromatic hydrocarbons such as benzene, biphenyl, naphthalene, anthracene, pyrene and the like. Aromatic radicals Ar can also be derived from multinuclear aromatic hydrocarbons in which at least two aromatic rings are attached to each other via bridging groups. Also included are aromatic radicals derived from novolak type phenolic resins, ie cyanate esters of these phenolic resins. Aromatic radicals Ar may also further contain ringed, unreactive substituents.

그러한 시안산염 에스테르의 예는 예컨대 1,3-디시아나토벤젠; 1,4-디시아나토벤젠, 1,3,5-트리시아나토벤젠, 1,3-, 1,4-, 1,6-, 1,8-, 2,6- 또는 2,7- 디시아나토나프탈렌, 1,3,6-트리시아나토나프탈렌, 4,4′-디시아나토-비페닐, 비스(4-시아나토페닐)메탄 및 3,3′,5,5′-테트라메틸 비스(4-시아나토페닐)메탄, 2,2-비스 (3,5-디클로로-4-시아나토페닐)프로판, 2,2-비스(3,5-디브로모-4-디시아나토페닐)프로판, 비스(4-시아나토페닐)에테르, 황화 비스(4-시아나토페닐), 2,2-비스(4-시아나토페닐)프로판, 아인산 트리스(4-시아노페닐), 인산 트리스(4-시아나토페닐), 비스(3-클로로-4-시아나토페닐)메탄, 시안산화 노보락, 1,3-비스[4-시아나토페닐-1-(메틸에틸리덴)]벤젠 및 시안산염화 비스페놀종결 폴리카보네이트 또는 다른 열가소성 올리고머를 포함한다.Examples of such cyanate esters are, for example, 1,3-dicyanatobenzene; 1,4-dicyanatobenzene, 1,3,5-tricyanatobenzene, 1,3-, 1,4-, 1,6-, 1,8-, 2,6- or 2,7-diciana Tonaphthalene, 1,3,6-tricyanatonaphthalene, 4,4′-dicyanato-biphenyl, bis (4-cyanatophenyl) methane and 3,3 ′, 5,5′-tetramethyl bis (4 -Cyanatophenyl) methane, 2,2-bis (3,5-dichloro-4-cyanatophenyl) propane, 2,2-bis (3,5-dibromo-4-dicyanatophenyl) propane, Bis (4-cyanatophenyl) ether, bis (4-cyanatophenyl) sulfide, 2,2-bis (4-cyanatophenyl) propane, phosphite tris (4-cyanophenyl), tris phosphate (4-sia Nattophenyl), bis (3-chloro-4-cyanatophenyl) methane, cyanated novolak, 1,3-bis [4-cyanatophenyl-1- (methylethylidene)] benzene and cyanated bisphenol Terminating polycarbonates or other thermoplastic oligomers.

다른 시안산염 에스테르는 각각 여기서 명백히 참고로 포함된 미국 특허 제4,477,629호 및 제4,528,366호에 개시된 시안산염을 포함하고, 각각 여기서 참고로 명백히 포함된 영국 특허 제1,305,702호에 개시된 시안산염 에스테르, 및 국제 특허공보 WO 85/02184에 개시된 시안산염 에스테르를 포함한다. 물론, 본 발명의 조성물의 이미다졸 성분의 범위내의 이들 시안산염 에스테르의 조합 역시 여기서 바람직하게 사용된다.Other cyanate esters each include cyanate salts disclosed in US Pat. Nos. 4,477,629 and 4,528,366, which are expressly incorporated herein by reference, and cyanate esters disclosed in British Patent No. 1,305,702, each of which is expressly incorporated herein by reference, and international patents. Cyanate esters disclosed in publication WO 85/02184. Of course, combinations of these cyanate esters within the range of the imidazole component of the composition of the present invention are also preferably used here.

여기에서의 사용에 특히 바람직한 시안산염 에스테르는 상품명“AROCY”L10 [1,1-디(4-시아나토페닐에탄)]으로 Tarrytown, New York소재 Ciba Specialty Chemicals로부터 상업적으로 입수가능하다.Particularly preferred cyanate esters for use herein are commercially available from Ciba Specialty Chemicals, Tarrytown, New York under the trade name “AROCY” L10 [1,1-di (4-cyanatophenylethane)].

사용될 때, 시안산염 에스테르는 에폭시 수지 성분의 총량을 기준으로 약 1 내지 약 20 중량 퍼센트의 양으로 사용될 수 있다.When used, cyanate esters may be used in amounts of about 1 to about 20 weight percent based on the total amount of epoxy resin component.

또한 통상적인 첨가제가 본 발명의 조성물에 사용되어 조성물, 경화된 반응생성물, 또는 양쪽 모두의 어느 정도의 바람직한 물리적 특성을 달성할 수 있다.Conventional additives may also be used in the compositions of the present invention to achieve some desirable physical properties of the composition, the cured reaction product, or both.

예를 들어, 어떤 경우(특히 많은 양의 무기 충전재 성분이 사용되는 경우)에는 반응성 희석제로서 에폭시 수지 성분을 위한 반응성 공단량체 성분을 포함함이 바람직할 수 있다.For example, in some cases (particularly where large amounts of inorganic filler components are used), it may be desirable to include reactive comonomer components for the epoxy resin component as reactive diluents.

여기서의 사용에 적당한 반응성 희석제는 단일작용기성 또는 어떤 다작용기성 에폭시 수지를 포함할 수 있다. 반응성 희석제는 에폭시 수지 성분보다 낮은 점도를 가져야 한다. 보통, 반응성 희석제는 약 250 cps보다 작은 점도를 가져야 한다. 만일 그러한 단작용성 에폭시 수지가 반응성 희석제로서 포함되는 경우에, 그러한 수지는 전체 에폭시 수지 성분을 기준으로 약 50 부까지의 양으로 사용되어야 한다.Reactive diluents suitable for use herein may include monofunctional or any polyfunctional epoxy resin. The reactive diluent should have a lower viscosity than the epoxy resin component. Usually, the reactive diluent should have a viscosity of less than about 250 cps. If such monofunctional epoxy resins are included as reactive diluents, such resins should be used in amounts up to about 50 parts based on the total epoxy resin component.

단일작용기성 에폭시 수지는 약 6 내지 약 28 탄소원자의 알킬기를 갖는 에폭시기를 가져야 하며, 그 예는 C6-28알킬 글리시딜 에테르, C6-28지방산 글리시딜 에스테르 및 C6-28알킬페놀 글리시딜 에테르를 포함한다.The monofunctional epoxy resin should have an epoxy group having an alkyl group of about 6 to about 28 carbon atoms, examples being C 6-28 alkyl glycidyl ether, C 6-28 fatty acid glycidyl ester and C 6-28 alkylphenol Glycidyl ethers.

상업적으로 입수가능한 단일작용기성 에폭시 수지 반응성 희석제는 상품명 PEP-6770 (네오데칸돈산의 글리시딜 에스테르), PEP-6740 (페닐 글리시딜 에테르) 및 PEP-6741 (부틸 글리시딜 에테르)의 Richmond, Michigan 소재 Pacific Epoxy Polymer사의 희석제를 포함한다.Commercially available monofunctional epoxy resin reactive diluents are Richmond under the trade names PEP-6770 (glycidyl ester of neodecandonic acid), PEP-6740 (phenyl glycidyl ether) and PEP-6741 (butyl glycidyl ether) And a diluent from Pacific Epoxy Polymer of Michigan.

상업적으로 입수가능한 다작용기성 에폭시 수지 반응성 희석제는 상품명 PEP-6752 (트리메틸올프로판 트리글리시딜 에테르) 및 PEP-6760 (디글리시딜 아닐린)의 Pacific Epoxy Polymer사의 것을 포함한다.Commercially available multifunctional epoxy resin reactive diluents include those of Pacific Epoxy Polymers under the trade names PEP-6752 (trimethylolpropane triglycidyl ether) and PEP-6760 (diglycidyl aniline).

본 발명의 조성물은 또한 소포제, 평준화제, 염료 및 안료같은 다른 첨가제를 포함할 수 있다. 더욱이, 광중합화반응 개시제가 여기에 포함될 수 있으며, 단 그러한 개시제는 조성물 또는 그로부터 형성된 반응 생성물의 특성에 불리하게 작용하지 않아야 한다.The composition of the present invention may also include other additives such as antifoams, leveling agents, dyes and pigments. Moreover, photopolymerization initiators can be included herein, provided that such initiators do not adversely affect the properties of the composition or reaction products formed therefrom.

본 발명의 열경화성 수지 조성물은 모든 성분이 함께 섞여 있는 1-팩 타입이거나, 또는 경화성 성분(들)이 한 부분으로 포함되고 경화제가 제 2 부분내에 분리저장되어 바로 사용 전에 함께 섞이는 2-팩 타입의 것일 수 있다.The thermosetting resin composition of the present invention may be of a one-pack type in which all components are mixed together, or of a two-pack type in which the curable component (s) are contained in one portion and the curing agent is stored separately in the second portion and mixed together immediately before use. It may be.

사용 중에, 본 발명에 따른 열경화성 수지 조성물은 반도체 칩과 회로기판 사이의 공간으로 용이하게 침투하여 흐르거나, 가열 또는 사용조건하에서 적어도 점도의 감소를 나타내어 용이하게 침투하여 흐를 수 있다.During use, the thermosetting resin composition according to the present invention can easily penetrate and flow into the space between the semiconductor chip and the circuit board, or can easily penetrate and flow with at least a decrease in viscosity under heating or use conditions.

일반적으로, 본 발명의 열경화성 수지 조성물을, 회로기판과 반도체 디바이스사이의 공간(예컨대 10 내지 200㎛의)내로 침투하는 능력을 개선하기 위해, 무기 충전재 성분의 존재하는(있다면) 양에 의존하여, 25℃의 온도에서 800 내지 3,000 cps와 같이 500 내지 70,000 cps의 범위내의 점도에 달하도록 여러 성분의 종류와 비율을 선택하여 조제함이 바람직하다. 이러한 점도에서, 조성물의 겔화 시간은 약 150℃의 온도에서 지정시간(15초, 혹은 1 또는 2 분과 같이)으로 맞춰질 것이다. 그러한 경우에, 본 발명의 조성물은 약 6 시간의 기간 후에 점도의 증가를 보이지 않거나 실질적으로 보이지 않아야 한다. 그러한 겔화 시간으로, 조성물은 회로기판과 반도체 디바이스 사이의 공간(예컨대 10 내지 200㎛의)에 비교적 급속하게 침투하여, 사용에 덜 효과적이게 하는 조성물내의 점도 증가를 관찰함이 없이 더 많은 조립체가 충진되도록 한다.Generally, depending on the amount (if any) of the inorganic filler component, in order to improve the ability to penetrate the thermosetting resin composition of the present invention into the space (such as between 10 and 200 μm) between the circuit board and the semiconductor device, It is preferable to select and prepare various kinds and ratios of various components so as to reach a viscosity in the range of 500 to 70,000 cps, such as 800 to 3,000 cps, at a temperature of 25 ° C. At this viscosity, the gelling time of the composition will be set to a specified time (such as 15 seconds, or 1 or 2 minutes) at a temperature of about 150 ° C. In such cases, the compositions of the present invention should show no or substantially no increase in viscosity after a period of about 6 hours. With such gelation time, the composition penetrates relatively rapidly into the space between the circuit board and the semiconductor device (such as 10 to 200 μm), filling more assemblies without observing an increase in viscosity in the composition that makes it less effective for use. Be sure to

도 1의 참조는 본 발명의 열경화성 수지 조성물이 사용되어 경화된 실장 구조물(즉, FC 패키지)을 도시한다.1 shows a mounting structure (ie, FC package) cured using the thermosetting resin composition of the present invention.

FC 패키지(4)는 캐리어 기판(1)(예컨대 회로기판)에 반도체 칩(나칩)을 접속하고 열경화성 수지 조성물(3)로 적합하게 그 사이의 공간을 밀봉하여 형성된다.The FC package 4 is formed by connecting a semiconductor chip (nachip) to the carrier substrate 1 (for example, a circuit board) and sealing the space therebetween suitably with the thermosetting resin composition 3.

더욱 구체적으로, 예컨대, SBB 기술을 사용한 FC 반도체 디바이스의 조립체내에서, 반도체 칩(2)은 전도성 접착 페이스트(금속충진 에폭시와 같은)을 가지는 기판을 가로질러 반도체 칩(2)상에 막을 형성한다. 막은 통상적으로 프린트 메커니즘에 의해 형성된다. 전도성 접착 페이스트는 캐리어 기판이나 반도체 칩상에 사용될 수 있다. 이를 행하기 위한 한 방법은 국제특허공보 제PCT/FR95/00898호에 청구되고 기술된 스텐실을 사용하는 것이다. 다르게는, 이러한 접속은 이방성 전도성 접착제에 의해 이루어질 수도 있다(참조: 국제특허공보 제PCT/US97/13677호).More specifically, for example, in an assembly of an FC semiconductor device using SBB technology, the semiconductor chip 2 forms a film on the semiconductor chip 2 across a substrate having a conductive adhesive paste (such as a metal filled epoxy). . The film is typically formed by a print mechanism. Conductive adhesive pastes can be used on carrier substrates or semiconductor chips. One way to do this is to use a stencil as claimed and described in International Patent Publication No. PCT / FR95 / 00898. Alternatively, such a connection may be made by an anisotropic conductive adhesive (see International Patent Publication No. PCT / US97 / 13677).

그 후에, 반도체 칩(2)은, 반도체 칩(2)이 캐리어 기판(1)상의 전극(5 및 6)과 정렬될 수 있는 방식으로 캐리어 기판(1) 상에 위치하여, 전도성 접착 페이스트 또는 땜납의 패턴 막(7 및 8)으로 이제 코팅된다. 전도성 접착 페이스트는, 통상적으로 가열 경화 메커니즘이 사용되기는 하지만, 여러 방법에 의해 경화될 수 있다.Thereafter, the semiconductor chip 2 is positioned on the carrier substrate 1 in such a way that the semiconductor chip 2 can be aligned with the electrodes 5 and 6 on the carrier substrate 1, thereby forming a conductive adhesive paste or solder. Is now coated with the pattern films 7 and 8. The conductive adhesive paste can be cured by a number of methods, although typically a heat curing mechanism is used.

신뢰성을 향상시키기 위하여, 반도체 칩(2)과 캐리어 기판(1) 사이의 공간은 열경화성 수지 조성물(3)로 밀봉된다. 열경화성 수지 조성물의 경화 생성물은 그 공간을 완전하게 충진해야 한다.In order to improve the reliability, the space between the semiconductor chip 2 and the carrier substrate 1 is sealed with the thermosetting resin composition 3. The cured product of the thermosetting resin composition should completely fill the space.

반도체 칩은 환경적 부식에 대한 보호막을 치기 위해 통상적으로 폴리이미드-, 벤조시클로부탄- 또는 질화실리콘 기재로 코팅된다.Semiconductor chips are typically coated with a polyimide-, benzocyclobutane- or silicon nitride substrate to strike a protective film against environmental corrosion.

캐리어 기판은 Al2O3, SiN3및 멀라이트(Al2O3-SiO2)의 세라믹 기판, 폴리이미드와 같은 내열성 수지의 기판 또는 테이프, 유리보강 에폭시, 통상적으로 회로기판으로도 사용되는 ABS 및 페놀 기판 등으로 구성될 수 있다. 고융해 땜납 또는 전기적(또는 이방성) 전도성 접착제 등에 의한 접속같은, 캐리어 기판에 대한 반도체 칩의 임의의 전기적 접속이 사용될 수 있다. 접속을 용이하게 하기 위해, 특히 SBB 기술에서는, 전극이 와이어 결합 범프로서 형성될 수도 있다.The carrier substrate is a ceramic substrate of Al 2 O 3 , SiN 3 and mullite (Al 2 O 3 -SiO 2 ), a substrate or tape of a heat resistant resin such as polyimide, glass-reinforced epoxy, ABS which is also commonly used as a circuit board. And phenol substrates. Any electrical connection of the semiconductor chip to the carrier substrate may be used, such as connection by high melting solder or electrically (or anisotropic) conductive adhesive or the like. In order to facilitate the connection, in particular in SBB technology, the electrodes may be formed as wire bond bumps.

반도체 칩이 캐리어 기판에 전기적으로 접속된 후, 결과의 구조물은 보통 연속성 시험 등을 받는다. 그러한 시험을 통과한 후, 하기와 같이, 반도체 칩은 열경화성 수지 조성물로 고정될 수 있다. 이러한 방식에서, 실패할 경우에, 반도체 칩은 열경화성 수지 조성물로 캐리어 기판에 고정되기 전에 제거될 수 있다.After the semiconductor chip is electrically connected to the carrier substrate, the resulting structure is usually subjected to continuity tests and the like. After passing such a test, the semiconductor chip can be fixed with a thermosetting resin composition as follows. In this manner, in case of failure, the semiconductor chip can be removed before being fixed to the carrier substrate with the thermosetting resin composition.

디스펜서같은 적당한 사용 수단을 사용하여, 본 발명에 따른 열경화성 수지 조성물은 전기적으로 접속된 반도체 칩의 주변에 사용된다. 본 조성물은 모세관 작용에 의해 캐리어 기판과 반도체 칩사이의 공간내로 침투한다.Using suitable means of use, such as a dispenser, the thermosetting resin composition according to the invention is used around the electrically connected semiconductor chip. The composition penetrates into the space between the carrier substrate and the semiconductor chip by capillary action.

열경화성 수지 조성물은 그 다음 가열에 의해 열경화된다. 이러한 가열의 초기 단계 중에, 열경화성 수지 조성물은 점도가 상당히 감소되므로써 유동성에서 증가를 나타내므로, 캐리어 기판과 반도체 칩 사이의 공간내로 보다 용이하게 침투할 수 있게 된다. 더욱이, 캐리어 기판을 예열하므로써, 열경화성 수지 조성물은 캐리어 기판과 반도체 칩 사이의 전체 공간내로 완전히 침투될 수 있다.The thermosetting resin composition is then thermally cured by heating. During this initial stage of heating, the thermosetting resin composition exhibits an increase in fluidity, with a significant decrease in viscosity, making it easier to penetrate into the space between the carrier substrate and the semiconductor chip. Moreover, by preheating the carrier substrate, the thermosetting resin composition can fully penetrate into the entire space between the carrier substrate and the semiconductor chip.

본 발명의 열경화성 수지 조성물은 보통 약 0.5 내지 30 분의 시간 동안 약 120 내지 약 180℃의 범위내의 온도까지 가열되어 경화될 수 있다. 하지만, 대체로 조성물의 사용 후, 약 1 분의 초기 경화 시간으로 조성물은 세트업되고 165℃에서 약 5 내지 약 15 분 후에 완전한 경화가 관찰된다. 따라서, 본 발명의 조성물은 비교적 중간 온도와 단시간 경화 조건에서 사용될 수 있으므로, 매우 양호한 생산성을 달성한다.The thermosetting resin composition of the present invention can be cured by heating to a temperature in the range of about 120 to about 180 ° C. for a time of about 0.5 to 30 minutes. In general, however, after use of the composition, the composition is set up with an initial curing time of about 1 minute and complete curing is observed after about 5 to about 15 minutes at 165 ° C. Thus, the compositions of the present invention can be used at relatively intermediate temperatures and short curing conditions, thus achieving very good productivity.

열경화성 수지 조성물의 양은 적당하게 조절되어 캐리어 기판과 반도체 칩 사이의 공간을 거의 완전히 채울 수 있어야 하며, 물론 그 양은 사용에 따라 변할 수 있다.The amount of thermosetting resin composition should be properly adjusted to be able to almost completely fill the space between the carrier substrate and the semiconductor chip, and of course the amount can vary depending on the use.

본 발명의 열경화성 수지 조성물의 경화 반응 생성물은 여기서 사용되는 적용을 위한 탁월한 접착력, 내열성 및 전기적 특성, 그리고 굽힘크래킹 저항성, 내화학성, 내습성 등과 같은 만족스러운 기계적 특성을 나타낸다.The curing reaction product of the thermosetting resin composition of the present invention exhibits excellent adhesion, heat and electrical properties, and satisfactory mechanical properties such as bending cracking resistance, chemical resistance, moisture resistance, and the like for the applications used herein.

본 발명의 열경화성 수지 조성물을 사용함에 의한 실장 방법에서, 반도체 디바이스가 상기한 회로기판상에 실장된 후, 결과의 구조물은 반도체 디바이스의 특성, 반도체 디바이스와 회로기판 사이의 접속, 다른 전기적 특성, 및 밀봉 상태에 관하여 테스트된다. 실패가 확인되는 경우에는, 다음의 방식 및 도 2에 묘사되는 플로우 다이아그램에 나타난 대로 수리될 수 있다.In the mounting method by using the thermosetting resin composition of the present invention, after the semiconductor device is mounted on the circuit board described above, the resulting structure is characterized by the characteristics of the semiconductor device, the connection between the semiconductor device and the circuit board, other electrical characteristics, and Tested for sealing. If a failure is identified, it can be repaired as shown in the following manner and the flow diagram depicted in FIG.

실패한 반도체 디바이스 주변 영역이 약 10 초 내지 약 1 분 범위의 시간 동안 약 190 내지 약 260℃의 온도에서 가열된다(참조: 도 2, 제1 단계). 바람직하게는, 온도가 약 210 내지 약 220℃의 범위 내에서 유지되어야 하고 시간은 30 초 내지 1 분의 범위 내이어야 한다. 특별한 제한이 가열이 일어나는 방식에 주어지지 않지만, 가열 총에 의해 실패한 부위에 열기를 적용하는 것과 같은 국부적 가열이 특히 바람직하다.The region around the failed semiconductor device is heated at a temperature of about 190 to about 260 ° C. for a time ranging from about 10 seconds to about 1 minute (see FIG. 2, first step). Preferably, the temperature should be maintained in the range of about 210 to about 220 ° C. and the time should be in the range of 30 seconds to 1 minute. No particular limitation is given to the manner in which the heating takes place, but local heating is particularly preferred, such as applying hot air to the site that has failed by the heating gun.

땜납이 융해되고 결합강도를 감소시키는 부분적 분해에 의해 수지가 연화되자마자, 반도체 디바이스를 트위저 또는 플라이어 등을 사용하여 잡아 끊어 기판으로부터 제거할 수 있다.As soon as the resin is softened by partial dissolution that melts the solder and reduces the bond strength, the semiconductor device can be broken and removed from the substrate using a tweezer or pliers or the like.

반도체 디바이스(4)가 제거된 후에, 열경화성 수지 조성물의 경화 반응 생성물의 잔류물과 땜납의 잔류물이 회로기판(5) 상에 잔존한다. 열경화성 수지 조성물의 경화 생성물의 잔류물은 예컨대 예정된 온도까지 가열하여 잔류물이 연화된 후에 긁어내므로써 제거될 수 있다.After the semiconductor device 4 is removed, residues of the curing reaction product of the thermosetting resin composition and residues of the solder remain on the circuit board 5. The residue of the cured product of the thermosetting resin composition can be removed, for example, by heating to a predetermined temperature and scraping off the residue after it has softened.

땜납의 잔류물은 예컨대 땜납흡수 편조선의 사용에 의해 제거될 수 있다(참조: 도 2, 제2 단계).Residues of the solder can be removed, for example, by the use of solder absorption braids (see FIG. 2, second step).

최종적으로, 새 반도체 칩을 상기 방식으로 회로기판(상기와 같이 깨끗해진) 상에 다시 실장할 수 있다(참조: 도 2, 제3 단계). 실장후, 본 발명에 따른 열경화성 수지 조성물이 반도체 디바이스와 회로기판 사이의 영역에 분배될 수 있다(참조: 도 2, 제4 단계). 실패한 부위의 수리는 따라서 완결된다.Finally, the new semiconductor chip can be mounted again on the circuit board (cleaned as above) in this manner (see FIGS. 2 and 3). After mounting, the thermosetting resin composition according to the present invention can be distributed in the region between the semiconductor device and the circuit board (see FIGS. 2 and 4 steps). Repair of the failed site is thus completed.

실패한 부위가 회로기판에서 발견되는 경우, 반도체 디바이스는 상기와 같은 방식으로 반도체 디바이스의 하부에 남아있는 열경화성 수지 조성물의 경화 반응 생성물의 잔류물 및 땜납의 잔류물을 제거하여 재사용될 수 있다.If a failed site is found on the circuit board, the semiconductor device can be reused by removing residues of the curing reaction product and solder residues of the thermosetting resin composition remaining in the lower portion of the semiconductor device in the above manner.

본 발명은 다음 실시예를 참조하여 더욱 용이하게 평가될 수 있다.The present invention can be more easily evaluated with reference to the following examples.

이들 실시예에서, 본 발명에 따른 조성물이 제조될 수 있으며 성능이 평가될 수 있다.In these examples, compositions according to the invention can be prepared and performance can be evaluated.

열경화성 수지 조성물Thermosetting resin composition

본 발명에 따른 열경화성 조성물은 기재된 순서로 다음의 성분을 개방 용기내에서 실온에서 약 10 분의 시간 동안 본 발명에 따라 함께 혼합하여 제조된다.Thermosetting compositions according to the invention are prepared by mixing the following components together in accordance with the invention in an open container for about 10 minutes at room temperature in the order described.

1. 비스페놀 F형 에폭시 수지(상표명 RE-404-S로 Nippon Kayaku사로부터 상업적으로 입수가능함) 24.95그램을 포함하는 에폭시 수지 성분, 및1. an epoxy resin component comprising 24.95 grams of bisphenol F type epoxy resin (commercially available from Nippon Kayaku under the trade name RE-404-S), and

화학식 3으로 표시되는 적어도 하나의 열분해성 결합을 갖는 에폭시 화합물 24.95그램, 및24.95 grams of epoxy compound having at least one pyrolytic bond represented by Formula 3, and

2. 이미다졸 성분(상표명 "CUREZOL" 1B2MZ로 Air Products사로부터 상업적으로 입수가능함) 0.2그램 및2. 0.2 grams of imidazole component (commercially available from Air Products under the trade name "CUREZOL" 1B2MZ) and

"HHPA" 및 "MHHPA" 무수물(상표명 "LINDRIDE" 62C로 상업적으로 입수가능함)의 50:50 비율의 혼합물 42.42그램 및 고리지방족 이무수물(상표명 B-4400으로 ChrisKev사로부터 상업적으로 입수가능함) 7.48그램의 혼합물을 포함하는 무수물성분 50그램.42.42 grams of a 50:50 mixture of "HHPA" and "MHHPA" anhydride (commercially available under the trademark "LINDRIDE" 62C) and 7.48 grams of cycloaliphatic dianhydride (commercially available from ChrisKev under the trademark B-4400) 50 grams of anhydrides comprising a mixture of.

표 1에 하기된 양의 다음 성분들을 갖는 7개의 다른 제형(시료 제2-8번)이 제조된다.Seven other formulations (Samples No. 2-8) were prepared having the following ingredients in the amounts set forth in Table 1 below.

제조 후 조성물이 사용되는 동안(하기 참조), 점도증가없이 약 -40℃의 온도에서 약 3 내지 약 6 달까지의 기간 동안 저장될 수 있다.The post-preparation composition can be stored for a period of up to about 3 to about 6 months at a temperature of about −40 ° C. without increasing viscosity, during use (see below).

제조 후, 조성물을 10㎖ 비반응성 플라스틱제 주사기로 옮겼다.After preparation, the composition was transferred to a 10 ml non-reactive plastic syringe.

실장 방법How to mount

크림 땜납(PS10R-350A-F92C; Harima Chemicals사제)을 사용하여, 20mm2의 패키지, 0.5mm의 전극직경, 1.0mm의 전극 피치 및 알루미나제 캐리어 기판을 구비한 CSP를 그 위에 형성된 회로를 구비한 1.6mm 두께의 유리보강 에폭시 기판 상에 실장되었다.Using a cream solder (PS10R-350A-F92C; manufactured by Harima Chemicals), a CSP having a package of 20 mm 2 , an electrode diameter of 0.5 mm, an electrode pitch of 1.0 mm, and a carrier substrate made of alumina was provided. It was mounted on a 1.6 mm thick glass reinforced epoxy substrate.

충진불량부 충진방법Filling method

본 발명의 조성물은 캐리어 기판 및 상기와 같이 미리 형성된 반도체 디바이스 조립체 간의 접합부 내로 주사기와 접속한 12G의 니들을 통해 분배될 수 있다.The composition of the present invention may be dispensed through a 12G needle connected with a syringe into the junction between the carrier substrate and the pre-formed semiconductor device assembly as described above.

그러한 분배 후에, 조립체는 오븐으로 옮겨져 온도가 약 165℃로 유지되었다. 약 1 분 후에 최초 경화된 조성물은, 그 후에 그 온도에서 약 15 분 후에 완전히 경화되었다.After such dispensing, the assembly was transferred to an oven to maintain a temperature of about 165 ° C. The initial cured composition after about 1 minute was then completely cured after about 15 minutes at that temperature.

물리적 특성Physical properties

조성물은 비경화 및 경화 상태 모두에서, 원하는 필요에 특별한 제형을 선택하는 데 최종 사용자에게 측정가능하고 유용한 파라미터인 많은 특성을 갖는다.The composition has many properties, both in the uncured and cured state, which are measurable and useful parameters for the end user in selecting a formulation that is specific to the desired need.

예컨대, 비경화 상태에서, 유속이 관심의 대상이고, 경화된 상태에 이르렀을 때, 접착성 및 재작업 가능한이 관심의 대상이 된다.For example, in the uncured state, the flow rate is of interest, and when the cured state is reached, adhesion and reworkability are of interest.

유동 시간은 최종사용자가 회로조립작업같은 제조과정 중에 접착제가 사용될 수 있는 속도를 결정하게 한다. 이는 스페이서로서 금속 쐐기를 사용하여 서로 수직 정렬된 슬라이드글래스 간의 25㎛ 갭을 통해 조성물을 통과시켜 측정될 수 있다. 그 다음 조성물이 슬라이드 사이로 유동하는 데 필요한 시간이 0.25 인치 간격으로 약 1 인치의 길이에서 측정된다. 상기 설명된 조성물의 유동 시간에 대한 초 단위 수치가 하기 표 2에 3 측정의 평균으로서 제시된다.The flow time allows the end user to determine the rate at which the adhesive can be used during manufacturing, such as in circuit assembly. This can be measured by passing the composition through a 25 μm gap between slide glasses that are vertically aligned with each other using metal wedges as spacers. The time required for the composition to flow between the slides is then measured at a length of about 1 inch at 0.25 inch intervals. The second value for the flow time of the composition described above is presented in Table 2 as an average of 3 measurements.

경화 스케줄은 특정기간 중 일정온도에서 경화의 개시가 일어나는 데 필요한 시간을 말한다. 이는 하기 표 2에서 본 발명에 따라 제조된 어떤 시료에 관하여 더욱 상세히 보여질 수 있다.A curing schedule is the time required for the onset of curing to occur at a given temperature during a particular time period. This can be seen in more detail with respect to any sample prepared according to the invention in Table 2 below.

경화 상태에서, 많은 특성이, 조성물에 예정된 최종 용도에 따라 유용하다.In the cured state, many properties are useful depending on the end use intended for the composition.

예컨대, 접착성은 경화 조성물에 의해 형성된 결합강도에 관한 정보를 제공한다. 시차주사 열량법("DSC") 또는 열기계분석("TMA")에 의하여 측정되는 유리전이온도("Tg")는 경화반응생성물(또는 네트워크)의 경도 및 강도, 그리고 온도의 차이에 관한 정보, 즉 더 높은 Tg는 상승온도를 더 잘 견딜 수 있는 재료를 제공하여야 한다는 정보를 제공한다.For example, adhesion provides information regarding the bond strength formed by the curable composition. The glass transition temperature ("Tg") measured by differential scanning calorimetry ("DSC") or thermomechanical analysis ("TMA") is the information on the hardness and strength of the curing reaction product (or network) and the difference in temperature. That is, the higher the Tg, the more informed that the material must be able to withstand the elevated temperatures.

그리고 물론 신뢰성이 경화 조성물에 중요하다. 신뢰성 시험이 아래에 기술된다.And of course reliability is important for the curing composition. Reliability testing is described below.

열사이클 시험Heat cycle test

상기대로 제조한 여러 시료(제1-2번 및 제4-5번)를 액체-액체 열충격시험 ("L-L") 또는 공기-공기 열사이클 시험("A-A")같은 열사이클 시험에 노출시켰다. L-L 시험에서, 시료를, 각각의 극단에서 5 분의 휴지시간으로, -55과 125℃사이의 온도에 노출시켰다. A-A 시험에서, 온도범위는 L-L 시험의 경우와 동일하였으나, 휴지시간을 20분으로 증가시켰다. 예정된 수의 열사이클 후, 시료를 연속성 시험을 받게하여 CSP와 회로기판 간의 전기적 접속의 완전성을 확인하였다. 시료가 500 사이클의 L-L을 통과하면, 만족스러운 것으로 여겨졌다. 아래의 표 3은 수집한 데이타를 보여준다.Several samples prepared above (Nos. 1-2 and 4-5) were exposed to thermal cycle tests such as liquid-liquid thermal shock test ("L-L") or air-air thermal cycle test ("A-A"). In the L-L test, the samples were exposed to temperatures between -55 and 125 ° C with a 5 minute rest period at each extreme. In the A-A test, the temperature range was the same as in the L-L test, but the rest time was increased to 20 minutes. After a predetermined number of thermal cycles, the samples were subjected to continuity testing to confirm the integrity of the electrical connection between the CSP and the circuit board. If the sample passed L-L of 500 cycles, it was considered satisfactory. Table 3 below shows the data collected.

표 3에 보여지듯이, 이들 시료는 시험된 칩의 타입에 대하여 모두 만족스럽다.As shown in Table 3, these samples are all satisfactory for the type of chip tested.

재작업 가능성Reworkability

열기 발생기를 사용하여, 시료 제1-2번 및 제4-5번의 조성물로 회로기판에 고정된, CSP주위영역이 1 분의 시간 동안 약 215℃의 온도에서 열기를 적용함에 의해 가열되어야 한다. 그 다음, 트위저를 사용하여 회로기판으로부터 반도체칩을 잡아당기거나 비틀어 CSP가 쉽게 제거될 수 있다.Using a heat generator, the CSP periphery, secured to the circuit board with the compositions of Samples 1-2 and 4-5, should be heated by applying heat at a temperature of about 215 ° C. for 1 minute. The CSP can then be easily removed by using a tweezer to pull or twist the semiconductor chip from the circuit board.

화학식 3으로 표시되는 적어도 하나의 열분해성 결합을 갖는 에폭시 화합물없이 제조된 열경화성 수지 조성물은, 상기 분배되고 경화된, RS-404-S 에폭시 수지로부터 비롯한 에폭시 수지 성분의 평형 때문에, 이와 같이 기술된 방식의 제거를 허용하지 않는다.Thermosetting resin compositions prepared without epoxy compounds having at least one thermally degradable bond represented by formula (3) are described in this manner because of the equilibrium of the epoxy resin components, including from the above-distributed and cured, RS-404-S epoxy resins. Does not allow the removal of.

교체된 칩의 신뢰성Replaced Chip Reliability

기술된 방법 후에 회로기판 상에 잔존한 경화조성물은 약 30,000 rpm에서 회전 강모를 구비한 드레멜(dremel)을 사용하는 것과 같이, 물리적 스크랩 방법을 사용하여 제거될 수 있다.The cured composition remaining on the circuit board after the described method can be removed using a physical scrap method, such as using dremel with rotating bristles at about 30,000 rpm.

실패한 반도체칩의 부위가 그 다음 녹여지고 새 반도체칩이 통상적인 플립 칩 기술을 사용하여 부착될 수 있다. 그 다음, 본 발명의 열경화성 수지 조성물이 새로 교체된 반도체칩의 주변주위에 적용되고 7분의 시간 동안 약 165℃의 온도로 가열하여 경화될 수 있다.The portion of the failed semiconductor chip is then melted and a new semiconductor chip can be attached using conventional flip chip technology. Then, the thermosetting resin composition of the present invention may be applied to the periphery of the newly replaced semiconductor chip and cured by heating to a temperature of about 165 ° C. for 7 minutes.

전기적 접속은 이와 같이 수리된 CSP실장 회로기판 상에서 확고히 성립되었다. 이 신규 기판조립체는 다시 L-L 및 A-A 열사이클 시험을 받았다. 시료 제5번에 대하여 관찰된 결과가 아래의 표 4에 주어진다.Electrical connections were firmly established on these repaired CSP-mount circuit boards. The new substrate assembly was again subjected to L-L and A-A thermal cycle tests. The results observed for sample 5 are given in Table 4 below.

상기 시료는 본 발명의 조성물의 예를 제한하기보다는 실례로서 제시된다. 많은 부가적인 실시예가 본 발명의 정신 및 영역에 포함된다.The samples are shown by way of example rather than limiting examples of the compositions of the present invention. Many additional embodiments are included within the spirit and scope of the invention.

Claims (24)

캐리어 기판 상에 실장된 반도체 칩을 포함하는 반도체 디바이스와 상기 반도체 장치가 전기적으로 접속된 회로기판 사이의 충진불량부를 밀봉할 수 있는 열경화성 수지 조성물로서, 그것의 반응 생성물은 조성물의 경화에 사용된 온도 조건을 초과하는 온도조건에 노출시에 연화되어 그 접착성을 상실할 수 있고, 상기 조성물이A thermosetting resin composition capable of sealing a filling defect between a semiconductor device including a semiconductor chip mounted on a carrier substrate and a circuit board to which the semiconductor device is electrically connected, the reaction product of which is a temperature used for curing the composition. May be softened upon exposure to temperature conditions that exceed the conditions and lose their adhesion, (a) 일부가 적어도 하나의 열분해성 결합을 갖는 에폭시 화합물을 포함하는 에폭시 수지 성분,(a) an epoxy resin component in which part comprises an epoxy compound having at least one thermally decomposable bond, (b) 선택적으로 무기충전재 성분 및(b) optionally an inorganic filler component and (C) 무수 화합물, 아민 화합물, 아미드 화합물, 이미다졸 화합물 및 그 조합으로 구성되는 군으로부터 선택된 멤버를 포함하는 경화제 성분(C) a curing agent component comprising a member selected from the group consisting of anhydrous compounds, amine compounds, amide compounds, imidazole compounds and combinations thereof 을 포함하는 것을 특징으로 하는 열경화성 수지 조성물.Thermosetting resin composition comprising a. 제 1 항에 있어서, 적어도 하나의 열분해성 결합을 갖는 에폭시 화합물이 다음 식:The epoxy compound of claim 1, wherein the epoxy compound having at least one pyrolytic bond is of the formula: (화학식 1)(Formula 1) 의 화합물들 중에서 선택될 수 있는 것을 특징으로 하는 조성물Compositions which can be selected from the compounds of (여기서 각각의 R은 수소, 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, 이소부틸, 3차 부틸, C1-4알콕시, 할로겐, 시아노 및 니트로 중에서 독립적으로 선택되고, 각각의 R3는 수소, 메틸, 에틸, 프로필 및 이소프로필 중에서 독립적으로 선택되고, R1및 R2는 수소, 메틸, 에틸 및 프로필 중에서 각각 독립적으로 선택되며, 단 R1및 R2양쪽 모두가 수소일 수 없고 m은 0 또는 1이다.).Wherein each R is independently selected from hydrogen, methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, tertiary butyl, C 1-4 alkoxy, halogen, cyano and nitro, each R 3 is hydrogen Are independently selected from methyl, ethyl, propyl and isopropyl, and R 1 and R 2 are each independently selected from hydrogen, methyl, ethyl and propyl, provided that both R 1 and R 2 cannot be hydrogen and m is 0 or 1). 제 2 항에 있어서, 적어도 하나의 열분해성 결합을 갖는 에폭시 화합물이The epoxy compound of claim 2, wherein the epoxy compound having at least one pyrolytic bond (화학식 2)(Formula 2) (화학식 3)(Formula 3) (화학식 4)(Formula 4) (화학식 5)(Formula 5) (화학식 6)(Formula 6) 으로 구성되는 군으로부터 선택된 멤버인 것을 특징으로 하는 조성물.Composition comprising a member selected from the group consisting of. 제 2 항에 있어서, 적어도 하나의 열분해성 결합을 갖는 에폭시 화합물이The epoxy compound of claim 2, wherein the epoxy compound having at least one pyrolytic bond (화학식 3)(Formula 3) 인 것을 특징으로 하는 조성물.The composition characterized in that the. 제 1 항에 있어서, 유동화제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 조성물.The composition of claim 1 further comprising a glidant. 제 5 항에 있어서, 유동화제가 실란, 티탄산염 및 그 조합으로 구성되는 군으로부터 선택된 멤버인 것을 특징으로 하는 조성물.6. The composition of claim 5 wherein the glidant is a member selected from the group consisting of silanes, titanates and combinations thereof. 제 1 항에 있어서, 접착증진제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 조성물.The composition of claim 1, further comprising an adhesion promoter. 제 7 항에 있어서, 접착증진제가 글리시딜 트리메톡시실란, 감마-아미노 프로필 트리에톡시실란 및 그 조합으로 구성되는 군으로부터 선택된 멤버인 것을 특징으로 하는 조성물.8. The composition of claim 7, wherein the adhesion promoter is a member selected from the group consisting of glycidyl trimethoxysilane, gamma-amino propyl triethoxysilane, and combinations thereof. 제 1 항에 있어서, 시안산염 에스테르를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 조성물.The composition of claim 1, further comprising a cyanate ester. 제 9 항에 있어서, 시안산염 에스테르가 디시아나토벤젠, 트리시아나토벤젠, 디시아나토나프탈렌, 트리시아나토나프탈렌, 디시아나토비페닐, 비스(시아나토페닐)메탄 및 그 알킬 유도체, 비스(디할로시아나토페닐)프로판, 비스(시아나토페닐)에테르, 황화 비스(시아나토페닐), 비스(시아나토페닐)프로판, 아인산 트리스(시아나토페닐), 인산 트리스(시아나토페닐), 비스(할로시아나토페닐)메탄, 시안산화 노보락, 비스[시아나토페닐(메틸에틸리덴)]벤젠, 시안산화 비스페놀종결 열가소성 올리고머 및 그 조합으로 구성되는 군으로부터 선택된 멤버인 것을 특징으로 하는 조성물.10. The cyanate ester according to claim 9, wherein the cyanate ester is dicyanatobenzene, tricyanatobenzene, dicyanatonaphthalene, tricyanatonaphthalene, dicyanatophenyl, bis (cyanatophenyl) methane and alkyl derivatives thereof, bis (dihaloasia). Natophenyl) propane, bis (cyanatophenyl) ether, bis (syanatophenyl) sulfide, bis (cyanatophenyl) propane, tris phosphate (cyanatophenyl), tris phosphate (cyanatophenyl), bis (halocyanato) A member selected from the group consisting of phenyl) methane, cyanated novolak, bis [cyanatophenyl (methylethylidene)] benzene, cyanated bisphenol terminated thermoplastic oligomer and combinations thereof. 제 1 항에 있어서, 무기충전재 성분이 보강용실리카, 산화알루미늄, 질화규소, 질화알루미늄, 실리카코팅 질화알루미늄, 질화붕소 및 그 조합으로 구성되는(또는 포함하는) 재료들로 구성되는 군으로부터 선택될 수 있는 것을 특징으로 하는 조성물.The inorganic filler component of claim 1 may be selected from the group consisting of materials consisting of (or comprising) reinforcing silica, aluminum oxide, silicon nitride, aluminum nitride, silica coated aluminum nitride, boron nitride, and combinations thereof. There is a composition characterized by. 제 1 항에 있어서, 무기충전재 성분이 저이온농도 및 약 2-10 마이크론 범위내의 입자크기를 갖는 것을 특징으로 하는 조성물.The composition of claim 1, wherein the inorganic filler component has a low ion concentration and a particle size in the range of about 2-10 microns. 제 1 항에 있어서, 경화제 성분의 무수물 성분이 무수헥사히드로프탈, 무수 헥사히드로프탈 메틸, 무수 5-(2,5-디옥소테트라히드롤)-3-메틸-3-시클로헥센-1,2-디카르복실 및 그 조합으로 구성되는 군으로부터 선택될 수 있는 조성물.The anhydride component of the curing agent component is hexahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, 5- (2,5-dioxotetrahydro) -3-methyl-3-cyclohexene-1,2 anhydrous. A composition which may be selected from the group consisting of dicarboxyl and combinations thereof. 제 1 항에 있어서, 경화제 성분의 아민 화합물이 디시안디아미드, 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌테트라아민, 디에틸아미노프로필아민, m-크실렌디아민, 디아미노디페닐아민, 이소포론디아민, 멘텐디아민, 폴리아미드 및 그 조합으로 구성되는 군으로부터 선택될 수 있는 조성물.The amine compound of claim 1, wherein the amine compound of the curing agent component is dicyandiamide, diethylenetriamine, triethylenetetraamine, diethylaminopropylamine, m-xylenediamine, diaminodiphenylamine, isophoronediamine, mentendiamine, A composition which may be selected from the group consisting of polyamides and combinations thereof. 제 1 항에 있어서, 경화제 성분의 아미드 화합물이 디시안디아미드 및 그 조합으로 구성되는 군으로부터 선택될 수 있는 것을 특징으로 하는 조성물.The composition of claim 1, wherein the amide compound of the curing agent component can be selected from the group consisting of dicyandiamide and combinations thereof. 제 1 항에 있어서, 경화제 성분의 이미다졸 화합물이 이미다졸, 이소이미다졸, 2-메틸 이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2,4-디메틸이미다졸, 부틸이미다졸, 2-헵타데세닐-4-메틸이미다졸, 2-메틸이미다졸, 2-운데세닐이미다졸, 1-비닐-2-메틸이미다졸, 2-n-헵타데실이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 2-에틸 4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-프로필-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-구안아미노에틸-2-메틸이미다졸, 이미다졸 및 트리멜리틴산의 부가생성물, 이미다졸 및 2-n-헵타데실-4-메틸이미다졸의 부가생성물, 페닐이미다졸, 벤질이미다졸, 2-메틸-4,5-디페닐이미다졸, 2,3,5-트리페닐이미다졸, 2-스티릴이미다졸, 1-(도데실 벤질)-2-메틸이미다졸, 2-(2-히드록실-4-t-부틸페닐)-4,5-디페닐이미다졸, 2-(2-메톡시페닐)-4,5-디페닐이미다졸, 2-(3-히드록시페닐)-4,5-디페닐이미다졸, 2-(p-디메틸아미노페닐)-4,5-디페닐이미다졸, 2-(2-히드록시페닐)-4,5-디페닐이미다졸, 디(4,5-디페닐-2-이미다졸)-벤젠-1,4,2-나프틸-4,5-디페닐이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 2-p-메톡시스티릴이미다졸 및 그 조합으로 구성되는 군으로부터 선택될 수 있는 것을 특징으로 하는 조성물.The imidazole compound of claim 1, wherein the imidazole compound of the curing agent component is imidazole, isimidazole, 2-methyl imidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2,4-dimethylimidazole, butylimidazole. , 2-heptadecenyl-4-methylimidazole, 2-methylimidazole, 2-undecenylimidazole, 1-vinyl-2-methylimidazole, 2-n-heptadecylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 2-ethyl 4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-propyl-2-methylimidazole, 1- Cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2- Adducts of phenylimidazole, 1-guanaminoethyl-2-methylimidazole, imidazole and trimellitic acid, adducts of imidazole and 2-n-heptadecyl-4-methylimidazole, phenyl Midazole, benzylimidazole, 2-methyl-4,5-diphenylimidazole, 2,3,5-triphenylimidazole, 2-styrylimidazole, 1- (dodecyl Benzyl) -2-methylimidazole, 2- (2-hydroxy-4-t-butylphenyl) -4,5-diphenylimidazole, 2- (2-methoxyphenyl) -4,5- Diphenylimidazole, 2- (3-hydroxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole, 2- (p-dimethylaminophenyl) -4,5-diphenylimidazole, 2- (2 -Hydroxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole, di (4,5-diphenyl-2-imidazole) -benzene-1,4,2-naphthyl-4,5-diphenylimida And sol, 1-benzyl-2-methylimidazole, 2-p-methoxystyrylimidazole, and combinations thereof. 제 1 항에 있어서, 경화제 성분이 에폭시수지의 100중량부 당 약 3 내지 약 60 중량부의 양으로 사용되는 것을 특징으로 하는 조성물.The composition of claim 1 wherein the curing agent component is used in an amount of about 3 to about 60 parts by weight per 100 parts by weight of the epoxy resin. 제 1 항에 있어서, 경화제 성분이 에폭시수지의 100중량부 당 약 5 내지 약 40 중량부의 양으로 사용되는 것을 특징으로 하는 조성물.The composition of claim 1 wherein the curing agent component is used in an amount of about 5 to about 40 parts by weight per 100 parts by weight of the epoxy resin. 제 5 항에 있어서, 유동화제가 옥틸 트리메톡시 실란, 메타크릴옥시 프로필 트리메톡시 실란, 티타늄 IV 테트라키스 [2,2-비스[(2-프로페닐옥시)메틸]-1-부탄올라토-O] [비스(디트리데실포스피토-O], 이수소]2및 그 조합 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.6. The fluidizing agent of claim 5 wherein the fluidizing agent is octyl trimethoxy silane, methacryloxy propyl trimethoxy silane, titanium IV tetrakis [2,2-bis [(2-propenyloxy) methyl] -1-butanolato-O ] [Bis (ditridecylphosphito-O], dihydrogen] 2 and combinations thereof. 제 5 항에 있어서, 유동화제가 에폭시수지 100중량부 당 약 2중량부까지의 양으로 사용되는 것을 특징으로 하는 조성물.6. The composition of claim 5 wherein the fluidizing agent is used in an amount of up to about 2 parts by weight per 100 parts by weight of epoxy resin. 제 1 항에 있어서, 약 500-70,000cps의 범위내의 점도를 갖는 것을 특징으로 하는 조성물.The composition of claim 1 having a viscosity in the range of about 500-70,000 cps. 캐리어기판 상에 실장된 반도체 칩을 포함하는 반도체 디바이스와 상기 반도체 디바이스가 전기적으로 접속된 회로기판 사이의 충진불량부를 밀봉할 수 있는 열경화성 수지 조성물로서, 그것의 반응생성물은 조성물을 경화하는 데 사용된 온도 조건을 초과하는 온도조건에 노출시에 연화되고 그 접착성을 상실할 수 있고, 상기 조성물이A thermosetting resin composition capable of sealing a defect between a semiconductor device including a semiconductor chip mounted on a carrier substrate and a circuit board to which the semiconductor device is electrically connected, the reaction product of which is used to cure the composition. Can be softened and lose its adhesion upon exposure to temperature conditions in excess of the temperature conditions, (a) 일부가 조성물의 총 중량을 기준으로 약 20 내지 65 중량 퍼센트 범위의 양으로 적어도 하나의 열분해성 결합을 갖는 에폭시 화합물을 포함하는 에폭시 수지 성분,(a) an epoxy resin component, wherein the epoxy resin component comprises at least one epoxy compound having at least one thermally decomposable bond in an amount ranging from about 20 to 65 weight percent based on the total weight of the composition, (b) 조성물의 총 중량을 기준으로 약 60 중량 퍼센트 범위까지의 양의 무기 충전재 성분,(b) an inorganic filler component in an amount of up to about 60 weight percent based on the total weight of the composition, (c) 조성물의 총 중량을 기준으로 2 내지 약 50 중량 퍼센트 범위의 양의 경화제 성분 및(c) the curing agent component in an amount ranging from 2 to about 50 weight percent based on the total weight of the composition and (d) 조성물의 총 중량을 기준으로 약 0.5 중량퍼센트까지의 양의 유동화제를 포함하는 것을 특징으로 하는 열경화성 수지 조성물.(d) a thermosetting resin composition comprising up to about 0.5 weight percent of a glidant based on the total weight of the composition. 제 1 항 내지 제 22 항 중 어느 한 항에 따른 조성물로부터 형성된 것을 특징으로 하는 반응생성물.A reaction product formed from the composition according to any one of claims 1 to 22. 반도체 디바이스와 회로기판 사이의 충진불량부 밀봉재로서 제 1 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항에 따른 열경화성 수지 조성물을 사용하여 조립된, 반도체 디바이스 및 상기 반도체 디바이스가 전기적으로 접속된 회로기판을 포함하는 전자 장치로서, 그 조성물의 반응생성물이 조성물의 경화에 사용된 온도조건을 초과하는 온도조건에 노출시에 연화되고 그 접착성을 상실할 수 있는 것을 특징으로 하는 전자 장치.A semiconductor device comprising a semiconductor device and a circuit board to which the semiconductor device is electrically connected, which are assembled using the thermosetting resin composition according to any one of claims 1 to 21 as a filling gap sealing material between the semiconductor device and the circuit board. An electronic device, characterized in that the reaction product of the composition may soften and lose its adhesion upon exposure to temperature conditions in excess of those used for curing the composition.
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